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Transistor

Transistor

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FUNCIONAMIENTO BASICO DEL TRANSISTOR
FUNCIONAMIENTO BASICO DEL TRANSISTOR

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Transistores Notas para su utilización en aplicaciones de conmutación Autor: Fernando CofmanPágina 1 de 5
Transistores
 Notas para su utilización en aplicaciones de conmutación
El transistor es un dispositivo semiconductor, que presenta dos modos defuncionamiento: lineal y no lineal. El interés en las aplicaciones de conmutación se centra enla parte no lineal, que permite utilizar dos estado claramente diferenciados (corte y saturación;“1” lógico y “0” lógico).Las ecuaciones que describen el modelo lineal se pueden utilizar para calcular elcomportamiento hasta que el dispositivo entra en la zona no lineal, siendo que una vez enésta, dichas ecuaciones dejan de tener validez.Existen diversos tipos de transistores, entre ellos los TBJ ó BJT (Transistor Bipolar deJuntura), los TECJ ó JFET (Transistor de Efecto de Campo de Juntura), MOS-FET ó TEC-MOS y otros. Los más habituales son los TBJ y en ellos se centrará esta referencia.Estos transistores se modelan a través de dos mallas: la malla de entrada y la de salida.La de entrada está dada por la base
 B
y el emisor
 E 
mientras que la de salida por el colector
 y el emisor
 E 
. Resulta evidente que el
 E 
resulta común a ambas.A su vez, existen dos tipos de TBJ y su diferencia radica en el sentido de circulaciónde las corrientes:
Nota: En lo que sigue, se utilizará como ejemplo el tipo NPN dado que es el más común, aunque para el PNPsigue siendo todo válido (con la precaución de que los sentidos de referencia han cambiado).
Las ecuaciones que relacionan las distintas corrientes quedan dadas por:
 B
 I 
.
β
=
 
( )
     +=+=+=
βββ
1.1.
 B B E 
 I  I  I  I 
 donde
β
es la denominada
ganancia de corriente
y es una característica de cada transistor. Enla práctica se observa que el valor de
β
es bastante mayor a la unidad (
100 a 800) y se sueleaproximar:
 E 
 I  I 
     +=
ββ
1.Además,
β
es muy variable de un transistor a otro, incluso del mismo modelo (porejemplo en el TBJ NPN 2N3904, su valor varía entre 100 y 300), por lo que se vuelvenecesario diseñar circuitos cuyo comportamiento sea poco dependiente de su valor.
 
Transistores Notas para su utilización en aplicaciones de conmutación Autor: Fernando CofmanPágina 2 de 5
Otro aspecto importante es que entre los terminales de entrada
 B
y
 E 
se observa elcomportamiento de un diodo, de modo que existirá una diferencia de potencial
 BE 
querondará los 0,7 V. Si dicha tensión cae por debajo de este valor, la corriente
 I 
 B
seráprácticamente nula (dando lugar al corte del transistor) y consecuentemente también lo será
 I 
.Además, existe una limitación en la malla de salida, siendo que hay una mínimatensión entre el
y el
 E 
. Dicha tensión (que da lugar al estado de saturación) se denominatensión
CE 
de saturación (
CEsat 
) que es del orden de 0,3 a 0,7 V.Las razones por la que se utilizan estos dos estados en este tipo de aplicaciones puedenresumirse en dos:
ü
Estabilidad: Se observa que estos dos estados constituyen valores extremos (olímites) por lo que variaciones (o ruido) en la entrada no tendrá gran incidencia enla salida.
ü
Potencia: La potencia que consume el transistor está dada por:
CE  D
P
.
=
 En cualquiera de los dos estados, ese producto es mínimo; no lo sería si sebuscaran puntos intermedios.
Nota: Además de la máxima potencia disipada, existen otros límites que especifica el fabricantedentro de los cuales es seguro operar el dispositivo, por ejemplo
 I 
máxima,
 BE 
máxima,
CE 
 máxima, etc. que también constituyen condicionamientos de trabajo.
En la práctica, se busca alcanzar alguno de estos dos estados (corte y saturación) segúncierta salida lógica (de una compuerta, un microcontrolador, etc.). Un circuito muy sencilloque suele utilizarse con bastante frecuencia es el siguiente:Las resistencias que aparecen pueden ser reales o el equivalente de algún dispositivoque se conectará en su lugar; ej.: un
buzzer 
que requiere de 5 V / 20 mA para accionarsepuede modelarse como una resistencia de 250
.Siguiendo un análisis formal, se pueden extraer expresiones que permitan calcular losdistintos parámetros de diseño que se presentan en un caso real:Para que este circuito funcione correctamente ante un “1lógico, debe cumplirse que
 BE 
= 0,7 V, por lo tanto se puede escribir la ecuación de la malla de entrada como:
 R I  R I 
 B B BE  B Bi
7,0
..
+=+=
 
 
Transistores Notas para su utilización en aplicaciones de conmutación Autor: Fernando CofmanPágina 3 de 5
Ahora, la malla de salida queda descripta por:
CC o oCC 
 R I   R I 
..
=+=
 Dado que el terminal
 E 
se encuentra conectado a masa (
 E 
= 0 V), resultará que latensión de salida
o
=
=
CE 
se puede obtener a partir combinando ambas expresiones, porlo que:
( )
 BiCC  BCC o
R R R I 
.7,0...
     ==
ββ
 Debe recordarse que
o
=
=
CE 
no debe ser inferior a
CEsat 
, por lo que una vezexcedido este límite,
o
=
CEsat 
independientemente de cuanto se incremente
i
.Para el caso en que la entrada al circuito es un “0” lógico, se desea que el diodo estécortado, es decir
 I 
 B
<
 I 
 Bmin
. Esto, en general no resulta difícil de cumplir.A continuación se ilustrará el procedimiento de diseño con un ejemplo: Supóngase quese desea conectar a la salida de una compuerta a un
relay
con las especificaciones:Compuerta NAND (74S00)
 Relay
V
OH
2,7 V
L
12V
OL
0,5VV
Smax
350VI
OH
-1 I
L
50 mAI
OL
20mAI
Smax
2 AEl circuito resultante será:En este caso, por los datos del problema,
CC 
= 12 V,
 R
= 240
y
i
= 0,5 V ó 2,7 V.Adicionalmente, debe seleccionarse un transistor con la suficiente ganancia de corriente,capaz de manejar la corriente requerida y soportar las tensiones que se emplean en el circuito(
β
 
mínimo > 100,
 I 
máxima > 100 mA y
CE 
máxima > 12 V).Además, debe considerarse que el costo de los TBJ (para aplicaciones afines) sueleestar asociado a su capacidad tanto de manejar corriente así como también de disipar potencia.De todo esto, se encuentra que el modelo 2N3904 resulta adecuado, ya que cumple con losrequisitos anteriores y a su vez no resulta sobredimensionado.

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/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->