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Nombre:
Vanessa Roche Intriago
Docente:
Ing. Rene Avila
Ciclo:
5to
Año:
2010
PRACTICA N°4
TEMA:
AMPLIFICADORES CON TRANSISTOR FET.
OBJETIVOS:
MARCO TEORICO:
La ganancia de corriente ∆i
Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 2
Amplificadores con transistor FET
Se puede ver que VG = Vin (C1 es un capacitor de paso que para las frecuencias a
amplificar se puede considerar como un corto circuito)
La corriente ID atraviesa el resistor RS, causando una caída de tensión. Entonces
sumando las tensiones en lazo compuerta-surtidor:
Vin = VGS - VRS ó VGS = Vin - VRS
Se puede ver que VGS no es igual a VG. La tensión VRS no tiene la misma fase que la
señal de entrada Vi y produce una realimentación negativa que disminuye la ganancia
del amplificador.
Condensador de derivación
Ganancia de tensión
Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 3
Amplificadores con transistor FET
Donde:
AV = Ganancia de tensión
Vout = Tensión de salida
Vin = Tensión de entrada
El signo negativo significa que la salida sale invertida con respecto a la entrada. Otra
forma de obtener la ganancia es con la siguiente fórmula: AV = - gm x RL. En esta
fórmula aparece el valor de la transconductancia (gm). gm = ID / VGS. Este cociente
está definido como la razón de un pequeño cambio en la corriente de drenaje entre un
pequeño cambio en la tensión compuerta - surtidor, cuando VDS es constante. La
transconductancia da información acerca de la capacidad del FET de suministrar
cambios de corriente de drenage (ID) cuando se cambia la tensión de compuerta surtidor
(VGS)
Este tipo de amplificador tiene una baja impedancia de salida, por lo que es utilizado
principalmente como adaptador de impedancias.
Esta ganancia no es 1 debido a que existe una pequeña diferencia de tensión entre la
entrada (patilla compuerta G) y la salida (patilla fuente S): VGS.
De la fórmula se deduce que la señal de salida está en fase con la señal de entrada
pues no existe el signo menos que indica inversión de fase
Cuenca
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Amplificadores con transistor FET
MATERIALES Y EQUIPOS:
Transistor FET.
Resistencias.
Condensadores.
Osciloscopio.
Generador de funciones.
Multímetro.
Cuenca
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Amplificadores con transistor FET
DESARROLLO:
V DD =5V
R L=3 .3 K
I DSS =1.5 mA
RS =3.3 K
V p =−1.5 V
V DS=2.5V
1
R EQ =1M Ω =15 K
yos
V S =1 .5V fc=1KHz
VC C
5V
R 1 R D
C D
R I C i
C o
es
R 2 R S R L
0 0 0 0
Circuito equivalente
RI
Ci S
G
es
Req gm*Vgs RS RL
1/yos
Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 6
Amplificadores con transistor FET
Cálculos
Polarización 1. 5V
I D= =450 uA
3. 3 k Ω
[√ ]
V GS = 1−
ID
I DSS
⋅( V P )
[ √
V GS = 1−
0 . 45 mA
1 .5 mA ]
⋅(−1. 5 V )
V GS =−. 0678V
V G=−. 678 V +1. 5 V
V G=0 . 822 V
V 0 . 822V
α= G =
V DD 5 V
α=0 .164
R 1M Ω
R1 = EQ =
α 0 .164
R1 =6 .087 M Ω
R ⋅α 0 .164⋅6 . 087 M Ω
R2 = 1 =
1−α 1−0 . 164
R2 =1. 19 M Ω
ΔV 1V
R D= RD =
ID 0 . 45 mA
R D=2 .22 K Ω
Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 7
Amplificadores con transistor FET
Ganancias
2⋅I DSS I D
gm=
VP √I DSS
2⋅1. 5 mA 0 . 4 mA
gm=
1. 5 V
gm=1. 065 m
√
1. 5 mA
Condensadores
1
Ci =
2 π⋅1 kHz⋅(1 M Ω+50Ω)
Ci =159 pF
1
C S=
2 π⋅1kHz⋅(2 . 7 k Ω+3 .3 K Ω)
C S =27 nF
1
C D=
2 π⋅1 kHz⋅2. 22 k Ω
C D=72 nF
Máxima dinámica
Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 8
Amplificadores con transistor FET
VD D
5Vdc
R D
R 1 2 .2 K C D
6000K
72nF
R I C i
50
160pF C o
R 2 27nF
es 1200K R S R L
1 .1 6 V a c 3 .3 K
3 .3 K
0 0 0 0
Cuenca
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Amplificadores con transistor FET
Datos medidos.
