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Universidad Politécnica Salesiana 1

Amplificadores con transistor FET

UNIVERSIDAD POLITÉCNICA SALESIANA


FACULTAD DE INGENIERÍAS
CARRERA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
SEDE CUENCA

Nombre:
Vanessa Roche Intriago
Docente:
Ing. Rene Avila
Ciclo:
5to
Año:
2010

PRACTICA N°4

TEMA:
AMPLIFICADORES CON TRANSISTOR FET.

OBJETIVOS:

 Diseñar, calcular y comprobar el funcionamiento los siguientes amplificadores


con transistor FET.
a. A. a drain común.
b. A. a sourse común.
c. A. a gate común.

MARCO TEORICO:

Algunas definiciones importantes

La amplificación (ganancia de tensión) ∆V

Es el cociente entre la tensión en la entrada y salida.  ∆V = Vsal. / Vent.

La ganancia de corriente ∆i

Es el cociente entre la corriente de salida del amplificador y la corriente en los


terminales de entrada. ∆i = isal / ient

Amplificadores con FET (transistor efecto de campo)

Amplificador surtidor común.

Cuando a un amplificador surtidor común se le aplica una señal de entrada como se


muestra en el siguiente gráfico.
Una tensión (VG) es aplicada a la compuerta (gate) del FET , causando una corriente de
drenage (ID) que sigue las variaciones de la tensión aplicada.

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Se puede ver que VG = Vin (C1 es un capacitor de paso que para las frecuencias a
amplificar se puede considerar como un corto circuito)
La corriente ID atraviesa el resistor RS, causando una caída de tensión. Entonces
sumando las tensiones en lazo compuerta-surtidor:
Vin = VGS - VRS   ó   VGS = Vin - VRS
Se puede ver que VGS no es igual a VG. La tensión VRS no tiene la misma fase que la
señal de entrada Vi y produce una realimentación negativa que disminuye la ganancia
del amplificador.

Condensador de derivación

Se sabe que el resistor RS se necesita


para lograr una tensión negativa en la
compuerta (gate) del FET, pero causa
una disminución en la ganancia del
amplificador.
La tensión negativa necesaria en VG,
es en corriente continua y esta tensión
es la que causa la disminución en la
ganancia (debido a su paso por Rs).
Pero la señal a amplificar no es
continua sino alterna. Entonces hay
que evitar la influencia del resistor
cuando aparecen señales alternas.
Para resolver este problema se pone en paralelo con el resistor Rs un capacitor de un
valor que, para las frecuencias a amplificar, se comporte como un corto circuito
(idealmente). De esta manera se elimina la tensión de realimentación causada por la
señal alterna.

El capacitor no afecta las condiciones de polarización en CC, porque la corriente de


surtidor (IS = ID) carga el
condensador Cs a la tensión de
polarización
Entonces: VRS (en corriente
alterna) = 0   y  Vin = VGS.

Ganancia de tensión

La ganancia de tensión se obtiene con la fórmula: AV = - Vout / Vin

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Donde:
AV = Ganancia de tensión
Vout = Tensión de salida
Vin = Tensión de entrada

El signo negativo significa que la salida sale invertida con respecto a la entrada. Otra
forma de obtener la ganancia es con la siguiente fórmula: AV = - gm x RL. En esta
fórmula aparece el valor de la transconductancia (gm). gm = ID / VGS. Este cociente
está definido como la razón de un pequeño cambio en la corriente de drenaje entre un
pequeño cambio en la tensión compuerta - surtidor, cuando VDS es constante. La
transconductancia da información acerca de la capacidad del FET de suministrar
cambios de corriente de drenage (ID) cuando se cambia la tensión de compuerta surtidor
(VGS)

Amplificador seguidor de cátodo

El transistor FET (Transistor de efecto de campo) se puede utilizar como elemento


activo de muchos amplificadores. Una de las configuraciones es:

El Amplificador seguidor de cátodo al que se le conoce también con el nombre de


circuito drenador común o ánodo común

Este tipo de amplificador tiene una baja impedancia de salida, por lo que es utilizado
principalmente como adaptador de impedancias.

