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Diodo Ideal y Diodo Real La figura 1 muestra el grafico de la zona directa de un diodo. Aqu se ve la comente del diodo ID en funcin de la tensin del diodo VD. Ntese que la corriente es aproximadamente cero hasta que la tensin del diodo se acerca a la barrera de potencial. En las proximidades de 0,6 a 0,7 V, la corriente del diodo se incrementa y a esto se le llama Diodo Real.

Figura 1

Cuando la tensin del diodo es mayor de 0,8 V, la corriente del diodo es significativa y la grfica es casi lineal. Dependiendo del dopaje y del tamao fsico de un diodo, este puede diferir de otros por su mxima corriente directa, limitacin de potencia y otras caractersticas. Si necesitarnos una solucin exacta deberamos usar la grfica de un diodo particular. Aunque los puntos exactos de la corriente y de la tensin son diferentes de un diodo a otro, la grfica de cualquier

diodo es similar al de la Figura 1. Todos los diodos de silicio tienen una tensin umbral de aproximadamente 0,7 V. La mayora de las veces no necesitarnos una solucin exacta. Esta es la razn para usar aproximaciones para un diodo. Comenzaremos con la aproximacin ms simple, llamada aproximacin del diodo ideal. En lneas generales, Que hace un diodo? Conduce bien en la direccin directa y conduce mal en la inversa. Tericamente, un diodo rectificador se comporta como un conductor perfecto (resistencia cero) cuando tiene polarizacin directa, y lo hace como un aislante perfecto (resistencia infinita) cuando su polarizacin es inversa. En la Figura 3a se ofrece la grfica corriente-tensin de un diodo ideal. Refleja lo que se acaba de exponer: resistencia cero con polarizacin directa y resistencia infinita con polarizacin inversa. A decir verdad, es imposible construir un dispositivo con esas caractersticas, pero es lo que los fabricantes haran si pudiesen a esto le llamamos Diodo Ideal. Existe algn dispositivo real que actu como un diodo ideal? S. Un interruptor tiene resistencia cero al estar cerrado, y resistencia infinita al estar abierto. Por tanto, un diodo ideal acta como un interruptor que se cierra tener polarizacin directa y se abre con polarizacin inversa. En la Figura 3b se resume esta idea del interruptor.

Fig. 2

Diodo semiconductor. Polarizacin directa e inversa Con base en la conduccin y no conduccin del diodo aparecen dos conceptos que se denominan polarizacin directa y polarizacin inversa. El diodo est en polarizacin inversa cuando el terminal ctodo tiene polaridad positiva con respecto al terminal nodo; en este caso, el diodo no permite el paso de la corriente y se comporta como un aislante (fig. 3). Pero si se supera un cierto valor de tensin, entonces se produce un efecto de conduccin brusca que puede deteriorar el diodo.

Fig. 3

El diodo permite la circulacin de corriente slo cuando se encuentra polarizado en forma directa, que es cuando el terminal nodo tiene polaridad positiva con respecto al terminal ctodo; en este caso, se dice que el diodo se comporta como un conductor, y se produce una circulacin de corriente por el circuito en el sentido (convencional) que ya sugiere el smbolo del diodo (fig. 4).

Fig.4

La tensin que aparece entre los terminales cuando el diodo conduce se denomina cada directa. La tensin mnima para que empiece a conducir (tensin umbral) es de unos 0,7 V, y su valor aumenta un poco conforme aumenta la intensidad, pudindose situar en alrededor de 1 V en condiciones normales de trabajo. Por ejemplo, segn datos del fabricante, en el popular diodo 1N4001 la tensin directa puede llegar a 1,1 V para la intensidad (mxima) de 1 A. Pero en los diodos de pequea y mediana potencia, a efectos prcticos, se considera una cada directa tpica de 0,7 V.

Teniendo en cuenta que en el diodo en conduccin aparece una tensin tpica de unos 0,7 V, la carga siempre recibe una tensin menor que la fuente de tensin; por ello, en la bombilla habr unos 12 0,7 = 11,3 V. Y en el supuesto de que la resistencia del filamento fuera de 40, la intensidad que circulara por el circuito sera de: I= 12 0,7 = 0,282 A 40 Siendo la potencia en la bombilla: P=V.I=0,282x11, 3=3,186 W De no tener en cuenta la cada directa del diodo, la intensidad y la potencia en la bombilla seran:

I=12/40=0,3 A

P=V.I=0,3x12=3,6 W

As, en la prctica, se puede resumir que la cada directa del diodo hace que la carga reciba alrededor de 1 V menos y esto tambin supone una pequea potencia que se pierde en el diodo (disipada en forma de calor). En muchas aplicaciones se suele despreciar las consecuencias de la cada directa del diodo, pero en otras puede ser necesario tenerla en cuenta. Por ejemplo, en una aplicacin como la de la figura 4, si la tensin de entrada fuera de 100 V, se puede despreciar 1 V de cada directa del diodo, porque la carga (bombilla, en este caso) recibira 99 V en vez de 100 V; la prdida slo sera de 1%. En cambio, si la tensin de entrada fuera de 5 V, la carga recibira 4 V, lo cual sera una prdida de 20%.

