Dissertação UFMG

Universidade Federal de Minas Gerais - UFMG
Programa de Ps-Graduao em Engenharia Eltrica - PPGEE

Estudo de Modelos para Denio de um
Critrio de Incio de Corona Atravs da
Anlise de Experimentos e Simulaes
Computacionais
por
Ailton Lopes Souza
Dissertao apresentada ao Programa de Ps-
Graduao em Engenharia Eltrica da Escola de
Engenharia da Universidade Federal de Minas Gerais,
como requisito parcial para obteno do grau de
Mestre em Engenharia Eltrica.
rea de Concentrao: Engenharia de Potncia
Linha de Pesquisa: Compatibilidade Eletromagntica
e Qualidade de Energia
Orientador: Prof. Dr. Ivan Jos da Silva Lopes
Belo Horizonte MG
16 de abril de 2009
Dissertao de Mestrado
Estudo de Modelos para Denio de um
Critrio de Incio de Corona Atravs da
Anlise de Experimentos e Simulaes
Computacionais
Ailton Lopes Souza
Dedico esta dissertao toda
minha famlia. minha me
Neuza, ao meu pai Abel, aos meus
irmos Adilson e Almir, e minha
namorada Sandra.
Agradecimentos
Primeiramente agradeo Deus por guardar meus passos nesta caminhada, por ter me
concedido a oportunidade de crescer e me aprimorar, com humildade e respeito todos.
Ao Prof. Dr. Ivan Jos da Silva Lopes, orientador desta dissertao, por todo seu
empenho, sabedoria, compreenso e, acima de tudo, exigncia. Gostaria de salientar a
sua competncia, com participao em discusses, correes, revises e sugestes que
tornaram possvel a concluso deste trabalho. Gostaria de agradecer suas palavras de
incentivo e motivao, proferidas sempre em momentos oportunos.
Aos meus colegas de Laboratrio, que acompanharam meu aprendizado, crescimento
e realizao prossional e pessoal. Seus conselhos e opinies foram sempre precisos e
oportunos, contribuindo para melhora deste trabalho.
Aos Funcionrios do Programa de Ps-Graduao em Engenharia Eltrica da UFMG,
pelo auxlio, cortesia e carinho despendidos no atendimento e esclarecimentos prestados
durante o curso, os quais permitiram a realizao desta pesquisa.
Aos meus familiares que souberam compreender meus propsitos, sempre apoiando,
mesmo que silenciosamente, o meu trabalho.
todos os meus amigos que sempre estiveram presentes me aconselhando e incenti-
vando com carinho e dedicao.
minha namorada, Sandra Morais de Resende, companheira e amiga, que soube
entender os momentos de ausncia, suportando as diculdades encontradas, sempre ao
3
meu lado.
todas as pessoas que, direta ou indiretamente, contriburam para a execuo dessa
Dissertao de Mestrado.
Resumo
O efeito corona um fenmeno que pode trazer consequncias indesejveis ao sistema
eltrico. Dentre elas, a degradao de superfcies, como o caso dos isoladores polimricos,
uma das mais preocupantes. O surgimento deste fenmeno est associado a nveis de
campo eltrico elevados, porm no h um consenso sobre tais valores. Os nveis de
campo a que os arranjos so expostos atualmente so cada vez mais elevados, graas s
diminuies de distncias eltricas e ao aumento de potncia no sistema. Mtodos de
avaliao destes campos passam a ser determinantes na etapa de projeto e fabricao
de novas estruturas, alm de consistir em uma forma de manuteno preventiva. Para
estimao do campo eltrico (ou da tenso) que leva ao aparecimento do corona, expresses
empricas so geralmente empregadas. Estas expresses para predio do corona so
numericamente e experimentalmente avaliadas neste trabalho.
Testes foram realizados em arranjos do tipo ponta-plano e em isoladores polimricos,
onde investigou-se a tenso de incio de corona e o campo crtico associado a esta. A
dependncia com o raio e com o tamanho do gap foi analisada para o arranjo ponta-
plano. Para o isolador, situaes de servio, como presena de defeitos na superfcie,
foram observadas. A distribuio do campo eltrico tambm foi vericada, atravs de
simulaes computacionais, para os dois casos.
As expresses para os modelos de predio de corona mais conhecidos so apresen-
tadas e discutidas ao longo do trabalho. Entre os modelos estudados, esto as formu-
laes empricas de Peek e o Fator de Ecincia de Campo de Schwaiger. Os modelos
foram aplicados aos arranjos ponta-plano e as tenses previstas por cada um destes foram
comparadas aos resultados registrados nos ensaios.
Adicionalmente, um modelo baseado no Fator de Ecincia de Campo e no modelo
de Peek foi proposto. Os resultados deste modelo apresentaram boa concordncia com
os experimentos, se mostrando eciente na estimao da tenso de incio de corona para
5
arranjos ponta-plano. Por m, foi sugerido a insero do carter estatstico no modelo de
predio proposto, conferindo a cada tenso aplicada uma probabilidade de ocorrncia de
corona.
Abstract
Corona is a phenomenon that may lead to a series of undesirable consequences to
power systems. The degradation of surfaces, such as those of polymer insulators, is one
of the main concerns. The presence of corona in an arrangment is associated with high
levels of electric eld. However, there is no clear understanding on the exact value of the
eld that leads to corona.
This work aims to study the models, proposed in the literature, for corona prediction.
Empirical formulations, such as Peeks formula and Schwaigers non-uniformity factor are
discussed, their applicability is investigated, and a modied model is proposed. Addi-
tionally, the work aims to stimulate the search for models that can be used in practical
arrangments, such as the surface of polymer insulators under operational conditions.
The proposed model is tested computationally and experimentally. The results show
good agreement with experiments, indicating the eciency of the model to estimate the
corona onset voltage. Additionally, the statistical nature of corona is taken into account,
so that to each applied voltage a probability of corona occurrence is assigned.
Sumrio
1 Introduo 12
1.1 Relevncia do Tema . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.2 Objetivo do Trabalho . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.3 Breve Histrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.4 Estrutura da Dissertao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2 Efeito Corona 17
2.1 Introduo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.2 O Fenmeno . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.2.1 Processo de Formao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.2.2 Streamer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.2.3 Tipos de Corona . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
2.2.4 Efeitos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2.2.5 Carga Espacial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2.2.6 Gradiente Crtico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.3 Modelos de Predio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.3.1 Peek . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.3.2 Townsend . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.3.3 Fator de Ecincia de Campo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.3.4 Zaengl . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
3 Experimentos 31
3.1 Introduo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
3.2 Metodologia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
3.3 Arranjos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
SUMRIO 8
3.3.1 Arranjo Ponta-plano . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
3.3.2 Isolador Polimrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
3.4 Resultados e Discusses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
4 Simulaes Computacionais 41
4.1 Introduo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
4.2 Mtodo de Elementos Finitos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
4.3 Modelo Computacional . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
4.3.2 Isolador polimrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
4.4 Resultados e Discusses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
5 Anlise dos Modelos de Predio 55
5.1 Introduo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
5.2 Tenso de Incio de Corona . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
5.3 Campo Eltrico Crtico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
5.4 Modelo de Predio Proposto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
5.4.1 Descrio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
5.5 Consideraes de Projeto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
5.5.1 Margem de Segurana . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
5.5.2 Tenso de Incio de Corona Estatstica . . . . . . . . . . . . . . . . 64
5.6 Testes do Modelo de Predio Proposto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
6 Concluses e Trabalhos Futuros 71
6.1 Concluses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
6.2 Propostas de Continuidade . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
Lista de Tabelas
3.1 Tenso de incio de corona para arranjos ponta-plano . . . . . . . . . . . . 37
3.2 Distncias utilizadas para experimentos com isolador polimrico . . . . . . 39
3.3 Tenses de incio de corona para diferentes distncias dos defeitos . . . . . 39
4.1 Campo eltrico mximo simulado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
4.2 Campo Eltrico Mximo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
5.1 Tenses de incio de corona - calculadas e medidas (kV pico) . . . . . . . . 56
5.2 Tenses de incio de corona - Fator modicado (kV pico) . . . . . . . . . . 57
5.3 Campo eltrico crtico - simulado e calculado (kV/cm pico) . . . . . . . . . 58
5.4 Predio de corona adotando-se margem de segurana de 20% . . . . . . . 64
5.5 Predio de Corona - modelo estatstico proposto . . . . . . . . . . . . . . 67
5.6 Tenso de Incio de Corona Ponta 4 (kV pico) . . . . . . . . . . . . . . . . 68
5.7 Previso para Tenso de Incio de Corona na Ponta 4 Utilizando Margem
de segurana de 20% - (kV pico) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
5.8 Tenso de Incio de Corona Estatstica para Ponta 4 - (kV pico) . . . . . . 69
Lista de Figuras
2.1 Relao entre corrente e tenso durante processo de ionizao . . . . . . . 18
2.2 Processo de ionizao por coliso [12] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.3 Distoro no campo eltrico causado pela carga espacial da avalanche de
eltrons [5] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.4 Corona Negativo - Pulsos de Trichel, Glow negativo e Streamers negativos
[10]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.5 Corona Positivo - Pulsos Onset, Glow positivo e Streamers positivos [10]. . 22
2.6 Distoro do campo eltrico causada pela carga espacial: a)ponta positiva
b)ponta negativa [5] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.7 Regies de ionizao [11] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
3.1 Montagem Experimental - Viso geral . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
3.2 Eletrodos de raios r1, r2 e r3, utilizados nos arranjos ponta-plano . . . . . 33
3.3 Isolador polimrico de 13,8kV utilizado nos experimentos . . . . . . . . . . 34
3.4 Descargas de corona observadas para arranjo ponta-plano, para gap de 3cm,
eletrodos r1, r2 e r3 e tenses aplicadas de 5.5kV, 8kV e 15.5kV . . . . . . 36
3.5 Tendncia para as tenses de incio de corona observadas para arranjos
ponta-plano . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
3.6 Distncias esquemticas - isolador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3.7 Corona no Isolador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
4.1 Exemplo de malha - detalhe direita . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
4.2 Elemento de malha . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
4.3 Modelo Computacional Para Arranjo Ponta-planos Utilizado na Simulao 46
4.4 Modelo Computacional Para Isolador Polimrico Utilizado na Simulao . 47
LISTA DE FIGURAS 11
4.5 Potencial e Campo Eltrico obtidos para Ponta r3 e gap de 7cm. . . . . . . 48
4.6 Intensidade de Campo Eltrico - variao com o raio de curvatura do eletrodo 49
4.7 Intensidade de Campo Eltrico - variao com o tamanho do gap . . . . . . 49
4.8 Campo Eltrico para Incio de Corona . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
4.9 Distribuio de Campo Eltrico - Efeito das semiesferas . . . . . . . . . . . 51
4.10 Potencial - Efeito das semiesferas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
4.11 Distribuio de Campo Eltrico - Corona entre semiesferas . . . . . . . . . 53
4.12 Potencial - Corona entre semiesferas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
4.13 Distribuio de Campo Eltrico - Corona gap ferragem-esfera . . . . . . . . 54
4.14 Potencial - Corona gap ferragem-esfera . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
5.1 Fator de Ecincia de Campo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
5.2 Estimao Para Tenses de Incio de Corona dos Experimentos - Ajuste
Global . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
5.3 Estimao Para Tenses de Incio de Corona dos Experimentos - Ajuste
Local . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
5.4 Estimao Para Tenses de Incio de Corona dos Experimentos - Compara-
o entre Ajustes Global e Local . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
5.5 Margem de Segurana Estabelecida Para Fins de Projeto . . . . . . . . . . 63
5.6 Distribuio Gaussiana Assumida para Tenso de Incio de Corona . . . . . 65
5.7 Fator de Ecincia de Campo - Modelo proposto . . . . . . . . . . . . . . . 66
5.8 Eletrodo r4 = 0.0950cm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
5.9 Tenses de incio de corona - Previso Ponta 4 . . . . . . . . . . . . . . . . 68
5.10 Tenso de Incio de Corona - Comparao entre Medies e Previso . . . . 70
Captulo 1
Introduo
1.1 Relevncia do Tema
Aps o advento do sistema eltrico, com o decorrer do tempo, observou-se que no era
suciente o fornecimento de energia eltrica aos consumidores, mas sim que esta tambm
fosse de qualidade e convel. Alm disto a diminuio de custos fator preponderante
na gerao e a distribuio de energia eltrica. Deve-se, portanto, haver um compromisso
entre a qualidade, a conabilidade e o custo da energia.
Cada vez mais, busca-se um sistema eltrico mais estvel e menos susceptvel a fen-
menos naturais. Porm, a necessidade de menor utilizao espacial, seja por questes ur-
banas, ambientais ou por reduo de custos, bem como o aumento da demanda energtica,
fazem com que se busquem novas solues, nas quais a conabilidade e a qualidade da en-
ergia devem ser mantidas. Neste contexto, se insere a utilizao de estruturas compactas
de transmisso e a repotencializao de sistemas de transmisso [1]. Em ambos os casos,
aumenta-se consideravelmente as chances de ocorrncia do efeito corona, j que tanto a
diminuio das distncias de isolamento quanto a elevao da potncia transmitida con-
tribuem para o processo de formao do fenmeno. Este, por sua vez, pode causar danos
a estruturas condutoras e isolantes. Os tipos de danos variam de acordo com o tempo de
exposio e o material. Nos piores casos, a degradao do material pode levar a ssuras e
posterior falha mecnica, ocasionando a interrupo do fornecimento de energia, causando
uma srie de prejuzos.
De fato, uma das preocupaes acerca do efeito corona est relacionada aos isoladores
polimricos, j que este tipo de material mais propenso corroso oriunda deste fen-
meno [2]. O uso de isoladores polimricos em estruturas compactas bastante comum,
pois estes so menores que os isoladores convencionais e possuem manuseio e transporte
Captulo1. Introduo 13
mais prtico. Como a utilizao de polmeros no sistema eltrico vem crescendo de forma
acentuada nos ltimos anos em todo o mundo [3], a discusso em torno do efeito corona
torna-se mais intensa e necessria.
Outro ponto a ser considerado o emprego de novos materiais isolantes. O prprio
polmero no possui composio totalmente pr-estabelecida por norma, cando a cargo
do fabricante a denio de materiais, formato e procedimentos utilizados na confeco
do isolador polimrico [4]. As propriedades isolantes e mecnicas so garantidas por
meio de ensaios; o tempo de vida estimado ainda incerto, pois a degradao depende
do tempo de exposio ao corona e do tipo de material. Como so materiais recentes,
quando comparados com os convencionais, cermico e vidro, ainda no se tem base para
se estabelecer este tempo. Uma das formas de se obter a prolongao do tempo de vida
destes materiais evitar a exposio destes ao corona.
At aqui, o corona foi citado apenas como efeito indesejvel ao sistema, todavia h
casos em que este desejvel. Este fato ocorre em algumas aplicaes industriais, como
o caso da utilizao do corona em precipitadores eletrostticos e no processo de esterili-
zao de alimentos [5, 6]. Nestes casos, o objetivo do processo criar o corona de forma
mais eciente e econmica. Os precipitadores eletrostticos utilizam o corona para ele-
tricao de partculas slidas, para posterior remoo destas por captao. No caso da
esterilizao de alimentos, as descargas de corona produzidas tm por objetivo eliminar
micro-organismos indesejveis.
Seja para preveno, seja para gerao do efeito corona, a denio de um critrio de
incio de corona com mais rigor de grande interesse.
H ainda algumas questes acerca do efeito corona cujas respostas se encontram em
aberto, no sendo bem denidas nem totalmente aceitas. Algumas destas questes so
relacionadas aqui:
sob quais condies (nvel de campo, nvel de tenso) ocorre corona?
quais so as condies para extino do corona?
qual a relao entre nvel de corona, tempo de exposio e efeitos causados no
sistema?
Esta pesquisa tem seu foco na primeira questo. De fato, no h um consenso sobre o
nvel de campo eltrico necessrio para se tentar evitar a formao do corona. Atualmente,
os fabricantes utilizam alguns valores de referncia, que variam de acordo com as normas
vigentes, condies e tipo de arranjo [7].
Tendo como base as motivaes apresentadas, conclui-se que o estudo do efeito corona
de interesse ao meio acadmico, indstria e sociedade como um todo.
1.2 Objetivo do Trabalho
Este trabalho tem por objetivo o estudo de modelos de predio de corona presentes
na literatura. Alm da vericao da aplicabilidade destes atravs de experimentos e
simulaes, uma proposio de um modelo modicado ser abordada.
Um produto indireto deste trabalho a reunio de informaes em um nico docu-
mento, relacionando os modelos de predio de corona. Este fato de grande interesse
visto que estas informaes se encontram diludas em diversos textos, por vezes de difcil
acesso.
Esta pesquisa visa ainda instigar a busca por modelos de predio de corona que
contemplem conguraes de arranjos diversos, alguns no abordados na literatura, como
o caso de defeitos em isoladores polimricos.
1.3 Breve Histrico
