MAKALAH

MOSFET
Diajukan untuk Memenuhi Salah Satu
Tugas Matakuliah Elektronika Daya
Disusun Oleh :
IRFAN TOHARI 107002008
JURUSAN TEKNIK ELEKTRO
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SILIAN!I
201"
MOSFET
Struktur dan operasi fisik dari MOSFET jenis enhancement
Gambar 1. Struktrur fisik transistor MOS jenis
Gambar 1. Struktrur fisik transistor NMOS jenis enhancement
1
!
"ara kerja tanpa te#an#an #ate
Tanpa te#an#an #ate akan ada ! dioda $an# diserikan secara back%to%back
antara source dan drain. &edua dioda ini akan mence#ah adan$a arus dari drain
ke source jika v
DS
dipasan#. 'esistansi pada ja(ur antara drain dan source
san#at tin##i )pada orde 1*
1!
+,.
Membuat kana( untuk a(iran arus.
Gambar !. Transistor MOS jenis enhancement den#an te#an#an positif pada #ate
-
.emasan#an te#an#an v
DS
$an# keci(.
Gambar -. Transistor MOS den#an v
GS
> V
t
den#an te#an#an v
DS
terpasan#
&onduktansi kana( sebandin# den#an v
GS
v
t
/rus i
0
sebandin# den#an v
GS
v
t
.
Gambar 1. &arakteristik i
0
2 3
0S
dari MOSFET
MOSFET bekerja seperti resistansi (inier $an# dikenda(ikan o(eh
v
GS.
4ntuk v
GS
V
t
, resistansin$a tidak terhin##a5 dan
har#an$a menurun jika v
GS
me(ebihi V
t
.
6adi5 a#ar MOSFET terkonduksi harus ada kana( induksi.
0en#an bertambahn$a v
GS
me(ebihi V
t
menin#katkan kemampuan kana(5 o(eh
karena itu MOSFET jenis ini disebut MOSFET enchancement%t$pe.
/rus $an# menin##a(kan source )i
s
, sama den#an arus
$an# memasuki drain )i
D
,5 jadi arus #ate i
G
7 *
1
8
Operasi bi(a v
DS
dinaikkan.
Gambar 8. "ara kerja transistor MOS jenis enhancement den#an
menin#katn$a v
DS
9
Gambar 9. :ubun#an i
D
den#an v
DS
pada transistor MOS jenis enhancement $an#
beroperasi den#an v
GS
> V
t
v
DSsat
= v
GS
- V
t
;
Gambar ;. &enaikan 3
0S
pen$ebabkan kana( men$empit
.erhatikan #ambar dan sebuah strip pada #ate $an# berjarak x dari source.
&apasitansi strip ini< C
ox
Wdx. 4ntuk mendapatkan muatan pada strip ini5 ka(ikan
kapasitansin$a den#an te#an#an efektif antara #ate dan kana( pada titik x $aitu<
[v
GS
v(x) V
t
]; v(x) ada(ah te#an#an pada kana( di titik =.
dq = - C
ox
(W dx)[v
\GS
v(x) V
t
]
Te#an#an v
DS
men#hasi(kan medan (istrik sepanjan# kana(. Medan (istrik
pada titik = <
dv( x)
E( x)
dx
Medan (istrik E(x) men$ebabkan muatan e(ektron d> ber#erak ke arah drain den#an
kecepatan<
:ubun#an i
D
- v
DS
Gambar ?. .enurunan karakterisitk i
D
v
DS
pada transistor MOS
C
ox

ox
t
ox
@
1*
_
_
L
Aa(aupun die3a(uasi pada titik tertentu5 arus i harus konstan pada semua titik
di sepanjan# kana(. i harus sama den#an arus dari source ke drain dan
ber(aBan arah den#an arus dari drain ke source (i
D
)
i i C W [v
v( x) V
]

dv( x)
D n ox GS
t
dx
i
D
dx

n
C
o x
W [v
GS
v( x) V
t
]dv( x)
L
v
DS

i
D
dx

n
C
o x
W [v
GS
v( x) V
t
]dv( x)
0 0
i

(
C
)

W
[(
v

V )v

1
v
2
]
D n ox GS
,
t DS 2 DS
:ar#a arus pada ujun# daerah trioda atau permu(aan daerah jenuh dapat
dipero(eh den#an men##antikan v
DS
=v
GS
V
t
i

1
(
C
)

W

(
v

V
)
2
D
2
n ox

L
,
GS t

C
ox
disebut parameter transkonduktansi proses.
0itu(iskan seba#ai !

" dan mempun$ai dimensi /CD

!
!

" 7

C
ox
i

k
'
W
[(
v
V )v

1
v
2
]
(daerah t rioda)
D
i

1
n
L
GS
k
'
W
(
v
t DS

V
)
2
2
DS
(daerah jenuh)
D
2
n
L
GS t
6adi arus drain sebandin# den#an perbandin#an (ebar kana( dan panjan# kana(5
$an# disebut as#$%t &atio dari MOSFET
MOSFET kana(%p
MOSFET kana(%# jenis $%'a%$($t ).MOS,5 dibuat pada substrate jenis
den#an daerah #
)
pada drain dan source. "ara kerjan$a sama den#an MOS
han$a saja v
GS
, v
DS
dan V
t
ne#atif.
"omp(ementar$ MOS atau "MOS
Gambar @. 'an#kaian terinte#rasi "MOS
.ada tekno(o#i "MOS5 transistor MOS diimp(ementasiikan (an#sun# pada substrate
jenis #5 sedan#kan transistor .MOS dibuat pada -*$++. &edua di3ais diiso(asi satu
den#an (ainn$a den#an oksida $an# teba( seba#ai insu(ator.
&arakteristik arus dan te#an#an.
Eamban# ran#kaian
Gambar 1*. Eamban# MOSFET kana( n jenis enhancement
.ada FET kana( < drain se(a(u positif dibandin#kan den#an source
Gambar 11)a, MOSFET kana( n jenis enhancement
Gambar 11)b, &arakteristik i
0
2 3
0S
untuk di3ais den#an k
n

)ACE, 7
1.*m/C3
!
&ur3a karakteristik menunjukkan - daerah kerja<
1. daerah cutoff
!. daerah trioda
-. daerah jenuh.
0aerah jenuh dipakai bi(a FET bekerja seba#ai pen#uat.
0aerah cutoff dan trioda di#unakan bi(a FET bekerja seba#ai sak(ar.
FET pada daerah cutoff jika< v
GS
, V
t
.ada daerah trioda<
v
GS
- V
t
)induced channe(,
v
GD
> V
t
)continuous channe(,
v
GD
= v
GS
v
DS
v
GS
v
DS
> V
t
v
DS
, v
GD
V
t
)continuous channe(,
6adi MOSFET kana( jenis .$%'a%$($t" berkerja di daerah trioda jika
v
GS
(ebih besar dari V
t
dan te#an#an pada drain (ebih rendah dari te#an#an
#ate minima( sebesar V
t
3o(t
k
GS
v
k
'

]
'
W
W
i
D

n
L
'
[(v
V
t
)
v
DS
1
2
2
DS
k
n

n
C
ox
6ika v
DS
cukup keci(5 v
DS
/
dapat diabaikan.
W
i
D

n
L
(
v
GS
V
t
)v
DS
&
DS
ada(ah resistansi (inier $an# dikenda(ikan o(eh v
GS
.
6ika v
GS
= V
GS
5 maka
v
DS
1
F 1
&
DS

i
D

(V
GS
0
V
t
)
1
]
)untuk v
DS
keci( dan v
GS
V
GS
,
V
1V V
GS
V
t


W
_
1
& 1 !
F
DS

0
V
1V
1
,
]
V
1V
< #ate%to%source o3erdri3e 3o((ta#e
MOSFET bekerja di daerah jenuh jika<
v
GS
- V
t
)induced channe(,
v
GD
V
t
)pinched%off channe(,
v
DS
- v
GS
V
t
)pinched%off channe(,
6adi MOSFET kana( 2n jenis $'a%$($t bekerja pada daerah jenuh jika
v
GS
(ebih besar dari V
t
dan te#an#an drain tidak (ebih keci( dari te#an#an
#ate me(ebihi V
t
3o(t
Gatas antara daerah trioda dan daerah jenuh<
v
DS
= v
GS
V
t
/rus i
D
pada keadaan jenuh
i

1
k
'
W
(
v

V
)
2
D
2
n
L
GS t
.ada keadaan jenuh<
arus i
D
tidak ter#antun# dari te#an#an drain5 v
DS
arus i
D
ditentukan o(eh
te#an#an #ate5 v
GS
MOSFET menjadi sebuah sumber arus idea( $an#
har#an$a dikenda(ikan o(eh v
GS
"atatan< ini ada(ah mode( ran#kaian eki3a(en sin$a( besar
.ada batas antara daerah trioda dan daerah jenuh<
i

1 k
'
W
2
D
2
n
v
DS
L
Gambar 1!. karakteristik i
0
% 3
GS
transistor MOS jenis enhancement pada
keadaan jenuh )D
t
7 1 D dan k
n
)ACE, 7 15* m/C3
!
Gambar 1-. 'an#kaian eki3a(en mode( sin$a( besar dari
MOS pada daerah jenuh
Gambar 11. Ee3e( re(atif te#an#an termina( transistor MOS $an# beroperasi pada
daerah trioda dan daerah jenuh.
'esistansi ke(uaran pada keadaan jenuh
Gambar 18. &enaikan 3
0S
me(ebihi 3
0Ssat
$an#
men$ebabkan titik pinch%off sedikit menjauh dari drain
v
DS
naik me(ebihi v
DSsat
5 titik pinched%off dari kana( ber#eser menjauhi drain menuju
source5 sehin##a ada daerah dep(etion antara drain dan ujun# kana(. /kibatn$a
panjan# kana( akan berkuran#.
&eadaan ini disebut channe(%(en#th modu(ation
&arena i
D
berbandin# terba(ik den#an panjan# kana(5 maka i
D
naik den#an
naikn$a v
DS
.
4ntuk men#hitun# keter#antun#an i
0
pada 3
0S
pada
keadaan jenuh5 #anti E den#an )E 2 HE,
!1
!!
k
L
2
i
D

1
'
W
2 n
L L
1 ' W
(v
GS
1
V
t
)
2

2
k
n
( )

(v
GS
V
t
)
L 1 L L
_

1
k
'
W

1
+

(v

V )
2
2 n
L

L
,
GS t
0iasumsikan )HECE, II 1
6ika HE sebandin# den#an 3
0S
<
HE 7 J3
0S
J parameter tekno(o#i proses den#an dimensi KmCD
1 ' W ' _ 2
i
D

2
k
n
'
L

1 +
L

v
DS
L

(v
GS
,
V
t
)
1 ' W 2
i
D

2
k
n
(v
GS
L
V
t
) (1 + v
DS
)
Gambar 18. Efek v
DS
pada i
D
pada daerah jenuh
Ektrapo(asi #aris (urus pada kur3a karakteristik i
D
v
DS
akan memoton# sumbu v
DS
pada titik v
DS
= - 234 5 -V
6
.
3
/
7 1CJ
4ntuk suatu proses tertentu5 D
/
sebandin# den#an panjan# kana( E.
D
/
7 D
/
E
D
/
7 8 2 8* DCKm
"atatan< di3ais den#an kana( $an# (ebih pendek (ebih
terpen#aruh den#an efek channe(%(en#th modu(ation.
Gambar 1;. Mode( ran#kaian sin$a( besar dari MOSFET kana( %n pada
keadaan jenuh den#an adan$a resistansi &
o
]
1
o
"hanne(%(en#th modu(ation men$ebabkan adan$a
resistansi ke(uaran )tidak L,5 &
o

r
o

1
i
D
1
1

v
DS
'
GSk o n stan
1

k
n W

2
1
r
o

2
(V
GS
L
V
t
)
1
]
r
o
[I
D
]
r
V
A
I
D
0imana 7
D
ada(ah arus drain tanpa memperhitun#kan
channe(%(en#th modu(ation
'esistansi ke(uaran berbandin# terba(ik den#an arus bias
dc5 7
D
&arakteristik MOSFET kana( #
Gambar 1?. MOSFET kana( p jenis enhancement
k
t DS
4ntuk men#induksi sebuah kana( harus dipasan# te#an#an pada #ate
(ebih keci( dari V
t
.
v
GS
V
t
)induced channe(,
v
SG
- 8V
t
8
4ntuk bekerja di daerah trioda<
v
DS
- v
GS
V
t
)continuous channe(,
i

k
'
W
[(v

V )v

1
v
2
]
D p
L
GS
'
t DS 2 DS
k
p

p
C
ox
v
GS
, V
t
dan v
DS
ne#atif

#
= 9,/: 9,:

4ntuk bekerja di daerah jenuh<

v
DS
v
GS
V
t
)pinched%off channe(,
i
D

1
'
W
2
p
L
(
v
GS
V )
2
(1 + v )
v
GS
, V
t
5 J dan v
DS
ne#atif
/#ar transistor ;<1S bekerja5 te#an#an #ate harus dibuat (ebih rendah dari
te#an#an source sedikitn$a sebesar 8V
t
8. 4ntuk bekerja di daerah trioda5
te#an#an drain harus (ebih besar dari te#an#an #ate minima(
sebesar 8V
t
8, jika tidak5 ;<1S bekerja di daerah jenuh.
Gambar 1@. Ee3e( re(atif te#an#an termina( transistor .MOS $an# beroperasi pada
daerah trioda dan daerah jenuh.
.eranan substrate 2 the bod$ effect
0a(am ban$ak pemakaian<
2 substrate dihubun#kan den#an source
2 pn junction antara substrate dan #ate se(a(u off.
.ada keadaan ini substrate tidak berperan da(am kerja ran#kaian.
.ada M"5 ban$ak MOS men##unakan substrate $an# sama. /#ar junction
antara substrate dan #ate se(a(u
off<
2 Substrate dihubun#kan ke te#an#an $an# pa(in# ne#atif untuk ran#kaian
=<1S
2 Substrate dihubun#kan ke te#an#an $an# pa(in# positif untuk ran#kaian
;<1S
/kibatn$a te#an#an re3erse%bias antara source dan bod$ )V
S>
pada di3ais
kana( n, akan mempen#aruhi kerja di3ais.
'e3erse bias ini akan<
2 Memper(ebar daerah dep(etion
2 Men#uran#i keda(aman kana(
/#ar keda(aman kana( tetap sama5 v
GS
harus dinaikkan.
Efek dari V
S>
pada kana( din$atakan den#an perubahan V
t
V
t
V
t 0
+ ( 2
f
+ V
SB
2
f
)
V
t9
7 te#an#an amban# untuk V
S>
7 *
?
@
7 parameter fisikN biasan$a /?
@
7 *59 D
A7 parameter proses pembuatan

