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BLOQUE II.- ESTRUCTURA

Tema 4.- Solidificacin y Difusin
* William F. Smith
Fundamentos de la Ciencia e Ingeniera de Materiales. Tercera Edicin. Ed.
Mc-Graw Hill
* James F. Shackerlford
Introduccin a la Ciencia de Materiales para Ingenieros. Cuarta edicin. Ed.
Prentice Hall (1998)
W. D. Callister
Introduccin a la Ciencia e Ingeniera de los Materiales. Libro I (Captulo 7)
Ed. Revert (2000)
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Tema 4.-
Solidificacin y Difusin
Objetivos
Conocer el fenmeno de la solidificacin
Nucleacin
Crecimiento de grano
Describir la influencia del tamao de granos sobre las propiedades de los
materiales
Analizar la influencia de los defectos
Conocer los procesos y reacciones basados en la transferencia de masa
Dentro del mismo slido
Desde un lquido, gas u otro slido
Entender el concepto de difusin: fenmeno de transporte por movimiento
atmico
Conocer y entender los diferentes mecanismos atmicos de la difusin
Comprender las leyes de la difusin
Influencia de las factores que influyen en la difusin
Conocer algunas aplicaciones industriales del fenmeno de la difusin
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Tema 4.-
Solidificacin y Difusin
Proceso desde el estado fundido (lquido) a un estado slido. Es un importante
proceso industrial ya que muchos metales se funden para moldearlos hasta darles
una forma acabada o semiacabada.
Etapas de la Solidificacin
1. NUCLEACIN Formacin de ncleos/semillas (partculas slidas) estables
en el fundido.
2. CRECIMIENTO hasta la formacin de cristales y la formacin de una
estructura granular
Ncleos
Lquido
Granos
Cristales que formarn granos
Lmites /Fronteras
de grano
Solidificacin
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Tema 4.-
Solidificacin y Difusin
Formacin de ncleos/semillas slidos ESTABLES en el medio fundido (lquido)
Homognea
Homognea
Heterognea
Heterognea
Durante el enfriamiento de un
fundido puro Movimiento lento de
los tomos: se forman ncleos
homogneos con un tamao superior
al tamao crtico
Durante el enfriamiento de un
fundido Formacin de ncleos
sobre la superficie de un agente de
nucleacin slido (superficie del
recipiente, impureza insoluble, )
Crecimiento de grano (ordenados regularmente) pero con diferente orientacin
Material Policristalino: slido con muchos monocristales/granos y lmites de grano
Estruct. Granular
Mecanismos de Nucleacin
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Tema 4.-
Solidificacin y Difusin
Policristalinos:
Monocristales:
Estruct. Granular Grano fino: n muchos puntos de
nucleacin y lmites de grano.
(Metales y aleaciones con aplic.
en Ingeniera)
Grano Grueso: n pocos puntos
de nucleacin. ( peores
propiedades)
nico Cristal/grano
Slo debe haber un nico punto de
nucleacin. Componentes
electrnicos y microelectrnica
(monocristales de silicio,
transistores, semiconductores y
algunos tipos de diodos (no deben
existir lmites de grano para no
afectar las prop.)
Materiales Slidos
Disposicin atmica perfecta
Celdillas enlazadas misma orientacin
Granos ordenados atmicamente in situ
Diferente orientacin entre granos
Lmite de grano
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Tema 4.-
Solidificacin y Difusin
Mecanismo por el que la materia se transporta a travs de la materia.
Fenmeno de transporte por movimiento atmico
Gases mov. tomos/molculas muy rpido
Lquidos mov. ms lento Interacciones atmicas
Slidos SLO vibraciones trmicas en posiciones equilibrio
Difusin en slidos mov. tomos dentro de la red cristalina
Tipos de difusin:
Autodifusin.- Difusin de tomos a travs de un slido
constituido por tomos de su misma naturaleza.
Ejemplo: movimiento de iones en un conductor inico
Difusin de solutos o impurezas.- tomos de
soluto/impurezas se desplazan en una matriz de tomos
diferentes.
Ejemplo: difusin de C o N en matriz de Fe (procesos de
cementacin y nitruracin)
J.F. SHACKELFORD. Introduccin a la
ciencia de materiales para ingenieros. Ed.
Prentice Hall
Difusin
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Tema 4.-
Solidificacin y Difusin
Ejemplo de difusin
Cu Ni
Difusin atm Cu
Difusin atm Ni
Aleacin Cu-Ni
2 metales puros Cu-NI en contacto por sus caras
Proceso: elevada temperatura <T
m
Largo periodo de tiempo
distancia
C
o
n
c
e
n
t
r
a
c
i