Existe vasto material disponvel na literatura abordando o efeito corona em seus mais
diversos aspectos. Um breve histrico apresentado, relacionando os trabalhos mais
relevantes nos estudos acerca do corona.
Um dos primeiros trabalhos onde o efeito corona foi estudado cienticamente, com
metodologia e diagnstico bem denidos, foi o de Lichtenberg, em meados do sculo
XVIII. Lichtenberg fez o registro das formas do corona em um plano fotogrco para
um arranjo constitudo de um basto e um plano. As formas registradas so conhecidas
como guras de Lichtenberg. Nestas guras, foi constatado que as formas variavam com
a magnitude, com a forma de onda e com a polaridade da tenso aplicada [8, 9]. Alm
do pioneirismo, Lichtenberg estabeleceu o mtodo de diagnstico ainda hoje utilizado.
No incio do sculo passado, Townsend apresentou estudos sobre o processo de ioni-
zao em gases. Dentre suas publicaes, Electricity in Gases, de 1914, aborda os di-
versos mecanismos envolvidos na formao e propagao de descargas eltricas em gases.
Townsend realizou as primeiras formulaes para clculo da tenso associada ao corona
[8, 9], alm das equaes utilizadas atualmente na descrio do processo de ionizao.
As formulaes mais conhecidas relacionadas ao efeito corona foram desenvolvidas por
Peek. Em seu trabalho, Dielectric phenomena in High-voltage Engineering(1929), Peek
estimou o campo eltrico crtico para formao de descargas de corona atravs de equaes
empricas, para arranjos determinados, como cilindros coaxiais e condutores paralelos
[8, 10]. Ainda hoje, suas expresses so largamente empregadas devido simplicidade e
aos resultados satisfatrios destas.
Em torno de 1960, Loeb apresentou estudos detalhados acerca do corona, em seu livro
Electrical Coronas. Loeb ainda publicou diversos trabalhos relacionados ao processo de
descargas eltricas, com contribuies na teoria de formao de descargas [5, 8, 9].
Mais recentemente, Zaengl apresentou formulaes para o clculo do campo eltrico
crtico. A expresso de Zaengl apresenta correes para os desvios ocorridos nas equaes
de Peek para condutores de dimetros de valores elevados [5].
Os mecanismos presentes no processo de ionizao so apresentados detalhadamente
em diversos trabalhos [5, 8, 11, 12, 13]. A teoria relacionada a descargas eltricas em
gases abordada, desde os fundamentos da teoria de gases at os complexos mecanismos
de ionizao e disrupo. Alm da fsica do processo de disrupo, em gases e slidos,
estudos relacionando as descargas eltricas e os materiais dieltricos so apresentados por
Raju [11]. A formao do corona e sua interao com superfcies tratada por Goldman e
Sigmond [9]. O EPRI (Electric Power Research Institute) aborda as formulaes empricas
estudadas com uma viso aplicativa, analisando a inuncia do corona no sistema eltrico
[10].
Este um breve histrico relacionando alguns trabalhos referentes ao efeito corona. O
Captulo 2 aborda, em detalhes, o fenmeno e os modelos de predio encontrados nestas
referncias.
1.4 Estrutura da Dissertao
Esta dissertao est estruturada em seis captulos, dispostos sequencialmente como:
Introduo, Efeito Corona, Experimentos, Simulaes Computacionais, Anlise dos Mo-
delos de Predio, Concluses e Trabalhos Futuros.
O Captulo 2 trata da fsica do fenmeno, detalhando o processo de formao do
corona. Os tipos de corona de acordo com a natureza da tenso aplicada so apresentados.
A formao de carga espacial e sua inuncia na distribuio de campo eltrico tambm
abordada. As principais formulaes referentes aos modelos de predio estudados so
apresentadas.
O Captulo 3 aborda os experimentos realizados na pesquisa. So descritos as dife-
rentes topologias dos arranjos utilizados, as montagens, a metodologia empregada nos
ensaios. As tenses de incio de corona so levantadas e seus valores discutidos.
O Captulo 4 complementa a anlise realizada com os experimentos, atravs da reali-
zao de simulaes computacionais para os mesmos arranjos ensaiados. Neste captulo,
realizada uma breve discusso acerca de mtodos numricos. Anlises do campo eltrico
simulado na condio de corona so realizadas.
O Captulo 5 apresenta anlise dos modelos apresentados no Captulo 2. proposto
um modelo de predio de corona, a partir da modicao de expresses dos modelos
de predio estudados. Testes so realizados para avaliar este modelo e seus resultados
descritos. Adicionalmente, sugerida a incorporao do carter probabilstico do efeito
corona ao modelo proposto.
O Captulo 6 encerra o texto retomando os principais pontos abordados durante o tra-
balho e as concluses obtidas a partir do estudo realizado. As propostas de continuidade
para o trabalho so apresentadas.
Captulo 2
Efeito Corona
2.1 Introduo
Um dos primeiros relatos do aparecimento do efeito corona foi chamado St. Elmos
re, relacionado s descargas ocorridas nos mastros de navios em alto mar. Este fen-
meno logo foi atribudo ao protetor dos navegadores, Saint Elmo [9, 14]. A origem do
termo corona (palavra do Latim para coroa) geralmente atribuda semelhana entre a
descarga ocorrida em eletrodos pontiagudos e a ponta das coroas de reis (do ingls crown),
embora possa se relacionar o termo ao poder mstico da coroa ou ao aparecimento miste-
rioso de chamas luminosas como o St. Elmo re. Anos mais tarde, o mesmo fenmeno
foi observado em laboratrio e em aparelhos eltricos. Embora o efeito corona seja de
conhecimento da humanidade h bastante tempo, somente na ltima metade do sculo
XVIII este comeou a ser estudado cienticamente. Este captulo aborda o processo de
formao e as caractersticas do corona, aspectos necessrios para seu entendimento e
observao.
2.2 O Fenmeno
Diante das diversas denies encontradas na literatura para o fenmeno, destaca-
se aquela utilizada por Goldman e Sigmond e por G. Raju [9, 11], na qual o corona
denido como uma descarga eltrica auto-sustentada onde um campo eltrico Laplaciano
(geomtrico) conna o processo de ionizao a regies de campo intenso, prximo a estru-
turas energizadas ou isolantes. Ou seja, a intensidade elevada do campo eltrico ultrapassa
a rigidez dieltrica do ar, geralmente prximo a condutores, ocasionando o surgimento de
descargas. Por este motivo, o corona tambm conhecido como descarga parcial. A
Captulo2. Efeito Corona 18
forma assumida pelo corona varia com a polaridade da tenso aplicada, bem como com
sua intensidade e forma de onda. O corona pode ser identicado por possuir brilho de
colorao azulada, e por emitir rudo sonoro caracterstico. Esta denio caracteriza o
efeito corona de forma geral.
2.2.1 Processo de Formao
O processo de formao do corona, independente do seu tipo, tem incio no mecanismo
de avalanche de eltrons, descrito por Townsend [9]. A Figura 2.1 exibe a corrente durante
o processo de ionizao, onde se observa as variaes decorrentes em funo da tenso
aplicada.
Figura 2.1: Relao entre corrente e tenso durante processo de ionizao
Townsend observou que, inicialmente a corrente aumenta proporcionalmente com a
tenso aplicada at um valor onde esta corrente permanece constante a um valor Io. Este
valor corresponde corrente devido aos eltrons livres presentes no ar, resultantes da
ionizao de molculas neutras por ftons de radiaes csmicas ou ultravioleta.
Sob a ao de um campo eltrico, os eltrons livres so acelerados. A energia cintica
adquirida por estes eltrons pode ser suciente para que, ao colidirem com partculas
neutras, estas sejam ionizadas (coliso elstica). Quando esta energia insuciente para
a ionizao, as partculas neutras a absorvem, alcanando um estado de alta excitao
ou de vibrao (coliso inelstica) [5, 10, 12]. Na ionizao, a molcula neutra libera
um eltron, tornando-se um on positivo. Este eltron acelerado, repetindo o processo
descrito anteriormente, multiplicando, a cada nova coliso, o nmero de eltrons. Este
processo chamado de ionizao por coliso, e pode ser visto na Figura 2.2. O aumento
exponencial na corrente, ocorrido no trecho entre V 2 e V 3, na Figura 2.1, explicado por
este processo.
Figura 2.2: Processo de ionizao por coliso [12]
Townsend descreveu, por meio de um coeciente, o nmero de colises produzidos por
um nico eltron, por unidade de comprimento, se movendo na direo de um campo
eltrico aplicado. Este o primeiro coeciente de ionizao de Townsend, . Este coe-
ciente varia com a intensidade de campo, com a presso e tipo do gs, alm da umidade.
A corrente de ionizao ser dada pela Equao 2.1:
I = I
o
e
d
, (2.1)
onde Io a corrente inicial que deixa o catodo, e d a distncia entre catodo e anodo.
Paralelamente ao processo de liberao de eltrons, pode ocorrer a captao destes
por certos tipos de tomos ou molculas presentes no gs, formando um on negativo
estvel. Este processo descrito pelo attachment coecient, , denido como o nmero
de eltrons captados no caminho de um nico eltron na direo do campo, por unidade
de comprimento [9, 5].
Deste modo, o nmero de eltrons efetivamente liberados representado atravs do
coeciente de ionizao efetiva, = - .
Entretanto, Townsend observou em seus experimentos que, em tenses elevadas, a
corrente aumentava mais rapidamente que o previsto pela Equao 2.1 [5]. Este fato
descrito pelo trecho V 3 V 4 da Figura 2.1. Para explicar este aumento, foi proposto
um mecanismo secundrio de ionizao, no qual h emisso de eltrons por bombardea-
mento de ons positivos, por tomos neutros excitados (metaestveis), ou por ftons. Este
processo pode ser resumido pelo segundo coeciente de Townsend, . Este mecanismo
responsvel pelo processo de realimentao de eltrons, necessrio para que a descarga se
auto-sustente na regio de ionizao. Assim, re-escrevendo a corrente de ionizao tem-se
a Equao 2.2.
I = I
o
e
d
1 (e
d
1)
(2.2)
Quando a descarga se torna auto-sustentada, a corrente I se torna indeterminada, e
o denominador na Equao 2.2 ser nulo. Levando ainda em considerao a captao de
eltrons, tem-se:
(e
d
1) = 1 (2.3)
Deste modo, o critrio descrito pela Equao 2.3 dene o limite para a descarga,
quando igual a 1 ela se auto-sustenta, quando maior que 1 a descarga cresce muito rapi-
damente, e quando menor que 1 a descarga no capaz de se sustentar.
2.2.2 Streamer
O mecanismo de ionizao descrito por Townsend incapaz de explicar algumas obser-
vaes ocorridas em determinados casos. Os maiores conitos esto relacionados ao tempo
requerido para formao da descarga auto-sustentada, inuncia das cargas espaciais no
processo de ionizao e interpretao do processo para altos valores de pd (presso pelo
comprimento do gap). A inuncia das cargas espaciais ser abordado posteriormente,
no decorrer deste captulo. Para explicar o processo que ocorre para altos valores de pd
um outro mecanismo proposto, a teoria de streamer.
Durante o processo de ionizao por coliso, a carga formada pelos eltrons e ons
liberados apresenta um campo eltrico local, o que causa uma distoro no campo eltrico
externo aplicado. A Figura 2.3 mostra a distoro no campo eltrico aplicado devido
carga espacial da avalanche de eltrons.
Figura 2.3: Distoro no campo eltrico causado pela carga espacial da avalanche de
eltrons [5]
.
Quando o campo eltrico devido carga espacial formada durante a avalanche de
eltrons possui intensidade signicativa em relao ao campo eltrico externo aplicado,
uma condio instvel criada, a qual pode conduzir ao incio da formao de um canal
de ionizao, conhecido como streamer. O aumento do campo eltrico, observado na
ponta da avalanche de eltrons, faz com que se intensique o processo de ionizao local,
conduzindo um rpido desenvolvimento do canal atravs do gap. O nmero de eltrons
estimados para dar incio ao streamer em torno de 10
8
.
O processo de desenvolvimento do streamer se d em intervalo de tempo menor que
o mecanismo de Townsend, o que esclarece um dos pontos de conito apresentado. Alm
disto, a teoria de streamer est de acordo com as observaes do fenmeno para valores
elevados de pd, registradas por meio de fotograas.
Deve-se ressaltar que, em um campo eltrico uniforme tanto a avalanche de eltrons,
quanto o streamer conduz disrupo no gap, deste modo, s possvel a formao do
corona em campos no uniformes.
2.2.3 Tipos de Corona
De acordo com a natureza da tenso aplicada, pode-se falar em corona do tipo d.c., a.c.
ou impulsivo [5, 10, 11]. Ainda pode-se falar sobre corona unipolar ou bipolar dependendo
da presena de um ou dois eletrodos ativos. No caso de corona unipolar, ainda fala-se
em corona negativo ou positivo dependendo da polaridade da tenso aplicada ao eletrodo
ativo.
O corona impulsivo gerado por tenses aplicadas em curtos intervalos de tempo,
no permitindo o acmulo nem o deslocamento de cargas. Por este motivo, a formao
de descarga para corona impulsivo semelhante ao processo de ionizao que ocorre em
campo uniforme.
O corona d.c. e a.c. (60Hz), por ser originado de tenses aplicadas durante um tempo
longo, permite o acmulo e deslocamento de cargas, o que ocasiona distoro no campo
eltrico.
Outra diferena entre os tipos de corona consiste na disponibilidade de eltrons para o
incio do fenmeno. Quando a tenso aplicada possui tempo de subida lento, coronas d.c. e
a.c., possibilita que haja quantidade de eltrons sucientes para iniciar e dar continuidade
ao processo ionizao. Quanto menor o tempo em que se aplica a tenso, maior a energia
necessria para que os eltrons acelerem e realizem colises efetivas. Deste modo, no caso
de tenso impulsiva ocorrer um atraso, denominado tempo de atraso estatstico, que o
tempo necessrio para que os eltrons adquiram energia suciente para iniciar a ionizao.
No corona d.c., o mecanismo de formao se difere basicamente para polaridades
positivas e negativas. Para uma mesma polaridade, tem-se diferentes manifestaes do
fenmeno ou modos de corona, dependendo da tenso aplicada, do formato do eletrodo e
condies da superfcie. Cada modo possui diferentes caractersticas (forma da corrente,
magnitude, etc).
A Figura 2.4 apresenta as formas de corona negativo, enquanto as formas para o corona
positivo so vistas na Figura 2.5 [10].
Figura 2.4: Corona Negativo - Pulsos de Trichel, Glow negativo e Streamers negativos
[10].
Figura 2.5: Corona Positivo - Pulsos Onset, Glow positivo e Streamers positivos [10].
O corona negativo mais comumente caracterizado por pulsos de Trichel, mas tambm
se manifesta sob as formas de glow negativo e streamers negativos. . Deve-se ressaltar
que a tenso de incio de corona negativo menor que a tenso para formao de corona
positivo. A razo para isto se deve parcialmente ao fato de que os eltrons iniciais, durante
formao do corona negativo, se encontram em uma regio de campo eltrico intenso,
prximo ao eletrodo [11]; em contraposio, os eltrons iniciais para o corona positivo,
so originados a partir de um volume. Com o aumento da tenso, o volume aumenta,
contribuindo para maior nmero de eltrons iniciais. Outro motivo est na distoro
do campo pela formao de cargas espaciais, aspecto que ser abordado no decorrer do
trabalho.
O corona positivo possui trs formas distintas: pulsos onset, glow positivo (Heimsteins
glow) e streamers positivos, sendo esta ltima forma predominante [10]. O corona positivo
avana muito mais rapidamente que o corona negativo, devido presena de processos
de ionizao que ocorrem para esta polaridade de tenso aplicada, como a emisso de
eltrons pelo catodo por bombardeamento de ons.
Sob tenso alternada, todos os modos de corona podem estar presentes. Porm a
formao de carga espacial durante meio ciclo pode modicar o tipo e a intensidade do
corona do meio ciclo seguinte.
2.2.4 Efeitos
Como j mencionado, o corona est associado a campos eltricos elevados e pode
produzir luz, rudo audvel e oznio, produtos facilmente detectados por nossos sentidos.
Alm destes, as descargas de corona podem gerar outros efeitos [14], tais como:
radiao ultravioleta;
cido ntrico, na presena de umidade;
calor devido descarga, ocasionando perda de energia;
eroso mecnica devido ao bombardeamento de ons;
interferncia nas frequncias de rdio, causando problemas na comunicao.
Dentre os efeitos citados, destacam-se aqueles que ocasionam a degradao qumica ou
mecnica de materiais localizados na regio onde o fenmeno ocorre. Estas so as razes
principais que tornam indesejveis as descargas produzidas por corona.
2.2.5 Carga Espacial
Os mecanismos descritos por Townsend para o processo de ionizao, sofrem inun-
cia da presena de carga espacial, quando os campos no so uniformes. Em campo
eltrico no uniforme, os processos de coliso so muito mais intensos nas proximidades
dos eletrodos do que nas demais regies, devido assimetria do campo eltrico.
A carga espacial presente na regio de corona causa uma distoro do campo eltrico,
conforme pode-se observar na Figura 2.6. As curvas pontilhadas representam o campo
eltrico sem presena de carga espacial, enquanto que as curvas contnuas representam o
campo eltrico distorcido pela presena da carga espacial.
Figura 2.6: Distoro do campo eltrico causada pela carga espacial: a)ponta positiva
b)ponta negativa [5]
.
Para um eletrodo ativo positivo, os eltrons, devido alta mobilidade, sero rapida-
mente captados pelo eletrodo, deixando a carga positiva para trs. A carga espacial ir
reduzir a intensidade de campo prximo ao eletrodo, e ao mesmo tempo aumentar este
campo no restante do gap.
Para o eletrodo ativo negativo, os eltrons so repelidos para a regio de campo de
intensidade baixa, fazendo com que a carga positiva permanea no espao entre a carga
negativa e o eletrodo. O efeito da carga espacial o de aumentar a intensidade do campo
prximo ponta, porm reduz a regio de ionizao.
Desta forma, em campos no uniformes, para polaridade positiva necessrio maior
tenso aplicada quando comparada polaridade negativa, para se iniciar o processo de
ionizao.
Considerando a formao de carga espacial, ao se observar o fenmeno, pode-se dividir
o gap entre eletrodos em trs regies distintas [11]. Estas regies so observadas na Figura
2.7. Os limites de cada regio variam de acordo com o formato e dimenses dos eletrodos,
com a tenso aplicada e com as caractersticas do gs isolante.
Estas regies so descritas como:
Regio de Brilho, onde a ionizao ocorre, usualmente localizada prxima ao eletrodo
ativo;
Regio de Deriva, onde o campo eltrico no possui intensidade suciente para
acelerar os eltrons, e portanto, no ocorre ionizao;
Regio de carga livre, onde o campo eltrico possui baixa intensidade, e a carga
sofre pouca inuncia deste.
Figura 2.7: Regies de ionizao [11]
Na regio de brilho, tambm chamada de regio ativa, a ionizao por coliso ocorre e
a descarga auto-sustentada existe. Aplicando-se o critrio de Townsend tem-se a Equao
2.4. A integral em 2.4 utilizada porque o campo eltrico varia espacialmente, fazendo
com que o primeiro coeciente de ionizao no seja constante.
(e
d
o
0

