You are on page 1of 27

UNIVERSITATEA DE NORD DIN BAIA MARE

FACULTATEA DE INGINERIE
Specializarea Electronică Aplicată

Fotorezistorul

Student
Trif Florin Vasile
2010

Argument

Am ales sa fac vorbesc despre această componentă pentru că o consider una


dintre cele mai simple şi în acelaş rând se pot folosi în foarte multe aplicaţi de uz
caznic sau industrial.
Fotorezistorul este o rezistenţă care îşi modifică valoarea rezistenţei pe care
o are în funcţie de lumina care cade pe suprafaţa sensibilă. Adică dacă nu cade
deloc lumină pe suprafaţa sensibilă a fotorezistenţei aceasta are o rezistenţă foarte
mare şi nu permite trecerea curentului prin ea. Când se luminează suprafaţa
fotorezistenţei aceasta începe sa lase să treacă curentul prin ea, cu cât este mai
puternică lumina incidentă care cade pe suprafaţa sensibilă cu atât fotorezistenţa îşi
scade valoarea rezistenţei permiţând trecerea unei valori mai mari a tensiuni.
Una din utilizările fotorezistenţei este folosirea la aprinderea lumini publice
când începe sa se întunece şi oprirea ei la răsăritul soarelui, se poate folosi şi în
gospodări la comandarea unei draperi care se închide sau deschide în funcţie de
poziţia soarelui sau aprinderea lumini în încăpere. Deci poate fi folosită în foarte
multe ipostaze.

Fotorezistorul Page 2
Introducere

Una din formele de manifestare a efectului fotoelectric intern la materialele


semiconductoare constă in apariţia purtătorilor de sarcină şi,ca urmare,creşterea
conductivitşţii electrice a semiconductorului. Această proprietate se numeşte
fotoconductivitate iar dispozitivul optoelectronic care funcţionează pe bază acestui
fenomen se numeşte fotorezistor.
Principiul se bazează pe fenomenul internă fotoelectric: lumină (fotoni) hit-
uri de electroni de valenţă într-o sferă şi le furnizează energia lor, câştiguri de
electroni asigură suficientă energie pentru a depăşi decalajul şi sari din banda de
valenţă în banda de conducţă. Acest lucru lasă atom lor şi se mută ca un grilaj de
spaţiu liber Electron de cristal. În locul acestuia a fost o gaură (electron defect). De
unde rezultă electroni liberi care contribuie la reducerea rezistenţei electrice
(creştere în conductivitate electrică). Mai multă lumină cade pe fotorezistor, acesta
creează electroni mai liber şi, astfel, creşte conductivitatea electrică.
In funcţie de materialul semiconductor din care este realizat, sensibilitatea
lui spectrală poate varia din ultraviolet până în infraroşu.
Fotorezistorii se obţin prin depunerea unui strat din material semiconductor pe un
suport izolator, prevăzut la capete cu două contacte ohmice pentru lipirea
terminalelor.

Structură Simboluri

Figura 1 Structură şi simboluri

Suprafaţa fotosensibilă a fotorezistorului poate varia intre 1mm2 şi câţiva


centimatri pătraţi.Dispozitivul se încapsulează în plastic,metal,ceramică sau sticlă.

Fotorezistorul Page 3
Figura 2 fotorezistenţa

Structura fotorezistenţei

Fotorezistenţa este facută dintr-o structură pe bază de cristal şi utilizează


proprietăţi fotoconductive. Cele mai comune cristale sunt Cadmiu - Sulf şi Cadmiu
– Seleniu. În timp ce cristalele unice sunt disponibile în comerţ pentru acest scop,
cristalel fine sunt folosite pentru a forma straturi pe suprafeţele ceramice sau pe
alte materiale. Se face acest lucru pentru a se obţine o arie cat mai mare pentru
limina incidentă. Astfel, se remarcă obţinerea unei sensibilităţi foarte
marecomparabil cu celulele fotoconductive formate dintr-un singur cristal.

Este o placă sau o peliculă de semiconductor cu două contacte ohmice.


