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ING. MECANICA
TRABAJOS DE INVESTIGACION
CATEDRÁTICO:
ALUMNA:
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VARGAS SANCHEZ MA. GUADALUPE
• CONTENIDO
TEMA 1.-
TEMA 2.-
TRANSISTORES. . . . . . . . . . . . . .PAG. 14 - 23
TEMA 3.-
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• SEMICONDUCTORES
Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad eléctrica puede
considerarse situada entre las de un aislante y la de un conductor, considerados en orden
creciente
Como todos los demás átomos, el átomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el
núcleo, como electrones en las órbitas que le rodean. (En el caso del silicio este número
es de 14). El interés del semiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la
aparición de una corriente, es decir, que haya un movimiento de electrones. Un electrón
se siente más ligado al núcleo cuanto mayor sea su cercanía entre ambos. Por tanto los
electrones que tienen menor fuerza de atracción por parte del núcleo y pueden ser
liberados de la misma, son los electrones que se encuentran en las órbitas exteriores
(figura 2). Estos electrones pueden, según lo dicho anteriormente, quedar libres al
inyectarles una pequeña energía.
• SEMICONDUCTORES
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Si los conductores son materiales que disponen de electrones libres y los aislantes
carecen de ellos, los semiconductores se encuentran en una situación intermedia: a la
temperatura de 0 K se comportan como aislantes, pero mediante una aportación de
energía puede modificarse esta situación, adquiriendo un comportamiento más cercano al
de los conductores.
La carga neta del hueco vacante es positiva y por lo tanto, se puede pensar en el hueco
como una carga positiva moviéndose en la dirección del campo eléctrico. Obsérvese que
los electrones individuales de enlace que se involucran en el llenado de los espacios
vacantes por la propagación del hueco, no muestran movimiento continuo a gran escala.
Cada uno de estos electrones se mueve únicamente una vez durante el proceso
migratorio. En contraste, un electrón libre se mueve de forma continua en la dirección
opuesta al campo eléctrico.
Jh = hp (qE)
En donde:
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Jh = Densidad de corriente de huecos
h = Movilidad de los huecos en el material
p = Concentración de huecos
q = Carga eléctrica del hueco: igual y de signo opuesto a la del electrón
E = Campo eléctrico aplicado
J = Jh + Je = hp(qE) + en(qE)
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transportar la energía eléctrica a otros puntos del cristal. En un semiconductor
intrínseco las concentraciones de huecos y de electrones pueden alterarse mediante la
adición de pequeñas cantidades de elementos llamados impurezas o dopantes, a la
composición cristalina. Como vemos, es esta característica de los semiconductores la que
permite la existencia de circuitos electrónicos integrados.
Centrémonos ahora en el silicio tipo P. En la práctica, a temperatura mayor que cero este
material estará formado por:
Hay que resaltar que el dopado no altera la neutralidad eléctrica global del material.
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suficientemente elevada, la cantidad de pares generados enmascare a los portadores
presentes debidos a la impurificación. En ese momento se dice que el semiconductor es
degenerado, y a partir de ahí no se puede distinguir si un material es de tipo N ó P: es la
temperatura a la cual los dispositivos electrónicos dejan de operar correctamente. En el
caso del silicio, esta temperatura es de 125 ºC.
Cada átomo de silicio tiene cuatro electrones de valencia. Se requieren dos para formar
el enlace covalente. En el silicio tipo n, un átomo como el del fósforo (P), con cinco
electrones de valencia, reemplaza al silicio y proporciona electrones adicionales. En el
silicio tipo p, los átomos de tres electrones de valencia como el aluminio (Al) provocan una
deficiencia de electrones o huecos que se comportan como electrones positivos. Los
electrones o los huecos pueden conducir la electricidad.
ESTRUCTURA DEL SILICIO
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Figura: Estructura cristalina del silicio puro
En la figura se aprecia que todos los electrones de valencia están asociados a un enlace
covalente. Por tanto, al no existir portadores libres, el silicio puro y monocristalino a 0 K
se comporta como un material aislante.
Electrones libres: Obviamente, la fuerza que el campo eléctrico ejerce sobre los
electrones provocará el movimiento de estos, en sentido opuesto al del campo eléctrico.
