Transistor Bipolar (BJT) : Nama: Krisna NIM: 4113240016 Jurusan: Fisika Nondik 2011

By KRISNA singh Page i
TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)

D
I
S
U
S
U
N
OLEH :
NAMA : KRISNA
NIM : 4113240016
JURUSAN : FISIKA NONDIK 2011

Jurusan Fisika
Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam
Universitas Negeri Medan
Medan
2014
KATA PENGANTAR
By KRISNA singh Page ii

Puji dan syukur kami panjatkan kehadirat Tuhan Yang Maha Esa karena atas berkat dan
rahmat-Nya, kita dapat melaksanakan aktivitas keseharian tanpa kekurangan suatu apapun.
Atas terselesaikannya makalah ini, kami mengucapkan terima kasih kepada orangtua yang
telah memberikan dukungan moril dan materil. Kami juga mengucapkan terimakasih kepada Bapak
Dosen Eidi Sihombing, M.Si yang telah memberikan bimbingan pada mata kuliah Piranti
Semikonduktor.
Makalah ini mengulas tentang transistor bipolar (BJT). Sehingga dengan terselesaikannya
makalah ini, akan menambah wawasan penulis dan pembaca untuk mengetahui karakteristik dari
transistor bipolar dan dapat mengetahui fungsi dan peran transistor dalam suatu rangkaian.
Kami menyadari bahwa makalah ini masih memiliki banyak kekurangan baik itu dari segi
redaksi, isi maupun simpulan yang kami susun. Maka dari itu kami menerima kritik dan saran yang
sifatnya membangun untuk menyempurnakan makalah ini kedepannya.

Medan, 16 April 2014

KRISNA
NIM. 4113240016

By KRISNA singh Page iii

DAFTAR ISI

Kata Pengantar ............................................................................................. Ii
Daftar Isi ............................................................................................. Iii
BAB I PENDAHULUAN ............................................................................................. 1
1. LATAR BELAKANG ............................................................................................. 1
2. TUJUAN ............................................................................................. 1
BAB II PEMBAHASAN ............................................................................................. 2
2.1 Konstruksi Transistor Bipolar ..................................................................................... 3
2.2 Aliran Arus Listrik pada
transistor NPN dan PNP
..................................................................................... 4
2.3 Prisip kerja BJT ............................................................................................. 4
2.4 Karakteristik Transfer Transistor ..................................................................................... 10
2.5 Penguat Dalam Keadaan Diam ..................................................................................... 13
CONTOH SOAL ..................................................................................... 14
BAB III KESIMPULAN & SARAN ............................................................................................. 18
DAFTAR PUSTAKA ............................................................................................. 19

By KRISNA singh Page 1

BAB I PENDAHULUAN
1.1 Latar Belakang Pembahasan Transistor

Dewasa ini, perkembangan teknologi semakin pesat. Dari dulunya yang masih menggunakan
teknologi lama seperti mesin tik atau pager dan sekarang dapat menggunakan computer, notebook,
atau laptop. Perkembangan teknologi tersebut juga mangalami perkembangan komponen-komponen
di dalamnya. Sama seperti penjelasan di atas, teknologi lama menggunakan komponen yang sangat
sederhana sedangkan teknologi sekarang menggunakan komponen-komponen yang lebih canggih dan
merangkainya lebih rumit.

Komponen-komponen pada suatu alat elektronika adalah semua alat atau bahan penyusun
suatu alat. Alat yang digunakan seperti resistor, transistor, dioda dan lain sebagainya ditambah dengan
sumber daya dan keluaran. Komponen-komponen yang dirangkai akan membentuk rangkaian.
Rangkaian terdiri dari komponen yang disolder di atas PCB dan disambungkan dengan menggunakan
kabel atau timah yang sebelumnya telah disolder.