La salida se obtiene del resistor RS y la ganancia es aproximadamente igual a 1.

Esta ganancia no es 1 debido a que existe una pequeña diferencia de tensión entre la
entrada (patilla compuerta G) y la salida (patilla fuente S): VGS.

La ganancia de este amplificador se obtiene con la ayuda de la fórmula:


AV = gm x Rs  /  [ 1 + (gm x Rs) ]

De la fórmula se deduce que la señal de salida está en fase con la señal de entrada
pues no existe el signo menos que indica inversión de fase

La impedancia de salida se obtiene con la siguiente fórmula:


Ro  = Rs / [ 1 + (gm x Rs) ]

Configuración de compuerta común.

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La última configuración para JFET que será analizada a detalle es la configuración de


compuerta común de la figura 9.30, la cual es análoga a la configuración de base común
utilizada para los transistores BJT.
Al sustituir el circuito equivalente del JFET se tendrá por resultado la figura 9.31.
Observe el requerimiento persistente de que la fuente controlada gmVgs se encuentre
conectada del drenaje a la fuente con ra en paralelo. El aislamiento entre los circuitos de
entrada y de salida obviamente se ha perdido ya que la terminal de la compuerta ahora
se encuentra conectada a la tierra común de la red. Además, el resistor que está
conectado entre las terminales de entrada ya no corresponde a R sino al resistor R
conectado de la fuente a tierra. Observe también la posición del voltaje de control Vgs y
el hecho de que éste aparece directamente a través del resistor R

MATERIALES Y EQUIPOS:

 Transistor FET.
 Resistencias.
 Condensadores.
 Osciloscopio.
 Generador de funciones.
 Multímetro.

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DESARROLLO:

AMPLIFICADOR A DRAIN COMÚN

V DD =5V
R L=3 .3 K
I DSS =1.5 mA
RS =3.3 K
V p =−1.5 V
V DS=2.5V
1
R EQ =1M Ω =15 K
yos
V S =1 .5V fc=1KHz
VC C
5V

R 1 R D
C D

R I C i

C o

es
R 2 R S R L

0 0 0 0

Circuito equivalente

RI
Ci S
G

es
Req gm*Vgs RS RL
1/yos

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Cálculos

Polarización 1. 5V
I D= =450 uA
3. 3 k Ω

[√ ]
V GS = 1−
ID
I DSS
⋅( V P )

[ √
V GS = 1−
0 . 45 mA
1 .5 mA ]
⋅(−1. 5 V )
V GS =−. 0678V
V G=−. 678 V +1. 5 V
V G=0 . 822 V
V 0 . 822V
α= G =
V DD 5 V
α=0 .164
R 1M Ω
R1 = EQ =
α 0 .164
R1 =6 .087 M Ω
R ⋅α 0 .164⋅6 . 087 M Ω
R2 = 1 =
1−α 1−0 . 164
R2 =1. 19 M Ω
ΔV 1V
R D= RD =
ID 0 . 45 mA
R D=2 .22 K Ω

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Ganancias
2⋅I DSS I D
gm=
VP √I DSS
2⋅1. 5 mA 0 . 4 mA
gm=
1. 5 V
gm=1. 065 m

1. 5 mA

gm⋅R PS 1 .65 K Ω⋅1 .065 m


AV = =
1+gm⋅R PS 1+1. 65 K Ω⋅1 .065 m
AV =0 . 64
1MΩ
AI =0. 64
3.3K Ω
AI =193 . 39

Condensadores
1
Ci =
2 π⋅1 kHz⋅(1 M Ω+50Ω)
Ci =159 pF
1
C S=
2 π⋅1kHz⋅(2 . 7 k Ω+3 .3 K Ω)
C S =27 nF
1
C D=
2 π⋅1 kHz⋅2. 22 k Ω
C D=72 nF
Máxima dinámica

V DSmax=R PS⋅I D=0 .742V


1. 485V
es= =2 .32V
0. 64
V DSmax=5V
5V
I D max= =0 .909 mA
5.5 K Ω

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VD D

5Vdc

R D
R 1 2 .2 K C D
6000K
72nF

R I C i

50
160pF C o

R 2 27nF
es 1200K R S R L
1 .1 6 V a c 3 .3 K
3 .3 K

0 0 0 0

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Datos medidos.

