Manual de Electrónica Aplicada Al Automóvil 1

CIRCUITOS
IMPRIMIR NDICE ZOOM ZOOM ELECTROTCNICOS BSICOS
MANUAL DE ELECTRNICA
NDICE
ELECTRNICA BSICA..................................................................................01
CORRIENTE ELCTRICA ...............................................................................02
ELEMENTOS PASIVOS SIMPLES.....................................................................02
DIFERENCIA DE POTENCIAL ENTRE DOS PUNTOS......................................... 04
GENERADOR DE TENSIN CONTINUA (DC) .................................................. 05
ASOCIACIN DE RESISTENCIAS ................................................................. 05
LEMAS DE KIRCHOFF................................................................................ 08
TENSIN DE ENTRADA Y TENSIN DE SALIDA............................................. 09
ESTUDIO DE SEALES ELCTRICAS ........................................................... 10
ANLISIS DE UNA RED SIMPLE .................................................................. 14
COMPONENTES PASIVOS DENTRO DE UN CIRCUITO ELCTRICO .................... 15
TEORA DE SEMICONDUCTORES ................................................................ 18
DIODOS SEMICONDUCTORES ..................................................................... 20
TERMINALES Y SIMBOLOGA ...................................................................... 20
FUNCIONAMIENTO ................................................................................... 21
CURVA CARACTERSTICA .......................................................................... 23
LMITES DE RUPTURA............................................................................... 24
ANLISIS EN UN CIRCUITO ....................................................................... 24
TIPOS DE DIODOS SEGN SU FUNCIN...................................................... 25
RECTIFICADORES .................................................................................... 25
RECORTADORES ...................................................................................... 34
ESTABILIZADORES DE TENSIN ...................................................................40
DIODO ZENER ......................................................................................... 40
MDULOS COMERCIALES ..........................................................................44
TRANSISTORES BIPOLARES ......................................................................... 45
TERMINALES Y SIMBOLOGA ..................................................................... 45
CRITERIO DE CORRIENTES Y TENSIONES ................................................... 46
TIPO N-P-N ............................................................................................. 46
TIPO P-N-P.............................................................................................. 47
CURVAS CARACTERSTICAS ...................................................................... 48
RECTA DE CARGA..................................................................................... 50
I
CIRCUITOS
NDICE
ZONAS DE FUNCIONAMIENTO ......................................................................54

FUNCIONAMIENTO EN ACTIVA ................................................................... 54
FUNCIONAMIENTO EN CORTE .......................................................................55
FUNCIONAMIENTO EN SATURACIN ..............................................................55
MONTAJE DARLINGTON ............................................................................ 57
MDULOS COMERCIALES ..........................................................................57
TRANSISTORES UNIPOLARES ..................................................................... 58
TRANSISTORES JFET ................................................................................ 58
SIMBOLOGA Y TERMINALES ..................................................................... 59
ZONAS DE FUNCIONAMIENTO ......................................................................63
ZONA DE CORTE .........................................................................................63
ZONA OHMICA ...........................................................................................63
ZONA DE SATURACIN................................................................................64
ZONA DE RUPTURA .....................................................................................64
CIRCUITO AUTOPOLARIZADO .................................................................... 65
TRANSISTORES MOSFET ........................................................................... 66
SIMBOLOGA Y TERMINALES ..................................................................... 67
ZONAS DE FUNCIONAMIENTO.................................................................... 70
ZONA DE CORTE .........................................................................................70
ZONA OHMICA ...........................................................................................70
ZONA DE SATURACIN................................................................................70
ZONA DE RUPTURA .....................................................................................71
EJEMPLO DE CIRCUITO POLARIZADOR DE UN MOSFET.................................. 71
LMITES DE RUPTURA ...............................................................................72
TIRISTORES ............................................................................................. 73
TERMINALES Y SIMBOLOGA ..................................................................... 73
II
CIRCUITOS
NDICE
CRITERIO DE CORRIENTES Y TENSIONES ....................................................74

RECTA DE CARGA..................................................................................... 77
ZONAS DE FUNCIONAMIENTO.................................................................... 79
CIRCUITO DE APLICACIN ........................................................................ 85
MDULOS COMERCIALES.............................................................................88
APLICACIONES DE ELECTRNICA ANALGICA ................................................ 89
AVISADOR ACSTICO DE FRENO DE MANO ................................................. 89
ETAPA DE ACTUACIN SOBRE LOS ELECTROINYECTORES ............................. 90
ENCENDIDO POR CARGA DE CONDENSADOR CON TRANSISTOR UNIPOLAR ..... 91
ENCENDIDO POR CARGA DE CONDENSADOR CON UN TIRISTOR .................... 92
PRINCIPIOS DE ELECTRNICA DIGITAL ......................................................... 93
SISTEMAS DE NUMERACIN...................................................................... 94
SISTEMA BINARIO ................................................................................... 95
SISTEMA HEXADECIMAL ........................................................................... 97
ALGEBRA DE BOOLE ................................................................................. 98
PUERTAS LGICAS ................................................................................... 99
PUERTA OR ..............................................................................................100
PUERTA AND.......................................................................................... 100
PUERTA NOT.......................................................................................... 101
PUERTA NOR ......................................................................................... 101
PUERTA NAND ....................................................................................... 102
PUERTA XOR.......................................................................................... 103
PUERTA XNOR........................................................................................ 103
FAMILIAS LGICAS ................................................................................ 104
MDULOS COMERCIALES ........................................................................109
CIRCUITOS COMBINACIONALES...................................................................110
DECODIFICADORES................................................................................. 110
DECODIFICADORES 2 A 4 Y 3 A 8 ..........................................................111
DECODIFICADOR 3 A 8 ........................................................................... 114
III
CIRCUITOS
NDICE
DECODIFICADOR DECIMAL ....................................................................... 115

