KOMPARASI PENURUNAN TEGANGAN

ANTARA PENGGANDA TEGANGAN DC MENGGUNAKAN

IC TTL DENGAN IC CMOS

SKRIPSI

Diajukan Dalam Rangka Menyelesaikan Program Studi Strata 1

Untuk Mencapai Gelar Sarjana Pendidikan

Disusun Oleh :

Nama : Yeti Oktaviani

NIM : 5301902002
Prodi : S1 Pendidikan Teknik Elektro
Jurusan : Teknik Elektro

FAKULTAS TEKNIK

UNIVERSITAS NEGERI SEMARANG

2005
 PENGESAHAN

Skripsi yang berjudul komparasi penurunan tegangan antara pengganda

tegangan DC menggunakan IC TTL dan IC CMOS telah dipertahankan dalam Sidang
Panitia Ujian Skripsi Jurusan Teknik Elektro, Fakultas Teknik, Universitas Negeri
Semarang pada :

Hari : Rabu
Tanggal : 24 Agustus 2005

Panitia Ujian

Ketua Sekretaris

Drs. Djoko Adi Widodo,M.T. Drs. R. Kartono,M.Pd.

NIP. 131 570 064 NIP. 131 474 229

Pembimbing I Penguji I

Drs. Abdullah,M.Pd. Drs. Abdullah,M.Pd.

NIP. 130 515 763 NIP. 130 515 763

Pembimbing II Penguji II

Drs. R. Kartono,M.Pd. Drs. R. Kartono,M.Pd.

NIP. 131 474 229 NIP. 131 474 229

Penguji III

Drs. Samiyono,M.T.
NIP. 130 515 758
Dekan

Prof.Dr. Soesanto
NIP. 130 875 753
 MOTTO DAN PERSEMBAHAN

Motto

1. Dalam melakukan perbuatan dasarilah dengan hati nurani yang bersih dan selalu

berdoa dalam menggapai suatu cita-cita.

2. Cukuplah Allah (sebagai penolong) dan Dialah sebaik-baik pelindung

3. Kerjakanlah apa yang harus kamu kerjakan, jangan menunda-nunda waktu

Persembahan
1. Ibunda tersayang, yang tak pernah lelah

memberikan cinta, kasih sayang, doa serta

materi yang telah diberikan

2. Ayahanda, yang telah memberikan kasih

sayang dan materi serta doanya, semoga

dilimpahkan pahala dari -Nya.

3. Kakakku dan keponakanku yang kusayangi

4. Teman-teman seperjuangan PTE

 SARI

Oktaviani,Yeti.2005.Komparasi Penurunan Tegangan antara Pengganda

Tegangan DC Mengguankan IC TTL dengan IC CMOS . Skripsi. Jurusan
Teknik Elektro, Fakultas Teknik, Universitas Negeri Semarang.

IC TTL mempunyai kemampuan pembebanan arus dari tingkat keluaran yang

memungkinkan satu keluaran TTL dapat mendorong 10 masukan TTL yang masing-
masing memerlukan arus 1,6 mA untuk menjaga tegangan pada logika 0 dan 40 A
pada logika 1, sehingga mempunyai fan out 10. IC CMOS pada masukannya
mengambil arus yang kecil baik pada logika 0 maupun logika 1, sehingga
kemampuan fan out IC CMOS cukup besar yaitu sekitar 50. Kemampuan
pembebanan dan pencatuan arus tingkat keluaran terbatas sekitr 0,5 mA.
Penelitian ini didasarkan pada pertanyaan apakah ada perbedaan penurunan
tegangan pada pengganda tegangan DC menggunakan IC TTL dan pengganda
tegangan DC mengguanakan IC CMOS terhadap beban yang dipasang. IC TTL dan
IC CMOS memiliki teknologi pembuatan dan prinsip kerja yang berbeda.
Populasi yang digunakan adalah rangkaian pengganda tegangan DC
menggunakan IC digital. Pengambilan sampel menggunakan teknik purposive
sampling. Sampel IC TTL terdiri dari IC TTL type DM 7400, SN 74LS00, dan SN
74HC00 sedangkan type IC CMOS yaitu NJU 4011 BD, CD 4011 BE, dan HEF 4011
BP dengan alasan sampel tersebut mudah dicari dan ada dipasaran.
Analisis data digunakan untuk menguji hipotesis yang mengatakan ada
perbedaan penurunan tegangan antara pengganda tegangan DC menggunakan IC TTL
dan IC CMOS. Uji hipotesis ini menggunakan uji Kruskal-Wallis. Pada uji Kruskal-
Wallis menyatakan ada perbedaan penurunan tegangan antara pengganda tegangan
DC menggunakan IC TTL dan IC CMOS, kemudian dilakukan uji lanjut
menggunakan uji Mann-Whitney dengan membandingkan tiap dua sampel.
Simpulannya ada perbedaan penurunan tegangan antara pengganda tegangan
DC menggunakan IC TTL dan IC CMOS. Pengganda tegangan DC menggunakan IC
CMOS memiliki tegangan keluaran yang lebih tinggi dan lebih stabil apabila beban
bertambah. Kemampuan arus pada IC TTL lebih baik dibandingkan IC CMOS
apabila beban bertambah
Penelitian ini terbatas pada tiga type IC TTL dan IC CMOS oleh karena itu
perlu diteliti lebih lanjut dengan type-type IC yang lain. Penelitian ini dilakukan
untuk impedansi input yang relatif tinggi, oleh karena itu perlu diteliti untuk beban
yang mempunyai impedansi rendah dibawah 4,7 K.
 KATA PENGANTAR

Puji syukur kita panjatkan kepada Allah SWT yang telah melimpahkan

rakhmat, hidayah serta inayah-Nya, sehingga peneliti kemudahan dalam

menyelesaikan skripsi ini. Selanjutnya peneliti menghaturkan terima kasih atas

bantuan dan peran yang tidak dapat didefinisikan satu persatu pada tahapan

penyelesaian skripsi ini, kepada :

1. Drs. Djoko Adi Widodo, M.T. Ketua Jurusan Teknik Elektro

2. Drs. Abdullah, M.Pd. Pembimbing I sekaligus penguji I yang telah membantu

dalam penyelesaian skripsi ini

3. Drs. R. Kartono, M.Pd. Pembimbing II sekaligus penguji II yang telah membantu

dalam proses pembuatan skripsi.

4. Drs. Samiyono, M.T. penguji III yang telah membantu dalam penyempurnaan

skripsi ini.

5. Rekan-rekan PTE

6. Semua pihak yang telah membantu dalam penyelesaian skripsi ini

Demikian, semoga skripsi yang telah tersusun ini dapat bermanfaat bagi
pembaca.

Semarang, Agustus 2005

Peneliti
 DAFTAR ISI

Halaman
HALAMAN JUDUL.......................................................................................... I

HALAMAN PENGESAHAN ............................................................................ ii

MOTTO DAN PERSEMBAHAN ..................................................................... iii

SARI................................................................................................................... iv

KATA PENGANTAR........................................................................................ v

DAFTAR ISI ...................................................................................................... vi

DAFTAR GAMBAR ......................................................................................... ix

DAFTAR TABEL .............................................................................................. xi

DAFTAR LAMPIRAN ...................................................................................... xii

BAB 1 PENDAHULUAN

A. Latar Belakang Masalah 1

B. Permasalahan. 3

C. Penegasan Istilah 4

D. Pembatasan Masalah.. 5

E. Tujuan Penelitian... 5

F. Manfaat Penelitian. 6

G. Sistematika Skripsi 6
BAB 2 LANDASAN TEORI

A. IC Digital ...................................................................................... 8

1. Tingkat Integrasi..................................................................... 8
2. Parameter Gerbang Logika..................................................... 9

B. Teknologi Bipolar......................................................................... 11

1. Transistor Bipolar................................................................... 11
2. Transistor Sebagai Saklar ....................................................... 12
3. Rangkaian Gerbang Digital Bipolar ....................................... 15
4. Logika Sumber Arus dan Pemakai Arus ................................ 17

C. Teknologi MOS ............................................................................ 18

1. MOSFET ................................................................................ 18
2. Switch Analog MOS .............................................................. 22
3. Rangkaian Gerbang Digital MOS .......................................... 23

D. Rangkaian Pengganda Tegangan DC Menggunakan IC Digital .. 24

1. Catu Daya ............................................................................... 24

2. Multivibrator 25
3. Buffer... 26
4. Pengganda Tegangan... 26

E. Kerangka Berfikir......................................................................... 27

F. Hipotesis ....................................................................................... 28

BAB 3 METODE PENELITIAN

G. Populasi Dan Sampel.................................................................... 29

1. Populasi .................................................................................. 29
2. Sampel.. 29
B. Variable Penelitian ....................................................................... 30

1. Variabel Bebas ....................................................................... 30

2. Variabel Terikat...................................................................... 31
3. Variable Kontrol..................................................................... 31
 C. Prosedur Penelitian....................................................................... 32

1. Persiapan Eksperimen ............................................................ 32

2. Pelaksanaan Eksperimen ........................................................ 33

D. Teknik Analisis Data .................................................................... 35

1. Uji Normalitas ........................................................................ 36

2. Uji Hipotesis........................................................................... 36

BAB 4 HASIL PENELITIAN DAN PEMBAHASAN

A. Deskripsi Data Hasil Penelitian.................................................... 39

1. Pengganda Tegangan DC Menggunakan IC TTL .................. 39

2. Pengganda Tegangan DC Menggunakan IC CMOS .............. 40

B. Analisis Data ................................................................................ 41

1. Uji Normalitas ...................................................................... 41

2. Uji Kruskal-Wallis ............................................................... 42
3. Uji Mann-Whitney ............................................................... 43

C. Pembahasan .................................................................................. 48

D. Keterbatasan Penelitian ................................................................ 52

BAB 5 PENUTUP

A. Simpulan....................................................................................... 53

B. Saran ............................................................................................. 53

DAFTAR PUSTAKA......................................................................................... 54

LAMPIRAN-LAMPIRAN................................................................................. 55
 DAFTAR GAMBAR

Halaman

Gambar 1. Kekebalan Derau Logika ............................................................. 10

Gambar 2. Pemberian Bias pada transistor .................................................... 12

Gambar 3. Transistor Sebagai Saklar ............................................................. 13

Gambar 4. Tunda Propagasi ........................................................................... 13

Gambar 5. Penggunaan Kapasitor Pemercepat CS ......................................... 14

Gambar 6. Penggunaan Dioda Pemercepat .................................................... 15

Gambar 7. Tangkaian Totem pole ................................................................. 15

Gambar 8. Untai TTL Dasar ......................................................................... 16

Gambar 9. Gerbang NAND TTL ................................................................... 16

Gambar 10. Ilistarsi perbedaan antara logika sumber arus dan logika

penyerap arus ................................................................................ 18

Gambar 11. Konstruksi MOSFET.................................................................... 19

Gambar 12. Simbol MOSFET.......................................................................... 20

Gambar 13. Operasi D MOSFET ..................................................................... 21

Gambar 14. Operasi E MOSFET ..................................................................... 22

Gambar 15. Penggerak MOSFET .................................................................... 22

Gambar 16. Gerbang NAND CMOS ............................................................... 24

Gambar 17. Diagram Blok Rangkaian Pengganda Tegangan DC ................... 24

Gambar 18. Catu Daya Teregulasi 5 Volt ........................................................ 24

Gambar 19. Rangkaian Multivibrator .............................................................. 26

 Halaman

Gambar 20. Rangkaian Buffer ......................................................................... 26

Gambar 21. Rangkaian Pengganda Tegangan DC Menggunakan IC .............. 27

Gambar 22. Paradigma Ganda dua Variabel Bebas ......................................... 32

Gambar 23. Grafik Hubungan Tegangan Keluaran dan

Hambatan pada IC TTL................................................................ 48

Gambar 24. Grafik Hubungan Tegangan Keluaran dan

Hambatan pada IC CMOS............................................................ 49

Gambar 25. Grafik Hubungan Penurunan Tegangan

dan Hambatan pada IC TTL ......................................................... 49

Gambar 26. Grafik Hubungan Penurunan Tegangan

dan Hambatan pada IC CMOS ..................................................... 50

Gambar 27. Grafik Hubungan Tegangan keluaran dan

Hambatan pada IC TTL dan IC CMOS........................................ 50

Gambar 28. Grafik Hubungan Penurunan Tegangan dan Hambatan

pada IC TTL dan IC CMOS ......................................................... 51
 DAFTAR TABEL

Halaman

Tabel 1. Hasil Rata-rata Pengukuran Tegangan Keluaran dan Penurunan

Tegangan Pengganda Tegangan DC Menggunakan IC TTL ........... 39

Tabel 2. Hasil Rata-rata Pengukuran Tegangan Keluaran dan Penurunan

Tegangan Pengganda Tegangan DC Menggunakan IC CMOS ...... 40

Tabel 3. Uji Normalitas Data.......................................................................... 41

