TIPOS DE DIODOS

Los diodos pn, son uniones de dos materiales semiconductores extrínsecos

tipos p y n, por lo que también reciben la denominación de unión pn. Hay que
destacar que ninguno de los dos cristales por separado tiene carga eléctrica, ya
que en cada cristal, el número de electrones y protones es el mismo, de lo que
podemos decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su
carga neta es 0).

Formación de la zona de carga espacial

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al

p.

Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos

lados de la unión, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de
carga espacial, de agotamiento, de deplexión, de vaciado, etc.

A medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga espacial va

incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la
unión. Sin embargo, la acumulación de iones positivos en la zona n y de iones
negativos en la zona p, crea un campo eléctrico (E) que actuará sobre los
electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento,
que se opondrá a la corriente de electrones y terminará deteniéndolos.

Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de

tensión entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (VD) es de 0,7 Ven el
caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.

Existen también diodos de protección térmica los cuales son capaces de

proteger cables.

A (p) C ó K (n)

Representación simbólica del diodo pn

Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensión externa, se dice que el

diodo está polarizado, pudiendo ser la polarización directa o inversa.

 Diodo avalancha
 Fotodiodo
 Diodo Gunn
 Diodo láser
 Diodo LED (e IRED)
 Diodo p-i-n
 Diodo Schottky o diodo de barrera Schottky
 Diodo Shockley (diodo de cuatro capas)
 Diodo túnel o diodo Esaki
 Diodo Varicap
 Diodo Zener

Diodo avalancha
Es un diodo semiconductor diseñado especialmente para trabajar
en tensión inversa. En estos diodos, poco dopados, cuando la tensión en
polarización inversa alcanza el valor de la tensión de ruptura,
los electrones que han saltado a la banda de conducción por efecto de la
temperatura se aceleran debido al campo eléctrico incrementando su energía
cinética, de forma que al colisionar con electrones de valencia los liberan; éstos
a su vez, se aceleran y colisionan con otros electrones de valencia liberándolos
también, produciéndose una avalancha de electrones cuyo efecto es
incrementar la corriente conducida por el diodo sin apenas incremento de la
tensión.
Aplicación
La aplicación típica de estos diodos es la protección de circuitos
electrónicos contra sobretensiones. El diodo se conecta en inversa a tierra, de
modo que mientras la tensión se mantenga por debajo de la tensión de ruptura
sólo será atravesado por la corriente inversa de saturación, muy pequeña, por
lo que la interferencia con el resto del circuito será mínima; a efectos prácticos,
es como si el diodo no existiera. Al incrementarse la tensión del circuito por
encima del valor de ruptura, el diodo comienza a conducir desviando el exceso
de corriente a tierra evitando daños en los componentes del circuito.

Fotodiodo
Es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la incidencia de
la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza
inversamente, con lo que se producirá una cierta circulación de corriente
cuando sea excitado por la luz. Debido a su construcción, los fotodiodos se
comportan como células fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior
generan una tensión muy pequeña con el positivo en el ánodo y el negativo en
el cátodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre
de corriente de oscuridad.

Los diodos tienen un sentido normal de circulación de corriente, que se llama

polarización directa. En ese sentido el diodo deja pasar la corriente eléctrica y
prácticamente no lo permite en el inverso. En el fotodiodo la corriente (que
varía con los cambios de la luz) es la que circula en sentido inverso al permitido
por la juntura del diodo. Es decir, para su funcionamiento el fotodiodo es
polarizado de manera inversa. Se producirá un aumento de la circulación de
corriente cuando el diodo es excitado por la luz.

Fotodiodos de avalancha Tienen una estructura similar, pero trabajan con

voltajes inversos mayores. Esto permite a los portadores de carga
fotogenerados al ser multiplicados en la zona de avalancha del diodo,
resultando en una ganancia interna, que incrementa la respuesta del
dispositivo.
El material empleado en la composición de un fotodiodo es un factor crítico
para definir sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la
luz visible (longitud de onda de hasta 1µm); germanio para luz
infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 µm); o de cualquier otro
material semiconductor.