DECODIFICADOR HEXADECIMAL .............................................................. 116
CONVERSORES DE CDIGO..................................................................... 118
CODIFICADORES.................................................................................... 122
MULTIPLEXORES ...................................................................................... 125
MULTIPLEXORES DIGITALES .................................................................... 125
MULTIPLEXOR DE DOS CANALES .............................................................. 126
MULTIPLEXOR DE CUATRO CANALES......................................................... 128
MULTIPLEXOR DE OCHO CANALES ............................................................ 128
MULTIPLEXOR DE DIECISEIS CANALES ..................................................... 129
MULTIPLEXORES ANALGICOS................................................................. 130
DEMULTIPLEXORES ................................................................................ 132
COMPARADORES .................................................................................... 134
SUMADORES ......................................................................................... 135
SEMISUMADOR ...................................................................................... 136
SUMADOR TOTAL ................................................................................... 137
CUADRUPLE SUMADOR TOTAL.................................................................. 139
MDULOS COMERCIALES ........................................................................ 141
CIRCUITOS SECUENCIALES .........................................................................142
BIESTABLES .......................................................................................... 143
BIESTABLES SNCRONOS ........................................................................ 145
BIESTABLE D ACTIVO POR NIVEL (LATCH) .................................................147
BIESTABLE SNCRONO J-K ACTIVO POR FLANCO (M/S) ................................. 151
CONTADORES ........................................................................................ 154
REGISTROS DE DESPLAZAMIENTO ..............................................................157
MEMORIAS............................................................................................... 161
CLASIFICACIN DE LAS MEMORIAS............................................................ 162
LECTURA Y ESCRITURA ...........................................................................162
SLO LECTURA ...................................................................................... 163
CARACTERSTICAS GENERALES DE LAS MEMORIAS .................................... 163
IV
CIRCUITOS
NDICE
MEMORIAS MS UTILIZADAS................................................................... 164

RAM ESTTICA ...................................................................................... 164
PATILLAJE Y TERMINALES........................................................................ 165
MODOS DE FUNCIONAMIENTO ................................................................. 168
EPROM 168 .......................................................................................... 168
PATILLAJE Y TERMINALES........................................................................ 169
MODOS DE FUNCIONAMIENTO ................................................................. 170
MANEJO DE MEMORIAS EPROM ................................................................ 170
APLICACIONES DE ELECTRNICA DIGITAL ................................................. 171
CONTROL DE LUCES CON UN DECODIFICADOR 2 A 4.................................. 171
CONTROL DE TECLADO CON UN CODIFICADOR 8 A 3.................................. 172
AVISADOR LUMINOSO DE PUERTAS ABIERTAS ........................................... 173
TRANSMISIN DE DATOS ENTRE UNA CENTRALITA Y EL EXAMINER ............... 174
BLOQUE DECODIFICADOR Y VISUALIZADOR DE UN TECLADO ...................... 175
CONTROL DE TRFICO EN UN GARAJE ......................................................176
MICROCONTROLADORES........................................................................... 177
CARACTERSTICAS TCNICAS.................................................................. 178
UNIDAD CENTRAL DE PROCESOS (CPU) .................................................... 178
MEMORIA INTERNA DE PROGRAMA (ROM) ................................................. 178
MEMORIA INTERNA (RAM)....................................................................... 178
MEMORIA DE REGISTROS ESPECIALES (SFR)............................................. 179
PUERTOS DE ENTRADA/SALIDA (PORTS) ................................................... 179
TEMPORIZADORES (TIMERS) ................................................................... 180
PUERTO SERIE (UART) ............................................................................ 180
INTERRUPCIONES (INT) .......................................................................... 181
OSCILADOR EXTERNO DE FRECUENCIA 12 MHZ (CLK) ................................ 182
BUS DE DATOS Y BUS DE DIRECCIONES ................................................... 183
PATILLAJE Y DESCRIPCIN DE TERMINALES .............................................. 185
CIRCUITOS OPERACIONALES .................................................................... 189
OPERACIONALES.................................................................................... 189
V
CIRCUITOS
NDICE
OPERACIONALES CON REALIMENTACIN NEGATIVA ................................... 192

AMPLIFICADOR NO INVERSOR DE TENSIN............................................... 192
AMPLIFICADOR INVERSOR DE TENSIN.................................................... 194
SUMADOR............................................................................................. 195
INTEGRADOR......................................................................................... 197
DIFERENCIADOR .................................................................................... 198
CONVERTIDOR CORRIENTE/TENSIN ....................................................... 199
CONVERTIDOR TENSIN/CORRIENTE ....................................................... 200
DIFERENCIAL ........................................................................................ 201
SEGUIDOR ............................................................................................ 203
OPERACIONALES CON REALIMENTACIN POSITIVA .................................... 204
COMPARADOR NO INVERSOR................................................................... 205
COMPARADOR INVERSOR........................................................................ 207
BSCULA NO INVERSORA........................................................................ 209
BSCULA INVERSORA............................................................................. 212
TEMPORIZADOR ANALGICO-DIGITAL (LM555) .............................................217
TERMINALES DEL TEMPORIZADOR 555 ........................................................217
FUNCIONAMIENTO COMO MONOESTABLE .................................................. 218
FUNCIONAMIENTO COMO AESTABLE......................................................... 222
PUENTE DE WHEASTSTONE ...................................................................... 224
TERMINALES Y CONEXIN....................................................................... 225
AMPLIFICADORES DE INSTRUMENTACIN .....................................................228
TERMINALES Y CONEXIN....................................................................... 228
SENSORES............................................................................................. 230
SENSOR INDUCTIVO............................................................................... 230
SENSOR PIEZOELCTRICO ...................................................................... 233
SENSOR EFECTO HALL ............................................................................ 237
SONDA LAMBDA..................................................................................... 241
SENSOR DE PRESIN (GALGA EXTENSIOMTRICA) ................................... 247
APLICACIONES DE INSTRUMENTACIN ELECTRNICA ................................. 249
VI
CIRCUITOS
NDICE
TERMMETRO DIGITAL ........................................................................... 249

