Los diodos varactores son capacitores de semiconductores cuyas capacitancia puede variar según el voltaje aplicado. Su capacitancia depende del ancho de la región de agotamiento en la unión p-n, el cual aumenta con el voltaje de polarización inversa, reduciendo así la capacitancia. Los diodos varactores se usan comúnmente en aplicaciones de alta frecuencia como moduladores FM y filtros pasabandas ajustables debido a que pueden cambiar su capacitancia rápidamente.
Los diodos varactores son capacitores de semiconductores cuyas capacitancia puede variar según el voltaje aplicado. Su capacitancia depende del ancho de la región de agotamiento en la unión p-n, el cual aumenta con el voltaje de polarización inversa, reduciendo así la capacitancia. Los diodos varactores se usan comúnmente en aplicaciones de alta frecuencia como moduladores FM y filtros pasabandas ajustables debido a que pueden cambiar su capacitancia rápidamente.
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Los diodos varactores son capacitores de semiconductores cuyas capacitancia puede variar según el voltaje aplicado. Su capacitancia depende del ancho de la región de agotamiento en la unión p-n, el cual aumenta con el voltaje de polarización inversa, reduciendo así la capacitancia. Los diodos varactores se usan comúnmente en aplicaciones de alta frecuencia como moduladores FM y filtros pasabandas ajustables debido a que pueden cambiar su capacitancia rápidamente.
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Los diodos varactores, también llamados varicap, VVC (capacitancia
variable con el voltaje) son capacitores de semiconductores variables y dependientes del voltaje. Su modo de operación depende de la capacitancia que existe en la unión p-n cuando el elemento se polariza de forma inversa. Bajo condiciones de polarización inversa se estableció que existe una región de carga no cubierta sobre ambos lados de la unión, que junto con las regiones forman la región de agotamiento y define el ancho del agotamiento Wd. La capacitancia de transición (CT) establecida por las cargas aisladas no cubiertas está determinada por:
CT=εAWd
Donde ε es la permitividad de los materiales semiconductores, A es el
área de la unión p-n y Wd es el ancho de agotamiento. Conforme el potencial de polarización inversa se incrementa, el ancho de la región de agotamiento se incrementa, lo que a su vez reduce la capacitancia de transición. En la figura 19.7 se presentan las características de un diodo varicap típico, disponible comercialmente. Observe el declive agudo inicial en CT con el incremento en la polarización inversa. El rango normal de VR para los diodos VVC se limita a cerca de 20V. En términos de la polarización inversa aplicada, la capacitancia de transición está dada de forma aproximada por:
CT=KVT+VRn
Donde K = constante determinada por el material semiconductor y la
técnica de fabricación VT = potencial en punto de inflexión VR = magnitud del potencial de polarización inversa aplicado n = ½ para uniones de aleación y 1/3 para uniones de difusión En términos de la capacitancia en la condición de cero polarización C(0), la capacitancia como una función de VR está dada por:
CTVR=C(0)1+VRVTn
En la figura 19.8 se muestran los símbolos que se utilizan con mayor
frecuencia para el diodo varicap, así como una primera aproximación a su circuito equivalente en la región de polarización inversa.
Dado que nos encontramos en esta región de polarización inversa, la
resistencia en el circuito equivalente es muy grande en magnitud (por lo regular de 1MΩ o mayor), mientras que RS la resistencia geométrica del diodo, es, como se señala en la figura 19.8 muy pequeña. La magnitud de CT variará desde cerca de 2 hasta 100 pF, según el varicap considerado. Para asegurar que RR es lo más grande posible (para un mínimo de corriente de fuga), se utiliza normalmente silicio en los diodos varicap. EL hecho de que el dispositivo se utilizará a frecuencias muy altas requiere que se incluya la inductancia Ls incluso cuando ésta se mida en nanohenrios. Recuerde que XL =2πfL y una frecuencia de 10 GHz dará por resultado que XLS = 2πfL = (6.28)(1010 Hz)(10-9F)= 62.8Ω. Obviamente existe un límite de frecuencia asociado con el uso de cada diodo varicap. Al asumir el rango de frecuencia apropiado y un valor bajo para R S y XLS en comparación con los otros elementos en serie, entonces el circuito equivalente para el varicap de la figura 19.8.a puede remplazarse sólo por el capacitor variable. La hoja de especificaciones completas y sus curvas características se presentan en las figuras 19.9 y 19.10, respectivamente. La relación C3/C25 en la figura 19.9 es la proporción de los niveles de capacitancia a los potenciales de polarización inversa de 3 y 25 V, ésta proporciona un rápido estimado acerca de qué tanto cambiará la capacitancia con el potencial de polarización inversa. La figura de mérito es una cantidad de consideración en la aplicación del dispositivo y es una medida de la relación de energía almacenada por el dispositivo capacitivo por ciclo a la energía disipada (o perdida) por ciclo. Dado que la pérdida de energía rara vez se considera como un atributo positivo, mientras mayor sea su valor relativo será mejor. La frecuencia resonante del dispositivo se encuentra determinada por fo=12πLC y afecta el rango de aplicación del dispositivo. En la figura 19.10 la mayoría de las cantidades se explican por sí mismas, sin embargo el coeficiente de de temperatura de capacitancia está defino por:
TCC=∆CC0(T1-T0)x 100%
Donde ∆C es el cambio en la capacitancia debido al cambio de
temperatura T1-T0 y C0 es la capacitancia a T0 para un potencial particular de polarización inversa. Por ejemplo la figura 19.9 indica que C0 = 29pF con VR = 3V y T0 = 25ºC. un cambio en la capacitancia ∆C se podría entonces determinar por la ecuación ya menciona simplemente al sustituir la nueva temperatura T1 y el TCC como lo determina la gráfica (=0.013). Para un VR nuevo, el valor de TCC cambiará en consecuencia. De regreso a la figura 19.9 observe que la frecuencia máxima que aparece es 600 MHz. A esta frecuencia, XL = 2πfL = (6.28)(600x106 Hz)(2.5x10-9F)= 9.42Ω, normalmente una cantidad suficientemente pequeña para ser ignorada. Algunas de las áreas de aplicación de alta frecuencia (según la definen los bajos niveles de capacitancia) incluyen modulares de FM, dispositivos de control automático de frecuencia, filtros pasabandas ajustables y amplificadores paramétricos.