Tabel 4. Uji Kruskal-Wallis ........................................................................... 42

Tabel 5. Uji Mann-Whitney untuk RL = 4,7 k............................................. 43

Tabel 6. Uji Mann-Whitney untuk RL = 20 k.............................................. 44

Tabel 7. Uji Mann-Whitney untuk RL = 39 k.............................................. 45

Tabel 8. Uji Mann-Whitney untuk RL = 56 k.............................................. 46

Tabel 9. Uji Mann-Whitney untuk RL = 82 k.............................................. 47

Tabel 10. Uji Mann-Whitney untuk RL = 100 k............................................ 47

DAFTAR LAMPIRAN

Halaman

Lampiran 1. Gambar rangkaian pengganda tegangan DC

menggunakan IC TTL ................................................................. 55

Lampiran 2. Gambar rangkaian pengganda tegangan DC

menggunakan IC CMOS ............................................................. 56
 BAB 1

PENDAHULUAN

A. Latar Belakang Masalah

Dalam pengoperasian pesawat elektronika membutuhkan tegangan listrik

searah (DC) ataupun tegangan listrik bolak-balik (AC) untuk bekerja. Sumber

tegangan DC yang banyak digunakan adalah baterai, hal ini karena kepraktisannya

dan mudah didapat dibandingkan tegangan dari PLN. Pesawat elektronika yang

membutuhkan daya besar tentunya pemakaian baterai tidak hemat maka diperlukan

pesawat pencatu daya untuk mengganti baterai tersebut. Pada pesawat pencatu daya

mula-mula tegangan listrik bolak-balik (AC) diturunkan taraf tegangannya sampai

harga yang diperlukan dengan menggunakan transformator kemudian tegangan itu

disearahkan dengan dioda. Tegangan hasil penyearahan dioda tersebut diratakan

kembali dengan kapasitor elektrolit sehingga dihasilkan tegangan DC yang benar-

benar rata. Sering dijumpai dalam penggunaan pesawat pencatu daya juga terbatas

pada tegangan keluaran transformator yang ada, apabila tegangan pada transformator

tidak mencukupi maka pencatu daya tersebut tidak bisa lagi mensuplay tegangan pada

pesawat elektronika. Hal ini menyebabkan catu daya perlu diganti terutama

transformator yang menghasilkan tegangan keluaran yang besar. Untuk mendapatkan

tegangan sekunder yang besar maka ukuran transformator menjadi lebih besar dan

memerlukan biaya yang mahal, sehingga diperlukan pesawat untuk menghasilkan

tegangan keluaran yang lebih besar yaitu pesawat pengganda tegangan yang
menghasilkan tegangan dua kali tegangan masukan. Pengganda tegangan ini

memanfatkan prinsip pengisian dan pengosongan kapasitor.

Seiring dengan perkembangan teknologi yang semakin pesat yaitu dengan

ditemukannya rangkaian terintegrasi (integrated circuit, IC) yang memudahkan

manusia dalam merancang pesawat elektronika. Pemanfaatan IC dapat digunakan

pada pesawat pengganda tegangan untuk mendapatkan tegangan dua kali tegangan

masukan. IC berisi gerbang-gerbang logika yang dapat dirancang untuk menghasilkan

gelombang (multivibrator) untuk dapat melakukan proses pengisian dan pengosongan

kapasitor sehingga didapatkan tegangan keluaran yang lebih tinggi dari tegangan

masukan.

IC menurut strukturnya kebanyakan yang digunakan adalah IC monolitik

yang terbagi dalam dua teknologi yaitu teknologi bipolar dan teknologi MOS.

Teknologi bipolar menggunakan transistor dalam pembuatannya, yang termasuk

dalam teknologi bipolar adalah TTL, ECL, IIL, dan lain-lain. Sedangkan teknologi

MOS menggunakan MOSFET dalam pembuatannya, yang termasuk dalam teknologi

MOS adalah P MOS, N MOS, dan CMOS. Rangkaian terintegrasi yang sering

digunakan dan banyak dijual di pasaran adalah TTL dan CMOS. IC TTL mempunyai

tegangan kerja 5V sedangkan IC CMOS tegangan kerjanya 315 V.

IC TTL mempunyai kemampuan pembebanan arus dari tingkat keluaran yang

memungkinkan satu keluaran TTL dapat mendorong 10 masukan TTL yang masing-

masing memerlukan arus 1,6 mA untuk menjaga tegangan pada logika 0 dan 40 A
pada logika 1, sehingga mempunyai fan out 10. IC CMOS pada masukannya

mengambil arus yang kecil baik pada logika 0 maupun logika 1, sehingga

kemampuan fan out IC CMOS cukup besar yaitu sekitar 50. Kemampuan

pembebanan dan pencatuan arus tingkat keluaran terbatas sekitr 0,5 mA.

Berdasarkan argumentasi di atas akan diteliti tentang perbedaan penurunan

tegangan dari pengganda tegangan DC menggunakan IC TTL dan pengganda

tegangan DC menggunakan IC CMOS dengan memberikan tegangan masukan yang

besarnya sama.

B. Permasalahan

Berdasarkan latar belakang masalah di atas, maka permasalahan yang akan

diangkat dalam penelitian ini adalah :

1. Adakah perbedaan penurunan tegangan pada pengganda tegangan DC

menggunakan IC TTL dan pengganda tegangan DC menggunakan IC CMOS

terhadap beban yang sama?

2. Bagaimanakah tegangan keluaran pengganda tegangan DC menggunakan IC

TTL dan pengganda tegangan DC menggunakan IC CMOS terhadap beban

yang terpasang?
C. Penegasan Istilah

Agar tidak terjadi perbedaan persepsi dalam rancangan skripsi ini maka

dijelaskan istilah istilah sebagai berikut :

1. Komparasi

Komparasi adalah melakukan penelitian secara ilmiah atau kajian terhadap

suatu permasalahan dengan melakukan sebuah perbandingan atau berdasarkan

suatu perbandingan (Kamus Bahasa Indonesia,1995:965)

2. Tegangan

Tegangan adalah tekanan yang diakibatkan oleh tarikan dari dalam arus (aliran)

listrik (Kamus Bahasa Indonesia,1996:534)

3. Pengganda tegangan DC

Pengganda tegangan adalah dua atau lebih penyearah puncak yang

menghasilkan tegangan DC sama dengan perbanyakan puncak tegangan masuk

(Malvino,1996:68)

4. IC TTL

IC TTL adalah jenis IC yang terbuat dari transistor-transistor logic, susunannya

yang menggantikan rangkaian DTL (Tirtamiharja,1996:41)

5. IC CMOS

IC CMOS adalah jenis IC yang terbuat dari komplemen piranti P MOS dan N

MOS (Ibrahim,2001:60)
D. Pembatasan Masalah

Agar tidak terjadi persepsi yang salah dan meluasnya permasalahan, maka

hanya akan diteliti tentang perbedaan tegangan keluaran pada pengganda tegangan

DC menggunakan IC TTL dan IC CMOS.

Adapun batasan-batasan dalam skripsi ini antara lain :

1. IC TTL yang digunakan adalah IC TTL dengan type DM 7400, SN 74LS00

dan SN 74HC00

2. IC CMOS yang digunakan adalah IC CMOS dengan type NJU 4011 BD, CD

4011 BE dan HEF 4011 BP

3. Tegangan masukan pada pengganda tegangan adalah 5 Volt

4. Resistor beban dibatasi pada 4,7k, 20k, 39k, 56k, 82k. dan 100k

daya 0,5 Watt dengan asumsi untuk beban yang mempunyai impedansi input

tinggi antara 4,7k - 100k.

E. Tujuan Penelitian

Berdasarkan permasalahan di atas maka tujuan yang akan dicapai dalam

penelitian ini adalah :

1. Mengetahui tegangan keluaran dari pengganda tegangan DC menggunakan IC

TTL dan IC CMOS dalam kondisi berbeban.

2. Mengetahui besarnya penurunan tegangan keluaran antara pengganda

tegangan DC menggunakan IC TTL dan IC CMOS terhadap beban yang

dipasang.
F. Manfaat Penelitian

Manfaat dari penelitian komparasi perubahan tegangan dari pengganda

tegangan DC menggunakan IC TTl dan IC CMOS adalah :

1. Memberi wawasan baru bagi peneliti dan pembaca tentang pengganda tegangan

DC menggunakan IC TTL dan IC CMOS.

2. Mengetahui perbedaan penurunan tegangan antara pengganda tegangan DC

menggunakan IC TTL dan IC CMOS.

G. Sistematika skripsi

Skripsi ini dibagi menjadi tiga bagian yaitu bagian awal, bagian isi, dan

bagian akhir skripsi.

A. Bagian awal skripsi terdiri dari: halaman judul, halaman pengesahan, motto dan

persembahan, sari, kata pengantar, daftar isi, daftar gambar, daftar tabel, dan

daftar lampiran.

B. Bagian isi terdiri dari:

BAB 1 Pendahuluan, menyajikan latar belakang masalah, perumusan

masalah, penegasan istilah, tujuan penelitian, manfaat penelitian, dan

sistematika skripsi.

BAB 2 Landasan Teori, menyajikan tentang IC Digital, Teknologi bipolar,

Teknologi MOS, Rangkaian pengganda tegangan DC menggunakan

IC digital, kerangka berfikir, dan hipotesis.

 BAB 3 Metode Penelitian, pada bab ini menjelaskan mengenai populasi dan

sampel, variabel penelitian, prosedur penelitian dan teknik analisis

data.

BAB 4 Hasil Penelitian dan Pembahasan, menyajikan deskripsi data hasil

penelitian, analisis data, pembahasan, dan keterbatasan penelitian.

BAB 5 Penutup, berisi simpulan dan saran

C. Bagian akhir berisi daftar pustaka dan lampiran.

 BAB 2

LANDASAN TEORI

A. IC Digital

1. Tingkat Integrasi

Elemen-elemen logika termasuk gerbang-gerbang dan piranti-piranti memori

dikemas di dalam IC (integrated circuit). IC ini dikelompokkan menurut jumlah

gerbang atau elemen ekivalennya yang disebut famili. Famili-famili tersebut adalah :

(Ibrahim,2001:49)

a. Rangkaian terpadu skala kecil (Small Scale Iintegrated,SSI), sampai dengan 10

gerbang

b. Rangkaian terpadu skala menengah (Medium Scale Integrated,MSI), sampai

dengan 10-100 gerbang

c. Rangkaian terpadu skala besar (Large Scale Integrated,LSI), sampai dengan 100-

1.000 gerbang

d. Rangkaian terpadu skala sangat besar (Very Large Scale Integrated,VLSI),

sampai dengan 1.000-10.000 gerbang

e. Rangkaian terpadu skala super besar (Super Large Scale Integrated,SLSI),

sampai dengan 10.000-100.000 gerbang

Famili-famili di atas menunjukkan tingkat kepadatan dalam pengemasan

gerbang-gerbang tersebut dalam sebuah IC. Tingkat kepadatan tersebut berbanding

lurus dengan perpangkatan bilangan dasar 10 yaitu 10,100,1.000, dan seterusnya. SSI
dan MSI biasanya digunakan untuk elemen logika diskrit seperti gerbang, pencacah

dan register. LSI dan VLSI digunakan untuk memori chip. Mikroprosesor dan sistem

yang lengkap seperti pada single chip microcomputer.

2. Parameter Gerbang Logika

Seperti piranti-piranti yang lain, gerbang mempunyai parameter atau sifat dan

batasan yang menentukan jenis penggunaan dan aplikasi. Beberapa parameter

diantaranya:

a. Disipasi daya adalah daya yang dikonsumsi oleh suatu gerbang apabila gerbang

tersebut secara penuh digerakan oleh masukannya.

b. Fan in adalah cacah gerbang logika yang dapat dihubungkan ke masukan tanpa

menimbulkan penurunan tegangan

c. Fan out adalah cacah gerbang logika yang bisa dioperasikan oleh sebuah

gerbang tanpa menimbulkan penurunan tegangan pada gerbang tersebut.

d. Kecepatan dinyatakan sebagai waktu tunda yang dialami oleh pulsa masukan.

Waktu tunda disebut sebagai tunda propagasi yang merupakan selisih waktu

antara diberikannya pulsa masukan ke piranti logika dan perubahan keadaan

logika yang terjadi pada keluaran.

e. Kekebalan derau adalah tegangan derau maksimum yang diperbolehkan pada

masukan tanpa menyebabkan perubahan pada keluaran. Derau digunakan untuk

menunjukan pada semua isyarat yang tidak digunakan. Ada dua jenis kekebalan

derau yaitu kekebalan derau rendah jika masukan pada logika 0 dan kekebalan
 derau tinggi jika masukan pada logika 1. Masukan logika 1 lebih tahan terhadap

derau dibanding logika 0.(Ibrahim,2001:50)

Elemen logika mempunyai dua keadaan yaitu logika 0 dinyatakan sebagai

tegangan rendah biasanya 0 Volt dan logika 1 dinyatakan sebagai tegangan tinggi.