AVISADOR LUMINOSO DE RESERVA DE COMBUSTIBLE................................ 251
CONTROL DE TEMPERATURAS EN UN RECINTO (CLIMATIZADOR) .................. 252
MOTORES PASO A PASO........................................................................... 253
PRINCIPIOS DE FUNCIONAMIENTO ........................................................... 253
CONTROL DE MOTORES PASO A PASO ...................................................... 255
FORMAS DE ACCIONAMIENTO.................................................................. 256
DRIVERS............................................................................................... 263
CIRCUITOS SECUENCIADORES ................................................................ 264
VII
CIRCUITOS
ELECTRNICA BASICA
La electrnica es la ciencia y la tcnica que trabaja con la tensin y la intensidad
(movimiento de los electrones) en los semiconductores y conductores bajo ciertas
condiciones.
La mayora de los circuitos electrnicos toman como elemento esencial a los componentes
formados a base de semiconductores. Estos elementos son:
- Diodos.
- Transistores.
- Tiristores.
- Triacs.
En los circuitos electrnicos tambin existen otros componentes llamados elementos
pasivos que son:
- Resistencias.
- Condensadores.
- Bobinas.
01
CIRCUITOS
CORRIENTE ELECTRICA
La corriente elctrica es el desplazamiento de cargas de electrones a lo largo de un
conductor por efecto de la fuerza que ejerce sobre ellas un campo elctrico.
La intensidad de corriente es la cantidad de carga que atraviesa la seccin de hilo
conductor por unidad de tiempo.
La intensidad circula por un hilo conductor cuyos terminales deben estar unidos,
formando un recinto cerrado.
Vcc: pila de tensin continua de valor Vcc voltios
EJEMPLO DE MALLA ELCTRICA

Red elctrica o malla elctrica se define como un conjunto de circuitos o recintos formados
por la interconexin de elementos tales como resistencias, bobinas, condensadores,
generadores de tensin, etc., mediante un hilo conductor, gracias a los cuales la energa
puede ser transferida de un circuito a otro.
ELEMENTOS PASIVOS SIMPLES

Los elementos pasivos por s solos no pueden modificar valores de tensin o de corriente.
Van a ser elementos por los cuales la corriente elctrica, al atravesarlos, genera una
cada de tensin entre sus terminales.
Hay tres tipos de elementos pasivos:
- Resistencias
- Bobinas
- Condensadores
02
CIRCUITOS
RESISTENCIAS
El comportamiento de estos elementos no depende del tipo de tensin aplicada. Su
relacin entre la tensin entre sus terminales y la corriente que fluye de un terminal a
otro viene dada por la ley de Ohm (VAB = I x R):
R: resistencia.
VAB : cada de tensin entre los terminales de la resistencia.
I: intensidad que circula por la resistencia.
Cada de tensin en una resistencia
BOBINAS O AUTOINDUCCINES
El comportamiento de una bobina frente a una corriente continua de valor constante
es similar a un cortocircuito. El comportamiento frente a una seal variable, ya sea una
seal senoidal, triangular, etc., es diferente al comportamiento frente a una seal
continua constante.
L: inductancia de la bobina.
VAB : tensin entre los terminales de la bobina.
I: corriente que circula por la bobina
Cada de tensin en una bobina
03
CIRCUITOS
CONDENSADORES
El comportamiento de un condensador frente a una corriente continua de valor constante
es similar a un circuito abierto. El comportamiento frente a una seal variable, ya sea
una seal senoidal, triangular, etc., es diferente al comportamiento frente a una seal
continua constante.
C: capacidad del condensador.

VAB : cada de tensin entre los terminales del condensador.
I: corriente que circula por el condensador
Cada de tensin en un condensador
DIFERENCIA DE POTENCIAL ENTRE DOS PUNTOS

La diferencia de potencial o cada de tensin entre dos puntos es la diferencia de tensiones
existente entre ellos.
Diferencia de potencial entre los terminales de una resistencia
El punto situado a mayor potencial elctrico (con mayor tensin) se marca con un signo
positivo, de la misma manera que el punto situado a menor potencial elctrico se marca
con un signo negativo. La corriente elctrica va a circular del punto con mayor potencial
elctrico al punto con menor tensin elctrica. Por lo tanto, el punto por donde entra
la corriente es el punto positivo, mientras que el punto por donde sale es el punto
negativo.
04
CIRCUITOS
GENERADOR DE TENSION CONTINUA (DC)

Un generador de tensin es un elemento elctrico que mantiene una diferencia de
potencial elctrico (tensin) constante entre sus terminales, de valor E, independientemente
de la corriente que circule por l. Una pila de tensin o la batera de un automvil
equivale a un generador de tensin de continua.
E: tensin continua del generador.

V: voltmetro.
Tensin proporcionada por un generador de continua
ASOCIACIN DE RESISTENCIAS
Dependiendo de cmo estn situadas las resistencias en una determinada red elctrica,
se puede simplificar su estudio al agruparlas en una sola resistencia de valor equivalente
al conjunto de todas ellas.
05
CIRCUITOS
RESISTENCIAS EN SERIE
Asociacin de resistencias en serie
El anlisis elctrico de la red, calculando las diferencias de potencial, lleva a las siguientes
ecuaciones:
VAB = VAM + VMN + VNB

VAB = I x ( R1 + R2 + R3 )
RAB = VAB / I = R1 + R2 + R3
La resistencia equivalente entre los puntos A y B es la suma de las resistencias puestas

en serie. La intensidad que circula por las resistencias es la misma, pero la cada de
tensin en cada una de ellas es distinta.
06
CIRCUITOS
RESISTENCIAS EN PARALELO
Asociacin de resistencias en paralelo
De manera anloga a como se calcula la resistencia equivalente con resistencias en

serie, se obtiene:
I = I1 + I2 + I3 = VAB / R1 + VAB / R2 + VAB / R3
Sacando factor comn a VAB:

I = VAB x ( 1 / R1 + 1 / R2 + 1 / R3 )
Como RAB = VAB / I se deduce que:
1 / RAB = 1 / R1 + 1 / R2 + 1 /R3
La inversa de la resistencia equivalente entre los puntos A y B es la suma de las inversas

de las resistencias. La intensidad que circula por las resistencias es distinta, pero la
cada de tensin en ellas es la misma.
07
CIRCUITOS
LEMAS DE KIRCHOFF
La aplicacin de los principios de continuidad de corriente establece ciertas restricciones,
estas restricciones son conocidas como los lemas de Kirchoff.
LEMA DE LOS NUDOS
Nudo en el que confluyen diversas intensidades
En un instante cualquiera, la suma de las intensidades que entran en un punto son

iguales a la suma de las corrientes que salen del punto.
I1 + I 4 = I 2 + I 3
LEMA DE LAS MALLAS
Cadas de tensin a lo largo de una malla elctrica
En todo contorno cerrado o malla, la suma de las cadas de potencial a lo largo de todos
los elementos del contorno siempre es nula.
Para aplicar el lema se parte de un punto cualquiera de la malla y se recorre todo el
contorno sumando las cadas de potencial a travs de todos los elementos que existen
hasta volver al punto inicial. El sentido para recorrer la malla es indiferente. Por ejemplo,
partiendo del punto A :
0 = I x R1 + I x R2 + Vbb + I x R3 - VCC
08
CIRCUITOS
TENSION DE ENTRADA Y TENSION DE SALIDA