Semnalul optic este absorbit şi fotonii generează purtători de sarcină în
rezultatul actelor de tranziţie „bandă-bandă” sau prin intermediul nivelelor
energetice ale impurităţilor.
Funcţionarea fotorezitorilor este determinată de trei parametri:
• Eficienţa cuantică sau de amplificare;
• Timpul de fotorăspuns;
Fotosensibilitatea sau detectivitatea
Dispozitivele fotoelectrice sunt sensibile la radiatile electromagnetice

Fotorezistorul Page 4
atunci cand un curent trece prin ele, o alternativa, a absorţiei de radiaţie si
convertirea ei in energie electrică masurabilă tensiune, curent sau schimbarea
rezistenţei.
Prin radiaţie electromagnetică semnifică că energia radiază în spectrul vizibil la fel
ca şi în regiunea ultraviolet şi cel infraroşu (0,3 … 15um).
Sunt patru tipuri de dispozitive fotoelectrice:
• Tipul fotoemisie;
• Tipul fotovoltaic;
• Tipul cu joncţiune fotoconductivă;
• Tipul cu efect de buffer fotoconductiv;

În celula fotoemisie electroni lovesc suprafaţă acoperită cu fosfor care


produce luminarea ei. Acest principiu este aplicat în televiziune şi la ecranele
osciloscoapelor.
Celula fotovoltaică utilizează radiaţia solară pentru generarea tensiuni
electrice. Tensiunea electrică este generată în joncţiunea P-N cu o degajare de
lumină pe suprafaţa sensibilă. Acest tip de fotocelulă auto-generatoare este facută
din Seleniu sau Siliciu. Efectul fotovolativ este procesul fizic prin care energia
radiaţiei luminoase (fotonilor) este transformată direct in energie electrică. Pentru
observarea efectului fotovoltaic, se impune ca energia fotonilor incidenti sa fie mai
mare sau egala cu largimea benzii interzise a semiconductorului.
Daca suprafaţă activă este iluminată, la bornele celulei fotovoltaice apare o
tensiune electrică, contactul regiunii p fiind polul pozitiv, iar contactul regiunii n
polul negativ.
Conectarea unei rezistenţe in circuit dă naştere la un curent electric,numit
fotocurent si este de sens opus curentului ce apare in circuit in cazul polarizarii
directe cu o tensiune externa.

Când celula fotovoltaică nu este iluminata, ea are o comportare asemanatoare cu o


dioda simpla.

Figura 3 Celula fotovoltaica.Simbol si utilizare.

Fotorezistorul Page 5
Pentru o celula fotovoltaică ,esentiala este funcţionarea în condiţiile absenţei
polarizarii exterioare.

Celula fotoconductivă cu joncţiune se bazează pe proprietăţile


fotoconductive ale joncţiuni P-N. Acestea sunt reprezentate de fotodiodă şi de
fototranzistor. Celula fotoconductivă cu joncţiune afişează relavit senzitivitatea în
funcţie de puterea fascicului de lumină. Principala problemă este senzitivitatea
mică deşi figurează ca având un raspuns rapid.

Celula fotoconducţie cu efect de bulk se bazează pe utilizarea proprietăţilor


fotoconductive ale cristalului. Acestea sunt reprezentatea de reyistorul dependent
de lumină sau fotorezistenţa.

Caracteristicile fotorezistoarelor

1. Caracteristica curent-tensiune
Sunt simetrice în raport cu originea axelor de coordonate, deoarece
rezistenţa lor nu depinde de polaritatea tensiunii aplicate. De obicei, se construiesc
fotorezistoare numai pentru o polaritate a tensiunii aplicate.

I = I 0 + I L = C 0 ⋅ U + C f ⋅ Φ γ0 ⋅ U ,
unde I , I 0 , I L - respectiv curentul total, curentul de întuneric, fotocurentul; C 0 ,
C f - constante ce sunt determinate de proprietăţile fizice ale semiconductorului la
întuneric şi la iluminare; γ - coeficientul de neliniaritate a caracteristicii
energetice; U - tensiunea aplicată.

Fotorezistorul Page 6
2. Caracteristica energetică a fotorezistorilor

Sunt neliniare datorită dependenţei timpului de viaţă al purtătorilor de


sarcină de fluxul incident. Forma matematică a caracteristicii este:
I L = k 0 ⋅ Φ γ0 , pentru U = const ,
unde k 0 = C f ⋅U .
Pentru majoritatea fotorezistorilor caracteristicile energetice posedă două
regiuni distincte:
• Regiunea liniară ( γ =1 ) la intensităţi slabe ale radiaţiei incidente;
• Regiunea subliniară ( γ <1 ) la intensităţi mari ale radiaţiei incidente.

Fotorezistorul Page 7
3. Caracteristicile spectrale
Prezintă un maxim pronunţat în regiunea absorbţiei fundamentale, unde
λ =1,24 E g .