2qN
A

S
C
OX
q7 159 = 1*
%1@
"
=
6
7 konsentrasi dopin#
B
S
7 permiti3itas si(ikon 7 115; B
9
7 115; = ?5?81 = 1*
%1!
.en#aruh suhu
2 V
t
dan !" sensitif terhadap suhu
2 V
t
turun ! mDCO"
2 i
D
berkuran# den#an naikn$a suhu
GreakdoBn dan proteksi input
GreakdoBn terjadi jika te#an#an drain naik mencapai har#a dimana pn junction
antara drain dan substrate men#a(ami breakdoBn a3a(anche.
/kibatn$a akan ada penin#katan arus.
&eadaan ini terjadi pada te#an#an !* 2 18* D.
.unch%throu#h ada(ah efek (ain dari breakdoBn.
Terjadi pada te#an#an $an# (ebih rendah )!*D,.
Terjadi pada di3ais $an# mempun$ai kana( pendek $aitu pada saat te#an#an
drain naik ke suatu titik di mana daerah dep(etion sekitar drain me(eBati
kana( dan mencapai source.
/rus drain akan naik den#an cepat.
.unch%throu#h tidak men$ebabkan kerusakan $an# permanen.
GreakdoBn oksida #ate terjadi bi(a te#an#an me(ebihi -*D.
GreakdoBn ini men$ebabkan kerusakan permanen pada di3ais
.en$ebabn$a adan$a akumu(asi muatan statik pada kapasitor #ate $an#
dapat me(ebihi te#an#an breakdoBn%n$a.
4ntuk mence#ah akumu(asi muatan statik pada kapasitor #ate5 dipasan# a(at
proteksi pada termina( masukan dari M" MOS $an# terdiri dari ran#kaian dioda
penjepit )c(ampin# diodes,
Summar$
Transistor MOS< Simbo(
Te#an#an o3erdri3e< v
1V
= v
GS
V
t
v
GS
=V
t
) v
1V
Gekerja di daerah trioda<
&ondisi<
v
GS
- V
t
C v
1V
- 9
v
GD
- V
t
C V
DS
v
GS
V
t
C v
DS
v
1V
C
t DS

W
W
karakteristik i v
i C
W
[(
v
V )v

1
v
2
] D n OX
L
GS
t
DS
2 DS
4ntuk v
DS
,, /(v
GS
V
t
) C v
GS
,, / v
1V
r
DS

v
DS
1
i
D

n
C
OX (v
GS
L

V
)
1
t
1
]
Gekerja di daerah jenuh<
&ondisi<
v
GS
- V
t
C v
1V
- 9
v
GD
V
t
C v
DS
- v
GS
V
t
C v
DS
- v
1V
&arakteristik i v
i
D
1
2 n
OX
(v
GS
L
V )
2
(1 + v )
L I

1
W
2
Mode( ran#kaian eki3a(en sin$a( besar
r

C
W
(
V
1

V
)
2 1

V
A
o

n OX GS t
1
]
D
dimana
I
D

2
n
C
OX
(V
GS
L
V
t
)
Te#an#an amban#<
V
t
V
t 0
+ (
2
f
+ V
SB

2
f
)
k
V
n
A A
.arameter proses<
C
OX

OX
t
OX
(F/m
2
)
'

n
C
OX
(A V)
'
(V L) (V m)
(1 V
A
) (V

1
)
2qN
A

S
C
OX
(V
1
2
)
&onstanta<
B
9
7 ?5?81 = 1*
%1!
FCm
B
1D
7 -5@ P
*
7 -518 = 1*
%11
FCm
B
S
7 115; P
*
7 15*1 = 1*
%1*
FCm
q 7 159*! = 1*
%1@
"
Transistor .MOS
Simbo(<
Te#an#an o3erdri3e< v
1V
= v
GS

V
t
v
SG
=8V
t
8 ) 8v
1V
8
Gekerja di daerah trioda<
&ondisi<
v
GS
V
t
C v
1V
9 C v
SC
- 8V
t
8
v
GD
- 8V
t
8 C V
DS
- v
GS
V
t
C v
SD
8v
1V
8

(V )
(V
o
1
V
I

1
2
Gekerja di daerah jenuh<
&ondisi<
v
GS
V
t
C v
1V
9 C v
SG
- 8V
t
8
v
DG
8V
t
8 C v
DS
- v
GS
V
t
C v
DS
- 8v
1V
8
&arakteristik i v
Mempun$ai hubun#an $an# sama seperti pada transistor MOS
kecua(i<

, !

" dan =
6
di#anti den#an
#
, !
#
" dan =
D
V
t
, V
t9
, V
6
, 4 dan A berni(ai ne#atif
Mode( ran#kaian eki3a(en sin$a( besar
r

2 p
C
OX
W
L
SG
1
2
1
A
V
t
1

]
D
I
D

2
p
C
OX
W
L
SG
V
t
)
!
F
"ontoh soa(<
Sebuah MOSFET mempun$ai 0
(i
7 *51Qm5 t
1D
7 ? nm5 E

7 18* cm
!
CDs
dan V
t
7 *5; D.
a. "ari(ah C
1D
dan !"

.
b. 4ntuk MOSFET den#an W30 7 ? QmC*5?Qm5
hitun#(ah har#a V
GS
dan V
DS(i
$an# diper(ukan a#ar transistor bekerja di
daerah jenuh den#an arus dc 7
D
7 1** Q/
c. 4ntuk MOSFET pada )b,5 cari(ah har#a V
GS
$an# diper(ukan a#ar
MOSFET bekerja seba#ai resistor
1*** + untuk v
DS
$an# san#at keci(
6aBab<
a.
C
1D

1D

t
1D
-518 1*

11
? 1*

@
15-! 1*

-
FCm
!
15-! fFC m
!

C
1D
18* )cm
!
C D.s , 15-! )fFC m
!
,
1@1 1*
%9
)FCD.s ,
1@1 /CD
!
!
!
F

4ntuk bekerja di daerah jenuh<

7

1
!
F
W
(
v

V
)
!
D
!

0
GS t
1**
1
1@1
?
*5?
(V
GS
*5;)
!
V
GS
V
GS
*5; *5-! D
15*! D
V
DS min
V
GS
V
t
*5-! D
4ntuk MOSFET di daerah trioda den#an v
DS
san#at keci(<
W
i
D

0
(v
GS V
t
)v
DS
&
DS

v
DS
i
D

v
DS
! $% i+
W
1

!
F
(
V

V
)
1

0
1***
GS t
]
1
1@1 1*

9
1*(V
GS
*5;)
V
GS
*5; *58! D
V
GS 15!! D
1*
11
'an#kaian MOSFET pada 0"
"ontoh soa(
'ancan#(ah ran#kaian seperti pada #ambar di
sampin# ini sehin##a transistor bekerja pada 7
D
7 *51
m/ dan V
D
7 R*58 D. Transistor MOS mempun$ai
V
t
7 *5; D5 E

C
1D
7 1** Q/CD
!
5 0 7 1Qm dan W 7 -!
Qm. /baikan pen#aruh channe(%(en#th modu(ation )4
7 *,
Gambar !*. "ontoh soa(
!
D
W
!
7
D
1!
6aBab<
V
D
7 *5 8 D S V
G
T MOS bekerja pada daerah jenuh.
7
1

C
1D (V
GS
0
V
t
)
V
GS
V
t
= V
1V
N 7
D
7 *51 m/ 7 1** Q/N
E

C
1D
7 1** Q/CD
!
dan W30 7 -!C1
1**

1**

-!
V
!
!
D
OD
7 *58D
1
1V
D
GS
7 D
t
R D
OD
7 *5; R *58 7 15! D
D
G
7 * T D
S
7 % 15! D
F

V
S
V
SS
S
D

15!

!58,
*51
-5!8 k
4ntuk mendapatkan V
D
7 R*58 D<
F

V
DD
V
D
7
D

!,8

*58
*51
8 k
'ancan# ran#kaian seperti #ambar !1 untuk mendapatkan arus 7
D
7 ?*
Q/. "ari har#a F dan te#an#an 0" V
D
.
Transistor MOS mempun$ai V
t
7 *59 D5 E

C
1D
7 !**
Q/CD
!
5 0 7 *5? Qm dan W 7 1Q. )asumsikan 47*,
Gambar !1. "ontoh soa(
V
C
W
!
C
6aBab<
V
DG
= 9 GV
D
= V
G
dan FET bekerja di daerah jenuh
7
D

1
!
1D
(V
GS
0
V
t
)
1
!
1D
V
W
!
0
1V
!7
D
1V

C
1D
(W 0)

?*
*51 D
!** (1 *5?)

V
GS
V
D
V
t
V
G
+ V
1V
1D
*59 + *51 1D
F

V
DD
V
D
7
D

1
*5*?*
!8 k
'ancan#(ah ran#kaian pada #ambar !! a#ar te#an#an drain 7 *51D.
Gerapakah resistansi antara drain dan source pada titik kerja ini U V
t
7 1 D dan
!

"(W30) 7 1 m/CD
!
.
Gambar !!. "ontoh soa(
!
D
D
6aBab<
V
D
= V
G
2 15@ D dan V
t
7 1 D T MOSFET bekerja di
daerah trioda. 6adi arus 7
D
<
7

!
F
W
[(
V
V )V

1
V
!
] D
0
GS
t DS !
DS
7 1 [(8 1) *51
1
*5*1]
*5-@8 m/
F

V
DD
V
D
7
D

8

*51
1!51 k
*5-@8
&
DS

V
DS
7
D

*51
*5-@8
!8-
/na(isa ran#kaian pada #amabr !-)a, untuk menentukan te#an#an di
semua node dan arus di semua caban#. 0iketahui V
t
7 1 D dan !

"(W30) 7 1
m/CD
!
. )asumsikan 4 7 *,
Gambar !-. 'an#kaian contoh soa(
Gambar !- )b, 'an#kaian den#an ana(isis terinci
6aBab<
&arena arus #ate 7 *5 te#an#an #ate<
V
G
V
DD
F
F
G !
F
G !
+
G1
1*
8 D
1*
1* + 1*
!
D
D
V
G
> 9 T transistor MOS bekerja.
/sumsikan transistor bekerja di daerah jenuh.
V
G
7 8 D
V
S
= 7
D
= F
S
7 7
D
)m/, = 9 k+ 7 9 7
D
V
GS
= V
G
V
S
7 8 2 97
D
7

1
!
F
W
(
V
V
)
!
D
!

