1
.
Bipolarni tranzistori
T
ranzistori (
TRANsfer reSISTOR
-otpornost prenosa) poja
č
avajuelektri
č
nu snagu. Po principu rada dijele se na dvije osnovne grupe:
bipolarne
i
unipolarne tranzistore
.
Bipolarni
tranzistor
je komponenta sa tri elektrode emiter, baza ikolektor i sa dva
p-n
spoja: emiterski i kolektorski
p-n
spoj. Emiterski
p-n
spoj nalazi se na granici izme
đ
u emitera i baze, dok baza i kolektor formiraju kolektorski
p-n
spoj. Srednji sloj se naziva baza jer se u tom podru
č
ju dešavaju bitni procesi za rad tranzistora. Termin
bipolarni
trebada naglasi ulogu oba tipa nosilaca elektriciteta (elektrona i šupljina) uradu ove grupe tranzistora. Bipolarni tranzistor može biti
p-n-p
ili
n-p-n
, pri
č
emu radni naponi ova dva tranzistora imaju suprotne polaritete.Zavisno od toga koja je elektroda zajedni
č
ka tranzistor se može na
ć
i uspoju sa zajedni
č
kom bazom, zajedni
č
kim emiterom i zajedni
č
kimkolektorom. Mogu
ć
e su
č
etiri oblasti rada tranzistora.
1.1. oblasti rada tranzistora
D
irektna aktivna oblast
kod
NPN
tranzistora odre
đ
ena je sa:, što zna
č
i da je emiterski spoj polarizovan direktno akolektorski inverzno polarizovan. Faktor strujnog poja
č
anja tranzistora uspoju sa zajedni
č
kom bazom je0i0
BECB
VV
> <α
, odnosno
F
α
, dok je
β
=
β
F
faktor strujnog poja
č
anja tranzistora u spoju sa zajedni
č
kim emiterom. Sufiks F poti
č
e od rije
č
i
forward
(naprijed).
Inverzno aktivna oblast
nastupa pri:
.
00
BECB
V,V
< <
Emiterskispoj je polarizovan inverzno a kolektorski direktno, te su uloge emitera ikolektora zamijenjene. Strujna poja
č
anja su izrazito manja zbog
2.1
Elektronika I
konstrukciono smanjenog transportnog faktora i efikasnosti emitera.Strujna poja
č
anja se obilježavaju sa: i
RR
α β
(
reverse
= inverzna oblast).
Oblast zasi
ć
enja
(
saturated
) nastupa pri:00
BECB
V,V
< >
, kada suoba spoja polarizovana direktno. Strujna poja
č
anja su:
SS
,
α β
Oblast zako
č
enja
nastupa pri: 00
BECB
V,V
< <
. Tada su oba spojainverzno polarizovana tako da su struje veoma malene.Za rad u poja
č
ava
č
kom režimu emiterski spoj polarizuje se direktnoa kolektorski inverzno. Na slici 1.1 je predstavljen NPN tranzistor u spojusa zajedni
č
kom bazom. Izme
đ
u emitera i baze se spaja izvor ems
č
iji jeminus pol na emiteru a plus sa bazi. Za inverznu polarizaciju kolektorsko- baznog
p-n
spoja pozitivan pol ems je na kolektoru a negativan na bazi.
n
+
n p
+
w
E E
I
e
I
c
I
b
C C
→ →
→
BB
Sl.1.1.
Za pojednostavljeni model tranzistora struje su date na slijede
ć
ina
č
in:
Elektronska komponenta struje emitora
izra
č
unava kao kodusamljenog
p-n
spoja jer se može aproksimativno uzeti da kolektorskinapon nema uticaja:exp1
neeoeenne
DnqV ISq LkT
⎡ ⎤⎛ ⎞= −⎢ ⎥⎜ ⎟⎝ ⎠⎣ ⎦
.
Struja kolektora
za jednosmjerni radni režim je dio struje emitera:
CECS
III
= α +
,gdje je
I
CS
= I
cbo
inverzna struja zasi
ć
enja kolektorsko-baznog
p-n
spoja.Kako je struja emitera jednka zbiru struje kolektora i baze tada je:
( )
CECSCBCS
IIIIII
= α + = α + +
.
2.2.
2. Bipolarni tranzistori
Struja kolektora u funkciji struje baze je data sa:111
CBcbo
III
α= +−α −α
( )
1
CBcbo
III
β β
= + +
,odnosno zanemaruju
ć
i inverznu struju:
CB
II
β
=
,
βαα=−
1
.Veli
č
ina
β
predstavlja faktor (koeficijent) poja
č
anja strujetranzistora u spoju sa zajedni
č
kim emitorom. S obzirom da je faktor (koeficijenat) poja
č
anja
α
blizak jedinici, vrijednost
β
obi
č
no se nalazi ugranicama od nekoliko desetaka do nekoliko stotina.
Struja baze
se dobija kao razlika struja emitora i kolektora :
BEC
III
= −
,
( )
1
BEcbo
III
= −α −
.Pojednostavljeni model tranzistora prema datim relacijama je na sl. 2.2.
E BC
I
C
I
CE0
I
B
C B
I I
β =
Sl.2.2. Model tranzistora.
Raspodjela energetskih nivoa kod poja
č
ava
č
kog režima rada tranzistoradata je na sl. 2.3.
E
Fk
E
Fe
E
Fb
qV
e
qV
k
EBC
Sl.2.3. Raspodjela energetskih nivoa PNP tranzistora za poja
č
ava
č
ki režim rada.
2.3
.
Search History:
Result 00 of 00
00 results for result for
p.
Recommended
More From This User
Notes
Load more
