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CRECIMIENTO DE GaAs

CRECIMIENTO DE GaAs

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1. CRECIMIENTO DE GaAs
\u2022 Uno de los compuestosIII-V utilizado m\u00e1s frecuentemente en el
dise\u00f1o y fabricaci\u00f3n de c\u00e9lulas solares de concentraci\u00f3n
\u2013 es el semiconductor arseniuro de galio,GaAs.
\u2022 Para conseguir c\u00e9lulas solares de alta eficiencia
\u2013 es necesario un conocimiento exhaustivo acerca de la calidad y
caracter\u00edsticas del material crecido epitaxialmente.
\u2013 De esta manera, se asegura
\u2022la repetibilidad en las estructuras semiconductoras
\u2022al igual que una alta precisi\u00f3n en el control de sus propiedades (dopaje,
espesor, etc.).
\u2022 Para c\u00e9lulas solares deGaAs
\u2013 los espesores de las capas semiconductoras var\u00edan entre decenas de
man\u00f3metros y varias micras.
\u2013 Para este rango amplio de espesores es necesario dominar la velocidad de
crecimiento de los materiales.
\u2022 Respecto a los requerimientos del dopaje, parap-GaAs
\u2013 el rango necesario abarca desde3\u00b71017cm-3, para la base, hasta el mayor
dopaje posible para laBSF ( del ingl\u00e9s \u201cBack Surface Field\u201d).
\u2022 Similarmente paran-GaAs,
\u2013 cuyo m\u00ednimo valor se encuentra alrededor de8\u00b71017cm-3 para el emisor
hasta el mayor dopaje posible para la capa de contacto.
\u2022 Para controlar este rango amplio de dopajes
\u2013 es necesario estudiar la influencia de los par\u00e1metros fundamentales que
dominan el proceso de crecimiento epitaxial deGaAs porMOVPE:

\u2022i) temperatura de crecimiento (TG),
\u2022ii) flujos de los precursores de entrada (fV,fIII)
\u2022iii) relaci\u00f3n entre la presi\u00f3n parcial del elemento del grupo V y del elemento

del grupo III a la entrada del reactor, (V / III),

\u2022iv) fracci\u00f3n molar del dopante en fase vapor,([DETe] ,[DMZn])
\u2022v) orientaci\u00f3n del substrato y
\u2022vi) presi\u00f3n total en el reactor (PT).

\u2022 Por tanto, es importante el estudio de la influencia que las variables
(TG,fV,fIII, V/III, [DETe] y [DMZn]:dimethylzinc)
\u2013 tienen en el crecimiento y la calidad delGaAs,
\u2022tanto tipo p como tipo n,
\u2022con el fin \u00faltimo de crecer c\u00e9lulas solares porMO VPE con las
especificaciones deseadas.
\u2022 Es importante analizar las directrices propias del crecimiento por
MOVPE.

2. CRECIMIENTO DE GaAs
MATERIALES DE PARTIDA. EL SISTEMA TMGa + AsH3
Precursores de galio

\u2022 La elecci\u00f3n de los precursores utilizados en el
crecimiento porMOVPE determina, en gran
medida,

\u2013 las condiciones de crecimiento \u00f3ptimas,
\u2013 al igual que la calidad del material cristalino.
\u2022 Se han presentado diferentes tablas
\u2013 resumiendo las fuentes m\u00e1s comunes en el
crecimiento porMOVPE de semiconductores III-V.
\u2022 Ahora particularizaremos la informaci\u00f3n de un
reactor.
\u2013 Como fuente de galio se utilizan,
\u2022 principalmente, dos tipos de precursores
metalorg\u00e1nicos:
\u2013 i) trimetilgalio (TMGa) cuya f\u00f3rmula qu\u00edmica es(CH3)3Ga
y
\u2013 ii) trietilgalio (TEGa) cuya f\u00f3rmula qu\u00edmica es
(C2H5)3Ga).
\u2013 La diferencia m\u00e1s importante entre ambos
precursores radica
\u2022 en el n\u00famero de \u00e1tomos de carbono que acompa\u00f1an
al \u00e1tomo de galio.
\u2013 Este factor determina, fundamentalmente,
\u2022 la temperatura necesaria para completar el proceso de
pir\u00f3lisis y
\u2022 los diferentes radicales residuales debidos al proceso
de descomposici\u00f3n.

3. CRECIMIENTO DE GaAs
MATERIALES DE PARTIDA. EL SISTEMA TMGa + AsH3
Precursores de galio

\u2022 Muchos trabajos abordan
\u2013la pir\u00f3lisis de los diferentes precursores
metalorg\u00e1nicos.

\u2013 La mayor\u00eda de ellos concluyen que elTMGa se
descompone en fase vapor formando radicales del
tipo

\u2022 metil (CH3)- y
\u2022 mono-metilgalio (GaCH3),
\u2022 mientras que elTEGa produce
\u2013 una mol\u00e9cula deGaH3 y
\u2013 tres mol\u00e9culas de etileno (C2H4).
\u2022 Esta diferencia es el origen de la existencia de
Cen GaAs
\u2013 cuando el precursor esTMGa, frente alTEGa,
\u2022 para el cual no se ha detectadoC enGaAs crecido en
las condiciones habituales.
\u2022 Cuando el radical (CH3)- llega a la superficie
\u2013 puede perder un \u00e1tomo de hidr\u00f3geno,
\u2013 generando(CH2)2-(altamente reactivo),
\u2022 que a su vez se descompone generandoC, el cual se
incorpora a la capa epitaxial.
\u2022 La manera \u00f3ptima de evacuar el radical metil
de la superficie
\u2013 es mediante la reacci\u00f3n conH monoat\u00f3mico,
\u2013 proveniente de la pir\u00f3lisis del precursor del grupo V,
generalmente arsina (AsH3).

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