De este modo se originará una corriente eléctrica. La densidad de la corriente eléctrica
(número de cargas que atraviesan la unidad de superficie en la unidad de tiempo)
dependerá de la fuerza que actúa (qE), del número de portadores existentes y de la
"facilidad" con que estos se mueven por la red, es decir:
Je = en(qE) en donde:
n = Concentración de electrones
q = Carga eléctrica
E = Campo eléctrico aplicado
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• conducción por difusión de portadores
La anterior figura nos muestra: Difusión de dos gases a través de una membrana porosa
Si en un momento determinado se abre una comunicación entre las dos estancias parte
del gas A atravesará la pared para ocupar el espacio contiguo, al igual que el B. El
resultado final es que en ambas estancias tendremos la misma mezcla de gases A+B. La
difusión de partículas es un mecanismo de transporte puramente estadístico, que lleva
partículas "de donde hay más, a donde hay menos", siempre que no haya ninguna fuerza
externa que sea capaz de frenar dicho proceso. Matemáticamente puede expresarse
esta idea mediante la primera ley de Fick, que establece que el flujo de partículas que
atraviesa una superficie (J partículas/s/m2) es proporcional al gradiente de concentración
(c partículas/m3) de dichas partículas:
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Cuando ciertas capas de semiconductores tipo p y tipo n son adyacentes, forman un
diodo de semiconductor, y la región de contacto se llama unión pn. Un diodo es un
dispositivo de dos terminales que tiene una gran resistencia al paso de la corriente
eléctrica en una dirección y una baja resistencia en la otra.
Las propiedades de conductividad de la unión pn dependen de la dirección del voltaje,
que puede a su vez utilizarse para controlar la naturaleza eléctrica del dispositivo
Algunas series de estas uniones se usan para hacer transistores y otros dispositivos
semiconductores como células solares, láseres de unión pn y rectificadores.
Los dispositivos semiconductores tienen muchas aplicaciones en la ingeniería eléctrica.
Los últimos avances de la ingeniería han producido pequeños chips semiconductores que
contienen cientos de miles de transistores. Estos chips han hecho posible un enorme
grado de miniaturización en los dispositivos electrónicos. Observemos la siguiente
figura:
Si unimos un semiconductor tipo "P" con uno tipo "N", obtendremos un "DIODO".
• DIODO RECTIFICADOR
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1.- Polarización directa. El positivo de la batería va al ánodo y el negativo al cátodo. El
diodo conduce manteniendo en sus extremos una caída de tensión de 0.7 voltios.
• PUENTE RECTIFICADOR
.- Los fabricantes han incluido dentro de una misma cápsula cuatro diodos rectificadores
con montaje llamado "en puente".
APLICACIONES.-
• DIODO DE SEÑAL
Este tipo de diodo se utiliza para la detección de pequeñas señales, o señales débiles, por
lo que trabaja con pequeñas corrientes. La tensión Umbral, o tensión a partir de la cual el
diodo, polarizado directamente, comienza a conducir, suele ser inferior a la del diodo
rectificador. O sea la V.Umbral es aproximadamente 0,3 voltios.
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El material semiconductor suele ser el Germanio.
APLICACIONES.-
• DIODO PIN.-
Este tipo de diodo que presenta una región P fuertemente dopada y otra región N
también fuertemente dopada,
Este diodo tiene aplicaciones en circuitos donde utilizan frecuencias muy altas
como VHF, UHF y circuitos de microondas.
• DIODO ZENER.-
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constante gracias a que aumenta la corriente que circula por el.
• FOTODIODO.-
APLICACIONES.-
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Aplicaciones.-
• BIBLIOGRAFIA
http://www.elprisma.com
http://www.aputes.rincondelvago.com
• TRANSISTORES
DEFINICIÓN
Dispositivo semiconductor activo que tiene tres o más electrodos. Los tres electrodos
principales son emisor, colector y base. La conducción entre estos electrodos se realiza
por medio de electrones y huecos.
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prácticamente todas las funciones de los antiguos tubos electrónicos, incluyendo la
ampliación y la rectificación, con muchísimas ventajas.
Símbolo de un transistor
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• TIPOS DE TRANSISTORES
- JFET, De efecto de campo de unión (JFET): También llamado transistor unipolar, fue
el primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material
semiconductor de silicio de tipo N o P.
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- MOSFET, transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor. En estos
componentes, cada transistor es formado por dos islas de silicio, una dopada para ser
positiva, y la otra para ser negativa, y en el medio, actuando como una puerta, un
electrodo de metal.
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Las impurezas se transforman durante el crecimiento del cristal y producen
lingotes PNP o NPN, de los que se obtiene pastillas individuales, de unión a su vez pueden
ser de unión de crecimiento, unión por alineación o de campo interno, que es aquél en que
la concentración de impurezas se encuentra en una cierta zona de la base a fin de
mejorar el comportamiento en alta frecuencia del transmisor.