0
GS t

1
1 (8 97 1)
!
1?7
!
!87
D
+ ? *
7
D1 *5?@ m /N 7
D !
*58 m/
7
D1 *5?@ m / V
S
9 *5?@ 85-1 D
V
S
> V
G
trans is torF offF
6adi <
7
D
*58 m/
V
S
*58 9 +- D
V
GS
V
D
8 - ! D
1* 9 *58 +; D
&arena V
D
> V
G
V
t
5 transistor bekerja di daerah jenuh
'ancan# ran#kaian seperti pada #ambar !1 sehin##a transistor bekerja di daerah jenuh
den#an 7
D
7 *58 m/ dan V
D
7 R- D. Transistor ;<1S jenis enchancement mempun$ai
V
t
7 %1 D dan !
#
"(W30) 7 1 m/CD
!
. /sumsikan 4
7 *. Gerapa har#a terbesar F
1
a#ar tetap bekerja di daerah jenuhU
Gambar !1 "ontoh soa(
D
6aBab<
MOSFET bekerja di daerah jenuh<
7

1
!
F
W
(
V

V )
!
D
!
#
0
GS t

1
!
F
W
V
!
!
#
0
1V
7
D
7 *58 m/ dan !
#
"W30 7 1 m/CD
!
maka<
V
1V
7 %1 D
)untuk ;<1S V
t
ne#atif,
V
GS
= V
t
) V
1V
7 % 1 2 1 7 % ! D D
S
7R8 D
T V
G
7 R- D
V
G
7 R- D dapat dipero(eh den#an memi(ih har#a F
G2
dan F
G/.
Sa(ah satu kemun#kinan F
G2
7 ! M+ dan F
G/
7 - M+
F
V
D
7
D

-
*58
9 k
Gekerja pada mode jenuh< V
D
harus (ebih besar dari V
G
seban$ak 8V
t
8
V
D(ax
7 - R 1 7 1 D
F
D
7 1C*58 7 ? k+
Gambar !8. 'an#kaian contoh soa(
Transistor =<1S dan ;<1S mempun$ai kesesuaian den#an !

"(W30) = !
#
"(W30)
7 1 m/CD
!
5 V
t
= -V
t#
7 1 D. /sumsikan 4 7 * untuk kedua transistor. "ari(ah arus
drain i
D=
dan i
D;
dan v
1
untuk v
7
7 * D5 R!58D dan %!58D
6aBab<
Gambar )b, menunjukkan bi(a v
7
7 *D. &edua transistor
(at%'$d dan bekerja pada 8V
GS
8 7 !58D T v
1
7 *D
6adi H
=
dan H
;
bekerja den#an 8V
GD
8 7 * D T bekerja
pada daerah jenuh.
7
D=
= 7
D;
7 V = 1 = )!58 2 1,
!
7 151!8 m/
Gambar )c, menunjukkan bi(a v
7
7 !58D. Transistor H
;
mempun$ai V
GS
7 *
D T cutoff T v
1
ne#atif T V
GD
S V
t
T bekerja pada daerah trioda.
7
D=
= !

" (W

30

)(V
GS
V
t
)V
DS
7 1W)!58 2 )%!58, 2 1XW3
O
2 )%!58,X
7
D=
)m/, 7 )* 2 3
O
,C1* )k+,
7
D=
7 *5!11 m/ N 3
O
7 %!511 D
V
DS
7 %!511 2 )%!58, 7 *5*9 D
Gambar )d, menunjukkan bi(a v
7
7 %!58 D. &asus ini keba(ikan dari kasus
#ambar )c,. Transistor H
=
akan
cutoff T 7
D=
7 *. H
;
bekerja pada daerah trioda
den#an 7
D;
7 !511 m/ dan v
1
7R!511 D
MOSFET seba#ai .en#uat dan Sak(ar
MOSFET seba#ai pen#uat<
2 Gekerja di daerah jenuh
2 Gerperan seba#ai sumber arus $an# dikenda(ikan o(eh te#an#an )D""S,.
.erubahan pada te#an#an v
GS
akan men#ubah arus drain i
D
.
MOSFET $an# bekerja di daerah jenuh dapat dipakai untuk membuat pen#uat
transkonduktansi )transconductance amp(ifier,.
Yan# diin#inkan pen#uat (inierN jadi harus ada
bias dc a#ar MOSFET bekerja pada V
GS
dan 7
D
tertentu5 kemudian
ditumpan#kan te#an#an v
Is
$an# akan diperkuat pada te#an#an dc V
GS
.
0en#an menja#a v
Is
keci( arus drain5 i
d
dapat dibuat sebandin# den#an v
Is
"ara kerja Sin$a( Gesar 2 &arakteristik Transfer
Gambar !9)a, Struktur dasar ran#kaian pen#uat common source
)b, Grafik $an# di#unakan untuk menentukan karakteristik transfer pen#uat pada
#ambar )a,
Gambar !9)c, &arakteristik transfer pen#uat pada titik
kerja Z
D DS
.enurunan karakteristik transfer secara #rafis.
.ada ran#kaian "S drain dihubun#kan ke catu da$a V
DD
me(a(ui F
D5
sehin##a dipero(eh hubun#an i
D
dan v
DS
seba#iai berikut<
v
DS
V
DD
F
D
i
D
i
V
DD
F
D

1
v
F
D
Secara kuantitatif5ran#kaian bekerja seba#ai berikut<
v
7
= v
GS
.
4ntuk v
7
, V
t
T transistor cutoff5 i
D
7 *5 v
1
= v
DS
7
V
DD.
Transistor bekerja pada titik /.
v
7
> V
t
T transistor on5 i
D
menin#kat5 v
1
menurun. &arena v
1
bermu(a
den#an har#a $an# tin##i5 transistor bekerja da(am keadaan jenuh. &eadaan
ini ditunjukkan o(eh #aris beban antara titik / dan G.
4ntuk titik Z tertentu5 V
7H
=V
GS
dan V
1H
= V
DSH
serta arus 7 7
DH
.
v
7
, V
t
G v
DS
= v
GS
V
t
T MOSFET memasuki daerah kerja trioda. .ada kur3a
ditunjukkan den#an titik G $an# memoton# #aris beban den#an kur3a #aris terputus
$an# mendefinisikan batas antara daerah jenuh dan
daerah trioda. Ttitk G didefinisikan seba#ai<
V
1>
= V
7>
V
t
4ntuk v
7
> V
7>
5 transistor makin masuk ke daerah trioda. .ada titik "5 v
7
= V
DD
,
v
1C
biasan$a keci( seka(i.
Titik%titik pada kur3a hubun#an i
D
v
DS
di #ambar
!9)b, men#hasi(kan kur3a transfer pada #ambar !9)c,
MOSFET Gekerja Seba#ai Sak(ar.
6ika MOSFET dipakai seba#ai sak(ar5 MOSFET bekerja pada titik%titik ekstrim dari
kur3a transfer.
MOSFET off bi(a v
7
, V
t
T bekerja pada titiik antara [
dan / den#an v
1
= V
DD
.
Sak(ar on den#an v
7
mendekati D
00
T bekerja
mendekati titik " den#an v
1
san#at keci(.
6adi "S MOS dapat di#unakan seba#ai in3erter (o#ik den#an (e3e( te#an#an
(oB mendekati o danhi#h mendekati V
DD
.
MOSFET Gekerja Seba#ai .en#uat Einier
MOSFET seba#ai pen#uat T bekerja di daerah jenuh.
MOSFET diberi bias dc pada titik di ten#ah%ten#ah kur3a. Titik ini disebut titik
kerja atau >uiescent point.
Sin$a( te#an#an $an# akan diperkuat5 ditumpan#kan pada te#an#an dc V
7H
.
)(ihat #ambar !9)c,,.
S$arat (inier<
v
i
harus dija#a tetap keci(
i
Faktor pen#uatan<
6

dv
o
v
dv
v V
7H
i
"ara memi(ih titik kerja.
V
DSH
harus (ebih keci( dari V
DD
dan (ebih besar dari V
1>
sehin##a dapat
men#akomodasi har#a simpan#an maksimum dan simpan#an minimum dari
te#an#an ke(uaran.
6ika V
DSH
ter(a(u dekat den#an V
DD
5 har#a simpan#an maksimum sin$a( ke(uaran
akan terpoton# )c(ipped off,. .ada keadaan ini dikatakan pen#uat tidak mempun$ai
cukup '$ad&oo(.
6ika V
DSH
ter(a(u dekat den#an batas trioda5 har#a simpan#an minimum sin$a(
ke(uaran akan terdistorsi. .ada keadaan ini dikatakan pen#uat tidak mempun$ai
cukup +$I&oo(.
Gambar !;. 0ua #aris beban dan titik kerjan$a.
Titik H
2
ter(a(u dekat den#an V
DD
5 dan titik H
/
ter(a(u dekat den#an batas
daerah trioda.
( C )
_
t
&arakteristik transfer secara ana(isis.
0aerah cutoff5 se#men [/<
v
7
V
t
dan v
1
= V
DD
0aerah jenuh5 se#men /ZG< v
7
- V
t
dan
v
1
- v
7
V
t
. asumsikan 4 7 *
i
D

1

W
!
1D

(v
7
V )
!
v
1
V
DD

0
,
F
D
i
D
1

W
_
!
v
1
V
DD

!
F
D
(

C
1D
)

(v
7
,
V
t
)
6
v

dv
1
dv
7
v
7
V
7H
W
6
v

F
D

C
1D
(v
7
0
V
t
)
DD
6adi pen#uatan te#an#an sebandin# den#an har#a F
D
, parameter
transkonduktansi !

" = E

C
1D
5 aspect ratio dari transistor W305 dan te#an#an
o3erdri3e pada titik bias V
1V
= V
7H
V
t
.ada titik Z< v
7
= V
7H
dan v
1
= V
1H\
, V
7H
V
t
= V
1V
5 jadi
6
V

!(V
V
1H
)

!V
FD
V
FD
V
DD
V
1V
V
1H
V
1V
.ada titik ujun# daerah jenuh<
V
1>
=V
7>
V
t
0aerah trioda5 se#men G"
v
7
- V
t
da v
1
v
7
- V
t
i C
W
[(
v V )v

1
v
!
] D 1D
0
7
t 1
!
1
v
1
V
DD
F
D
i
D
v V
F C
W
[(v V )v

1
v
!
]
1 DD
D 1D
0
7
W
t 1
!
1
v
1
V
DD
F
D

C
1D
(v
7
0
V
t
)v
1
V )
V )
+
W
W
F
v
1

V
DD

1 F
D

C
1D
(v
7
0
1

t
1
]
&
DS
1
v V

C
1D

&
DS
(v
7
0
1

t
1
]
1
DD
&
DS
+ F
D
4ntuk v
1
$an# keci(5 MOSFET bekerja seba#ai resistansi
&
DS
)$an# har#an$a ditentukan o(eh v
7
,.
Giasan$a &
DS
,, F
D
5 jadi
v V
&
DS
1 DD
D
F
_
t
1

(
!
W
"ontoh numerik<
.ada ran#kaian pada #ambar )a,5 k
n
)ACE, 7 1 m/CD
!
5 D
t
7
1 D5 '
0
7 1? k+ dan D
00
7 1* D
6aBab<
v
1
V
DD
1
!
D
C
1D
)

W

0

(v
7
,
V
t
)
a, Titik [<
3
M
7 * DN 3
O
7 1* D
b, Titik /< 3
M
7 1 DN 3
O
7 1* D
c, Titik G< 3
M
7 D
MG
7 D
OG
R D
t
7 D
OG
R 1
Masukan 3
O
7 D
OG
pada persamaan di atas
@ D
OG
!
R D
OG
2 1* 7 *
D
O
7 1 D
D
M
7 1 R 1 7 ! D
d,Titik "< #unakan persamaan berikut<
v
1
V
DD

1+

F
D

C
1D (v
7
0
V )
1
]
V
1C

1*

*5*91D
1+ 1? 1 (1* 1)
D
&emudian beri .bias a#ar pen#uat bekerja pada titik kerja $an# benar pada
se#men daerah jenuh. .ada daerah ini 3
O
7 1 2 1* D. 0ipi(ih titik kerja pada V
1H
7 1
D. Titik ini memun#kinkan simpan#an te#an#an $an#
cukup pada kedua arah dan memberikan pen#uatan te#an#an $an# (ebih
besar dibandin#kan den#an titik kerja $an# ter(etak di ten#ah%ten#ah daerah
jenuh )misa( pada V
1H
7 85 8D,.
/#ar pen#uat bekerja pada te#an#an ke(uaran dc 7 1 D
arus drain <
V
7
DD
V
1H

1* 1
*5--- m/
F
D
1?
Te#an#an o3erdri3e V
1V
<
7

1
!
F
W
V
!
D
!