Polarizació
n
VGS -0.57V
VDS 2.67V
ID 412uA
Ganancia de tensión
0 ,7
0,587
0 ,6 0,557 0,568
0,527
0 ,5
0,587
0 ,4 0,388 f c m e d id a =10 k H z
α
0 ,3
0 ,2
0,097 f c c a lc u la d a = 1k H z
0 ,1 0,099
0,013
0
0,024
0,1 1 10 100
f (KHz)
Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 10
Amplificadores con transistor FET
-15
-20,26
α (dB)
-20 -20,07
-25
-30
-32,53
-35
-38,06
-40
f (KHz)
Defase
160
151,2
140
122,4
120
100 90
80
θ
60 59,04
40 25,2
20
13,68
0 -1,8
-7,2
-20 0,1 1 10 100
f (KHz)
Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 11
Amplificadores con transistor FET
Ganancia de tensión
0,7
0,63 0,64 0,64
0,57 0,64
0,6
0,5
0,45
0,4
α
0,3 0,29
0,2 f c =1K H z
0,13
0,1
0,03 0,06
0
0,01 0,1 1 10 100 1000
f (KHz)
-15 -18,03
α (dB)
-20
-23,92 f c =1K H z
-25
-30 -29,91
-35
f (KHz)
Defase
160,000
152,1
140,000 137,3
147,1
120,000 110,7
100,000
80,000 78,5
θ
60,000 46,4
40,000
20,000 f c =1K Hz 19,7
5,0
0,000 2,0 0,2 0,1
1,0
0,01 0,1 1 10 100 1000
f (KHz)
Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 12
Amplificadores con transistor FET
ID
IDss=1.5mA
VDmin=1.758V VDmax=3.242V
IDmax=0.909mA
VGS VDS=2.5V
VDS
VGSmax=-1.5V VGS=-0.67V VDSmax=5V
VDSpp =
1.484V
ID
IDss=1.5mA
VDmin=1.494V VDmax=3.391V
IDmax=0.9mA
VGS VDS=
VDS
VGSmax=-1.5V VGS=-0.57V VDSmax=5V
2.67V
VDSpp =
1.442V
Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 13
Amplificadores con transistor FET
V DD =15V
R L=10 K Ω
I DSS =1 .5 mA
R D=10 K Ω
V p =−1 .5 V
V DS=7 . 5 V
1
R EQ =1 M Ω =15 K
yos
V S =3 V fc=2 KHz
VC C
15V
R 1 R D
C o
C i R I
es
C G R 2 R S R L
0 0 0 0 0
Circuito equivalente
gm*Vgs
RI
Ci S D Co
es
RS 1/yos RD RL
Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 14
Amplificadores con transistor FET
Cálculos
Polarización
15V −7 .5 V −3V
I D= =450uA
10 kΩ
[√ ]
V GS = 1−
ID
I DSS
⋅( V P )
[ √
V GS = 1−
0 . 45 mA
1 .5 mA ]
⋅(−1. 5 V )
V GS =−. 0678V
V G=−. 678 V +3 V
V G=2 .321V
V 2 .321 V
α= G =
V DD 15 V
α=0 .1547
R 1M Ω
R1= EQ =
α 0 .1547
R1=6 . 461 M Ω
Condensadores
R 1MΩ
R2= EQ =
1−α 1−0 .1547
R2=1. 183 M Ω Z i =R EQ ⊥ (1yos +R )
PD
ΔV 3V Z i =19. 6 K Ω
RS= RS =
ID 0 . 45 mA 1 R
RS=6. 66 K Ω Z O =R PD ⊥
( + EQ
yos Ri )
Ganancias Z i =6 K Ω
2⋅I DSS I D 1
gm=
VP √ I DSS
2⋅1. 5 mA 0 . 45 mA
Ci =
2 π⋅2 kHz⋅(19 . 6 K Ω+50Ω)
Ci =4 .049 nF
gm=
1. 5 V
gm=1. 095 m
1. 5 mA√ C S=
1
2 π⋅2 kHz⋅(6 k Ω+10 K Ω)
C S =4 .973 nF
AV =gm⋅R PD =1 . 905 m⋅5 K Ω
1
AV =5 . 475 C D=
2 π⋅2 kHz⋅1 M Ω
AI =−1 C D=79 . 57 pF
Máxima dinámica
Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 15
Amplificadores con transistor FET
0
15Vdc
R D
R 1 10k
6400k
C D
5nF
C i R I
R L
R 2 4nF 50 10k
C G 1200k R S es
80pF 6 .6 K 0 .4 1 V a c
0 0 0 0 0
Datos medidos.
