PRIMERA PRUEBA DE EVALUACIN A DISTANCIA

(CURSO 2008/2009) Carrera: INGENIERO TCNICO INDUSTRIAL

Asignatura: QUMICA APLICADA A LA INGENIERIA

Especialidades: MECNICA / ELECTRNICA INDUSTRIAL Y ELECTRICIDAD

Alumno: Nombre................................................ Apellidos.............................................. Calle:.................................................... Poblacin............................................. Provincia.................CP........................ Especialidad:................................................... Calificacin de la Prueba: Preguntas .............. Problemas .............. Temas ..............

PREGUNTAS

1.-

Un elemento X tiene un nmero atmico Z = 73, represente su configuracin electrnica e identifique de que elemento se trata, a qu grupo del Sistema Peridico pertenece, cual es su electrn diferenciador y qu nmeros cunticos tiene? Solucin: Configuracin electrnica: 1s22s22p63s23p64s23d104p65s24d105p66s25d34f14 [Xe] 6s25d34f14 Grupo: VB Elemento: Tantalio o Tntalo Electrn diferenciador: 4f14 Nmeros cunticos: n=4, l=3, m=3, s=1/2 (4, 3, 3, )

2.-

Defina los conceptos: cido de Lewis; carga formal; propiedad coligativa y semiconductor. Ponga en cada caso un ejemplo que lo ilustre. Solucin: Acido de Lewis: tomo, o grupo de tomos, que acepta electrones, es decir, son aquellas sustancias que aceptan electrones de sus bases. Ejemplo: CO2; H3O+; Carga formal: Es la carga aparente que soporta un tomo en una estructura de Lewis, es decir, es la carga hipottica sobre cada de una molcula suponiendo que los electrones estn igualmente compartidos entre los tomos enlazados y que los electrones no compartidos, pertenecen completamente al tomo donde estn localizados. Para un elemento dado, se calcula restando al nmero de electrones de la ltima capa (electrones de valencia), los electrones sin compartir y la mitad de los no compartidos. Siempre la suma de la cargas formales debe ser cero, e en el caso de iones la carga del in. Carga formal = N electrones de valencia en tomo libre N electrones no compartidos del N de electrones del enlace. Ejemplo: Para el CO CFc= 4- 2- 6= -1 CFO= 6-2-1/2 6 = +1 Propiedad coligativa: Es una propiedad de las disoluciones que no depende de la naturaleza del soluto solo de su concentracin, es decir, son aquellas propiedades de una solucin que dependen nicamente de la concentracin molal. Ejemplo: La Presin osmtica de una solucin molal de glucosa es la misma que la de otra de sacarosa de igual concentracin. Semiconductor: Es un elemento o compuesto o compuesto que tiene bandas de valencia relativamente prximas a las bandas de conductividad, es decir, presentan un diagrama de bandas similar al de los slidos aislantes pero con una separacin entre las bandas de valencia y de conduccin menor de 3.0 eV. Por lo tanto son conductores de la electricidad sobre todo a temperaturas elevadas. Existen dos tipos de semiconductores:

Semiconductor intrnseco. Elemento que presenta una conductividad elctrica apreciable que aumenta con la temperatura. Ejemplo: Silicio. Semiconductor extrnseco (de impureza). Es un semiconductor cuya conductividad se ve incrementada por el dopado con otro elemento. Existen dos tipos de dopantes: donadores de electrones con lo que se tiene un semiconductor tipo-n. Por ejemplo Ge dopado con con As. O bien con dopantes, con huecos, que aceptan electrones y tenemos un semiconductor tipo-p. Ejemplo: Ge dopado con In.