Aplicación

 A diferencia del LDR , el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a

iluminación y viceversa con mucha más velocidad, y puede utilizarse en
circuitos con tiempo de respuesta más pequeño.
 Se usa en los lectores de CD, recuperando la información grabada en el
surco del Cd transformando la luz del haz láser reflejada en el mismo en
impulsos eléctricos para ser procesados por el sistema y obtener como
resultado los datos grabados.
 Usados en fibra óptica

Diodo Gunn

Es una forma de diodo usado en la electrónica de alta frecuencia. A diferencia

de los diodos ordinarios construidos con regiones de dopaje P o N, solamente
tiene regiones del tipo N, razón por lo que impropiamente se le conoce como
diodo. Existen en este dispositivo tres regiones; dos de ellas tienen regiones
tipo N fuertemente dopadas y una delgada región intermedia de material
ligeramente dopado. Cuando se aplica un voltaje determinado a través de sus
terminales, en la zona intermedia el gradiente eléctrico es mayor que en los
extremos. Eventualmente esta zona empieza a conducir esto significa que este
diodo presenta una zona de resistencia negativa.

La frecuencia de la oscilación obtenida a partir de este efecto, es determinada

parcialmente por las propiedades de la capa o zona intermedia del diodo, pero
también puede ser ajustada exteriormente. Los diodos Gunn son usados para
construir osciladores en el rango de frecuencias comprendido entre los
10 Gigahertz y frecuencias aún más altas (hasta Terahertz). Este diodo se usa
en combinación con circuitos resonantes construidos con guías de ondas,
cavidades coaxiales y resonadores YIG (monocristal de granate Itrio y hierro),
y la sintonización es realizada mediante ajustes mecánicos, excepto en el caso
de los resonadores YIG en los cuales los ajustes son eléctricos.

Los diodos Gunn suelen fabricarse de arseniuro de galio para osciladores de

hasta 200 GHz, mientras que los de Nitruro de Galio pueden alcanzar los 3
Terahertz.

Este efecto Gunn es un instrumento eficaz para la generación de oscilaciones

en el rango de las microondas en los materiales semiconductores.

El efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los semiconductores y no

depende de la unión misma, ni de los contactos, tampoco depende de los
valores de tensión y corriente y no es afectado por campos magnéticos.

Cuando se aplica una pequeña tensión continua a través de una placa delgada
de Arseniuro de Galio (GaAs), ésta presenta características de resistencia
negativa. Todo esto ocurre bajo la condición de que la tensión aplicada a la
placa sea mayor a los 3,3 voltios/cm. Si dicha placa es conectada a una
cavidad resonante, se producirán oscilaciones y todo el conjunto se puede
utilizar como oscilador.

Este efecto sólo se da en materiales tipo N (material con exceso de electrones)

y las oscilaciones se dan sólo cuando existe un campo eléctrico. Estas
oscilaciones corresponden aproximadamente al tiempo que los electrones
necesitan para atravesar la placa de material tipo N cuando se aplica la tensión
continua.
Diodo Láser
El diodo láser es un dispositivo semiconductor similar a los diodos LED pero
que bajo las condiciones adecuadas emite luz láser. A veces se los
denomina diodos láser de inyección, o por sus siglas inglesas LD o ILD.
En los diodos láser, para favorecer la emisión estimulada y generación de luz
láser, el cristal semiconductor del diodo puede tener la forma de una lámina
delgada con un lado totalmente reflectante y otro sólo reflectacte de forma
parcial (aunque muy reflectacte también), lográndose así una unión PN de
grandes dimensiones con las caras exteriores perfectamente paralelas
y reflectantes. Este conjunto forma una guía de onda similar a un resonador de
tipo Fabry-Perot. En ella, los fotones emitidos en la dirección adecuada se
reflejarán repetidamente en dichas caras reflectantes (en una totalmente y en la
otra sólo parcialmente), lo que ayuda a su vez a la emisión de más fotones
estimulados dentro del material semiconductor y consiguientemente a que se
amplifique la luz (mientras dure el bombeo derivado de la circulación de
corriente por el diodo). Parte de estos fotones saldrá del diodo láser a través de
la cara parcialmente transparente (la que es sólo reflectante de forma parcial).
Este proceso da lugar a que el diodo emita luz, que al ser coherente en su
mayor parte (debido a la emisión estimulada), posee una gran
pureza espectral. Por tanto, como la luz emitida por este tipo de diodos es de
tipo láser, a estos diodos se los conoce por el mismo nombre.

Ventajas

 Son muy eficientes.

