1.

Bipolarni tranzistori

Tranzistori (TRANsfer reSISTOR-otpornost prenosa) pojačavaju

električnu snagu. Po principu rada dijele se na dvije osnovne grupe:
bipolarne i unipolarne tranzistore.
Bipolarni tranzistor je komponenta sa tri elektrode emiter, baza i
kolektor i sa dva p-n spoja: emiterski i kolektorski p-n spoj. Emiterski p-n
spoj nalazi se na granici između emitera i baze, dok baza i kolektor
formiraju kolektorski p-n spoj. Srednji sloj se naziva baza jer se u tom
području dešavaju bitni procesi za rad tranzistora. Termin bipolarni treba
da naglasi ulogu oba tipa nosilaca elektriciteta (elektrona i šupljina) u
radu ove grupe tranzistora. Bipolarni tranzistor može biti p-n-p ili n-p-n,
pri čemu radni naponi ova dva tranzistora imaju suprotne polaritete.
Zavisno od toga koja je elektroda zajednička tranzistor se može naći u
spoju sa zajedničkom bazom, zajedničkim emiterom i zajedničkim
kolektorom. Moguće su četiri oblasti rada tranzistora.

1.1. oblasti rada tranzistora

Direktna aktivna oblast kod NPN tranzistora određena je sa:

VBE > 0 i VCB < 0 , što znači da je emiterski spoj polarizovan direktno a
kolektorski inverzno polarizovan. Faktor strujnog pojačanja tranzistora u
spoju sa zajedničkom bazom je α , odnosno α F , dok je β = βF faktor
strujnog pojačanja tranzistora u spoju sa zajedničkim emiterom. Sufiks F
potiče od riječi forward (naprijed).
Inverzno aktivna oblast nastupa pri: VBE < 0 , VCB < 0 . Emiterski
spoj je polarizovan inverzno a kolektorski direktno, te su uloge emitera i
kolektora zamijenjene. Strujna pojačanja su izrazito manja zbog

2.1
 Elektronika I

konstrukciono smanjenog transportnog faktora i efikasnosti emitera.

Strujna pojačanja se obilježavaju sa: α R i β R (reverse = inverzna oblast).
Oblast zasićenja (saturated) nastupa pri: VBE < 0 , VCB > 0 , kada su
oba spoja polarizovana direktno. Strujna pojačanja su: α S , βS
Oblast zakočenja nastupa pri: VBE < 0 , VCB < 0 . Tada su oba spoja
inverzno polarizovana tako da su struje veoma malene.
Za rad u pojačavačkom režimu emiterski spoj polarizuje se direktno
a kolektorski inverzno. Na slici 1.1 je predstavljen NPN tranzistor u spoju
sa zajedničkom bazom. Između emitera i baze se spaja izvor ems čiji je
minus pol na emiteru a plus sa bazi. Za inverznu polarizaciju kolektorsko-
baznog p-n spoja pozitivan pol ems je na kolektoru a negativan na bazi.
w
Ie Ic
n+ p+ n
→ →

Ib C
→

E B

E C

B Sl.1.1.
Za pojednostavljeni model tranzistora struje su date na slijedeći
način:
Elektronska komponenta struje emitora izračunava kao kod
usamljenog p-n spoja jer se može aproksimativno uzeti da kolektorski
napon nema uticaja:
D n ⎡ ⎛ qV ⎞ ⎤
I en = Sq ne eo ⎢exp ⎜ e ⎟ − 1⎥ .
Lne ⎣ ⎝ kT ⎠ ⎦
Struja kolektora za jednosmjerni radni režim je dio struje emitera:
I C = α I E + I CS ,
gdje je ICS = Icbo inverzna struja zasićenja kolektorsko-baznog p-n spoja.
Kako je struja emitera jednka zbiru struje kolektora i baze tada je:
I C = αI E + I CS = α( I C + I B ) + I CS .

2.2.
 2. Bipolarni tranzistori

Struja kolektora u funkciji struje baze je data sa:

α 1
IC = IB + I cbo , I C = β I B + ( β + 1) I cbo
1− α 1− α
α
odnosno zanemarujući inverznu struju: IC = β I B , . β=
1−α
Veličina β predstavlja faktor (koeficijent) pojačanja struje
tranzistora u spoju sa zajedničkim emitorom. S obzirom da je faktor
(koeficijenat) pojačanja α blizak jedinici, vrijednost β obično se nalazi u
granicama od nekoliko desetaka do nekoliko stotina.
Struja baze se dobija kao razlika struja emitora i kolektora :
I B = I E − IC , I B = (1 − α ) I E − I cbo .

Pojednostavljeni model tranzistora prema datim relacijama je na sl. 2.2.

IB IC
B
IC = β I B
C
ICE0

E
Sl.2.2. Model tranzistora.
Raspodjela energetskih nivoa kod pojačavačkog režima rada tranzistora
data je na sl. 2.3.

C
E B EFk

qVe qVk
EFe
EFb

Sl.2.3. Raspodjela energetskih nivoa PNP tranzistora za pojačavački režim rada.

2.3.
 Elektronika I

1.2. jednaČina neprekidnosti struje

Tranzistor se može posmatrati kao jednodimenzionalni (linearni)
model, tj. može se pretpostaviti da se nosioci elektriciteta kreću samo duž
glavne ose. Emitorski p-n spoj ima znatno manju površinu od površine
kolektorskog p-n spoja. Pored toga emitor p-n-p tranzistora je znatno
bogatije legiran akceptorima od kolektora. Kada je koncentracija primjesa
donora veća kod emitorskog nego kod kolektorskog p-n spoja, u području
baze p-n-p tranzistora dobija se polje takvog smijera da ubrzava prelazak
šupljina od emitera do kolektora.
Egzaktna analiza rada se vrši preko rješavanja jednačine
kontinuiteta za nosioce elektriciteta pri čemu se uzimaju u obzir i efekti
rekombinacije.
U opštem slučaju kada istovremeno postoji drift komponenta uslijed
električnog polja i difuziona komponenta uslijed gradijenta koncentracije,
te generaciono-rekombinacioni komponenta, ukupan efekat na protok
struje opisuje se jednačinom kontinuiteta.
Neka se posmatra dio poluprovodničkog materijala između tačaka x
i (x+dx) tada je ukupna promjena broja elektrona po vremenu u
zapremini:
∂n ⎡ J ( x) J ( x + dx) ⎤
S dx = ⎢ n S− n S ⎥ + (Gn − Rn ) S dx . (2.1)
∂t ⎣ −q −q ⎦
Razvijanjem u Tejlorov red funkcije:
∂ Jn
J n ( x + dx) = J n ( x) + dx + ⋅ ⋅ ⋅ ,
∂x
dobija se osnovna jednačina kontinuiteta za elektrone i šupljine u obliku:
∂ n 1 ∂ Jn ∂ p 1 ∂Jp
= + (Gn − Rn ) , = + (G p − R p ) . (2.2)
∂t q ∂ x ∂t q ∂ x
Rekombinacione komponente predstavljaju promjenu viška nosilaca
elektriciteta u vremenu (srednje vrijeme života nosilaca elektriciteta τn):
∆ n p n p − n p0
R= = .
τn τn

2.4.
 2. Bipolarni tranzistori

Opšti sistem jednačine neprekidnosti struje za elektrone i šupljine je:

∂n n − n0 ∂E ∂n ∂ 2n
= Gn − + n µn + µn E + Dn 2
∂t τn ∂x ∂x ∂x
(2.3)
2
∂p p − p0 ∂E ∂p ∂ p
= Gp − − pµp − µp E + Dp 2
∂t τp ∂x ∂x ∂x
Konačno su jednačine kontinuiteta za manjinske nosioce elektriciteta:
∂ np n p − n p0 ∂E ∂ np ∂ 2n p
= Gn − + n p µn + µn E + Dn
∂t τn ∂x ∂x ∂ x2
(2.4)
2
∂ pn p − pn0 ∂E ∂ pn ∂ pn
= Gp − n − pn µ p −µp E + Dp .
∂t τp ∂x ∂x ∂ x2
Jednačine difuzije se dobiju za slučaj kada na poluprovodnik nema
djelovanja vanjskih faktora niti električnog polja:
∂n n − n0 ∂ 2n
=− + Dn
∂t τn ∂ x2
(2.5)
2
∂p p − p0 ∂ p
=− + Dp
∂t τp ∂ x2

2.3. jednaČine gustina struje

Kod nehomogenih poluprovodnika koncentracija primjesa se
mijenja od tačke do tačke što znači da je gradijent koncentracije različit
od nule. Iz izvora donorskih i akceptorskih primjesa, uz uslove za
efikasnu difuziju, kretanje se odvija od mjesta više prema mjestu manje
koncentracije.
Difuziona gustina protoka je:
J = − q D grad N . (2.6)

pa elektronska komponenta, u smjeru apscise, iznosi:

2.5.
 Elektronika I

JG ∂n
J nd = (−q ) Dn (− grad n) = + qDn ,
∂x
JG ∂p
dok je za šupljine: J pd = (+ q) D p (− grad p) = − qD p ,
∂x
pri čemu je sa D označen koeficijent difuzije primjesa u podlozi.
Kretanjem nosilaca elektriciteta uslijed difuzije stvara se unutrašnje
električno polje a pod nejgovim dejstvom nastaje struja drifta:
J = σ E , J = (σ n + σ p ) E ,
koja je za elektrone i šupljine data sa:
JG
J nE = σnE = − q n µ n grad ϕ ,
(2.7)
JG
J pE = σ p E = −q p µ p grad ϕ .
gdje su µn i µp pokretljivosti elektrona odnosno šupljina, respektivno.
Ukupne gustine struja (difuzija i drift komponenta) su:
JG
J n = − q n µ n grad ϕ + q Dn grad n ,