3.- Teniendo en cuenta la teora de hibridacin de orbitales atmicos, indique que tipo de
hibridacin presenta la molcula de tribromuro de boro, cuales son los ngulos de enlace, el sentido de la polaridad del enlace B Br y el valor del momento dipolar de la molcula. Solucin: Segn la teora de hibridacin el B sufre una hibridacin tipo sp2 (1 orbital s con 2 orbitales p) originando 3 orbitales hbridos sp2, que se orientan en un plano formando ngulos de 120, es decir, en disposicin plana triangular (figura), estos orbitales se unen cada uno con un orbital p de los 3 tomos de Br. Como consecuencia la forma geomtrica de la molcula ser: Los ngulos de enlace son 120 y la molcula es apolar, ya que los dipolos de los tres enlaces B Br se anulan

4.- Para

la reaccin de descomposicin del pentxido de dinitrgeno (N2O5) en dixido de nitrgeno y en oxgeno. Escriba la reaccin de descomposicin y calcule la velocidad de produccin de O2 considerando los siguientes datos experimentales a 50C: Tiempo Conc. N2O5 0s 0,0312 moles/l 150 s 0,0280 300 s 0,0243 Solucin: La relacin de descomposicin es la siguiente: 2N2O5 4NO2 + O2

 = =

1 [2 5 ] 2

=
2

1 (0,02430,0312) 300

= 1,15 105

1 [2 5 ] 2

1 [2 ] 4

[2 ]

La velocidad de produccin de CO2 en 300 segundos es 1,1510-5 Qu ecuacin relaciona las funciones termodinmicas: G0; H0 y S0 y la temperatura (T) que permite predecir si una reaccin es o no espontnea? Ponga un ejemplo caracterstico.

5.-

Solucin: La ecuacin que nos permite predecir si una reaccin ser espontanea o no, es la siguiente: G = H - TS Cuando en un proceso, tanto la temperatura como la presin se mantienen constantes, se pueden establecer los siguientes criterios de espontaneidad: Si G < 0, la reaccin ser espontanea en el mismo sentido en el que esta escrita. Si G > 0, la reaccin ser espontanea, pero en el sentido contrario a como est escrita. Si G = 0, la reaccin esta en equilibrio. Un ejemplo de espontaneidad de un proceso es: 2 Fe (S) + 3/2 O2 + 3 H2O (l) 2 Fe (OH)3 (S)

6.- Qu concentracin debera tener una disolucin acuosa de un cido monoprtico HA,
cuya constante de ionizacin es Ka = 1,5 10-5, para tener el mismo pH que una disolucin acuosa de cido clorhdrico 10-2 M. Solucin: ---

7.- Cual es la opcin correcta? Justifique la respuesta

La solubilidad de un gas en un lquido aumenta: a) Al aumentar la presin y disminuir la temperatura b) Al aumentar la presin y aumentar la temperatura c) Al disminuir la presin y aumentar la temperatura

d) Al disminuir la presin y disminuir la temperatura Solucin: La opcin correcta es la a) De acuerdo con la ley de Henry, a una temperatura constante, al aumentar la presin parcial de un gas, aumenta la solubilidad en la misma proporcin. De la misma forma, partiendo del principio de Le Chatelier, al aumentar la temperatura de un sistema en equilibrio, aumenta la solubilidad. No obstante, y en contra de lo que sucede con la mayor parte de los slidos inicos, las solubilidades de los gases en el agua, disminuyen al aumentar la temperatura.

8.- Justificar los siguientes hechos experimentales:

a) Para conseguir la trasformacin entre la variedad alotrpica del carbono grafito a la variedad diamante es necesario aplicar presiones elevadas. b) Un aumento de presin dificulta la descomposicin del carbonato clcico, en xido de calcio y dixido de carbono. c) El porcentaje de enlace covalente de los cloruros de los elementos alcalinotrreos crece en el orden: Ra2Cl<Ba2Cl<Sr2Cl<Ca2Cl<Mg2Cl<Be2Cl Solucin: Ambos elementos se componen de tomos de carbono, formando redes inicas. A pesar de componerse del mismo elemento, la distribucin espacial es distinta (presentan un modelo distinto de empaquetamiento). Grafito. Los tomos en el carbono, se disponen en capas paralelas, una sobre otra. Los tomos de carbono se rodean de otros tomos, provocando los orbitales hbridos sp2. Diamante. Los tomos en el carbono, a diferencia del grafito, se disponen en forma de cubo, originando orbitales hbridos sp3. El grado de compactacin en este elemento es muy superior al que se puede alcanzar en otros elementos. Para modificar la estructura del grafito en necesario aplicar fuerzas externas de gran magnitud. Estas fuerzas, no se reproducen de forma natural, pero son necesarias para destruir los enlaces de carbono del grafico para que formen los nuevos enlaces. b) 3 + 2