dx
1) = 1 (2.4)
Onde do o limite da regio onde a ionizao ocorre, e e
descritos como na Equao

2.3.
2.2.6 Gradiente Crtico
As formas para se avaliar a presena ou no de corona se utilizam da tenso ou do
campo eltrico na superfcie do eletrodo ativo. O campo eltrico necessrio para o incio
do processo de formao do corona conhecido por gradiente crtico.
Frequentemente, se encontra na literatura que o campo eltrico para disrupo do ar
30kV/cm [8]. Segundo experimentos conduzidos por Schumann, para placas paralelas
observou-se que o campo eltrico para disrupo do ar era 30kV/cm somente para uma
distncia de 2cm entre placas, sendo muito mais elevado quanto menor o gap.
Ao observar uma congurao de duas esferas de raio r, separadas por um gap de
comprimento S, Schumann constatou que o valor de 30kV/cm foi excedido em todos os
experimentos [8]. A faixa observada para S/r variava entre 0.06 e 2.0, para r entre 0.25cm
e 12.5cm. Portanto, dependendo da congurao, o valor 30kV/cm para ionizao, pode
ser utilizado apenas para propsitos de estimao do corona, j que este valor pode ser
maior.
As descargas parciais sempre surgem a tenses menores que para a disrupo, j que
este fenmeno precede a disrupo. Portanto, durante as descargas parciais, tanto para
tenso quanto para o gradiente crtico, espera-se comportamento semelhante disrupo.
Deste modo, diferentes valores de campo eltrico crtico so utilizados como referncia
dependendo do tipo do arranjo e material [7].
2.3 Modelos de Predio
Para estimar a tenso de incio de corona, expresses empricas foram desenvolvi-
das. Estas expresses so aqui nomeadas de modelos de predio de corona. A maior
parte destas expresses visam o clculo do gradiente crtico, sendo a tenso calculada
posteriormente em funo do tipo de arranjo. Os modelos estudados so apresentados a
seguir.
2.3.1 Peek
Peek, em 1929 , desenvolveu atravs de seus experimentos, uma expresso emprica
para clculo do campo eltrico crtico. Esta expresso amplamente utilizada atual-
mente para os mais diversos arranjos, porm foi originalmente desenvolvida para cilindros
concntricos.
O campo eltrico na superfcie de um condutor (valor de pico dado em kV/cm)
necessrio para produzir corona visual no ar, dado por:
Cilindros concntricos:
E
c
= 31m
1 +
0.308
(2.5)
Condutores paralelos:
E
c
= 30m
1 +
0.301
(2.6)
Para ambas equaes, a raio do condutor em centmetros, m o fator de irregula-
ridade da superfcie e a densidade relativa do ar. A diferena entre as duas expresses
apresentadas est apenas na alterao de duas constantes. Portanto, segundo estas for-
mulaes, o comportamento do campo crtico semelhante para estes dois arranjos.
Para condutores inteiramente polidos, o fator de irregularidade denido como a
unidade. Para cabos ou condutores encordoados (stranded), como o corona surge gradu-
almente a partir de pontos especcos, m assume valores variando de 0.72 0.82. Alm
disto, a presena de poeira, umidade e leo faz com que o gradiente em que o corona se
inicie diminua, este efeito expresso pela reduo do fator de irregularidade [8].
Pela anlise das expresses de Peek, observa-se que o gradiente crtico dependente
somente do raio do condutor e independente do espaamento. Esta independncia da se-
parao esperada para grandes distncias, deste modo o campo na superfcie do condutor
seria pouco afetado pela presena do eletrodo passivo.
A tenso para incio de corona pode ser obtida a partir do campo eltrico crtico,
substituindo este na formulao convencional para o potencial em cilindros concntricos,
o que resulta na Equao 2.7, e para condutores paralelos na Equao 2.8.
Cilindros concntricos:
V
c
= E
c
a ln
R
a
(2.7)
Condutores paralelos:
V
c
= E
c
a ln
S
a
(2.8)
Onde R e a so os raios dos cilindros externo e interno, respectivamente, para cilin-
dros concntricos. Para condutores paralelos, a o raio dos condutores e S a separao
entre estes. Observa-se que a dependncia com o comprimento do gap s expressa na
formulao para a tenso, sendo campo eltrico crtico dependente somente do raio do
condutor.
2.3.2 Townsend
O campo eltrico no qual tem incio o corona pode ser estimado pelo mtodo de
Townsend, que assume que o espao pode ser dividido em duas regies, de acordo com este
campo. Deste modo, para uma geometria qualquer onde o campo eltrico no apresenta
uniformidade, tem-se que na regio prxima ao eletrodo ativo, o ar altamente ionizvel
at uma distncia onde o campo alcana o valor de 30kV/cm. Como visto anteriormente,
este valor pode ser utilizado para propsitos de estimao. Para o restante do gap, o
campo eltrico considerado baixo para ionizao.
O campo eltrico E, a qualquer raio r de distncia de uma linha, fornecido pela
Equao 2.9.
E
E
c
=
a
r
(2.9)
Onde E
c
o campo eltrico na superfcie de uma linha de raio a.
O raio na regio de ionizao (r
i
) dado pela equao 2.10, enquanto que o campo
mdio no envelope de corona (mdia aritmtica entre o campo na superfcie do eletrodo
e o campo na regio limite de ionizao) dado pela Equao 2.11.
r
i
=
E
c
a
30
(2.10)
E
medio
=
E
c
+ 30
2
(2.11)
O campo eltrico para disrupo (E
s
) dado pela formulao emprica de Townsend,
Equao 2.12.
E
s
= 30 +
1.35
d
(2.12)
Onde d o comprimento do gap.
Considerando que na regio de ionizao ocorre uma disrupo, tem-se que E
s
= E
medio
e d = r
i
a. Fazendo as devidas substituies, obtm-se a expresso para o campo crtico
(Equao 2.13).
E
c
= 30 +
9
a
(2.13)
O desenvolvimento desta expresso apresentado em [8]. Observando esta expresso,
verica-se que esta muito similar formulao emprica de Peek.
2.3.3 Fator de Ecincia de Campo
O Fator de Ecincia de Campo Eltrico , foi proposto por Schwaiger em 1922,
como medida da uniformidade do campo, sendo denido pela Equao 2.14 [12]. Este
fator tambm conhecido na literatura como Fator de Utilizao, sendo algumas vezes
empregado seu inverso, chamado Fator de no-uniformidade.
=
E
medio
E
max
(2.14)
O Fator de Ecincia de Campo compara duas conguraes de eletrodos, com o
mesmo espaamento e tenso aplicada. Seu valor depende da geometria do arranjo, vari-
ando entre 1 e um valor muito prximo de 0. O campo eltrico mdio o campo uniforme
entre placas paralelas, para mesma tenso e espaamento do arranjo comparado. Deste
modo, em um campo uniforme, igual a 1, e para campo no uniforme menor que 1.
Assim, quanto mais prximo de 1 o , mais uniforme o campo eltrico para o arranjo
em questo.
A tenso de incio de corona pode ser estimada pela Equao 2.15 [15], onde o campo
eltrico mximo na superfcie do condutor substitudo pelo campo crtico E
c
e o campo
mdio por V
c
/d.
V
c
= E
c
d (2.15)
Diversas expresses para o clculo de so propostas para diferentes conguraes em
[12]. Uma expresso foi sugerida por Y. Qiu [16], baseada em tcnicas de aproximao de
curvas, onde o clculo de pode ser feito em funo do raio do condutor r e da distncia
do gap entre eletrodos d. A Equao 2.16 apresenta esta expresso.
= [0.45 (d/r) ln(6 (d/r))/ ln(d/r)]
1
(2.16)
Para aplicao da Equao 2.15, necessrio o conhecimento prvio do campo eltrico
crtico ou da tenso de incio de corona, dependendo do objetivo. Assim, esta expresso s
pode ser utilizada em experimentos ou aliada a outras expresses empricas que forneam
a varivel necessria.
2.3.4 Zaengl
Mais recentemente, Zaengl et al. desenvolveram uma expresso baseada na relao
dada por Schumann (Equao 2.17), combinada com critrio de Townsend (Equao 2.3)
[5]. Na expresso de Schumann, E e E
o
so campos eltricos, onde E
o
o valor no limite
da regio de ionizao; p a presso ,
o coeciente de ionizao efetiva e C uma