Tensin de entrada es la tensin que proporciona una determinada fuente de alimentacin,
alterna o continua, a un circuito cualquiera para obtener una tensin determinada en
la carga, a esta tensin en la carga se la denomina tensin de salida.
La carga es el elemento o componente sobre el que se aplica la tensin de salida.
Tensin de entrada y salida en un circuito elctrico
En el circuito de la figura la tensin de entrada es el valor de tensin proporcionado por

la batera Vcc. RL es la resistencia de la lmpara, que en este caso va a ser la carga.
La tensin de salida es la tensin medida por el voltmetro en los terminales de la
resistencia RL de la lmpara.
09
CIRCUITOS
ESTUDIO DE SEALES ELECTRICAS

Las seales elctricas referencian de forma grfica la relacin existente entre la tensin
(o intensidad) y el tiempo; es decir, indican la variacin del valor de la tensin (o la
intensidad) con el paso del tiempo.
Un circuito elctrico puede funcionar con seales alternas senoidales, con seales
continuas, seales continuas pulsadas, seales triangulares, etc. La diferencia ms
notable entre las diferentes seales radica en la variacin de tensin, o intensidad,
respecto al tiempo.
10
CIRCUITOS
SEAL ALTERNA SENOIDAL

Una seal alterna senoidal es aquella seal que sigue la forma matemtica de una
funcin senoidal:
V (t ) = A x SEN ( wt )
Es una seal que dependiendo de la fase y de la amplitud tiene un valor de tensin o

de corriente distinto.
Parmetros de una seal de tensin alterna.
Los trminos representados en la grfica se definen como:

- Amplitud de seal (A): la amplitud es el valor mximo que puede tomar la seal
con respecto al punto de referencia cero. La unidad puede ser de tensin o de
corriente, es decir, voltios o amperios.
- Periodo de seal (T): es el tiempo que transcurre hasta que la seal vuelve a
pasar por un punto. Coloquialmente hablando, el periodo es el tramo de seal,
referido a valores temporales, que repetido indefinidamente da lugar a la totalidad
de la seal. Su unidad de medida es el segundo.
- Frecuencia de seal (f): es la magnitud inversa al periodo de la seal ( f = 1 /
T ). Su unidad de medida es el hertzio.
- Pulsacin de seal (w): est relacionada directamente con la frecuencia. ( w =
2 x x f ). Su unidad el radin / segundo.
- Fase de una seal (wt): es el ngulo respecto al punto de referencia que tiene
la seal. Donde w es la pulsacin de la seal y t es el tiempo en segundos. La unidad
de la fase es el radin. 2 radianes equivalen a 360. Tomando esta referencia se
puede pasar de radianes a grados.
11
CIRCUITOS
Una manera de ver la variacin de seal con la fase y amplitud es:
Valores de tensin dependiendo de la fase de la seal.
V ( t ) = A x SEN ( wt )
- Para un valor de amplitud (A) de 12 voltios y una fase (wt) de cero grados, el valor
de tensin en ese instante es cero debido a que el seno de cero grados es cero.
- Para un valor de amplitud (A) de 12 voltios y una fase (wt) de 90, el valor de
tensin en ese instante es 12 voltios debido a que el seno de 90 es uno.
SEAL CONTINUA
La seal continua no vara con el tiempo, slo depende del nivel de tensin o corriente,
es decir, mantiene, aproximadamente, el mismo valor de tensin (o corriente) durante
todo el tiempo.
Seal de tensin continua
12
CIRCUITOS
SEAL CONTINUA PULSANTE

Es una seal que vara con el tiempo. La variacin se produce de un nivel de continua
a otro nivel diferente de continua.
Seal de tensin continua pulsante
Hay dos posibles valores de tensin o de corriente que puede tomar la seal dependiendo
del instante en el que se encuentre. El periodo y la frecuencia de esta seal se definen
de igual manera que en seales alternas senoidales.
13
CIRCUITOS
ANALISIS DE UNA RED SIMPLE

En el anlisis de cualquier red elctrica se deben tener en cuenta los lemas de Kirchoff.
El estudio realizado para una red de una malla es igual que el de una red con varias
mallas elctricas.
Malla elctrica
El clculo de la diferencia de potencial entre A y B, o cada de tensin entre A y B, o

tensin entre A y B, conlleva el clculo de la corriente que circula a lo largo de la malla.
Para calcular la corriente I hay que aplicar el segundo lema de Kirchoff. Una vez analizadas
todas las cadas de tensin en la malla, se despeja el valor de corriente I en la ecuacin
de la malla:
I = (Vcc - Vbb ) / ( R1 + R2 + R3 )
La tensin existente entre A y B es:
VAB = I x R1
VAB = ( (Vcc - Vbb ) / ( R1 + R2 + R3 ) ) X R1
14
CIRCUITOS
COMPONENTES PASIVOS DENTRO DE UN CIRCUITO ELECTRICO