0
1V
V
1V

! *5---
1
*5?19 D
6adi MOSFET harus bekerja pada<
V
GS
= V
t
) V
1V
7 15?19 D
.en#uatan te#an#an pada titik kerja ini<
W
6
v
F
D

C
1D
(v
7
0
V
t
)
/
D
7 % 1? = 1 = )15?19 2 1,
7 %115; DCD
0ipasan#kan sin$a( masukan #e(omban# se#iti#a5v
i
7
18* mD )peak%to%peak, $an# ditumpan#kan pada
te#an#an bias dc V
GSH
7 15?19 D seperti pada #ambar di baBah ini
Gambar !?. "ontoh soa(
9;
9?
V
GS
ter(etak antara 15;11 D dan 15?@1 D. /rus 7
D
pada <
v
GS
7 15;11 T i
D
7 V = 1 = )15;11 2 1,
!
7 *5!;8 D
v
GS
7 15?19 T i
D
7 V = 1 = )15?19 2 1,! 7 *5--- D
v
GS
7 15?@1 T i
D
7 V = 1 = )15?@1 2 1,! 7 *5-@; D
"atatan< perbedaan pada arah ne#atif 7 )*5--- 2 *5!;8, 7
*5*8? m/ dan perbedaan pada arah positif 7 )*5-@; 2 *5---,
7 *5*91 m/. .erbedaan ini tidak sama karena kur3a i
0
2 3
GS
tidak (inier sempurna.
Te#an#an ke(uaran pada<
v
GS
7 15;11 T i
D
7 *5!;8 D T v
1
7 1* 2 *5!;8 = 1? 7 85*8 D
v
GS
7 15?@1 T i
D
7 *5-@; D T v
1
7 1* 2 *5-@; = 1? 7 !5?8 D
6adi perbedaan pada arah positif 7 15*8 D5 sedan#kan perbedaan pada arah
ne#atif 7 1518 D $an# diakibatkan karena ketidak(inieran karakteristik transfer.
0istorsi non (inier v
1
dapat dikuran#i den#an men#uran#i amp(itudo sin$a( masukan.
"atatan< pi(ih(ah titik kerja di ten#ah%ten#ah daerah jenuh5 a#ar terjamin transistor
tetap bekerja di daerah jenuh dan distorsi non (inier bisa diminima(kan.
9@
Gambar !? )b,. "ontoh soa(
C
W
!
;*
Gias pada ran#kaian pen#uat.
Gias den#an menetapkan V
GS
"ara $an# pa(in# mudah untuk memberi bias pada sebuah MOSFET ia(ah den#an
menetapkan har#a V
GS
pada suatu har#a untuk mendapatkan har#a 7
D
$an#
diin#inkan.
"ara ini bukan cara $an# baik untuk memberi bias pada MOSFET.
.erhatikan<
7
D

1
!
1D
(V
GS
0
V
t
)
:ar#a 7
D
ter#antun# dari har#a V
t
, C
1D
5 dan W30 V
t
dan E

ter#antun#
pada suhu.
6adi jika har#a V
GS
tetap5 har#a 7
D
san#at ter#antun# dari suhu.
.erhatikan #ambar berikut ini.
Gambar !@. .en##unaan fi=ed bias pada jenis di3ais $an# sama.
Gias den#an menetapkan V
GS
dan men#hubun#kan sebuah resistansi pada
source
Gambar -*. .emberian te#an#an bias tetap5 D
G
dan sebuah resistor pada
source.
)a,. 'an#kaian dasar
)b,. .en#uran#an perubahan pada M
0
Gambar -*)a, menunjukkan sa(ah satu cara pemberian bias untuk
MOSFET diskrit $aitu den#an memberikan te#an#an dc pada #ate5 V
G
,
dan sebuah resistansi pada source.
V
G
= V
GS
) F
S
7
D
6ika V
G
>> V
GS
, 7
D
ditentukan o(eh V
G
dan F
S
. 6ika V
G
tidak ter(a(u
besar dibandin#kan V
GS
5 resistor F
S
memberikan umpan ba(ik
ne#atif.$an# berperan untuk menstabi(kan har#a 7
D
.
.ada persamaan di atas<
V
G
konstan T jika 7
D
naik T V
GS
harus turun T 7
D
akan turun. 6adi F
S
bekerja untuk menja#a kestabi(an 7
D
.
F
S
disebut de#eneration resistance.
"ontoh imp(ementasi teknik ini<
Gambar -*)c, Mmp(ementasi praktis den#an men##unakan
satu catu da$a
)d, .en##unakan kapasitor coup(in#5 "
"
antara sumber sin$a( ke #ate
)e, Mmp(ementasi praktis den#an dua catu da$a ;1
;8
'an#kaian pada #ambar -*)c, mendapatkan te#an#an V
G
dari sebuah
catu da$a V
DD
me(a(ui
sebuah pemba#ian te#an#an )F
G2
dan F
G/
,
&arena i
G
7 *5 F
G2
dan F
G/
dapat dipi(ih besar seka(i )orde M+,5 sehin##a
MOSFET nampak mempun$ai resistansi masukan $an# besar.
6adi sumber sin$a( dapat terhubun# ke #ate me(a(ui kapasitor pen#hubun#
)%oJ#+iI %a#a%ito&,5 seperti ter(ihat pada #ambar -*)d,.
&apasitor C
C2
mem%b(ok dc sehin##a memun#kinkan untuk men#hubun#kan
sin$a( vsiI ke masukan pen#uat tanpa men##an##u titik bias dc dari MOSFET.
:ar#a C
C2
dipi(ih cukup besar sehin##a dapat dian##ap seba#ai
hubun# sin#kat untuk semua frekuensi sin$a( $an# diin#inkan.
F
D
dipi(ih sebesar mun#kin untuk mempero(eh pen#uatan $an# besar tetapi
cukup keci( untuk memun#kinkan simpan#an sin$a( pada drain den#an
menja#a MOSFET tetap da(am keadaan jenuh.
;9
'an#kaian pada #ambar -*)e, ada(ah contoh pemakaian dua catu da$a untuk
memberikan bias pada MOSFET.
'an#kaian ini ada(ah imp(ementasi dari persamaan di atas den#an
men##antikan V
G
den#an V
ss
.
F
G
membuat #round dc pada #ate dan memberikan
resistansi masukan $an# tin##i $an# dapat dihubun#kan
ke sumber sin$a( $an# akan terhubun# ke #ate me(a(ui sebuah kapasitor
pen#hubun#.
D
S
;;
"ontoh soa(<
'ancan#(ah ran#kaian pada #ambar -*)c, untuk mendapatkan arus drain dc 7
D
7
*58 m/. MOSFET mempun$ai V
t
7 1 D dan !

"W30 7 1 m/CD
!
)asumsikan
J 7 *,. V
DD
7 18 D. :itun# berapa \ perubahan har#a
7
D
jika MOSFET di#anti den#an MOSFET $an# (ain
$an# mempun$ai !

"W30 $an# sama tetapi V

t
7 158 D.
6aBab<
ru(e of thumb untuk merancan# ran#kaian bias5 pi(ih(ah F
D
dan F
S
sehin##a
te#an#an F
D
5 te#an#an pada transistor dan te#an#an F
S
masin#%masin#
ada(ah ] te#an#an V
DD
. 4ntuk V
DD
7 18 D5 V
D
7 R1* D
dan D
S
7 R8 D.
0iketahui 7
D
7 *58 m/5 maka<
F

V
DD
V
D

18 1*
1* k
F
V
S
7
D
7
D

8
*58
*58
1* k
7

1
!
F
(
W 0
)
V
!
D
!
1V
*58

V
!
V
1V
!
1V
1D
V
GS
= V
t
) V
1V
7 1 R 1 7 ! D
V
S
7 8 D T V
G
= V
S
) V
GS
7 8 R ! 7 ; D
4ntuk mendapatkan V
G
7 ; D T dipi(ih F
G2
7 ? M+ dan
F
G/
7 ; M+.
Gambar -15 'an#kaian contoh soa(
V
D
7 R1* D T simpan#an maksimum sin$a( positif R8D )sampai V
DD
, dan
simpan#an maksimum sin$a( ne#atif
%1 D )sampai )D
G
2 D
t
,,.
6ika transistor MOS di#anti den#an MOS $an# mempun$ai V
t
7 158 D<
7
D
7 V = 1 = )V
GS
V
t
,
!
V
G
= V
GS
) 7
D
F
S
; 7 V
GS
R 1* 7
D
7
D
7 *5188 m/
K7
D
7 *5188 2 *58 7 %*5*18 m/ 7 @\
?*
Gias men##unakan resistor umpan ba(ik drain%ke%#ate
Gambar -!. Gias men##unakan resistor umpan
ba(ik drain%ke%#ate
'esistor F
G
)orde M+, men$ebabkan te#an#an dc pada #ate )V
G
, sama
den#an te#an#an dc pada drain )V
D
,
V
GS
= V
DS
= V
DD
F
D
7
D
V
DD
= V
GS
) F
D
7
D
6ika 7
D
menin#kat T V
GS
akan menurun T 7
D
menurun.
6adi umpan ba(ik ne#atif me(a(ui F
G
akan menja#a
kestabi(an har#a 7
D
.
?1
Gias men##unakan sumber arus $an# konstan.
Gambar -- )a, .emberian bias den#an men##unakan sumber arus tetap
Gias seperti pada #ambar --)a, biasa di#unakan pada MOSFET $an# diskrit. F
G
)da(am orde M+, membuat #round dc pada #ate. F
D
akan membuat te#an#an dc
pada drain pada har#a tertentu $an# memun#kinkan simpan#an sin$a( ke(uaran
$an# diin#inkan den#an menja#a MOSFET tetap da(am keadaan jenuh.

1
?!
Gambar --)b, Mmp(ementasi sumber arus konstan den#an
current mirror.
Mntin$a ada(ah transistor H
2
$an# drain%n$a dihubun#kan ke #ate%n$a sehin##a
bekerja pada daerah jenuh.
7

1
!
F

W
_
(
V

V
)
!
D1
!


0
,
GS t
0en#an asumsi 4 7 *

!
/rus drain H
2
dicatu o(eh V
DD
me(a(ui resistor F.
7
D1
7
FEL

V
DD + V
SS
F
V
GS
/rus me(a(ui dian##ap seba#ai arus rujukann5 7
FEL
.
0en#an har#a parameter dari H
2
dan 7
FEL
$an# diin#inkan5
kedua persamaan di atas dapat di#unakan untuk
men#hitun# har#a F.
.ada transistor H
/
5 har#a V
GS
sama den#an V
GS
pada H
2
,
/sumsikan bekerja pada daerah jenuh5 arus drain $an# sama den#an arus rujukan
akan<
7 7

1
!
F

W
_
(
V

V
)
!
D !
!
(W


0
,
GS t
0)
7

7
!
FEL
(W 0)
6adi perbandin#an antara arus 7 dan arus rujukan sebandin# den#an
aspect ratio dari H
2
dan H
/
. 'an#kaian ini dikena( den#an %J&&$t
(i&&o&
"ara kerja dan mode( sin$a( keci(
Gambar -1. &onsep ran#kaian $an# di#unakan untuk mempe(ajari cara kerja
MOSFET seba#ai pen#uat sin$a( keci(
Titik bias 0"
/rus bias dc 7
D
dipero(eh den#an men%set sin$a( v
Is
7 *
I

1
k
'
W
(
V

V
)
2
D
2
n
L
GS t
/sumsikan 4 7 *
V
D
= V
DS
= V
DD
F
D
7
D
/#ar bekerja pada daerah jenuh<
V
D
> V
GS
V
t
/rus sin$a( pada termina( drain
v
GS
= V
GS
) v
Is
7

1
!
F
W
(
V
+
v

V
)
!
D
!

0
GS
Is t

1
!
F
W
(
V

V
)
!
+
!
F
W
(
V
V )v +

1
!
F
W
v
!
!

0
GS t
0
GS
t Is !

0
Is
n d
( )
Suku pertama dari persamaan itu ada(ah arus bias dc5 7
D
. Suku kedua ada
komponen arus $an# sebandin# den#an sin$a( masukan v
Is
Suku keti#a
sebandin#
den#an sin$a( masukan kuadrat. Suku ini tidak
diin#inkan karena menunjukkan adan$a distorsi non (inier.
4ntuk men#uran#i distorsi non (inier5 sin$a( masukan harus dija#a tetap keci(5
jadi<
1 F
W
! F
W
!
!

v
Is
0
<< !

