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Dispositivos OptoElectronicos

Dispositivos OptoElectronicos

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Electrónica Unidad 7
José Pablo Santiago Cabrera Grupo 108
1
EL DIODO SCHOTTKY 
Diodo de barrera Schottky, llamado así en honor del físico alemán Walter H. Schottky,es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre losestados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeños de 5 mm dediámetro) y muy bajas tensiones umbral.El diodo Schottky está constituido por una unión metal-semiconductor (barreraSchottky), en lugar de la unión convencional semiconductor P - semiconductor N utilizada porlos diodos normales.Así se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "
 portador mayoritario
". Esto significa que, si el cuerpo semiconductor está dopado con impurezas tipo N,solamente los portadores tipo N (electrones móviles) desempeñarán un papel significativo enla operación del diodo y no se realizará la recombinación aleatoria y lenta de portadores tipoN y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales, con lo que la operación deldispositivo será mucho más rápida.A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensión umbral valor dela tensión en directa a partir de la cual el diodo conduce de 0,7 V, los diodos Schottky tienenuna tensión umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V empleándose, por ejemplo, comoprotección de descarga de células solares con baterías de plomo ácido.Los diodos Schottky. Son dispositivos que tienen una caída de voltaje directa (VF) muypequeña, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se utilizan en fuentesde potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben también el nombre dediodos de recuperación rápida (Fastrecovery) o de portadores calientes.La principal aplicación de este tipo de diodos, se realiza en fuentes de baja tensión, en lascuales las caídas en los rectificadores son significativas.
(Diodo Schottky construido a través de latécnica de CIs.)Curva característica de un diodo SCHOTTKY 
 
Electrónica Unidad 7
José Pablo Santiago Cabrera Grupo 108
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LOS DIODOS VARACTORES
Son diodos de silicio perfeccionados para operar con capacitancia variable, que se utilizancomo sintonizadores en sistemas de comunicaciones, especialmente en FM.A máxima capacitancia del varactor se presenta con voltajes de polarización cero, cuando lacapa de agotamiento es más delgada. Cuanto más alto es el voltaje inverso aplicado, másestrecha es la capa de agotamiento y por lo tanto, la capacitancia disminuye. Estos diodostambién reciben el nombre de diodos Varicap (
diodo con capacitancia-voltaje variable) osintonizadores
 
l símbolo del diodo varactor se muestra abajo con una representación del diagrama.
 Cuando un voltaje inverso es aplicado a la junción PN, los agujeros en la región P se atraen a laterminal del ánodo y los electrones en la región N se atraen a la terminal del cátodo, creandouna región de poca corriente. Esta es la región de agotamiento, son esencialmentedesprovistos de portadores y se comportan como el dieléctrico de un condensador.La región de agotamiento aumenta mientras que el voltaje inverso aplicado a él aumenta; ypuesto que la capacitancia varía inversamente con el espesor dieléctrico, la capacitancia de lajuntura disminuirá cuando el voltaje aplicado a la juntura PN aumenta. En la gráfica, seobserva la variación de la capacidad con respecto al voltaje.
Las consideraciones importantes del varactor son:
 + Valor de la capacitancia.+ Voltaje.+ Variación en capacitancia En la gráfica se puede observar el aumento no lineal en lacapacitancia cuando se disminuye el voltaje inverso. Esta no linealidad, permite que elvaractor sea utilizado también como generador armónico.Con voltaje.+ Voltaje de funcionamiento máximo.+ Corriente de la salida
 
Electrónica Unidad 7
José Pablo Santiago Cabrera Grupo 108
3
 
La capacitancia de transición (CT) establecida por la región sin carga se determina mediante:Donde:E: Es la permitibilidad de los materiales semiconductores.A: Es el área de la unión P-N.Wd: El ancho de la región de agotamiento.Conforme aumenta el potencial de polarización inversa, se incrementa el ancho de la regiónde agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transición. El pico inicial declina enCT con el aumento de la polarización inversa. El intervalo normal de VR para diodos varicapse limita aproximadamente 20V. En términos de la polarización inversa aplicada, lacapacitancia de transición se determina en forma aproximada mediante:

 Donde:K = constante determinada por el material semiconductor y la técnica de construcción.VT = potencial en la curva según se definió en la sección.VR = magnitud del potencial de polarización inversa aplicado.n = ½ para uniones de aleación y 1/3 para uniones de difusión.

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