Polarizació
n
VGS -0.57V
VDS 2.67V
ID 412uA

f (kHz) 0,1 0,2 0,5 1 2 5 10 20 50 100


T (ms) 10 5 2 1 0,5 0,2 0,100 0,05 0,02 0,01
Vipp (V) 2,4 2,37 2,37 2,37 2,37 2,37 2,37 2,36 2,3 2,3
Vspp
(V) 0,03 0,056 0,23 0,235 0,92 1,25 1,32 1,34 1,35 1,35
T (us)   2100 680 250 82 14 3,8 0,25 -0,1 -0,2
α 0,013 0,024 0,097 0,099 0,388 0,527 0,557 0,568 0,587 0,587
- - - - -
α (dB) 38,062 32,531 20,260 20,074 8,219 -5,557 -5,083 -4,916 -4,628 -4,628
θ   151,2 122,4 90 59,04 25,2 13,68 1,8 -1,8 -7,2

Diagramas de bode obtenidos

Ganancia de tensión

0 ,7
0,587
0 ,6 0,557 0,568
0,527
0 ,5
0,587

0 ,4 0,388 f c m e d id a =10 k H z
α

0 ,3

0 ,2
0,097 f c c a lc u la d a = 1k H z
0 ,1 0,099
0,013
0
0,024
0,1 1 10 100
f (KHz)

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Ganancia de tensión en decibeles


0
0,1 1 10-5,08 -4,63
100
-5
-5,56 -4,63
-10 -8,22 -4,92

-15
-20,26
α (dB)

-20 -20,07

-25

-30
-32,53
-35
-38,06
-40
f (KHz)

Defase

160
151,2
140
122,4
120
100 90
80
θ

60 59,04

40 25,2
20
13,68
0 -1,8
-7,2
-20 0,1 1 10 100

f (KHz)

Diagramas de bode calculados

f (kHz) 0,05 0,1 0,2 0,5 1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000


T (ms) 20 10 5 2 1 0,5 0,2 0,1 0,05 0,02 0,01 0,005 0,002 0,001
α 0,032 0,064 0,126 0,286 0,453 0,572 0,628 0,637 0,639 0,640 0,640 0,640 0,640 0,640
- - - - - - -
α (dB) -29,908 -23,920 -18,026 -10,866 -6,887 -4,846 -4,047 3,920 3,887 3,878 3,877 3,877 3,876 3,876
θ 152,084 147,113 137,340 110,715 78,540 46,365 19,740 9,967 4,996 2,000 1,000 0,500 0,200 0,100

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Ganancia de tensión

0,7
0,63 0,64 0,64
0,57 0,64
0,6
0,5
0,45
0,4
α

0,3 0,29
0,2 f c =1K H z
0,13
0,1
0,03 0,06
0
0,01 0,1 1 10 100 1000
f (KHz)

Ganancia de tensión en decibeles


0
-4,05 -3,88 -3,88
0,01 0,1 1 10 100 1000
-3,88
-5
-3,89
-10,87 -6,89 -3,92
-10

-15 -18,03
α (dB)

-20
-23,92 f c =1K H z
-25

-30 -29,91

-35
f (KHz)

Defase

160,000
152,1
140,000 137,3
147,1
120,000 110,7
100,000
80,000 78,5
θ

60,000 46,4
40,000
20,000 f c =1K Hz 19,7
5,0
0,000 2,0 0,2 0,1
1,0
0,01 0,1 1 10 100 1000
f (KHz)

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Rectas de carga y puntos de trabajo calculados

ID
IDss=1.5mA

VDmin=1.758V VDmax=3.242V

IDmax=0.909mA

Pdt (-0.67V, 450uA) Pdt (2.5V, 450uA)

VGS VDS=2.5V
VDS
VGSmax=-1.5V VGS=-0.67V VDSmax=5V
VDSpp =
1.484V

Rectas de carga y puntos de trabajo medidos

ID
IDss=1.5mA

VDmin=1.494V VDmax=3.391V

IDmax=0.9mA

Pdt (-0.57V, 412uA) Pdt (2.67V, 412uA)