Tegangan yang digunakan untuk menyatakan logika 0 dan logika 1 tergantung pada

teknologi yang digunakan.

Logika 1 Logika 1
V OH (min)
V NH =V OH(m in) -V IH(m in)
Tegangan

Tegangan V IH(min) Tegangan

terlarang terlarang
V IL (max)
V NL =V IL(m ax) -V OL(m ax)
V OL(m ax)
Logika 0 Logika 0

(a) (b)
Gambar 1 Kekebalan derau logika
a. Syarat tegangan input b. Range tegangan output
(Sumber:Ibrahim,2001:51)

Pada gambar 1 suatu output logika berada pada keadaan 1 dan sedang

mengendalikan suatu input logika. Harga VNH merupakan besarnya tegangan derau

yang dapat ditolerir pada keadaan tinggi dan masih menjamin operasi yang reliabel.

Harga VNL merupakan besarnya tegangan derau yang dapat ditolerir pada keadaan

rendah dan masih menjamin operasi yang reliabel. Besarnya VNL danVNH tidak sama

besarnya. Ambang tegangan logika untuk bipolar (TTL) adalah :

Logika 1, ambang = 2 Volt (atau 2,4 V dengan batas derau sampai 0,4V)

Logika 0, ambang = 0,8 Volt (atau 0,4 V dengan batas derau sampai 0,4 V)
Ambang tegangan logika untuk MOS (CMOS)

Logika 1, ambang = 0,7 x tegangan VDD, Logika 0, ambang = 0,3 x tegangan VDD.

Teknologi logika dapat dikelompokan menjadi dua yaitu teknologi bipolar dan

teknologi MOS.(Ibrahim,2001:51)

B. Teknologi Bipolar

Teknologi bipolar merupakan teknologi yang memanfaatkan transistor dalam

pembuatannya. Keluarga rangkaian yang paling luas penggunaannya adalah keluarga

Transistor-Transistor Logic (TTL). TTL menggunakan transistor bipolar sehingga

termasuk dalam katagori logika bipolar.

1. Transistor Bipolar

Transistor adalah komponen aktif yang dipengaruhi oleh dua pembawa

muatan yaitu elekton dan hole (lubang). Ada dua jenis transistor yaitu transistor jenis

NPN dan jenis PNP. Transistor jenis PNP pembawa mayoritasnya adalah hole dan

pembawa minoritas adalah elektron sedangkan transistor jenis NPN pembawa

mayoritasnya adalah elektron dan pembawa minoritasnya adalah hole. Transistor

memiliki tiga terminal yaitu emiter (E), basis (B), dan kolektor (C) yang memiliki

kadar ketidakmurnian berbeda-beda.

- Emiter merupakan bagian yang dibuat lebar yang mengandung tak murnian

tinggi agar diperoleh banyak pembawa muatan mayoritas untuk disuntikan

kedalam basis.

- Basis merupakan bagian yang dibuat sempit yang mengandung tak murnian

berkadar rendah. Bertugas meneruskan sebagian besar pembawa muatan

 mayoritas yang disuntikan emiter kepada kolektor. Basis sebagai penghubung

antara emiter dan kolektor.

- Kolektor merupakan bagian yang dibuat lebih lebar dari emiter tetapi dengan

kadar ketidakmurnian yang terletak diantara kadar-kadar ketidakmurnian dari

emiter dan basis. Kolektor merupakan daerah yang terbesar dari tiga daerah

transistor tersebut, karena harus menangani disipasi energi yang lebih besar dari

dua daerah lainnya.(Malvino,1986:123)

Transistor mempunyai dua persambungan (junction) yaitu antara emiter dan

basis dan antara basis dan kolektor, sehingga akan diperoleh berbagai mode

pengoperasian yang berbeda tergantung pada kondisi bias (maju atau balik) tiap-tiap

persambungan. Pada operasi normal sambungan basis-emiter diberi forward bias

(prategangan maju) sedangkan sambungan basis-kolektor diberi reverse bias

(prategangan balik).

VEE VEE VCC

VCC

(a) (b)
Gambar 2 Pemberian bias pada transistor
a. Kedua dioda diberi bias maju
b. Dioda emiter diberi bias maju dan dioda kolektor diberi bias balik
(Sumber:Malvino,1986:125)

Pada gambar 2.a sambungan basis-emiter mendapat bias maju, sedangkan

sambungan basis-kolektor mendapat bias maju sehingga masing-masing dioda dialiri

arus yang besar. Pada gambar 2.b sambungan basis-emiter mendapat bias maju,

sedangkan sambungan basis-kolektor mendapat bias balik dan transistor akan bekerja.

2. Transistor Sebagai Saklar

Transistor sebagai saklar dapat digunakan dalam dua cara yaitu mode jenuh

(saturation) dan mode tak jenuh. Dalam mode jenuh transistor berfungsi sebagai

saklar yang tertutup pada saat sambungan basis-emiter diberi tegangan maju seperti

gambar 3.a. Pada saat transistor dalam keadaan jenuh maka tegangan kolektor-emiter

VC-E(jenuh) adalah 0,1-0,2 Volt dan transistor sebagai piranti hubung singkat semu.

Dalam mode tak jenuh maka transistor berfungsi sebagai saklar yang terbuka. Pada

saat sambungan basis-emiter diberi tegangan balik arus kolektor tidak mengalir

kecuali arus bocor. Pada saat mode tak jenuh tegangan kolektor-emiter VC-E akan

sebesar tegangan catu (VCC). (Ibrahim,2001:51)

+Vcc +Vcc

R2 R2

Q1 Q1
Input +V Vce = 0,2 V Input 0 V Vce = 5 V
R1 R1

(a) (b)
Gambar 3 Transistor Sebagai Saklar
(a) Transistor jenuh (b) Transistor tak jenuh
(Sumber:Ibrahim,2001:52)
 Mode jenuh akan mengalami gangguan jika tunda propagasinya panjang.

Gambar 4 menunjukan tanggapan tegangan keluaran kolektor VC-E suatu transistor

terhadap gelombang pulsa masukan ideal.

Input pulsa

Out put pulsa

ton toff

Gambar 4 Tunda Propagasi

(Sumber:Ibrahim,2001:52)

Dari gambar 4 dapat dilihat bahwa tegangan keluaran tidak langsung

memberikan tanggapan terhadap gelombang masukan tetapi akan tampak adanya

waktu tunda atau tunda propagasi. Ada dua jenis tunda propagasi pada transistor yaitu

tunda propagasi rendah ke tinggi (ton) akan tampak jika masukan positif step

mengubah cut off transistor menjadi on sehingga menghasilkan keluaran negatif step

seperti pada gambar 4 tunda propagasi dari tinggi ke rendah (toff) akan mulai jika

transistor jenuh dimatikan. Nilai toff lebih besar dibandingkan ton karena transistor

jenuh memerlukan waktu yang lebih lama untuk mencapai cut off dibandingkan

transistor on mencapai keadaan jenuh. Waktu tunda ini akan memperlambat waktu

pensaklaran. Ada beberapa cara untuk mempertinggi kecepatan pensaklaran yaitu:

(Ibrahim,2001:53)

1. Pemasangan kapasitor pemercepat dapat dihubungkan paralel dengan resistor

basis, seperti pada gambar 5.

 +Vcc

R2
Cs

Input pulse Q1
R1

Gambar 5 Penggunaan kapasitor pemercepat CS

(Sumber:Ibrahim,2001:53)

2. Pemasangan dioda penjepit (clamping diode) D1 dipasang antara terminal basis

dan kolektor seperti gambar 6. Pada saat transistor jenuh tegangan kolektor VC-

E(jenuh) = 0,2 Volt lebih kecil dibandingan tegangan dasar 0,7 Volt. Jika hal ini

terjadi D1 akan mengambil arus dari basis dan mencegah transistor agar tidak

jenuh.

+Vcc

R2

D1

Input pulse Q1
R1

Gambar 6 Penggunaan dioda pemercepat

(Sumber:Ibrahim,2001:54)

3. Memperkecil pengaruh stray capasitance Cs. Efek Cs dapat dikurangi dengan

memperbaiki tata letak dan miniaturisasi yang merupakan hal penting dalam

pengemasan IC. Efek stray capasitance dapat dikurang dengan menggunakan

totem pole arrangement seperti pada gambar 7.

 +Vcc
on
Q2
Charging current
off
R1
Input pulse Q1 Cs

Gambar 7 Rangkaian totem pole

(Sumber:Ibrahim,2001:55)

3. Rangkaian Gerbang Digital Bipolar

Keluarga rangkaian logika yang paling luas penggunaannya adalah keluarga

Transistor-Trasitor Logic (TTL). Gambar 8 menujukan gerbang NAND TTL dasar

yang menggunakan transistor emiter jamak Q1 pada masukannya. Jika semua

masukannya tinggi (+5Volt) maka kedua junction emiter-basis dari Q1 akan reverse

bias, tetapi junction kolektor-basis Q1 akan forward bias. Arus konvensional akan

mengalir kedalam basis Q2 dan membuat Q2 on. Q2 on akan mentanahkan kolektornya

dan menyebabkan keluaran pada keadaan rendah (logika 0). Sebaliknya jika salah

satu masukannya berlogika 0, maka salah satu junction basis-emiter Q1 forward bias

akan membuat Q1 on dan memaksa kolektor (dan basis Q2) turun sampai 0 Volt. Hal

ini menyebabkan Q2 off dan memberikan keluaran tinggi.

+ 5 Volt

R1 R2
Q1
IN PUT
A OUT PUT
B
Q2

Gambar 8 Untai TTL dasar

(Sumber:Ibrahim,2001:56)
 Gerbang TTL dasar tidak digunakan oleh pabrik karena kecepatan operasinya

lambat dan kemampuan fan outnya kecil. Pabrik IC menggunakan gerbang NAND

TTL standar yang memanfaatkan tingkat keluaran sebagai tambahan pada untai dasar

(susunan totem pole).

+ 5 Volt

R1 R2 R4
4k 1,6 k 130
Q1
IN PUT
A Q3
B
Q2
D

OUT PUT

Q4

R3
1K

Gambar 9 Gerbang NAND TTL

(Sumber:Ibrahim,2001:57)

Prinsip kerja rangkain gambar 9 yaitu apabila input-input A dan B keduanya

pada tegangan tinggi maka kedua junction emiter-basis dari Q1 akan reverse bias,

tetapi junction kolektor-basis Q1 akan forward bias karena tegangan kolektor Q1

sebesar 1,4Volt. Arus akan mengalir menggunakan arus konvensional yaitu dari

sumber +5Volt melalui R1 dan junction kolektor-basis Q1 masuk ke basis Q2,

menjadikan Q2 on. Arus emiter dari Q2 membuat Q4 on sedangkan tegangan on yang

rendah pada kolektor Q2 menjadikan Q3 off. Q4 dalam keadaan on maka tegangan

pada output X akan sangat rendah. Jadi dengan kedua masukannya tinggi maka

keluarannya akan rendah. Apabila salah satu (atau keduanya) masukan berada pada
tegangan rendah maka salah satu dari junction emiter-basis akan forward bias. Arus

akan mengalir dari sumber +5 Volt lewat R1 masuk ke basis Q1 dan keluar dari emiter

yang sedang dipertahankan rendah. Arus kolektor Q1 jatuh ke 0, menyebabkan Q2 dan

Q4 off. Q2 off tegangan tinggi pada kolektornya akan menjadikan Q3 on. Q3 on

menghasilkan tegangan tinggi pada terminal output X, yang besarnya sekitar 3,6 Volt.

Jadi dengan salah satu (atau keduanya) masukan rendah maka keluarannya akan

tinggi.

4. Logika Sumbsr Arus dan Pemakai Arus

Keluarga-keluarga logika dapat dikatagorikan menurut bagaimana

mengalirnya arus di dalam rangkaian-rangkaian outputnya. Gambar 10 merupakan

ilistarsi perbedaan antara logika sumber arus dan logika penyerap arus.
+Vcc
+Vcc

2 2
LOW HIGH VOL
1 VOH 1

LOW HIGH
IIL
IIH

(a) (b)
Gambar 10 Ilistarsi perbedaan antara logika sumber arus dan logika penyerap arus
a. Logika sumber arus b. Logika penyerap arus

Gambar 10.a menujukan logika sumber arus (current sourcing logic) dimana

output gate 1 sedang mengumpan input gate 2 apabila output gate 1 berada pada

logika 1, maka output gate 1 mensuplay suatu arus IIH ke input gate 2. Dalam keadaan

output logika 1 hanya harus mensuplay arus yang sangat kecil IIL ke input gate 2.