(V
GS
0
V
t
)v
Is
v
Is
<< !(V
GS
V
t
)
6ika keadaan ini terpenuhi5 maka
i
D
M 7
D
) i
d
i k
'
W
L
(V
GS
V
t
)v
gs
.arameter $an# men#hubun#kan i
d
dan v
Is
ada(ah
transkonduktansi dari MOSFET )I
(
,
i
d
'
W
n GS t
g
m

k V V
v
gs
L
Gambar -8. "ara kerja sin$a( keci( dari pen#uat
MOSFET jenis enhancement
I
(
ada(ah koefisien arah dari karakteristik i
D
v
GS
pada titik bias atau titik kerja.
g
m

i
D
v
GS
v
GS
V
GS
.en#uatan te#an#an
v
D
V
DD
v
D
V
DD
R
D
i
D
R
D
(I
D
+ i
d
)
v
D
V
D
R
D
i
d
&omponen sin$a( dari te#an#an drain
v
d
R
D
i
d
g
m
R
D
v
gs
.en#utan te#an#an<
v
d
v
gs
g
m
R
D
Tanda ne#atif menunjukkan bahBa v
d
berbeda fasa 1?*O
den#an v
Is
Gambar -9. Te#an#an tota( v
GS
dan v
D
untuk ran#kaian pada #ambar -1
/#ar MOSFET se(a(u bekerja di daerah jenuh< :ar#a minimum dari v
D
harus (ebih keci( dari v
G
5 minimum sebesar V
t
:ar#a maksimum dari v
D
harus (ebih keci( dari V
DD
.emisahan ana(isis 0" dan ana(isis sin$a(.
4ntuk sin$a( keci(5 besaran sin$a( ditumpan#kan pada
besaran dc.
Misa(< arus tota( pada drain i
D
sama den#an arus dc M
0
ditambah arus sin$a( i
d
.
Te#an#an tota( pada drain v
D
= V
D
) v
d
6adi untuk men$ederhanakan ana(isis dapat dipisahkan ana(isis dc dan ana(isis
sin$a( keci(.
"aran$a<
2 cari titik kerja dan hitun# semua komponen dc.
2 (akukan ana(isis sin$a( keci(
Mode( ran#kaian eki3a(en sin$a( keci(.
Gambar -;)a,. Mode( sin$a( keci( untuk MOSFET den#an
men#abaikan channe( (en#th modu(ation
)b, Memasukkan pen#aruh channe( (en#th modu(ation
Mode( ran#kaian eki3a(en sin$a( keci(.
0i(ihat dari sisi sin$a(5 MOSFET berperan seba#ai sumber arus $an# dikenda(ikan o(eh
te#an#an )D""S, den#an sin$a( masukan v
Is
antara #ate dan source dan
men#hasi(kan arus I
(
v
sI
antara drain dan source. 'esistansi masukan san#at tin##i
)idea(< L,N resistansi ke(uaran ju#a san#at tin##i )asumsikan< L,
Gambar -;)a, ada(ah mode( ran#kaian pen##anti
MOSFET untuk sin$a( keci(.
0a(am ana(isis sin$a( keci(< semua sumber te#an#an dc di#anti den#an hubun#
sin#kat dan semua sumber arus dc di#anti den#an hubun# terbuka.
.ada #ambar -;)a, diasumsikan arus drain pada keadaan jenuh tidak ter#antun# dari
te#an#an drain. &en$ataann$a arus drain ter#antun# dari te#an#an drain. :ubun#an
ini din$atakan den#an adan$a resistansi
antara drain dan source.
I
r

V
A
o
D
V
6
= 134
Mode( ran#kaian $an# (ebih akurat ter(ihat pada #ambar
-1)b,.
v
d
v
gs
g m
(R
D
// r
o
)
"atatan<
I
(
dan &
o
ter#antun# pada titik bias dc dari MOSFET
'
!

Transkonduktansi I
(
g
m
k
n
(W L)(V
GS
V
t
)
I
(
sebandin# den#an !

"=E

C
1D
dan perbandin#an W30. 6adi untuk mendapatkan
I
(
$an# besar5 di3ais harus pendek dan (ebar.
I
(
ju#a sebandin# den#an V
1V
= V
GS
V
t
.
"atatan< jika D
GS
dinaikkan T men#uran#i simpan#an
te#an#an sin$a( pada drain.
1 F
W
!
7
D

!
!

(V
GS
0
V
t
)
!7
(V
GS
V
t
)

D
F
( )
!

W 0
F
W !7
D

!
0
(V
GS
V
t
)
I
(

!!
F
W 0 7
D
I
(

!7
D

!7
D
V
GS
V V
1V
"ontoh soa(<
Gambar -@ "ontoh soa( ran#kaian pen#uat
Gambar -@)a, menunjukkan sebuah pen#uat MOSFET "S $an# mempun$ai bias
umpan ba(ik drain ke #ate. Sin$a( input5 v
i
dihubun#kan ke #ate me(a(ui kapasitor
$an# besar. Sin$a( ke(uaran pada drain dihubun#kan ke beban F
0
me(a(ui sebuah
kapasitor besar (ainn$a. Transistor mempun$ai V
t
7 158 D5 !

"(W30) 7 *5!8 m/CD

!
dan V
6
7 8* D.
:itun#(ah pen#uatan te#an#an sin$a( keci(5 resistansi masukan dan sin$a(
masukan maksimum. /n##ap kapasitor pen#hubun# cukup besar sehin##a
akan menjadi hubun# sin#kat untuk frekuensi sin$a( $an# diin#inkan
(
o
6aBab<
Tentukan titik kerja dc<
7
D
7 V = *5!8 )D
GS
2 158,
!
/rus dc pada #ate 7 * T tidak ada penurunan
te#an#an pada F
G
G V
GS
= V
D
7
D
7 V = *5!8 )D
0
2 158,
!
V
D
7 18 2 '
0
M
0
7
D
7 15*9 m/ dan V
D
7 151 D
I !
F
W
0
(V
GS
V
t
)
*5!8(151 158) *5;!8 m /CD
&
V
6
7
D

8*
15*9
1; k
Gambar )b, < ran#kaian pen##anti sin$a( keci( dari pen#uat. &apasitor pen#hubun#
di#anti den#an hubun# sin#kat5 dan catu da$a dc di#anti den#an hubun# sin#kat ke
#round.
&arena F
G
besar seka(i )1* M+,5 arus $an# me(eBatin$a dapat diabaikan.
Gambar -@)b, Mode( ran#kaian pen##anti
v
o
M - I
(
v
Is
(F
D
33F
0
33&
o
)
v
Is
= v
i
6
v
= v
o
3v
i
= - I
(
(F
D
33F
0
33&
o
)
7 % *5;!8)1*CC1*CC1;, 7 %-5- DCD
i
i
(v
i
v
o
) F
G
v v _

i

1
o

F
G
v
i ,

v
i
F
G
(1 ( -5-))
15-v
i
F
G
F
i
v
i
i
i

F
G
15-
!5-- M
:ar#a maksimum amp(itudo v
i
a#ar MOSFET bekerja di daerah jenuh<
v
DS
- v
GS
V
t
v
DS(o
= v
GS(ax
V
t
V
DS
^
6
v
v
i
^
V
GS
^
+ v
i
V
t
^
151 -5-v
i
^
151 + v
i
158
v
i
*5-1 D
"atatan< pada arah ne#atif5 amp(itudo sin$a( masukan< v
GS(i
7 151 2 *5-1 7
15*9 D (ebih besar dari V
t
, jadi transistor tetap o
Mode( 'an#kaian Eki3a(en T
Gambar -@ Mode( ran#kaian pen##anti T untuk MOSFET
Gambar -@)a,< ran#kaian eki3a(en sin$a( keci( tanpa &
o
.
Gambar -@)b,< ditambahkan sumber arus I
(
v
Is
seri
den#an sumber arus semu(a.
Gambar -@)c,< dibuat node baru5 D, antara kedua sumber arus dan
dihubun#kan den#an termina( #ate5 G. 0i sini ada sumber arus I
(
v
Is
di antara
te#an#an v
Is
. Sumber arus ini dapat di#antikan den#an sebuah resistansi5
1C#
m
.
Gambar -@)d,< ran#kaian eki3a(en T den#an i
I
7 *5 i
d
7
I
(
v
Is
dan i
s
= v
Is
C)13I
(
) = I
(
v
Is
.
"atatan< resistansi antara #ate dan source5 di(ihat ke
arah #ate ada(ah tidak terhin##a.
Gambar 1*)a,< jika ada &
o
di antara drain dan source.
Gambar 1*)b,< mode( T a(ternatif dimana sumber arus $an# dikenda(ikan
te#an#an (VCCS) di#anti den#an sumber arus $an# dikenda(ikan arus (CCCS)
.emode(an God$ effect
.ada MOSFET bod$ effect terjadi bi(a substrate tidak dihubun#kan den#an
source.
4ntuk kana( 5substrate akan dihubun#kan den#an #round5 sedan#kan source tidak
terhubun# den#an #round5 sehin##a ada te#an#an v
Ns
antara substrate dan source.
.ada kondisi ini substrate beperan seperti #ate kedua atau Na%!Iat$ untuk
MOSFET.
6adi sin$a( v
Ns
akan menambah sebuah komponen pada arus drain5 I
(N
v
Ns
. I
(N
disebut transkonduktansi bod$.
I
(N

i
D
v
>S
v
GS
!os tan
v
DS
!os tan
i
D
ter#antun# dari V
t
dan V
t
ter#antun# dari V
>S
. I
(N
= OI
(

V
t

V
S>
!

!
@
+ V
S>
:ar#a O biasan$a antara *51 2 *5 -
Gambar 11)b, ada(ah mode( sin$a( keci( MOS $an# dipakai jika substrate tidak
dihubun#kan den#an source.
4ntuk .MOS5 mode(n$a sama seperti di atas5 han$a $an# dipakai 8V
GS
8, 8V
t
8,
8V
1V
8, 8V
6
8, 8V
S>
8, 8A8, 84_ dan men##antikan !

" den#an #
$
%&
'in#kasan
Mode( ran#kaian pen##anti sin$a( keci( untuk MOSFET. Transistor MOS<
Transkonduktansi
I

C
W
V

!

C
W
7

!7
D
( ox
0
1V
ox
0
D
V
1V
'esistansi ke(uaran
&
o
V
6
7
D
1 7
D
Transkonduktansi bod$

I
(N
I
(

! !
@
I
(
+ V
S>
Transistor .MOS
Semua persamaan untuk MOS dapat dipakai untuk
.MOS den#an men##unakan 8V
GS
8, 8V
t
8, 8V
1V
8, 8V
6
8,
_V
S>
8, 8A8, 848 dan men##antikan E

den#an E
#
.
Mode( ran#kaian pen##anti sin$a( keci( tanpa bod$ effect
)_V
S>
_ 7 *,
Mode( ran#kaian pen##anti sin$a( keci( tanpa bod$ effect
)_V
S>
_ ` *,
.en#uat MOSFET Satu Tin#kat
.ada ba#ian ini $an# akan dibahas ada(ah ran#kaian pen#uat diskrit dari
MOSFET dimana source se(a(u dihubun#kan den#an substrate. O(eh karena itu
pen#aruh bod$ effect tidak akan diperhitun#kan. 0an ju#a da(am beberapa
ran#kaian &
o
akan diabaikan.
Struktur 0asar.
Gambar 1!. Struktur dasar ran#kaian pen#uat diskrit $an# men##unakan MOSFET
.arameter &arakteristik .en#uat
'an#kaian<
0efinisi<
'esistansi masukan tanpa beban
F
v
i
i
i
i
F
0

'esistansi masukan
F
v
i
i
i
i
v
i
i
v
.en#uatan te#an#an hubun# terbuka<
6

v
o
vo
i F
0

.en#uatan te#an#an<
6
v
o
v
v i
.en#uatan arus hubun# sin#kat<
6

i
o
is
i F
0
*
.en#uatan arus<
6

i
o
i
i
Transkonduktansi hubun# sin#kat<
G

i
o
(
i
F
0
*
i
'esistansi ke(uaran dari pen#uat
F
v
x
o
i x
v
i
*
'esistansi ke(uaran
F

v
x
oJ
t
x
v
s iI
*
v
.en#uatan te#an#an hubun# terbuka men$e(uruh
G

v
o
vo
v
si
I
F
0

.en#uatan te#an#an men$e(uruh

G

v
o
v
siI
'an#kaian pen##anti
/.
G
"
.ersamaan<
v
i
v
s
iI

F
i
F
i
+ F
s iI
6
v
6
vo
F
0
F
0
+ F
o
6
vo
G
(
F
o
G
v

F
i
F
i
+ F
s iI
6
vo
F
0
F
0
+ F
o
G
vo

F
i
F
i
+ F
s iI
6
vo
G
v
G
vo
F
0
F
0
+ F
o
v
i
)mD, v
o
)m
Tanpa F
E
@ @*
0en#an F
0
? ;*
"ontoh soa(<
Sebuah pen#uat transistor dicatu den#an sebuah sumber sin$a( $an#
mempun$ai te#an#an hubun# sin#kat5 v
siI
7 1* mD dan resistansi da(am
F
siI
7 1**
k+. Te#an#an v
i
pada masukan pen#uat dan te#an#an
ke(uaran v
o
diukur den#an dan tanpa resistansi beban
F
0
7 1* k+ terhubun# ke ke(uaran pen#uat5 :asi( ukur
itu sbb<
D,
"ari(ah< parameter pen#uat
6aBab<
4ntuk F
0
7 L
6
vo

G
vo

@*
1* DCD
@
@*
@ DCD
1*
G
vo

F
i
F
i
+ F
siI
6
vo
@
F
i
F
i
+ 1**
1*
F
i

@** k
6ika F
0
7 1* k+ dihubun#kan den#an ke(uaran pen#uat<
6
v

G
v

A
v

;*
?
;*
1*
A
vo
?5;8 DCD
; DCD
R
L
R
L
8,75 10
+ R
o
10
10 + R
o
R
o
1,43 k
G
v
G
vo
F
0
F
0
+ F
oJt
; @
1*
1* + F
oJt
F
oJt
v
i
!5?9 k

F
i
v
s iI
F
i
+ F
s iI
?