VGS VDS=
VDS
VGSmax=-1.5V VGS=-0.57V VDSmax=5V
2.67V

VDSpp =
1.442V

Graficas obtenidas a la máxima amplificación

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AMPLIFICADOR A GATE COMÚN

V DD =15V
R L=10 K Ω
I DSS =1 .5 mA
R D=10 K Ω
V p =−1 .5 V
V DS=7 . 5 V
1
R EQ =1 M Ω =15 K
yos
V S =3 V fc=2 KHz
VC C
15V

R 1 R D
C o

C i R I

es
C G R 2 R S R L

0 0 0 0 0

Circuito equivalente

gm*Vgs
RI
Ci S D Co

es

RS 1/yos RD RL

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Cálculos

Polarización

15V −7 .5 V −3V
I D= =450uA
10 kΩ

[√ ]
V GS = 1−
ID
I DSS
⋅( V P )

[ √
V GS = 1−
0 . 45 mA
1 .5 mA ]
⋅(−1. 5 V )
V GS =−. 0678V
V G=−. 678 V +3 V
V G=2 .321V
V 2 .321 V
α= G =
V DD 15 V
α=0 .1547
R 1M Ω
R1= EQ =
α 0 .1547
R1=6 . 461 M Ω
Condensadores
R 1MΩ
R2= EQ =
1−α 1−0 .1547
R2=1. 183 M Ω Z i =R EQ ⊥ (1yos +R )
PD

ΔV 3V Z i =19. 6 K Ω
RS= RS =
ID 0 . 45 mA 1 R
RS=6. 66 K Ω Z O =R PD ⊥
( + EQ
yos Ri )
Ganancias Z i =6 K Ω
2⋅I DSS I D 1
gm=
VP √ I DSS
2⋅1. 5 mA 0 . 45 mA
Ci =
2 π⋅2 kHz⋅(19 . 6 K Ω+50Ω)
Ci =4 .049 nF
gm=
1. 5 V
gm=1. 095 m
1. 5 mA√ C S=
1
2 π⋅2 kHz⋅(6 k Ω+10 K Ω)
C S =4 .973 nF
AV =gm⋅R PD =1 . 905 m⋅5 K Ω
1
AV =5 . 475 C D=
2 π⋅2 kHz⋅1 M Ω
AI =−1 C D=79 . 57 pF
Máxima dinámica

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Amplificadores con transistor FET

V DSmax =R PD⋅I D =2. 25 V


4 .05V
es= =0 . 821V
5 .475
V DSmax =15 V
15V
I D max = =0 .9 mA
6 .66 K Ω
VD D

0
15Vdc
R D
R 1 10k
6400k
C D

5nF
C i R I
R L

R 2 4nF 50 10k
C G 1200k R S es
80pF 6 .6 K 0 .4 1 V a c

0 0 0 0 0

Datos medidos.

Polarizació
n
VGS -0.57V
VDS 7.55V
ID 432uA

f (kHz) 0,113 0,2 0,5 1 2 5 10 20 50 100


T (ms) 8,850 5 2 1 0,5 0,2 0,100 0,05 0,02 0,01
Vipp (V) 0,82 0,82 0,82 0,815 0,815 0,81 0,8 0,78 0,77 0,76
Vspp
(V) 0,008 0,03 0,094 0,25 0,62 1,52 2,4 2,95 3,3 3,3
t(us) 4400 2500 850 360 150 42,5 14 4 0,4 0,2
α 0,010 0,037 0,115 0,307 0,761 1,877 3,000 3,782 4,286 4,342
- - - - 11,55 12,64 12,75
α (dB) -40,214 28,734 18,814 10,264 2,375 5,467 9,542 5 0 4
178,99
θ 2 180 153 129,6 108 76,5 50,4 28,8 7,2 7,2