Caracteristica spectrală este puternic influenţată de prezenţa impurităţilor în


semiconductor. Impurităţile se introduc cu scopul sporirii sensibilităţii şi a lărgimii
spectrului spre lungimi de undă mai mari.

Fotorezistorul Page 8
4. Dependenţa sensibilităţii de frecvenţă

τi - este constantă de creştere a fotocurentului sau timpul în care fotocurentul


creşte până la valoarea I L = (1 − e −1 ) I 0 = 0,63 ⋅ I 0 ; I 0 - valoarea staţionară a
fotocurentului; τd - constanta de timp a descreşterii fotocurentului, în care
fotocurentul creşte până la valoarea I L = I 0 e = 0,36 ⋅ I 0 .
Pentru majoritatea fotorezistoarelor τ i = τ d = τ 0 , unde τ0 - este constanta de
timp a fotorezistorului.
Dacă radiaţia incidentă este modulată după o lege sinusoidală atunci funcţia
de generare a purtătorilor de sarcină se poate scrie sub forma:
g = g 0 ⋅ e iωt , ω - frecvenţa pulsaţiilor radiaţiei incidente.
Atunci componenta variabilă a fotocurentului este:
I ~ = I ω ⋅ e i ( ωt −θ ) , unde θ - este defazajul dintre radiaţia incidentă şi fotorăspuns.
Amplitudinea fotocurentului va fi:
I0
Iω = .
1 + ( ω τ0 )
2

Odată cu creşterea frecvenţei fluxului luminos, amplitudinea componentei


Fotorezistorul Page 9
variabile a fotocurentului scade. Constanta de timp τ0 este o măsură a inerţiei
fotorezistorilor la acţiunea radiaţiei incidente. Cu cât sensibilitatea este mai mare
cu atât constanta de timp este mai mică.
Pentru: CdS, CdSe avem τ 0 ≈ 10 −2... 10 −3 s , iar pentru PbS, PbSe avem
τ 0 ≈ 10 −4... 10 −5 s .

Parametrii unui fotorezistor sunt :


• -valoarea rezistenţei electrice la întuneric ;
• -tensiunea maximă admisă la borne ;
• -puterea maximă disipată ;
• -sensibilitatea la lumină - reprezintă raportul dintre variaţia curentului şi variaţia
iluminarii, la o tensiune constantă.Se măsoară în mA/lx.
• -sensibilitatea spectrală-depinde de natura materialului semiconductor utilizat şi
reprezintă dependenţa sensibilităţii S de lungimea de undă a radiaţiei incidente.

Funcţionarea fotorezistoarelor nu depinde de semnul tensiunii aplicate. Valoarea


curentului,la o tensiune data, depinde de nivelul de iluminare conform
caracteristicii curent-tensiune din figura 4.

Figura 4 Caracteristica curent-tensiune pentru un fotorezistor

Fotorezistorul Page 10
Prin răspuns la lumină ne referim la lumina alba care este un amestec de
raze combinate. Fiecare din aceste raze are propria lungime de undă şi din cauza
variaţiei de undă se produc culorile curcubeului.
Lumina, la fel ca şi sunetul, este o combinaţie de tonuri care variază într-o scara
largă de frecvenţe. Fiecare ton are propria frecvenţă. În acelaşi fel putem descrie şi
lumina ca un amestec de culori, tonuri, deoarece fiecare poate fi definit de propria
lungime de undă.
Comparând două surse de lumină, de exemplu:
-o lampa cu incandescenţă
-şi o lampa fluorescentă
vedem ca lumina emisă de ele nu este la fel. Explicaţia acestui rezultat este ca
combinaţia de culori a fiecărei surse diferă, un anumit ton de culori domină. În loc
de ton de culori o sa folosim lungimea de undă a lumini sau frecvenţa lumini.
Lungimea de undă este specificată ca şi o funcţie de frecvenţă, în concordanţă
vitezei lumini şi este dat de ecuaţia urmatoare:
λ = c/f
λ = lungimea de undă a lumini;
c = viteza lumini (300,000 Km/secundă);
f = frecvenţa lumini;

Lumina poate fi împarţită în funcţie de lungimea de undă în trei categori:


1. Lumina ultravioletă – sub 0,4µm (4000Aº);
2. Lumină vizibilă – între 0,4µm şi 0,7µm (4000 ÷ 7000Aº);
3. Lumina infraroşie – peste 0,7µm (7000Aº);
Rezele de lumina vizibile de la unde scurte (4000Aº) la unde lungi (7000Aº) apar
pentru ochiul uman asftel:
 Violet – 0,46µm (4600Aº);
 Albastru – 0,5µm (5000Aº);
 Verde – 0,56µm (5600Aº);
 Galben – 0,59µm (5900Aº);
 Portocaliu – 0,61µm (6100Aº);
 Roşu – 0,66µm (6600Aº);