Caractersticas de un diodo real Cuando el diodo se polariza en forma directa aparece una curva que nos da los valores de intensidad en funcin de la tensin entre nodo y ctodo, que se representa en la figura 5 (diodo de silicio). El circuito prctico con el cual es posible experimentarla se muestra en la figura 6.

Fig.5

Hasta que la tensin no llega a unos 0,6 o 0,7 V (tensin umbral) no se empieza a apreciar una circulacin de intensidad notable. A partir de dicha tensin la intensidad aumenta en forma brusca; pequeos aumentos de tensin dan lugar a grandes aumentos de intensidad. Para el valor nominal de intensidad de funcionamiento la tensin (cada directa) es de aproximadamente 1 V, en diodos rectificadores de mediana potencia (por ejemplo, el 1N4007).

El diodo no ofrece pues un valor fijo de resistencia al paso de la corriente; su resistividad depende de la tensin que tenga aplicada. Entre 0 V y unos 0,7 V

(tensin umbral), su resistividad es muy elevada (por ello no se aprecia casi circulacin de corriente); a partir de la tensin umbral su resistencia empieza a hacerse muy baja y por ello la intensidad aumenta bruscamente.

Fig. 6

El diodo no tiene una resistencia lineal; su resistencia depende de la tensin que tiene aplicada o, lo que es equivalente, de la intensidad que circula. Esto se puede comprobar fcilmente mediante el polmetro, utilizando la medida de resistencia (W). Seleccionando la escala x 1 y situando las puntas de manera que el diodo se encuentre polarizado en forma directa, se observar un cierto valor de resistencia (bajo); pero si se cambia a la escala x 100 marcar un valor de resistencia diferente, mayor que el anterior. Esto es debido, a que el polmetro lleva una pila interna para su funcionamiento, que es lo que hace que pueda circular una pequea intensidad a travs de las puntas cuando se pone como hmetro (W), y ello permite determinar el valor de la resistencia a medir. Pero la intensidad que puede circular es diferente segn la escala seleccionada (x 1, x 10,); cuanto mayor es la escala, menor es la intensidad que puede circular entre las puntas del tester, por lo cual la resistencia del diodo sale diferente segn la escala que se disponga.

Como se sabe, cuando el diodo se polariza en forma inversa (negativo en el nodo y positivo en el ctodo), a nivel prctico, ste se comporta como un circuito abierto, es decir, no circula corriente. Pero realmente s existe una cierta corriente, que por ser tan pequea no se considera a efectos prcticos. Dicha corriente se denomina corriente inversa de fugas (IR), y es muy dependiente de la temperatura. Su valor es del orden de nA en el silicio, y de mA en el germanio. La corriente de fugas est formada por portadores minoritarios, debido a la ruptura de enlaces covalentes, y es muy sensible a los cambios de temperatura; su valor se duplica por cada 10C de incremento de la temperatura, aproximadamente. Y su valor casi no vara aunque aumente la tensin (los portadores minoritarios dependen especialmente de la temperatura). Pero es muy importante saber que si la tensin aumenta a ciertos valores, su energa puede acelerar tanto los portadores minoritarios que al chocar con otros enlaces pueden romper nuevos enlaces covalentes; este efecto puede hacer que se alcance un elevado valor de corriente que puede llegar a destruir el diodo. El valor de tensin inversa que puede hacer esto, se denomina tensin inversa de ruptura, y tiene su utilidad prctica en unos diodos llamados Zener. El grfico del diodo que representa esto se muestra en la figura 7, junto con el circuito que puede permitir su experimentacin. Al ser de tan bajo valor la intensidad, con el circuito de experimentacin que se muestra, lo ms normal es que no se aprecie un valor notable; pero as comprobamos que realmente su valor es muy bajo. La curva caracterstica inversa nos da cuenta de la corriente inversa en la funcin de la tensin inversa: (IR = f (VR). Aunque, en teora, la corriente inversa est influenciada exclusivamente por la temperatura, en la prctica (debido a ciertas imperfecciones en la estructura fsica del diodo), s existe una pequea dependencia con respecto a la tensin, lo cual se muestra en la curva.