 Son muy fiables.
 Tienen tiempos medios de vida muy largos.
 Son económicos.
 Permiten la modulación directa de la radiación emitida, pudiéndose modular
a décimas de Gigahercio.
 Su volumen y peso son pequeños.
 El umbral de corriente que necesitan para funcionar es relativamente bajo.
 Su consumo de energía es reducido (comparado con otras fuentes de luz)
 El ancho de banda de su espectro de emisión es angosto (puede llegar a
ser de sólo algunos kHz)

Aplicación

 Comunicaciones de datos por fibra óptica.

 Lectores de CDs, DVDs y formatos derivados.
 Interconexiones ópticas entre circuitos integrados.
 Impresoras láser.
 Escáneres o digitalizadores.
 Sensores.

Diodo LED

Diodo emisor de luz, también conocido

como LED (acrónimo del inglés de Light-Emitting Diode) es un
dispositivo semiconductor (diodo) que emite luz incoherente de espectro
reducido cuando se polariza de forma directa la unión PN del mismo y circula
por él una corriente eléctrica. Este fenómeno es una forma
de electroluminiscencia. El color (longitud de onda), depende del material
semiconductor empleado en la construcción del diodo y puede variar desde
el ultravioleta, pasando por el visible, hasta el infrarrojo. Los diodos emisores
de luz que emiten luz ultravioleta también reciben el nombre de UV
LED(UltraViolet Light-Emitting Diode) y los que emiten luz infrarroja suelen
recibir la denominación de IRED (Infra-Red Emitting Diode).
Aplicaciones

Los diodos infrarrojos (IRED) se emplean desde mediados del siglo XX

en mandos a distancia de televisores, habiéndose generalizado su uso en
otros electrodomésticos como equipos de aire acondicionado, equipos de
música, etc. y en general para aplicaciones de control remoto, así como en
dispositivos detectores, además de ser utilizados para transmitir datos entre
dispositivos electrónicos como en redes de computadoras y dispositivos
como teléfonos móviles, computadoras de mano, aunque esta tecnología de
transmisión de datos ha dado paso al bluetooth en los últimos años, quedando
casi obsoleta.

Los LEDs se emplean con profusión en todo tipo de indicadores de estado

(encendido/apagado) en dispositivos de señalización (de tránsito, de
emergencia, etc.) y en paneles informativos (el mayor del mundo, del NASDAQ,
tiene 36,6 metros de altura y está en Times Square, Manhattan). También se
emplean en el alumbrado de pantallas de cristal líquido de teléfonos móviles,
calculadoras, agendas electrónicas, etc., así como en bicicletas y usos
similares. Existen además impresoras LED.

Ventajas

Fiabilidad, mayor eficiencia energética, mayor resistencia a las vibraciones,

mejor visión ante diversas circunstancias de iluminación, menor disipación de
energía, menor riesgo para el medio ambiente, capacidad para operar de forma
intermitente de modo continuo, respuesta rápida, etc. Asimismo, con LEDs se
pueden producir luces de diferentes colores con un rendimiento luminoso
elevado.

Para conectar LEDs de modo que iluminen de forma continua, deben estar
polarizados directamente, es decir, con el polo positivo de la fuente de
alimentación conectada al ánodo y el polo negativo conectado al cátodo.
Además, la fuente de alimentación debe suministrarle una tensión o diferencia
de potencial superior a su tensión umbral. Por otro lado, se debe garantizar que
la corriente que circula por ellos no excede los límites admisibles (Esto se
puede hacer de forma sencilla con una resistencia R en serie con los LEDs, lo
que dañaría irreversiblemente al LED). Unos circuitos sencillos que muestran
cómo polarizar directamente LEDs son los siguientes:
Diodo P-I-N

Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la

intermedia semiconductor intrínseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo
N(estructura P-I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en la práctica, la
capa intrínseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad (π) o
bien por una capa n de alta resistividad (ν).

El diodo PIN puede ejercer, entre otras cosas, como:

 conmutador de RF
 resistencia variable
 protector de sobretensiones
 fotodetector

Diodo Schottky

El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado así en honor del físico
alemán Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona
conmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa
(menos de 1ns en dispositivos pequeños de 5 mm de diámetro) y muy bajas
tensiones umbral (también conocidas como tensiones de codo, aunque en
inglés se refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla). La tensión de codo es
la diferencia de potencial mínima necesaria para que el diodo actúe como
conductor en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de lado la región
Zener, que es cuando más bien existe una diferencia de potencial lo
suficientemente negativa para que -a pesar de estar polarizado en contra del
flujo de corriente- éste opere de igual forma como lo haría regularmente.