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Diagramas de bode obtenidos

Ganancia de tensión
5

4 ,5 4,286
4 3,782 4,342
3 ,5
3,000
3

2 ,5
α

2
1,877
fc medida =10 kHz
1,5

1
0,307 0,761
0 ,5 0,037 0,115 fc calculada =2 kHz
0,010
0

0,1 1 10 100
f (KHz)

Ganancia de tensión en decibeles


20
12,75
9,54
10 12,64
5,47 11,55
0
0,1 1 -2,38 10 100
-10 -10,26
α (dB)

-18,81
-20

-30 -28,73

-40 -40,21

-50
f (KHz)

Defase

200
180 180
160 178,992 153
140 129,6
120
108
100
θ

76,5
80
fc calculada =2 kHz
60
50,4
40
fc medida =10 kHz 28,8
20 7,2
7,2
0
0,1 1 10 100
f (KHz)

Cuenca
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Diagramas de bode calculados

f
(kHz) 0,05 0,1 0,2 0,5 1 2 5 10 20 50 100 200 500
T
(ms) 20 10 5 2 1 0,5 0,2 0,1 0,05 0,02 0,01 0,005 0,002
α 0,193 0,386 0,767 1,825 3,161 4,470 5,268 5,421 5,461 5,473 5,474 5,475 5,475
α - 13,00 14,43 14,68 14,74 14,76 14,76 14,76 14,76
(dB) 14,269 -8,264 -2,308 5,225 9,996 7 3 2 6 4 7 7 8
152,08 147,11 137,34 110,71 78,54 46,36 19,74
θ 4 3 0 5 0 5 0 9,967 4,996 2,000 1,000 0,500 0,200

Ganancia de tensión

6
5,27 5,42 5,47
5 5,46 5,47 5,47 5,47
4,47
4

3 3,16
α

2 1,83
1 0,77
0,19 0,39
0
0,01 0,1 1 10 100 1000
f (KHz)

Ganancia de tensión en decibeles


20
14,43 14,76 14,77
15 14,77
14,75
10 14,68
5,23 10,00
5
α (dB)

0 -2,31
0,01 0,1 1 10 100 1000
-5
-8,26
-10

-15 -14,27

-20
f (KHz)

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Amplificadores con transistor FET

Defase

160,000
152,1
140,000 137,3
147,1
120,000 110,7
100,000
80,000 78,5
θ

60,000 46,4
40,000
20,000 19,7
5,0
0,000 2,0 0,2
1,0
0,01 0,1 1 10 100 1000
f (KHz)

Rectas de carga y puntos de trabajo calculados

ID
IDss=1.5mA

VDmin=5.25V
VDmax=9.75V

IDmax=0.9mA

Pdt (-0.678V, 450uA)


Pdt (7.5V, 450uA)

VGS VGSmax=-1.5V VGS=-0.678V VDS=7.5V VDSmax=15V


VDS
VDSpp =
4.5V

Rectas de carga y puntos de trabajo medidos

ID
IDss=1.5mA

VDmin=5.39V
VDmax=9.71V

IDmax=0.903mA

Pdt (-0.57V, 432uA)


Pdt (7.55V, 432uA)

VGS VGSmax=-1.5V VGS=-0.57V VDS=7.55V VDSmax=15V


VDS
VDSpp =
4.32V

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Amplificadores con transistor FET

Graficas obtenidas a la máxima amplificación

AMPLIFICADOR A SOURSE COMÚN

V DD =15V
R L=10 K Ω
I DSS =1.5 mA
R D=10 K Ω
V p =−1.5 V
V DS=7.5V
1
R EQ =1M Ω =50 K
yos
V S =2 V fc=2 KHz
VC C
15V

R 1 R D
C o

R I C i

es
R 2 R S C S R L

0 0 0 0 0

Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 21
Amplificadores con transistor FET

Circuito equivalente

RI
Ci G D Co

es gm*Vgs

RS RD RL
1/yos

Cálculos

Polarización 2⋅I DSS I D

I D=
15V −7 .5 V −2V
10 kΩ
=550 uA
gm=
VP √
I DSS
2⋅1. 5 mA 0 .55 mA
gm=
1. 5 V √
1. 5 mA
[√ ]
V GS = 1−
ID
I DSS
⋅( V P ) gm=1. 21 m
1
(
AV =gm⋅ R PD ⊥ )
=1. 21 m⋅(5 K Ω⊥ 50 K )
[ √
V GS = 1−
0 . 55 mA
1 .5 mA ]
⋅(−1 .5 V )
AV =5 .5
yos

