DASAR ELEKTRONIKA

FIELD EFFECT TRANSISTOR

(FET)
Field-Effect Transistors
Field-Effect Transistor (FET) adalah
piranti tiga-terminal seperti halnya
transistor BJT.
Perbedaan utama dari kedua transistor
ini adalah bahwa BJT adalah piranti
yang dikontrol oleh arus, sedangkan
FET adalah piranti yang dikontrol
tegangan.
 Field-Effect Transistors

IC ID
(kontrol arus)
IB
BJT + FET

VGS
(kontrol tegangan)
-
BJT Bipolar device

Dua carrier : elektron & holes

FET Unipolar device

Satu carrier :
elektron (n-channel)
atau holes (p-channel)
 Field-Effect Transistors
Karakteristik
High Input Impedance
Temperature Stable
Small size -> Integrated Circuit

Type
Junction FET
MOSFET (Metal Oxide Semikonductor FET)
JFET (n-channel )

Piranti 3 terminal
• Drain
• Source
• Gate
VGS = 0 ; VDS (+)
IDSS adalah arus
drain-source
maksimum (saturasi)
Pada VGS = 0 dan VDS
> |VP|
Vp = Tegangan
Pinch-off
 VGS < 0

Nilai VGS yang menghasilkan ID=0 adalah VGS-VP,

dimana VP (-) untuk n-channel JFET
p –channel JFET
Simbol

n - channel p - channel
 Karakteristik Transfer
2
 VGS 
ID 
 I DSS 1  
 Vp 
 
Karakteristik ini tidak dipengaruhi oleh
rangkaian
Menggambar Kurva

Cari 4 buah titik :

ID = 0
ID = IDSS/2
ID = IDSS/4
ID = IDSS
Soal
Sket Kurva Katakteristik JFET dengan IDSS =
12 mA dan VP = - 6V
2
 VGS 
ID 
 I DSS 1  
 Vp 
 
ID = 12 mA VGS = 0 V
ID = 0 mA VGS = Vp = - 6V
ID = IDSS/2
VGS = 0.3 VP = -1.8 V
= 6 mA
ID = IDSS/4
VGS = 0.5 VP = -3 V
= 3 mA
Sket Kurva JFET p-channel dengan
IDSS = 4 ma dan VP = 3 V
Depletion Type MOSFET
Karakteristik
Sket Kurva
Sket Kurva karakteristik MOSFET tipe
depletion dengan arus drain-source
saturasi = 10 mA dan tegangan pinch-
off – 4 V.
Simbol
Enhancement-Type MOSFET
Enhancement-Type MOSFET

I D  k (VGS  VT ) 2

I D ( on )
k
V
GS ( on )  VT 
2
Karakteristik ( p-channel)
Sket Kurva Karakteristik n-channel
Enhancement –type MOSFET dengan :
ID(on) = 10 mA
VGS(on) = 8V
VT = 2 V
Simbol
FET BIASING