Los componentes pasivos son aquellos componentes que, conectados en un circuito
elctrico, no modifican por si solos valores de tensin o corriente. La corriente elctrica
al atravesarlos provoca una cada de tensin entre los terminales del componente. Los
componentes pasivos ms comunes son:
- Resistencias.
- Bobinas.
- Condensadores.
RESISTENCIA
Es un elemento que al ser atravesado por una corriente elctrica en sus terminales se
crea una cada de tensin ( VR = I x R ).
Circuito consumidor
15
CIRCUITOS
BOBINA
Una bobina es un arrollamiento de hilo conductor que al ser atravesado por una corriente
crea un campo magntico.
Circuito de carga de una bobina
Seal exponencial de carga de una bobina
Una bobina en un circuito con seales continuas, almacena la corriente elctrica en

funcin de una seal exponencial de carga. En el momento en que se carga, su
comportamiento en la red equivale a un cortocircuito.
16
CIRCUITOS
CONDENSADOR
Es un elemento que se comporta como un almacenador de energa cuando a travs de
l circula una intensidad. Un condensador est formado por dos placas conductoras
separadas entre s, una distancia determinada, por un dielctrico o material aislante.
Circuito de carga de un condensador
Seal exponencial de carga de un condensador
Un condensador situado en un circuito con seales continuas, almacena energa elctrica

hasta que se carga completamente; en ese instante se comporta como un circuito abierto
y no permite el paso de corriente entre sus placas conductoras. La carga de un
condensador se realiza de forma ex-ponencial.
17
CIRCUITOS
TEORIA DE SEMICONDUCTORES
Un semiconductor es un elemento que se puede comportar como un conductor o como
un aislante. Normalmente el material de fabricacin suele ser Silicio (Si) o Germanio
(Ge). Los semiconductores aumentan su conductividad si a su estructura se le aaden
tomos de otros materiales. A la adicin de tomos (impurezas) a un semiconductor
se le denomina dopaje de un semiconductor. Hay dos tipos de materiales semiconductores:
- Semiconductores tipo N.
- Semiconductores tipo P.
TIPO N
Estructura atmica de un semiconductor tipo N.
Se forman mediante la unin de Silicio (Si) o Germanio (Ge), con cuatro electrones en
su ltima capa denominada de valencia, con impurezas de Arsnico (As), que posee en
su ltima capa cinco electrones. Al crearse los enlaces entre tomos de Silicio (Si) y
Arsnico (As) queda un electrn libre (carga negativa), que va a ser el que movindose
por la red atmica genere una circulacin de electrones, es decir, genere una corriente
elctrica.
18
CIRCUITOS
TIPO P
Estructura atmica de un semiconductor tipo P.
Se forman mediante la unin de Silicio (Si) o Germanio (Ge), con cuatro electrones en
su ltima capa denominada de valencia, con impurezas de Indio (In), que posee en
su ltima capa tres electrones. Al crearse los enlaces entre tomos de Silicio (Si)
e Indio (In) queda un hueco libre (carga positiva), que va a ser el que movindose por
la red atmica genere una circulacin de huecos o cargas positivas.
La combinacin de capas de semiconductores tipo N y tipo P, da lugar a componentes
utilizados en electrnica tales como diodos, transistores, etc. Estos componentes tienen
distintas propiedades y modos de funcionamiento debido a sus diversas tcnicas de
fabricacin, y a las distintas formas de combinar los materiales semiconductores.
19
CIRCUITOS
DIODOS SEMICONDUCTORES
Un diodo semiconductor es un componente electrnico (fabricado a partir de un material
semiconductor), de dos terminales, que posee una estructura interna caracterizada por
la existencia de una unin P-N. Una unin P-N es la asociacin de dos tipos de
semiconductores, uno de tipo N (carga negativa) y otro de tipo P (carga positiva) con
el fin de conseguir componentes electrnicos que puedan funcionar como conductores
o como aislantes.
TERMINALES (CONEXIONES) Y SIMBOLOGIA
Los dos terminales de un diodo se denominan nodo y ctodo. Anodo es la zona

correspondiente al semiconductor de tipo P y ctodo la zona correspondiente al
semiconductor de tipo N.
Unin semiconductora y terminales de un diodo
El pequeo tringulo del smbolo en forma de flecha indica el sentido convencional de

corriente, de nodo a ctodo.
Id: intensidad que circula de nodo a ctodo.

Vd: cada de tensin entre al nodo y el ctodo.
A: nodo.
K: ctodo.
Smbolo electrnico del diodo y nomenclatura utilizada
20
CIRCUITOS
FUNCIONAMIENTO
El comportamiento de un diodo es similar a una vlvula unidireccional. El diodo slo
permite el paso de corriente en el sentido de nodo a ctodo.
Si la corriente que atraviesa el diodo va en sentido nodo a ctodo, el diodo est en
directo, y se comporta como una pila de tensin de valor tensin umbral (Vu)
Diodo polarizado en directo
Circuito equivalente de un diodo polarizado en directo
21
CIRCUITOS
Cuando la corriente generada intenta circular en sentido contrario, el diodo no permite

su paso, luego est en inverso. Su comportamiento equivale a un circuito abierto
(interrumpido).
Diodo polarizado en inverso
Circuito equivalente de un diodo polarizado en inverso
22
CIRCUITOS
CURVA CARACTERSTICA
Curva caracterstica de un diodo es la grfica que relaciona la tensin entre el nodo y

el ctodo (Vd) con la corriente que lo atraviesa (Id). Para un determinado valor de
tensin (Vd) existe un valor de corriente (Id) y viceversa.
-Id: intensidad por el diodo

(de nodo a ctodo).
-Vd: tensin del diodo
(cada de tensin entre sus terminales).
-Vu: tensin umbral.
Curva caracterstica del comportamiento de un diodo
En la zona de polarizacin en inverso (corte) la corriente Id es igual a cero dentro de

sus lmites, puesto que el diodo estara cortado, y la tensin Vd puede tomar un valor
cualquiera. En la zona de conduccin o zona en directo, la tensin Vd tiene un valor de
tensin constante en toda su extensin denominado tensin umbral (Vu) y la corriente
que atraviesa el diodo puede tomar cualquier valor de corriente que permitan los lmites
del diodo.
Zonas de funcionamiento de un diodo
23
CIRCUITOS
LIMITES DE RUPTURA
Los lmites de ruptura son los valores mximos permitidos, de corriente y de tensin,
en un diodo. Estos valores vienen representados sobre la curva caracterstica del diodo.
Ifmax: intensidad en directo mxima.