Polarizació
n
VGS -0.57V
VDS 7.55V
ID 432uA
Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 16
Amplificadores con transistor FET
Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 17
Amplificadores con transistor FET
Ganancia de tensión
5
4 ,5 4,286
4 3,782 4,342
3 ,5
3,000
3
2 ,5
α
2
1,877
fc medida =10 kHz
1,5
1
0,307 0,761
0 ,5 0,037 0,115 fc calculada =2 kHz
0,010
0
0,1 1 10 100
f (KHz)
-18,81
-20
-30 -28,73
-40 -40,21
-50
f (KHz)
Defase
200
180 180
160 178,992 153
140 129,6
120
108
100
θ
76,5
80
fc calculada =2 kHz
60
50,4
40
fc medida =10 kHz 28,8
20 7,2
7,2
0
0,1 1 10 100
f (KHz)
Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 18
Amplificadores con transistor FET
f
(kHz) 0,05 0,1 0,2 0,5 1 2 5 10 20 50 100 200 500
T
(ms) 20 10 5 2 1 0,5 0,2 0,1 0,05 0,02 0,01 0,005 0,002
α 0,193 0,386 0,767 1,825 3,161 4,470 5,268 5,421 5,461 5,473 5,474 5,475 5,475
α - 13,00 14,43 14,68 14,74 14,76 14,76 14,76 14,76
(dB) 14,269 -8,264 -2,308 5,225 9,996 7 3 2 6 4 7 7 8
152,08 147,11 137,34 110,71 78,54 46,36 19,74
θ 4 3 0 5 0 5 0 9,967 4,996 2,000 1,000 0,500 0,200
Ganancia de tensión
6
5,27 5,42 5,47
5 5,46 5,47 5,47 5,47
4,47
4
3 3,16
α
2 1,83
1 0,77
0,19 0,39
0
0,01 0,1 1 10 100 1000
f (KHz)
0 -2,31
0,01 0,1 1 10 100 1000
-5
-8,26
-10
-15 -14,27
-20
f (KHz)
Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 19
Amplificadores con transistor FET
Defase
160,000
152,1
140,000 137,3
147,1
120,000 110,7
100,000
80,000 78,5
θ
60,000 46,4
40,000
20,000 19,7
5,0
0,000 2,0 0,2
1,0
0,01 0,1 1 10 100 1000
f (KHz)
ID
IDss=1.5mA
VDmin=5.25V
VDmax=9.75V
IDmax=0.9mA
ID
IDss=1.5mA
VDmin=5.39V
VDmax=9.71V
IDmax=0.903mA
Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 20
Amplificadores con transistor FET
V DD =15V
R L=10 K Ω
I DSS =1.5 mA
R D=10 K Ω
V p =−1.5 V
V DS=7.5V
1
R EQ =1M Ω =50 K
yos
V S =2 V fc=2 KHz
VC C
15V
R 1 R D
C o
R I C i
es
R 2 R S C S R L
0 0 0 0 0
Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 21
Amplificadores con transistor FET
Circuito equivalente
RI
Ci G D Co
es gm*Vgs
RS RD RL
1/yos
Cálculos
I D=
15V −7 .5 V −2V
10 kΩ
=550 uA
gm=
VP √
I DSS
2⋅1. 5 mA 0 .55 mA
gm=
1. 5 V √
1. 5 mA
[√ ]
V GS = 1−
ID
I DSS
⋅( V P ) gm=1. 21 m
1
(
AV =gm⋅ R PD ⊥ )
=1. 21 m⋅(5 K Ω⊥ 50 K )
[ √
V GS = 1−
0 . 55 mA
1 .5 mA ]
⋅(−1 .5 V )
AV =5 .5
yos
V GS =−0 .591 V R 1M Ω
AI = AV EQ =5. 5
V G=−0. 591V +2V RL 10 K Ω
V G=1 . 4 V AI =550
V 1.4V
α= G =
V DD 15 V
α=0 . 0933
R 1M Ω
R1 = EQ =
α 0 .0933
R1 =10. 71 M Ω
R 1MΩ
R2 = EQ =
1−α 1−0 . 0933
R2 =907 K Ω
ΔV 2V
RS = RS =
ID 0 .55 mA
RS =3. 636 K Ω
Ganancias Condensadores
Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 22
Amplificadores con transistor FET
1
Ci =
2 π⋅2 kHz⋅(1 M Ω+50Ω)
Ci =79 .5 pF
1
C S=
2 π⋅2 kHz⋅(8. 33 k Ω+10 K Ω)
C S =4 .34 nF
1
C D=