1* F
i
F
i
+ 1**
F
i
1** k
G
(

6
vo
F
o

1*
151-
; m /CD
v
o
6
i

v
i
F
0
F
i

v
o
v
i
F
i
F
0
6
o
F
i
F
0
?5;8
1**
1*
-8* /C/
0
,
,
0ari ran#kaian pen##anti /<
i
os%
6
vo
v
i
F
o
0ari ran#kaian pen##anti /<
i
os %
G
vo
G
v o
v
s iI

F
i
F
oJt
6
vo
F
i
v v
+ F
s iI
F
i
F *
i s
iI F
i
F
0
*
+ F
s iI

F
_

F _
1
F F

1
+

i

oJt

1
1
i
F
0
*
s iI

F
s iI

F
o

?15? k
i 6 i F F
os % vo i i
F
0
*
o
6
is

i
os %
i
i
1* ?15? 151- 8;! /C/
.en#uat "ommon%Source )"S,
Gambar 1-. 'an#kaian pen#uat common source
Sin$a( $an# akan diperkuat ada(ah te#an#an masukan
v
siI
5 $an# mempun$ai resistansi masukan F
siI
.
C
C2
berfun#si untuk memb(ok dc dari sin$a( masukan5 sehin##a tidak
men##an##u bias dc. &apasitor ini disebut %oJ#+iI %a#a%ito&
Gi(a sumber sin$a( dapat memberikan ja(ur dc ke
#round5 #ate dapat dihubun#kan (an#sun# den#an sumber te#an#an.
0a(am ha( ini F
G
dan C
C1
dapat dihi(an#kan
C
s
ada(ah kapasitor b$pass $an# fun#sin$a untuk mem% b$pass resistansi ke(uaran
dari sumber arus 7.
&apasitor ini ju#a membuat #rounduntuk siin$a( atau
a% I&oJd.
C
C/
ada(ah %oJ#+iI %a#a%ito& $an# men#hubun#kan
sin$a( ke(uaran den#an beban F
0
5 jadi v
o
= v
d
.
F
0
dapat berupa resistansi beban atau resistansi masukan dari tin#kat pen#uat
berikutn$a bi(a pen#uat $an# akan diana(isa ada(ah sa(ah satu pen#uat dari
ran#kaian pen#uat bertin#kat.
4ntuk menentukan karakteristik dari pen#uat CS $aitu resistansi masukan5
pen#uatan te#an#an dan resistansi ke(uaran5 #unakan ran#kaian pen##anti
sin$a( keci(5 seperti pada #ambar )b,.
Gambar 1-)b,. 'an#kaian eki3a(en pen#uat untuk ana(isis sin$a( keci(
.en#uat ini bersifat uni(atera(. O(eh karena itu F
i
tidak ter#antun# dari F
0
5 jadi F
i
=
F
i
. 0an F
oJt
tidak ter#antun# dari F
siI
5 jadi F
oJt
= F
o
.
/na(isis<
i
I
*
F
i
F
G
v
i
v
s
iI
F
i
F
i
+ F
s iI
v
s iI
F
G
F
G
+ F
s iI
F
G
>> F
s iI
v
i
v
s iI
v
Is
v
i
v
v
o
I
(
v
Is
(&
o
CC F
D
CC F
0
)
6
v
I
(
(&
o
CC F
D
CC F
0
)
.en#uatan men$e(uruh dari sumber sin$a( sampai beban<
G
v

F
i
6
F
i
+ F
siI
F
G

F
G
+ F
siI
I
(
(&
o
CC F
D
CC F
0
)
4ntuk menentukan resistansi ke(uaran pen#uat5 v
siI
di% set 7 *. 6adi v
siI
dihubun# sin#kat.
F
oJt
&
o
CC F
D
&
o
>> F
D
G pen#aruh &
o
da(am pen#uatan te#an#an sedikit berkuran# dan
adan$a penurunan pada F
oJt
Gambar 1-)c, Mode( sin$a( keci( MOSFET $an# diterapkan (an#sun# pada
ran#kaian $an# memakai simbo( MOSFET.
.en#uat "ommon%Source den#an 'esistansi Source
Gambar 11)a, .en#uat common source den#an
resistansi '
s
pada source
F
Gambar 11)b,< Transistor di#anti den#an ran#kaian pen##anti mode( T
4ntuk ran#kaian $an# mempun$ai resistansi $an# terhubun# source5 ran#kaian
pen##anti $an# di#unakan ada(ah ran#kaian pen##anti mode( T5 karena resistansi
source akan tampak seri den#an. 13I
(
F
i
= F
i
= F
G
v
i
v
siI
G
F
G
+ F
siI
I
v
Is
v
i
1
I
(
1
+ F
S

v
i
1+ I
(
F
S
I
(
&euntun#an men##unakan F
S
<
:ar#a F
S
dapat di#unakan untuk men#enda(ikan
besaran sin$a( v
Is
dan memastikan bahBa v
Is
tidak
ter(a(u besar.
Memper(ebar bandBidth
F
S
berperan seba#ai umpan ba(ik ne#atif.
&e(emahan men##unakan F
S
< penurunan pen#uatan te#an#an.
i

i

v
i

I
(
v
i
d
1
+ F
S
(
1+ I
(
F
S
F
S
men#uran#i i
d
den#an faktor )1 R I
(
F
S
,
v
i
v
o
i
d
(F
D
CC F
0
)

I
(
(
F
D
CC F
0
)
v
1+ I
(
F
S
6

I
(
(F
D
CC F
0
)
1+ I
(
F
S
F
0
6
v1

I
(
F
D
1+ I
(
F
S
G
V

F
G
F
G
+ F
s iI
I
(
(F
D
CC F
0
)
1+ I
(
F
S
F
S
men#uran#i pen#uatan te#an#an den#an faktor
)1RI
(
F
D
, T source de#eneration resistance
.en#uatan dari #ate ke drain ada(ah perbandin#an antara resistansi tota(
pada drain5 )F
D
33F
0
,5 den#an resistansi tota( pada source W)1CI
(
, R F
S
X
.en#uat "ommon%Gate
Gambar 18 )a, 'an#kaian pen#uat common #ate
.ada pen#uat "ommon%Gate )"G, #ate dihubun#kan ke #round. Sin$a( masukan
dipasan#kan di source dan sin$a( ke(uaran diambi( dari drain5 dan #ate merupakan
termina( bersama masukan dan ke(uaran.
Gate dihubun#kan ke #round<
te#an#an ac dan dc sama den#an no(5
resistor F
\G
7 *
&apasitor C
C2
dan C
C/
mempun$ai fun#si $an# sama
seperti pada pen#uat "S
'an#kaian pen##anti untuk sin$a( keci( men##unakan mode( T. Mode( ran#kaian
pen##anti ini dapat di(ihat pada #ambar )b,.
.ada ran#kaian pen##anti ini tidak ada &
o
.
'esistansi masukan<
1
F
i

I
(
Gambar 18)b, 'an#kaian eki3a(en sin$a( keci( untuk
ran#kaian pada #ambar 18)a,
&arena ran#kaian ada(ah uni(atera(< F
i
tidak ter#antun# dari F
0
dan F
i
= F
i
.
&arena I
(
pada orde 1 m/CD5 resistansi masukan dari pen#uat "G re(atif rendah
)pada orde 1 k+, dan jauh (ebih rendah dibandin#kan den#an resistansi masukan
pada pen#uat "S.
Se(anjutn$a kehi(an#an sin$a( $an# cukup besar terjadi
pada coup(in# sin$a( ke masukan pen#uat "G5 karena
v
i
v
siI
F
i
F
i
+ F
siI
(
I
v
i
v
siI
1
I
(
1
+ F
siI
(

v
1
siI
1+ I
F
siI
4ntuk menja#a a#ar kehi(an#an kekuatan sin$a( tetap keci(5 resistansi sin$a(5
F
siI
harus keci(.
F
s iI
<<
1
I
(
i
i

v
i
F
i

v
i
1 I
(
I
(
v
i
i
d
i
i
i
I
(
v
i
v
o
v
d
i
d
(F
D
CC F
0
) I
(
(F
D
CC F
0
)v
i
6
v
6
vo
I
(
(F
D
I
(
F
D
CC F
0
)
v
I
G
v

F
i
6
F
i
+ F
s iI
1

I
(
6
1
v
+ F
s iI
(

6
v
1+ I
(
F
s iI
G
v

I
(
(F
D
CC F
0
)
1+ I
(
F
s iI
F
oJt
F
o
F
D
.en#uat "G< non i3ertin#
'esistansi masukan "G rendah
.en#uatan te#an#an pen#uat "G (ebih keci( dibandin#kan "S
den#an faktor )1 R I
(
F
siI
,
.erhatikan #ambar )c,<pen#uat "G dicatu den#an sumber arus sin$a( i
siI
$an#
mempun$ai resistansi da(am F
siI.
Mni ada(ah ran#kaian eki3a(en orton dari sumber
sin$a( $an# dipakai pada #ambar )a,.
I
Gambar 18)c,. .en#uat common #ate dicatu den#an sin$a( masukan
i
i
i
si
I
F
siI
F
siI
+ F
i
i
siI
F
F
siI
+
1
siI
(
F
siI
SS 1CI
(
5 jadi
i
i

i
si I
'an#kaian mempun$ai resistansi masukan $an# re(atif keci(5 I
(
5 ke sumber arus
sin$a( masukan5 sehin##a men#hasi(kan peredaman sin$a( $an# san#at keci(
pada masukan. MOSFET akan men#hasi(kan kemba(i
arus ini pada termina( drain pada resistansi ke(uaran $an# (ebih tin##i. 'an#kaian
berperan seba#ai pen#uat arus pen#uatan tun##a( )unit$%#ain current amp(ifier,
atau current fo((oBer. Mni(ah pemakaian "G $an# pa(in# popu(er $an# dapat dipakai
pada ran#kaian cascode.
.en##unaan (ainn$a dari "G< memanfaatkan kinerjan$a pada
frekuensi tin##i5
'esistansi masukan $an# keci( dapat merupakan keuntun#an da(am pemakaian
pada frekuensi san#at tin##i5 dimana hubun#an sin$a( masukan dapat disamakan
den#an sebuah sa(uran transmisi dan 1CI
(
resistansi masukan dari pen#uat "G
dapat berfun#si
seba#ai resistansi terminasi dari sa(uran transmisi.
.en#uat "ommon%0rain atau Source%Fo((oBer
Mnput< antara #ate dan drain
Output< antara source dan drain
Gambar 19)a, .en#uat common drain atau source
fo((oBer
&arena drain berfun#si seba#ai #round dari sin$a(5 maka tidak ada F
D.
Sin$a(
masukan dihubun#kan ke #ate MOSFET me(a(ui C
C2
dan ke(uaran pada source
MOSFET dihubun#kan ke resistor beban F
0
me(a(ui C
C/
.
&arena F
0
terhubun# seri den#an termina( source5 maka ran#kaian pen##anti
mode( T $an# di#unakan5 seperti $an# ter(ihat pada #ambar 19)b,
Gambar 19)b, 'an#kaian pen##anti sin$a( keci(
F
i
F
G
v
i
v
si
I
F
i
F
i
+ F
siI
v
siI
F
G
F
G
+ F
siI
F
G
>> F
siI
v
i
v
siI
1
1
v
o
v
i
F
0
CC &
o
(F
0
CC &
o
)
+
I
(
6
v

F
0
CC &
o
(F
0
CC &
o
)
+
I
(
6
vo

&
o
1
&
o
+
I
(
Giasan$a &
o
SS 1CI
(
5 sehin##a pen#uatan te#an#an hubun# terbuka dari #ate
ke source5 6
vo
5 hampir sama den#an satu )unit$,. 6adi te#an#an pada source
men#ikuti te#an#an pada #ate. O(eh karena itu ran#kaian ini ju#a disebut source
fo((oBer.
.ada ran#kaian diskrit5 &
o
>>F
05
jadi<
6
V

F
0
1
F
0
+
I
(
I
Gambar 19)c, ana(isis ran#kaian $an# di(akukan
(an#sun# pada ran#kaian source fo((oBer
.en#uatan te#an#an men$e(uruh<
F
G
G
v

F
0
CC &
o
F
G
+ F
siI
1
F
0
CC &
o
+
(
G
v
mendekati satu untuk F
G
>>F
siI
5 &
o
>>1CI
(
dan &
o
>>F
0
Gambar 19)d, 'an#kaian untuk menentukan resistansi
ke(uaran F
oJt
F
oJt
1
CC &
o
I
(
1
&
o
>> 1 I
(
F
oJt