Ada suatu komponen elektronika yang menarik perhatian. Karena resistor yang fungsinya
membatasi arus dan dioda sebagai penyearah arus sudah biasa dan sudah sering ditemukan, maka
transistor akan dibahas pada makalah ini. Walter H. Brattain dan John Bardeen pada akhir
Desember 1947 di Bell Telephone Laboratories berhasil menciptakan suatu komponen yang
mempunyai sifat menguatkan yaitu yang disebut dengan Transistor. Keuntungan komponen transistor
ini dibanding dengan pendahulunya, yakni tabung hampa, adalah ukuran fisiknya yang sangat
kecil dan ringan. Bahkan dengan teknologi sekarang ini ratusan ribu transistor dapat dibuat dalam
satu keping silikon. Disamping itu komponen semikonduktor ini membutuhkan sumber daya yang
kecil serta serta efesiensi yang tinggi. Pada makalah ini akan dibahas struktur transistor bipolar dan
karakteristiknya. Pemberian bias yang benar akan dapat menentukan daerah kerja transistor. Beberapa
macam konfigurasi transistor juga dikenalkan.

1.2 Tujuan Pembahasan Transistor

Mempelajari tentang transistor bipolar
Mengetahui tentang teori transistor bipolar
Menjelaskan konsep hubungan antara arus basis, emilter, dan kolektor
Mengetahui aliran arus listrik pada transistor PNP dan NPN
Mengetahui prinsip kerja transistor PNP dan NPN
Mengetahui transistor sebagai saklar elektronik

BAB II PEMBAHASAN

Pengertian Transistor adalah komponen elektronika terbuat dari alat semikonduktor yang
banyak di pakai sebagai penguat, pemotong (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal dan
masih banyak lagi fungsi lainnya. Pengertian Transistor pada alat semikonduktor mempunyai 3
elektroda (triode), yaitu dasar (basis), pengumpul (kolektor) dan pemancar (emitor).

Pada dasarnya transistor juga memiliki banyak kegunaan, salah satunya adalah berfungsi
semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET)
memungkinkan mengalirkan arus listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya.Tegangan
yang memiliki satu terminal contohnya adalah Emitor yang dapat di pakai untuk mengatur arus dan
tegangan yang lebih besar dari pada input basis. Dalam sebuah rangkaian analog, komponen transistor
dapat di gunakan dalam penguat (amplifier). Komponen yang terdapat dalam rangkaian analog antara
lain pengeras suara, sumber listrik stabil dan penguat sinyal radio. Jadi pengertian transistor dapat di
bilang sebagai pemindahan atau peralihan bahan setengah penghantar menjadi penghantar pada suhu
tertentu.

Cara kerja transistor hampir mirip dengan cara kerja resistor, yang juga memiliki tipe tipe
dasar yang modern. Pada saat ini ada 2 tipe dasar transistor modern, yaitu tipe Bipolar Junction
Transistor (BJT) dan tipe Field Effect Transistor (FET) yang memiliki cara kerja berbeda beda
tergantung dari kedua jenis tersebut.

Jenis-Jenis Transistor yang paling umum di bedakan menjadi dua jenis, yaitu Transistor
Bipolar dan Transistor Efek Medan. Jenis-Jenis Transistor ini sangat menentukan sekali dalam
pembuatan rangkaian elektronika. Terutama untuk pembuatan rangkaian amplifier, rangkaian saklar,
general purpose, rangkaian audio, tegangan tinggi dan masih banyak lagi yang lainnya.

Transistor Bipolar atau nama lainnya adalah transistor dwikutub adalah jenis transistor paling
umum di gunakan dalam dunia elektronik. Di dalam transistor ini terdapat 3 lapisan material
semikonduktor yang terdiri dari dua lapisan inti, yaitu lapisan P-N-P dan lapisan N-P-N. Transistor
bipolar juga memiliki 3 kaki yang masing masing di beri nama Basis (B), Kolektor (K) dan Emiter
(E). Perbedaan antara fungsi dan jenis-jenis transisor ini terlihat pada polaritas pemberian tegangan
bias dan arah arus listrik yang berlawanan.