V GS =−0 .591 V R 1M Ω
AI = AV EQ =5. 5
V G=−0. 591V +2V RL 10 K Ω
V G=1 . 4 V AI =550
V 1.4V
α= G =
V DD 15 V
α=0 . 0933
R 1M Ω
R1 = EQ =
α 0 .0933
R1 =10. 71 M Ω
R 1MΩ
R2 = EQ =
1−α 1−0 . 0933
R2 =907 K Ω
ΔV 2V
RS = RS =
ID 0 .55 mA
RS =3. 636 K Ω

Ganancias Condensadores

Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 22
Amplificadores con transistor FET

1
Ci =
2 π⋅2 kHz⋅(1 M Ω+50Ω)
Ci =79 .5 pF
1
C S=
2 π⋅2 kHz⋅(8. 33 k Ω+10 K Ω)
C S =4 .34 nF
1
C D=
2 π⋅2 kHz⋅3 .63 K Ω
C D=22nF

Máxima dinámica

V DSmax =R PD⋅I D =2. 75 V


5 .5 V
es= =1V
5 .5
V DSmax =15V
15V
I D max = =1 .12 mA
13.363 K Ω
VD D

0
15Vdc
R D
R 1 10k
10800k
C D

R I C i
5nF
50
80pF
R L

R 2 10k
es 907k R S
1 .1 6 V a c 3 .3 K C o
22nF

0 0 0 0 0

Datos medidos.

Polarizació
n
VGS -
0.552V
VDS 8.33V
ID 483uA

f (kHz) 0,125 0,2 0,5 1 2 5 7,5 10 20 50 75 100 200

Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 23
Amplificadores con transistor FET

T (ms) 8 5 2 1 0,5 0,2 0,133 0,1 0,05 0,02 0,013 0,01 0,005
Vipp (V) 1 1 1 0,99 0,99 0,98 0,98 0,98 0,98 0,96 0,96 0,95 0,94
Vspp (V) 0,01 0,015 0,04 0,112 0,31 1,02 1,568 2 3,1 4 4,1 4,1 4,1
t(us)     -100 -70 -60 -45 -36 -30 -19 -8,5 -6,2 -5,3 -3
α 0,010 0,015 0,040 0,113 0,313 1,041 1,600 2,041 3,163 4,167 4,271 4,316 4,362
- - - - -
α (dB) 40,000 36,478 27,959 18,928 10,085 0,347 4,082 6,196 10,003 12,396 12,610 12,701 12,793
θ     -18 -25,2 -43,2 -81 -97,2 -108 -136,8 -153 -167,4 -190,8 -216

Diagramas de bode obtenidos

Ganancia de tensión

4 ,5
4,316 4,362
4,271
4 4,167
3 ,5

3
3,163
2 ,5
α

2 2,041
1,600 fc medida =20kHz
1,5

1 1,041
0,313
0 ,5 0,040 0,113
0
fc calculada =2kHz
0,1 1 10 100 1000
f (KHz)

Ganancia de tensión en decibeles


20
12,79
10
10,00 12,70
0 0,35
0,1 1 10 100 1000
-10 -10,09
α (dB)

-20 -18,93

-27,96
-30
-36,48
-40
-40,00
-50
f (KHz)

Cuenca
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Amplificadores con transistor FET

Defase

fc calculada = 2kHz
0
-18 -25,2
0,1 1 10 100 1000
-43,2
-50 fc medida =20kHz
-81

-100 -97,2
θ

-136,8
-150
-153
-167,4
-200
-216

-250
f (KHz)