Fig. 7

Recta de carga de Corriente Continua (CC) Si aplicamos la segunda Ley de Kirchhoff al siguiente circuito

Fig. 8 Obtenemos: VSS = RiD + vD Conocido el valor de Vss, R y la curva caracterstica del diodo, se puede obtener el punto de trabajo del circuito. La recta de carga se obtiene partir de los puntos de corte de la ecuacin obtenida con los ejes coordenados: Si id = 0 -> Vd = Vss; (pto A) Si Vd = 0 -> id = Vss / R; (pto B) Uniendo los dos puntos A y B, se obtiene la recta de carga. El punto de trabajo es la interseccin entre la caracterstica del diodo y la recta de carga

Fig. 9

Anlisis para la seal dbil Consideremos el circuito de la siguiente figura 10 a,

Fig.10 En el cual se encuentra conectada una resistencia LIT en serie con el diodo. La tensin del generador es la superposicin de una componente constante (cc) y una componente alterna (ca) es decir,

e(t)= Ecc + Emsenwt (1)

Si Em es suficientemente pequea para que la parte que se cubre de la caracterstica i-v pueda considerarse lineal, la respuesta i(t) ser

i(t)= Icc + Imsenwt (2)

para hallar Icc podemos hacer igual a cero Em y determinar el punto de trabajo Q (Icc, Ecc). El cociente entre Em e Im es igual al reciproco de la pendiente de la caracterstica combinada del diodo y la resistencia en la proximidad del punto de trabajo, segn puede verse en la figura 10 b. Dicho de otro modo la resistencia equivalente vista por la componente alterna es:

Em dv = rca Im di En Q
=0

Esta resistencia tiene dos componentes, la resistencia R LIT y el reciproco de la pendiente de la caracterstica del diodo en su punto de trabajo Q. O sea

rca = R + rd donde,

rd

dvD di

En Q

A esta ltima magnitud se le llama resistencia dinmica para seal dbil o incremental del diodo. En muchas aplicaciones para seal dbil se puede sustituir el diodo por su resistencia dinmica.

Transistor de Unin Bipolar Los transistores BJT (Bipolar Junction Transistor) son componentes de 3 terminales, y representan la extensin natural de los diodos, por el hecho que estn compuestos por un par de junturas P-N. Se le llama Bipolar ya que entran en juego tanto electrones como huecos. Existen dos variantes posibles de configuracin, llamadas PNP y NPN, en funcin de la naturaleza del dopado que tengan. A los terminales se los llama Emisor, Base y Colector. Emisor, Base Colector, constructivamente, el Emisor tiene un dopaje mucho ms alto que la Base; y a su vez la Base tambin tiene un dopaje mayor que el Colector.

Configuracin de Emisor Comn En la Figura 11a, el lado comn o masa de cada fuente de tensin est conectado al emisor. Debido a esto, el circuito se conoce como configuracin en emisor comn (en EC). Obsrvese que el circuito tiene dos mallas. La malla de la izquierda es el circuito de base y la de la derecha es el circuito de colector. En la malla de base, la fuente VBB polariza en directa al diodo emisor con RB como resistencia limitadora de corriente. Usando diferentes valores de VBB o RB se puede controlar la corriente de base. Como se ver ms adelante, la corriente de base controla la comente de colector, lo que significa que una pequea comente (base) gobierna una gran corriente (colector). En el circuito del colector hay una fuente de tensin de valor Vcc que polariza en inversa al diodo colector a travs de Rc. La fuente de tensin Vcc debe polarizar inversamente el diodo de colector o, de lo contrario, el transistor no funcionara adecuadamente. Dicho de otra forma, el colector debe ser positivo en la Figura 11a para recolectar la mayora de los electrones libres inyectados en la base. En la Figura 11a, el flujo de corriente de base en la malla de la izquierda produce una tensin en la resistencia de base, RB, con la polaridad mostrada. Similarmente, el flujo de comente de colector en la malla de la derecha produce una tensin en la resistencia del colector, RC, con la polaridad mostrada.