2.1 Konstruksi Transistor Bipolar

Transistor adalah komponen semikonduktor yang terdiri atas sebuah bahan type p dan diapit
oleh dua bahan tipe n (transistor NPN) atau terdiri atas sebuah bahan tipe n dan diapit oleh dua
bahan tipe p (transistor PNP). Sehingga transistor mempunyai tiga terminal yang berasal dari
masing-masing bahan tersebut. Struktur dan simbol transistor bipolar dapar dilihat pada gambar.
Disamping itu yang perlu diperhatikan adalah bahwa ukuran basis sangatlah tipis dibanding
emitor dan kolektor. Perbandingan lebar basis ini dengan lebar emitor dan kolektor kurang lebih
adalah 1 : 150. Sehingga ukuran basis yang sangat sempit ini nanti akan mempengaruhi kerja
transistor. Simbol transitor bipolar ditunjukkan pada gambar 1.

Pada kaki emitor terdapat tanda panah yang nanti bisa diketahui bahwa itu merupakan arah
arus konvensional. Pada transistor npn tanda panahnya menuju keluar sedangkan pada transistor pnp
tanda panahnya menuju kedalam.
Gambar 1. Struktur dan simbol transistor bipolar

Ketiga terminal transistor tersebut dikenal dengan Emitor (E), Basis (B) dan Kolektor (C).
Emitor merupakan bahan semikonduktor yang diberi tingkat doping sangat tinggi. Bahan
kolektor diberi doping dengan tingkat yang sedang. Sedangkan basis adalah bahan dengan dengan
doping yang sangat rendah. Perlu diingat bahwa semakin rendah tingkat doping suatu bahan, maka
semakin kecil konduktivitasnya. Hal ini karena jumlah pembawa mayoritasnya (elektron untuk
bahan n; dan hole untuk bahan p) adalah sedikit.


2.2 Aliran Arus Listrik pada Transistor PNP dan NPN

Pada transistor baik untuk tipe NPN atau PNP anak panah selalu ditempat emitor artinya
anak panah menunjuk arus listrik konvensional dimana arahnya berlawanan denga arah arus
electron
Transistor PNP: Arus listrik yang besar akan mengalir dari emitter ke collector. Apabila ada
arus kecil yang mengalir dari emitter ke base.

Transistor NPN: Arus listrik yang besar akan mengalir dari collector ke emitter, apabila ada
arus kecil yang mengalir dari base ke emitter. Dalam hal ini transistor mirip dengan
amplifier, yang mengontrol jumlah arus dari collector ke emitter oleh arus yang
mengalir dari base.
Transistor juga mirip dengan fungsi sakelar. Transistor akan bekerja pada posisi ON,
yaitu arus akan mengalir dari collector ke emitter apabila arus kecil mengalir dari
base. Sedangkan transistor akan berada pada posisi OFF, apabila tidak ada arus yang
mengalir dari base.

2.3 Prinsip Kerja dari Transistor

A. Cara kerja Transistor

Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar transistor,
bipolar junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect transistor (FET), yang
masing-masing bekerja secara berbeda. Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal
konduksi utamanya menggunakan dua polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk

membawa arus listrik. Dalam BJT, arus listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas
dinamakan depletion zone, dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan
tujuan untuk mengatur aliran arus utama tersebut.
FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis pembawa
muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam FET, arus listrik utama mengalir
dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan
dengan transistor bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Dan
ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat dirubah dengan perubahan tegangan yang diberikan,
untuk mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut. Lihat artikel untuk masing-masing tipe
untuk penjelasan yang lebih lanjut.
Apabila pada terminal transistor tidak diberi tegangan bias dari luar, maka semua arus akan
nol atau tidak ada arus yang mengalir. Sebagai mana terjadi pada persambungan dioda, maka pada
persambungan emiter dan basis (JE) serta pada persambungan basis dan kolektor (JC) terdapat
daerah pengosongan. Tegangan penghalang (barrier potensial) pada masing-masing persambungan
dapat dilihat pada gambar 2. Penjelasan kerja berikut ini didasarkan pada transistor jenis PNP (bila
NPN maka semua polaritasnya adalah sebaliknya).