Gambar 10.b menunjukkan logika penyerap arus (curren sinking logic), pada keadaan
logika 1 output hanya mensuplay arus yang sangat kecil IIH ke input gate 2. Dalam

keadaan logika 0 arus IIL mengalir dari input gate 2 kembali ke output gate 1. Dengan

kata lain gate 1 berfungsi sebagai suatu penyerap arus (curren sink).

C. Teknologi MOS

Teknologi MOS menggunakan MOSFET dalam pembuatanya. CMOS

merupakan komplemen P MOS dan N MOS dalam pembuatanya.

1. MOSFET

Pada prinsipnya konstruksi MOS (metal oxide semiconduktor) terdiri dari

elektroda logam, isolator oksida dan substrat semikonduktor yang disusun secara

berlapis, yang termasuk teknologi MOS adalah FET yang disebut MOSFET. Hampir

semua MOS digital IC seluruhnya dikonstruksikan dari MOSFET tanpa komponen-

komponen lainnya. Ada dua tipe MOSFET yaitu N MOS dan P MOS. Tipe N MOS

mempunyai kanal tipe N sedangkan P MOS mempunyai kanal tipe P. Kedua tipe

tersebut dapat digunakan untuk membentuk gerbang-gerbang logika, tetapi N MOS

lebih banyak dipilih karena mempunyai pensaklaran yang lebih cepat dibandingkan

dengan P MOS. Susunan yang paling populer adalah complementery MOS (CMOS)

yang mengkomplemenkan piranti P MOS dan N MOS. Ada dua jenis MOSFET yaitu

Depletion MOSFET (D MOSFET) dan Enhancement MOSFET (E MOSFET). D

MOSFET dapat beroperasi pada mode depletion dan enhancement, sedangkan E

MOSFET hanya beroperasi pada mode enhancement. Gambar 11 memperlihatkan

konstruksi MOSFET, dalam gambar D MOSFET mempunyai kanal fisik antara

terminal source dan drain, sedangkan E MOSFET tidak memiliki kanal karena kanal

terbentuk bergantung pada tegangan gate.

D ra in D ra in

n n
M e tal M e ta l

G a te G a te p S u bs tra t
p S u b s tra t
S iO 2 S iO 2

n n

S o u rc e S o u rce

(a) (b)
Gambar 11 Konstruksi MOSFET
(a) D MOSFET (b) E MOSFET
(Sumber:Widodo,2002:82)

Fondasi MOSFET adalah substrat yang terhubung secara internal dengan

terminal source. Pada gambar 11 terlihat bahwa MOSFET kanal N mempunyai

substrat bahan P sedangkan MOSFET kanal P mempunyai substrat bahan N. Pada

simbol MOSFET tanda panah diletakkan di substrat, tanda panah yang menunjuk ke

dalam menyatakan kanal N sedangkan yang menunjuk ke luar adalah kanal P.

(Widodo,2002:81)
D D

G G
S S
(a) (b)
Gambar 12 Simbol MOSFET
(a)Simbol D MOSFET (b) Simbol E MOSFET
(Sumber:Widodo,2002:82)
a. Depletion MOSFET (D MOSFET)

D MOSFET dapat bekerja dalam mode depletion dan mode enhancement.

Gambar 13 menunjukan operasi D MOSFET dengan konstruksi yang disederhanakan.

Jika VGS=0Volt (gate dan source dihubung singkat), maka nilai ID=IDSS. Jika VGS

negatif maka diinduksikan muatan positif ke dalam kanal tipe N melewati SiO2 dari

kapasitor gate. Arus yang melewati kanal adalah pembawa mayoritas (elektron untuk

bahan tipe N), muatan positif induksi ini akan berekombinasi dengan pembawa

mayoritas sehingga pembawa mayoritas berkurang. Hal ini menyebabkan lebar kanal

berkurang dan resistansi kanal bertambah dan nilai ID akan lebih kecil daripada IDSS.

Jika VGS positif maka akan diinduksikan muatan negatif sehingga konduktivitas kanal

bertambah (resistansi kanal berkurang) dan nilai ID lebih besar dari pada IDSS. Mode

operasi ini disebut mode enhancement. Jika VGS positif lubang-lubang pada substrat

tipe P ditolak sedangkan elektron-elektron bidang konduksi sebagai pembawa

minoritas disubstrat ditarik ke kanal sehingga lebar kanal menjadi besar dan ID>>

IDSS.

D D D
n n n
K anal
K anal K anal
G p G p G p
+ + +
- - -
- D e p le s i +
+ - n
n n

S S S

(a) (b) (c)

Gambar 13 Operasi D MOSFET
(a) Keadaan kanal pada VGS = 0Volt
(b) Keadaan kanal jika VGS negatif
(b) Keadaan kanal jika VGS positif
(Sumber:Widodo,2002:83)
b. Enhancement MOSFET (E MOSFET)

E MOSFET hanya dapat beroperasi dalam mode enhancement, maka

tegangan gate harus positif terhadap source. Pada saat VGS=0Volt, maka tidak ada

kanal yang menghubungkan source dan drain. Ketika VGS positif, maka lubang-

lubang bidang valensi pada substrat ditolak dan elektron-elektron pembawa minoritas

pada substrat tipe P ditarik ke arah gate dan kanal N antara source dan drain. Jika

nilai VGS diperbesar maka kanal menjadi lebih lebar dan ID bertambah. Sebaliknya

jika VGS diperkecil maka kanal menjadi sempit dan arus drain berkurang. Tegangan

VGS minimum untuk membuat E MOSFET menghantar disebut tegangan ambang

(threshold) VGS(th). (Widodo,2002:87)

D Deplesi D
n+ n+
--
---
G p
Subtrat + G --- p
Subtrat +
Vds ---- Vds
- ---- -
Vgs = 0V Vgs> 0V ----
n+ n+

S S

(a) (b)
Gambar 14 Operasi E MOSFET
a. Oprasi E MOSFET dengan VGS=0Volt
b. Oprasi E MOSFET dengan VGS positif
(Sumber:Widodo,2002:86)
2. Switch Analog MOS

Gagasan yang ada dibalik switch analog adalah hanya mempergunakan dua

titik pada garis beban yaitu titik putus atau titik jenuh. Secara ideal MOS bekerja

sebagai switch yang tertutup bila dalam keadaan jenuh dan sebagai switch yang

terbuka bila dalam keadaan terputus.

MOS bekerja sebagai switch dengan cara memberikan tegangan VGS.

Pemberian tegangan VGS akan mengontrol nilai rds(on) yang akan mempengaruhi

tegangan keluaran, sehingga keluaran dapat diubah secara kontinyu antara tegangan

minimum dan maksimum.

+ VDD
+ VDD

RD Q1

V out V out
Q1 Q2
Vin Vin

(a) (b)
Gambar 15 Penggerak MOSFET
(a) Beban pasif (b) Beban aktif
(Sumber:Malvino,1986:370)

Gambar 15.a memperlihatkan sebuah penggerak MOSFET dan beban pasif

(tahanan RD). Dalam rangkaian switch ini, Vin adalah rendah atau tinggi dan

MOSFET akan bekerja sebagai switch yang tersambung atau putus. Apabila Vin

rendah, MOSFET itu putus dan Vout sama dengan tegangan catu daya, sedangkan

untuk Vin yang tinggi MOSFET menghantar dan Vout menjadi rendah.
 Gambar 15.b memperlihatkan penggerak MOSFET dengan beban aktif. Q2

sebagai switch sedangkan Q1 sebagai beban aktif. Apabila Vin rendah, Q2 putus dan

Vout sama dengan tegangan catu daya, sedangkan untuk Vin yang tinggi Q2

menghantar dan Vout menjadi rendah. (Malvino,1986:370-371)

3. Rangkaian Gerbang Digital MOS

Rangkaian-rangkaian digital yang menggunakan MOSFET dibagi menjadi

tiga kategori yaitu P MOS yang hanya menggunakan P kanal enhancement MOSFET,

N MOS yang hanya mengguakan N kanal enhancement MOSFET dan CMOS yang

menggunakan kedua-duanya N dan P kanal. Gambar 15 merupakan gerbang NAND

CMOS. Cara kerjanya adalah sebagai berikut jika A rendah Q1 menyala (dan Q4

mati), dan menyebabkan keluaran mempunyai tegangan sama dengan tegangan catu

VDD (logika 1). Demikian juga halnya jika B rendah, Q2 menyala dan keluarannya

tinggi. Jika A dan B keduanya tinggi Q3 dan Q4 akan menyala, dan menyebabkan

keluarannya bernilai logika 0 sehingga keluarannya merupakan fungsi NAND.

+VDD(5 V)
Input Q1 Q2
S S
A

D
B D Output (AB)
Q3

S
D
Q4

Gambar 16 Gerbang NAND CMOS

(Sumber:Ibrahim,2001:63)
D. Rangkaian Pengganda Tegangan DC menggunakan IC Digital

Multivibrator Buffer Pengganda Keluaran

Tegangan (out put)

Catu
Daya

Gambar 17 Diagram blok rangkaian pengganda tegangan DC

1. Catu Daya

Catu daya adalah sirkuit yang dikhususkan untuk mengubah arus listrik AC

menjadi arus DC, dan dalam teknik elektonika hal ini sangat diperlukan untuk

menghidupkan perlengkapan yang memerlukan arus DC stabil. Catu daya yang di

pakai pada rangkaian ini adalah catu daya dengan tegangan 5 Volt yang diregulasikan

dengan IC regulator 7805.

7805 5 Volt
D1 D2

AC
C1 C2

D3 D4

Gambar 18 Catu daya teregulasi 5 Volt

(Sumber:Wasito,1995:36)
2. Multivibrator

Multivibrator merupakan suatu rangkaian regeneratif dengan dua buah piranti

aktif yang dirancang sedemikian hingga salah satu piranti bersifat menghantar dan

pada saat piranti lain terpancung. Multivibrator yang digunakan adalah multivibrator

dengan menggunakan gerbang NAND dari IC TTL atau IC CMOS sebagai

komponen utama. Fungsi multivibrator untuk merubah tegangan DC menjadi

tegangan bolak balik yang berupa pulsa-pulsa segi empat. Cara kerja dari

multivibrator dengan prinsip pengisian dan pengosongan kapasitor. Gerbang NAND

(N1 dan N2) keluaran akan tinggi (5V) jika semua inputnya rendah (0V) dan keluaran

akan rendah (0V) jika semua inputnya tinggi. Saat keluaran N1 tinggi maka C1

membuang muatannya sehingga input N2 tinggi dan kaluaran N2 rendah. Keluaran N2

rendah maka C2 mengisi muatannya sehingga input N1 rendah. Setelah C2 mengisi

muatan sampai penuh kemudian C2 akan membuang muatannya yang menyebabkan

input N1 tinggi dan keluaran N1 rendah. Keluaran N1 rendah akan menyebabkan C1

mengisi muatan sehingga input N2 rendah dan keluaran N2 tinggi dan C2 membuang

muatannya, setelah C1 mengisi muatan sampai penuh kemudian C1 membuang

muatannya sehingga input N2 tinggi dan keluaran N2 rendah begitu seterusnya

berulang-ulang sehingga keluaran dari multivibrator berupa pulsa segi empat dengan

besarnya frekuensi tergantung pada nilai C1, C2, R1 dan R2.

N1
C1 K eluaran

C2
N2

R1 R2

Gambar 19 Rangkaian Multivibrator

(Sumber:Elektuur,1997:91)
3. Buffer

Buffer adalah suatu rangkaian yang berfungsi untuk mengisolasi suatu tingkat

penguat dari tingkat penguat berikutnya, dan juga untuk mengisolasi dari tahanan

bebannya. Rangkaian buffer ini berfungsi untuk menghasilkan pulsa segi empat yang

berlawanan keluarannya ketika input N1 rendah maka output N1 akan tinggi dan

output N2 akan rendah begitu sebaliknya sehingga N1 merupakan invers dari N2.

