Dispositivi elettronici
Versione beta
Ing. Pazzo3 gennaio 2010
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Si consiglia di affiancare il materiale presente in questo riassunto agli appunti presi a lezione. Que-sto perché (ovviamente!) non si vuole avere alcuna presunzione di esaustività, né di assoluta corret-tezza: nonostante le revisioni fin’ora effettuate, potrebbero infatti essere ancora presenti molti errori eimprecisioni.2
Indice
1 Conduzione di corrente in materiali semiconduttori 5
1.1 Conduttori, isolanti e semiconduttori . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51.2 Meccanica quantistica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61.3 Distribuzione energetica nel cristallo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71.3.1 Massa efficace . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101.3.2 Legame fra energia e momento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111.4 Semiconduttori e drogaggio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111.5 Equazione di Fermi-Dirac . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131.5.1 Livello di Fermi all’equilibrio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151.6 Legge dell’azione di massa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151.7 Equazioni di Shockley . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151.7.1 Equazioni di Shockley in funzione del potenziale elettrostatico . . . . . . . . . . . . . 161.8 Piegamento delle bande . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 171.9 La distribuzione volumetrica di carica e le altre grandezze . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181.9.1 Legame con il potenziale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181.9.2 Legame con la densità di corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 191.10 Portatori di carica nel semiconduttore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 191.10.1 Neutralità della carica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 191.10.2 Variazione dei portatori di carica in funzione della temperatura . . . . . . . . . . . . 201.11 Polarizzazione dei portatori . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 201.11.1 Metodo di Montecarlo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 221.11.2 Metodo dei momenti . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 221.12 Modello
drift-diffusion
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 221.12.1 Mobilità . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 231.12.2 Resistività . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 251.13 Diffusione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 251.14 Relazioni di Einstein . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 261.15 Generazione e ricombinazione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2 Giunzione PN 31
2.1 Pseudo-livelli di Fermi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 362.1.1 Andamento degli pseudo-potenziali di Fermi attraverso una giunzione . . . . . . . . 372.2 Applicazione di un potenziale su una giunzione: piegamento delle bande . . . . . . . . . . . 382.3 Calcolo di potenziali e correnti in una giunzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 392.3.1 Equazioni della corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 412.4 Portatori minoritari all’interno della regione quasi neutra . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 452.4.1 Giunzione brusca . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 452.4.2 Diodi a base corta e a base lunga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 462.5 Ragionevolezza delle condizioni di Shockley . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 472.6 Capacità della giunzione PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 472.7 Schema riassuntivo delle relazioni notevoli . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 482.8 Giunzione Schottky . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 503
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Dispositivi Elettronici (beta version)
Il riassunto di Dispositivi Elettronici LS, in una versione preliminare che potrebbe contenere ancora qualche errore :)
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