Notaţi:
1µm – 10-6 metri;
1Aº - 10-10 metri;
1,0 µm – 10000Aº;

Fotorezistorul Page 11
Undele de lumina mai mici decât unda de lumină violeta sau mai mari decât unde
de lumină roşie nu sunt percepute de ochiul uman. Sunt diferitele tipuri de
fotorezistenţe utilizate cele mai senzitive la lumina vizibilă de ochiul uman sunt
cele din Sulfat de Cadmiu – CdS, fotoconductive.
Materialul E g , eV λ0 , µm
Ge 0,67 1,85
Si 1,11 1,12
CdSe 1,74 0,71
CdTe 1,5 0,83
CdS 2,42 0,51
GaAs 1,43 0,87
InP 1,28 0,97
PbS 0,29 4,28
PbSe 0,15 8,27

Varierea rezistenţei în funcţie de iluminare şi dopaj

Cristalul este tratat sau dopat cu impurităţi. Fotoconductanţa este obţinută


ca o funcţie a transferului de electroni pus in miscare de lumina care cade pe
suprafaţa senzitivăa fotorezistenţei.
La întuneric, fără lumina care să cadă pe suprafaţa fotorezistenţei, electroni
nu sunt puşi în mişcare ceea ce înseamnă rezistenşă foarte mare. La iluminare
electroni sunt puşi în mişcare ceea ce înseamnă rezistenţă mică.
Ca şi rezultat rezistenţa variază în funcţie de lumina care cade pe suprafaţa
senzitivă. În funcţie de materialele folosite rezistenţa fotorezistenţei poate varia de
le 50 KΩ până la caţiva MΩ, la întuneric şi de la 50Ω până la 1KΩ sub influenţa
lumini.
Rezistenţa poate varia de la material la material, dar în general, forma curbei
rămâne la fel, ca şi în figura prezentată în figura 1.

Factori ce determină rezistenţa fotorezistenţei


Cu intensitatea lumini la un nivel constant, rezistenţa internă depinde de urmatori
factori:
o Materialul fotoconductiv;
o Aria recepţiei fasciculului de lumină;
o Forma electrodului;
o Distribuţia lungimi de undă lumini incidente;
o Nivelul de impuritate;

Fotorezistorul Page 12
Figura 5. Caracteristica intensităţi luminoase a unei fotorezistenţe.

Materialele fotoconductive
Fiecare material are propria influenţă asupra rezistenţei şi sensibilităţi
fotorezistenţei. Cum am mai spus cele mai folosite materiale sunt CdS - Sulfat de
Cadmiu) şi CdSe - Cadmiu Seleniu.
Aria recepţiei fasciculului de lumină
Cu cat aria de recepţie este mai mare cu atat o să crească sensibilitatea
fotorezistenţei.
Forma electrodului
Structura formei electrodului poate creşte senzitivitatea fotorezistenţei. Astfel că,
chiar şi o mică schimbare a intensităţi luminoase face ca fotorezistenţa să işi
modifice rezistenţa internă.
Fotorezistorul Page 13
Distribuţia lungimi de undă lumini incidente
Cum am spus mai sus lungimea de undă a lumini incidente afectează senzitivitatea
fotorezistenţei. Astfel că, senzitivitatea fotorezistenţei este în funcţie de lungimea
de undă (culoarea) care luminează dispozitivul. Fiecare fotorezistor are propria
senzitivitate maximăpentru o lungime de undă specifică (între 0,4µm şi 0,7µm).
Abaterea, sus sau jos, de la faptul că anumite lungimi de undă, descresc
senzitivitatea fotorezistenţelor.
Figura 2 arata un răspuns spectral general, specific tuturor tipurilor de
fotorezistenţe. Senzitivitatea maximă se obţine pentru culoare verde şi
senzitivitatea minimă se obţine pentru culoarea roşu şi cea violet.

Figura 6. Răspuns, relativ, spectral pentru fotorezistor


La fel ca şi ochiul uman, sensibilitatea relativă a unei celule fotoconductive este
dependentă de lungime de undă (color) a luminii incidentului. Fiecare
fotoconductor tipic de material are propria sa curbă unică de răspuns spectral sau
teren de răspuns relativ al fotocelulei copmaratic cu lungimea de undă a lumini.