JG
J p = − q p µ p grad ϕ − q D p grad p .
Za jednodimenzionalni linearni model nehomogenog poluprovodnika
jednačine gustine struje su:
JG ∂ϕ ∂n
J n = −q n µ n + q Dn ,
∂x ∂x
(2.8)
JG ∂ϕ ∂p
J p = −q pµ p − q Dp .
∂x ∂x
Ajnštajnova jednačina je univezalnog karaktera i važi za slobodne
nosioce elektriciteta bilo kog tipa i ima oblik:
kT
D = ϕT µ , ϕT = . (2.9)
q
2.6.
 2. Bipolarni tranzistori

U ravnotežnom stanju su izjednačene difuziona i drift komponenta struje

pa iz relacije za struju šupljina:
JG ∂ϕ ∂p
J p = −q pµp − q Dp = 0,
∂x ∂x
∂p µp
proizlazi da je: =− ∂ϕ.
p Dp
Uz početni potencijal jednak nuli pri početnoj koncentraciji p1 riješenje
jednačine se dobija u obliku:
µp
− ϕ
Dp
p = p1 e.
Pri termodinamičkoj ravnoteži šupljina savladava energetski nivo
potencijalne barijere ϕ. Tada važi Bolcmanov zakon po kome se
koncentracija šupljina opisuje sa:
qϕ
−
kT
p = p1 e .
µp q
Izjednačavanjem ovih koncentracija slijedi: = .
Dp kT
µn q
Analogno vrijedi i za elektronsku komponentu struje: = .
Dn k T
Puasonova jednačina povezuje električno polje i gustinu
električnog naboja ρ:
JJG ρ
div E = . (2.10)
ε εo
JJG JG
J
Naime, fluks vektora dielektričnog pomjeraja D = ε εo E kroz zatvorenu
površinu S jednak je ukupnom naboju unutar te površine (Gausov zakon):
JJG JG
∫ ∫ d S = ∫ ∫ ∫ ρ dV .
D
(S ) (V )
Prema teoremi Ostrogradskog gornja relacija poprima oblik:

2.7.
 Elektronika I
JJG
∫ ∫ ∫ (ρ − ε εo div E ) dV = 0 .
(V )
Ova relacija će biti ispunjena kada je:
JJG ρ
div E = ,
ε εo
što predstavlja jedan od oblika Puasonove jednačine. Kako je električno
polje E izraženo preko potencijala ϕ dato sa:
JJG
E = − grad ϕ ,
U slučaju linearnog modela Puasonova jednačina postaje:
JJG
∂E ρ
=
∂ x ε εo
∂2 ϕ ρ
odnosno: =− . (2.11)
∂ x2 ε εo
2.4. Raspored sporednih nosilaca elektriciteta u bazi

Tranzistori bez sopstvenog polja u bazi nazivaju se difuzionim, a sa

sopstvenim poljem drift tranzistori. Osnovne osobine tranzistora određene
su procesima u bazi. Injektirani nosioci kreću se kroz bazu tranzistora u
opštem slučaju pod dejstvom difuzije i električnog polja-drifta.
Raspored sporednih nosilaca elektriciteta u bazi tranzistora se dobi-
ja na osnovu jednačine neprekidnosti struje. Ako na poluprovodnik nema
djelovanja vanjskih faktora i generacione komponente i kada se uticaj
električnog polja može zanemariti te se dobija sistem jednačina koje
opisuju promjenu koncentracije primjesa a nazivaju se jednačinama
difuzije:
d 2 p p(x) − po , d 2 n n( x) − no ,
Dp 2 = Dn =
dx τp d x2 τn
gdje su Dp i Dn difuzione konstante a τp i τn srednja vremena života
šupljina i elektrona. Kada se radi o difuzionom tranzistoru, može se
zanemariti uticaj električnog polja, pa se koristi jednačina difuzije:

2.8.
 2. Bipolarni tranzistori

∂p p − pbo ∂2 p
=− + D pb 2 ,
∂t τ pb ∂x
gdje je pbo ravnotežna koncentracija šupljina u bazi.
∂n ∂p
U stacionarnom režimu je: =0 , = 0.
∂t ∂t

Kako je: L2pb = τ pb D pb , L pb = D p τ p jednačina difuzije dobija oblik :

d 2 p p − pbo
− = 0.
dx 2 L2pb
Ova jednačina se riješava uzimajući u obzir granični uslove:
⎛ qV ⎞
za x=0 p = pe = pbo exp ⎜ e ⎟,
⎝ kT ⎠
⎛ qV ⎞
za x=w p = pc = pbo exp ⎜ c ⎟ .
⎝ kT ⎠
Opšte rješenje jednačine ima oblik :
⎛ x ⎞ ⎛ x ⎞
p − pbo = A1 exp ⎜ ⎟ + A2 exp ⎜ − ⎟.
⎜ L pb ⎟ ⎜ L pb ⎟
⎝ ⎠ ⎝ ⎠
Konstante se određuju prema početnim uslovima.
Korišćenjem praktičnih aproksimacija dobija se vrijednost projekcije
gradijenta koncentracije sporednih nosilaca u bazi na x-osu u obliku:
dp p − pc
=− e .5 (2.12)
dx w
Iz relacije izlazi da je gradijent koncentracije neravnotežnih nosilaca
naboja u bazi tranzistora konstantan i da se koncentracija nosilaca naboja
u bazi mijenja po linearnom zakonu.
Kako je emitorski p-n spoj polarizovan u propusnom smijeru, širina toga
spoja je mala i promjena te širine sa promjenom napona Ve se može
zanemariti. Međutim, kolektorski p-n spoj ima relativno veliku širinu jer
je polarizovan u nepropusnom smijeru. Promjena širine toga spoja sa
promjenom napona kolektora Vc dovodi do promjene debljine baze w(Vc )

2.9.
 Elektronika I

što se naziva modulacijom debljine baze ili Irlijevim efektom. Uticaj

ovoga efekta na debljinu baze w vidi se na slici 2.3.
Naime, sa promjenom napona Vc mijenja se koncentracija šupljina
pc a time i stvarna debljina baze w. Promjena debljine baze utiče na dio
šupljina koje od emitora dolaze do kolektora. Što je baza tanja manji broj
šupljina biće rekom-binovan. Prema tome, ako je struja emitora
konstantna, modulacija debljine baze izaziva promjenu struje kolektora.
p p 1. Modulacija debljine
baze praćena je
dp(0)
promjenom naboja
I e=

Ve=
šupljina u bazi.
co

co
ns

2. Modulacija debljine

ns
t

t
baze mijenja vrijeme
x x difuzije šupljina kroz
w dw w dw bazu, što znači da
kolektorski napon utiče
a) b)
na frekventne osobine
Sl. 2.3. Uticaj modulacije debljine baze na ulazne
tranzistora.
veličine: a) Ie =const; b) Ve =const.
3. Struja emitora obrnuto je proporcionalna debljini baze. Odavde
izlazi da promjena napona Vk mijenja debljinu baze, pa prema
tome i statičku karakteristiku emitorskog p-n spoja.
Sa promjenom kolektorskog napona mijenja se debljina baze za dw.
Kada je Ie =const, nagib tog pravca ostaje kakav je bio i nagib pravca
(označenog punom linijom) prije promjene napona Vc. (sl. 2.3a). Razlika
odsječaka ova dva pravca na ordinatnoj osi daje promjenu koncentracije
šupljina za x=0. Prema tome, ako je Ie =const, sa promjenom napona Vc
mijenja se i napon Ve .
Ako je Ve =const nastaje situacija kao na slici 2.3b. Koncentracija
šupljina za x=0 ostaje nepromijenjena. Zbog promjene napona kolektora
mijenja se debljina baze za dw i promjena koncentracije šupljina (crtkano
označen pravac) ima veću vrijednost gradijenta. Proizlazi da se u slučaju
Ve =const sa promjenom napona Vc mora promijeniti struja Ie . Opisani
uticaj promjene kolektorskog napona na ulazne veličine naziva se
unutrašnjom naponskom povratnom vezom. Efekat promjene širine baze
kod promjene napona inverzne polarizacije naziva se Earlyjev efekat.
2.10.
 2. Bipolarni tranzistori

Pojačavački režim rada tranzistora obezbjeđuje se tako što se na

kolektorski p-n spoj priključuje vanjski napon inverzne polarizacije dok
je emitorski p-n spoj polarizovan u propusnom smijeru. Kod PNP
tranzistora kroz tako polarizovan p-n spoj šupljine iz područja baze, gdje
su one sporedni nosioci, bez utroška energije prelaze u područje
kolektora.
2.5. Stati ke karakteristike tranzistora

Statičke karakteristike tranzistora mogu biti definisane za tri

vrste spoja: sa zajedničkom bazom, zajedničkim emitorom i zajedničkim
kolektorom. U svakom od osnovnih spojeva tranzistora postoje dva
napona i dvije struje u međusobnoj zavisnosti. Statičke karakteristike kao
funkcije dvije nezavisne promjenljive, predstavljaju površine u
trodimenzionalnom prostoru.
Kod bipolarnih tranzistora koriste se ulazne i izlazne statičke
karakteristike, te prenosne karakteristike i karakteristike povratne veze.
Međutim, praktičnu primjenu imaju karakteristike tranzistora u spoju sa
zajedničkom bazom i karakteristike tranzistora sa zajedničkim emitorom.
5 Ulazne statičke karakteristike se definišu zavisnost ulazne struje
I1 od ulaznog napona V1, pri čemu je kao parametar izlazni napon V2 :
I1 = f1 (V1 ) za V2 = const .
Tako ulazne statičke karakteristike tranzistora u spoju sa
zajedničkim emitorom predstavljaju funkciju struje baze od napona
između baze i emitora : Ib = f1 (Vbe ) pri Vce = const , dok ulazne statičke
karakteristike tranzistora u spoju sa zajedničkom bazom daje zavisnost
ulazne struje IE od ulaznog napona VEB (sl.2.4):
I e = f1 (Veb ) za Vcb = const .