2 π⋅2 kHz⋅3 .63 K Ω
C D=22nF
Máxima dinámica
0
15Vdc
R D
R 1 10k
10800k
C D
R I C i
5nF
50
80pF
R L
R 2 10k
es 907k R S
1 .1 6 V a c 3 .3 K C o
22nF
0 0 0 0 0
Datos medidos.
Polarizació
n
VGS -
0.552V
VDS 8.33V
ID 483uA
Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 23
Amplificadores con transistor FET
T (ms) 8 5 2 1 0,5 0,2 0,133 0,1 0,05 0,02 0,013 0,01 0,005
Vipp (V) 1 1 1 0,99 0,99 0,98 0,98 0,98 0,98 0,96 0,96 0,95 0,94
Vspp (V) 0,01 0,015 0,04 0,112 0,31 1,02 1,568 2 3,1 4 4,1 4,1 4,1
t(us) -100 -70 -60 -45 -36 -30 -19 -8,5 -6,2 -5,3 -3
α 0,010 0,015 0,040 0,113 0,313 1,041 1,600 2,041 3,163 4,167 4,271 4,316 4,362
- - - - -
α (dB) 40,000 36,478 27,959 18,928 10,085 0,347 4,082 6,196 10,003 12,396 12,610 12,701 12,793
θ -18 -25,2 -43,2 -81 -97,2 -108 -136,8 -153 -167,4 -190,8 -216
Ganancia de tensión
4 ,5
4,316 4,362
4,271
4 4,167
3 ,5
3
3,163
2 ,5
α
2 2,041
1,600 fc medida =20kHz
1,5
1 1,041
0,313
0 ,5 0,040 0,113
0
fc calculada =2kHz
0,1 1 10 100 1000
f (KHz)
-20 -18,93
-27,96
-30
-36,48
-40
-40,00
-50
f (KHz)
Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 24
Amplificadores con transistor FET
Defase
fc calculada = 2kHz
0
-18 -25,2
0,1 1 10 100 1000
-43,2
-50 fc medida =20kHz
-81
-100 -97,2
θ
-136,8
-150
-153
-167,4
-200
-216
-250
f (KHz)
Ganancia de tensión
6 5,50
5,29 5,45
5 4,49
3 3,18
α
2 1,83
1 0,77
0,19 0,39
0
0,01 0,1 1 10 100 1000
f (KHz)
Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 25
Amplificadores con transistor FET
-15 -18,03
α (dB)
-20
-23,92
-25
-30 -29,91
-35
f (KHz)
Defase
0 -10,0
-2,5
-5,0 0,1 -24,5
-200,01 1 10 100 1000
-40 -46,4
-60
-78,5
-80
θ
-100
-120 -119,0
-140 -147,1
-160 -153,1 -156,7
-155,1
-180
f (KHz)
ID
IDss=1.5mA
VDmin=4.75V
IDmax=1.12mA VDmax=10.25V
Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 26
Amplificadores con transistor FET
ID
IDss=1.5mA
IDmax=1.127mA
VDmin=5.915V VDmax=10.745V
0 . 483
gm=2⋅
1. 5
gm=1. 134 m
√
1 4.3
R PD ⊥ =
yos 1. 134
1
R PD ⊥ =3 .791 K Ω
yos
1
=15. 66 K Ω
yos
Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 27
Amplificadores con transistor FET
SIMULACIONES:
VD D
5Vdc
6 9 4 .4 n A 5 2 7 .6 u A
R D
R 1 2 .2 K C D
6000K 3 .8 3 9 V
72nF
-1 .0 0 8 p A
R I C i 5 2 7 .6 u A
50
160pF 8 3 3 .3 m V C o
6 9 4 .4 n A 1 .7 4 1 V
R 2 27nF
es 1200K R S R L
1 .1 6 V a c 3 .3 K
3.3K
0 0 0 0
Diagramas de bode
10
Ganacia de Tension
0
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz
V(N01697)/ V(N03539)
Frequency
50
Ganacia de Tension en decibeles
-0
-50
-100
-150
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz
20*LOG10(V(N01697)/ V(N03539))
Frequency
Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 28
Amplificadores con transistor FET
-0d
DEFASE
-50d
-100d
-150d
-200d
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz
VP(Co:2)
Frequency
1.5V
1.1596V
VI
873.751mV
1.0V
VS
0V
-1.0V
-1.5V
0s 5us 10us 15us 20us 25us 30us 35us 40us
V(Co:2) V(RI:2)
Time
Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 29
Amplificadores con transistor FET
Polarización
VD D
0
1 .9 7 4 u A
4 9 9 .3 u A 15Vdc
R 1 R D
6400K 10k
1 0 .0 1 V C o
N 01697
-1 .1 8 0 p A
5n
4 9 9 .3 u A
2 .3 6 8 V C i R I
R L
1 .9 7 4 u A 3 .2 9 5 V
50 10k
R 2 4n es
C G 1200K R S
6 .6 K 0 .4 1 V a c
80p
0 0 0 0 0
Diagramas de bode
10
GANANCIA DE TENSION
0
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz
V(N01697)/ V(N04689)
Frequency
200
100
-100
-200
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz
20*LOG10(V(N01697)/ V(N04689))
Frequency
Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 30
Amplificadores con transistor FET
180d
DEFASE
135d
90d
45d
0d
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz
VP(Co:2)
Frequency
4.0V
2.0965V
VS
2.0V
372.563mV
VI
0V
-2.0V
-4.0V
0s 5us 10us 15us 20us 25us 30us 35us 40us
V(RL:2) V(Ci:1)
Time
Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 31
Amplificadores con transistor FET
Polarización
VD D
0
1 .2 8 1 u A
6 1 4 .1 u A 15Vdc
R 1 R D
10800K 10k
C o
8 .8 5 9 V N 01697
-1 .1 7 7 p A
C i 5n
R I 6 1 4 .1 u A
50
80p 1 .1 6 2 V
R L
es 1 .2 8 1 u A 2 .0 2 7 V
1V ac R 2 10k
907k R S
3 .3 K C S
22n
0 0 0 0 0
Diagramas de bode
1.0
GANANCIA DE TENSION
0.5
0
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz
V(N02655)/ V(N06787)
Frequency
200
100
-100
-200
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz
20*LOG10(V(N02655)/ V(N06787))
Frequency
Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 32
Amplificadores con transistor FET
180d
DEFASE
135d
90d
45d
0d
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz
VP(Co:2)
Frequency
2.4705V
VS
2.0V
349.999mV
VI
0V
-2.0V
-4.0V
0s 5us 10us 15us 20us 25us 30us 35us 40us 45us 50us
V(RL:2) V(RI:2)
Time
Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana 33
Amplificadores con transistor FET
ANALISIS:
CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES:
We could check the operation of the different types of amplifiers with transistor
FET, so much of the amplifier to common drain, common gate and common
source.
We could obtain the bode diagrams of each one of the amplifiers checking with
this the studied theory.
A recommendation is to try to take the mensurations in the oscilloscope the most
exact possible to be able to obtain the bode diagrams the most exact possible.
We should also try to place each one of the components of each amplifier the
most approximate thing possible to the values calculated to obtain an amplified
that the most exact thing works possible.
BIBLIOGRAFIA:
http://www.victoryvictor.net/cascodo.htm
http://www.unicrom.com/amplificadores
Cuenca