Vrmax: tensin en inverso mxima.
Representacin de los lmites de ruptura sobre la grfica
En la curva caracterstica del diodo hay dos limitaciones: una por corriente y otra por
tensin. Si cualquiera de estos dos lmites se superan, el diodo se destruye. La corriente
mxima que puede atravesar el diodo en directo se denomina Ifmax; la tensin en
inverso mxima entre nodo y ctodo que puede soportar el diodo es llamada Vrmax.
ANALISIS EN UN CIRCUITO
En este circuito, si la tensin de entrada es positiva el diodo est en directo, por lo que
la tensin de salida ser igual a la tensin que cae en el diodo, es decir, Vu. Mientras
que si cambiamos la polaridad del diodo, se encontrara en inverso (circuito abierto),
y la tensin de salida sera igual a la tensin de entrada.
Eg: fuente de alimentacin.

V: voltmetro.
Ejemplo de un circuito polarizador de un diodo
24
CIRCUITOS
TIPOS DE DIODOS SEGUN SU FUNCION

Los diodos estn clasificados dependiendo de la funcin que realicen dentro de un
circuito. Los distintos tipos de diodos son:
- Diodo rectificador:
- Rectificador de media onda.

- Rectificador de onda completa.
- Rectificador trifsico.
- Diodo recortador:
- Recortador de un nivel de tensin.

- Recortador de dos niveles de tensin.
- Diodo estabilizador de tensin (diodo Zener).
RECTIFICADORES.
Se denomina as al diodo cuya funcin dentro de un circuito es la de convertir tensin

alterna (AC) a continua (DC). Por ejemplo, en el automvil la tensin alterna es generada
por el alternador y a travs de un rectificador se convierte en tensin continua para
alimentar los diversos circuitos elctricos.
25
CIRCUITOS
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
Este rectificador mantiene el semiciclo positivo de la onda alterna, mientras que el

semiciclo negativo no es aprovechado.
Ve: tensin de entrada.

A: amplitud mxima de la seal de entrada
Seal de la tensin de entrada generada por un alternador
Eg: fuente de alimentacin que proporciona la seal de entrada.

V: voltmetro.
Circuito rectificador de media onda
26
CIRCUITOS
Vcc: valor de la amplitud mxima (A) en voltios.

Fase: eje de referencia escalado en grados.
Grfico del proceso que se realiza sobre la seal de entrada por tramos
Estudiando el circuito por tramos:
- En el intervalo comprendido entre 0 y 180 la tensin de entrada es positiva,

por lo que el diodo est en directo. Al estar en directo permite el paso de la corriente,
con lo que tendremos tensin en la salida.
- En el siguiente intervalo comprendido entre 180 y 360 la tensin de entrada es
negativa, por lo que el diodo est en inverso. Al estar en inverso no permite el paso
de corriente, se comporta como un interruptor abierto, con lo que no habr tensin
en la salida.
- Como la seal de entrada es peridica, el estudio realizado para estos dos intervalos
se repite sucesivamente.
Vs: tensin de salida.
Seal conseguida a la salida del circuito rectificador de media onda
27
CIRCUITOS
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA

Este rectificador mantiene el semiciclo positivo de la seal de entrada e invierte el
semiciclo negativo convirtindolo en positivo.
Seal de la tensin a la entrada del circuito
Circuito rectificador de onda completa para un alternador monofsico
28
CIRCUITOS
Grfico del proceso que realiza el circuito rectificador
Cuando la tensin de entrada es positiva, los diodos D1 y D2 estn en directo, mientras

que D3 y D4 estn en inverso, por lo que a la salida del circuito hay la misma tensin
que a la entrada.
Con tensin de entrada positiva conducen D1 y D2
29
CIRCUITOS
En cambio, cuando la tensin de entrada es negativa, los diodos que estn en directo
son D3 y D4, y los que estn en inverso son D1 y D2, con lo que a la salida se obtiene
la entrada pero cambiada de signo, es decir, se convierte a positiva la tensin de entrada
negativa.
Con tensin de entrada negativa conducen D3 y D4
Seal de salida que se obtiene con el rectificador de onda completa
30
CIRCUITOS
RECTIFICADOR TRIFSICO
Este rectificador es el mismo que el rectificador de onda completa, pero la seal de
entrada es generada por un alternador trifsico, por lo que en la entrada hay tres seales
superpuestas.
Seal de tensin generada por un alternador trifsico
Circuito rectificador en un alternador trifsico
31
CIRCUITOS
La corriente trifsica generada en el devanado del estator de un alternador, ha de ser

rectificada para su utilizacin por los diferentes aparatos consumidores. Esta funcin
se realiza mediante diodos dispuestos de manera apropiada formando un grupo rectificador.
De este modo se obtiene una corriente continua en bornes del alternador, partiendo de
la alterna que se induce en sus fases.
Para aprovechar tanto las semiondas positivas como las negativas de cada fase
(rectificacin de onda completa), se disponen dos diodos para cada fase, uno en el lado
positivo y otro en el negativo, siendo necesarios en total seis diodos en el alternador
trifsico.
Grfico que ilustra el proceso de rectificacin de una seal trifsica
Tensiones de fase a la salida del circuito rectificador trifsico
32
CIRCUITOS
La conduccin de los diodos en cada instante de tiempo provoca en la s a l i d a una

tensin compuesta, formada por la diferencia entre la fase ms positiva y la fase ms
negativa. As por ejemplo, en el intervalo de tiempo A, la fase ms positiva es la W y
la ms negativa es la fase V, por lo que en la salida se tiene una tensin de fase de W-
V. La diferencia entre tensiones de fase se denomina tensin de lnea, que es la tensin
real de salida del circuito de valor mximo Vl.
Para el resto de los instantes (B, C, D, E, F) el proceso es el mismo, pero con la resta
de las distintas tensiones de fase que generan las respectivas tensiones de lnea en la
salida.
Tensiones de lnea en la entrada.
Tensin de salida para cualquier circuito consumidor
33
CIRCUITOS
RECORTADORES
La funcin bsica de un recortador es limitar la tensin en la carga.
RECORTADOR DE UN NIVEL DE TENSIN

Limita la tensin a un valor mximo o mnimo determinado
Seal de tensin a la entrada del circuito
Ve = tensin de entrada al circuito.