Diagramas de bode calculados


f
(kHz) 0,05 0,1 0,2 0,5 1 2 5 10 20 50 100 200 500
T
(ms) 20 10 5 2 1 0,5 0,2 0,1 0,05 0,02 0,01 0,005 0,002
α 0,194 0,388 0,770 1,833 3,175 4,491 5,292 5,446 5,486 5,498 5,499 5,500 5,500
- - -
α (dB) 14,229 8,225 2,268 5,265 10,036 13,046 14,473 14,721 14,786 14,804 14,806 14,807 14,807
- - - - - - - - - - - -
θ -2,499 4,996 9,967 24,498 46,365 78,540 119,029 137,340 147,113 153,082 155,080 156,080 156,680

Ganancia de tensión

6 5,50
5,29 5,45
5 4,49

3 3,18
α

2 1,83

1 0,77
0,19 0,39
0
0,01 0,1 1 10 100 1000
f (KHz)

Cuenca
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Amplificadores con transistor FET

Ganancia de tensión en decibeles


0
-3,88 -3,88
0,01 0,1 1 -4,05 10 100 1000
-5 -3,89 -3,88
-10,87 -6,89 -3,92
-10

-15 -18,03
α (dB)

-20
-23,92
-25

-30 -29,91

-35
f (KHz)

Defase

0 -10,0
-2,5
-5,0 0,1 -24,5
-200,01 1 10 100 1000

-40 -46,4
-60
-78,5
-80
θ

-100
-120 -119,0
-140 -147,1
-160 -153,1 -156,7
-155,1
-180
f (KHz)

Rectas de carga y puntos de trabajo calculados

ID
IDss=1.5mA

VDmin=4.75V
IDmax=1.12mA VDmax=10.25V

Pdt (-0.591V, 550uA)


Pdt (7.5V, 550uA)

VGS VGSmax=-1.5V VGS=-0.678V VDS=7.5V VDSmax=15V


VDS
VDSpp =
5.5V

Cuenca
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Amplificadores con transistor FET

Rectas de carga y puntos de trabajo medidos

ID
IDss=1.5mA

IDmax=1.127mA
VDmin=5.915V VDmax=10.745V

Pdt (-0.552V, 483uA)


Pdt (8.33V, 483uA)

VGS VGSmax=-1.5V VGS=-0.552V VDS=8.33V VDSmax=15V


VDS
VDSpp =
4.83V

Graficas obtenidas a la máxima amplificación

Parámetros híbridos recalculados

0 . 483
gm=2⋅
1. 5
gm=1. 134 m

1 4.3
R PD ⊥ =
yos 1. 134
1
R PD ⊥ =3 .791 K Ω
yos

1
=15. 66 K Ω
yos

Cuenca
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Amplificadores con transistor FET

SIMULACIONES:

AMPLIFICADOR A DRAIN COMÚN


Polarización
0

VD D

5Vdc

6 9 4 .4 n A 5 2 7 .6 u A
R D
R 1 2 .2 K C D
6000K 3 .8 3 9 V
72nF

-1 .0 0 8 p A
R I C i 5 2 7 .6 u A

50
160pF 8 3 3 .3 m V C o

6 9 4 .4 n A 1 .7 4 1 V
R 2 27nF
es 1200K R S R L
1 .1 6 V a c 3 .3 K
3.3K

0 0 0 0

Diagramas de bode
10
Ganacia de Tension

0
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz
V(N01697)/ V(N03539)
Frequency
50
Ganacia de Tension en decibeles

-0

-50

-100

-150
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz
20*LOG10(V(N01697)/ V(N03539))
Frequency

Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 28
Amplificadores con transistor FET

-0d
DEFASE

-50d

-100d

-150d

-200d
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz
VP(Co:2)
Frequency

Tensiones a la máxima amplificación

1.5V
1.1596V
VI
873.751mV
1.0V
VS

0V

-1.0V

-1.5V
0s 5us 10us 15us 20us 25us 30us 35us 40us
V(Co:2) V(RI:2)
Time

Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 29
Amplificadores con transistor FET

AMPLIFICADOR A GATE COMÚN

Polarización
VD D

0
1 .9 7 4 u A
4 9 9 .3 u A 15Vdc
R 1 R D
6400K 10k
1 0 .0 1 V C o
N 01697
-1 .1 8 0 p A
5n
4 9 9 .3 u A