Gambar 2 Penjelasan kerja berikut ini didasarkan pada transistor jenis PNP
(bila NPN maka semua polaritasnya adalah sebaliknya).

Pada diagram potensial terlihat bahwa terdapat perbedaan potensial antara kaki emitor dan
basis sebesar Vo, juga antara kaki basis dan kolektor. Oleh karena potensial ini berlawanan dengan
muatan pembawa pada masing-masing bahan tipe P dan N, maka arus rekombinasi hole-elektron tidak
akan mengalir. Sehingga pada saat transistor tidak diberi tegangan bias, maka arus tidak akan

mengalir. Selanjutnya apabila antara terminal emitor dan basis diberi tegangan bias maju (emitor
positip dan basis negatip) serta antara terminal basis dan kolektor diberi bias mundur (basis
positip dan kolektor negatip), maka transistor disebut mendapat bias aktif (lihat gambar).
Setelah transistor diberi tegangan bias aktif, maka daerah pengosongan pada persambungan
emitor-basis menjadi semakin sempit karena mendapatkan bias maju. Sedangkan daerah pengosongan
pada persambungan basis-kolektor menjadi semakin melebar karena mendapat bias mundur.
Pemberian tegangan bias seperti ini menjadikan kerja transistor berbeda sama sekali bila
dibanding dengan dua dioda yang disusun berbalikan, meskipun sebenarnya struktur transistor
adalah mirip seperti dua dioda yang disusun berbalikan, yakni dioda emitor-basis (P-N) dan dioda
basis-kolektor (N-P).

Gambar3. Transistor dengan tegangan bias aktif

Bila mengikuti prinsip kerja dua dioda yang berbalikan, maka dioda emitorbasis yang
mendapat bias maju akan mengalirkan arus dari emitor ke basis dengan cukup besar. Sedangkan
dioda basis-kolektor yang mendapat bias mundur praktis tidak mengalirkan arus. Dengan demikian
terminal emitor dan basis akan mengalir arus yang besar dan terminal kolektor tidak mengalirkan
arus.
Namun yang terjadi pada transistor tidaklah demikian. Hal ini disebabkan karena dua hal,
yaitu: ukuran fisik basis yang sangat sempit (kecil) dan tingkat doping basis yang sangat rendah. Oleh
karena itu konduktivitas basis sangat rendah atau dengan kata lain jumlah pembawa mayoritasnya
(dalam hal ini adalah elektron) sangatlah sedikit dibanding dengan pembawa mayoritas emitor (dalam
hal ini adalah hole). Sehingga jumlah hole yang berdifusi ke basis sangat sedikit dan sebagian
besar tertarik ke kolektor dimana pada kaki kolektor ini terdapat tegangan negatip yang relatif besar.

Prinsip kerja transistor ini akan lebih jelas lagi apabila dilihat gambar potensial pada gambar
4.

Gambar 4. Diagram potensial pada transistor dengan bias aktif
Tegangan bias maju yang diberikan pada dioda emitor-basis (VEB) akan mengurangi
potensial penghalang Vo, sehingga pembawa muatan mayoritas pada emitor akan mudah untuk
berekombinasi ke basis. Namun karena konduktivitas basis yang rendah dan tipisnya basis, maka
sebagian besar pembawa muatan akan tertarik ke kolektor. Disamping itu juga dikuatkan oleh
adanya beda potensial pada basiskolektor yang semakin tinggi sebagai akibat penerapan bias
mundur VCB.