N
N4
2

Masukan Keluaran
N1

Gambar 20 Rangkaian Buffer

(Sumber:Elektuur,1997:91)
4. Pengganda Tegangan

Pengganda tegangan yang digunakan adalah pengganda tegangan DC

menggunakan IC TTL dan pengganda tegangan DC menggunakan IC CMOS Dalam

skripsi ini menggunakan pengganda tegangan gelombang penuh, tegangan searah

diubah menjadi tegangan bolak balik oleh rangkaian multivibrator. Cara kerja dari

rangkaian pengganda tegangan. Gambar 21 adalah ketika keluaran dari N1 rendah

maka C1 akan mengisi muatan melalui D4 sedangkan C2 akan membuang muatannya

melalui D2 menuju C4 sehingga tegangan pada C4 merupakan jumlah dari tegangan

VC2 (tegangan pada C2) dan tegangan +5Volt yang melalui D1. Tegangan pada C4

merupakan tegangan keluaran pengganda tegangan. Sebaliknya ketika keluaran N1

tinggi maka C1 akan membuang muatannya melalui D3 menuju C4 sedangkan C2 akan

mengisi muatannya melalui D1 sehingga tegangan keluaran merupakan jumlah dari

tegangan VC1 (tegangan pada C1) dan tegangan +5Volt yang melalui D4.

C2 +5Volt
N
N42
1,5uF/6V

D4 D1
C1 D1 - D4 = IN4148
N1
1,5uF/6V
D3 D2

R1
1 ohm C4
1,5uF/16V V Out
C3
100 nF

Gambar 21 Rangkaian Pengganda Tegangan DC menggunakan IC

(Sumber:Elektuur,1997:91)

E. Kerangka Berfikir

Dalam penelitian ini mengambil judul Komparasi penurunan tegangan antara

pengganda tegangan DC menggunakan IC TTL dan IC CMOS. Tegangan DC

merupakan sumber tegangan yang banyak digunakan dalam rangkaian elektronika,

oleh karena itu pemakaian tegangan DC sangat diperlukan. Apabila mempunyai

tegangan DC yang kecil (misal 5Volt) sedangkan membutuhkan tegangan DC 10Volt

maka tegangan DC ini tidak dapat mensuplay tegangan pada rangkaian sehingga

diperlukan catu tegangan DC yang lain.

 Seiring dengan perkembangan teknologi maka diperlukan rangkaian yang

dapat menghasilkan tegangan dua kali tegangan masukan yaitu rangkaian pengganda

tegangan DC. Pengganda tegangan DC dalam penelitian ini menggunakan IC digital

yaitu IC TTL dan IC CMOS, kedua IC tersebut memiliki teknologi pembuatan yang

berbeda. IC TTL menggunakan transistor dalam pembuatannya dan bekerja

berdasarkan arus. IC CMOS menggunakan komplemen P MOS dan N MOS dalam

pembuatannya dan bekerja berdasarkan tegangan. IC TTL memerlukan arus 1,6 mA

untuk menjaga tegangan pada logika 0 dan 40 A pada logika 1. IC CMOS pada

masukannya mengambil arus yang kecil baik pada logika 0 dan logika 1. Berdasarkan

argumentasi tersebut akan diteliti perbedaan penurunan tegangan antara pengganda

tegangan DC menggunakan IC TTL dan IC CMOS.

F. Hipotesis

Dalam penelitian ini menggunakan hipotesa kerja (Ha) dan hipotesa nihil (Ho)

untuk menarik kesimpulan. Hipotesa penelitian ini adalah :

1 Hipotesa kerja (Ha) adalah ada perbedaan penurunan tegangan antara

pengganda tegangan DC menggunakan IC TTL dan IC CMOS.

2. Hipotesa nihil (Ho) tidak ada perbedaan penurunan tegangan antara pengganda

tegangan DC menggunakan IC TTL dan IC CMOS.

 BAB 3

METODE PENELITIAN

A. Populasai Dan Sampel

1. Populasi

Populasi adalah wilayah generalisasi yang terdiri atas obyek atau subyek yang

mempunyai kuantintas dan karaktristik tertentu yang ditetapkan oleh peneliti untuk

dipelajari dan kemudian ditarik kesimpulannya. Jadi populasi bukan hanya orang

tetapi juga benda-benda alam yang lain. Populasi juga bukan sekedar jumlah yang ada

pada obyek atau subyek yang dipelajari tetapi meliputi seluruh karaktristik atau sifat

yang dimiliki oleh obyek atau subyek itu. (Sugiyono,1997:59)

Populasi yang dimaksud dalam penelitian ini adalah rangkaian pengganda

tegangan DC dengan IC.

2. Sampel

Sampel adalah sebagian jumlah dan karaktristik yang dimiliki oleh populasi

tersebut. Sampel yang diambil dari populasi harus betul-betul representatif

(mewakili). (Sugiyono,1997:60)

Penentuan sampel yang akan digunakan dalam penelitian menggunakan

teknik purposive sampling. Purposive sampling merupakan pemilihan sekelompok

subyek didasarkan atas ciri-ciri atau sifat-sifat tertentu yang dipandang mempunyai

sangkut paut yang erat dengan ciri-ciri atau sifat-sifat populasi yang sudah diketahui

sebelumnya untuk mencapai tujuan-tujuan tertentu. (Hadi,1997:82)

 Sampel pada penelitian ini adalah rangkaian pengganda tegangan DC

menggunakan IC TTL dan rangkaian pengganda tegangan DC menggunakan IC

CMOS. IC TTL dari type DM 7400, SN 74LS00, SN 74HC00 dan IC CMOS dari

type NJU 4011 BD, CD 4011 BE, dan HEF 4011 BP. Hal ini dikarenakan IC tersebut

mudah dicari dan ada dipasaran.

B. Varibel Penelitian

Variabel merupakan gejala yang menjadi fokus peneliti untuk diamati.

Variabel itu sebagai atribut dari sekelompok orang atau obyek yang mempunyai

variasi antara satu dengan yang lainnya dalam kelompok itu. Dalam penelitian ini

terdapat variabel penelitian yaitu :

1. Variabel Bebas

Variabel bebas adalah variabel yang menjadi sebab timbulnya atau

berubahnya variabel terikat. Jadi variabel bebas merupakan variabel yang

mempengaruhi disebut juga variabel stimulus, input, predikator, dan antecedent.

(Sugiyono,1997:3)

Dalam penelitian ini variabel bebas adalah rangkaian pengganda tegangan DC

menggunakan IC TTL type DM 7400, SN 74LS00 dan SN 74HC00 dan rangkaian

pengganda tegangan DC menggunakan IC CMOS type NJU 4011 BD, CD 4011 BE

dan HEF 4011BP.

2. Variabel Terikat

Variabel terikat merupakan variabel yang dipengaruhi atau menjadi akibat

karena adanya varibel bebas. Variabel terikat sering disebut sebagai variabel respon,

output, kriteria, dan konsekuen. Variavel bebas dan variabel terikat masing-masing

tidak dapat berdiri sendiri tetapi selalu berpasangan. (Sugiyono,1997:3)

Dalam penelitian ini variabel terikatnya adalah penurunan tegangan keluaran

pada rangkaian pengganda tegangan DC menggunakan IC TTL dan IC CMOS.

3. Variabel Kontrol

Variabel kontrol merupakan variabel yang dikendalikan atau dibuat konstan,

sehingga tidak akan mempengaruhi variabel utama yang diteliti. Variabel kontrol

ditetapkan oleh peneliti bila peneliti akan melakukan penelitian terutama dengan

menggunakan metoda yang bersifat membuat perbandingan. (Sugiyono,1997:4)

Adapun variabel kontrol pada penelitian ini adalah tegangan masukan dan

hambatan beban.
 Hubungan antara variable dilukiskan pada gambar 22.

X1 Y1

X2 Y2

Gambar 22. Paradigma Ganda Dua Variabel Bebas

(Sumber:Sugiyono,1997:5)

Dengan :
X1 = Pengganda tegangan dengan IC TTL

X2 = Pengganda tegangan dengan IC CMOS

Y1 = Penurunan tegangan pada IC TTL

Y2 = Penurunan tegangan pada IC CMOS

C. Prosedur Penelitian

Penelitian ini menggunakan cara eksperimen, dalam eksperimen peneliti

sengaja membangkitkan timbulnya suatu kejadian atau keadaan, kemudian diteliti

bagaimana akibatnya. Dengan kata lain eksperimen adalah suatu cara mencari

hubungan sebab akibat antara dua faktor yang sengaja ditimbulkan oleh peneliti

dengan mengeliminasi atau mengurangi faktor-faktor yang bisa mengganggu.

Penelitian ini dilakukan melalui tahapan-tahapan sebagai berikut: (Arikunto,1998:4)

1. Persiapan Eksperimen.

Persiapan eksperimen dilakukan dengan menyediakan komponen-komponen dan

peralatan yang diperlukan dalam penelitian, serta memberikan perlakuan sama

terhadap unit-unit eksperimen.

2. Pelaksanaan Eksperimen

Pelaksanaan eksperimen dilakukan dengan cara membuat jalur rangkaian pada

PCB, pelarutan PCB, pengeboran PCB, memasang komponen dan konektor-konektor

yang diperlukan serta pengepakan dalam box. Setelah selesai, dilakukan pengecekan

dengan mengukur tegangan keluaran dan penurunan tegangannya yang dilakukan

pengulangan 10 kali untuk diambil datanya. Pengambilan Data yaitu suatu cara

untuk memperoleh bahan-bahan keterangan yang benar sehingga dapat

dipertanggungjawabkan. Pengambilan data dilakukan dengan mengukur penurunan

tegangan keluaran dan tegangan keluaran pada rangkaian pengganda tegangan DC

menggunakan IC Digital. Metode pengambilan data yang digunakan untuk

mengumpulkan data dalam peneliltian ini adalah metode observasi. Metode observasi

merupakan kegiatan pemusatan perhatian terhadap suatu objek dengan menggunakan

seluruh alat indera. Observasi sebagai metode pengambilan data dalam penelitian ini

merupakan tindakan pengamatan dan pencatatan secara langsung terhadap semua

kejadian yang timbul pada saat pengukuran dilakukan.

Langkah-langkah pengambilan data yaitu:

a. Alat dan Bahan

1) Multimeter digital HIOKI 3200 (2 buah)

2) Rangkaian pengganda tegangan DC menggunakan IC TTL seperti pada lampiran

3) Rangkaian pengganda tegangan DC menggunakan IC CMOS seperti pada

lampiran 2
4) Kabel penghubung

5) Resistor beban yang digunakan yaitu 4,7 k, 20 k, 39 k, 56 k, 82 k, dan

100 k.

b. Pengukuran

Alat ukur yang digunakan dalam pengukuran adalah multimeter digital

HIOKI yang digunakan untuk mengukur penurunan tegangan dan tegangan keluaran,

cara pengoprasian alat tersebut sebagai berikut:

1) Mengukur penurunan tegangan

- Saklar pemilih diputar pada posisi A.

- Kabel pengukur hitam ditempatkan pada terminal negatif (com) dan kabel

pengukur merah ditempatkan pada terminal pengukur A.

- Memilih kedudukan alat ukur arus DC dengan menekan tombol AC/DC.

- Memilih range alat ukur dengan menekan tombol range

2) Mengukur tegangan keluaran

- Saklar pemilih diputar pada posisi V.

- Kabel pengukur hitam ditempatkan pada terminal negatif (com) dan kabel

pengukur merah ditempatkan pada terminal pengukur V.

- Memilih kedudukan alat ukur arus DC dengan menekan tombol AC/DC.

- Memilih range alat ukur dengan menekan tombol range.

3) Langkah-langkah penelitian

- Masukan jenis IC TTL pada soket IC ke 1

 - Susunlah rangkaian seperti lampiran 4

- Memasang multimeter digital HIOKI 3200 yang telah diatur pada posisi V-

DC, dengan range 20 Volt seperti pada lampiran 4.

- Memasang multimeter digital HIOKI 3200 yang telah diatur pada posisi mA

DC dengan range 20 mA seperti pada lampiran 4.

- Masukan konektor 1 pada lubang 1

- Catat hasil pengukuran dan memasukan ke dalam table pengukuran.

- Pindahkan konektor 1 ke lubang ke 2 catat hasil pengukuran.

- Ulangi langkah-langkah di atas dengan mengubah posisi konektor 1.

- Setelah selesai masukan jenis IC CMOS pada soket IC ke 2 ulangi langkah-

langkah diatas

Setelah data diperoleh kemudian data dianalisis untuk mengetahui ada

tidaknya perbedaan penurunan tegangan pada rangkaian pengganda tegangan DC

menggunakan IC TTL dan rangkaian pengganda tegangan DC menggunakan IC

CMOS, dengan menggunakan SPSS.

D. Teknik Analisis Data

Teknik analisis data digunakan untuk mengetahui ada tidaknya perbedaan

penurunan tegangan pada rangkaian pengganda tegangan DC menggunakan IC TTL

dan pengganda tegangan DC menggunakan IC CMOS berdasarkan sampel yang

diambil secara random. Sampel IC TTL yaitu DM 7400, SN 74LS00, dan SN

74HC00, sedangkan sampel IC CMOS yaitu NJU 4011 BD, CD 4011 BE, dan HEF

4011 BP. Pengujian perbedaan k sempel tersebut menggunakan Uji Krusal-Wallis,

setelah diketahui adanya perbedaan maka dilakukan uji lanjut antar dua sampel

mengggunakan Uji Mann-Whitney.