TRANSISTORES EPITAXIALES:
Transistor Transistor
NPN PNP
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Transistor NPN
con colector unido Transistor
a la cubierta NPN túnel
UJT-p
UJT-n Unión
Unión
Fototransistor
NPN Multiemisor
NPN
Transistor Transistor
de avalancha NPN Schottky NPN
Transistor JFET
canal N *
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Darlingt on NPN Darlington NPN
*
• TRANSISTORES
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• TRANSISTORES DEL TIPO BU
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• TRANSISTORES DE POTENCIA MOS-FET
• PUENTES RECTIFICADORES
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• VALVULAS TERMOIONICAS
• CONCLUSIONES
El tamaño y peso de los transistores es bastante menor que los tubos de vacío.
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Resistencia mecánica elevada.
• REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS.-
2. DISEÑO DIGITAL
MORRIS MANO
EDT. PRENTICE HALL
3. http://www.comunidadelectronica.com
4. http://www.mailingelectronica.com
• TIRISTORES
INTRODUCCION
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Un tiristor es uno de los tipos más importantes de los dispositivos semiconductores
de potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrónicos de
potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a
un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que los Tiristores son
interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prácticos exhiben ciertas
características y limitaciones.
• EL TIRISTOR
GENERALIDADES Y SIMBOLOS
SENTIDO DE PASO
ÁNODO CÁTODO
ELECTRODO DE MANDO
SIMBOLO DE TIRISTOR CON SUS TRES TERMINALES. EL TRAMO PRINCIPAL ESTÁ ENTRE
ANODO Y CATODO. EL TRAMO DE GOBIERNO UNA (ADICIONALMENTE) EL STARTER CON EL
CATODO.
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Para el usuario de tiristores resulta indiferente el saber cómo se ha construido el
sistema tiristor, los procesos internos que provocan la conducción o el bloqueo de la
corriente, así como la forma con que se sujeta el sistema a la caja.
En primer lugar el práctico ha de conocer que existen diferentes tipos para una amplia
gama de tensiones y corrientes: hay tiristores para tensiones algunas decenas de voltio y
corrientes de décimas de amperio hasta tiristores con tensiones que actualmente ya
llegan hasta los 1600 V e intensidades hasta varios centenares de amperio.
Por otro lado, el usuario es importante que sepa las particularidades que presentan
los tiristores frente a los interruptores. En este sentido sería conveniente contrastar
los pequeños tiristores con los transistores de conmutación y los transistores grandes o
de potencia con los interruptores dotados de contactos mecánicos.
Adicionalmente conviene tener una orientación acerca del comportamiento (externo) del
tiristor, por lo que hay que adquirir unos ciertos conocimientos sobre las curvas
características de estos componentes.
Finalmente, el usuario debería familiarizarte desde el principio con los circuitos típicos
de tiristores.
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• TIPOS DE TIRISTORES.
Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusión. La corriente del ánodo
requiere de un tiempo finito para propagarse por toda el área de la unión, desde el punto
cercano a la compuerta cuando inicia la señal de la compuerta para activar el tiristor.
Para controlar el di/dt, el tiempo de activación y el tiempo de desactivación, los
fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta.
• TIRISTORES PEQUEÑOS
Por este motivo se preferirá el tiristor al transistor cuando: sea posible hallar el
tipo adecuado de tiristor, el servicio sea en tensión alterna, los tiempos de conmutación
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no deben ser muy reducidos, la tensión residual no resulte crítica y cuando los costes no
lo hagan prohibitivo.
• TIRISTOR DE POTENCIA
- paso o conducción,
- las curvas de bloqueo en sentido directo para una corriente constante del starter,
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- las curvas de bloqueo en sentido inverso, para una corriente constante del starter.
CARACTERISTICA DE PASO
Esta curva característica tiene un curso casi vertical y muy cerca del eje de ordenadas
(corriente). Su principal característica es que la tensión de paso del tiristor es muy
reducida y a penas varía al aumentar la corriente de paso.
Cuando la corriente del starter es muy reducida o nula, esta curva coincide
prácticamente con la característica de bloqueo de cualquier válvula de silicio equivalente.
Al aumentar la corriente del starter, estas corrientes de bloqueo se hacen, a su vez,
mayores, al igual que cuando aumenta la temperatura. Las tensiones de ruptura (tensiones
correspondientes al curso vertical de la característica ∗ corriente anódica-tensión
cátodo-ánodo∗) caen algo más arriba al aumentar la temperatura.