Vs = tensin de salida del circuito.
Vref = fuente de tensin en continua.
Circuito recortador de un nivel por abajo
34
CIRCUITOS
Grfico del proceso del recortador
La tensin de entrada es una seal senoidal. En el semiciclo positivo la fuente de

alimentacin Ve intenta polarizar al diodo en inversa y la pila Vref (DC) en directo; en
el instante en que Ve sea mayor que Vref el diodo estar polarizado en inversa y equivale
a un circuito abierto; al estar en circuito abierto la corriente que atraviesa el diodo Id
es cero, por lo que la tensin de salida es la misma que la entrada.
Seal a la salida del circuito recortador
Variando la posicin del diodo, se consigue recortar la seal por la zona contraria; es
decir, en vez de permitir el paso de seal por arriba, lo permite por abajo.
35
CIRCUITOS
Seal de tensin de entrada al circuito
Circuito recortador de un nivel de tensin por arriba
Grfico del proceso que se lleva a cabo sobre la seal de entrada.
36
CIRCUITOS
El recortador de la figura es similar al recortador de un nivel por abajo, simplemente

la pila Vref va a intentar polarizar al diodo en inversa. Por esta razn, cuando la tensin
de entrada sea negativa, el diodo est en inverso y la seal de salida es igual que la
de entrada, mientras que cuando la tensin de entrada sea positiva el diodo est en
directo, por lo que en la salida se fija la tensin de la pila Vref, recortando as la seal
de entrada.
Seal a la salida del circuito recortador
37
CIRCUITOS
RECORTADOR DE DOS NIVELES

Recorta la seal de entrada entre dos lmites, uno superior y otro inferior.
Seal de entrada al circuito recortador de dos niveles
Eg: generador que proporciona la tensin de entrada.

Vref1: pila de tensin continua que limita por abajo.
Vef2: pila de tensin continua que limita por arriba.
Circuito recortador de dos niveles de tensin
38
CIRCUITOS
Grfico del proceso del recortador de dos niveles
- La forma de funcionamiento del recortador de dos niveles es idntica que la del

recortador de un nivel, con la diferencia de que los dos diodos se van a turnar en
sus estados de directo e inverso:
(Siendo ON diodo en directo y OFF diodo en inverso).

D1 ON => D2 OFF (semiciclo negativo de Ve).
D2 ON => D1 OFF (semiciclo positivo de Ve).
Seal que se obtiene a la salida de un circuito recortador de dos niveles
39
CIRCUITOS
ESTABILIZADORES DE TENSIN
Para realizar esta funcin se utiliza un nuevo tipo de diodo denominado diodo Zener.
DIODO ZENER
Es un diodo que permite la conduccin de corriente en determinadas condiciones tanto
en un sentido como en el otro. El diodo zener se puede comportar como un diodo normal
si hacemos que trabaje fuera de su zona zener.
Zona zener es la parte de la curva caracterstica en la cual el diodo est polarizado en
inverso pero permitiendo el paso de corriente de ctodo a nodo. En esta zona la tensin
entre nodo y ctodo toma un valor negativo constante, esta tensin es la denominada
tensin zener (Vz).
A: nodo. K: ctodo.
Id: intensidad en directo. Iz: intensidad en inverso.

Vd: tensin en directo. Vz: tensin en inverso.
Smbolos electrnicos del diodo Zener
40
CIRCUITOS
La curva caracterstica de este diodo es similar a la de un diodo normal, pero con el

aadido de que permite la conduccin de corriente en la zona inversa.
Vz: tensin tener.

Vu: tensin umbral.
Zonas de funcionamiento en la curva caracterstica de un diodo Zener
El diodo Zener conduce tanto en directo como en inverso. En directo contina fijando
una tensin Vu, mientras que en inverso fija una tensin mayor denominada tensin
Zener (Vz).
Ifmax: intensidad en directo mxima.

Izmax: intensidad en inverso mxima.
Lmites de ruptura en la curva caracterstica de un diodo Zener
41
CIRCUITOS
Ahora el lmite de ruptura en inverso viene determinado por intensidad, ya que no puede
superar el valor de intensidad zener mxima (Izmax), en vez de por tensin como los
diodos normales.
El circuito estabilizador de tensin se realiza mediante un diodo zener, el cual se polariza
en inverso, de manera que fije siempre la tensin zener (Vz).
Seal de tensin de entrada al circuito
Circuito estabilizador de tensin
Vcc: tensin proporcionada a la entrada.

Vz: tensin zener del diodo.
Grfico del proceso de estabilizacin de la tensin
42
CIRCUITOS
Una tensin est estabilizada en la carga cuando no sufre variaciones ante cambios en
la intensidad (dentro de un determinado rango).
En el circuito del estabilizador, la tensin de entrada sufre variaciones con el tiempo,
pero siempre es positiva; por lo que el diodo Zener est en inverso y fija la tensin de
la carga al valor de Vz.
Seal a la salida del circuito estabilizador de tensin
43
CIRCUITOS
MODULOS COMERCIALES
DIODOS RECTIFICADORES
CODIFICACION VU (voltios) IF MAX (amperios) VR MAX (voltios)

1N4448 0,8 2 75
1N4447 1 2 75
1N4449 1 2 75
1N5624 1 80 200
1N5625 1 80 400
DIODOS ZENER
CODIFICACION VU (voltios) VZ (voltios) IR MAX (voltios)

BZ03 / C9V1 1,2 9 10
BZ03 / C12 1,2 12 10
BZ03 / C20 1,2 20 5
BZ03 / C62 1,2 62 2
44
CIRCUITOS
TRANSISTORES BIPOLARES
Un transistor bipolar consiste en tres semiconductores de tipo P o N, alternados
consecutivamente formando as dos uniones P-N.
Las dos uniones de un transistor dan lugar a tres regiones denominadas emisor, base
y colector. A efectos de comportamiento, un transistor se puede comparar con un
interruptor controlado electrnicamente
TERMINALES (CONEXIONES) Y SIMBOLOGA

Un transistor se compone de tres zonas semiconductoras (existen dos uniones P-N).
Estas zonas semiconductoras pueden ser de tipo N o de tipo P, y nunca pueden ir dos
zonas del mismo tipo seguidas. Hay dos tipos de transistores bipolares: tipo P-N-P y
tipo N-P-N.
E: emisor.
B: base.
C: colector.
Regiones semiconductoras y smbolo de un transistor bipolar tipo N-P-N
E: emisor.
B: base.
C: colector.
Regiones semiconductoras y smbolo de un transistor bipolar tipo P-N-P
Cada zona lleva conectado un terminal. Estos terminales se denominan emisor, base y
colector. La base se corresponde con el semiconductor central, ya sea un transistor P-
N-P como uno N-P-N.
45
CIRCUITOS
CRITERIO DE CORRIENTES Y TENSIONES

Los trminos y la nomenclatura utilizada en el estudio de las tensiones e intensidades
de los transistores bipolares son:
Intensidades:
(Para un transistor NPN):
- Ib : intensidad que entra por la base.