En un sistema equilibrado, la disminucin del volumen, provocara el aumento de la presin. c)

PROBLEMAS

1.-

En una experiencia para optimizar el proceso de oxidacin del SO2 a SO3 en la obtencin de cido sulfrico, se colocan en un recipiente de 5 L de capacidad, en el que previamente se hace el vaco, 1 mol de SO2 y 1 mol de O2 a la temperatura de 727 C y se deja que se produzca la reaccin hasta que el sistema alcance el equilibrio. En ese momento la concentracin de SO3 es 0,168M. Se pide: a) Escribir ajustada la reaccin que se produce b) Calcular los valores de las constantes Kc y la Kp a 727 C, c) La presin final y las presiones parciales en el recipiente. DATOS: R = 0,082 atmL/Kmol

SOLUCIN:

2.- Si el valor de la concentracin de ozono en el aire

en un da de contaminacin elevada es de 110 partes por billn (ppb). Considrese en condiciones normales y que un billn es equivalente a 109. Se pide: 1) La concentracin de O3 en mg/m3 2) El nmero de molculas por centmetro cbico DATOS: Nmero de abogador N0 = 6,023 1023 y R = 0,082 atm.L/mol.K

SOLUCIN:

3.- Se somete a electrolisis 100 mL de una disolucin de sulfato de cobre al 0,4% p/v.
Considerando que el volumen de disolucin no vara, que la intensidad media de corriente es de 1,20 A, que el tiempo de paso de la corriente fue de 7 minutos superior al tiempo necesario para la deposicin completa de los iones Cu2+, admitiendo que el rendimiento del proceso es del 100%, y que no se producen reacciones secundarias. Se pide: a) Escribir las semi-reacciones que se producen en el ctodo y en el nodo y la reaccin global b) Tiempo necesario para depositar completamente los iones Cu2+ c) El volumen total de gases, en condiciones normales, que se origina durante todo del proceso electroltico DATOS : 1F = 96500 culombios. Peso atmico del hidrgeno y del Cu: 1.0 y 63,55 g/mol, respectivamente. Volumen molar 22,4 L/mol

SOLUCIN:

4.-

A temperaturas bajas la reduccin de un xido metlico a metal produce principalmente CO2, en tanto que a temperaturas elevadas el proceso de reduccin conduce principalmente a CO. A qu temperatura se produce el cambio? Datos: Producto H0 (kJ/mol) S0 (J/mol K) Cs 0 6 CO - 111 198 CO2 - 394 214

SOLUCIN:

TEMAS Enlace metlico. Teora de bandas Presin de vapor de las disoluciones. Ley de Raoult

Enlace Metlico. Teora de bandas. Esta teora representa un modelo para explicar la formacin del enlace metlico. Se basa en la teora de los orbitales moleculares. Esta teora mantiene que cuando dos tomos enlazan, los orbitales de la capa de valencia se combinan para formar dos orbitales nuevos que pertenecen a toda la molcula, uno que se denomina enlazante (de menor energa) y otro antienlazante (de mayor energa). Si se combinasen tres tomos, se formaran tres orbitales moleculares, con una diferencia de energa entre ellos, menor que en el caso anterior. En general, cuando se combinan N orbitales, de otros tantos tomos, se obtienen N orbitales moleculares de energa muy prxima entre s, constituyendo lo que se denomina una banda. En los metales existe un nmero muy grande de orbitales atmicos para formar enlaces deslocalizados que pertenezcan a toda la red metlica (como si fuese una gran molcula). Como el nmero de orbitales moleculares es muy grande forman una banda en la que los niveles de energa, como se ha dicho anteriormente, estn muy prximos. En los metales se forman dos bandas. Una en la que se encuentran los electrones de la capa de valencia que se denomina "banda de valencia" y otra que se llama "banda de conduccin" que es la primera capa vaca.

En los metales, la banda de valencia est llena o parcialmente llena; pero en estas sustancias, la diferencia energtica entre la banda de valencia y la de conduccin es nula; es decir estn solapadas. Por ello, tanto si la banda de valencia est total o parcialmente llena, los electrones pueden moverse a lo largo de los orbitales vacios y conducir la corriente elctrica al aplicar una diferencia de potencial.