Fig. 11

Configuracin de Base Comn

Fig. 12

Existe una relacin de proporcionalidad entre la corriente de salida (IC) y la corriente de entrada (IE) en la configuracin base comn: IE IC. La relacin de proporcionalidad entre estas dos corrientes viene dada por el factor de amplificacin de corriente de base comn (). El valor de se evala en c.c., es decir para voltaje de salida constante como: =Ic/Ie Como IE > Ic , 1 y < 1. Esta configuracin no produce ganancia de corriente, pero s de tensin. En la configuracin base comn, los valores de corriente de salida, amplificacin, o mejor dicho es reduccin siempre son menores a 1 (No quiere decir que tendremos corrientes de 1 A, sino que la corriente de colector base ser menor a la corriente de emisor base ejemplo IE = 7 puede originar una corriente IC = 6.9, siendo la entrada de seal en el emisor y el colector la salida, VCB, la cual est en fase con respecto a la entrada VEB.

Configuracin Colector comn Cuando la seal de entrada se aplica por la base del transistor y la seal de salida se toma del Emisor, se tiene una configuracin en Colector Comn, la cual se caracteriza por ser presentar una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, por lo que se usa como adaptador de impedancias y como amplificador de corriente. El diagrama circuital de esta configuracin se ve en la figura2.

Fig. 13

Punto de trabajo Q En la figura se muestra la representacin grfica del punto de trabajo Q del transistor, especificado a travs de tres parmetros: ICQ, IBQ y la VCEQ. Este punto se encuentra localizado dentro de una recta denominada recta de carga esttica: si Q se encuentra en el lmite superior de la recta el transistor estar saturado, en el lmite inferior en corte y en

los puntos intermedios en la regin lineal. Esta recta se obtiene a travs de la ecuacin del circuito que relaciona la IC con la VCE que, representada en las curvas caractersticas del transistor de la figura 14, corresponde a una recta.

Fig. 14 La ecuacin que define la recta de carga obtenida para este circuito de polarizacines: Vcc = VCE + ICRC Para dibujar esta recta de una manera sencilla en el plano (VCE, IC) del transistor se selecciona dos puntos: a) VCE=0, entonces IC=VCC/RC; b) IC=0, entonces VCE=VCC. Estos puntos se pueden identificar en la figura y

representan los cortes de la recta de carga esttica con los ejes de coordenadas. Una de las primeras decisiones relacionadas con la polarizacin de un transistor es seleccionar la situacin del punto Q. La seleccin ms prctica es situarle en la mitad de la recta de carga esttica para que la corriente de colector sea la mitad de su valor mximo, condicin conocida

como excursin mxima simtrica. Evidentemente esta es una condicin de diseo que asegurar el mximo margen del punto Q a incrementos de cualquier signo de la intensidad de colector. Sin embargo, hay muchas otras condiciones de operacin del transistor que exige un desplazamiento de Q en uno u otro sentido. En estos casos la situacin del punto Q estar definida por las diferentes restricciones.

Parmetros hbridos En un sistema de cuatro terminales, hay cuatro variables de circuito: la tensin y corriente de entrada, y la tensin y la corriente de salida. Estas cuatro variables se pueden relaciones por medio de algunas ecuaciones, dependiendo de cules variables se consideren independientes y cules dependientes. El par de ecuaciones de parmetros hbridos (parmetros h) (y su circuito equivalente) se utiliza a menudo para anlisis de circuitos con BJT. El par de ecuaciones se especifica como sigue:

V1 = h11i1+h12v2
1

i2 = h21i1+h12v2 El primer dgito del subndice en h denota la variable independiente, en tanto que el segundo dgito denota la variable independiente asociada con el parmetro h en particular. Entonces, por ejemplo, h12relaciona v2 con v1. Se supone que los valores de h son constantes. Cuando se utilizan los parmetros h para describir una red de transistores, el par de ecuaciones se escribe como sigue:

V1 = hii1+hrv2
2

i2 = hfi1+h0v2

Donde los parmetros h se definen como: hi = h11 = resistencia de entrada del transistor hr = h12 = ganancia de tensin inversa del transistor

hf = h21 = ganancia directa de corriente del transistor h0 = h22 = conductancia de salida del transistor Cuando los parmetros h se aplican a redes de transistores, toman un significado prctico en relacin con el desempeo del transistor. El circuito desarrollado utilizando los parmetros h se muestra en la siguiente figura, una aplicacin simple de las leyes de Kirchhoff al circuito de la figura muestra que ste satisface las ecuaciones (2).

