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diodos, transistores, condensadores y resistencias

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Transistor
El
Transistor 
es un dispositivoelectrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador ,oscilador ,conmutador orectificador . El término "transistor" es la contracción eninglésde
transfer resistor 
("resistenciade transferencia"). Actualmentese los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios,televisores, grabadores, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas,lavarropas automáticos, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes decuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos derayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funciónamplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor sólo gradúa lacorriente que circula a través de sí mismo, si desde una fuente de corriente continua sealimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", según el tipo de circuitoque se utilice. El factor de amplificación logrado entre corriente de base y corriente decolector, se denomina Beta del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, deBase Emisor, de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia detrabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como corrientede base, tensión Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Lostres tipos de esquemas básicos para utilización analógica de los transistores son emisor común, colector común y base común.
Tipos de transistor 
Transistor de punta de contacto. Primer transistor que obtuvoganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base degermanio sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen elemisor y el colector. La corriente de emisor es capaz de modular la resistencia que se"ve" en el colector, de ahí el nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos desuperficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban amano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió conel transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. Hoy díaha desaparecido.
, BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de Galio,que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductorescomo los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal secontaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son delmismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
 
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P deaceptadores o "huecos" (cargas positivas), normalmente se utilizan como elementosaceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) oFósforo (P).La configuración deuniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde laletra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos alemisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base,tienen diferente contaminación entre ellas.El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichascontaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación(difusión gaseosa, epitelial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.
Fototransistor, sensible a laradiación electromagnética, en frecuencias cercanasa la de laluz.
Transistor de unión unipolar.
Transistor de efecto de campo,FET, que controla la corriente en función de unatensión; tienen altaimpedanciade entrada.Transistor de efecto de campo de unión,JFET, construido mediante una unión PN.
o
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que lacompuerta se aísla del canal mediante undieléctrico. 
Transistor de efecto de campo MOS,MOSFET, donde
MOS 
significa Metal-Óxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada delcanal semiconductor por una capa de óxido.

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