2.11.
 Elektronika I

4 1,6

Ie , [mA]
0V

Ie , [A]
-5V
3 1,2
Vkb = −10V Vkb = −5V 0V

2 0,8

1 0,4

0 100 200 300 0 0,6 1,2 1,8

Veb , [mV] Veb , [V]
Sl. 2.4. Ulazne statičke karakteristike germanijumskog i silicijumskog PNP tranzistora u
spoju sa zajedničkom bazom.

5 Izlazne statičke karakteristike se definišu kao promjena izlazne

struje I2 u funkciji izlaznog napona V2, dok se kao parametar koristi
ulazna struja I1 :
I 2 = f 2 (V2 ) za I1 = const .
Tako izlazne statičke karakteristike tranzistora u spoju sa zajedničkom
bazom daju zavisnost struje kolektora od napona između kolektora i baze:
I c = f 2 (Vcb ) , Ie = const ,
i opisane su relacijom:
⎡ ⎛ qV ⎞ ⎤.
I c = α I e − I co ⎢exp ⎜ cb ⎟ − 1⎥
⎣ ⎝ kT ⎠ ⎦

2.12.
 2. Bipolarni tranzistori

Izlazne statičke karakteristike

5 mA tranzistora u spoju sa
5 zajedničkim emitorom dobijaju
Ik , [mA] 4 mA u obliku:
4
3 mA I c = f 2 (Vce ) za Ib = const ,
3
2 mA
2
Ie =1 mA
1
Ikbo Ie =0
Sl. 2.5. Izlazne statičke
0,2 0 5 10 15 karakteristike NPN tranzistora u
VCB=Vkb , V]
[ spoju sa zajedničkom bazom.
5
Vke =Vbe 80 µA
Ik , [mA]

4
60 µA
3
40 µA
2
Ib=20 µA
1
Ikeo Ib=0
0
4 8 12 16 20
Vke , [V]
Sl. 2.6. Izlazne statičke karakteristike NPN tranzistora u spoju sa zajedničkim
emitorom.

2.6. Struje tranzistora

Struja emitora Ie ima šupljinsku Iep i elektronsku Ien komponentu :
Ie = Iep + Ien .
Šupljinska komponenta struje emitora određena je gradijentom koncen-
tracije nosilaca elektriciteta u bazi na granici sa emitorskim p-n spojem,
tj. za x=0 :

2.13.
 Elektronika I

dp
Iep = − SqD pb . (2.13)
dx x = 0
w
SqD pb pbo ch
L pb ⎡ ⎛ qVe ⎞ ⎤
Ta struja iznosi: I ep = ⎢exp ⎜ ⎟ − 1⎥ −
w ⎣ ⎝ kT ⎠ ⎦
SqD pb pbo ⎡ ⎛ qV ⎞ ⎤
− ⎢ exp ⎜ c ⎟ − 1⎥ . (2.14)
w ⎣ ⎝ kT ⎠ ⎦
Elektronska komponenta struje emitora određena je gradijentom kon-
centracije elektrona na granici emitora i emitorskog p-n spoja. Obično je
debljina emitora znatno veća od difuzione dužine elektrona u emitoru Lne .
Kolektorski napon nema uticaja na elektronsku komponentu struje
emitora pa se ova struja izračunava kao kod usamljenog p-n spoja :
Dne neo ⎡ ⎞ ⎤
⎛ qVe
I en = Sq ⎟ − 1⎥ .
⎢exp ⎜ (2.15)
Lne ⎣ ⎝ kT
⎠ ⎦
Kako je kod tranzistora ispunjen uslov w <<Lpb , može se usvojiti da je:
ch(w/Lpb )≈1, pa se dobija da je ukupna struja emitora:
⎡ ⎛ qV ⎞ ⎤ D pb pbo ⎡ ⎛ qV ⎞ ⎤
I e = I cs ⎢exp ⎜ e ⎟ − 1⎥ − Sq ⎢ exp ⎜ c ⎟ − 1⎥ . (2..16)
⎣ ⎝ kT ⎠ ⎦ w ⎣ ⎝ kT ⎠ ⎦
⎛ D pb pbo Dne neo ⎞
gdje je: I cs = Sq ⎜ + ⎟.
⎝ w Lne ⎠

Struja kolektora se takođe sastoji od šupljinske i elektronske

komponente. Šupljinska struja kolektora određena je gradijentom
koncentracije šupljina u bazi na granici sa kolektorskim p-n spojem, tj. za
x=w :
dp
I kp = − SqD pb .
dx x = w
Relacija za struju kolektora se može pisati u obliku :
I 'c = α I e .

2.14.
 2. Bipolarni tranzistori

Ukupna struja kolektora Ik jednaka je sumi komponenata struje I 'c (upra-

vljiva struja nastala injektiranjem emitora) i sopstvene (neupravljive)
struje I ''c koja postoji zbog dejstva kolektorskog napona : I c = I 'c + I 'c' :
⎡ ⎛ qV ⎞ ⎤
I c = α I e − I co ⎢exp⎜ c ⎟ − 1⎥ , (2.17)
⎣ ⎝ kT ⎠ ⎦
Za DC radni režim vrijedi relacija, pri Ico=Ics:
⎡ ⎛ qV ⎞ ⎤
I C = α I E − I cs ⎢exp⎜ C ⎟ − 1⎥
⎣ ⎝ kT ⎠ ⎦
Ako je kolektorski p-n spoj inverzno polarizovan relativno velikim
⎛ qV ⎞
kolektorskim naponom Vc , tada je : exp⎜ c ⎟ << 1 .
⎝ kT ⎠
Kao i u slučaju inverzno polarizovane diode, treba uzeti u obzir
termičku struju kolektorskog p-n spoja IcT i površinsku struju gubitaka
istog spoja Icg. Zbir ove dvije struje sa strujom ekstrakcije Ico daje
inverznu struju kolektorskog p-n spoja :
I cbo = I co + I cT + I cg .

5 Faktor injekcije ili efikasnost emitera dat je odnosom emiterske

I ep
komponente šupljina i ukupne struje emitera: γ = , tj. Iep =γ Ie .
I ep + I en
Uvrštavanjem Vc = 0 i ch(w/Lpb)≈1, dobija se koeficijenat injektiranja
emitora :
Iep 1 1
γ= = = . (2.18)
Iep + Ien 1 + Ien 1 + w Dne neo
Iep Lne Dpb pbo
Koeficijenat injektiranja treba biti što bliži jedinici. Kako je odnos
difuzionih konstanti elektrona i šupqina Dn /Dp =2÷3 te odnos širine baze
i difuzione dužine elektrona w / Lne <<1, potrebno je da i odnos ravnotežnih
koncentracija sporednih nosilaca elektriciteta u emitoru i bazi bude što
manji (neo /pbo <<1). U praksi emitor se znatno više legira primjesama nego

2.15.
 Elektronika I

baza tranzistora. Koeficijenat injektiranja se može izraziti i u sljedećem

obliku :
w Dne neo
γ ≈ 1− .
Lne D pb pbo
Prelaskom sa koeficijenata difuzije na pokretljivosti i od koncentracija
sporednih nosilaca na koncentracije osnovnih nosilaca :
Dne µ ne neo nbo
= ; = ,
D pb µ pb pbo peo
proizlazi:
w µ ne nbo
γ ≈ 1− .
Lne µ pb peo
U slučaju kada je µne = µnb i µpb = µpe , tada je µnb nbo =1/(qρb) i
µpepeo =1/(qρe), čime se dobija često korišćena formula:
w ρe
γ ≈ 1− ,
Lne ρb
gdje su ρe i ρb specifične otpornosti emitora i baze, respektivno.
5 Koeficijent prenosa kroz bazu (transportni faktor) definiše se
odnosom šupljinske komponente struje koja izlazi iz baze (a time ulazi u
kolektor) i šupljinske komponente struje koja ulazu u bazu (izlazi iz
emitera) β* = I cp / I ep . Tada se dobija da je struja kolektora, koja je
posljedica injektiranja šupljina iz emitora, data relacijom :
I 'cp = ν I ep = ν γ I e .
Kod većih napona inverzne polarizacije kolektorskog p-n spoja dolazi do
procesa lavinskog množenja šupljina i do porasta vrijednosti komponente
I 'cp kolektorske struje:
I 'c = M I 'cp = ν γ M I e ,
gdje je M - koeficijent multiplikacije.
5 Istosmjerni faktor strujnog pojačanja tranzistora u spoju sa
zajedničkom bazom α se definiše kao:

2.16.
 2. Bipolarni tranzistori

γM γM ⎛ w2 ⎞
α = ν γM = ≈ ≈ γ M ⎜1 − ⎟, (2.19)
w w 2 ⎜ 2 L2pb ⎟
ch 1+ 2 ⎝ ⎠
L pb 2 L pb
Ako je koeficijenat injektiranja emitora γ≈ 1 i baza tranzistora tanka
(w <<Lpb), faktor strujnog pojačanja teži vrijednosti jedinci (α ≥ 0,99).
U području gornjih graničnih učestanosti faktor α iznosi:
αo
α= .
f
1+ j
fα
gdje je fα gornja granična frekvencija tranzistora u spoju sa ZB.
5 Faktor strujnog pojačanja β tranzistora u spoju sa zajedničkim
emiterom, zavisi od frekvencije prema izrazu:
βF βF
β( f ) = = 2
, (2.20)
2
⎛β f ⎞ ⎛ f ⎞
1+ ⎜ F ⎟ 1+ ⎜ ⎟
⎝ fT ⎠ ⎜ fβ ⎟
⎝ ⎠
gdje je fT frekvencija kod jediničnog pojačanja, a f β = fT / β F tzv.
cutoff frekvencija.
5 U praksi se koriste pojednostavljeni izrazi za struje tranzistora:
Is ⎛v ⎞ I I ⎛v ⎞
iE = exp ⎜ BE ⎟ + s ≈ s exp ⎜ BE ⎟ ,
αF ⎝ VT ⎠ β α F ⎝ VT ⎠
⎛v ⎞ I ⎛v ⎞
i C = I s exp ⎜ BE ⎟ , iB = s exp ⎜ BE ⎟ .
⎝ VT ⎠ β ⎝ VT ⎠
Ove aproksimacije su dovoljno tačne ako su ispunjeni uslovi:
kT kT
vBE ≥ 4VT = 4 = 0 ,1 V , vBC ≤ −4 = −0 ,1 V ,
q q

2.17.
 Elektronika I

5 Zbog uticaja Irlijevog (Early) efekta izlazne karakteristike

tranzistora IC = f(VCE) imaju povećan nagib. Ako se postave tangente na
svaku od karakteristika u prvom kvadrantu tada tačka u kojoj se u
drugom kvadrantu sijeku produžene tangente određuje tzv. Early-ev
napon VA. U tom slučaju ukupna struja kolektora i struja baze su:
vBE
VT ⎛ vCE ⎞ ⎛ vCE ⎞
iC = Is e ⎜1 + ⎟, β F = β Fo ⎜ 1 + ⎟
⎝ VA ⎠ ⎝ VA ⎠
(2.21)
vBE
Ic VT
iB = e .
β Fo
Za brojčane vrijednosti: Is=10-15 A, βFo =75, VA = 50 V, VB E = 0,7 V,
VCE = 10 V, dobija se: IB =19,3 µA, βF = 90, IC =1,74 mA.
Primjer 2.1.

Rješenje

2.7. Ebers-Molov model tranzistora

Teoretski model tranzistora i gornje analitičke relacije ograničeni
su na tranzistore sa homogenom bazom i jednodimenzionalni protok
struje, što kod realnih tranzistora dovodi do odstupanja. Ebers i Mool su
pokazali da je pod uslovima niske injekcije, u zanemarivanje Earlyjevog
efekta, te zanemarivanje otpornosti u barijerama, emiteru, bazi i
kolektoru, moguće struje emitera i kolektora prikazati slijedećem obliku:
qVEB q VCB
kT kT
I E = a11( e − 1 ) + a12 ( e −1) , (2.22)

qVEB qVCB
kT kT
I C = a21 ( e − 1 ) + a22 ( e − 1). (2.23)

2.18.
 2. Bipolarni tranzistori

Struje emitera i kolektora su izražene kao linearna kombinacija

naponskih funkcija. To znači da se kod određivanja struja može upotrebiti
zakon superpozicije kao kod pasivnih električnih mreža. Nelinearnosti
postoje samo zbog oblika naponskih funkcija. Koeficijenti a11, a12, a21,
a22 se mogu izraziti pomoću struja koje su mjerive.
Za normalni smjer se uzima da sve struje ulaze u pripadajuće
elektode i da su IE i IC pod kontrolom napona VEB pri VCB =0 čemu
pripada istosmjerni faktor strujnog pojačanja normalnog smjera α = α N .
Kada je VCB≠0 a VEB=0 govori se o inverznom smjeru struje kome pripada
inverzan faktor strujnog pojačanja α I . Pri tome uvijek α N > α I .
Tako se koeficijent a11 može interpretirati kao ona struja IES koja
teče pri VEB < 0 i VCB = 0. Pri tome je –a11= IES < 0. Slično se definiše ICS.
Transferni članovi a 12 = α I ICS , a 21 = α N I ES sadrže u sebi prenosne ili
transferne osobine tranzistora. Jednakost ovih koeficijenata daje:
α N I ES = α I I CS .
Prema tome za struje se dobijaju izrazi:
qVEB qVCB
kT kT
I E = − I ES ( e − 1 ) + α I ICS ( e −1) ,
(2.24)
qVEB qVCB
kT kT
I C = α N I ES ( e − 1 ) − ICS ( e − 1 ).
Jednačine za struje se mogu pisati i u obliku:
qVEB
kT
I E = −α I I C − I EB 0 ( e −1) ,
(2.25)
qVCB
kT
I C = − α N I E − I CB 0 ( e −1).
Poređenjem dva sistema jednačina slijedi:
I EB 0 = I ES ( 1 − α N α I ) ,
I CB 0 = I CS ( 1 − α N α I ).
Struja IC = ICB0 dobija se uz IE = 0 i VCB < 0. Ekvivalentna šema
idealizovanog tranzistora n-p-n tipa.

2.19.
 Elektronika I

αi I 2 αI 1

Ie Ik K
C
E
I1 Ib I2
Vbe B Vbk
Sl. 2.7. Ekvivalentna šema idealizovanog tranzistora n-p-n tipa (Vbk=Vbc).
Struja emitera iznosi:
(
I e = I s1 eVbe VT
) (
− 1 − αi I s 2 eVbc VT
)
−1 .
dok su ulazne statičke karakteristike tranzistora u spoju sa zajedničkom
bazom date kao:
⎡I ⎤
Vbe = VT ln ⎢ e + 1 + α eVbc
⎣ I s1
( VT
)
−1 ⎥ .
⎦
Primjer 2.2.
Izračunati napon VCE i sve struje tranzistora u spoju sa
zajedničkim emiterom ako su priključeni izvori ems E1=VBE = 0,62V
te E2=VCB=5 V. Poznati su parametri Ebers-Molovog modela:
-
αn=0,995, αi =0,1, Ies=Ics=10 14 A.
Rješenje

Familija izlaznih statičkih karakteristika tranzistora u spoju sa

zajedničkom bazom:

(
I c = α I s1 eVbe VT
) (
− 1 − I s 2 eVbc VT
−1 , )
odnosno: I c − α I e = − I s 2 (1 − αα i ) eVbc( VT
)
−1 ,
što daje konačan izraz :
I c = α I e − I co eVbc ( VT
)
−1 .

b) Ebers-Molov model za statički radni režim može se opisati sa:

2.20.
 2. Bipolarni tranzistori
qVEB qVCB
kT kT
I E = − I ES ( e − 1 ) + α I ICS ( e −1) ,
qVEB qVCB
kT kT
I C = α N I ES ( e − 1 ) − ICS ( e − 1 ).

Uz temperaturni potencijala: ϕT = VT = k T = 26 mV dobija se:

q
VEB
ϕT
I E = − I ES ( e − 1 ) = −2 , 27 ⋅10−4 A
VEB
ϕT
I C = α N I ES ( e − 1 ) = 2 , 26 ⋅10−4 A.

Struja baze iznosi: I B = − I E − I C = 0,01135 ⋅ 10−4 A.

Napon između kolektora i emitera je:
VCE = −VBC + VBE = 5,62 V .
Primjer 2.3.
Odrediti i skicirati karakteristike PNP tranzistora, pri T=300 K:
a) Izlazne karakteristike IC= f(VCB), pri: IE =1 mA, IE =2 mA, IE=3
mA, IE=4 mA, IE =5 mA, IE =6mA.
b) Prenosne strujne karakteristike IC =f(IE), uz VCB kao parametar.
c) Ulazne karakteristike IE =f(VEB) uz VCB kao parametar.
d) Prenosane karakteristike VEB =f(VCB), uz IE kao parametar.
Poznato je T=300 K, ICS =-7 µA, IES =-5 µA, α=0,99.
Rješenje

Ebers - Mollove su date u obliku:

1 VBE αI V
IE = − I ES (exp −1) + I CS (exp CB − 1 )
1−α αI VT 1−α αI VT
α V 1 V
IC = I ES (exp EB − 1 ) − I CS (exp CB − 1 )
1−α αI VT 1−α αI VT

2.21.
 Elektronika I

Ako se iz prve relacije izrazi VEB , kao funkcija struje IE i napona

VCB, pa uvrsti u drugu jednačinu, dobija je zavisnost struje
kolektora IC od napona VCB i struje IE:
V
I C = − α I E − I CS (exp CB − 1 ) .
VT
U normalnom aktivnom području napona VCB je negativan i puno
veći od temperaturnog potencijala tako da vrijedi:
I C = −α I E + I − 0,99 I E − 7 ⋅ 10 −6 [A] .
Poslednji izraz pokazuje da u normalnom aktivnom području struja
kolektora idealnog tranzistora u spoju sa zajedničkom bazom nije
zavisna od napona VCB . Takve izlazne karakteristike su
horizontalni pravci u prvom kvadrantu.
b) Prenosne karakteristike IC = f (IE) su upravo određene gornjim
izrazima. Vidljivo je da postoji linearna zavisnost struje kolektora
od struje emitera koja praktično na zavisi od parametra VCB. Sve
prenosne strujne karakteristike se stapaju u pravac u drugom
kvadrantu.
c) Ulazne karakteristike određene su prvom relacijom. U
normalnom aktivnom području kod negativnih vrijednosti VCB
slijedi:
1 V αI
IE = − I ES (exp EB − 1 ) − I CS
1−α αI VT 1−α αI
1 VCB
IE = − I ES (exp −1 + α )
1−α αI VT
jer je: α I ES = α I I CS . Odavde je vrijednost:
I −5 1 1
α I = α ES = 0,99 = 0,707 , = = 3,33 .
I CS −7 1 − α α I 1 − 0,99 ⋅ 0,707
Sada se jednačina za struju emitera može napisati kao:
I E = 16,65 ⋅ 10 −6 (exp 38,5 ⋅ V EB − 0,01) = 16,65 ⋅ 10 −6 exp 38,5 ⋅ V EB
U aktivnom području struja emitera ne zavisi od napona VCB
te se ulazne karakteristike stapaju u jednu krivu.