I
(
Aa(aupun source%fo((oBer mempun$ai umpan ba(ik da(am $an# besar5 F
i
tidak
ter#antun# dari F
0
)F
i
= F
i
, dan F
oJt
tidak ter#antun# dari F
siI
)F
o
= F
oJt
,.
&esimpu(an<
Source fo((oBer mempun$ai<
2 'esistansi masukan $an# san#at besar
2 'esistansi ke(uaran $an# re(atif keci(
2 .en#uatan $an# mendekati satu
0ipakai seba#ai JitP-Iai vo+taI$ NJ@@$& a(#+i@i$& $aitu men#hubun#kan
sumber sin$a( te#an#an $an# mempun$ai besaran $an# cukup besar tetapi
mempun$ai resistansi da(am $an# san#at tin##i ke resistansi beban $an#
rendah.
0ipakai seba#ai tin#kat ke(uaran pada pen#uat bertin#kat $an# fun#sin$a
memberikan pen#uat secara kese(uruhan resistansi ke(uaran $an# rendah
sehin##a memun#kinkan untuk mencatu arus beban $an# besar tanpa
men#hi(an#kan pen#uatan.
'in#kasan dan .erbandin#an &arakteristik .en#uat
0Mskrit MOS Satu Tin#kat
"ommon Source
F
i
F
G
6
v

I
(
(&
o
CC F
D
CC F
0
)
F
oJt
&
o
CC F
D
FG
G
v

F
G
+ F
siI
I
(
(&
o
CC F
D
CC F
0
)
"ommon Source den#an 'esistansi Source
&
o
diabaikan<
F
i
F
G
6
v

F
D
CC F
0

I
(
F
D
CC F
0
F
oJt
1
I
(
F
D
+ F
S
1+ I
(
F
S
F
G
G
v

I
(
F
D
CC F
0
v
Is

F
G
+ F
s iI
1
1+ I
(
F
S
v
i
1+ I
(
F
S
11*
111
"ommon Gate
&
o
diabaikan<
1
F
i
6
v

I
(
I
(
(F
D
CC F
0
)
F
oJt
F
D
1
G
v

1+ I
(
F
siI
I
(
(F
D
CC F
0
)
I
I
"ommon%0rain atau Source Fo((oBer
F
i
F
G
6
v

&
o
CC F
0
1
&
o
CC F
0
+
(
F
oJt
1
&
o
CC
I
(
F
G
G
v

&
o
CC F
0
F
G
+ F
s iI
1
&
o
CC F
0
+
(
&esimpu(an<
1. &onfi#urasi "S ada(ah konfi#urasi $an# terbaik untuk
mendapatkan pen#uatan $an# besar.
!. 0en#an adan$a '
S
pada source5 "S mendapatkan berba#ai
perbaikan5 antara (ain penambahan (ebar bidan# frekuensi5 tetapi
pen#uatann$a akan berkuran#
-. .en#uat "G mempun$ai resistansi masukan $an# keci(5 kinerja $an#
baik seka(i pada frekuensi tin##i dan pen#uatan tun##a( )unit$ #ain,.
Gan$ak dipakai pada pen#uat cascode.
1. .emakaian source fo((oBer atau "0 ada(ah seba#ai buffer te#an#an
$an# men#hubun#kan sumber den#an resistansi tin##i ke beban $an#
mempun$ai resistansi rendah dan seba#ai tin#kat ke(uaran dari
pen#uat bertin#kat.
"MOS 0i#ita( Eo#ic Mn3erter
Gambar 1; Mn3erter "MOS
Mn3erter "MOS terdiri dari ! jenis MOSFET enchancement $an# matched5 H
=
dari jenis n dan H
;
dari jenis #. God$ dari masin#%masin# transistor
dihubun#kan ke masin#%masin# source sehin##a tidak
ada bod$%effect
"ara &erja 'an#kaian
Gambar 1? "ara kerja in3erter "MOS jika v
i
tin##i
)a, 'an#kaian den#an v
i
= V
DD
)(e3e( (o#ika 1,
)b, &onstruksi #rafis untuk menentukan titik kerja
)c, 'an#kaian pen##anti.
Gambar 1? menunjukkan keadaan ketika v
i
= V
DD
5 ter(ihat kur3a karakteristik
untuk H
=
den#an v
GS=
= V
DD
)i
D
= i dan v
DS=
= v
1
., .ada kur3a karakteristik
H
=
ditumpan#kan kur3a beban5 $aitu kur3a i
D
v
SD
dari H
;
untuk kasus v
SG;
7
* D.
&arena v
SG;
I _V
t
_5 kur3a beban merupakan #aris (urus horiaonta( den#an (e3e(
arus hampir no(. Titik kerja
ada(ah perpoton#an antara kedua kur3a. Ter(ihat bahBa te#an#an ke(uaran hampir
no( ) I 1* mD, dan arus $an# me(a(ui kedua di3ais ju#a hampir no(. Mni berarti
disipasi da$a pada ran#kaian keci( seka(i )I 1 QA,
"atatan< Ba(aupun H
=
bekerja den#an arus hampir no( dan te#an#an drain%source
ju#a no(5 titik kerja berada pada se#men $an# tajam pada kur3a karakteristik i
D
2
v
DS
. Sehin##a H
=
men$ediakan ja(ur beresistansi rendah
antara termina( ke(uaran dan #round. Gesarn$a
resistansi tersebut ada(ah

F

W
_
1
&
DS=
1

!

(V
DD
V
t
)
1


0
,
]
Gambar 1?)c, menunjukkan ran#kaian eki3a(en dari in3erter jika masukan
tin##i.
v
1
5 V
10
7 * D dan disipasi da$a 7 *
Gambar 1@ "ara kerja in3erter "MOS jika v
i
rendah
)a, 'an#kaian den#an v
i
7 * D )(e3e( (o#ika *,
)b, &onstruksi #rafis untuk menentukan titik kerja
)c, 'an#kaian pen##anti.
11;
11?
#
(V
Gambar 1@ menunjukkan keadaan ketika v
i
7 * D. &arakteristik i
D
v
DS
n$a
hampir merupakan #aris (urus horiaonta( den#an (e3e( arus hampir no(. &ur3a beban
ada(ah karakteristik i
D
v
SD
dari di3ais kana( 2p den#an
v
SG;
= V
DD
. Ter(ihat pada #ambar5 pada itik kerja
te#an#an ke(uaran hampir sama den#an V
DD
) 1* mD
(ebih rendah dari V
DD
, dan arus $an# me(a(ui kedua
di3ais ju#a hampir no(. Mni berarti disipasi da$a pada
ran#kaian keci( seka(i )I 1 QA,
0i sini H
;
men$ediakan ja(ur beresistansi rendah antara termina( ke(uaran dan
catu dc V
DD
. Gesarn$a resistansi tersebut ada(ah
W _ 1
&
DS;
1

!
F

0

DD
,
#
V
t#
)
1
1
]
Gambar 1@)c, menunjukkan ran#kaian eki3a(en dari
in3erter jika masukan rendah.
v
1
5 V
1Q
= V
DD
dan disipasi da$a 7 *
H
=
disebut ju#a #J++ do* di3ais karena dapat menarik arus beban $an# re(atif
besar5 sehin##a menarik te#an#an ke(uaran turun menuju no(
H
;
disebut ju#a #J++ J# di3ais karena dapat memberikan arus beban $an# re(atif
besar5 sehin##a menarik te#an#an ke(uaran naik menuju V
DD
&esimpu(an<
1.Te#an#an ke(uaran ada(ah * dan V
DD
5 jadi simpan#an
sin$a( maksimum T noise mar#in $an# (ebar.
!. 0isipasi da$a statik untuk kedua keadaan sama den#an no(
-. /da ja(ur antara termina( ke(uaran den#an #round )pada keadaan ke(uaran
rendah, dan den#an V
DD
)pada keadaan ke(uaran tin##i,. 6a(ur beresistansi rendah
ini menjamin bahBa te#an#an ke(uaran * D dan V
DD
tidak ter#antun# har#a
perbandin#an WC0 atau parameter di3ais (ainn$a. 'esistansi ke(uaran $an# rendah
membuat in3erter kuran# sensitif terhadap efek derau
dan #an##uan (ainn$a.
1. 0i3ais pu((%up dan pu((%doBn memberikan in3erter
kemampuan dri3in# $an# tin##i pada kedua keadaan.
8. 'esistansi masukan in3erter ada(ah tidak terhin##a )i
G
7 *,. 6adi in3erter dapat men%dri3e sejum(ah in3erter
sejenis tanpa berkuran#n$a (e3e( sin$a(5 tetapi akan mempen#aruhi kecepatan
Baktu perubahan )sBitchin# time,.

#
The Do(ta#e Transfer "haracteristic
4ntuk H
=
i

!
F

W
_
[(v V )v

1
v
!
]
untuk v
v V
D= 7
,

t 1
!
1 1 7 t
i

1
!
F

W
_
(
v

V
)
!
untuk v
v V
D=
!


0
,
7 t
1 7 t
4ntuk H
;
i

!
F

W
_
[(V v V )(V
v
)

1
(
V

v
)
!
]
D; # DD 7
,
#
t# DD 1
untuk
!
DD
v
1
v
7
1
V
t#
i

1
!
F

W
_
(
V

V
)
!
untuk v
v V
D;
!
#

0
,
DD 7 t#
1 7 t#
Mn3erter "MOS biasan$a dirancan# untuk mempun$ai
V
t
7 _V
t#
_ 7 V
t
dan !

"
(W30)

= !
#
"
(W30)
#
.
"atatan< Q
p
7 *5- 2 *58 E

5 jadi untuk membuat !"(W30) kedua di3ais sama5 maka

(ebar di3ais kana( 2p dibuat dua atau ti#a ka(i (ebar di3ais kana( 2n.
W
#

#
0en#an !"(W30) kedua di3ais sama maka in3erter akan mempun$ai karakteristik
transfer $an# simetris dan kemampuan current%dri3in# $an# sama untuk kedua arah
)pu((%up dan pu((%doBn,
0en#an H
=
dan H
;
matched5 in3erter "MOS mempun$ai DT" seperti pada
#ambar 8*. Seperti $an# ter(ihat5 kur3a DT" mempun$ai 8 se#men $an#
berhubun#an den#an kombinasi mode operasi $an#
berbeda.dari H
=
dan H
;
.
Se#men G"< H
=
dan H
;
bekerja pada daerah jenuh. &arena resistansi ke(uaran
pada keadaan jenuh $an# terbatas diabaikan5 maka in3erter mempun$ai pen#uatan
tidak terhin##a pada se#men ini.
0ari sifat simetris5 se#men 3ertika( terjadi pada v
7
= V
DD
3/
dan batas%batasn$a ada(ah v
1
(>) = V
DD
3/ ) V
t
dan v
1
(C)
= V
DD
3/ - V
t
Gambar 8*. Do(ta#e Transfer "haracteristic dari
Mn3erter "MOS
!
!
(8V
(-

Se(ain V
10
dan V
1Q
5 ada dua titik (a#i pada kur3a $an# menentukan noise
mar#in dari in3erter5 $aitu5 V
70
dan V
7Q
. &edua titik ini didefinisikan seba#ai titik
di mana pen#uatan sama den#an satu.
4ntuk menentukan V
7Q
< H
=
pada daerah trioda dan H
;
pada daerah jenuh.
(v
7
V
t
)v
1
!
v
1
!
(V
DD
v
7
V
t
)
(v
7
V
t
)
dv
1
dv
7
+ v
1
v
1
dv
1
dv
7
(V
DD
v
7
V
t
)
v
7
V
7Q
v
1
V
7Q
dan dv
1

V
DD
!
dv
7
1
v
7
V
7Q
dan v
1
dari pers am aandi atas
V
7Q
1
?
DD
!V
t
)
V
70
dapat ditentukan den#an cara $an# sama5 sehin##a dipero(eh persamaan
simetris<
V
7Q

V
DD
!

V
DD
!
V
70
V
70
1
?
DD
+ !V
t
)
(8V
(-V
(-V
(-V

oise mar#in dapat ditentukan seba#ai berikut<

=<
Q
V
1Q
V
7Q
V
DD 1
?
DD
!V
t
)
1
?
DD
+ !V
t
)
=<
0
V
i0
V
10
1
?
DD
1
?
DD
+ !V
t
) *
+ !V
t
)
6adi5 DT" $an# simetris men#hasi(kan noise mar#in $an# sama.
6ika H
=
dan H
;
tidak matched5 DT" tidak akan simetris
dan noise mar#in tidak akan sama.
Operasi dinamik
&ecepatan operasi sebuah sistem di#ita( ditentukan o(eh Baktu tunda propa#asi dari
#erban# (o#ika $an# di#unakan untuk membuat sistem tersebut.
&arena in3erter ada(ah #erban# (o#ika dasar dari tekno(o#i M" di#ita(5 Baktu
tunda propa#asi in3erter merupakan parameter dasar da(am menentukan
karakteristik tekno(o#i M".
Gambar 81 Operasi dinamik dari in3erter "MOS den#an beban kapasitif
)a, ran#kaian
)b, #e(omban# masukan dan ke(uaran
)c, Tra$ektori dari titik kerja bi(a input menuju (e3e( tin##i dan kapasitor dikoson#kan
)dischar#e, me(a(ui H
=
)d, 'an#kaian eki3a(en se(ama kapasitor dikoson#kan.
.ada #ambar 81)a, kapasitor C merupakan jum(ah kapasitor da(am H
=
dan H
;
5
kapasitor kaBat interkoneksi antara ke(uaran in3erter dan masukan dari
#erban# (o#ika (ainn$a dan kapasitor masukan tota( dari beban ini.
/sumsikan in3erter mempun$ai masukan pu(sa idea( )Baktu naik dan turun
sama den#an no(, dan in3erter simetris.