Dengan demikian arus dari emitor (IE) sebagian kecil dilewatkan ke basis (IB) dan sebagian
besar lainnya diteruskan kolektor (IC). Sesuai dengan hukum Kirchhoff maka diperoleh persamaan
yang sangat penting yaitu:
IE = IC + IB

Karena besarnya arus IC kira-kira 0,90 sampai 0,998 dari arus IE, maka dalam praktek
umumnya dibuat IE IC. Disamping ketiga macam arus tersebut yang pada dasarnya adalah
disebabkan karena aliran pembawa mayoritas, di dalam transistor sebenarnya masih terdapat aliran
arus lagi yang relatif sangat kecil yakni yang disebabkan oleh pembawa minor-itas. Arus ini
sering disebut dengan arus bocor atau ICBO (arus kolektor-basis dengan emitor terbuka).
Namun dalam berbagai analisa praktis arus ini sering diabaikan. Seperti halnya pada
dioda, bahwa dalam persambungan PN yang diberi bias mundur mengalir arus bocor Is karena
pembawa minoritas. Demikian juga dalam trannsistor dimana persambungan kolektor-basis yang
diberi bias mundur VCB akan mengalir arus bocor (ICBO). Arus bocor ini sangat peka terhadap
temperatur, yakni akan naik dua kali untuk setiap kenaikan temperatur 10
O
C.

Diagram aliran arus IE, IB, IC dan ICBO dalam transistor dapat dilihat pada gambar 5. Dari
gambar tersebut terlihat bahwa arus kolektor merupakan penjumlahan dari arus pembawa
mayoritas dan arus pembawa minoritas, yaitu IC = ICmayoritas+ ICBOminoritas.

Gambar 5. Diagram aliran arus dalam transistor

B. Cara Kerja Transistor
1. Akan mengalir arus pada terminal kolektor dan emiter (Ic) apabila ada arus yang mengalir pada
terminal basis emiter (IB). dalam keadaan ini transmiter on
2. Perbandingan antara Ic dan IB disebut sebagai Bandingan hantaran maju (Forward current ratio)
disebut HFE

HFE disebut juga sebagai penguatan transistor atau atau .
Untuk Ic dan IB searah ditulis HFE
Untuk Ic dan IB searah ditulis Hfe

3. Pada transistor daya: hFE = + 25 kali
4. Untuk penguatan frekwensi tinggi hFE = 100 kali


Parameter Transistor
1. Parameter transistor tidaklah sama meskipun dalam dalam tipe yang sama sekalipun
2. Tapi dalam prakteknya, parameter dianggap sama (konstan)
3. Konduktansi (daya hantar)

Dimana ie : Arus sinyal ac antar kolektor emiter
Vbe : tegangan sinyal ac antara basis emiter

4. Dalam rangkaian penguat untuk sinyal kecil, berlaku penguatan tegangan sebagai berikut;
A = Gm x RL
Dimana RL = RC // RBb

Parameter lainnya
1. Impedansi masukan (impedansi input)
dimana Vb = tegangan sinyal yang masuk ke basis
ib = arus sinyal pada basis
2. Impedansi keluaran (impedansi output)
a. tanpa isyarat (sinyal) di basis

dimana : Ve = tegangan sinyal di kolektor
ic = arus sinyal di kolektor
b. Dengan adanya sinyal di basis
dimana : Ic = arus kolektor


2.4 Transistor Sebagai Penguat Arussebagai penguat:
Transistor bekerja pada mode aktif.
Transistor berperan sebagai sebuah sumber arus yang dikendalikan oleh tegangan (VCCS).
Perubahan pada tegangan base-emitter,vBE, akan menyebabkan perubahan pada arus
collector, iC.
Transistor dipakai untuk membuat sebuah penguatan transkonduktansi.
Penguatan tegangan dapat diperoleh dengan melalukan arus collector ke sebuah resistansi,
RC.
Agar penguat menjadi penguat linier, transistor harus diberi bias, dan sinyal akan
ditumpangkan pada tegangan bias dan sinyal yang akan diperkuat harus dijaga tetap kecil.
Dengan arus IB yang kecil dapat menghasilkan arus kolektor IC yang besar. Jika arus basis IB
kita anggap sebagai input dan arus kolektor IC sebagai output, maka transistor dapat kita anggap
sebagai penguat arus atau sering kita sebut penguat arus (current amplimeter) Hfe.
Karena arus IC lebih besar dari arus keluaran IB jadi penguatan arus / Hfe dapat didefenisikan
sebagai perbandingan antara arus keluaran IC dan arus masukan IB
Rumus = karena