2.22.
 2. Bipolarni tranzistori

d) Prenosne naponske karakteristike određene su prvom

jednačinom odakle se rješenjem po naponu VEB dobija se:
IE VCB
VEB = VT ln( 1 − − α ( 1 − exp ),
1 VT
I ES
1− α αI
IE
VEB ≈ VT ln( 1 − α − ),
1
I ES
1− α αI
−I E
VEB ≈ VT ln( ).
1
I ES
1− α αI
Poslednji izraz postaje: VEB ≈ 0,026 ⋅ ln( 6 ⋅ 104 ⋅ I E ) [ V ] .
- Ic [mA]

5 IE =5 mA
4 4 mA
3
3 mA
2 2 mA
VCB<0
1 1 mA
IE [mA]
6 5 4 3 2 1 1 2 3 4 5 6
- VCB [V

0,1 IE = 1mA
VCB<0
2 mA
3 mA
0,15 4 mA
5 mA

VEB [V]
Prenosne karakteristike se nalaze u četvrtom kvadrantu kao
horizontalni pravci kojima razmak opada logaritamski. Za jednake
priraštaje struje emitera dobiju se logaritamski priraštaji napona
VEB.
2.23.
 Elektronika I

2.8. ElektriČni proboj tranzistora

Električni proboj kod tranzistora može da bude lavinski ili proboj
usljed udarne jonizacije, tunelski ili Zenerov proboj, površinski proboj i
proboj usljed smicanja baze. Ako se pretpostavi da je kod tranzistora u
spoju sa zajedničkom bazom porastao napon kolektorskog p-n spoja
toliko da je došlo do generisanja parova elektron-šupljina u području tog
spoja, struja kolektora povećava se M puta i dobija vrijednost :
I k* = M I k = Mα I e + M I kbo . (2.26)
Ovaj efekat se može posmatrati kao povećanje koeficijenta pojačanja
struje emitora α, koji dobija vrijednost :
α* = M α . (2.27)

Faktor multiplikacije M, raste sa porastom inverznog napona:

1
M = , (2.28)
( )
n
1 − V Vlpr

gdje je n konstanta. Kod silicijumskih tranzistora i germanijumskih

tranzistora p-n-p ti-pa može se usvojiti da je n=3, dok je n=5 kod
germanijumskih tranzistora n-p-n tipa. Proboj kolektorskog p-n spoja
desi}e se kod napona V = Vkb → Vlpr kada je α* = M α → ∞ i struja
kolektora naglo raste. Probojni napon kolektorskog p-n spoja pri
"prekinutom" emitoru označen je sa Vkbo . Vrijednost ovog napona je
jednaka probojnom naponu usamljenog kolektorskog p-n spoja :
Vkbo = Vlpr .
To je maksimalno mogući probojni napon tranzistora i odgovora tran-
zistoru u spoju sa zajedničkom bazom.
Najniži probojni napon se dobija kod tranzistora u spoju sa zajedničkim
emitorom kada je baza "prekinuta", odnosno Ib = 0.
Koeficijenat pojačanja struje baze β neposredno prije ulaska u proboj
tranzistora dobija se smjenom α=γν, u obliku :
α* Mα
β* = = , (2.29)
1− α* 1− Mα

2.24.
 2. Bipolarni tranzistori

dok je struja kolektora data relacijom :

( )
I *k = β* I b + β* + 1 I kbo . (2.30)

Proboj tranzistora u ovom slučaju se dobija kada su ispunjeni uslovi da

β* → ∞ odnosno Mα → 1 . Očigledno je da se to dešava pri znatno ni-
žem naponu u odnosu na prethodni slučaj, gdje je bilo potrebno ispuniti
uslov Mα → ∞ . Smjenom M=1/α, V=Vkeo i Vlpr=Vkbo izlazi :
1 1
= .
α 1 − (V V )
n
keo kbo
Rješavanjem ove jednačine dobija se probojni napon tranzistora u spoju
sa zajedničkim emitorom kada je Ib=0 :
n
Vkeo = Vkbo 1 − α ≈ Vkbo n β , (2.31)
gdje se vrijednost α određuje kada je Ik ≈ Ikbo. Proračun i praktično
mjerenje pokazuju da je probojni napon Vkeo obično dva do tri puta manji
od napona Vkbo. Kod napona bliskih proboju tranzistora treba struju Iko
zamijeniti sa Ikbo , a koeficijenat pojačanja struje emitora α pomnožiti sa
M:
I kbo
I *k = . (2.32)
1 − Mαα i
Koeficijenat αi ne mno i se sa M jer je manji od α. U ovom slu aju do
proboja dolazi kada je: 1 − Mαα i = 0 .

2.9. Diferencijalni parametri tranzistora

Kada se tranzistor uključi u kolo sa naizmjeničnim signalima tada
se jednosmjernom naponu VBE u radnoj tački superponira mali
naizmjenični signal vbe. Pri uprošćenoj zavisnosti kolektroske struje od
napona između baze i emitera u direktnoj aktivnoj oblasti, izraz dobija se:
⎡ v ⎤ ⎡ V + vbe ⎤
i C = I s ⎢exp BE ⎥ = I s ⎢exp BE ⎥. (2.33)
⎣ ϕT ⎦ ⎣ ϕT ⎦
Ukupna stuja kolektora jednaka je zbiru jednosmjerne IC i naizmjenične
omponente ic pa je:

2.25.
 Elektronika I

⎡ V v ⎤ ⎡ v ⎤ V
I C + ic = I s ⎢exp BE exp be ⎥ = I C ⎢exp be ⎥ , I C = I s exp BE . (2.34)
⎣ ϕT ϕT ⎦ ⎣ ϕT ⎦ ϕT
Kada se eksponencijalna funkcija razvije u red slijedi da je:
⎡ v 1 ⎛ vbe ⎞
2
1 ⎛ vbe ⎞
3 ⎤
⎢
I C + ic = I C 1 + be
+ ⎜ ⎟ + ⎜ ⎟ + ...⎥ , (2.35)
⎢ ϕT 2 ⎝ ϕT ⎠ 6 ⎝ ϕT ⎠ ⎥
⎣ ⎦
odakle je:
⎡v 1 ⎛ vbe ⎞
2
1 ⎛ vbe ⎞
3 ⎤
ic = IC ⎢ be
+ ⎜ ⎟ + ⎜ ⎟ + ...⎥ .
⎢ ϕT 2 ⎝ ϕT ⎠ 6 ⎝ ϕT ⎠ ⎥
⎣ ⎦
Za linearnu zavisnost struje kolektora ic od napona vbe potrebno je:
2
1 ⎛ vbe ⎞ vbe
⎜ ⎟ << , vbe << 2 ϕT .
2 ⎝ ϕT ⎠ ϕT
Kako je temperaturni potencijal na sobnoj temperaturi 25 mV
uslovna vrijednost amplitude malog ulaznog napona je 50 mV.
Ukupna struja kolektora je tada:
⎡ v ⎤ I
i C = I C ⎢1 + be ⎥ = I C + C vbe = I C + g m vbe = I C + i c . (2.36)
⎣ ϕT ⎦ ϕT
Pri tome je transkonduktansa gm definisana i data sa:
d iC
gm = .
d vBE Q

Kako je struja kolektora približno data sa:

⎛v ⎞
i C = I s exp ⎜ BE ⎟ ,
⎝ VT ⎠
d ⎡ ⎛ vBE ⎞ ⎤ 1 v I
tada je: gm = ⎢ I s exp ⎜ ⎟⎥ = I s exp BE = C .
d vBE ⎣ ⎝ VT ⎠ ⎦ Q VT VT VT

Pri analizi pojačavača u naizmjeničnom radnom režimu koriste se h,

y te π model tranzistora kada se tranzistor predstavlja kao četvoropol.