Fotorezistorul Page 14
Figura 7. Răspuns în spectrul lungimi de undă

Forma spectrului este aproximativ la fel pentru toate fotorezistori existente, totuşi,
senzitivitatea maximă apare la diferite lungimi de undă pentru diferite tipuri de
fotorezistenţe.
De exemplu în figura 2. senzitivitatea maximă se obţine la lungimea de undă de
0,56µm (5600Aº). Pentru un alt fotorezistor senzitivitatea maximă o sa fie la alta
lungime de undă, forma curbei o sa rămână la fel.
Nivelul de impuritate
Nivelul de impuritatea determină fotoconductivitatea fotorezistenţei. Aceasta
înseamnă că multitudinea de electroni care sunt puşi în mişcare de o lumină
specifică care schimbă rezistenţa interna a fotorezistorului.
Rezistenţa scade în funcţie de intensitatea de iluminare aproximativ
exponenţial (de obicei, se încadrează în câteva ordine de mărime), dar într-o
anumită măsură, aceastea poate fi foarte bine linearizate. Graficul de dependenţă a
mărimi rezistenţei electrice de iluminat pe o scală logaritmică într-o linie dreaptă.

Fotorezistorul Page 15
Figura 8. Răspuns în spectrul lungimi de undă

Poate fi în funcţie de tipul de material folosit pentru fotorezistor pentru a


detecta vizibil şi raze ultraviolete şi cele de lumină în infraroşu. În funcţie de sursa
de radiaţii este necesar pentru a selecta tipul corect de fotoresistor. În funcţie de
este dat de sensibilitate. Sensibilitate este, în general, relaţia dintre intensitatea
radiaţiei incidente optice şi semnalului de ieşire. Sensibilitate spectrală exprimă
dependenţa de sensibilitatea a fotorezistorului şi lungimea de undă a radiaţiilor
optice. fotorezistorul este puternic dependente de temperatură, la dimensiuni mai
mici de iluminare este mai mare dependenţa de temperatură, dependenţa de
temperatură este mai mare, de asemenea, la lungime de undă mai mare. Ca şi în
cazul rezistori convenţionale cauze de zgomot de temperatură.
Viteza de reacţie
Viteza de reacţie depinde de material. Cel mai lent material folosit la
fotorezistenţă este de sulfură de cadmiu - CdS , precum şi cel mai rapid Antimoniu
de Indiu (InSb). CdS are un răspuns aproximativ 100 ms şi InSb are un răspuns
aproximativ 10 ms. Măsurarea momentului de timp, este timpul de la momentul de
începere a iluminări pe suprafaţa fotorezistorului, după care valoarea rezistenţei
atinge dimensiunea specificată şi măsurarea timpului la dispariţia lumini de pe
suprafaţa incidenta a fotorezistorului, până când rezistenţa fotorezistorului creşte în
valoare.
Efectul de memorie a fotorezistorului este reflectat în schimbarea iluminari.
Fenomen de memorie, care constă în faptul că el îşi aminteşte valoarea care a fost
la momentul de depozitare. Fenomenul de memorie poate fi minimizat dacă vom
folosi stocarea de lumină în fotorezistor. Raza de operare a temperaturii setează
temperatura limită la care fotorezistorul funcţionează corect.

Avantaje
• Sensibilitate semnificativă;

Fotorezistorul Page 16
•Uşor de utilizat si la costuri reduse;
• Utilizarea în circuite DC şi AC (lucrează în mod independent de
direcţia de curentului);
Dezavantaje
• Timp de răspuns mare, care creşte în cazul în care lumina intensă este
urmată rapid de întuneric;
• Dependenţa semnificativă de temperatură, de rezistenţă;
• Fotorezistenţe operaţionale în funcţie de vârstă;
• Poate fi utilizată numai pentru sute de Hertzi;
• Pentru o sensibilitate mare suprafaţa sensibilă la lumină ajunge până
la câteva zeci de milimetri pătraţi;

Fotorezistenţe sunt utilizate pentru indicarea şi măsurare în aplicaţi


analogice şi digitale.
Aplicaţii analogic:
• Control timpului de expunere al camerei;
• Focalizare automată – cu dublă celulă;
• Xerox şi copiatoare – reglează densitatea de toner
• Echipamente de test colorimetric;
• Densitometru
• Cantare electronice – cu dublă celulă;
• Controlul automat al porţii – sursă de lumină modulată;
Aplicaţii digital:
• Control automat al luminozităţi farurilor;
• Control al lumini pe timp de noapte;
• Detector de flacără;
• Controlul lumini pentru iluminatul public;
• Absenţă / Prezenţă (întrerupător de întâlnire);
• Senzor de poziţie;

Fotorezistorul Page 17
Aplicaţi cu fotoreziostor

Există două circuite de bază, folosind fotorezistori - primul este activat de


întuneric, iar al doilea este activat de lumină. Cele două circuite sunt foarte
asemănătoare şi au nevoie de un fotorezistor, unele rezistoare etalon, o rezistenţă
variabilă (potenţiometru), precum şi orice tranzistorul desemnal mic.

