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Dispositivi Elettronici

Dispositivi Elettronici

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New course, new essay! From our Alberto Tibaldi, a very terrific collection of notes of Electronic Devices! Semiconductors, MOS, CMOS and all sort of electrophysic stuff is here!
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Dispositivi Elettronici
Alberto Tibaldi25 febbraio 2008
 
Indice
1 Propriet`a elettriche dei materiali 2
1.1 Metalli . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21.2 Semiconduttori . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51.2.1 Calcolo di
n
i
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91.3 Caratterizzazione dei semiconduttori drogati . . . . . . . . . . 101.3.1 Calcolo di n e p in un semiconduttore drogato . . . . . 121.3.2 Equazioni di Shockley . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2 Modello matematico delle correnti nei semiconduttori 20
2.1 Correnti di diusione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 252.2 Relazioni di Einstein ed Equazioni del Trasporto . . . . . . . . 262.3 Equazione di continuit`a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 272.4 Equazione di Poisson . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 292.4.1 Legame Carica - Campo Elettrico . . . . . . . . . . . . 302.4.2 Dimostrazione qualitativa dell’Equazione di Poisson . . 312.5 Considerazioni su semiconduttori fuori equilibrio . . . . . . . . 322.6 Modello del Tasso di Ricombinazione Netto . . . . . . . . . . . 332.7 Esercizio Pratico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 352.7.1 Risoluzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 362.7.2 Ipotesi di lato corto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
3 Giunzione p-n 44
3.1 Studio qualitativo del diagramma a bande della giunzione p-n 473.2 Studio elettrostatico della giunzione p-n . . . . . . . . . . . . 513.2.1 Equazione di neutralit`a globale . . . . . . . . . . . . . 513.2.2 Analisi della barriera di potenziale . . . . . . . . . . . 523.2.3 Analisi formale dell’andamento di campo e potenziale . 533.2.4 Risoluzione del sistema . . . . . . . . . . . . . . . . . . 563.3 Applicazione di una tensione esterna alla giunzione . . . . . . 573.3.1 Capacit`a di svuotamento . . . . . . . . . . . . . . . . . 613.4 Esercizio pratico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 621
 
3.4.1 Risoluzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 623.5 Effetti di una tensione su di una giunzione p-n . . . . . . . . . 653.5.1 Quasi-Livelli di Fermi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 663.6 Leggi della Giunzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 683.7 Caratteristica statica della giunzione p-n . . . . . . . . . . . . 703.8 Studio delle correnti nella giunzione p-n . . . . . . . . . . . . . 743.8.1 Polarizzazione diretta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 743.8.2 Polarizzazione inversa: corrente inversa di saturazione . 763.9 Esercizio Pratico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 783.9.1 Risoluzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 793.10 Cenni ad altri modelli della giunzione . . . . . . . . . . . . . . 813.10.1 Modello di ampio segnale . . . . . . . . . . . . . . . . . 813.10.2 Modello di piccolo segnale . . . . . . . . . . . . . . . . 833.11 Valutazione di
γ 
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 833.12 Meccanismi di rottura della giunzione . . . . . . . . . . . . . . 843.12.1 Eetto valanga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 843.12.2 Eetto tunnel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 853.12.3 Diodi Zener . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 853.13 Calcolo della capacit`a di diusione . . . . . . . . . . . . . . . 863.14 Modello a controllo di carica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 873.15 Modello di piccolo segnale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 893.16 Esercizio pratico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 913.16.1 Risoluzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
4 Il transistore bipolare 95
4.1 Analisi delle correnti . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 964.2 Calcolo delle correnti . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 994.3 Modello statico del transistore bipolare . . . . . . . . . . . . . 1014.3.1 Equazioni di Ebers-Moll . . . . . . . . . . . . . . . . . 1044.4 Modello circuitale statico del transistore bipolare . . . . . . . 1064.4.1 Andamento della caratteristica statica . . . . . . . . . 1084.4.2 Eetto Early . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1094.5 Esercizio Pratico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1104.5.1 Risoluzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
5 Sistemi MOS 120
5.1 Analisi Elettrostatica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1215.1.1 Polarizzazione di un sistema MOS con tensione negativa1245.1.2 Inversione di popolazione . . . . . . . . . . . . . . . . . 1255.2 Calcolo della carica di inversione . . . . . . . . . . . . . . . . . 1275.3 Determinazione della tensione di soglia di un sistema MOS . . 1312

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