\u2022 En la Figura 1.2 se muestra de forma esquem\u00e1tica un
circuito b\u00e1sico para el estudio experimental del
comportamiento de un semiconductor bajo la acci\u00f3n de
una diferencia de potencial constante entre sus extremos.
\u2022 Las propiedades de transporte de un semiconductor bajo
condiciones de corriente continua estacionaria, est\u00e1n
directamente relacionadas con su caracter\u00edstica corriente-
voltaje (I V).
\u2022 Generalmente para campos el\u00e9ctricos bajos, la densidad
de corriente\u201cj\u201d es directamente proporcional al campo
el\u00e9ctrico, de acuerdo con la ley de Ohm.
\u2022 en el cual, la densidad de corriente disminuye
\u2022 al aumentar el campo el\u00e9ctrico o viceversa,
\u2022 entonces, los correspondientes estados
estacionarios son generalmente inestables.
\u2022 reg\u00edmenes deSNDC yNNDC pueden seguir uno
a otroal aumentar el campo el\u00e9ctrico;
\u2022 la caracter\u00edstica puede evolucionar deSNDC a
\u2022 o bien la caracter\u00edstica puede tener una forma m\u00e1s complicada que las simplesN oS, estando multivaluadas tanto en\u03b5 como enj
como:
\u2022NNDC (forma de .N) o
\u2022SNDC (forma deS), ver Figura 1.3-(a).
\u2022 Los tiposNNDC ySNDC est\u00e1n asociados con
inestabilidades a voltaje y corriente constante
respectivamente.
\u2022En el casoNNDC la densidad de corriente es una
funci\u00f3n (univaluada) del campo el\u00e9ctrico, pero el
campo el\u00e9ctrico es una curva multivaluada dej, es
decir, la relaci\u00f3n\u03b5(j) posee varias ramas en un
cierto rango dej, (tres en el caso de la Figura 1.3-
(a)).