1. Uji Normalitas

Uji Normalitas untuk mengetahuai distribusi kenormalan data penurunan

tegangan pada rangkaian pengganda tegangan DC menggunakan IC digital dilakukan

dengan menggunakan uji liliefors.

Langkah-langkah untuk mengujinya menggunakan prosedur sebagai berikut:

1). Pengamatan x1, x2,,x n dijadikan bilangan baku z1, z2, , z n dengan

menggunakan rumus zi = xi-x/s.

2). Untuk tiap bilangan baku ini menggunakn daftar distribusi normal baku,

kemudian dihitung peluang F (zi) = P(z < zi).

3). Hitung proporsi z1, z2, , z n yang lebih kecil atau sama dengan zi yang

dinyatakan dengan s(zi).

4). Hitung selisih F(zi) s(zi) kemudian tentukan harga mutlak.

5). Ambil harga yang paling besar diantara harga-harga mutlak selisih tersebut.

Sebutlah harga-harga terbesar ini Lo. Apabila Lo < L tabel maka data berdistribusi

normal.(Sudjana,2002:466-467)

2. Uji Hipotesa

a. Uji Kruskal-Wallis

Uji Kruskal-Wallis digunakan untuk membandingkan k sampel, apabila terjadi

perbedaan dalam analisis maka dilakukan uji lanjut menggunakan uji Mann-Whitney

(U) sebagai pengganti uji t. Uji Kruskal-Wallis dan uji Mann-Whaitney merupakan
tipe uji jumlah jenjang dan datanya berbentuk ordinal. Jika dalam pengamatan

ditemukan data berbentuk interval atau ratio maka perlu diubah dulu kedalam data

ordinal (data berbentuk rangking/peringkat dari yang terkecil sampai yang terbesar).

Rumus yang digunakan untuk menghitung yaitu (Sadyadharma,1999:89):

2
12 k
Ri
H=
N(N + 1) i=1 ni
3(N + 1) ...................................................................(1)

Dengan

ni = jumlah item dalam sampel yang ke i

i = 1,2,3,...k

N = jumlah seluruh item dalam seluruh sampel (yang dikombinasikan)

= n1+ n2 + n3 + n4 + .......+ nk

Ri = total jenjang dalam sampel yang ke i sesudah sampel dikombinasikan kedalam

suatu sampel besar dan semua item disusun dalam jenjang menurut besarnya.

Harga Hhitung selanjutnya dibandingkan dengan harga Htabel yang terdapat pada

tabel Chi kuadrat dengan dk = k-1 dan = 0,05. Hipotesa nol (Ho) akan ditolak jika

Hhitung > Htabel.

b. Uji Mann-Whitney (U)

Uji Mann-Whitney (U) sebagai pengganti uji t digunakan untuk

membandingkan 2 sampel dan datanya berbentuk ordinal. Terdapat dua rumus yang

digunakan untuk pengujian hipotesa yaitu rumus 2 dan rumus 3, kedua rumus

tersebut digunakan dalam perhitungan karena akan digunakan untuk mengetahui

harga U mana yang lebih kecil. Harga U yang lebih kecil merupakan harga Uhitung
yang digunakan untuk pengujian dan dibandingkan dengan Utabel. Rumus menghitung

jumlah peringkat yaitu(Sugiono,1997:150):

n1 (n1 + 1)
U 1 = n1 n2 + R1 .......... ...............................................................(2)
2
n (n + 1)
U 2 = n1 n 2 + 2 2 R2 .........................................................................(3)
2
Dengan

n1 = jumlah sampel 1

n2 = jumlah sampel 2

U1 = jumlah peringkat 1

U2 = jumlah peringkat 2

R1 = jumlah rangking pada sampel n1

R2 = jumlah rangking pada sampel n2

Setelah harga Uhitung diketahui maka kita membandingkan dengan harga Utabel

yang terdapat pada tabel harga kritis Mann-Whaitney dengan taraf kesalahan 5%

dengan n1 dan n2 sesuai yang digunakan.

 BAB 4
HASIL PENELITIAN DAN PEMBAHASAN

Pada bab ini, akan disajikan tentang deskripsi data yang diperoleh dari hasil

penelitian pengganda tegangan DC menggunakan IC TTL dan IC CMOS yang

dilakukan di Laboratorium Teknik Elektro Universitas Negeri Semarang serta analisis

data dan pembahasan hasil penelitian.

A. Deskripsi Data Hasil Penelitian

1. Pengganda Tegangan DC Menggunakan IC TTL

Pengukuran tegangan keluaran dan penurunan tegangan keluaran pada

pengganda tegangan DC menggunakan IC TTL didapatkan data-data hasil

pengukuran seperti pada lampiran 5. Hasil rata-rata pengukuran tegangan keluaran

dan penurunan tegangan keluaran pengganda tegangan DC dengan tiga type IC TTL,

pada tegangan masukan 5Volt terhadap resistor beban dapat dilihat dalam tabel 1.

Tabel 1. Hasil rata-rata pengukuran tegangan keluaran dan penurunan tegangan

pengganda tegangan DC menggunakan IC TTL

Type IC JENIS IC TTL

TTL R = 4,7 k R = 20 k R = 39 k R = 56 k R = 82 k R = 100 k
V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A)
DM 7400 7,269 1530 7,597 370 7,723 195,32 7,783 138,57 7,853 94,72 7,887 78,99
SN 74LS00 7,312 1540 7,60 370 7,72 195,4 7,81 139,1 8,01 96,7 8,10 81,2
SN 74HC00 8,79 1850 9,07 440 9,15 230 9,20 163,7 9,24 111,51 9,26 92,8
 Berdasarkan tabel 1 terlihat bahwa besarnya penurunan tegangan pada tiap-

tiap nilai hambatan antara type SN 74LS00 dan DM 7400 sedikit terdapat perbedaan

penurunan tegangan atau hampir sama. Pada R = 20 k besarnya penurunan

tegangan antara type SN 74LS00 dan DM 7400 sama yaitu 370 A.

2. Pengganda Tegangan DC Menggunakan IC CMOS

Pengukuran tegangan keluaran dan penurunan tegangan pada pengganda

tegangan DC menggunakan IC CMOS didapatkan data-data hasil pengukuran seperti

pada lampiran 6. Hasil rata-rata pengukuran tegangan keluaran dan penurunan

tegangan pada pengganda tegangan DC dengan tiga type IC CMOS pada tegangan

masukan 5Volt terhadap resistor beban dapat dilihat dalam tabel 2.

Tabel 2. Hasil rata-rata pengukuran tegangan keluaran dan penurunan tegangan

pengganda tegangan DC menggunakan IC CMOS

Type IC JENIS IC CMOS

CMOS R = 4,7 k R = 20 k R = 39 k R = 56 k R = 82 k R = 100 k
V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A)
NJU 4011 BD 8,149 1710 8,921 438 9,089 222 9,16 163,0 9,22 111,28 9,25 92,67
CD 4011 BE
7,380 1550 8,731 432 8,99 220 9,09 161,88 9,18 110,81 9,21 92,3
HEF 4011 BP
7,939 1670 8,87 430 9,06 220 9,14 162,69 9,21 111,12 9,24 92,5

Berdasarkan tabel 2 terlihat bahwa besarnya penurunan tegangan pada tiap-

tiap nilai hambatan pada ketiga type IC CMOS tersebut sedikit terdapat perbedaan

penurunan tegangan atau hampir sama. Pada R = 39 k besarnya penurunan

tegangan antara type CD 4011 BE dan HEF 4011BP sama yaitu 220 A.
B. Analisis Data

Analisis data dalam penelitian ini digunakan untuk menguji hipotesis

yang menyatakan ada perbedaan penurunan tegangan antara pengganda tegangan

DC menggunakan IC TTL dan IC CMOS. Uji hipotesis ini menggunakan Uji

Kruskall-Wallis dilanjutkan Uji Mann-Whitney.

1. Uji Normalitas

Uji normalitas digunakan untuk mengetahui apakah data berdistribusi normal

atau tidak, hipotesis yang diajukan adalah:

Ho : Data berdisrtibusi normal

Ha : Data tidak berdistribusi normal.

Dasar pengambilan keputusan yaitu dengan melihat angka probabilitas,

dengan ketentuan:
- Probabilitas > 0,05 maka Ho diterima

- Probabilitas < 0,05 maka Ho ditolak (Santoso,2001:97)

Dengan melihat tabel 3 uji normalitas nilai pada kolom Statistic merupakan

nilai Lo sedangkan besarnya Ltabel pada = 0,05 n = 30 adalah 0,161. Lo>Ltabel maka

Ho ditolak dan Ha diterima atau melihat nilai pada kolom Sig terlihat besarnya Sig

(taraf signifikan 0.000) kurang dari 0,05 maka Ho ditolak dan Ha diterima.

Kesimpulannya bahwa data penelitian penurunan tegangan DC menggunakan IC TTL

dan IC CMOS tidak berdistribusi normal. Data tidak berdistribusi normal maka uji

ANAVA tidak berlaku sebagai penggantinya yaitu uji Kruskal -Wallis.

2. Uji Kruskal Wallis

Hasil uji Kruskall-Wallis menggunakan bantuan program SPSS release 10

dapat dilihat pada tabel 4 dengan data seperti pada lampiran 10.

Tabel 4. Uji Kruskal-Wallis

Test Statisticsa,b

Chi-Square df Asymp. Sig.

I pada R = 4,7 kohm 59.000 5 .000
I pada R = 20 kohm 54.280 5 .000
I pada R = 39 kohm 56.020 5 .000
I pada R = 56 kohm 58.615 5 .000
I pada R = 82 kohm 58.273 5 .000
I pada R = 100 kohm 58.748 5 .000
a. Kruskal Wallis Test
b. Grouping Variable: Type

Pada tabel 4 di atas dengan melihat angka probabilitas dengan ketentuan

bahwa angka pada kolom Asymp. Sig yaitu 0,000 yang jauh dibawah 0,05 maka Ho

yang berbunyi tidak terdapat perbedaan penurunan tegangan DC menggunakan IC

TTL dan IC CMOS ditolak, hal ini berarti ada perbedaan penurunan tegangan antara

IC TTL dan IC CMOS, untuk mengetahui letak perbedaan tersebut maka digunakan

uji lanjut yaitu uji Mann-Whitney yang membandingkan tiap 2

sampel.(Santoso,2001:178)

3. Uji Mann - Whitney

Uji Mann-Whitney sebagai uji lanjut dari uji Kruskal-Wallis untuk

mengetahui letak perbedaan penurunan tegangan DC antara IC TTL dan IC CMOS.

Pada lampiran 11 merupakan uji Mann-Whitney antara IC TTL dan IC CMOS,

dengan melihat nilai dalam kolom Asymp. Sig. Terlihat bahwa dalam kolom Asymp.

Sig. nilainya dibawah 0,05 maka Ho ditolak. Kesimpulannya yaitu ada perbadaan

penurunan tegangan antara IC TTL dan IC CMOS .

Tabel 5 sampai tabel 10 merupakan hasil rekapitulasi uji Mann-Whitney

untuk membandingkan dua type IC pada tiap-tiap beban (RL) dengan data seperti

pada lampiran 12 sampai lampiran 26.

Q1 = IC TTL Type DM 7400 Q4 = IC CMOS Type NJU 4011 BD

Q2 = IC TTL Type SN 74LS00 Q5 = IC CMOS Type CD 4011 BE

Q3 = IC TTL Type SN 74HC00 Q6 = IC CMOS Type HEF 4011 BP

Tabel 5. Uji Mann-Whitney untuk RL = 4,7 k

No Type U Z Signifikan Kriteria
1. Q1 Q2 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
2. Q1 Q3 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
3. Q1 Q4 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
4. Q1 Q5 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
5. Q1 Q6 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
6. Q2 Q3 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
7. Q2 Q4 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
8. Q2 Q5 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
9. Q2 Q6 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
10. Q3 Q4 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
11. Q3 Q5 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
12. Q3 Q6 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
13. Q4 Q5 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
14. Q4 Q6 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
15. Q5 Q6 0,000 -4,359 0,000 Berbeda

Dalam tabel 5 terlihat bahwa taraf signifikan 0,000 yang jauh dibawah 0,05.

Kesimpulannya yaitu untuk RL = 4,7 k terdapat perbedaan penurunan tegangan

antara IC TTL dengan IC TTL, IC CMOS dengan IC CMOS, maupun IC TTL

dengan IC CMOS. Perbedaan tersebut dapat dilihat dalam lampiran 7 bahwa untuk

RL = 4,7 k nilai rata-rata penurunan tegangan tiap type IC digital berbeda.