constante.
p
= C [(E/p) (E
o
/p)]
2
(2.17)
Simplicando a expresso de Schumann e aplicando o critrio de Townsend, chega-se
s expresses 2.18.
= C [E/ E
o
]
2
d
o
a
C [(E/) E
o
]
2
dr = k
(2.18)
O campo eltrico E, funo do raio para congurao de dois cilindros coaxiais, como
visto na equao 2.19.
E =
q
2r
= k
q
/r (2.19)
Fazendo a substituio da equao 2.19 em 2.18 e avaliando a integral, observando
que E
o
= k
q
/(r
o
) e que E
c
= k
q
/a, tem-se a equao 2.20 para o campo crtico.
(E
c
/)
2
2(E
c
/)E
o
ln (E
c
/E
o
) E
2
o
=
k
Ca
(2.20)
O desenvolvimento desta expresso apresentado em [5, 17]. Os valores utilizados por
Zaengl para as constantes so E
o
= 24.36kV/cm e K/C = 42kV
2
/cm.
A Equao 2.20 apresenta resultados similares formulao de Peek, porm conside-
rada mais precisa para condutores de dimetros mais realsticos. Para r > 1, a expresso
de Peek apresenta valores mais elevados do que os observados experimentalmente. Isto se
deve ao fato da expresso emprica de Peek ter sido baseada em medies em condutores
de raio pequeno [5, 17].
As formulaes apresentadas neste captulo para os modelos de predio foram uti-
lizadas para clculo da tenso de incio de corona dos experimentos realizados. Os expe-
rimentos, bem como os resultados e discusses pertinentes, so apresentados no captulo
seguinte.
Captulo 3
Experimentos
3.1 Introduo
Existem diversos mtodos propostos na literatura que podem ser utilizados para denir
a tenso de incio de corona experimentalmente [1]. Os mtodos mais conhecidos so os
baseados na observao visual, na medio da tenso de rdio-interferncia (RIV), na
medio de descargas parciais ou na medio de rudo audvel. Deve-se denir o mtodo
mais adequado, de acordo com a disponibilidade de equipamentos, espao fsico e objetivo
do ensaio em questo.
Como o mtodo utilizado por Peek e por Zaengl em seus experimentos foi baseado
em observaes visuais, optou-se tambm por empregar este mtodo durante os ensaios
realizados nesta pesquisa. Deste modo, a comparao dos resultados obtidos com os
existentes na literatura facilitada, pois a utilizao de mtodos diferentes aumentaria a
discrepncia dos resultados devido diferena de sensibilidade presente em cada um.
Antes de se denir os procedimentos adotados para os ensaios, deve-se considerar a
denio da tenso associada formao do corona, visto que esta possui interpretaes
diferentes na literatura. A tenso associada ao corona pode ser denida como a tenso
que coincide com a primeira apario das descargas de corona (surgimento), ou como a
tenso em que ocorre o desaparecimento total das descargas de corona (extino) [18].
As normas geralmente associam a tenso de corona extino do fenmeno [19], pois
a principal preocupao a identicao de pontos susceptveis formao do corona,
ou garantir sua ausncia para determinada faixa de tenso acima da tenso de operao.
Como a extino do corona se d a tenses inferiores ao seu aparecimento, para este
trabalho, a tenso associada ao corona foi vinculada ao surgimento do fenmeno.
Captulo3. Experimentos 32
3.2 Metodologia
A tenso de incio de corona, determinada experimentalmente para os diferentes arran-
jos, servir como base para as simulaes computacionais. Assim, a partir desta tenso e
do seu correspondente gradiente (obtido atravs das simulaes) ser possvel estabelecer
comparaes dos modelos de predio apresentados.
A montagem utilizada nos experimentos foi efetuada de forma a se evitar o apareci-
mento do corona em regies onde este no fosse objeto de estudo, no permitindo interfe-
rncia nos resultados, assegurando que as primeiras descargas de corona fossem devidas ao
arranjo sob ensaio. Para isto, a conduo da tenso ao arranjo foi realizada via tubulao
de cobre, sem presena de quinas ou pontas. Uma viso geral da montagem experimental
apresentada na Figura 3.1.
Figura 3.1: Montagem Experimental - Viso geral
Os experimentos consistiram na energizao dos arranjos, em ambientes totalmente
escuros, com aplicao de uma tenso alternada senoidal de 60 Hz, cuja amplitude pode
ser variada na faixa de 1kV a 50kV. A partir de uma tenso inicial, onde ainda no se
havia detectado a presena do corona, foi-se elevando a tenso em passos pr-denidos e
o registro fotogrco do arranjo, a cada tenso aplicada, foi realizado. Aps o trmino
de cada experimento, as fotograas foram analisadas, e a tenso de incio de corona foi
identicada para cada congurao testada.
A m de se manter o mesmo padro de identicao, uma cmera digital foi utilizada
para o registro das fotos, com mesmo tempo de exposio e mesma sensibilidade em todas
as situaes. Deste modo, a cmera foi ajustada para ISO 400, tempo de exposio de
30 segundos e abertura f/5.2. A cmera foi mantida a uma distncia xa de 1 metro do
arranjo.
Os arranjos testados possuam topologias diferentes, variando o tipo e a congurao.
3.3 Arranjos
Os experimentos iniciais foram realizados em arranjos simples, do tipo ponta-plano.
Posteriormente energizou-se um isolador polimrico, portanto uma estrutura de geometria
mais complexa. Os arranjos utilizados so descritos a seguir.
3.3.1 Arranjo Ponta-plano
O arranjo ponta-plano consistiu de um eletrodo ativo, um basto de cobre com ter-
minao pontiaguda, separado por uma distncia de uma superfcie plana aterrada. Esta
distncia foi chamada de gap. Nos ensaios conduzidos utilizando este tipo de arranjo, trs
diferentes eletrodos foram utilizados. A diferena entre estes eletrodos reside no raio de
curvatura de suas pontas. Os eletrodos foram chamados de r1, r2 e r3, de acordo com o
raio, sendo, respectivamente: 0.0129cm, 0.0392cm e 0.1879cm. Os valores dos raios dos
eletrodos foram obtidos por uma regra de trs simples entre a medida do dimetro do
eletrodo e da sua ponta, realizada em pixels pela inspeo das fotos, e depois convertida
em centmetros. Os eletrodos so vistos na Figura 3.2.
Figura 3.2: Eletrodos de raios r1, r2 e r3, utilizados nos arranjos ponta-plano
Com o intuito de se investigar a inuncia do comprimento do gap na tenso de incio
de corona, quatro distncias foram analisadas: 1.5cm, 3cm, 7cm e 10cm. Os ensaios foram
conduzidos conforme metodologia apresentada anteriormente, onde o passo de tenso
adotado foi de 0.5kV. Houve ainda a insero de um multmetro, para possibilitar medies
mais precisas na faixa de 1kV a 5kV. As condies ambientais registradas durante o ensaio
foram: temperatura ambiente = 19
C, presso atmosfrica = 698mmHg e umidade relativa

do ar = 50%.
As tenses de incio de corona levantadas durante estes ensaios so apresentadas na
seo de resultados. Deve-se ressaltar que alguns gaps foram avaliados em um segundo
experimento, onde a consistncia dos resultados foi vericada.
3.3.2 Isolador Polimrico
Ensaios foram tambm realizados em um arranjo consistido de um isolador polimrico
de distribuio, de 13,8kV de tenso nominal. A Figura 3.3 apresenta este isolador,
destacando seus terminais de acordo com energizao de cada um.
Figura 3.3: Isolador polimrico de 13,8kV utilizado nos experimentos
O objetivo dos ensaios, para este tipo de arranjo, era avaliar a tenso de incio de
corona devido presena de defeitos localizados na superfcie do isolador. Semiesferas
metlicas foram colocadas na saia do isolador, simulando gotas de gua, uma situao
comum de servio a que este submetido [20, 21, 22]. Este isolador foi preparado de
forma que um pequeno anel de equalizao foi instalado junto ao terminal energizado,
evitando assim a formao do corona na ferragem. Deste modo, garantiu-se que o corona
primeiro surgisse nos defeitos presentes na superfcie do isolador.
Utilizou-se quatro semiesferas de alumnio, duas possuindo dimetro de 1.06 cm, e as
outras duas dimetro de 0.82 cm. Estas semiesferas foram colocadas na primeira saia do
isolador, prximo terminao energizada, sempre em pares iguais. Avaliou-se a formao
do corona para trs casos distintos, nos quais variou-se distncia do par em relao ao
basto do isolador e a distncia entre semiesferas, alm do tamanho destas. Estes casos
so detalhados no item 3.4.2.
O procedimento para identicao da tenso de incio de corona foi o mesmo descrito
anteriormente, optando-se por um passo de tenso de 1kV, devido menor sensibilidade
encontrada neste arranjo nos pr-testes. Durante os ensaios, registrou-se temperatura de
28
C, presso atmosfrica de 698mmHg e umidade relativa do ar de 55%.