0
Gambar 81)c, menunjukkan tra$ektori titik kerja pada saat pu(sa masukan naik
dari V
10
7 * D ke V
1Q
= V
DD
pada Baktu t 7 *.
.ada saat t 7 *%5 te#an#an ke(uaran sama den#an V
DD
dan kapasitor terisi
)char#ed, sampai te#an#an V
DD
. .ada t 7 *5 v
7
naik menuju V
DD
G H
;
off. 0ari
sini ran#kaian eki3a(en seperti pada #ambar 8*)d, den#an har#a aBa( v
1
= V
DD
.
6adi titik kerja pada t 7 *R ada(ah titik E5 dimana H
=
pada keadaan jenuh dan
men#a(irkan
arus $an# besar. &etika C dikoson#kan5 arus pada H
=
tetap konstan sampai v
1
= V
DD
V
t
)titik F,.
Sebutkan ba#ian se(an# pen#oson#an ini t
;Q02
<
C[V
(V V )]
t

DD DD t
;Q01
1
!
F

W
_
(
V
V
)
!


0
,
DD t

CV
t
1
!
F

W
_
(
V

V
)
!


0
,
DD t
Sete(ah titik F5 H
=
bekerja pada daerah trioda sehin##a arus sama den#an
i

!
F

W
_
[(v V )v

1
v
!
]
D= 7
,

t 1
!
1

!
!

1 1

Ga#ian se(an# pen#oson#an ini dapat din$atakan seba#ai<

i
D=
dt Cdv
1
Ganti i
D=
den#an persamaan sebe(umn$a dan susun kemba(i persamaan
diferensia(5 dipero(eh<
!
F

W
_

0
,

dt
C
(V
DD
1
V
t
)
dv
1
1
v
!

v
!(V
DD
V
t
)
4ntuk mendapatkan komponen Baktu tunda t
;Q0
pada saat v
1
menurun dari
)V
DD
V
t
, ke titik 8*\5 v
1
= V
DD
C!5 intre#rasikan kedua sisi persamaan. Sebut(ah
komponen Baktu tunda ini t
;Q0/
.

W
_





0
,

1
v
1
V
DD
!
dv
1
C
t
;Q0!
(V
DD V
t )

v
1V
D
D
V
t
!(V
1

V )

v
1
v
1
DD t
Gunakan
dx

1
_

ax
!
x
(n

ax
,
6adi<
t
C

-V
DD

1V
t
_
;Q0!

!
F
(
W
0) (V
V
)

(n
V

DD t DD ,
6um(ahkan kedua komponen t
;Q0
5 maka dipero(eh<
t
!C

V
t 1

-V
DD

1V
t
_
1
;Q
0

!
F
(
W
0) (V

V
)

V
+
!
(n
V

1

DD
t

V
DD t DD ,
]
Giasan$a D
t
b *5! D
00
. maka
t

159C

( )
DD
;Q0
!
F
W 0 V
0en#an cara $an# sama akan dipero(eh t
;0Q
<
t

159C
#
( )
# DD
;0Q
!
F
W 0 V
Aaktu tunda propa#asi sama den#an har#a rata%rata dari t
;Q0
dan t
;0Q
4ntuk mendapatkan Baktu tunda propa#asi $an# rendah5 $an# berarti kecepatan
operasi $an# (ebih tin##i<
%C harus minimum
%Gunakan parameter transkonduktansi proses !" $an# (ebih tin##i
%.erbandin#an W30 dari transistor harus (ebih besar
%V
DD
harus (ebih tin##i.
/(iran arus dan disipasi da$a
Gambar 8!.&ur3a arus%te#an#an masukan pada in3erter
"MOS
.ada saat in3erter "MOS berpindah posisi5 arus men#a(ir me(a(ui hubun#an seri H
=
dan H
;
. Gambar 8! menunjukkan arus seba#ai fun#si dari te#an#an 3
M
.
/rus mencapai puncakn$a pada te#an#an amban# perpindahan )sBitchin# thresho(d,5
V
t'
= v
7
= v
1
= V
DD
C!. /rus ini men$ebabkan disipasi da$a dinamik da(am in3erter
"MOS. Tetapi5 komponen $an# (ebih pentin# dari disipasi da$a dinamik ada(ah dari
arus $an# men#a(ir pada H
=
dan H
;
pada saat in3erter diberi beban sebuah
kapasitor C.
.erhatikan #ambar 81)a,<
.ada t 7 *%5 v
1
= V
DD
dan ener#i $an# tersimpan pada
!
kapasitor ada(ah V V
DD .
.ada t 7 *5 v
7
naik menuju V
DD
, H
;
off dan H
=
on.
Transistor H
=
men#oson#kan kapasitor5 dan pada akhir
se(an# pen#oson#an5 te#an#an kapasitor akan berkuran#
menuju no(. 6adi se(ama se(an# pen#oson#an5 ener#i
/
RV
DD
hi(an# dari kapasitor " dan didisipasikan pada
transistor H
=
.
.ada seten#ah perioda (ainn$a ketika v
7
turun menuju
no(. Transistor H
=
off dan H
;
on dan men#isi kapasitor.
/rus $an# dicatu o(eh H
;
pada C ada(ah i $an# datan#
dari catu da$a V
DD
. 6adi ener#i $an# diambi( dari catu
da$a se(ama perioda pen#isian<
DD
DD
D DD

V
DD
idt

V
DD

idt
V
DD
H
H 7 muatan $an# disup(ai ke kapasitor.
H = CV
DD
6adi ener#i $an# diambi( dari catu da$a sama den#an
!
CV
DD
. .ada akhir se(an# pen#isian5 te#an#an kapasitor
akan menjadi V
DD
5 jadi ener#i $an# tersimpan pada
!
kapasitor menjadi VCV
DD
Se(ama se(an# pen#isian5
!
seten#ah ener#i $an# diambi( dari catu da$a5 VCV
DD
5
didisipasikan pada H
;
.
0ari penje(asan di atas ter(ihat pada setiap perioda
VCV
!
5 didisipasikan pada H
=
dan VCV
!
didisipasikan pada H
;
.
6ika in3erter berpindah kondisi den#an kecepatan @
sik(us per detik5 maka disipasi da$a dinamik<
; @CV
!
Frekuensi kerja berkaitan den#an Baktu tunda propa#asi. Makin rendah Baktu tunda
propa#asi5 makin tin##i frekuensi kerja ran#kaian dan makin tin##i disipasi da$a pada
ran#kaian.
Sa(ah satu ni(ai $an# men#ukur kua(itas ran#kaian ada(ah de(a$%poBer product )D;,
D; = ;
D
t
#
Wjou(eX
D; biasan$a konstan untuk ran#kaian di#ita( den#an tekno(o#i tertentu dan
dapat dipakai untuk membandin#kan tekno(o#i $an# berbeda.
Makin keci( har#a D; makin efektif tekno(o#i $an# di#unakan.
D; ada(ah ener#i $an# didisipasikan pada satu sik(us kerja. 6adi untuk "MOS
dimana hampir semua disipasi
/
da$a ada(ah dinamik5 D; = CV
DD
.
#
(V
#
DD
#
t

'in#kasan karakteristik pentin# dari sebuah in3erter (o#ika "MOS
'esistansi ke(uaran #erban#
&etika v
1
rendah

F

W
_
1
&
DS=
1

!

(V
DD
V
t
)
1

&etika v
1
tin##i

0
,
]
W _ 1
&
DS;
1

!
F

0

DD
,
#
V
t#
)
1
1
]
Te#an#an amban# #erban#
Titik pada DT" dimana v
7
= v
1
V
t'
& (V

!
F
(W
V
t#
1+ &
0)
) + V
&

!
F
(W 0)

DD
(-
V
(8
V
(-
V
F
0) V
F
0) V

!
!
!
D

/rus perpindahan dan da$a disipasi

7

1
!
F

W _

V
_

DD
V

#$a!


0
t
,

,
; @CV
!
oise mar#in
4ntuk di3ais $an# matched5 $aitu

W
_

W
_

#

0

V
t'
V
DD
!

,

,
#
V
70
V
7Q
1
?
DD
1
?
DD
+ !V
t
)
!V
t
)
=<
Q
=<
0
1
?
DD
+ !V
t
)
Aaktu tunda propa#asi
4ntuk V
t
b *5! V
DD
t

159C
;Q0
!

(W
DD
t

159C
;0Q
!
#
(W
# DD
MOSFET 6enis 0ep(etion
Gambar 8-)a,<Eamban# MOSFET jenis dep(etion Gambar 8-)b, Eamban#
MOSFET jenis dep(etion den#an substrate terhubun# ke source
MOSFET 6enis 0ep(etion
MOSFET jenis dep(etion mempun$ai struktur $an# mirip den#an jenis
enchancement den#an satu perbedaan utama $aitu MOSFET jenis dep(etion
mempun$ai kana( $an# secara fisik dibuat pada substrate5 6adi tidak per(u
men#induksi kana(5 artin$a tanpa ada 3
GS
5 arus i
0
akan men#a(ir jika ada
3
0S
.
&eda(aman kana( dan kondukti3itasn$a dapat dikenda(ikan o(eh 3
GS
. 6ika 3
GS
positif5 kana( akan semakin kuat den#an menarik e(ektron (ebih ban$ak5 jika
3
GS
ne#atif5 kana( akan semakin dan#ka( dan kondukti3itasn$a menurun.
Te#an#an 3
GS
ne#atif men#uran#i )dep(ete, pembaBa muatan pada kana( dan
mode ini disebut dep(etion mode.
Semakin ne#atif 3
GS
5 semakin berkuran# pembaBa muatan pada kana(5
sehin##a mencapai har#a dimana kana( kehabisan semua pembaBa muatann$a
dan i
0
sama den#an no( Ba(aupun 3
0S
tetap ada. :ar#a ini ada(ah har#a
te#an#an amban# untuk MOSFET kana(
2n jenis dep(esi.
MOSFET jenis dep(etion dapat bekerja da(am mode
enchancement den#an memasan#kan te#an#an 3
GS
positif dan da(am mode
dep(etion den#an memasan#kan 3
GS
ne#atif. &arakteristik i
0
2 3
0S
n$a mirip
den#an karakteristik i
0
2 3
0S
han$a kana( 2n jenis
dep(etion mempun$ai D
t
ne#atif.
Gambar 81)a, Transistor den#an po(aritas arus dan te#an#an seperti $an#
tertera
Gambar 81)b, karakteristik i
D
v
DS
Gambar 81)c, i
D
v
DS
pada keadaan jenuh baik da(am
mode kerja dep(etion dan enchancement.
Gambar 81)b, ada(ah karakteristik i
0
2 3
0S
dari MOSFET
kana( 2n jenis dep(etion den#an D
t
7 % 1 D dan k
n
)ACE,
7 ! m/CD
!
.
MOSFET jenis dep(etion akan bekerja<
di daerah trioda se(ama te#an#an drain tidak me(ebihi te#an#an #ate seban$ak
pa(in# sedikit _D
t
_
di daerah jenuh jika te#an#an drain (ebih tin##i dari
te#an#an #ate seban$ak pa(in# sedikit _Dt_
Gambar 81)c, menunjukkan karakteristik i
0
2 3
0S
pada
keadaan jenuh baik da(am mode kerja dep(etion dan
enchancement.
&arakteristik arus 2 te#an#an dari MOSFET jenis
dep(etion sama seperti karakteristik MOSFET jenis
enchancement5 han$a untuk MOSFET kana( 2n jenis
dep(etion D
t
ne#atif. 0an har#a M
0
mencapai jenuh pada 3
GS
7 *
7

1 !
F
W
!
DSS !

0
V
t
MOSFET jenis dep(etion dapat dibuat pada chip $an#
sama seperti di3ais jenis enchancement.
Transistor .MOS jenis dep(etion mempun$ai cara kerja seperti MOS han$a saja
semua te#an#ann$a mempun$ai po(aritas $an# ber(aBanan den#an te#an#an pada
MOS. 0an pada di3ais kana( 2p arus men#a(ir
dari source ke drain.
Gambar 88 Ee3e( te#an#an re(atif pada termina(
transistor MOS jenis dep(etion
Gambar 89. Sketsa karakteristik i
0
2 3
0S
untuk transistor
MOSFET jenis dep(etion dan enhancement