Tabel 6. Uji Mann-Whitney untuk RL = 20 k

No Type U Z Signifikan Kriteria
1. Q1 Q2 50,000 0,000 1,000 Tidak Berbeda
2. Q1 Q3 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
3. Q1 Q4 0,000 -4,194 0,000 Berbeda
4. Q1 Q5 0,000 -4,194 0,000 Berbeda
5. Q1 Q6 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
6. Q2 Q3 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
7. Q2 Q4 0,000 -4,194 0,000 Berbeda
8. Q2 Q5 0,000 -4,194 0,000 Berbeda
9. Q2 Q6 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
10. Q3 Q4 40,000 -1,453 0,146 Tidak Berbeda
11. Q3 Q5 10,000 -3,559 0,000 Berbeda
12. Q3 Q6 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
13. Q4 Q5 20,000 -2,615 0,009 Berbeda
14. Q4 Q6 10,000 -3,559 0,000 Berbeda
15. Q5 Q6 40,000 -1,453 0,146 Tidak Berbeda

Dalam tabel 6 terlihat bahwa taraf signifikan yang bervariasi untuk taraf

signifikan yang kurang dari 0,05 berarti terdapat perbedaan penurunan tegangan

antara dua type IC tersebut, sedangkan taraf signifikan yang lebih dari 0,05 berarti

tidak terdapat perbedaan yaitu:

- Perbandingan antara IC TTL type DM 7400 dengan SN 74LS00 pada RL = 20

k tidak terdapat perbedaan hal ini disebabkan karena nilai rata-rata penurunan

tegangan keluarannya sama yaitu 370 A, sehingga dapat diambil kesimpulan

bahwa untuk RL = 20 k antara IC TTL type DM 7400 dan SN 74LS00 tidak

terdapat perbedaan penurunan tegangan.

- Perbandingan antara IC TTL type SN 74HC00 dengan IC CMOS type NJU 4011

BD pada RL = 20 k tidak terdapat perbedaan walaupun nilainya berbeda yaitu

 440 A dan 438 A. Hal ini disebabkan karena kesalahan pengukuran dan

penggunaan beban yang berulang-ulang sehingga kualitas beban berkurang dan

menghasilkan keluaran yang sama.

- Perbandingan antara IC CMOS type CD 4011 BE dengan HEF 4011 BP pada RL

= 20 k tidak terdapat perbedaan walaupun nilainya berbeda yaitu 432 A dan

430 A.

Untuk taraf signifikan yang kurang dari 0,05 bahwa terdapat perbadaan

penurunan tegangan keluaran antara dua type IC. Hal ini dapat dilihat dalam lampiran

7 bahwa nilai rata-rata tiap type IC berbeda secara signifikan.

Tabel 7. Uji Mann-Whitney untuk RL = 39 k

No Type U Z Signifikan Kriteria
1. Q1 Q2 10,000 -3,559 0,000 Berbeda
2. Q1 Q3 0,000 -4,194 0,000 Berbeda
3. Q1 Q4 0,000 -4,047 0,000 Berbeda
4. Q1 Q5 0,000 -4,194 0,000 Berbeda
5. Q1 Q6 0,000 -4,194 0,000 Berbeda
6. Q2 Q3 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
7. Q2 Q4 0,000 -4,194 0,000 Berbeda
8. Q2 Q5 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
9. Q2 Q6 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
10. Q3 Q4 10,000 -3,559 0,000 Berbeda
11. Q3 Q5 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
12. Q3 Q6 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
13. Q4 Q5 40,000 -1,453 0,146 Tidak Berbeda
14. Q4 Q6 40,000 -1,453 0,146 Tidak Berbeda
15. Q5 Q6 50,000 0,000 1,000 Tidak Berbeda

Dalam tabel 7 terlihat bahwa taraf signifikan yang bervariasi untuk taraf

signifikan yang kurang dari 0,05 berarti terdapat perbedaan penurunan tegangan

antara dua type IC tersebut, sedangkan taraf signifikan yang lebih dari 0,05 berarti

tidak terdapat perbedaan yaitu:

- Perbandingan antara IC CMOS type NJU 4011 BD dengan CD 4011 BE pada

RL = 39 k tidak terdapat perbedaan walaupun nilainya berbeda yaitu 222 A

dan 220 A.

- Perbandingan antara IC CMOS type NJU 4011 BD dengan HEF 4011 BP pada

RL = 39 k tidak terdapat perbedaan walaupun nilainya berbeda yaitu 222 A

dan 220 A.

- Perbandingan antara IC CMOS type CD 4011 BE dengan HEF 4011 BP pada RL

= 39 k tidak terdapat ini dapat dilihat karena nilai rata-rata penurunan tegangan

keluaran untuk dua type IC tersebut sama yaitu 220 A.

Tabel 8. Uji Mann-Whitney untuk RL = 56 k

No Type U Z Signifikan Kriteria
1. Q1 Q2 0,000 -4,147 0,000 Berbeda
2. Q1 Q3 0,000 -4,147 0,000 Berbeda
3. Q1 Q4 0,000 -4,147 0,000 Berbeda
4. Q1 Q5 0,000 -4,004 0,000 Berbeda
5. Q1 Q6 0,000 -4,065 0,000 Berbeda
6. Q2 Q3 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
7. Q2 Q4 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
8. Q2 Q5 0,000 -4,194 0,000 Berbeda
9. Q2 Q6 0,000 -4,264 0,000 Berbeda
10. Q3 Q4 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
11. Q3 Q5 0,000 -4,194 0,000 Berbeda
12. Q3 Q6 0,000 -4,264 0,000 Berbeda
13. Q4 Q5 0,000 -4,194 0,000 Berbeda
14. Q4 Q6 0,000 -4,264 0,000 Berbeda
15. Q5 Q6 0,000 -4,110 0,000 Berbeda

Dalam tabel 8 terlihat bahwa perbandingan penurunan tegangan keluaran

antara type-type IC digital pada RL = 56 k berbeda secara signifikan hal ini dapat

dilihat dalam kolom signifikan nilainya 0,000 yang jauh dibawah 0,05.
Tabel 9. Uji Mann-Whitney untuk RL = 82 k
No Type U Z Signifikan Kriteria
1. Q1 Q2 0,000 -4,194 0,000 Berbeda
2. Q1 Q3 0,000 -4,110 0,000 Berbeda
3. Q1 Q4 0,000 -4,047 0,000 Berbeda
4. Q1 Q5 0,000 -4,047 0,000 Berbeda
5. Q1 Q6 0,000 -4,047 0,000 Berbeda
6. Q2 Q3 0,000 -4,264 0,000 Berbeda
7. Q2 Q4 0,000 -4,194 0,000 Berbeda
8. Q2 Q5 0,000 -4,194 0,000 Berbeda
9. Q2 Q6 0,000 -4,194 0,000 Berbeda
10. Q3 Q4 0,000 -4,110 0,000 Berbeda
11. Q3 Q5 0,000 -4,110 0,000 Berbeda
12. Q3 Q6 0,000 -4,110 0,000 Berbeda
13. Q4 Q5 0,000 -4,047 0,000 Berbeda
14. Q4 Q6 2,000 -3,899 0,000 Berbeda
15. Q5 Q6 0,000 -4,047 0,000 Berbeda

Dalam tabel 9 terlihat bahwa perbandingan penurunan tegangan keluaran

antara type-type IC digital pada RL = 82 k berbeda secara signifikan hal ini dapat

dilihat dalam kolom signifikan nilainya 0,000 yang jauh dibawah 0,05.

Tabel 10. Uji Mann-Whitney untuk RL = 100 k

No Type U Z Signifikan Kriteria
1. Q1 Q2 0,000 -4,264 0,000 Berbeda
2. Q1 Q3 0,000 -4,264 0,000 Berbeda
3. Q1 Q4 0,000 -4,065 0,000 Berbeda
4. Q1 Q5 0,000 -4,264 0,000 Berbeda
5. Q1 Q6 0,000 -4,264 0,000 Berbeda
6. Q2 Q3 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
7. Q2 Q4 0,000 -4,147 0,000 Berbeda
8. Q2 Q5 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
9. Q2 Q6 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
10. Q3 Q4 0,000 -4,147 0,000 Berbeda
11. Q3 Q5 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
12. Q3 Q6 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
13. Q4 Q5 0,000 -4,147 0,000 Berbeda
14. Q4 Q6 0,000 -4,147 0,000 Berbeda
15. Q5 Q6 0,000 -4,359 0,000 Berbeda
 Dalam tabel 10 terlihat bahwa perbandingan penurunan tegangan keluaran

antara type-type IC digital pada RL = 100 k berbeda secara signifikan hal ini dapat

dilihat dalam kolom signifikan nilainya 0,000 yang jauh dibawah 0,05.

C. Pembahasan

Berdasarkan data pada tabel 1 dan 2 di atas dapat ditunjukan grafik hubungan
antara penurunan tegangan terhadap beban dan tegangan keluaran terhadap beban
sebagai berikut:

DM 7400
Tegangan (Volt)
SN 74LS00
10 SN 74HC00
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0 20 40 60 80 100 120
Hambatan (K Ohm)
Gambar 23. Grafik hubungan tegangan keluran dan hambatan pada IC TTL

Grafik gambar 23 pada IC type 74HC00 tegangan keluarannya lebih tinggi

dibandingkan type 7400 dan 74LS00, sedangkan untuk type 7400 dan 74LS00
memiliki tegangan keluaran yang hampir sama, namun untuk beban yang lebih besar
antara IC type 74LS00 dan IC type 7400 terdapat perbedaan tegangan.
 NJU 4011 BD
Tegangan
(Volt) CD 4011 BE
10 HEF 4011 BP
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0 20 40 60 80 100 120
Hambatan (K Ohm)

Gambar 24. Grafik hubungan tegangan kelaran dan hambatan pada IC CMOS

Grafik gambar 24, terlihat bahwa besarnya tegangan keluaran yang dihasilkan

oleh pengganda tegangan DC menggunakan IC CMOS untuk tiap-tiap type IC tidak

terdapat perbedaan sehingga grafiknya berhimpit antara type IC NJU 4011 BD, CD

4011 BE, HEF 4011 BP

Arus (mikro A) DM 7400

2000 SN 74LS00
SN 74HC00
1500

1000

500

0
0 20 40 60 80 100 120
Hambatan (K ohm)

Gambar 25. Grafik hubungan penurunan tegangan dan hambatan pada IC TTL.
 Dari grafik gambar 25, dapat dilihat bahwa pada IC TTL apabila beban
bertambah arus keluaran akan turun secara drastis, namun apabila beban semakin
besar arus yang dihasilkan relatif konstan

Arus(mikro A)
NJU 4011 BD
2000
CD 4011BE
1500 HEF 4011 BP

1000

500

0
0 20 40 60 80 100 120
Hambatan (K ohm)

Gambar 26. Grafik hubungan penurunan tegangan dan hambatan pada IC CMOS
Dari grafik gambar 26, dapat dilihat bahwa pada IC CMOS arus keluaran pada
beban yang kecil akan mengalami peningkatan, namun apabila hambatan beban
bertambah arus keluaran akan turun secara drastis, apabila beban semakin besar maka
arus keluran relatif konstan.

Tegangan IC TTL
(Volt) IC CMOS
10

0
0 20 40 60 80 100 120
Hambatan (K Ohm)

Gambar 27. Grafik hubungan tegangan keluaran dan hambatan pada IC TTL dan IC
CMOS
 Dari grafik gambar 27 bahwa tegangan keluaran yang dihasilkan oleh IC TTL

dan IC CMOS berbeda. Apabila hambatan beban bertambah maka tegangan keluaran

akan bertambah. Pada IC CMOS apabila beban semakin besar maka tegangan yang

dihasilkan relatif konstan dibandingkan IC TTL. Hal ini disebabkan pada IC CMOS

bekerja berdasarkan tegangan sedangkan IC TTL bekerja berdasarkan arus.

Arus(mikroA)
1800 TTL
1600 CMOS
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0 20 40 60 80 100 120
Hambatan (K Ohm)

Gambar 28. Grafik hubungan penurunan tegangan dan hambatan pada IC TTL dan
IC CMOS

Gambar 28 merupakan grafik hubungan arus dan hambatan pada IC TTL dan

IC CMOS dimana arus akibat pembebanan pada IC CMOS lebih besar dibandingkan

dengan menggunakan IC TTL, hal ini dikarenakan IC CMOS terbuat dari FET atau

MOSFET yang bekerja berdasarkan besar kecilnya tegangan, sedangkan IC TTL

terbuat dari transistor-transistor yang bekerja berdasarkan penguatan arus. Sehingga

kemampuan kuat arus IC TTL terhadap beban lebih baik dibandingkan dengan IC

CMOS.