3.4 Resultados e Discusses
As tenses de incio de corona observadas durante os ensaios so apresentadas aqui.
As semelhanas e diferenas para cada arranjo e congurao so discutidas.
A Figura 3.4 ilustra as fotos consideradas como correspondentes condio de incio
de corona. Neste caso, o gap de 3cm e os eletrodos r1, r2 e r3 foram utilizados. Observa-se
diferenas no formato das descargas luminosas para cada ponta. As tenses em que ocorre
o fenmeno para cada eletrodo so, respectivamente, 5.5kV, 8kV e 15.5kV (valores r.m.s.).
Para tenses aplicadas inferiores a estas, nas respectivas conguraes, no observou-se
nenhuma atividade luminosa nos arranjos.
As descargas de corona para eletrodos de raios de curvatura menores, r1 e r2, ap-
resentam formato denominado glow negativo. A forma do corona para o eletrodo r3
deixa margem a duas interpretaes, pois se assemelha tanto ao glow negativo quanto aos
streamers positivos. Como o corona negativo surge primeiro que o positivo, ao considerar-
se todas as descargas como glow negativo, os resultados estariam dentro do esperado.
Tambm coerente considerar que o corona em r3 pode ser streamer positivo. Isto pode
ser explicado pelo fato que tanto o formato do eletrodo quanto o nvel de tenso, so
responsveis pelo aparecimento dos diferentes tipos de corona. Um nvel mais elevado
de tenso, como apresentado em r3, propicia o surgimento de corona positivo. Como o
corona positivo abrange maior rea, o corona negativo, que ocorre durante o semiciclo
negativo, superposto por este, j que a foto registra a luminosidade observada durante
30 segundos. Devido aos nveis baixos de tenso para surgimento do corona, em r1 e r2
observa-se apenas a presena de corona negativo.
A Tabela 3.1 mostra as tenses de incio de corona (valores r.m.s.) observadas para
diferentes arranjos. Analisando o raio da ponta dos eletrodos, constata-se que, quanto
maior este raio, maior a tenso para incio de corona. Resultado semelhante encontrado
quando observado o tamanho do gap, quanto maior o gap maior a tenso necessria para
formao do efeito corona.
Figura 3.4: Descargas de corona observadas para arranjo ponta-plano, para gap de 3cm,
eletrodos r1, r2 e r3 e tenses aplicadas de 5.5kV, 8kV e 15.5kV
Raios Comprimento do Gap
1.5cm 3cm 7cm 10cm
r1 4.5kV 5.5kV 6.0kV 6.0kV
r2 7.0kV 8.0kV 9.0kV 9.5kV
r3 12.0kV 15.5kV 18.0kV 19.0kV
Tabela 3.1: Tenso de incio de corona para arranjos ponta-plano
A Figura 3.5 mostra as curvas para a tenso de incio de corona obtidas pela Tabela
3.1. Conforme observado pelas curvas, h uma tendncia de estabilizao da tenso de
incio de corona, medida em que o comprimento do gap aumenta, indicando uma menor
dependncia desta tenso com o gap, para valores elevados deste. Comportamento similar
para a tenso de incio de corona em funo do gap, foi encontrado por Goldman et al.
[9].
Figura 3.5: Tendncia para as tenses de incio de corona observadas para arranjos ponta-
plano
Os resultados evidenciam a inuncia tanto do comprimento do gap quanto dos raios
dos eletrodos na formao do corona.
Trs conguraes para o isolador foram testadas, onde variou-se a distncia entre
as semiesferas (D
ee
), a distncia entre as semiesferas e o basto do isolador (D
be
), e o
tamanho das semiesferas (raio R
e
). Um esquemtico destas distncias visto na Figura
3.6.
Figura 3.6: Distncias esquemticas - isolador
A Figura 3.7 apresenta o isolador polimrico, submetido a uma tenso sucientemente
alta para produzir corona nos quatro gaps considerados. O isolador se encontra sob
tenso de 45kV. Para facilitar visualizao, foi realizada a superposio de duas fotos, a
do isolador e a foto do corona.
Figura 3.7: Corona no Isolador
Deve-se ressaltar que as tenses nas quais o corona foi observado esto acima da tenso
de operao do isolador, porm a anlise dos resultados podem ser estendidas qualitati-
vamente isoladores de tenso nominal superior. Isto possvel devido a anlise ter sido
realizada observando-se a primeira saia e o terminal energizado do isolador, estrutura que
no apresenta diferenas signicativas, para este tipo de estudo, medida que se aumenta
a tenso nominal do isolador.
A Tabela 3.2 apresenta os casos avaliados, de acordo com as distncias utilizadas para
cada gap em cada um destes casos.
Casos Comprimento do Gap
D
ee
D
be
R
e
C1 0.075cm 0.8cm 0.53cm
C2 0.06cm 0.8cm 0.53cm
C3 0.06cm 0.95cm 0.41cm
Tabela 3.2: Distncias utilizadas para experimentos com isolador polimrico
As tenses de incio de corona obtidas para os casos observados so apresentadas na
Tabela 3.3. Verica-se que a tenso para a formao do corona entre semiesferas (V
ee
)
maior quanto mais afastadas estas estiverem do eletrodo energizado, como visto ao se
comparar os casos C2 e C3.
Casos Tenses (r.m.s.)
V
ee
V
fe
C1 45.0kV -
C2 40.0kV 42.0kV
C3 42.0kV 45.0kV
Tabela 3.3: Tenses de incio de corona para diferentes distncias dos defeitos
Observando os casos C1 e C2, constata-se que uma maior separao entre as semiesferas
necessita de maior tenso aplicada para surgir corona. Isto se explica no fato que, um
aumento no potencial aplicado implica em um aumento no potencial utuante, no qual
as semiesferas esto submetidas.
Analisando o gap entre o terminal energizado e a primeira semiesfera, chamado ferragem-
esfera, observa-se que a tenso necessria para descarga de corona (V
fe
) proporcional
ao tamanho deste gap. Os resultados observados apresentam coerncia com as situaes
semelhantes descritas na literatura [7].
Para este tipo de congurao, as expresses apresentadas para os modelos de predio
no so aplicveis, visto que estes arranjos apresentam geometrias mais complexas, no
dependentes somente do raio de curvatura e do espaamento entre eletrodos.
Embora as tenses de incio de corona observadas sejam superiores tenso de ope-
rao do isolador, preciso salientar que efeito semelhante ocorreria para isoladores de
tenso nominal mais elevada, onde certamente a presena de gotas de gua nas saias
destes ocasionaria a formao de corona [22].
As situaes observadas nos experimentos reportados neste captulo foram reproduzi-
das computacionalmente e seus resultados so apresentados e analisados no captulo
seguinte.
Captulo 4
Simulaes Computacionais
4.1 Introduo
Atualmente, existe grande variedade de programas para o clculo de campo eltrico e
magntico, disponveis no mercado. Estes programas baseiam-se em mtodos numricos
para resoluo de equaes diferenciais parciais, como as de Laplace e Poisson.
Problemas complexos, envolvendo campos em duas ou trs dimenses, geometrias
complexas e/ou com diferentes caractersticas de materiais, podem ser solucionados mais
facilmente pela aplicao destes mtodos. O Mtodo das Diferenas Finitas, o Mtodo
de Elementos Finitos, o Mtodo de Simulao de Carga e o Mtodo de Elementos de
Fronteira so exemplos de mtodos numricos utilizados [5].
H vantagens e desvantagens em cada mtodo, cando a cargo do usurio identicar
a ferramenta de clculo que melhor lhe atende. Neste trabalho, foi utilizado o programa
FEMM [23], baseado no Mtodo de Elementos Finitos. Como vantagens deste mtodo,
tm-se:
facilidade de aplicao em sistemas no homogneos;
aumento da preciso com aumento do nmero de elementos;
reno da soluo para regies de interesse.
4.2 Mtodo de Elementos Finitos
No mtodo de Elementos Finitos, o problema dividido em regies, de acordo com
suas propriedades eltricas (permissividade, potencial, etc), as quais so denidas pelo
Captulo4. Simulaes Computacionais 42
usurio. Cada regio ento subdividida em elementos, compondo o que se chama de
malha. Um exemplo de malha pode ser visto na Figura 4.1. Uma formulao conveniente
ento aplicada a cada um dos elementos desta malha, e o conjunto de solues relativo
a estas regies nos fornece a soluo global do problema. evidente que quanto menores
forem estes elementos, mais a soluo discretizada se aproxima da soluo contnua, o que
representaria o caso ideal.
Figura 4.1: Exemplo de malha - detalhe direita
Para problemas bidimensionais, usualmente utiliza-se elementos triangulares, devido a
estes modelarem mais facilmente formatos irregulares, como o caso do FEMM [23]. Estes
elementos devem possuir suas fronteiras coincidentes, sendo o ponto comum entre vrios
elementos denominado n. Alm disto, o elemento no pode conter dois meios diferentes.
Para melhor aproximao da resposta, o tringulo a ser utilizado como elemento deve
ser equiltero, ou se aproximar o mais possvel deste. Isto devido aproximao da
variao do potencial no interior do elemento ser admitida linear. Em um tringulo que
apresenta um de seus ngulos muito agudo isto no verdade, pois h uma distoro do
campo nesta regio. O elemento de malha detalhado na Figura 4.2.
Figura 4.2: Elemento de malha
Um programa de clculo de campo pode ser dividido em trs etapas bsicas:
Pr-processamento: nesta etapa o usurio deve fornecer a estrutura a ser analisada
(formas geomtricas, condies de contorno, fontes). Ainda nesta etapa, a gerao
da malha deve ser efetuada de forma automtica ou semi-automtica pelo programa
malhador.
Processamento: uma vez que a discretizao efetuada, o clculo utilizando o
mtodo de elementos nitos aplicado; como principal resultado obtm-se o po-
tencial incgnito nos ns.
Ps-processamento: nesta etapa efetuada a anlise de resultados, tanto sob forma
visual (traado de equipotenciais, densidade de cores) como sob forma numrica, ou
seja, obtm-se valores de campos, uxos, etc.
Aps a denio da malha, elementos nitos de primeira ordem so utilizados, onde
o potencial varia linearmente segundo a Equao 4.1.
V (x, y) = a
1
+ a
2
x + a
3
y (4.1)
Observando os trs ns P1, P2 e P3, tem-se as equaes em 4.2.
V
1
= a
1
+ a
2
x
1
+ a
3
y
1
V
2
= a
1
+ a
2
x
2
+ a
3
y
2
V
3
= a
1
+ a
2
x
3
+ a
3
y
3
(4.2)
Resolvendo o sistema de equao, obtm-se os valores para as constantes a
1
, a
2
e a
3
,
de acordo com a Equao 4.3.
a
3
=
V
1
(x
3
x
2
) + V
2
(x
1
x
3
) + V
3
(x
2
x
1
)
x
1
(y
2
y
3
) + x
2
(y
3
y
1
) + x
3
(y
1
y
2
)
a
2
=
V
1
(y
2
y
3
) + V
2
(y
3
y
1
) + V
3
(y
1
y
2
)
x
1
(y
2
y
3
) + x
2
(y
3
y
1
) + x
3
(y
1
y
2
)
a
1
=
V
1
(x
2
y
3
x
3
y
2
) + V
2
(x
3
y
1
x
1
y
3
) + V
3
(x
1
y
2
x
2
y
1
)
x
1
(y
2
y
3
) + x
2
(y
3
y
1
) + x
3
(y
1
y
2
)
(4.3)
Substituindo a Equao 4.3, na Equao 4.1, obtm-se o potencial em qualquer ponto
no interior do elemento, dado pela Equao 4.4.
V (x, y) =
1
2
3
(p
i
+ q
i
x + r
i
y)V
i
(4.4)
Onde p, q, r so dados pela Equao 4.5.
p
1
= x
2
y
3
+ x
3
y
2
p
2
= x
3
y
1
+ x
1
y
3
p
3
= x
1
y
2
+ x
2
y
1
q
1
= y
2
y
3
q
2
= y
3
y
1
q
3
= y
1
y
2
r
1
= x
3
x
2
r
2
= x
1
x
3
r
3
= x
2
x
1
(4.5)
Verica-se que corresponde rea do tringulo do elemento em questo. A relao
entre e as coordenadas dos vrtices do elemento dada por 4.6.
2 = x
1
(y
2
y
3
) + x
2
(y
3
y
1
) + x
3
(y
1
y
2
) (4.6)
Re-escrevendo o potencial, em funo das tenses dos vrtices do elemento, tem-se a
Equao 4.7:
V (x, y) =
1
(x, y)V
1
+
2
(x, y)V
2
+
3
(x, y)V
3
, (4.7)
onde chamada de funo de forma, por denir a forma como o potencial varia no
elemento.
A implementao do mtodo de elementos nitos feita, no caso do FEMM, aplicando-
se o mtodo dos resduos, onde uma funo resduo denida conforme Equao 4.8.
R = (grad(V )) + (4.8)
Quanto mais a funo resduo se aproxima de zero, mais a soluo obtida se aproxima
da analtica. Esta funo ento forada a zero pela aplicao de uma funo peso (W)
em cada elemento. Aplicando apropriadamente as propriedades do divergente, chega-se
Equao 4.9.
WRd =
S
Wgrad(V )dS
(grad(V )grad())d +
d = 0 (4.9)
A escolha da funo peso particulariza o mtodo. O programa FEMM opta pela
variao linear da funo peso; de maneira semelhante s funes de forma. O termo
relativo integral de superfcie fechada na Equao 4.9 est relacionado s condies de
fronteira, as quais devem ser estabelecidas pelo usurio do programa. Os outros dois
termos referem-se ao campo eltrico, onde o primeiro termo est relacionado ao campo
gerado pelos potenciais e o segundo ao gerado pelas cargas. Os termos relativos ao campo
podem ser avaliados separadamente do termo relacionado s condies de fronteira.
Como este um mtodo discreto, deve-se a soluo global fornecida pela soma
referente cada n do elemento considerado. Avaliando os termos referentes s fontes de
campo:
(grad(V )grad() )d = 0 (4.10)