În diagrama circuitului de mai sus, LED-ul până LDR ori de câte ori este în
întuneric. Resistorul de 10K variabil este folosit pentru a ajusta nivelul de tensiune
la întuneric necesară pentru LED. Resistor 10K standard, poate fi schimbat când
este necesar pentru a obţine efectul dorit, cu toate că orice înlocuire a lui trebuie să
fie de cel puţin 1K pentru a proteja tranzistorul de deteriorări, un curent excesiv.

Fotorezistorul Page 18
Prin schimbarea fotorezistorului cu rezistenţele de 10K şi 10K variabilă
(cum este arătat mai sus), circuitul va fi activat la lumină. Ori de câte ori cade
suficientă lumină pe fotorezistor , LED-ul se va aprinde.

Fotorezistor o schema simplă, descriere

Folosim un fotorezistor şi un divizor de tensiune, este folosit pentru a aplica


tensiune în baza tranzistorului. Avem două moduri unul cu potenţiometru şi unul în
care acţionează fotorezistorul, aşa cum modificăm valoarea potenţiometrului aşa se
schimbări şi rezistenţa fotorezistorului, schimbare în potenţial este detectat de
circuit şi releu este activat. PCB-montat comuta doar noduri trimpot & Fotorezistor
în ceea ce priveşte circuitul de detecţie care este în cauză. Deci, un comutator
inchis activat devine un comutator de lumină activat sau invers.

LED-ul cu rezistenţa de limitare a curentului este în paralel cu releu pentru a da o


indicaţie vizuală a releului atunci când este pornit. Rele (5A/250VAC) poate fi
conectat la un bec electric o sursă de alimentare, care se va porni sau opri atunci
când mediul este luminos sau invers.

Fotorezistorul Page 19
Acest circuit este satisfăcător în cazul în care schimbări în nivelul de lumina
sunt mari şi pot fi detectate, tranziţia este rapidă. O problemă inerentă a circuitului
este trăncănitul releului, acesta se produce prin schimbare nivelurile de lumină
doar la punctul de tranziţie. Acest lucru duce la trăncănitul releului care se
transformă rapid din on în off şi invers. Această problemă poate fi depăşită printr-
un circuit de histerezis folosind un Amplificator operaţional sau un Trigger Schmit.

Lumina care acţionează asupra fotorezisotrului acţionează ca şi un comutator activ,


este un circuit care va măsura nivelul de lumina si se va activa sau a dezactiva un
releu. Vom utiliza fotorezistor pentru măsurarea nivelul de lumina.
Vom analiza trei tipuri de circuite, doar ultimul va fi analizat în detaliu. Fiecare
dintre ele va avea caracteristici diferite, dar operaţia va fi aceeaşi.

Primul circuit - Senzor “orb”


Circuitul este un comutator simplu, un fotorezistor acţionează baza tranzistorului,
care este conectată la un divizor de tensiune. Primul “rezistor” este potenţiometru
de 100K legat în serie cu un rezistor de protecţie de 1KΩ, rezistenţă a doua este
rezistenţa fotorezistorului.
Schema circuitului:

Fotorezistorul Page 20
La caderea lumini pe suprafaţa fotorezistorului el îşi modificările rezistenţa
fotorezistenţei, cu cat creşte lumina cu atat scade rezistenţe având o cădere de
tensiune mai mică pe el. Se poate regla căderea de tensiune prin intermediul
potenţiometru, în acest fel se poate regla ca la o cădere minimă de lumină pe
fotorezistor acesta să este suficient să acţioneze releu.
Cantitatea de lumina necesare pentru a acţiona releu poate fi schimbat prin
schimbarea potentiometru 100K. Practic, orice modificare a potentiometru va avea
un efect la căderea de tensiune din fotorezistor, deoarece aceştia sunt membri ai
divizorului de tensiune descrise mai sus.
Diodă 1N4001 este folosit pentru a elimina fluctuaţile de tensiune care apar
la releu, atunci când este armează/dezarmează. Este foarte important să avem
această diodă, deoarece fără ea, tranzistorul poate fi deteriorat.

