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ec.(2) I D = I S (e n⋅VT
− 1) evaluando da ID=0.49µA lo cual NO coincide 1 , por lo que no es solución.
⎛I ⎞
Pero si reemplazamos el valor anterior (2.3mA) en ec. (2.1) VD n ⋅ VT ln ⎜ D + 1⎟ =0.799V
⎝ IS ⎠
Con este nuevo valor de VD, en ec. (1) ID=2.201mA y en ec. (2) ID=2.219mA y de ec. (2.1)
VD=0.7987V, se observa que se converge rápidamente a la solución.
En efecto, dado que la ecuación lineal da ID=2.201mA (VD=0.799V) y la no-lineal da
ID=2.219mA (VD=0.7987V), es decir, ΔI D = 2.201−2.219=-0.018mA (≈-0.82%) y también
ΔVD = 0.799−0.798=0.001(0.125%) por lo que, cualquiera de estos pares (VD, ID) es la solución.
{También se podría haber resuelto con las ecuaciones aproximadas, comprobando los supuestos, en
VD VD
n⋅VT n⋅VT ⎛I ⎞
efecto, como se supuso VD>>n·VT entonces e >> 1 luego I D I S e Æ VD VT ln ⎜ D ⎟ }
⎝ IS ⎠
Se puede apreciar que el valor de corriente obtenido con el modelo del voltaje umbral constante (b)
es aproximado, sin embargo, se obtuvo con menos esfuerzo de computo.
1
Nótese que esto puede ser comprendido mejor usando el análisis gráfico, es decir, usando el concepto de recta de
carga (como se ha desarrollado en clases)
- Electrónica I - 1
Usando SPICE se muestra la ecuación del diodo (según ecuación de Schokley), y las rectas de carga
del circuito para E=3V y E=1V.
4.0m
ID
(798.25m,2.19m)
(741.86m,254.20u)
V_Vs
0
0V 1.0V 2.0V 3.0V 4.0V
1e-16*( EXP(v_vs/0.026)-1) (3- V_Vs)/1000 (1- V_Vs)/1000
Desarrollo:
LVK E = I D ⋅ R + vD
Reemplaando los datos
1V= 0.2m·R + vD1 (1)
2V= 0.5m·R + vD2 (2)
⎛I ⎞
Como VD VT ln ⎜ D ⎟ reemplazando en (1) y (2)
⎝ IS ⎠
1=0.2m·R + 0.026(ln 0.2m − ln I S )
2=0.5m·R + 0.026(ln 0.5m − ln I S )
Æ IS=2.9·10-10 A
R=3.25k
3.- En el circuito con diodos que se indica determine VD, ID y la resistencia dinámica en el punto de
operación.
(a) Si el diodo es ideal (b) Si el diodo se modela con un diodo ideal
y una fuente de tensión de 0.7V (di+E) (c) Si el diodo se modela
con un diodo ideal, una fuente de 0.7V y una resistencia dinámica
(di+E+rd) considere Is=2.682nA, N=1.836 (d) Si el diodo se
modela con la ecuación de Schockley (e) interprete el desarrollo
con simulación que se incluye.
Ecuacion de Schockley
Modelo de Spice
150m
Recta de carga
100m del circuito
(856.000m,57.200m)
50m
0
0V 0.5V 1.0V 1.5V 2.0V 2.5V
(2-V_Vdc)/20 I(D) 2.682n*(EXP( V_Vdc/(1.836*25.9m))-1)
V_Vdc
Para “pegar” estos graficos desde Orcad PSpice a Office Word, en pantalla de despliegue de datos (PSpice
A/D) hacer click en: Æ Windows Æ Copy to clipboard Æ change white to black Æ OK
Se adjuntan archivos de simulación.
o–o–o–o–o–o–o–o–o–o–o–o–o–o–o–o–o–o–o–o–o–o–o–o–o–o–o
4.- Característica de Transferencias y respuesta 4.0
temporal de circuitos con diodos. V
2.0V
0V
-4.0V 0V 4.0V
V(out)
V_Vs
4.0V
SEL>>
-4.0V
V(in) V(out)
2.0V
0V
0s 1.0ms 2.0ms
V(out)
- Electrónica I - Time 3
5.- 2.0V
V0 vs. Vin
0V
-2.0V
-4.0V
-4.0V 0V 4.0V
V(out)
V_Vs
Determinar Iin vs. Vin.
4.0V
0V
SEL>>
-4.0V
V(in)
4.0V
0V
-4.0V
0s 1.0ms 2.0ms
V(out)
Time
4.0V
(2.0, 2.0)
0V
-4.0V
-4.0V 0V V_Vs 4.0V
V(out)
4.0V
0V
-4.0V
V(in)
4.0V
0V
SEL>>
-4.0V
0s 2.0ms 4.0ms
V(out) Time
- Electrónica I - 4
4.0V
(2.0,2.0)
0V
-4.0V
-4.0V 0V V_Vs 4.0V
V(out)
4.0V
0V
SEL>>
-4.0V
V(in)
4.0V
0V
-4.0V
0s 2.0ms Time 4.0ms
V(out)
5.0V
(2.4,2.0)
0V
4.0V
(105.4u,2.46)
-5.0V
-10V 0V V_Vs 10V
0V V(out)
-
4.0V V(in
4.0V )
(105.4u,2.00)
0V
SEL>
->
4.0V 0s 2.0ms
Time
4.0ms
V(out)
- Electrónica I - 5