gradV =
1
2
3
(q
i
i + r
i
j)V
i
(4.11)
grad =
1
2
(q
i
i + r
i
j) (4.12)
d =
d =
3
(4.13)
Na forma matricial, tem-se a Equao 4.14.
q
1
q
1
+ r
1
r
1
q
1
q
2
+ r
1
r
2
q
1
q
3
+ r
1
r
3
q
2
q
1
+ r
2
r
1
q
2
q
2
+ r
2
r
2
q
2
q
3
+ r
2
r
3
q
3
q
1
+ r
3
r
1
q
3
q
2
+ r
3
r
2
q
3
q
3
+ r
3
r
3
V
1
V
2
V
3
1
1
1
= 0 (4.14)
Para aplicao destas equaes, necessria a denio de um modelo adequado, feito
pelo usurio, a partir do problema real.
4.3 Modelo Computacional
Uma das formas de se avaliar os modelos de predio, discutidos no Captulo 2, pela
comparao do campo eltrico crtico, estimado por cada um dos modelos, com aqueles
presentes no ensaio. Como a medio de campo eltrico prximo aos eletrodos sofre
alterao pela presena do prprio medidor, optou-se pela simulao computacional.
Um modelo eletrosttico bidimensional com simetria aximtrica foi utilizado para re-
produzir a situao imediatamente anterior ao corona, antes da formao de carga espacial,
em cada congurao do arranjo. Para se garantir boa preciso dos resultados, modelou-
se a regio onde o campo foi tomado com maior nmero de elementos. A discretizao do
modelo gerou malhas com um total de aproximadamente dois milhes de elementos.
Para se avaliar a distribuio do campo eltrico, deve-se estabelecer o caminho no qual
ser observada esta distribuio. Este caminho foi chamado de sensor de campo.
O modelo utilizado para simulao do arranjo ponta-plano foi reproduzido a partir
do arranjo experimental, como apresentado na Figura 4.3. Nesta gura destaque-se os
parmetros fsicos alterados a cada simulao (d e r).
Figura 4.3: Modelo Computacional Para Arranjo Ponta-planos Utilizado na Simulao
O campo eltrico foi avaliado ao longo da linha central, a partir do eletrodo at o
plano de terra. Cada topologia foi simulada tenso de incio de corona registrada em
ensaio, conforme abordado anteriormente no Captulo 3. O campo eltrico crtico obtido
atravs da simulao, sendo, para o caso ponta-plano, o campo mximo na superfcie do
eletrodo tenso de incio de corona.
4.3.2 Isolador polimrico
O modelo para o isolador pode ser observado na Figura 4.4, onde as variveis utilizadas
a cada congurao e os sensores de campo eltrico so observados. O campo eltrico foi
avaliado em dois pontos distintos. Ao longo do sensor 1, partindo do ponto A at B e ao
longo do sensor 2, de C a D. O primeiro sensor objetiva analisar a formao do corona
entre a ferragem e a primeira semiesfera. O sensor 2 procura avaliar a distribuio de
campo eltrico ao longo da primeira saia, passando pelo centro das semiesferas (altura de
0.13cm para esferas maiores e 0.12cm para menores). O objetivo a vericao do campo
eltrico para a formao do corona entre semiesferas.
Figura 4.4: Modelo Computacional Para Isolador Polimrico Utilizado na Simulao
Deve-se observar que o modelo aximtrico representa bem o isolador, porm as semies-
feras presentes nas saias sero interpretadas como semi-torides. Mesmo assim uma
representao qualitativamente vlida, considerando as limitaes de um modelo bidi-
mensional.
4.4 Resultados e Discusses
As simulaes fornecem sadas grcas, onde se pode analisar os valores de potencial
e campo eltrico pontualmente, ou ao longo das linhas denidas como sensores, ou ainda
pela visualizao grca (linhas equidistantes ou por cores). As tonalidades associadas
s cores mais quentes (vermelho, amarelo) representam maior intensidade do parmetro
avaliado, enquanto cores mais frias (lils, azul) identicam menor intensidade deste. A
Figura 4.5 exemplica uma sada grca tpica.
Todas as conguraes dos arranjos ponta-plano foram simuladas s tenses de incio
de corona registradas nos experimentos. A Figura 4.5 apresenta a distribuio do potencial
e da intensidade de campo eltrico para o eletrodo r3 e distncia de 7cm. Nota-se que a
distribuio de potencial se d de maneira no uniforme devido geometria do eletrodo,
se concentrando nas regies prximas ponta do eletrodo. Este fato conrmado pelo
gradiente do potencial, onde se observa um campo eltrico mais intenso nas proximidades
do eletrodo energizado. Esta no uniformidade foi observada em todas as simulaes,
sendo mais acentuada para a ponta r1, como era esperado.
Figura 4.5: Potencial e Campo Eltrico obtidos para Ponta r3 e gap de 7cm.
A intensidade do campo eltrico ao longo do sensor mostrada nas Figuras 4.6 e 4.7.
A distncia do gap dada em porcentagem para efeito de comparao, para o caso de
gaps diferentes. Esta distncia tem incio no eletrodo ativo, e trmino no plano de terra,
atribudo o valor de 100%.
A Figura 4.6 apresenta uma comparao do gradiente para os trs diferentes eletrodos,
em um mesmo gap, de 7cm tenso de incio de corona. Observa-se que, aps cerca de
5% da distncia total, o campo eltrico menor que 10% do seu valor mximo para os
trs eletrodos. Para distncias menores que 5% do gap, cada eletrodo apresenta diferen-
tes valores de intensidade mxima de campo, alm de diferentes variaes deste campo.
Quanto menor o raio de curvatura, maior a variao e intensidade do campo eltrico, ou
Figura 4.6: Intensidade de Campo Eltrico - variao com o raio de curvatura do eletrodo
Figura 4.7: Intensidade de Campo Eltrico - variao com o tamanho do gap
seja, maior o grau de no uniformidade deste campo.
A Figura 4.7 exibe a intensidade do campo eltrico, simulado para o eletrodo r3, em
diferentes tamanhos de gap tenso de incio de corona. A magnitude do campo maior
quanto menor o gap, mantendo-se perl semelhante independente do tamanho do gap.
O campo eltrico mximo (valor r.m.s.), obtido na superfcie do eletrodo para cada
arranjo simulado tenso de incio de corona, encontrado na Tabela 4.1. Observa-se
que, quanto menor o comprimento do gap, maior o campo eltrico prximo superfcie
do eletrodo energizado. Dependendo da relao entre o comprimento do gap e o raio do
eletrodo (d/r), o campo eltrico para incio de corona apresenta grandes variaes, no
sendo este somente dependente do raio. O grau de no uniformidade apresentado pelo
campo eltrico tambm depende da relao d/r, e quanto menor esta relao mais suave
o perl de campo.
Raios Comprimento do gap
1.5cm 3cm 7cm 10cm
r1 151.6kV/cm 127.7kV/cm 72.1kV/cm 49.0kV/cm
Tabela 4.1: Campo eltrico mximo simulado
A Figura 4.8 exibe a distribuio do campo eltrico, considerando a presena das
semiesferas na primeira saia do isolador. Analisando esta gura, observa-se uma intensi-
Figura 4.8: Campo Eltrico para Incio de Corona
cao do campo eltrico nos gaps onde ocorrem as descargas de corona, gap esfera-esfera
e ferragem-esfera.
A distribuio de campo eltrico para a situao de incio de corona, e respectivo
potencial ao longo do sensor 2, so vistos nas Figuras 4.9 e 4.10. O caso em questo
Figura 4.9: Distribuio de Campo Eltrico - Efeito das semiesferas
o C3, onde a tenso aplicada de 42kV, conforme Tabelas 3.2 e 3.3. A presena das
semiesferas faz com que o campo eltrico mximo seja elevado em uma regio pequena,
causando o aparecimento do corona nesta regio.
A Tabela 4.2 apresenta os resultados para campo eltrico mximo simulado para os
gaps analisados, s tenses de incio de corona registradas. Observa-se que estes valores
so prximos para o mesmo tipo de gap.
Casos Campo Eltrico (r.m.s.)
E
ee
E
fe
C1 9.9kV/cm -
C2 10.3kV/cm 32.0kV/cm
C3 9.4kV/cm 32.0kV/cm
Tabela 4.2: Campo Eltrico Mximo
Tanto o perl do campo, quanto o campo eltrico mximo so aproximadamente os
mesmos quando comparam-se os trs casos estudados, como mostrado na Figura 4.11.
Figura 4.10: Potencial - Efeito das semiesferas
Nota-se que o campo eltrico praticamente constante entre semiesferas, devido pequena
distncia existente entre estas. Verica-se tambm que, ao alcanar um valor em torno
de 10kV/cm as descargas de corona ocorrem, diferentemente do arranjo ponta-plano, em
que estas dependem da intensidade e grau de uniformidade do campo, no possuindo um
valor xo.
Analisando o potencial (Figura 4.12), verica-se que, este muda de acordo com a
tenso aplicada, porm, o potencial utuante entre semiesferas praticamente o mesmo
para os trs casos, em torno de 1kV.
Analisando o gap entre ferragem-esfera, ao longo do sensor 1, observa-se que a pre-
sena das semiesferas faz com que o campo eltrico, nas proximidades destas, seja elevado
conforme Figura 4.13. Este fato provoca uma mudana no distribuio do campo e conse-
quente aumento do campo mdio neste gap, o que leva formao do corona. Isto ocorre
mesmo para diminuio do potencial ao longo do gap devido presena das semiesferas,
como mostrado na Figura 4.14. O campo eltrico mximo neste gap no variou, se
mantendo em torno de 30kV/cm. Estas constataes so evidenciadas na Figura 4.13 e
Tabela 4.2.
A partir dos resultados obtidos nos ensaios e atravs das simulaes, pode-se avaliar,
tomando estes parmetros como critrio, cada modelo de predio apresentado no Cap-
tulo 2. Esta anlise realizada no captulo que segue.
Figura 4.11: Distribuio de Campo Eltrico - Corona entre semiesferas
Figura 4.12: Potencial - Corona entre semiesferas
Figura 4.13: Distribuio de Campo Eltrico - Corona gap ferragem-esfera
Figura 4.14: Potencial - Corona gap ferragem-esfera
Captulo 5
Anlise dos Modelos de Predio
5.1 Introduo
As formulaes referentes aos modelos de predio apresentados no Captulo 2 foram
aplicadas aos arranjos ponta-plano avaliados experimentalmente. A anlise dos resultados
realizada aqui de duas formas: atravs das tenses de incio de corona e pela anlise
do campo crtico correspondente. O foco principal a anlise das tenses de incio de
corona calculadas por cada modelo. A observao do campo eltrico crtico tambm se
faz necessria, visto que, dependendo do modelo, as tenses so calculadas utilizando este
campo.
5.2 Tenso de Incio de Corona
A Tabela 5.1 exibe as tenses de incio de corona obtidas utilizando cada modelo, para
cada congurao do arranjo ponta-plano. Estas tenses foram calculadas a partir das
correspondentes expresses para tenso de incio de corona e das informaes de campo
eltrico crtico, este ltimo obtido pelas formulaes empricas apresentadas ou pelas
simulaes (no caso do Fator de Ecincia de Campo). Para o clculo destas tenses o
fator de irregularidade da superfcie m foi considerado igual a 1 (superfcie polida) e a
densidade relativa do ar foi considerada 0.91 (mdia obtida dos ensaios realizados).
As tenses de incio de corona previstas pelas expresses de Peek (Equao 2.7) e de
Zaengl (Equao 2.20), chamadas respectivamente de V
peek
e V
zaengl
, so muito semelhan-
tes. Este fato era esperado, visto que a expresso de Zaengl apresenta uma correo na
formulao de Peek, para raios maiores. Os valores apresentados por estes dois modelos
fornecem menor discrepncia para gaps maiores, ou seja, quando a dependncia da tenso
Captulo5. Anlise dos Modelos de Predio 56
Gap Raios V
medido
V
peek
V
zaengl
V
fator
r1 6.36kV 6.7kV 6.3kV 4.52kV
1.5cm r2 9.90kV 10.8kV 10.6kV 5.09kV
r3 16.97kV 20.5kV 20.8kV 14.14kV
r1 7.78kV 7.7kV 7.2kV 3.96kV
3cm r2 11.31kV 12.8kV 12.5kV 5.09kV
r3 21.92kV 26.4kV 26.8kV 16.26kV
r1 8.48kV 8.9kV 8.3kV 2.26kV
7cm r2 12.73kV 15.2kV 15.0kV 4.24kV
r3 25.46kV 34.0kV 34.5kV 13.86kV
r1 8.48kV 9.4kV 8.8kV 1.56kV
10cm r2 13.43kV 16.3kV 16.0kV 3.54kV
r3 26.87kV 37.3kV 37.8kV 12.02kV
Tabela 5.1: Tenses de incio de corona - calculadas e medidas (kV pico)
de incio de corona com o tamanho do gap diminuda. Contudo, a tendncia observada
para as tenses calculadas por estes modelos a mesma pelas tenses registradas no
ensaio, ou seja, um aumento das tenses de incio de corona tanto com o raio do eletrodo,
quanto com o tamanho do gap. Deve-se observar que as tenses diferem das encontradas
nos ensaios devido aplicao da Equao 2.7, num arranjo ponta-plano, sendo esta
adequada para condutores cilndricos concntricos.
O modelo baseado na expresso do Fator de Ecincia de Campo, apresentou valores
estimados para tenso de incio de corona (V
fator
), abaixo dos valores observados nos
experimentos. Atribui-se estas diferenas principalmente sensibilidade na identicao
da tenso de incio de corona. Nos experimentos realizados por Qiu [16] a identicao
foi baseada em observaes olho nu, diferentemente dos experimentos conduzidos nesta
pesquisa, onde se utilizou uma cmera fotogrca.
Buscando-se uma melhora nos resultados apresentados realizada uma modicao
na expresso de , de forma que esta melhor se adeque aos valores encontrados experi-
mentalmente, conforme Figura 5.1 e Equao 5.1.
modificado
= [0.22 (d/r) ln(6 (d/r))/ ln(d/r)]
1
(5.1)
A modicao de um coeciente no Fator de Ecincia de Campo permitiu que as
tenses calculadas por este modelo (V
modificado
) apresentassem valores mais coerentes com
os medidos, como demonstrado pela Tabela 5.2. Esta tabela apresenta o comparativo
para as tenses de incio de corona calculadas utilizando o Fator modicado. Observa-se
melhora signicativa dos resultados, principalmente para os eletrodos de raios maiores,
r2 e r3, obtendo erro mdio de 23%. Embora os resultados para o eletrodo r1 tenham
apresentado melhoras, os erros se mostraram ainda elevados, chegando a 55%.
Figura 5.1: Fator de Ecincia de Campo
Gap Raios V
medido
V
modificado
Diferena Perc.
r1 6.36kV 9.47kV 48,9%
1.5cm r2 9.90kV 9.05kV 9,4%
r3 16.97kV 18.10kV 6,7%
r1 7.78kV 11.74kV 50,9%
3cm r2 11.31kV 9.19kV 23,1%
r3 21.92kV 20.93kV 4,7%
r1 8.48kV 6.79kV 25%
7cm r2 12.73kV 12.59kV 1,1%
r3 25.46kV 25.03kV 1,6%
r1 8.48kV 4.67kV 55%
10cm r2 13.43kV 10.75kV 25%
r3 26.87kV 21.64kV 24,2%
Tabela 5.2: Tenses de incio de corona - Fator modicado (kV pico)
5.3 Campo Eltrico Crtico
Os resultados para o campo crtico so apresentados na Tabela 5.3, onde se pode
comparar os valores de campo eltrico encontrados pela simulao com aqueles obtidos
pelas expresses de cada modelo. Vale ressaltar que o clculo do campo crtico efetuado
a partir do Fator de Ecincia de Campo se utiliza da tenso de incio de corona obtida
do ensaio, devido a este campo ser funo desta tenso, conforme mostra a Equao 2.15.
Gap Raios E
simulado
E
peek
E
zaengl
E
fator
r1 214.39 109.27 102.36 149.41
1.5cm r2 86.83 74.86 73.56 82.86
r3 62.93 49.71 50.39 37.0
r1 180.60 109.27 102.36 176.27
3cm r2 82.73 74.86 73.56 89.71
r3 64.06 49.71 50.39 42.26
r1 101.96 109.27 102.36 183.68
7cm r2 64.63 74.86 73.56 96.11
r3 49.78 49.71 50.39 44.56
r1 69.30 109.27 102.36 185.88
10cm r2 54.16 74.86 73.56 99.77
r3 41.86 49.71 50.39 45.64
Tabela 5.3: Campo eltrico crtico - simulado e calculado (kV/cm pico)
Observa-se que os campos eltricos crticos calculados pelas expresses de Peek (Equa-
o 2.5) e Zaengl (Equao 2.20), chamados respectivamente de E
peek
e E
zaengl
, so in-
dependentes do tamanho do gap. O tamanho do gap considerado apenas no clculo da
tenso de incio de corona, realizado a partir deste campo crtico. Na formulao emprica
de Peek, o campo eltrico crtico funo somente de um nico parmetro geomtrico, o
raio do eletrodo ativo. Ao aplicar esta expresso a arranjos ponta-plano, verica-se que
o campo eltrico estimado se aproxima do valor obtido nas simulaes para congurao
