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diodo varactor

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DIODOS VARACTORES (VARICAP)Los diodos varactores, también llamados varicap, VVC (capacitanciavariable con el voltaje) son capacitores de semiconductores variablesy dependientes del voltaje. Su modo de operación depende de lacapacitancia que existe en la unn p-n cuando el elemento sepolariza de forma inversa. Bajo condiciones de polarización inversa seestableció que existe una región de carga no cubierta sobre amboslados de la unión, que junto con las regiones forman la región deagotamiento y define el ancho del agotamiento W
d
. La capacitanciade transición (C
 T
) establecida por las cargas aisladas no cubiertasestá determinada por:
CT=εAWd
Donde ε es la permitividad de los materiales semiconductores, A es elárea de la unión p-n y W
d
es el ancho de agotamiento.Conforme el potencial de polarización inversa se incrementa, el anchode la región de agotamiento se incrementa, lo que a su vez reduce lacapacitancia de transición. En la figura 19.7 se presentan lascaracterísticas de un diodo varicap típico, disponible comercialmente.Observe el declive agudo inicial en C
 T
con el incremento en lapolarización inversa. El rango normal de V
R
para los diodos VVC selimita a cerca de 20V. En términos de la polarización inversa aplicada,la capacitancia de transición está dada de forma aproximada por:
CT=KVT+VRn
Donde K = constante determinada por el material semiconductor y latécnica de fabricaciónV
 T
= potencial en punto de inflexiónV
R
= magnitud del potencial de polarización inversa aplicadon = ½ para uniones de aleación y 1/3 para uniones de difusión
 
En términos de la capacitancia en la condición de cero polarizaciónC(0), la capacitancia como una función de V
R
está dada por:
CTVR=C(0)1+VRVTn
En la figura 19.8 se muestran los símbolos que se utilizan con mayorfrecuencia para el diodo varicap, así como una primera aproximacióna su circuito equivalente en la región de polarización inversa.Dado que nos encontramos en esta región de polarización inversa, laresistencia en el circuito equivalente es muy grande en magnitud (porlo regular de 1MΩ o mayor), mientras que R
S
la resistencia geométricadel diodo, es, como se señala en la figura 19.8 muy pequeña. Lamagnitud de C
 T
variadesde cerca de 2 hasta 100 pF, sen elvaricap considerado. Para asegurar que R
R
es lo más grande posible(para un mínimo de corriente de fuga), se utiliza normalmente silicioen los diodos varicap. EL hecho de que el dispositivo se utilizará afrecuencias muy altas requiere que se incluya la inductancia L
s
inclusocuando ésta se mida en nanohenrios. Recuerde que X
L
=2πfL y unafrecuencia de 10 GHz dará por resultado que X
LS
= 2πfL = (6.28)(10
10
Hz)(10
-9
F)= 62.8Ω. Obviamente existe un mite de frecuenciaasociado con el uso de cada diodo varicap.Al asumir el rango de frecuencia apropiado y un valor bajo para R
S
yX
LS
en comparación con los otros elementos en serie, entonces elcircuito equivalente para el varicap de la figura 19.8.a puederemplazarse sólo por el capacitor variable. La hoja de especificacionescompletas y sus curvas características se presentan en las figuras19.9 y 19.10, respectivamente. La relación C
3
/C
25
en la figura 19.9 esla proporción de los niveles de capacitancia a los potenciales depolarización inversa de 3 y 25 V, ésta proporciona un rápido estimadoacerca de qué tanto cambiará la capacitancia con el potencial depolarización inversa. La figura de mérito es una cantidad deconsideración en la aplicación del dispositivo y es una medida de larelación de energía almacenada por el dispositivo capacitivo por cicloa la energía disipada (o perdida) por ciclo. Dado que la pérdida deenergía rara vez se considera como un atributo positivo, mientrasmayor sea su valor relativo será mejor. La frecuencia resonante deldispositivo se encuentra determinada por
fo=12πLC
y afecta el rangode aplicación del dispositivo.

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/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->