Dielctrico

Material elctrico polarizado.

Se denomina dielctrico al material mal conductor de electricidad, por lo que puede ser
utilizado como aislante elctrico, y adems si es sometido a un campo elctrico externo,
puede establecerse en l un campo elctrico interno, a diferencia de los materiales
aislantes con los que suelen confundirse. Todos los materiales dielctricos son aislantes
pero no todos los materiales aislantes son dielctricos.
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Algunos ejemplos de este tipo de materiales son el vidrio, la cermica, la goma, la mica,
la cera, el papel, la madera seca, la porcelana, algunas grasas para uso industrial y
electrnico y la baquelita. En cuanto a los gases se utilizan como dielctricos sobre todo
el aire, el nitrgeno y el hexafluoruro de azufre.
Son materiales cuya resistencia al paso de la electricidad es muy baja. Los mejores
conductores elctricos son metales, como el cobre, el oro, el hierro y el aluminio, y sus
aleaciones, aunque existen otros materiales no metlicos que tambin poseen la
propiedad de conducir la electricidad, como el grafito o las disoluciones y soluciones
salinas (por ejemplo, el agua de mar) o cualquier material en estado de plasma.
Para el transporte de energa elctrica, as como para cualquier instalacin de uso
domstico o industrial, el mejor conductor es el cobre (en forma de cables de uno o
varios hilos). Aunque la plata es el mejor conductor, pero debido a su precio elevado no
se usa con tanta frecuencia. Tambin se puede usar el aluminio, metal que si bien tiene
una conductividad elctrica del orden del 60% de la del cobre, es sin embargo un
material tres veces ms ligero, por lo que su empleo est ms indicado en lneas areas
que en la transmisin de energa elctrica en las redes de alta tensin.
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A diferencia de
lo que mucha gente cree, el oro es levemente peor conductor que el cobre; sin embargo,
se utiliza en bornes de bateras y conectores elctricos debido a su durabilidad y
resistencia a la corrosin.
Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como un aislante
dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la
presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los
elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla adjunta.
El elemento semiconductor ms usado es el silicio, el segundo el germanio, aunque idntico
comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos 12 y 13 con los de
los grupos 16 y 15 respectivamente (GaAs, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). Posteriormente se
ha comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica comn a todos ellos es que son
tetravalentes, teniendo el silicio una configuracin electrnica sp.
Semiconductores intrnsecos
Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetradrica similar a la del
carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el
plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos
electrones pueden absorber la energa necesaria para saltar a la banda de conduccin
dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a
temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio
respectivamente.
Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden
caer, desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco
en la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno se le denomina
recombinacin. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creacin
de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de
electrones y huecos permanece constante. Siendo "n" la concentracin de electrones
(cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que:
n
i
= n = p
siendo n
i
la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la
temperatura y del tipo de elemento.
Ejemplos de valores de n
i
a temperatura ambiente (27 C):
n
i
(Si) = 1.5 10
10
cm
-3

n
i
(Ge) = 2.4 10
13
cm
-3

Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores,
ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente elctrica. Si se somete el
cristal a una diferencia de potencial se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la
debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la
debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a
saltar a los huecos prximos (2), originando una corriente de huecos con 4 capas
ideales y en la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy
inferior a la de la banda de conduccin.
Semiconductores extrnsecos
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje
de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se
denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern
formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio.
Hoy en da se han logrado aadir impurezas de una parte por cada 10 millones, logrando
con ello una modificacin del material.
Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo
un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores
de carga libres (en este caso negativos o electrones).
Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a
los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como
material donante, ya que da algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en
el material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso
del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que
se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un
tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla
peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red
cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces
covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como resultado la
formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el material supera
ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores
mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos
con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados
tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos
de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una
carga elctrica neta final de cero.
Semiconductor tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo
un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores
de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados de
los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material
aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos
como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del
silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une
un tomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla
peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de
silicio, entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco producido que se
encontrar en condicin de aceptar un electrn libre.
As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado
por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en
breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de
aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los
electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones
son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo
IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P
que se produce de manera natural.