composta do gap intermedirio, 7 cm, para os trs raios dos eletrodos.
Para os campos calculados utilizando o Fator de Ecincia de Campo (E
fator
), nota-se
que estes se aproximam do valor encontrado nas simulaes em duas situaes: para raio
do eletrodo e gaps pequenos (como se verica para r1 e r2 com gaps de 1.5 e 3cm); e para
raio do eletrodo e gaps grandes (como se observa para r3 com gaps de 7 e 10cm). Isto
indica que existem faixas da curva do Fator de Ecincia de Campo que esto adequadas,
conduzindo a valores de campo coerentes com a simulao. Esta faixa se estende para d/r
assumindo valores entre 35 e 200. Portanto, um ajuste em , como feito anteriormente
para a tenso, necessrio para corrigir as demais situaes.
5.4 Modelo de Predio Proposto
Os modelos discutidos neste trabalho so capazes de estimar a tenso de incio de
corona, cada um com suas prprias limitaes e com suas prprias qualidades. Deste
modo, procurou-se identicar aquele que pudesse, de maneira simples, ser utilizado coe-
rentemente para estimar esta tenso nos arranjos ponta-plano. A soluo adotada foi a
utilizao do campo eltrico crtico dado por Peek na formulao do Fator de Ecincia
de Campo, com posterior ajuste deste fator.
5.4.1 Descrio
Observando a expresso emprica apresentada por Peek, nota-se que o campo eltrico
crtico independe do comprimento do gap, sendo somente funo do raio e de fatores ambi-
entais. A presena de constantes como o fator de rugosidade, para correo da expresso,
insere ainda um grau de incerteza a esta expresso, j que este fator denido conforme
a superfcie do condutor (valores tpicos so encontrados para cabos na literatura) [8].
Alm disto, esta expresso baseada em arranjos do tipo cilindros concntricos. Mesmo
assim, esta formulao utilizada amplamente, para outros arranjos. Embora o campo
eltrico crtico fornecido por Peek informe uma estimativa deste, os valores de tenses de
incio de corona calculados a partir deste campo, se tornam equivocados ao aplic-lo a
arranjos diferentes daqueles utilizados para elaborao da expresso.
Para o clculo do campo crtico utilizando a formulao baseada no Fator de Ecincia
de Campo, necessrio o conhecimento prvio da tenso de incio de corona. Da mesma
forma, para se calcular a tenso de incio de corona, a partir desta expresso, deve-se ter o
campo eltrico crtico. O que o Fator de Ecincia de Campo indica, portanto, a relao
entre o campo eltrico e a tenso no momento do surgimento do corona. Esta relao,
em uma simulao eletrosttica mantida; ou seja, para uma mesma congurao de
um arranjo qualquer tenso aplicada, o campo correspondente apresentar uma relao
com a tenso dada pelo Fator de Ecincia de Campo. Este fator pode ser aplicado a um
conjunto maior de situaes, visto que inclui a dependncia da tenso de incio de corona
com o comprimento do gap e com o raio. Mesmo assim, este fator, por si s, no pode
ser utilizado para constatar a presena do corona ou estimar a tenso em que ele ocorre.
O modelo proposto busca relacionar o campo crtico de Peek e o Fator de Ecincia de
Campo. Deste modo, redeniu-se o Fator de Ecincia de Campo como a relao entre o
campo mdio para a tenso de incio de corona e o campo eltrico crtico dado por Peek.
Este novo fator foi chamado de Fator de Ecincia de Campo Ajustado (
), e expressa o
quanto o campo crtico de Peek se aproxima do campo uniforme, em funo da geometria
do arranjo (d/r). Desta forma, a partir somente da tenso aplicada e dos parmetros
geomtricos, pode-se estimar a tenso de incio de corona. A Equao 5.2 expressa a
relao atribuda a este fator.
V
c
=
E
c
d
=
E
medio
E
c
,
(5.2)
onde E
c
o campo crtico de Peek, d o comprimento do gap e
o Fator de Ecincia
de Campo Ajustado.
O ajuste no Fator de Ecincia de Campo necessrio devido ao campo eltrico crtico,
utilizado como base para os clculos deste fator, ser dado, agora, pela expresso de Peek.
Este ajuste realizado com base nas amostras medidas, sendo um total de 15 amostras,
obtidas nos experimentos realizados com arranjos ponta-plano, em diferentes condies
ambientais. O ajuste chamado de global (
global
) dado pela Equao 5.3.
global
= [0.198 (d/r) ln(6 (d/r))/ ln(d/r)]
1
(5.3)
Com estas formulaes, pode-se estimar a tenso de incio de corona a partir do campo
eltrico crtico de Peek e da geometria do arranjo. O fator ajustado elimina a dependncia
das simulaes e, ao mesmo tempo, confere a inuncia do tamanho do gap ao modelo
de predio. As tenses estimadas para as amostras utilizadas para ajuste do modelo so
vistas na Figura 5.2, juntamente com os erros em relao aos experimentos. As amostras
so ordenadas de maneira crescente, em funo de d/r. Verica-se boa concordncia dos
resultados, porm as diferenas percentuais ainda so elevadas, com mdia em torno de
21,8% alcanando valor mximo de 49,2%.
Figura 5.2: Estimao Para Tenses de Incio de Corona dos Experimentos - Ajuste Global
Com base nas diferenas percentuais apresentadas, sugerido um outro ajuste, delimi-
tando regies de acordo com a relao d/r, de forma a melhorar a aproximao da tenso
de incio de corona. Este ajuste foi denominado de ajuste local. Observa-se uma diviso
entre duas regies, de acordo com o valor das diferenas percentuais, uma regio onde d/r
vai de 10 a 60, onde estas diferenas decaem, e uma segunda faixa que se estende de 60 a
600, onde as diferenas percentuais aumentam. Cada uma destas regies teve seu prprio
ajuste, conforme Equao 5.4.
local1
= [0.2475 (d/r) ln(6 (d/r))/ ln(d/r)]
1
local2
= [0.1556 (d/r) ln(6 (d/r))/ ln(d/r)]
1
(5.4)
A estimao das tenses de incio de corona com o ajuste local resultou em diferenas
percentuais abaixo dos 20% (Figura 5.3). A mdia apresentada por estas diferenas foi
de 9,9%, o que o torna um modelo satisfatrio, para ns prticos, para a predio das
tenses de incio de corona.
Figura 5.3: Estimao Para Tenses de Incio de Corona dos Experimentos - Ajuste Local
A comparao entre os dois ajustes apresentada na Figura 5.4. Para ambos, o modelo
proposto apresentou boa concordncia com valores obtidos nos ensaios. No entanto, o
ajuste local, se mostrou mais aceitvel, apresentando menor discrepncia em relao aos
valores medidos.
Figura 5.4: Estimao Para Tenses de Incio de Corona dos Experimentos - Comparao
entre Ajustes Global e Local
5.5 Consideraes de Projeto
Deve-se observar que a tenso na qual se inicia o corona apresenta variaes para um
mesmo arranjo sob teste, como constatado pelos experimentos realizados. Estas variaes
se devem tanto s diferentes condies ambientais de cada experimento, como natureza
probabilstica do efeito corona. A m de contornar este problema, para propsitos de
projeto, sugere-se dois procedimentos: aplicao de uma margem de segurana, ou a
considerao de uma tenso de incio de corona estatstica.
5.5.1 Margem de Segurana
Como a tenso de incio de corona no apresenta um valor xo para uma mesma
congurao de arranjo, pode-se prever a presena do corona, adotando-se uma margem
de segurana. Deste modo, aplica-se um fator tenso estimada pelo modelo proposto,
diminuindo o valor da tenso associada ao incio do corona. Este novo valor de tenso
pode ser admitido como seguro, do ponto de vista de projeto, sendo a tenso acima deste
valor considerada suciente para formar o corona e abaixo deste valor considerado que
no h corona no arranjo em questo. Este procedimento melhor ilustrado atravs da
Figura 5.5.
Para estabelecer a margem de segurana, pode-se considerar os valores das diferenas
Figura 5.5: Margem de Segurana Estabelecida Para Fins de Projeto
percentuais encontradas nos experimentos. Denida a margem de segurana, pode-se
atrel-la ao Fator de Ecincia de Campo
global
. Deste modo, para se estabelecer uma
margem de segurana, por exemplo de 20%, no clculo das tenses de incio de corona,
necessrio deslocar a curva
global
para 80% do seu valor.
A Tabela 5.4 apresenta os valores de tenso (kV pico) estimados para ns de projeto
(V
projeto
), para as amostras utilizadas para ajuste do modelo. Acima destes valores es-
timados o corona considerado presente no arranjo. Foi considerada uma margem de
segurana de 20% para estas estimaes. Para ns de comparao, os valores encontrados
nos experimentos tambm so exibidos na tabela. A presena do corona indicada pelo
smbolo O e sua ausncia por X, baseado na predio realizada atravs do modelo
proposto.
Para que o modelo apresente resultados coerentes, necessrio que este indique a
presena de corona para tenses no superiores quelas observadas nos ensaios. Observa-
se que, no h indicao de corona para trs situaes, onde este foi constatado nos
ensaios. Isto se deve tenso estimada para incio de corona pelo modelo, ter cado
acima da tenso registrada nos experimentos, mesmo adotando-se o fator de segurana.
Alm dos erros vericados, alguns valores de tenso de incio de corona caram muito
abaixo do valor real, se mostrando conservador nestes casos. Para os casos analisados,
a adoo de uma margem de 20% se mostra insuciente para que o modelo apresente
resultados satisfatrios em todas as amostras.
Gap Raios V
medido
V
projeto
Corona
r1 6.36kV 4.10kV O
1.5cm r2 9.90kV 7.92kV O
r3 16.97kV 20.22kV X
r1 7.78kV 4.24kV O
3cm r2 11.31kV 8.34kV O
r3 21.92kV 22.91kV X
r1 8.48kV 4.38kV O
5cm r2 12.73kV 8.63kV O
r3 24.04kV 24.47kV X
r1 8.48kV 4.38kV O
7cm r2 12.73kV 8.77kV O
r3 25.46kV 25.17kV O
r1 8.48kV 4.52kV O
10cm r2 13.43kV 8.91kV O
r3 26.87kV 26.02kV O
Tabela 5.4: Predio de corona adotando-se margem de segurana de 20%
5.5.2 Tenso de Incio de Corona Estatstica
Assim como na disrupo, o processo de ionizao possui um comportamento estats-
tico. Pode-se dizer ento, que existe uma tenso provvel de se haver corona e no um
valor xo. Pensando desta forma, de modo similar a estudos de coordenao de isola-
mento, onde se estabelece uma tenso disruptiva estatstica, procura-se estabelecer um
valor de tenso cuja probabilidade de corona ocorrer seja muito baixa ou muito elevada,
de acordo com a necessidade. Estes valores podem, posteriormente, ser utilizados como
um critrio de projeto.
Como a disrupo tem mesma origem do efeito corona, assume-se que a distribuio
da probabilidade para tenso de incio de corona a mesma para a tenso de disrupo,
ou seja, uma distribuio gaussiana, dada pela Equao 5.5 [5, 24, 25].
P(V ) =
1
2
exp
1
2
V V
50%
(5.5)
Onde V
50%
a tenso cuja probabilidade de ocorrncia de corona de 50% e o
desvio padro.
A Figura 5.6 apresenta a densidade de probabilidade para a tenso de incio de corona,
correspondente Equao 5.5.
Admite-se que, a partir da curva do Fator de Ecincia de Campo, obtm-se a ten-
so de 50% para ocorrncia do corona. Assim, atravs da curva
global
tem-se V
50%
, em
funo de d/r. Como, para estabelecimento da curva do Fator de Ecincia de Campo,
utilizou-se valores correspondentes dos experimentos realizados, em diferentes condies,
Figura 5.6: Distribuio Gaussiana Assumida para Tenso de Incio de Corona
esta proposio aceitvel. Quanto maior a quantidade de ensaios realizados em cada gap,
melhor a aproximao da curva
global
, e mais prximo do V
50%
sero as tenses calculadas
a partir desta curva. Sugere-se que, um processo semelhante ao mtodo up and down
(realizado para se obter a tenso disruptiva de 50%) seja aplicado aos ensaios de corona
para levantamento da curva do Fator de Ecincia de Campo.
Na determinao de um parmetro, dois tipos de erros esto presentes: um erro associ-
ado natureza estatstica do fenmeno e ao nmero de testes realizados; e outro associado
s medies. Se a curva do Fator de Ecincia de Campo representar bem a relao entre
campos, para a tenso de incio de corona de 50%, os erros associados curva podem
ser considerados somente de natureza estatstica. Deste modo, o erro das amostras sob
ensaio em relao curva, passa a fornecer o desvio padro para a tenso. A Equao 5.6
fornece o desvio padro.
2
=
1
n 1
2
i
, (5.6)
onde n o nmero de amostras, e o erro em cada amostra.
Para o clculo do desvio padro, foi utilizado o erro percentual, j que os valores
absolutos so diferentes em cada congurao testada. Portanto o desvio padro obtido
o erro percentual em relao curva do Fator de Ecincia de Campo. O desvio padro
encontrado para o ajuste global foi de 27.2%, e para ajuste local de 12.5%.
A partir da tenso cuja a probabilidade de ocorrncia do corona de 50% (V
50%
),
e do seu desvio padro, pode se estimar a tenso de corona de 2% (V
2%
) e a de 98%
(V
98%
), subtraindo-se e somando-se ao V
50%
2.05, conforme Equao 5.7. Estas tenses
correspondem s tenses onde a probabilidade de ocorrncia do corona so de 2% e 98%,
respectivamente. Para V
2%
assumida a ausncia do corona e para V
98%
garantida a
presena deste no arranjo. Aos valores intermedirios de tenso aplicada so atribudos
probabilidades da presena do corona.
V
2%
= V
50%
(1 2.05)
V
98%
= V
50%
(1 + 2.05)
(5.7)
No entanto, pode-se aplicar curva de
global
(utilizada para o clculo do V
50%
), o fator
(1 2.05), e a partir destas novas curvas obter o V
2%
e o V
98%
. A Figura 5.7 mostra
estes limites aplicados curva
global
.
Figura 5.7: Fator de Ecincia de Campo - Modelo proposto
A Tabela 5.5 mostra as tenses limiares para o corona (kV pico), para o conjunto de
conguraes testadas. Observa-se uma reduo da margem para a tenso sem presena de
corona, ou seja, o corona identicado para valores de tenses mais prximas dos medidos.
Este fato foi responsvel pela reduo do conservadorismo na deteco do corona.
Pela anlise da Tabela 5.5, verica-se que os valores estimados para ausncia de corona
(V
2%
) pelo modelo estatstico, sempre se apresentam abaixo do valores registrados nos
experimentos. Este fato denota que o modelo estatstico proposto mais ecaz, neste
caso, quando comparado ao modelo que utiliza uma margem de segurana de 20%. Alm
Gap Raios V
medido
V
50%
V
2%
V
98%
r1 6.36kV 5.2kV 4.88kV 8.28kV
1.5cm r2 9.9kV 9.9kV 5.90kV 10.0kV
r3 16.97kV 25.3kV 15.04kV 25.49kV
r1 7.78kV 5.4kV 5.06kV 8.57kV
3cm r2 11.31kV 10.5kV 9.91kV 16.79kV
r3 21.92kV 28.6kV 17.0kV 28.83kV
r1 8.48kV 5.47kV 5.17kV 8.76kV
5cm r2 12.73kV 10.8kV 10.22kV 17.32kV
r3 24.04kV 30.5kV 18.12kV 30.7kV
r1 8.48kV 5.54kV 5.23kV 8.87kV
7cm r2 12.73kV 11.0kV 10.4kV 17.63kV
r3 25.46kV 31.5kV 18.74kV 31.75kV
r1 8.48kV 5.6kV 5.3kV 8.98kV
10cm r2 13.43kV 11.2kV 10.58kV 17.92kV
r3 26.87kV 32.5kV 19.31kV 32.72kV
Tabela 5.5: Predio de Corona - modelo estatstico proposto
disto, tambm se verica resultados coerentes para a tenso estimada para presena do
corona (V
98%
).
5.6 Testes do Modelo de Predio Proposto
O modelo de predio proposto foi testado em um arranjo ponta-plano diferente daque-
les utilizados para ajuste do Fator de Ecincia de Campo. Para isto, um quarto eletrodo
foi utilizado, de raio r4 = 0.0950cm, conforme Figura 5.8. Este eletrodo possui raio de
Figura 5.8: Eletrodo r4 = 0.0950cm
curvatura intermedirio queles utilizados para elaborao do modelo. As condies re-
gistradas no teste foram de temperatura ambiente= 25
C, umidade relativa do ar = 58%