n

N
i
,

C
u
Cu
Ni
Extremos: Metales puros (Ni y Cu)
Intermedio: regin ALEACIN
Composicin variable con la distancia
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Tema 4.-
Solidificacin y Difusin
I.- Mecanismo sustitucional o por vacantes
Hay dos mecanismos principales de difusin de los tomos en una red
cristalina:
Mecanismos de Difusin
DIFUSIN: mov. de atm de un sitio de la red a otro
1. posicin reticular prxima vaca
2. atm debe tener suficiente Eg vibratoria como para romper
enlaces con sus atm vecinos y distorsionar la red durante el
desplazamiento
II.- Mecanismo intersticial
ocurrir siempre y cuando:
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Tema 4.-
Solidificacin y Difusin
Habr Movimiento tomos
vacantes o defectos prximos para movimiento
E
trmica
de los atm para vencer E
activacin
T
[vacantes]
E
trmica <>
E
act
difusin
I.- Mecanismo sustitucional o por vacantes
Tipo: Autodifusin difusin de impurezas
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Tema 4.-
Solidificacin y Difusin
tomos en posiciones intersticiales se desplazan a otras posiciones intersticiales vacas
sin desplazar permanentemente a ningn tomo de la matriz
Los tomos que difunden
intersticialmente son pequeos
respecto de los de la matriz (ej: H,
N, O, C, .... en redes cristalinas
metlicas ).
Ej: atmC pueden difundir intersticialmente
en Fe- (BCC) y en Fe- (FCC)
Ej: atmC pueden difundir intersticialmente
en Fe- (BCC) y en Fe- (FCC)
II.- Mecanismo Intersticial
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Tema 4.-
Solidificacin y Difusin
Mecanismo
Sustitucional/vacantes
Mecanismo
Intersticial
En general,
E
activ
-mec. Sustit.>> E
activ
-mec. Interst.
Mecanismos de Difusin: Energa de Activacin
Mayora de las aleaciones, la difusin
intersticial
es ms rpida difusin
vacantes
, ya
que los tm son ms pequeos y con ms movilidad
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Tema 4.-
Solidificacin y Difusin
Flujo de Difusin (J) cantidad de masa (n de tomos) M
que difunden perpendicularmente a travs de un rea (A) de un
slido por unidad de tiempo t
dt
dM
A
J
1
=
(Kg/m
2
s atomos/m
2
s)
Proceso de Difusin
Macroscpicamente: difusin = f (tiempo) conocer velocidad
Difusin en estado estacionario (J cte con tiempo):
1 ley Fick
Difusin en estado no estacionario (J no cte con tiempo):
2 ley Fick
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Tema 4.-
Solidificacin y Difusin
Pd
P
A
H2
P
B
H2
J
Perfil de concentracin:
pendiente es el gradiente de
concentracin
Pd C
A
C
B
x
J: flujo neto de tomos
Estado Estacionario: J es constante ya que No cambia la
concentracin de tomos de soluto en un punto con el tiempo.
Ej: Difusin de tomos de un gas (H2) a travs de una fina lmina metlica de
paladio cuyas concentraciones (o presiones) en ambos lados de la lmina se
mantienen constantes
P
A
>>P
B
C
A
C
B
X
A
X
B
Posicin o distancia
B A
B A
X X
C C

=
x
C
in concentrac de gradiente
dX
dC
D J =
Difusin en estado estacionario: 1 Ley de Fick (I)
Expresin matemtica: Difusin en
estado estacionario en una direccin
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Tema 4.-
Solidificacin y Difusin
x
C
D J

=
J= flujo de difusin ( = n tomos M que difunden por
unidad de superficie y tiempo (at/m
2
s)
C/x= gradiente de concentracin en una direccin
([at/m
3
]/m)
D = Difusividad o coeficiente de difusin
(m
2
/s)
C: masa de la sustancia o n de tomos por unidad de volumen del slido (Kg/m
3
)
(atm/m
3
)
El signo negativo indica que la direccin de difusin es contraria al gradiente de
concentracin (desde elevada concentracin a baja concentracin)
Difusin en estado estacionario: 1 Ley de Fick (II)
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Tema 4.-
Solidificacin y Difusin
Mayora materiales difusin Estado NO Estacionario la
concentracin de tomos de soluto en un punto del material cambia
con el tiempo flujo de difusin y el gradiente de concentracin
de tomos cambian con el tiempo.
C
o
n
c
e
n
t
r
a
c
i

n
s
o
l
u
t
o
s
t
1
t
3
t
2
t
1
< t
2
<t
3
Difusin estado no estacionario: 2 Ley de Fick (I)

=
x
C
D
x t
C
x

C(x) cte
D =cte
Ejemplo: difusin de un gas (cuya concentracin superficial se considera
constante); en el interior de un slido semi-infinito ( difusin de carbono en un
acero, saturacin de un metal con gases atmosfricos, etc)
distancia
Cuando D es independiente de composicin:
2
2
x
c
D
t
c
x x

2 Ley de Fick
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Tema 4.-
Solidificacin y Difusin
Condiciones lmite: t=0, C=C
0
para 0<x<.
t>0, C=C
sup
(concentracin superficial cte) para x=0
C=C
0
para x=
Difusin estado no estacionario: 2 Ley de Fick (II)