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El curso de la línea basculante depende del tipo de tiristor y también de las
propiedades del circuito a él conectado. La transición del estado de bloqueo al de
conducción viene determinada por la naturaleza del circuito de corriente, en el que el
tiristor desempeña el papel de un interruptor.
En el primer caso, para mostrar el comportamiento de la entrada, basta una sola línea
característica. Esto es lo que sucede con el tiristor y con el triac. Tanto en el tiristor
como en el triac, hay que contar con grandes discrepancias en los datos o propiedades de
entradas.
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CORRIENTE DE ENTRADA COMPONENTE
ANODO
STARTER
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• EL TRIAC
El triac es un tiristor que puede adoptar el estado de conducción para ambos sentidos de
la corriente. Consecuentemente tiene las mismas características esenciales y datos que
el tiristor.
DENOMINACIONES Y SIMBOLOS
L a palabra - triac - es una expresión que procede del inglés (triode alternating current
switch). Esto significa que se trata de un interruptor de corriente alterna con tres
terminales. Dos de estos terminales se intercalan en el circuito a controlar (como si de un
interruptor se tratara.
El tercer terminal (starter) sirve para el arranque del paso de la corriente. Para la
designación de estos terminales, análogamente al tiristor, se emplean las siguientes
expresiones:
- para el terminal que provoca el paso de corriente (arranque): starter, puerta, gate
o electrodo de mando;
- Para el terminal al que queda aplicada la tensión del starter: cátodo o terminal 1;
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En la anterior figura utilice expresiones para la identificación de los terminales: starter,
terminal 1 y terminal 2.
El tramo starter-terminal 1 es el tramo del starter o de mando. El tramo terminal 1-
MANDO
SIMBOLO DEL TRAIC, REPRESENTADO DE DOS FORMAS. CONVIENE EVITAR LAS DESIGNACIONES DE ANODO Y
CATODO, EMPLEANDO EN SU LUGAR LAS DE TERMINAL 1 Y TERMINAL 2.
Debido a que en los esquemas de conexión el terminal del starter suele representarse
procedente de la izquierda se emplearán dos símbolos que se corresponden como objetos
e imagen en un espejo.
Para el triac se han propuesto otras denominaciones que, sin embargo, no se han
impuesto: tiristor de doble sentido, tiristor bidireccional y tiristor de corriente alterna.
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En la siguiente figura le mostraré análogamente al tiristor, compuesto por el triac; cuyas
características poseen entradas y salidas respectivamente. Empezaré con el estudió de
las características de salida.
TERMINAL 2
TRAMO DE MANDO ENTRADA SALIDA TRAMO PRINCIPAL O DE
LADOS DE ENTRADA Y SALIDA DE UN TRIAC. EL LADO DE ENTRADA PUEDE DESIGNARSE COMO TRAMO PRINCPAL O DE
CONEXIÓN.
En este sentido es curioso hacer constar cómo la corriente y tensión del tramo del
starter, puede tener el mismo signo para los dos sentidos de la corriente. Observemos el
siguiente esquema:
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CUADRANTE II CUADRANTE I
TENSION STARTER-TERMINAL 1
I POSITIVO POSITIVO
II NAGATIVO POISITIVO
III NEGATIVO NEGATIVO
IV POSITIVO NEGATIVO
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CARACTERISTICAS DE ENTRADA DE UN TRIAC
En el margen pequeño hace referencia al arranque con una tensión positiva del
terminal 2 respecto del1. En el margen mayor corresponde al caso en que la tensión del
terminal 1 sea positiva respecto al 2. Consecuentemente, en este tipo de triacs resulta
más conveniente trabajar con impulsos de arranque negativos respecto al terminal 1. Con
esta disposición resultan entonces suficientes tensiones del orden de 3 V para el tramo
starter terminal 1, y corrientes de starter de por lo menos 100mA.
En las siguientes figuras podremos observar con precisión los tipos de tiristores que
existen:
Diac Diac
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Tiristor de Tiristor de
conducción conducción
inversa, puerta inversa, puerta
canal N controlado canal P
por ánodo controlado por
cátodo
Tiristor de desconexión
Tiristor de
puerta canal N
controlado por ánodo desconexión
puerta control P
controlado por
cátodo
SBS
SUS
Silicon bilateral switch
Silicon unilateral
switch
Trigger Diac Fototiristor
Ditriac / Quadrac
• REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS
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2.- http://es.geocines.com
3.- http://www.arrakis.es
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