En el caso de los aislantes la banda de valencia est completa y la de conduccin vaca; pero a diferencia de los metales, no slo no solapan sino que adems hay una importante diferencia de energa entre una y otra (hay una zona prohibida) por lo que no pueden producirse saltos electrnicos de una a otra. Es decir, los electrones no gozan de la movilidad que tienen en los metales y, por ello, estas sustancias no conducen la corriente elctrica. Un caso intermedio lo constituyen los semiconductores, en el caso de las sustancias de este tipo, la banda de valencia tambin est llena y hay una separacin entre las dos bandas, pero la zona prohibida no es tan grande, energticamente hablando, y algunos electrones pueden saltar a la banda de conduccin. Estos electrones y los huecos dejados en la banda de valencia permiten que haya cierta conductividad elctrica. La conductividad en los semiconductores aumenta con la temperatura, ya que se facilitan los saltos de los electrones a la banda de conduccin. Son ejemplos de semiconductores: Ge, Si, GaAs y InSb. Presin de vapor de las disoluciones. Ley de Raoult. La presin de vapor sobre un lquido es el resultado de un equilibrio dinmico entre el lquido y su vapor porque el nmero de molculas que se intercambian en un sentido y en otro es el mismo. Un liquido y su vapor estn en equilibrio dinmico cuando la evaporacin y la condensacin trascurren a la misma velocidad y de forma simultnea. Se podra decir, que se anulan la una a la otra, y con esto se provoca dicho equilibrio dinmico. Dependiendo de si la presin de vapor es elevada o no, se pueden clasificar en voltiles y no voltiles respectivamente. Fue el qumico francs Franois Raoult quien demostr, que un soluto disuelto disminuye la presin de vapor del disolvente. La ley que lleva su nombre, establece que la presin parcial del disolvente sobre una disolucin ideal, P; a una temperatura dada, depende de la fraccin molar del disolvente en la solucin Xd y de la presin de vapor del disolvente puro, Pod. P = XdPod Otra forma de expresar esta ley ser, la presin de vapor de una sustancia en una disolucin es proporcional a su fraccin molar.

Xd siempre es menor que 1 para todas las disoluciones, a excepcin de un liquido puro, donde ser 1. La ley de Raoult es una ley aproximada, que corresponde con una visin simplificada de una disolucin. Una disolucin ideal es aquella que cumple la ley de Raoult. En una disolucin ideal, la presin de vapor depende linealmente de la fraccin molar. Aplicando esta ley, se puede demostrar que el descenso de la presin de vapor de una solucin diluida con un soluto no voltil es directamente proporcional a la molalidad de la solucin. Tambin permite, determinar la composicin del vapor, y en todos los casos se cumple el principio general de que el vapor es ms rico en el componente ms voltil. Este hecho es el principio de la destilacin (tcnica para la purificacin de sustancias, y empleada para la separacin de componentes voltiles en una mezcla liquida).

NOTAS: 1) Las Pruebas de Evaluacin a Distancia, al igual que los Ejercicios de auto evaluacin de las Unidades Didcticas situados al final de cada tema le permite comprobar el grado de asimilacin de los conceptos estudiados, por tanto es importante su realizacin y despus cotejar sus resultados con las soluciones que se publicarn posteriormente. Por otra parte y tal como se indica en el tabln de anuncios la calificacin de estas pruebas les puede servir para mejorar su nota final. Las PED propuestas en este documento las debe entregar resueltas al Profesor Tutor del Centro Asociado al que pertenezca para que se las corrija y evale. Solo en aquellos casos en los que no exista Tutor en su Centro Asociado, las deber remitir al Equipo Docente para su correccin. El plazo para realizar y entregar esta 1 PED, as como la fecha en que se publicaran las soluciones a las PED, se indican en la herramienta Calendario de la pgina WebCT. 2) Se aconseja no realizar las PED, en especial los problemas, hasta que se haya asimilado completamente la teora que comprende la 1 PED (7 primeros temas). 3) Aquellos alumnos que no dispongan de conexin a la red, pueden solicitar tanto las propuestas de PED, cmo sus soluciones a su Centro Asociado, o al Equipo Docente, en las direcciones que se indican en la Gua de curso.