Características

La alta velocidad de conmutación permite rectificar señales de muy altas

frecuencias y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad.

A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensión

umbral —valor de la tensión en directa a partir de la cual el diodo conduce— de
0,7 V, los diodos Schottky tienen una tensión umbral de aproximadamente 0,2
V a 0,4 V empleándose, por ejemplo, como protección de descarga de células
solares con baterías de plomo ácido.

La limitación más evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir

resistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos
voltajes inversos pero el diodo Schottky encuentra una gran variedad de
aplicaciones en circuitos de alta velocidad para computadoras donde se
necesiten grandes velocidades de conmutación y mediante su poca caída de
voltaje en directo permite poco gasto de energía.

Diodo Shockley
Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados
estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe
confundir con el diodo de barrera Schottky.

Está formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas

alternadamente. Es un tipo de tiristor.

La característica V-I se muestra en la figura. La región I es la región de alta

impedancia (OFF) y la III, la región de baja impedancia. Para pasar del estado
OFF al ON, se aumenta la tensión en el diodo hasta alcanzar Vs, tensión de
conmutación. La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que
la corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la tensión, hasta
alcanzar un nuevo equilibrio en la región III (Punto B). Para volver al estado
OFF, se disminuye la corriente hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el
diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todavía más la corriente, mientras
aumenta la tensión en sus terminales, cruzando la región II, hasta que alcanza
el nuevo equilibrio en la región I (Punto A).

Diodo túnel
El Diodo túnel es un diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual se
produce el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa
en un cierto intervalo de la característica corriente-tensión.

La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilización como

componente activo (amplificador/oscilador).

También se conocen como diodos Esaki, en honor del hombre que descubrió
que una fuerte contaminación con impurezas podía causar un efecto de
tunelización de los portadores de carga a lo largo de la zona de agotamiento en
la unión. Una característica importante del diodo túnel es su resistencia
negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarización directa.
Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje.
En consecuencia, el diodo túnel puede funcionar como amplificador, como
oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja
potencia para aplicaciones que involucran microondas y que están
relativamente libres de los efectos de la radiación.

Diodo Varicap

El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que

basa su funcionamiento en el fenómeno que hace que la anchura de la barrera
de potencial en una unión PN varíe en función de la tensión inversa aplicada
entre sus extremos. Al aumentar dicha tensión, aumenta la anchura de esa
barrera, disminuyendo así la capacidad del diodo. De este modo se obtiene
un condensador variable controlado por tensión. Los valores de capacidad
obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensión inversa mínima tiene que ser de 1
V.

La aplicación de estos diodos se encuentra, sobre todo, en la sintonía de

TV, modulación de frecuencia en transmisiones de FM y radio y en los
osciladores controlados por voltaje (oscilador controlado por tensión).

En tecnología de microondas se pueden utilizar como limitadores: al aumentar

la tensión en el diodo, su capacidad varía, modificando la impedancia que
presenta y desadaptando el circuito, de modo que refleja la potencia incidente.
Diodo Zener

El diodo Zener, que recibe este nombre por su inventor, el Dr. Clarence Melvin
Zener, es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en las
zonas de rupturas. Llamados a veces diodos de avalancha o de ruptura, el
diodo zener es la parte esencial de los reguladores de tensión casi constantes
con independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensión de
red, de la resistencia de carga y temperatura

Resistencia Zener Un diodo zener, como cualquier diodo, tiene cierta

resistencia interna en sus zonas P y N; al circular una corriente a través de éste
se produce una pequeña caída de tensión de ruptura.

En otras palabras: si un diodo zener está funcionando en la zona zener, un

aumento en la corriente producirá un ligero aumento en la tensión. El
incremento es muy pequeño, generalmente de una décima de voltio.

Los diodos Zener mantienen la tensión entre sus terminales prácticamente

constante en un amplio rango de intensidad y temperatura, cuando están
polarizados inversamente, por ello, este tipo de diodos se emplean en circuitos
estabilizadores o reguladores de la tensión.

Símbolos