Kegunaan lain transistor
1. Saklar elektronik
Gambar transistor ini dapat dianalisa sebagai saklar berikut;


dari gambar analogi saklar tersebut, bila basis diberi sinyal maka saklar akan terdorong sehingga akan
menutup, dengan demikian arus akanmengalir dar C ke E bila dalam rangkaian digambarkan sebagai
berikut;

Keterangan VR = resistor variable
= Lampu pijar
tegangan positif akan masuk ke transistor yaotu ke kolektor melalui R1 dan ke basis melalui R2 dan
VR (resistor variable) R3 berfungsi sebagai umpan negatif agar arus mesuk ke basis. Bila VBE telah
tercapai, maka transistor akan di on sebagai saklar, sehingga arus akan mengalir dari kolektor ke
emiter dan lampu akan menyala.

2. Penguat Sinyal
Penguatan sinyal pada transistor bila kaki kolektor dan emiter diberi
tegangan dan basis diberi sinyal input maka transistro akan on sehingga
arus mengalir dari C ke E. sinyal basis akan diperkuat oleh arus tersebut
yang dapat dideteksi melalui output pada C dan E.
ICB0 : arus bocor pada transistor yang mengalir dari kolektro kemudian ke basis, lalu ke netral
Basis : Kaki transistor untuk memasukkan input sinyal yang akan diperkuat
Keadaan jenuh : Suatu keadaan dimana apabila sinyal input diperbesar maka sinyal output tidak
akan naik lagi.


Karakteristik Transfer Transistor
Transistor merupakan alat dengan tiga terminal seperti yang diperlihatkan oleh simbol sirkuit
pada gambar. Setelah bahan semikonduktor diolah, terbentuklah bahan semikonduktor jenis p dan n.
Walapun proses pembuatannya sangat banyak, pada dasarnya transistor merupakan tiga lapis
gabungan kedua jenis bahan tadi, yaitu PNP dan NPN. Prinsip kerja kedua tipe ini sama, perbedaan
hanyalah keberadaannya dalam kondisi pancaran DC

Gambar sirkuit untuk simbol transistor (a) PNP, (b) NPN
Gambar dibawah memperlihatkan karakteristik keluaran yang menghubungkan arus IC
dengan tegangan Vce untuk harga arus IB tertentu. Kurva ini menyajikan hubungan antar arus
masukan disatu sisi dan arus serta tegangan keluaran di sisi lain. Parameter yang sangat penting bagi
transistor adalah penguat arus DC yang dikenal sebagai oenguat arus statis hfe. Ini adalah penguatan
transistor pada keadaan stasioner, yaitu tanpa sinyal masukan, tidak mempunyai satuan (karena suatu
perbandingan.
Transistor NPN kolektor dan emiter merupakan bahan semikonduktor jenis p. transistor
bekerja dalam satu arah, yaitu dari kolektor menuju emitter, karena kedua terminal tersebut terbuat
dari bahan yang sama. Pada dasarnya transistor dapat dianggap sebagai suatu piranti yang beroperasi
karena adanya arus. Kalau alat mengalir kedalam basis dan melewati sambungan basis emitter, suatu
suplay positif pada kolektor akan menyebabkan arus mengalir antara kolektor dan emitter. Dua hal
yang harus diperhatikan pada arus kolektor ini adalah: a. untuk arus basis nol, arus kolektor turun
sampai pada tingkat arus kebocoran, yaitu kurang dari 1 mikro ampere dalam kondisi normal (untuk
transistor dengan bahan dasar silikon). B. untuk arus basis tertentu, arus kolektor yang mengalir akan
jauh lebih besar daripada arus basis itu. Arus kolektor tersebut dicapai dengan Ic = hfe x Ib. 3.
Transistor sebagai saklar cara termudah untuk menggunakan sebuah transistor adalah sebuah saklar,
artinya bahwa kita mengoperasikan transistor pada salah satu saturasi atau titik sumbat, tetapi tidak di
tempat-tempat sepanjang garis beban. Jika sebuah transistor berada dalam keadaan saturasi, transistor

tersebut seperti sebuah saklar yang tertutup dari kolektor ke emiter. Jika transistor tersumbat (cutoff),
transistor seperti sebuah saklar yang terbuka.