2.26.
 2. Bipolarni tranzistori

Veličine koje povezuju male priraštaje struja i napona nazivaju se

diferencijalnim parametrima tranzistora. Usvaja se da su u priključnim
tačkama polariteti ulaznog i izlaznog napona V1 i V2 pozitivni a smjerovi
struja I1 i I2 određeni tako da ulaze u četveropol. Kako je tranzistor tropol,
a prikazuje se četvoropolom, usvaja se da su krajevi 1' i 2' međusobno
kratko spojeni. Kod tropola se dobijaju tri jednačine za struje polova u
funkciji sva tri napona polova koji se računaju u odnosu na referentni
čvor. Zavisno od zajedničke elektrode u primjeni su pojačavači sa
tranzistorom u spoju sa zajedničkim emiterom, zajedničkim kolektorom i
zajedničkom bazom.
y model tranzistora
Ako se zajednički pol veže na potencijal referentnog čvora, ulazna i
izlazna struja je:
i 1= f1 ( v 1 ,v 2 ) , i 2 = f 2 ( v 1 ,v 2 ) . (2.37)
Uzimanjem u obzir vrijednosti napona u radnoj tački, kao i priraštajima
napona, razvijanjem u Tajlorov red dobija se:
ik = f k ( v10 + ∆v1 , v20 + ∆v2 ),
∂ ik ∂i
ik = f k ( v10 ,v20 ) + ( ∆v1 + k ∆v2 ) +
∂ v1 ∂ v2
(2.38)
1 ⎛ ∂ 2i ∂ 2 ik ∂ 2 ik ⎞
+ ⎜ k2 ∆v12 + 2 ∆v1 ∆v2 + ∆ v 2
⎟ .
2 ⎜⎝ ∂ v1 ⎟
2
∂ v1 ∂ v2 ∂ v22 ⎠
Za dovoljno male naizmjenične signale priraštaji su takođe mali, pa se
njihovi proizvodi i potencije mogu zanemariti, odakle proizlazi:
∂i ∂i
ik = f k ( v10 ,v20 ) + ( k ∆v1 + k ∆v2 ) ,
∂ v1 ∂ v2
odakle je: ∆ik = ik − f k ( v10 ,v20 ),
pa je:
∂ i1 ∂i
∆i1 = ∆v1 + 1 ∆v2 ,
∂ v1 ∂ v2
(2.39)
∂i ∂i
∆i2 = 2 ∆v1 + 2 ∆v2 .
∂ v1 ∂ v2

2.27.
 Elektronika I

Dinamički parametri provodnosti su:

∂i
yks = k , v j = const. ( j ≠ s ), ( k ,s = 1, 2 ,...,m − 1 ) (2.40)
∂ vs
Sistem jednačina u kompleksnom obliku:
I 1 = Y 11 V 1 + Y 12 V 2
(2.41)
I 1 = Y 21 V 1 + Y 22 V 2
Iz ovih jednačina se dobijaju y-parametri kao:
I1
y 11 =
V1 − ulazna provodnost tranzistora;
V 2 =0

I1
y 12 =
V2 − provodnost inverznog prenosa tranzistora;
V 1 =0

I2
y 21 =
V1 − provodnost direktnog prenosa tranzistora;
V 2 =0

I2
y 22 =
V2 − izlazna provodnost tranzistora.
V 1 =0

Svi y-parametri se određuju u režimu kratkog spoja za naizmjenične struje

na suprotnoj strani četvoropola. Naime, kratak spoj na ulazu (V 1 = 0 ) se
koristi pri određivanju parametara y 22 i y 12 , dok se kratak spoj na izlazu
(V 2 = 0 ) koristi za parametre y 11 i y 21 .
Ekvivalentna šema četvoropola sa y- parametrima data je na slici 2.8.

Sl.2.8. Ekvivalentna šema četvoropola sa y- parametrima.

2.28.
 2. Bipolarni tranzistori

h model tranzistora
Jednačine kojima se opisuje h model tranzistora daju zavisnost
kompleksnih veličina ulaznog napona V1 i izlazne struje I2 u funkciji
ulazne struje I1 i izlaznog napona V2:
V 1 = h 11 I 1 + h 12 V 2
I 2 = h 21 I 1 + h 22 V 2

V1 − ulazna impedansa tranzistora pri kratkom spoju

h11 = izlaza za naizmjeničnu struju;
I1 V
2 =0

− koeficijenat povratne veze po naponu pri preki-

V1 nutom ulazu za naizmjeničnu struju (odnos naiz-
h12 = mjeničnih napona na ulazu i izlazu pri čemu ti naponi
V2 I 1 =0 proizvode ulaznu struju iste veličine a suprotnih
smijerova);
I2 − diferencijalni koeficijenat pojačanja struje (odnos
h 21 = naizmjenične izlazne struje i naizmjenične ulazne
I1 V
2 =0 struje napajanja četvoropola);
I2 − izlazna admitansa tranzistora pri prekinutom ulazu za
h 22 = naizmjeničnu struju (tj. pri praznom hodu ulaznog
V2I 1 =0 kola četvoropola).
Parametar h21 u najvećoj mjeri karakteriše pojačavačke osobine tran-
zistora i njegova vrijednost obično je u granicama od 10 do nekoliko
stotina. Parametar h22 predstavlja izlaznu provodnost tranzistora za
naizmjenični signal. Uticaj ove vrijednosti može se često zanemariti, pa se
na izlazu tranzistor ponaša kao strujni generator čija je struja h 21 I b .

Sl.2.9. Ekvivalentna šema četvoropola sa hibridnim parametrima.

2.29.
 Elektronika I

Ulazni dio šeme tranzistora, kada je h12 ≈ 0 , može se zamijeniti ulaznom

otpornošću h11 za naizmjenični ulazni signal V be .

Veza y i h parametara iste vrste spoja tranzistora

Međusobna povezanost parametara izvodi se preuređenjem definicionih
relacija te poređenjem sa osnovnim jednačinama tražene veze.
1 h12 h 21 h11 h 22 − h12 h 21
y 11 = ; y 12 = − ; y 21 = ; y 22 =
h11 h11 h11 h11
1 y 12 y 21 y
h11 = , h12 = − , h21 = , h22 = ,
y11 y 11 y 11 y 11

gdje je: ∆ y = y = y11 y22 − y12 y21 , ∆ h = h = h11h22 − h12 h21 .

π model tranzistora
Ekvivalentna šema sa π parametrima predstavljena je vezom
elemenata između vanjskog i internog čvora baze, te emitera i kolektora.
Tako između vanjskog čvora baze B i internog čvora B1, kao
aktivnog dijela baze, nalazi se otpornost baze rb. Povratna otpornost
označena sa rµ ugrađena je od kolektora C prema B1. Između B1 i
emitera E nalazi se otpornost rπ na kome postoji napon vπ. Uticaj tog
napona na struju strujnog generatora između kolektora C i emitera E dat
je naponski upravljanjim strujnim generatorom gmvπ. Na izlazu je vezana
otpornost ro inverzno polarizovanog kolektorsko-emiterskog p-n spoja.
Napon između baze i emitera određen je tada sa:
vbe = rb ib + vπ . (2.8)
Struja kolektora je:
ic = vce ( go + gµ ) + vπ ( g m − gµ ) . (2.9)

Kako je napon:
vπ = rπ ⎡⎣ib + ( vce − vπ ) gµ ⎤⎦ , (2.10)

dobija se sistem jednačina koje opisuju π model tranzistora:

2.30.
 2. Bipolarni tranzistori

⎛ rπ ⎞ ⎛ rπ gµ ⎞
vbe = ib ⎜ rb + ⎟ + vce ⎜ ⎟,
⎜ 1 + rπ gµ ⎟⎠ ⎜ 1 + rπ gµ ⎟
⎝ ⎝ ⎠
(2.11)
⎡ rπ (g m − gµ ) ⎤ ⎡ rπ gµ (g m − gµ ) ⎤
ic = ib ⎢ ⎥ + vce ⎢ g o + gµ + ⎥.
⎢⎣ 1+rπ gµ ⎥⎦ ⎢⎣ 1 + rπ gµ ⎥⎦
pri čemu je transkonduktansa gm data sa:
∂ ic ∂ I e qvbe / kT q I
gm = = s = I s e qvbe / kT = c .
∂ vbe ∂ vbe kT kT / q
Poređenjem sa sistemom h jednačina proizlazi da je veza parametara:
rπ
hie = h11e = rb + ,
1 + rπ gµ
(2.12)
rπ gµ
hre = h12e = ≈ rπ gµ ≅ 0 ,
1 + rπ gµ
rπ (g m − gµ )
h fe = h21e = ,
1 + rπ gµ
(2.13)
rπgµ (g m − gµ )
hoe = h22e = g o + gµ = g o + rπ g m gµ ≈ g o .
1 + rπ gµ
Na osnovu poznatih h parametara proizlaze parametri π modela u obliku:
h fe h fe
rπ = , rb = hie − rπ = hie − ,
gm gm
r h fe
rµ = π = , g o = hoe − g m hre . (2.14)
hre hre g m
Tako naprimjer, za brojčane vrijednosti rb =2,5 kΩ, rπ = 2,5 kΩ,
rµ=10 MΩ, ro =100 kΩ i gm = 40 mA/V izračunavaju se vrijednosti h
parametara: h11= 2,6 kΩ, h12= 2,5⋅ 10-4, h21=100, h22= 2 ⋅10-5 S.
Standardne međuzavisnosti su: gµ << g m , gµ << go , rπ gµ << 1.

