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transistor

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Published by Carlos Garcia
Trabajo del 2do depa de electronica
Trabajo del 2do depa de electronica

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TRANSISTOR CONCEPTOEl Transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones deamplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es lacontracción en inglés de “transfer resistor” (resistencia de transferencia). Actualmentese los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios,televisores, grabadores, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas,lavarropas automáticos, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes decuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos derayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.Sustituto de válvula termoiónica de tres electrodos o triodo, el transistor bipolar fueinventado en los Laboratorios Bell de EEUU en diciembre de 1947 por John Bardeen,Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados conel Premio Nobel de Física en 1956.
 
CLASIFICACIÓNLos transistores se clasifican por:
Material semiconductor: germanio, el silicio, arseniuro de galio, el carburo desilicio, etc.
Estructura: BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, "otros tipos"
Polaridad: NPN, PNP (BJTs); N-canal, P-canal (FETs)
Potencia máxima calificación: bajo, medio, alto
Frecuencia máxima de funcionamiento: bajo, medio, alto, la frecuencia de radio(RF), de microondas, etc.
Aplicación: cambiar, de propósito general, audio, de alta tensión, super-beta, par 
Física embalaje: a través de agujeros de metal, a través de agujeros de plástico,montaje en superficie, la bola de la red matriz, módulos de potencia
Factor de amplificación H
fe
.Así, un transistor puede describirse como: silicio, de montaje superficial, BJT, NPN, de baja potencia, el interruptor de alta frecuencia, de propósito general.
 
ESTRUCTURAS DE LOS TRANSISTORESBJTEl transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivoelectrónico de estado sólido consistente en dos unionesPN muy cercanas entre sí, que permite controlar el pasode la corriente a través de sus terminales. Lostransistores bipolares se usan generalmente enelectrónica analógica. También en algunas aplicacionesde electrónica digital como la tecnología TTL (Delacrónimo en Inglés de Transistor-Transistor Logic o "Lógica Transistor a Transistor") oBICMOS. Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solocristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta forma quedanformadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,comportándose como un metal.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor.La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamientonormal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector eninversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, que por ser muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector. Eltransistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estadode actividad.JFETEl JFET (Junction Field-Effect Transistor, en españoltransistor de efecto de campo de unión) es un circuitoque, según unos valores eléctricos de entrada,reacciona dando unos valores de salida. En el caso delos JFET, al ser transistores de efecto de campoeléctrico, estos valores de entrada son las tensioneseléctricas, en concreto la tensión entre los terminalesS (fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, lasalida del transistor presentará una curva característica que se simplifica definiendo enella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, óhmica y saturación.
Para ver esta pelcula, debe
disponer de QuickTimeª y deun descompresor .

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/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->