2.5 Penguat dalam Keadaan Diam
Ketika pada rangkaian penguat belum diberi sinyal masukan AC, maka rangkaian penguat
disebut berada dalam keadaan diam. Supaya bekerja maka transistor harus dipanjar dengan tegangan
DC.
Cara transistor dalam keadaan diam adalah
1. Matikan sinyal generator untuk sementara.
2. Hidupkan catu dayadaya, minimumkan bias kontrol (p tensiometer 10 k). Baca harga, VCE dan
IC Petakan sebagai titik pada kertas graf karakteristik transistor. Titik tersebut adalah salah satu
titik garis beban.
3. Atur potensiometer 10 k sehingga arus basis sebesar 10 A. Catat harga VCE dan Ic Harga-
harga ini adalah harga titik kerja.
4. Petakan karakteristik Ic/VCE transistor.
5. Variasikan arus basis menjadi 5A dan 15A Untuk masing-masing harga arus basis petakan
nilai yang diperoleh. Semua titik-titik ini harus terletak pada garis lurus (garis beban)
6. Atur arus basis menjadi 10 A kembali. Hidupkan sinyal generator dan atur untuk menghasilkan
sinyal 1 Vp-p pada 1 kHz. Gunakan osiloskop untukmengamati bentuk gclombang input dari
sinyal generator dan bentuk gelombang output pada kolektor transistor gambarkan kedua
bentuk gelombang tersebut.
7. Atur potcnsiometer ke posisi minimum dan gambarkan bentuk gelombang output.
8. Kemudian atur ke posisi maksimum dan catat pula bentuk gelombang output.


CONTOH SOAL :
1. Berapa arus emiter DC pada gambar dibawah ini dan tegangan output AC nya?
+20 V +20 V

Dik : Seperti gambar di atas, dengan VBE = 0.7 V
Dit : IE = .......? dan Av = ........?
Jawab :
20 V 0.7 V 19.3 V 0.4948 mA
39 k 39 k
25 mV 25 m V 50.52
IE 0.4948 m A
VIN 1 m V 0. 01979 m A
50.52
IC IE, Maka Vo = IC ( RC // RL )
= 0.01979 m A ( 33 k + 10 k )
= 0.01979 m A ( 7.674 k )
= 0.15187 V
Sehingga, Vo 0.15187 V
Vin 1 m V

IE = =
=
re =
= =
IE
=
re
= =
= Av = =
151,88 kali

Av = 152 kali


2. Lembar data untuk 3NI28 menunjukan bahwa ini adalah MOSFET jenis pengosongan dengan
kebocoran gerbang 50pA untuk tegangan gerbang -8V. Hitung resistensi gerbang dari D
MOSFET ini ?

Rgs = Vgs/Ig = 8 / 50 (10
-12
) = 160.0000 M ohm

Arus bocoran gerbang dalam MOSFET jauh lebih kecil daripada dalam FET karena
gerbang yang diisolasi. Lagipula arus bocoran FET naik secara eksponensial dengan naiknya
temperatur karena sambungan pn yang dibias reverse arus bocoran MOSFET jauh lebih
kurang peka terhadap temperatur. Karena itu jika anda memerlukan resistansi input yang
sangat tinggi untuk jangkauan temperatur yang sangat besar, MOSFET lebih disukai daripada
JFET.