Circuitul doi - sensibilitate crescută


Circuitul de mai sus funcţionează bine, pentru activitatea în cauză. Nu va fi nici o
problemă pentru detectarea întunericului sau a lumini şi să acţioneze releul, dar va
fi o problemă atunci când vrem sa acţionăm releul din nou. În acest moment,
circuitul are un histerezis mare. Prin urmare, avem nevoie de mai mult pentru a
amplifica semnalul înainte de al aplica la tranzistorul de comutaţie.
Vom folosi BC517 NPN Darlington tranzistor pereche. Îl vom monta între
2N2222 şi fotorezistor, ca şi în figura de jos:

Fotorezistorul Page 21
Cu acest plus sensibilitatea circuitului este crescută. Fereastra histerezis este
scăzut în mod semnificativ, deşi există încă o regiune, atunci când releu este
activat, acesta nu va fi dezactivat cu aceeaşi cantitate de lumină, care a existat chiar
înainte de activare este. Circuitele de mai sus pot lucra cu tensiune diferită. De
exemplu, puteţi modifica tensiunea la 5 volţi, dar ar trebui să se ia în considerare,
atunci schimbarea rezistorul 1K în 560 Ohm şi a potenţiometru în 10K şi releul,
desigur, trebuie să dispună de tensiune corespunzătoare bobina. Se poate folosi
orice fel de tranzistor NPN pentru comutarea releu, atât timp cât aceasta este
capabil de a lucra sub tensiune aleasă, de asemenea, să aibă posibilitatea de a
furniza suficient de curent pentru releu.
Doar o singură ajustare trebuie să fie făcută, aceasta ar fi potentiometru.
Scopul tau este de a face circuitul cu releu să acţioneze atunci când o cantiate mică
de lumină pentru a pre-definite valoare.
Fotorezistorul fi luminat cu cantitatea de lumina minimă se roteşte
potenţiometru la valoare minimă după care se roteşte încet până se aude cuplarea
releului.

Circuitele de mai sus funcţionează ca detectoar de întuneric. Acest lucru


înseamnă că, atunci când nivelul de lumina cade sub o valoare presetată releu este
acţionat. În cazul în care doriţi un detector de lumina care va acţiona releu, atunci
când a crescut nivelul de lumina care este mai mare decât valoarea presetată, doar
elimina rezistorul de 1K de după care se reajustează.

Circuitul trei - sensibilitate la niveluri mai mari

Fotorezistorul Page 22
Circuitul următoare nu are nimic de-a face cu cele de mai sus. Acesta
foloseşte un amplificator operaţional 741 pentru a obţine sensibilitate maximă.
Acest circuit poate sesiza modificări de lumină foarte uşoare şi pot fi foarte bine
ajustate. Schema circuitul:

741 este conectat la un comparator de tensiune. Două divizoare de tensiune, primul


dintre ele este fotorezistenţa si rezistenţa de 100K, iar al doilea este compus de
către cele două rezistenţe 470 Ohmi şi potenţiometru de 10K.
Divizorul al doilea va soluţiona tensiunea de referinţă. Avem un comparator
de tensiune care conţine o fotorezistenţă, tensiune se va schimba este în funcţie de
nivelul de lumină. În cazul în care tensiunea de intrare este pe teritoriul negativ al
comparator, este mai mică decât tensiunea de intrare pozitive ale comparator,
producţia este scăzut. În cazul în care tensiunea de intrare creşte la intrare negativă,
va exista un timp ca aceasta să devină mai mare sau egală cu cea pozitivă , şi apoi
tensiunea de ieşire devine mare şi se acţionează releu prin 2N2222.
În ceea ce priveşte fotorezistenţa, aceasta trebuie să fie pereche cu rezistenta
de 100K. Acest lucru înseamnă că valoarea fotorezistorului este aproape la fel ca
cea a rezistorului de 100K. Circuitul este proiectat să funcţioneze cu 12V, dar
poate funcţiona în tensiuni mai mici. Acest circuit activ la întuneric. Pentru a îl
face activ la lumina se schimbă locurile între rezistor 100K şi fotorezistor.