2.31.
 Elektronika I

2.4. ODREĐIVANJE H -PARAMETARA NA OSNOVU STATIČKIH

KARAKTERISTIKA

Vrijednosti h-parametara u području niskih učestanosti mogu se odrediti

na osnovu ulaznih i izlaznih statičkih karakteristika tranzistora. Priraštaji
napona se uvrštavaju sa istim a struja sa suprotnim znakom pri
određivanju h-parametara tranzistora u spoju sa zajedničkim emitorom.
Parametri ulaznog kola, h11e = h11 i h12 e = h12 , određuju se na osnovu
ulaznih karakteristika tranzistora. U ovom slučaju jednačina glasi :
V be = h11 I b + h12V ke ,
V be V be
Parametri se određuju kao: h11 = ; h12 = .
Ib V ke =0
V ke I b =0
Prelaskom sa kompleksnih veličina na priraštaje dobija se u radnoj tački :
∆V ∆V
H11 = be ; H12 = be .
∆ Ib V =V ' =const ∆Vke I = I ' = const
ke ke b b

Na osnovu relacije I k = h 21 I b + h 22V ke dobijaju se izlazni h-parametri :

I I
h 21 = k ; h 22 = k .
I b V =0 V ke I =0
ke b

Prelaskom sa kompleksnih vrijednosti na priraštaje izlazi :

∆I ∆ Ik
H21 = k ; H22 = .
∆ Ib V =V ' =const ∆Vke I = I ' = const
ke ke b b

Primjer 2.2.
Ako su poznati h-parametri tranzistora u spoju sa zajedničkim
emitorom treba odrediti vrijednosti h-parametara tranzistora u spo-
ju sa zajedničkom bazom ( he → hb )
Rje{enje:

Polazni sistem jednačina je : V be = h11 I b + h12 V ke ,

I k = h 21 I b + h 22 V ke ,

2.32.
 2. Bipolarni tranzistori

Traženi sistem jednačina ima oblik:

V eb = h11b I e + h12bV kb ,
I k = h21b I e + h 22 bV kb .
Zbir napona tranzistora je nula a zbir struja tranzistora je nula:
V ke + V bk + V eb = 0 , I e + I k + I b = 0 , I b = − I e − I k
Kako se mijenja predznak naponu ako mu se permutuju indeksi:
V ke = − V ek ; V bk = − V kb ; V eb = − V be .
Takođe je :
V ke = −V bk − V eb = V kb − V eb ; V be = −V eb .
Smjenom vrijednosti izlazi :
V eb (1 − h12 ) = h11 I e + h11 I k − h12 V kb ,

I k (1 + h 21 ) = − h 21 I e − h 22 V eb + h 22 V kb .

Uvrštavanjem I k dobija se nakon sređivanja :

h11 ∆ he − (1 + h 21 )
V eb = Ie + V kb ,
∆ he ∆ he
gdje je : ∆ he = (1 + h 21 )(1 − h12 ) + h11 h 22 .
Smjenom V eb izlazi :
1 − h12 − ∆ h e h
Ik = I e + 22 V kb .
∆ he ∆ he
Poređenjem relacija dobija se :
h h11
h11b = 11 ≈ ,
∆ h e 1 + h 21
∆ he − (1 + h 21 ) h11 h 22
h12b = ≈ − h12 ,
∆ he 1 + h 21
1 − h12 − ∆ h e h
h 21b = ≈ − 21 ,
∆ he 1 + h 21

2.33.
 Elektronika I

h 22 h 22
h 22 b = ≈ .
∆ h e 1 + h 21
Veza h-parametara kod tri vrste spoja:

h11b h11
h11 = h11k = h11 h11b =
1 + h 21b 1 + h 21
h h h h
h12 = 11b 22 b − h12 b h12 k = 1 − h12 h12 b = 11 22 − h12
1 + h 21b 1 + h 21
h h 21k = − (1 + h 21 ) h
h 21 = − 21b h 21b = − 21
1 + h 21b 1 + h 21
h 22 b h 22
h 22 = h 22 b =
1 + h 21b 1 + h 21
h 22 k = h 22

Za brojačane vrijednosti h parametara tranzistora u spoju sa

-
zajedničkim emiterom: h11=3 kΩ, h12= 10 4, h21=75, h22=0,033
mA/V, parametri za spojeve zajedničkog kolektora i zajedničke baze
iznose:
ZC ZB
h11e
h11c = h11e = 3 kΩ h11b = = 0,04 kΩ
1 + h21e
∆ he − h12e
h12c = 1 − h12e ≈ 1 h12b = = 1 / 760
1 + h 21e
h21e
h21c = −(1 + h21e ) = −76 h21b = − = −75 / 76 ≤ −1
1 + h21e
h22e
h22c = h22e = 1 / 30 mA / V h22b = = 0,439 µA / V
1 + h21e

Primjer 2.3.

2.34.
 2. Bipolarni tranzistori

Ako su poznati y-parametri tranzistora u spoju sa zajedničkim

emitorom treba odrediti vrijednosti y - parametara tranzistora u
spoju sa zajedničkom bazom ye → yb .
Način korištenja neodređene matrice provodnosti pri pretvaranje y
parametara u različitim spojevima tranzistora
Rje{enje:

U ovom slučaju polazi se od poznatog sistema jednačina :

I b = y 11V be + y12 V ke ,

I k = y 21V be + y 22 V ke ,
i od sistema sa željenim parametrima:
I e = y11bV eb + y 12 bV kb ,

I k = y 21bV eb + y 22 bV kb .
Iz relacija datih u predhodnom zadatku zamjenjuju se struje I b i
naponi V be i V ke .
( ) ( )
I e = y11 + y12 + y 21 + y 22 V eb − y12 + y 22 V kb ,

( )
I k = − y 21 + y 22 V eb + y 22 V kb .
Poređenjem relacija dobijaju se vrijednosti y-parametara
tranzistora u spoju sa zajedničkom bazom :
y 11b = y 11 + y 12 + y 21 + y 22 ,

y 12 b = − y12 − y 22 ,

y 21b = − y 21 − y 22 , y 22 b = y 22 .

U području niskih učestanosti y-parametri imaju realne vrijednosti

koje se označavaju sa G11, G12, G21, G22. Neodređena matrica G
provodnosti za tranzistor u spoju sa zajedničkim emiterom data je
sa:
B E C
B G11 - (G11+ G12) G12

2.35.
 Elektronika I

[G] = E - (G11+ G21) ΣG - ( G12+ G22)

C G21 - ( G21+ G22) G22
Određena matrica u zavisnosti od vrste spoja dobija se
izbacivanjem vrste i kolone koja odgovara referentnom čvoru. Tako
da bi se dobili y parametrai u spoju sa zajedničkom bazom
potrebno je izbaciti vrstu i kolonu B.
E C
E G11b = ΣG G12b = - (G12+G22)
C G21b = - (G21+G22) G22b=G22
Veza y-parametara kod sve tri vrste spoja:

y11b = y11 + y12 + y21 + y22 = y22k y11 = y11b + y12b + y21b + y22b = y11k
y12b = − y12 − y22 = − y21k − y22k y12 = y12b + y22b = − y11k − y12k
y21b = − y21 − y22 = − y12k − y22k y21 = y21b − y22b = − y11k − y21k
y22b = y22 = y11k + y12k + y21k + y22k y22 = y22b = y11k + y12k + y21k + y22k

y11k = y11b + y12b + y21b + y22b = y11 y21k = − y11b − y12b = − y11 − y21
y12k = − y11b − y21b = − y11 − y12 y22k = y11b = y11 + y12 + y21 + y22

OdreĐivanje ekvivalentnih parametara podsklopova

Dijelovi elektronskih sklopova su podsklopovi. Ako podsklop sadrži
tranzistor koji u kolu emitera ima ugrađen otpornik Re tada su jednačine
ekvivalentnog četveropola su definisane sa:
V1ekv = h11ekv I1ekv + h12ekv V2ekv
I 2ekv = h21ekv I1ekv + h22ekv V2ekv
Sistem h jednačina samog tranzistora je analogan predhodnom sistemu
naravno bez oznaka "ekv". Za podslop važi sistem jednačina:
2.36.
 2. Bipolarni tranzistori

V1 = V1ekv − Re ( I1ekv + I 2 ekv )

V2 = V2ekv − Re ( I1ekv + I 2ekv )
I2=I2ekv
I1=I1ekv
T1 +
+
+ V2
V1
V1ekv V2ekv
Re

Sl.2.4. Podsklop za određivanje ekvivalentnih parametara.

Kako je I1 = I1ekv , I 2 = I 2ekv , dobija se:

I 2ekv = h21 I1ekv + h22 [V2ekv − Re ( I1ekv + I 2ekv )] .
Sređivanjem ovog izraza proizlazi:
h − Re h22 h22
I 2ekv = 21 I1ekv + V2ekv
1 + h22 Re 1 + h22 Re
Pore|enjem sa definicionim relacijama dobija se:
h − Re h22 h22
h21ekv = 21 , h22ekv =
1 + h22 Re 1 + h22 Re
Na sličan način zamjenon V1 i struje I2 proizlazi:
V1ekv − Re ( I1ekv + I 2ekv ) = h11 I1ekv + h12 [V2ekv − Re ( I1ekv + I 2ekv )] ,
odnosno:
⎡ ⎛ h − Re h22 ⎞⎤
V1ekv = ⎢h11 + Re (1 − h12 ) ⎜⎜1 − 21 ⎟⎥ I1ekv +
⎣⎢ ⎝ 1 + Re h22 ⎟⎠⎦⎥
⎡ ⎛ h22 ⎞⎤
+ ⎢h12 + Re (1 − h12 ) ⎜⎜ ⎟⎟⎥ V2ekv
⎢⎣ ⎝ 1 + Re h22 ⎠⎥⎦

Tako su konačno parametri dati sa:

2.37.
 Elektronika I

⎛ h − Re h22 ⎞
h11ekv = h11 + Re (1 − h12 ) ⎜⎜1 − 21 ⎟
⎝ 1 + Re h22 ⎟⎠
⎛ h22 ⎞
h12ekv = h12 + Re (1 − h12 ) ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ 1 + Re h22 ⎠

IZVOĐENJE
Koristeći difuzione jednačine izvesti izraze za struje emitera i
kolektora.
Rješenje:
Ako se u trodimenzionalnoj difuzionoj jednačini:
∂ p − p + pn
= + Dp ∇2 p
∂t τp
∂ n −n + n p
= + Dn ∇ 2 n
∂t τn
gdje su Dp i Dn difuzione konstante, a τp i τn srednje vrijeme života
šupljina odnosno elektrona, uzme u obzir jednodimenzionalna
zavisnost promjene koncentracije nosilaca elektriciteta slijedi:
d2 p p − pn dp
Dp − =
dx 2 τp dt
d 2n n − np dn
Dn − =
dx 2 τn dt
U statičkom stanju je dp/dt =0 pa se u području baze dobija:
d 2 p p − pnb
− = 0,
dx 2 Dp τ p
− x / L pb
p − pnb = Ae + Be x / Lpb .