e presso atmosfrica = 698mmHg.
As tenses de incio de corona, para o ensaio com a ponta r4 so observadas na Tabela
5.6. A previso pelo modelo proposto, e respectivas diferenas em relao s tenses de
ensaio, tambm esto presentes nesta tabela.
Comprimento do Gap
1.5cm 3cm 5cm 7cm 10cm
Medies 13.4kV 15.6kV 18.4kV 19.1kV 19.8kV
Previso 16.71kV 18.1kV 19.98kV 19.45kV 19.9kV
Diferenas Perc. 24.7% 16.0% 3.1% 1.8% 0.5%
Tabela 5.6: Tenso de Incio de Corona Ponta 4 (kV pico)
Os resultados apresentados pela da Tabela 5.6 e pela Figura 5.9 indicam boa con-
cordncia entre o modelo proposto e os valores medidos. O modelo se apresenta satis-
fatrio, para ns prticos, para utilizao em arranjos ponta-plano, com erro mdio de
10% nas previses para a tenso de incio de corona. Para os gaps a partir de 5cm as
diferenas percentuais se mostraram em torno de 3%, indicando que, para gaps acima
deste comprimento o modelo proposto se aplica apropriadamente. As diferenas obser-
Figura 5.9: Tenses de incio de corona - Previso Ponta 4
vadas nos resultados para os gaps menores, 1.5 e 3cm, foram de 24% no mximo, o que
sugere ressalva para estes comprimentos de gap.
A Tabela 5.7 apresenta as tenses de incio de corona calculadas pelo modelo proposto,
aplicando uma margem de segurana de 20%, que resulta no V
projeto
.
Comprimento do Gap
V
projeto
13.37kV 14.51kV 15.18kV 15.56kV 15.92kV
Tabela 5.7: Previso para Tenso de Incio de Corona na Ponta 4 Utilizando Margem de
segurana de 20% - (kV pico)
A utilizao da margem de segurana de 20%, sugerida como alternativa ao mtodo
estatstico, apresenta bons resultados, estabelecendo margens coerentes para a tenso de
incio de corona. Porm, medida que se aumenta o tamanho do gap, estas margens
tambm aumentam, o que torna esta opo conservadora nestes casos.
Empregando-se o mtodo estatstico, onde os valores estimados pelo modelo corres-
pondem ao V
50%
, e o desvio padro calculado para as amostras medidas foi de 2.6%,
pode-se calcular as tenses estatsticas, para ausncia de corona (V
2%
) e para a presena
deste (V
98%
). Estes valores so apresentadas na Tabela 5.8.
Comprimento do Gap
V
2%
15.81kV 17.16kV 17.96kV 18.4kV 18.83kV
V
98%
17.6kV 19.11kV 20.0kV 20.5kV 20.97kV
Tabela 5.8: Tenso de Incio de Corona Estatstica para Ponta 4 - (kV pico)
Os limites apresentados pelo mtodo estatstico (V
2%
e V
98%
) s foram aceitveis para
distncias maiores. As diferenas percentuais elevadas encontradas fazem com que, a
tenso estatstica de 2% seja elevada em alguns casos, como para os gaps de 1.5 e 3cm.
Para estes gaps, a tenso na qual se garante a ausncia de corona (V
2%
), no se mostra
coerente. Pela Figura 5.10 observa-se este fato. Uma maior quantidade de amostras
melhoraria os resultados alcanados para os casos citados.
Em resumo, analisou-se os modelos de predio apresentados atravs da comparao
das tenses de incio de corona, estimadas por estes, com as tenses registradas em ensaio,
para diferentes conguraes de arranjos ponta-plano. O campo eltrico crtico, para as
mesmas condies, tambm foi analisado. Diferenas foram observadas, tanto para as
Figura 5.10: Tenso de Incio de Corona - Comparao entre Medies e Previso
tenses quanto para os campos eltricos estimados, para formao do corona, em relao
aos resultados de ensaios.
Para aplicao em arranjos ponta-plano, foi proposto um modelo baseado na expresso
emprica de Peek e no Fator de Ecincia de Campo, ajustado a partir dos dados obtidos
pelas medies realizadas. Adicionalmente, foi sugerido insero do carter probabilstico
do fenmeno a este modelo, passando a atribuir a cada tenso aplicada uma probabilidade
de ocorrncia do efeito corona. A expresso para o modelo proposto foi testada para
um novo eletrodo. As tenses de incio de corona estimadas para este novo arranjo,
apresentaram boa concordncia com as registradas em ensaio, indicando que o modelo
proposto satisfatrio, em termos prticos, para estimao da tenso de incio de corona
em arranjos ponta-plano.
Captulo 6
Concluses e Trabalhos Futuros
6.1 Concluses
A denio de um critrio claro para identicao do corona faz-se necessria para
ns de projeto ou manuteno. A formao do corona est associada a nveis de campo
eltrico e tenses elevadas, que variam de acordo com a geometria dos arranjos e com
as condies a que estes so submetidos. Para estimar tanto o campo eltrico, quanto a
tenso necessrios para a formao do corona, expresses empricas foram apresentadas.
Estas expresses foram analisadas, na tentativa de se estabelecer um modelo a ser utilizado
como base para identicao do efeito corona. Estes modelos foram estudados atravs de
experimentos e simulaes.
Experimentos foram realizados em arranjos do tipo ponta-plano e em um isolador
polimrico. Para o arranjo ponta-plano trs eletrodos, com pontas de diferentes raios,
foram testados em diferentes distncias de gap. Os resultados indicam uma tendncia
para a tenso de incio de corona, um aumento no raio de curvatura do eletrodo ou um
aumento no tamanho do gap implica num aumento desta tenso. No entanto, medida
que se aumenta o gap, a taxa deste aumento diminui para um mesmo raio, sugerindo que
em gaps muito maiores que o raio do condutor esta tenso tende um valor constante.
Para o isolador polimrico, a inuncia de defeitos neste foi averiguada, atravs da
presena de semiesferas na superfcie do isolador. A presena destas semiesferas repre-
sentam uma condio tpica de servio, a deposio de gotas de gua na saia do isolador,
que causam elevao do campo eltrico local. A inuncia da distncia entre semiesferas,
da distncia das semiesferas ao basto do isolador e do tamanho destas semiesferas foram
analisadas. Observou-se que a tenso de incio de corona est diretamente relacionada com
a distncia, tanto entre semiesferas, quanto com a distncia destas ao potencial aplicado.
Captulo6. Concluses e Trabalhos Futuros 72
As formulaes dos modelos de predio foram utilizadas para estimar as tenses de
incio de corona para os experimentos realizados com arranjos ponta-plano. Os modelos
de Peek e Zaengl apresentaram resultados semelhantes para as tenses de incio de corona
estimadas, porm com discrepncias em relao aos experimentos realizados. Como a
formulao de Peek foi originalmente desenvolvida para cilindros concntricos, com base
em condutores de raios pequenos, esses desvios eram esperados. Para estes dois modelos,
as tenses estimadas chegaram a cerca de 1.5 vezes mais elevadas que as tenses registradas
nos ensaios. Observou-se que, quanto menor o raio do eletrodo energizado, mais prximas
as tenses estimadas so daquelas obtidas nos experimentos. As tenses de incio de
corona estimadas utilizando o Fator de Ecincia de Campo, se mostraram menores que
os valores obtidos nos experimentos. Um ajuste foi realizado e os resultados alcanados
apresentaram melhora.
Simulaes computacionais foram realizadas para os arranjos ponta-plano e isolador
polimrico, nas mesmas conguraes testadas nos experimentos. Para isto, modelos
bidimensionais foram obtidos a partir dos arranjos, e o campo eltrico foi calculado para
cada congurao. As simulaes mostraram que, em arranjos ponta-plano, o campo
eltrico apresenta alto grau de no uniformidade, e este, por sua vez, inuencia a tenso
inicial de corona. O grau de no uniformidade do campo est diretamente vinculado ao
raio do eletrodo e ao comprimento do gap. Quanto menor o raio e maior o gap, menos
uniforme ser o campo eltrico neste gap. O campo eltrico crtico, valor do campo eltrico
necessrio para a formao do corona, maior quanto menor o raio do eletrodo. A mesma
relao observada para o comprimento do gap.
Para o isolador polimrico, observa-se intensicao do campo eltrico devido a pre-
sena dos defeitos acrescentados, principalmente nas proximidades onde ocorreram as
descargas de corona. Os valores de campo eltrico crtico encontrados se mostraram
constantes. Para o gap entre semiesferas, as descargas de corona ocorrem em torno de
10kV/cm, enquanto que para o gap entre a semiesfera e o eletrodo energizado, estas
descargas ocorreram para um campo eltrico crtico em torno de 30kV/cm.
Aplicando-se os modelos para estimao do campo eltrico crtico, observa-se que estes
no concordam com os valores encontrados nas simulaes computacionais. O modelo
proposto por Peek apresenta um campo eltrico crtico dependente somente do raio do
condutor e de fatores ambientais, portanto constante com o gap. Este campo se aproxima
da mdia dos campos eltricos crticos obtidos pelas simulaes em cada gap. O campo
eltrico crtico obtido pela expresso de Zaengl, semelhante ao obtido pela formulao de
Peek, possuindo as mesmas caractersticas. Ao se utilizar o Fator de Ecincia de Campo
para clculo do campo crtico, viu-se que, para uma faixa deste fator os valores de campo
se aproximam dos valores simulados. Vericou-se que uma modicao na expresso deste
fator melhora os resultados obtidos.
Foi proposto um modelo, baseado no Fator de Ecincia de Campo, vinculado ao
campo eltrico crtico fornecido pela expresso emprica de Peek. Deste modo, o clculo da
tenso passa a apresentar dependncia de mais um parmetro geomtrico: raio do eletrodo
e o comprimento do gap. Alm disto, a estimativa do campo eltrico seria independente de
simulao ou ensaio, o que torna o modelo mais simples. O modelo de predio proposto
foi testado em um novo eletrodo e observou-se bons resultados, com erro mdio de 10%.
Para melhora deste modelo foi sugerida a considerao do carater estatstico do efeito
corona, conferido pela processo de ionizao, o que acarreta em uma probabilidade de
ocorrncia de corona para uma determinada tenso aplicada.
Em resumo, os modelos apresentados na literatura devem ser empregados em arranjos
apropriados, conforme o desenvolvimento de cada um destes modelos. A utilizao indis-
criminada pode conduzir a erros. O clculo da tenso de incio de corona em arranjos de
geometria complexa ainda se mostra complicado, no possuindo modelo de predio apro-
priado para estes. O modelo proposto pode representar uma iniciativa para se desenvolver
um modelo que comporte diferentes estruturas.
6.2 Propostas de Continuidade
A preocupao com o nvel de campo eltrico a que materiais isolantes e arranjos so
expostos, crescente nos ltimos anos. Contudo, no h ainda uma denio clara dos
nveis de campos aceitveis. Prever os valores de campo eltrico associados ao corona
tarefa complexa, devido aos inmeros fatores que o inuenciam.
A aplicao de modelos simples para predio do corona pode ser utilizada como
critrio de projeto. A expanso da aplicabilidade do modelo proposto, estendendo a
arranjos de geometrias complexas, acarretaria na agilidade na etapa de projetos, e na
facilidade de manuteno preventiva. A expanso deste modelo, observando sua apli-
cabilidade, resultados, e validao, atravs de experimentos e simulaes numricas,
sugerida como continuidade do trabalho.
H de se observar que, atualmente, a predio do corona realizada atravs de ex-
presses empricas. Portanto, o desenvolvimento de expresses analticas, que descrevem o
complexo fenmeno da dinmica de cargas espaciais, faria com que as simulaes computa-
cionais pudessem fornecer a magnitude e distribuio de campo eltrico durante processo
de formao do efeito corona. Este fato conferiria s simulaes, valores precisos dos
nveis de campo, os quais poderiam ser utilizados como critrio de incio de corona.
sugerido estudo da formao de carga espacial e a anlise dos modelos matemticos para
ionizao, e a partir destes, tentar desenvolver expresses que forneam o campo eltrico
alterado pelo movimento e distribuio de eltrons durante formao do corona.
A busca pela denio dos nveis de campo eltrico que ocasionam corona vem sendo
realizada a tempos, por diversos pesquisadores. A denio de um critrio denitivo
para predio do efeito corona, aplicvel a qualquer estrutura, ainda est distante de ser
estabelecida.
Artigos Publicados
A. Souza, I.J.S. Lopes, Electric Field Distribution along the Surface of High Voltage
Polymer Insulators and its Changes under Service Conditions. 2006 IEEE Interna-
tional Symposium on Electrical Insulation.
A. Souza, I.J.S. Lopes, Estudo da Distribuio de Campo Eltrico em Isoladores
Polimricos: uma abordagem computacional e experimental. Simpsio Brasileiro de
Sistemas Eltricos, SBSE 2008.
A. Souza, I.J.S. Lopes, Corona Onset Models: A Computational and Experimental
Evaluation. 2008 IEEE Conference on Electrical Insulation Dielectric Phenomena.
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descritos como na Equao

o coeciente de ionizao efetiva e C uma

C, presso atmosfrica = 698mmHg e umidade relativa

C, presso atmosfrica de 698mmHg e umidade relativa do ar de 55%.

(grad(V )grad() )d = 0 (4.10)

C, umidade relativa do ar = 58%

3, pp. 258-265, 1999.

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