Primul circuit este un circuit foarte uşor şi ieftin. Acest circuit este adecvat
pentru a detecta schimbarile de lumina mare. S-ar folosi pentru a detecta lumina în
camera sau într-o sală. Schimbări mici precum umbra persoanelor nu afectează
Fotorezistorul Page 23
această circuit.
Al doilea circuit este mult mai sensibile la schimbări. Perechea tranzistor
Darlington va creşte semnificativ schimbări mici ale curentul de la fotorezistor.
Încă nu există o fereastra mare între activarea şi dezactivarea releu. Acest lucru
face ideal pentru utilizări în aer liber pentru a detecta dacă există sau nu lumină
ambientală. Ar putea fi perfect, de exemplu, pentru a controla luminile automat.
Acesta nu va fi afectată de umbră de la o pasăre sau o pisică se trece pe langa de
senzor sau chiar umbre mai mari. Cu toate acestea, acesta va fi corecte în ceea ce
priveşte nivelul de iluminare. Luminile trebuie sa fie oprite automat atunci când
soarele străluceşte.
Al treilea circuit este cele mai exact şi cele mai sensibil. Dacă, de exemplu o
umbra cade şi acoperă 2 / 5 din fotorezistor este posibil să nu acţioneze releu, dar
dacă se referă la umbra 3 / 5 acesta poate acţiona releul. Mici schimbări de lumină
poate avea drept rezultat în schimbări în stările releu. Pentru alte aplicaţii, ar trebui
să ia în considerare adăugarea un circuit de întârziere, la ieşirea din 741. Dacă
nivelul de lumina este foarte aproape de valoarea preselectată, releu nu sa şti ce să
facă pentru că lumina este aproape de zero. Acesta va funcţiona foarte bine ca
receptor de semnal luminos.

Bibliografie

http://www.mec.upt.ro/~dolga/senzor_8.pdf

http://www.physics.pub.ro/Referate/BN031B/FOTOREZISTENTA.pdf

http://archilochus.netfirms.com/

Fotorezistorul Page 24
http://www.instructables.com/id/Laser_Beam_Alarm_System_with_Rechargeable_Battery_/step
5/First-Half-of-the-Large-Schematic-the-LDR-Sensor/

http://www.afiata.com/schematic-diagram-sensors-and-ldr/#high_1

http://www.electronics-project-design.com/LightDependentResistor.html

http://www.reuk.co.uk/Light-Dependent-Resistor.htm

http://www.reuk.co.uk/print.php?article=LM741-Light-Dark-Sensor-Circuit.htm

http://www.reuk.co.uk/LM741-Light-Dark-Sensor-Circuit.htm

http://in.answers.yahoo.com/question/index?qid=20080705071659AA12DDy

http://www.emant.com/316002.page

http://soft-circuit.com/2010/01/light-sensor-circuit/

http://webzone.k3.mah.se/projects/arduino-
workshop/projects/arduino_meets_processing/instructions/ldr.html

http://www.technologystudent.com/elec1/ldr1.htm

http://news.jeelabs.org/2009/03/

http://pcbheaven.com/circuitpages/Light_Dark_Activated_Relay/

http://en.wikipedia.org/wiki/Photoresistor

http://cs.wikipedia.org/wiki/Fotorezistor

http://www.4mtec.com/Images/ProduitsDistribues/TeslaBlatna/Doc/cell.pdf

http://facultate.regielive.ro/laboratoare/electronica/dispozitive_optoelectronice-23166.html

www.skola.sk/bratislava/zbornik/09Kundracik.doc

nika.informacie.sk/teoria/teoria_suc44.doc

robotika.yweb.sk/.../!%20Senzorovy%20subsystem%203%20-%20Fotoelektricky%20snimac
%20(Fotorezistor).doc

sdelovacka.kbx.cz/data/statnice/BEST/02_1.doc

Fotorezistorul Page 25
Cuprins
Argument … pagina 2
Introducere … pagina 3
Structura fotorezistenţei … pagina 4
Caracteristicile fotorezistoarelor ... pagina 6
• Caracteristica curent-tensiune ... pagina 6
• Caracteristica energetică a fotorezistorilor ... pagina 7
• Caracteristicile spectrale ... pagina 8
• Dependenţa sensibilităţii de frecvenţă ... pagina 9
Varierea rezistenţei în funcţie de iluminare şi dopaj … pagina 12
Avantaje şi dejavantaje … pagina 17
Aplicaţi cu fotoreziostor … pagina 18
• Primul circuit - Senzor “orb” … pagina 20
• Circuitul doi - sensibilitate crescută … pagina 21
Fotorezistorul Page 26
• Circuitul trei - sensibilitate la niveluri mai mari … pagina 23
Bibliografie … pagina 25

Fotorezistorul Page 27

You might also like