D. Keterbatasan Penelitian

Penelitian ini baru pada IC TTL type DM 7400, SN 74LS00 dan SN 74HC00,

sedangkan IC CMOS yang digunakan adalah type NJU 4011 BD, CD 4011 BE dan

HEF 4011 BP. Untuk pengganda tegangan DC dengan IC TTL dan IC CMOS dengan

type yang lain dapat diteliti lebih lanjut.

 BAB 5

PENUTUP

A. Simpulan

Berdasarkan hasil penelitian penurunan tegangan antara pengganda tegangan

DC menggunakan IC TTL dan pengganda tegangan DC menggunakan IC CMOS,
maka dapat disimpulkan bahwa:
1. Ada perbedaan penurunan tegangan antara pengganda tegangan DC

menggunakan IC TTL dan IC CMOS.

2. Pengganda tegangan DC menggunakan IC CMOS mempunyai tegangan

keluaran yang lebih tinggi dibandingkan dengan penggganda tegangan DC

menggunakan IC TTL.

3. Pengganda tegangan DC dengan IC CMOS lebih stabil ketika beban bertambah.

Kemampuan arus pada IC TTL lebih baik dibandingkan IC CMOS.

B. Saran

1. Penelitian ini terbatas pada IC TTL type DM 7400, SN 74LS00, dan SN

74HC00, sedangkan IC CMOS type NJU 4011 BD, CD 4011 BE, dan HEF 4011

BP. Oleh karena itu disarankan untuk diteliti lebih lanjut tentang pengganda

tegangan DC dengan IC TTL dan CMOS type yang lain.

2. Penelitian tersebut dilakukan untuk impedansi input yang relatif tinggi, oleh

karena itu perlu diteliti untuk beban yang mempunyai impedansi rendah dibawah

4,7 K.
 DAFTAR PUSTAKA

Arikunto,Suharsimi.1998.Prosedur Penelitian Suatu Pendekatan Praktik.

Jakarta:Rhineka Cipta.

Elektuur.1997.301 Rangkaian Elektronika.Jakarta:Elek Media Komputindo

Hadi,Sutrisno.1997.Metodologi Research Jilid I.Yogyakarta.Andi Offset

Ibrahim.2001.Teknik Digital.Yogyakarta:Andi Offset

Malvino.1986. Aproksimasi Rangkaian Semikonduktor (Penerjemah Barmawi).

Jakarta:Erlangga.

1996.Prinsip-prinsip Elektronika Jilid I (Penerjemah Barmawi).

Jakarta:Erlangga

Sadyadharma.1999.Statistik Non Parametrik.Semarang:Satya Wacana

Santoso,Singgih.2001.Statistik Non Parametrik.Jakarta:Gramedia

Sudjana.1994.Desain Dan Analisis Eksperimen.Bandung:Tarsito

2002.Metoda Statistik.Bandung:Tarsito

Sugiyono.1997.Statistik untuk Penelitian.Bandung:Alfabeta

Tirtamiharja,Samuel H.1996.Elektronika Digital.Yogyakarta:Andi Offset

Wasito.1995.Vademekum Elektronika.Jakarta:Gramedia

Widodo,Thomas Sri.2002.Elektronika Dasar.Jakarta:Salemba Teknik

 LAMPIRAN

Lampiran 1 Gambar rangkaian pengganda tegangan DC menggunakan IC TTL

Lampiran 2 Gambar rangkaian pengganda tegangan DC menggunakan IC CMOS
 IC TTL
DM 7400, SN 74LS00, dan SN 74HC00
+5Volt
12 C4
N4 11
13
N4
1
3
1,5uF/6V
2 N1
C1
10 n
D4 D1
D 1 - D 4 = IN 4148
C2 9
C3
10
10 n N3 8
4 10
N2
6
N2 1,5uF/6V
5
D3 D2

R1 R2 A
4,7k 4,7k
R3
1 ohm
C6
1,5uF/16V R4 R5 R6 R7 R8 R9
V 4,7k 20k 39k 56k 82k 100k
C5
100n

Keterangan
RANGKAIAN PENGGANDA TEGANGAN DC
DENGAN IC TTL A4 No. 1
S1 PENDIDIKAN TEKNIK ELEKTRO Skala : Diperiksa:

UNIVERSITAS NEGERI SEMARANG Yeti Oktaviani Diketahi: 5301902002

 V A

V
A

Kabel 1

1
2
3
4
5
6
d
Gn
1
IC
k et
So

2
IC
ke t
So

ON

OF F

PROSEDUR PENGUKURAN RANGKAIAN Keterangan

PENGGANDA TEGANGAN DC MENGGUNAKAN
IC CMOS DAN IC CMOS A4 No. 4
S1 PENDIDIKAN TEKNIK ELEKTRO Skala : Diperiksa:

UNIVERSITAS NEGERI SEMARANG Yeti Oktaviani Diketahi: 5301902002

 DATA PENELITIAN PENGGANDA TEGANGAN DC
MENGGUNAKAN IC TTL

IC TTL TYPE DM 7400

Pengukuran
Ke - R = 4,7 k R = 20 k R = 39 k R = 56 k R = 82 k R = 100 k
V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A)
1 7,26 1520 7,59 370 7,72 195,3 7,78 138,5 7,85 94,7 7,88 78,9
2 7,27 1530 7,59 370 7,72 195,3 7,78 138,5 7,85 94,7 7,88 79,0
3 7,27 1530 7,59 370 7,72 195,3 7,78 138,5 7,85 94,7 7,88 79,0
4 7,27 1530 7,60 370 7,72 195,3 7,78 138,6 7,85 94,7 7,89 79,0
5 7,27 1530 7,60 370 7,72 195,3 7,78 138,6 7,85 94,8 7,89 79,0
6 7,27 1530 7,60 370 7,72 195,4 7,79 138,6 7,85 94,7 7,89 79,0
7 7,27 1530 7,60 370 7,72 195,4 7,79 138,6 7,85 94,7 7,89 79,0
8 7,27 1530 7,60 370 7,73 195,3 7,79 138,6 7,86 94,7 7,89 79,0
9 7,27 1530 7,60 370 7,73 195,3 7,78 138,6 7,86 94,7 7,89 79,0
10 7,27 1530 7,60 370 7,73 195,3 7,78 138,6 7,86 94,8 7,89 79,0

IC TTL TYPE SN 74LS00

Pengukuran
Ke - R = 4,7 k R = 20 k R = 39 k R = 56 k R = 82 k R = 100 k
V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A)
1 7,31 1540 7,60 370 7,72 195,4 7,81 139,1 8,01 96,7 8,10 81,2
2 7,31 1540 7,60 370 7,72 195,4 7,81 139,1 8,01 96,7 8,10 81,2
3 7,31 1540 7,60 370 7,72 195,4 7,81 139,1 8,01 96,7 8,10 81,2
4 7,31 1540 7,60 370 7,72 195,4 7,81 139,1 8,01 96,7 8,10 81,2
5 7,31 1540 7,60 370 7,72 195,4 7,81 139,1 8,01 96,7 8,10 81,2
6 7,32 1540 7,60 370 7,72 195,4 7,81 139,1 8,01 96,7 8,10 81,2
7 7,32 1540 7,60 370 7,72 195,4 7,81 139,1 8,01 96,7 8,10 81,2
8 7,31 1540 7,60 370 7,72 195,4 7,81 139,1 8,01 96,7 8,10 81,2
9 7,31 1540 7,60 370 7,72 195,4 7,81 139,1 8,01 96,7 8,10 81,2
10 7,31 1540 7,60 370 7,72 195,4 7,81 139,1 8,01 96,7 8,10 81,2

IC TTL TYPE SN 74HC00

Pengukuran
Ke - R = 4,7 k R = 20 k R = 39 k R = 56 k R = 82 k R = 100 k
V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A)
1 8,79 1850 9,07 440 9,15 230 9,20 163,7 9,24 111,6 9,26 92,8
2 8,79 1850 9,07 440 9,15 230 9,20 163,7 9,24 111,5 9,26 92,8
3 8,79 1850 9,07 440 9,15 230 9,20 163,7 9,24 111,5 9,26 92,8
4 8,79 1850 9,07 440 9,15 230 9,20 163,7 9,24 111,5 9,26 92,8
5 8,79 1850 9,07 440 9,15 230 9,20 163,7 9,24 111,5 9,26 92,8
6 8,79 1850 9,07 440 9,15 230 9,20 163,7 9,24 111,5 9,26 92,8
7 8,79 1850 9,07 440 9,15 230 9,20 163,7 9,24 111,5 9,26 92,8
8 8,79 1850 9,07 440 9,15 230 9,20 163,7 9,24 111,5 9,26 92,8
9 8,79 1850 9,07 440 9,15 230 9,20 163,7 9,24 111,5 9,26 92,8
10 8,79 1850 9,07 440 9,15 230 9,20 163,7 9,24 111,5 9,26 92,8
DATA PENELITIAN PENGGANDA TEGANGAN DC MENGGUNAKAN IC
CMOS
IC CMOS TYPE NJU 4011 BD
Pengukuran
Ke - R = 4,7 k R = 20 k R = 39 k R = 56 k R = 82 k R = 100 k
V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A)
1 8,15 1710 8,92 430 9,08 220 9,16 163,0 9,22 111,3 9,25 92,6
2 8,15 1710 8,92 440 9,09 220 9,16 163,0 9,22 111,3 9,25 92,7
3 8,15 1710 8,92 440 9,09 230 9,16 163,0 9,22 111,3 9,25 92,7
4 8,14 1710 8,92 430 9,09 230 9,16 163,0 9,22 111,3 9,25 92,6
5 8,15 1710 8,93 440 9,09 230 9,16 163,0 9,22 111,3 9,25 92,6
6 8,15 1710 8,92 440 9,09 220 9,16 163,0 9,22 111,3 9,25 92,7
7 8,15 1710 8,92 440 9,09 220 9,16 163,0 9,22 111,3 9,25 92,7
8 8,15 1710 8,92 440 9,09 220 9,16 163,0 9,22 111,3 9,25 92,7
9 8,15 1710 8,92 440 9,09 230 9,16 163,0 9,22 111,3 9,25 92,7
10 8,15 1710 8,92 440 9,09 220 9,16 163,0 9,22 111,2 9,25 92,7

IC CMOS TYPE CD 4011 BE

Pengukuran
Ke - R = 4,7 k R = 20 k R = 39 k R = 56 k R = 82 k R = 100 k
V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A)
1 7,38 1550 8,73 430 8,99 220 9,09 161,9 9,18 110,8 9,21 92,3
2 7,38 1550 8,73 430 8,99 220 9,09 161,8 9,18 110,8 9,21 92,3
3 7,38 1550 8,73 430 8,99 220 9,09 161,9 9,18 110,8 9,21 92,3
4 7,38 1550 8,74 440 8,99 220 9,09 161,9 9,18 110,8 9,21 92,3
5 7,38 1550 8,73 440 8,99 220 9,09 161,9 9,18 110,8 9,21 92,3
6 7,38 1550 8,73 430 8,99 220 9,09 161,9 9,18 110,9 9,21 92,3
7 7,38 1550 8,73 430 8,99 220 9,09 161,9 9,18 110,8 9,21 92,3
8 7,38 1550 8,73 430 8,99 220 9,08 161,9 9,18 110,9 9,21 92,3
9 7,38 1550 8,73 430 8,99 220 9,09 161,9 9,18 110,8 9,21 92,3
10 7,38 1550 8,73 430 8,99 220 9,09 161,9 9,18 110,8 9,21 92,3

IC CMOS TYPE HEF 4011 BP

Pengukuran
Ke - R = 4,7 k R = 20 k R = 39 k R = 56 k R = 82 k R = 100 k
V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A) V(V) I(A)
1 7,94 1670 8,87 430 9,06 220 9,14 162,7 9,21 111,1 9,24 92,5
2 7,94 1670 8,87 430 9,06 220 9,14 162,7 9,21 111,1 9,24 92,5
3 7,94 1670 8,87 430 9,06 220 9,14 162,7 9,21 111,1 9,24 92,5
4 7,94 1670 8,87 430 9,06 220 9,14 162,6 9,21 111,1 9,24 92,5
5 7,93 1670 8,87 430 9,06 220 9,14 162,7 9,21 111,2 9,24 92,5
6 7,94 1670 8,87 430 9,06 220 9,14 162,7 9,21 111,1 9,24 92,5
7 7,94 1670 8,87 430 9,06 220 9,14 162,7 9,21 111,1 9,24 92,5
8 7,94 1670 8,87 430 9,06 220 9,14 162,7 9,21 111,2 9,24 92,5
9 7,94 1670 8,87 430 9,06 220 9,14 162,7 9,21 111,1 9,24 92,5
10 7,94 1670 8,87 430 9,06 220 9,14 162,7 9,21 111,1 9,24 92,5