2 .3 6 8 V C i R I
R L
1 .9 7 4 u A 3 .2 9 5 V
50 10k
R 2 4n es
C G 1200K R S
6 .6 K 0 .4 1 V a c
80p

0 0 0 0 0

Diagramas de bode
10
GANANCIA DE TENSION

0
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz
V(N01697)/ V(N04689)
Frequency
200

100

GANANCIA DE TENSION EN DECIBELES

-100

-200
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz
20*LOG10(V(N01697)/ V(N04689))
Frequency

Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 30
Amplificadores con transistor FET

180d
DEFASE

135d

90d

45d

0d
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz
VP(Co:2)
Frequency

Tensiones a la máxima amplificación

4.0V

2.0965V
VS
2.0V

372.563mV
VI
0V

-2.0V

-4.0V
0s 5us 10us 15us 20us 25us 30us 35us 40us
V(RL:2) V(Ci:1)
Time

Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 31
Amplificadores con transistor FET

AMPLIFICADOR A SOURSE COMÚN

Polarización
VD D

0
1 .2 8 1 u A
6 1 4 .1 u A 15Vdc
R 1 R D
10800K 10k
C o
8 .8 5 9 V N 01697
-1 .1 7 7 p A
C i 5n
R I 6 1 4 .1 u A

50
80p 1 .1 6 2 V
R L
es 1 .2 8 1 u A 2 .0 2 7 V
1V ac R 2 10k
907k R S
3 .3 K C S
22n

0 0 0 0 0

Diagramas de bode
1.0

GANANCIA DE TENSION

0.5

0
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz
V(N02655)/ V(N06787)
Frequency
200

100

GANANCIA DE TENSION EN DECIBELES

-100

-200
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz
20*LOG10(V(N02655)/ V(N06787))
Frequency

Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 32
Amplificadores con transistor FET

180d

DEFASE

135d

90d

45d

0d
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz
VP(Co:2)
Frequency

Tensiones a la máxima amplificación


4.0V

2.4705V
VS

2.0V

349.999mV
VI
0V

-2.0V

-4.0V
0s 5us 10us 15us 20us 25us 30us 35us 40us 45us 50us
V(RL:2) V(RI:2)
Time

Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 33
Amplificadores con transistor FET

ANALISIS:

 Debemos tener mucha consideración en cuanto a los parámetros híbridos del


transistor, ya que si los valores que nos impusimos no son cercanos a los
valores reales de cada parámetro, va a existir variaciones en los valores
calculados con los medidos y también con las simulaciones.
 También se debería tratar de colocar los valores más cercanos a los valores
calculados de cada uno de los componentes para lograr con esto un circuito que
funcione de la mejor manera posible.
 Además se pudo notar que la frecuencia de corte calculada variaba mucho en
relación a la frecuencia de corte obtenida mediante la máxima amplificación.

CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES:

 Pudimos comprobar el funcionamiento de los diferentes tipos de amplificadores


con transistor FET, tanto del amplificador a drain común, gate común y source
común.
 Pudimos obtener los diagramas de bode de cada uno de los amplificadores
comprobando con esto la teoría estudiada.
 Una recomendación es tratar de tomar las mediciones en el osciloscopio lo más
exactas posibles para poder obtener los diagramas de bode lo más exactos
posibles.
 Además debemos tratar de colocar cada uno de los componentes de cada
amplificador lo más aproximado posibles a los valores calculados para obtener
un amplificados que funcione lo más exacto posible.

CONCLUSIONS AND RECOMENDATIONS:

 We could check the operation of the different types of amplifiers with transistor
FET, so much of the amplifier to common drain, common gate and common
source.
 We could obtain the bode diagrams of each one of the amplifiers checking with
this the studied theory.
 A recommendation is to try to take the mensurations in the oscilloscope the most
exact possible to be able to obtain the bode diagrams the most exact possible.
 We should also try to place each one of the components of each amplifier the
most approximate thing possible to the values calculated to obtain an amplified
that the most exact thing works possible.

BIBLIOGRAFIA:
http://www.victoryvictor.net/cascodo.htm
http://www.unicrom.com/amplificadores

Cuenca

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