2.38.
 2. Bipolarni tranzistori

Konstatnte A i B se određuju prema početnim uslovima:

x = xE , p = pnb eqVE / kT
x = xC , p = pnb e − qVC / kT
što daje:
(
pnb e qVE / kT − 1 = Ae ) − xE / L pb
+ Be
xE / L pb

pnb (e − qVC / kT
)
− 1 = Ae
− xC / L pb
+ Be
xC / L pb

Širina područja baze w=W može se izraziti kao xC = xE + W pa su:

A=
(
pnb e qVC / kT − 1 e ) W / L pb
(
− pnb e− qVC / kT − 1 ),
−( xE −W ) / L pb −( xE +W ) / L pb
e −e

B=
(
pnb e qVE / kT − 1 e ) −W / L pb
(
− pnb e− qVC / kT − 1 ).
( x −W ) / L ( x +W ) / L
e E pb
−e E pb

Uvodeći hiperbolne funkcije i uvrštavajući date konstante proizlazi:

pnb ( e− qVC / kT
− 1 ) sinh ⎡⎣( x − xE ) / L pb ⎤⎦
p − pnb = −
sinh(W / L pb )
pnb ( eqVE / kT − 1 ) sinh ⎡⎣( x − xE − W ) / L pb ⎤⎦
−
sinh(W / L pb )
Izvod dp/dx iznosi:
⎧ − qVC / kT
dp 1 ⎪ pnb ( e − 1 )cosh ⎡⎣( x − xE ) / L pb ⎤⎦
= ⎨ −
dx L pb ⎪⎩ sinh(W / L pb )

pnb ( eqVE / kT
− 1 )cosh ⎡⎣( x − xE − W ) / L pb ⎤⎦ ⎫⎪
− ⎬
sinh(W / L pb ) ⎪⎭
pa je difuziona struja na mjestu x = xE određena sa:

2.39.
 Elektronika I

dp
J pE = −qD p ,
dx x = xE

qD pb pnb ⎡ − qV / kT W W ⎤
J pE = ⎢ −( e C − 1 )csc h + ( eqVE / kT − 1 )coth ⎥.
L pb ⎣⎢ L pb L pb ⎦⎥

Analogno za kolektorsku struju, pri x = xC i uz xC - xE = W je:

qD pb pnb ⎡ − qV / kT W W ⎤
J pC = ⎢ −( e C − 1 )coth + ( e qVE / kT − 1 )csc h ⎥
L pb ⎣⎢ L pb L pb ⎦⎥

Elektronske komponente struje na emiterskom i kolektorskom p-n

spoju su:

( )
qDne n pe qV / kT
J nE = e E −1 ,
Lne

(e )
qDne n pc − qVC / kT
J nC = − −1 .
Lnc
Tako su, konačno, ukupne struje emitera i kolektora date sa:
⎛ qDne n pe qD pb pnb W ⎞ qVE / kT
JE = ⎜ + coth ⎟(e −1) −
⎜ Lne L pb L pb ⎟⎠
⎝
qD pb pnb W
− csc h ( e − qVC / kT − 1 ) ,
L pb L pb

qD pb pnb W
JC = csc h ( e qVE / kT − 1 ) −
L pb L pb
⎛ qDnc n pc qD pb pnb W ⎞ − qVC / kT
−⎜ + coth ⎟(e − 1 ).
⎜ Lnc L pb L pb ⎟⎠
⎝

2.40.
 2. Bipolarni tranzistori

Primjer 2.1.
Odrediti h parametre grafičkim putem kod tranzistora u spoju sa
zajedničkim emiterom čije su statičke karakteristike poznate.
Rje{enje:
Za određivanje vrijednosti parametra H11 sa familije ulaznih
statičkih karakteristika direktno se očitaju vrijednosti: ∆ Vbe= −
'
40mV za priraštaj ∆ Ib= − 40 µA pri naponu Vke = VkeQ = −5V .
Parametar H12 se dobija tako što se kroz radnu tačku A=Q
povuče horizontalna linija Ib = Ib' = 60 µA i pomoću njenog
presjeka sa ulaznom statičkom karakteristikom, koja odgovara
naponu Vke= −10V, pročita priraštaj ∆Vbe
' = −10 mV . Tako

proizlazi :
− 10 mV
H12 = = 2 ⋅ 10 −3 .
− 5V A
Vrijednost H12 je pozitivna i teži nuli ako se ulazne statičke
karakteristike međusobno primiču. Ako se familija ulaznih statičkih
karakteristika može prikazati jednom krivom linijom, tada je H12=0
pa se time može zanemariti uticaj izlaza tranzistora na njegov ulaz.
VCE =0 5V 10V Napon Vke ' Q je određen
položajem radne tačke A= Q u
∆Vke
Ib , [µA]

100 kojoj se računaju parametri

tranzistora. Tako je vrijednost
80
A parametra H11 :
60 ∆Ib
40
I'b ∆V'be − 40 mV
20 H11 = = 1kΩ .
∆Vbe − 40 µA A
0
100 V'be 250
VBE=Vbe , [mV]

Parametri izlaznog kola h21e = h21 = H21 i h22 e = h22 = H22

određuju se na osnovu familije izlaznih statičkih karakteristika

2.41.
 Elektronika I

tranzistora. Parametar H21 se određuje tako što se kroz radnu tačku

na familiji izlaznih statiških karakteristika povuče vertikalna prava
'
Vke = Vke = −5V .
5
Ib=80µA
4

Ik , [mA]
∆I' 60µA
A k
3
∆Vke ∆Ik
40µA
2
I'k 20µA
1
Ib=0
0
4 V'ke 8 12 16 20
VCE=Vke , [V]
Presjek ove prave sa statičkom karakteristikom, kod koje je
Ib = 80 µA = const , daje priraštaj struje kolektora ∆ I 'k = −1 mA .
Ova vrijednost priraštaja ∆ I 'k dobija se kod priraštaja
∆ I b = −80 − ( −60 ) = −20 µA . Parametar H21 u radnoj tački
− 1 mA
tranzistora : H21 = = 50 . Vrijednost parametra H22 se
− 20 µA A
dobija direktnim očitavanjem vrijednosti kateta pravougaonog
trougla ucrtanog na familiji izlaznih statičkih karakteristika uz
krivu kod koje je Ib = Ib' = 60 µA . Sa slike se dobijaju približne
vrijednosti ∆Vke = −5 V i ∆ I k = −0 ,1 mA , što daje :
−0 ,1 mA
H22 = = 20 µS .
−5 V A

Tranzistor PNP tipa ima koeficijent prenosa komponente šupljinske

komponente struje emitera u kolektor 0,99, difuzionu konstantu Dp
= 40 cm2/s te graničnu frekvenciju faktora strujnog pojačanja 10

2.42.
 2. Bipolarni tranzistori

MHz. Koliko iznosi srednje vrijeme života nosilaca elektriciteta u

bazi tranzistora?

p n p

Ie Ve Ib Vk Rk Ik

→
Db
Granična učestanost je data sa: ωα = 2, 43 .
w2
Rješenje

Koeficijent prenosa promjenljive komponente šupljinske struje

emitera u kolektor iznosi: ν = icp iep . Promjenljiva komponenta
struje emitera uslijed šupljina data je relacijom :
dp
iep = − SqD pb ,
dx x =0
gdje je S aktivna površina emitora odnosno kolektora. Promjenljiva
komponenta struje kolektora ima vrijednost :
dp
icp = − SqD pb .
dx x=w

Koeficijent prenosa komponente šupljinske struje emitora je:

dpm
dx x = w 1
ν1 = = .
dpm w
ch
dx x =0 L pω
Razvojem u Maklorenov red dobija se:
w 2 2
ν1 = sec h = w w
≈ 2
Lb − w 1 ⎛ w ⎞
e LB + e Lb 1 + + ⎜ ⎟
Lb 2 ! ⎝ Lb ⎠

2.43.
 Elektronika I

w w
Odavde je: Lb = = = 7 ,07 ⋅ w .
*
2(1 − β ) 2 ( 1 − 0 ,99 )

Db , D
Uz: ωα = 2 , 43 2
tj. frekvencija: f α = 0 ,386 b2 , proizlazi:
w w
Db
w = 0 ,386 = 1, 24 ⋅ 10−3 cm .
fα
Difuziona dužina je:
Lb = L p = 7 , 07 ⋅ w = 7 , 07 ⋅1, 24 ⋅10−3 = 8, 77 ⋅10−3 cm
Provjera gornje aproksimacije razvijanjem u red:
2 2
1⎛ w⎞ 1⎛ w ⎞ 1 1
⎜⎟ = ⎜ ⎟ = = 0 ,01 << 1 .
2 ⎜⎝ L p
⎟
⎠ 2 ⎝ 7 , 07 w ⎠ 2 49 , 98
Srednje vrijeme života sporednih nosilaca elektriciteta iznosi:
Lp2
τp = = 1,92 ⋅ 10−6 s .
Dp

2.44.