Fig. 15 Cuando los parmetros de entrada y de salida se igualan en forma individual al cero, cada parmetro hbrido representa ya sea una resistencia, una conductancia, una razn de dos tensiones o una razn de dos corrientes. Las siguientes ecuaciones se derivan de las ecuaciones (2). Despus de cada ecuacin se establecen unidades relacionadas con el parmetro y el nombre que se le da a ste

Ren hi i2 i1

v1 i1
V2=0

Ohm: resistencia de entrada con v2 en cortocircuito.

hf

Adimensional: ganancia directa de corriente con v2 en

V2=0

cortocircuito.

hr

v1 v2

Adimensional: ganancia inversa de tensin con i1 en circuito

i1=0

abierto.

Ysal h0

i1 v2

Siemens (antes mhos): conductancia de salida con i1 en

i1=0

circuito abierto. Estos parmetros son idealmente constantes, aunque los valores numricos dependen de la configuracin del transistor. Por ejemplo, si la terminal 1 de la figura anterior es la base, 2 es el emisor y 3 el colector, el circuito representa una configuracin en EC. De manera similar, el transistor se puede modelar como una configuracin en BC si las terminales 1, 2 y 3 son el emisor, la base y el colector respectivamente. Es muy til contar con alguna forma de distinguir entre las tres configuraciones, es decir, EC, CC y BC. Se aade un segundo subndice a cada parmetro hbrido para proporcionar esta distincin. Por ejemplo, un circuito en EC suele tener el circuito de base, y se cambie a hie. De manera similar para BC, hi se cambia por hib, y para CC, se cambia a hic. Los tres valores se relacionan entre s: hie=(1 + )hib hib = hic
3

En la siguiente figura se muestra un amplificador EC con dos circuitos equivalentes distintos. Aunque el modelo de parmetros h define el segundo subndice asociacin con el tipo de configuracin del amplificador, hib y hie son valores de resistencia que se basan en el punto de operacin del amplificador y en la ubicacin de estas resistencias en el circuito equivalente. En este caso, los subndices tienen nada que ver con la configuracin del amplificador. Se aplica el nuevo concepto a hfe, que se refiere a sin importar cmo est colocado el transistor dentro de la configuracin del amplificador.

En cada circuito equivalente se hace la simplificacin de que hr = ho = 0. En la figura (b) se utiliza el modelo en EC, donde el transistor se reemplaza por el circuito de la figura 2 con la terminal 1 como base, la 2 como el emisor y la 3 como el colector.

(a) Fig. 16

(b)

Para la corriente a pequea seal, se observa que hfe es la razn entre el cambio en la corriente de salida (iC) y el cambio en la corriente de entrada (iB). Recurdese que la relacin es tambin la expresin que define a . Como resultado:

hfe

ic iB

v- constante

El valor real de es funcin del punto de operacin (ICQ) del transistor. En la porcin plana de la curva de iC contra vCE con iB constante, el cambio en es pequeo. Conforme el transistor se aproxima a la saturacin, empieza a caer. A medida que el transistor se aproxima a corte, tambin se aproxima a cero. Otro modelo de dos puertos que se utiliza en el estudio de circuitos de transistores es el modelo hbrido, que es importante cuando el transistor se utiliza en alta frecuencia. Incluye los efectos de los parmetros que se vuelven significantes en alta frecuencia. En la siguiente figura se muestra un modelo hbrido del transistor a baja frecuencia y pequea seal. El modelo para baja frecuencia es similar al de los parmetros para el EC.

Fig. 17 Circuito equivalente

Autoporalizacion

En el circuito de polarizacin fija, la corriente de base depende casi totalmente de RB, o sea que tendr un valor constante sea cual sea el transistor conectado al circuito. Este es un inconveniente a causa de la disparidad de ganancia entre transistores aun del mismo tipo: las diferencias pueden alcanzar variaciones mayores que el 100%. Conectando un transistor de ganancia hFE = 300, la corriente del colector del caso anterior pasara a valer 30 mA, apartndose mucho de lo esperado. Para reducir este efecto, se recurre al circuito de la Fig.18 (auto-polarizacin). En lugar de alimentar la base desde Vcc, el resistor RB se conecta al colector (que tericamente debera encontrarse a un potencial 1/2 * Vcc, o sea que RB tambin debe valer la mitad). Al conectar un transistor de mayor ganancia, la corriente de colector tiende a aumentar. Este aumento hace que la cada de tensin sobre R sea mayor o, en otras palabras, que la tensin de colector disminuya. Al bajar la tensin de alimentacin de RB (tensin de colector), disminuye lgicamente la corriente IB, tendiendo a hacer disminuir la corriente de colector IC, compensando as el incremento originado por el transistor. Si bien esta auto-compensacin no es perfecta, permite que la corriente Ic se mantenga dentro de lmites razonables, aun empleando transistores de ganancias dispares

Fig. 18