Dt
x
erf
C C
C C
s
x
2
1
0
0
C
x
=concentracin a una distancia x tras un tiempo t
Erf =funcin de error gausiana
Distancia a la superficie, x
C
o
n
c
e
n
t
r
a
c
i

n
,

C
C
s
C
x
C
0
C
x
-C
0
C
s
-C
0
J.F. SHACKELFORD. Introduccin a la ciencia de
materiales para ingenieros. Ed. Prentice Hall
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Tema 4.-
Solidificacin y Difusin
Factores del Coeficiente de Difusin (I)
a) Tipo de mecanismo:
a) Intersticial
b) Sustitucional/por vacantes
b) Tipo de red de la matriz anfitrin
c) Existencia de defectos
a) Tipo de defecto
d) Tipo de soluto y concentracin de soluto
e) Temperatura
La magnitud del coeficiente de difusin D es indicativo de la velocidad
de difusin atmica
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Tema 4.-
Solidificacin y Difusin
Factores del Coeficiente de Difusin (I)
W.F. SMITH Fundamentos de la ciencia e ingeniera de materiales. Ed. McGraw-Hill
a) Mecanismo de difusin
C (Ratm. Pequeo) difunde intersticialmente en Fe- (FCC) y en el Fe- (BCC)
Cu (Ratm) difunde sustitucionalmente en una red metalica de Al
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Tema 4.-
Solidificacin y Difusin
b) Tipo de estructura cristalina de la red cristalina anfitriona/matriz
D (C en Fe-, FCC)=5.10
-15
m
2
/s < D(C en Fe-, BCC)=10
-12
m
2
/s
f(BCC) =0.68< f(FCC)=0.74
c) Tipo de imperfecciones o
defectos en el cristal:
-Estructuras abiertas ( canales,
planos, ) D
- D
superficie
> D
borde grano
> D
interior
J .F. SHACKELFORD. Introduccin a la ciencia de
materiales para ingenieros. Ed. Prentice Hall
d) Concentracin especies que difunden
1. Variacin de las fuerzas de
cohesin entre tomos.
2. Direcciones preferenciales de
migracin para disminuir la eg
interna de la red
Factores del Coeficiente de Difusin (II)
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Tema 4.-
Solidificacin y Difusin
e) Temperatura:
T D
Difusin de tomos:
al T Energa trmica atm.
mayor probabilidad de mov. D
D = f (T) (dependencia tipo Arrhenius):
D = difusividad (m
2
/s)
D
o
= cte proporcionalidad (factor de frecuencia)
E
act
= E activacin necesaria para producir el
movimiento difusivo de 1 mol de tomos
R = cte. gases
T= Temperatura (K)
RT
E
act
e D D

=
0
J.F. SHACKELFORD. Introduccin a la ciencia de
materiales para ingenieros. Ed. Prentice Hall
Al T
f
E
D
(ya que E enlace)
Factores del Coeficiente de Difusin (III)
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Tema 4.-
Solidificacin y Difusin
BUSCAR EJEMPLOS DE APLICACIONES INDUSTRIALES
DONDE SE PRODUZCA EL FENMENO DE LA DIFUSIN
Aplicacin en procesos industriales
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Tema 4.-
Solidificacin y Difusin
1. Endurecimiento superficial del acero (engranajes o ejes):
procesos de Carburacin o Cementacin (CH
4
-N
2
):
contenido en C
2. Fabricacin de circuitos electrnicos integrados con obleas
de Si dopados con impurezas para modificar las
caractersticas de la conductividad trmica.
3. Nitruracin de polvo de Si: Si3N4
Aplicacin en procesos industriales
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Tema 4.-
Solidificacin y Difusin
DIFUSIN Y EL PROCESADO DE MATERIALES
1. Endurecimiento superficial del acero (engranajes
o ejes): procesos de Carburacin o Cementacin:
contenido en C superf. y Nitruracin
contenido en N superf.
2. Fabricacin de circuitos electrnicos integrados
con obleas de Si dopados con impurezas para
modificar las caractersticas de la conductividad
elctrica.
3. Descarburacin: perdida de carbono
superficialmente en los aceros
4. Sinterizacin
5. Soldadura por difusin
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Tema 4.-
Solidificacin y Difusin
Cementacin
Endurecimiento Superficial:
Superficie: fase martenstica (muy
dura)
Interior: estruct. baintica y perltica
(muy dctiles y tenaces)
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Tema 4.-
Solidificacin y Difusin
Sinterizacin
Formacin de puentes o cuellos entre las partculas o granos
independientes, para formar un compacto con las partculas ya unidas
Importante: conformado/fabricacin de materiales cermicos
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Tema 4.-
Solidificacin y Difusin
Soldadura por difusin
Formacin de puentes o cuellos entre las partculas o granos
independientes, para formar un compacto con las partculas ya unidas
2003 Brooks/Cole, adivision of Thomson Learning, Inc. Thomson Learning

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Tensin