3. Pada gambar di bawah ini, Tentukan persamaan IC, VC, dan VE ?
+10 V

Penyelesaian :
Dik : seperti gambar yang diatas
Dit : nilai IE=......? IC =.......? VE = .......? dan VC = ......?
Jawab :
Tegangan pada 330 Ohm adalah :
330
820 + 330
VBE = 0.7 V
Sehingga, VE = V (pada R=330 ) VBE
VE = 2.87 V 0.7 V = 2.17 V
VE 2.17 V
RE 750

V = = 2.87 V x 10 V
IE = = = 0.0028933 A = 2.893 m A
IE IC

Vc = Vcc Ic.Rc
= 10 V 2.893 mA x 1 k
= 10 V 2.893 V
Vc = 7.107 V

4. Gambar dibawah ini menunjukan penguat dua tingkat. Tentukan persamaan IC dan VC untuk
masing-masing tingkat?

Penyelesaian :
Dik : seperti gambar
diatas
Dit : Ic = .......?
Vc =........?
Jawab :
Untuk menjawab pertanyaan penguat dua tingkat, kita perlu melakukan dua tahap.
Tahap 1:
Tegangan pada R = 10 k
10 k
10 k + 22 k
Dengan VBE = 0.7 V
Sehingga, VE1 = V (pada R=10 k ) VBE
VE = 6.25 V 0.7 V = 5.55 V
Maka :
VE1 5.55 V
RE 3.9 k

+20 V
V = = 6.25 V x 20 V
IE1 = = = 1.423 m A
IE IC

Tegangan kolektor ground DC :
Vc1 = Vcc Ic.Rc
= 20 V 1.423 mA x 2.4 k
= 20 V 3.415 V
Vc1 = 16.585 V
Tahap 2: Tegangan pada R = 2 k
2 k
8.2 k + 2 k
Dengan VBE = 0.7 V
Sehingga, VE2 = V (pada R=2 k ) VBE
VE2 = 3.9215 V 0.7 V = 3.2215 V
Maka :
VE2 3.2215 V
RE 470

Tegangan kolektor ground DC :
Vc2 = Vcc Ic.Rc
= 20 V 6.854 mA x 1 k = 20 V 6.854 V = 13.146 V

5. Dari gambar dibawah ini, jika IE = 1 Ma, RE = 1 k, dan RL = 5,6 k. Berapa penguat
tegangan pada pengikut emitter?

Solusi :
Kita cari dulu nilai re :
Re = 25 mV = 25
1 mA
Berikutnya kita tentukan nilai rE :
rE = RE // RL
= 1 k // 5,6 k
= 848
Kemudian kita hitung penguat tegangan :

V = = 3.9215 V x 20 V
IE2 = = = 0.006854 A = 6.854 mA
IE IC

BAB III PENUTUP
3.1 Kesimpulan
Dari pembahasan diatas, secara jelas kita dapat mengetahui bahwa transistor adalah
komponen yang sangat diperlukan dari sebuah perangkat elektronika sedangkan elektronika
sendiri tidak dapat dipisahkan dri kehidupan sehari-hari.
Transistor adalah alat semikonduktor yangdipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit,
pemutus, penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal dan lain sebagainya.
Bagian emitter-basis dari transistor merupakan dioda, maka apabila dioda emitter-
basis dibias maju maka kita mengharapkan akan melihat grafik arus terhadap tegangan dioda
biasa. Saat tegangan dioda emitter-basis lebih kecil dari potensial barriernya, maka arus basis
(Ib) akan kecil. Ketika tegangan dioda melebihi potensial barriernya, arus basis (Ib) akan naik
secara cepat.

3.2 Saran
Sebagai calon guru fisika kita harus menguasai dan mengetahui penggunaan
transistor serta berbagai prinsip kerjanya, agar kita bisa menerapkannya dalam kehidupan
sehari-hari.


DAFTAR PUSTAKA

Malvino, Albert Paul. 1984. Prinsip-Prinsip Elektronika. Jakarta; Erlangga
Millman, Jacob & Cristos C. Jalkias. 1986. Elektronika Terpadu. Jakarta; Erlangga
Http:\\.id.wikipedia.org/wiki/transistor kategori transistor

Transistor Bipolar (BJT) : Nama: Krisna NIM: 4113240016 Jurusan: Fisika Nondik 2011

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Transistor Bipolar (BJT) : Nama: Krisna NIM: 4113240016 Jurusan: Fisika Nondik 2011

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

By KRISNA singh Page i

TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)

You might also like