- Ic : intensidad entra en el colector.
- Ie : intensidad que sale por el emisor.
Tensiones:
- Vce : tensin entre el colector y el emisor
- Vbe : tensin entre la base y el emisor
- Vbc : tensin entre la base y el colector
TIPO N-P-N
E: emisor
B: base
C: colector
Smbolo y criterio de signos en un transistor bipolar N-P-N
En el tipo de transistor NPN se cumplen unas condiciones de funcionamiento a nivel de

tensiones y a nivel de corrientes que son:
Ib + Ic = Ie
Vce = Vbe - Vbc
46
CIRCUITOS
La suma de las corrientes que entran a un nudo son iguales a la suma de las corrientes
que salen del nudo. La suma de cadas de tensin a lo largo de una red es cero.
Vce + Vbe + Vbc = 0
Se puede realizar una aproximacin a nivel de corrientes debido a que la intensidad

de base mxima (Ibmax) es aproximadamente 100 veces menor que la intensidad de
colector (Ic), por tanto se toma como buena la siguiente deduccin:
Ic = Ie
TIPO P-N-P
E: emisor.
B: base.
C: colector.
Smbolo y criterio de signos en un transistor bipolar P-N-P
Este tipo de transistor trabaja exactamente igual que el de tipo N-P-N, pero con la
diferencia de que cambian todos los sentidos, tanto de las tensiones como de las
intensidades.
47
CIRCUITOS
CURVAS CARACTERSTICAS
Las curvas caractersticas son curvas que referencian el comportamiento del componente.
En el caso de los transistores bipolares hay que analizar dos tipos de curvas.
La primera es la curva caracterstica de entrada, y relaciona la corriente de base (Ib)
con la corriente de colector (Ic).
Icsat: intensidad de colector de saturacin.

Ibsat: intensidad de base de saturacin.
: factor amplificador de corriente en activa.
Curva caracterstica de entrada en un transistor bipolar
La corriente de colector es directamente proporcional a la corriente que entra por la

base del transistor en la zona marcada en rojo ( ). En el resto de la grfica la
corriente de colector no depende de la corriente de base puesto que Ic valdr como
mximo Icsat y como mnimo cero.
La segunda, se denomina curva caracterstica de salida, y en ella se relaciona la intensidad
de colector (Ic) con la tensin entre el colector y el emisor (Vce), todo ello, dependiendo
del valor de la intensidad de base (Ib)
Curva caracterstica de salida para Ib1
48
CIRCUITOS
Estas grficas referencian la caracterstica de salida con respecto a un nico valor de

intensidad de base (Ib). La unin de varias grficas para distintos valores de intensidad
de base genera la curva caracterstica de salida de un transistor bipolar.
Curva caracterstica de salida para Ib2.
Relacionando la curva caracterstica de salida para todos los posibles valores de corriente
por la base, la curva caracterstica general para un transistor bipolar es:
Curva caracterstica de salida de un transistor bipolar
49
CIRCUITOS
RECTA DE CARGA
El punto de trabajo es el punto que indica la tensin colector-emisor (Vce) y la corriente
de colector (Ic) del transistor bipolar.
Curva de salida con referencia en Ib1
Recta de carga es la lnea sobre la que se van a situar los posibles puntos de trabajo
del transistor. Sobre la recta de carga tendremos varios puntos de trabajo dependiendo
del valor de la corriente de base (Ib). Para un valor de Ib igual a Ib1 el punto de trabajo
ser el Q1.
Para calcular la recta de carga se deben hallar los puntos de corte con los ejes de la
grfica. Observando el circuito de la figura y su curva caracterstica de salida, la recta
de carga se calcular de la siguiente forma:
Circuito de polarizacin de un transistor bipolar
* En el circuito existen dos redes elctricas, la red de entrada y la de salid.
50
CIRCUITOS
Mallas de entrada y salida de un circuito de polarizacin
En la red de entrada la tensin para polarizar el transistor proviene de una fuente de

tensin continua Vbb que va a generar una corriente por la base (Ib),de tal manera
que las cadas de tensin que aparecen en esta red son:
- Cada de tensin entre la base y el emisor (Vbe).

- Cada de tensin en la resistencia Rb.
Vbb = Vbe + Rb x Ib
De manera anloga las cadas de tensin en la red de salida son:

- Cada de tensin en la resistencia de colector Rc.
- Cada de tensin entre el colector y el emisor (Vce).
Vcc = Vce + Rc x Ic.
Vce = Vcc - Rc x Ic.
* Para hallar el punto de corte con el eje de Ic, supondremos que la Vce es igual a cero.
En este supuesto, en el circuito la Ic tiene un valor igual a Vcc / Rc.
* Para hallar el punto de corte con el eje de Vce, se supone que la Ic es igual a
cero. Por lo tanto, la Vce tiene un valor igual a Vcc.
* Se colocan los dos puntos de corte sobre la grfica, y al unirlos mediante una lnea,
se obtiene la recta de carga del transistor.
51
CIRCUITOS
Recta de carga en la curva de salida
Los posibles puntos de trabajo del transistor estarn situados en las intersecciones entre
la recta de carga y la curva caracterstica de salida del transistor bipolar, dependiendo
del valor de la intensidad de base (Ib).
Posibles puntos de trabajo del transistor bipolar
52
CIRCUITOS
La corriente que atraviesa la base (Ib) del transistor se obtiene analizando la red de
entrada:
Ib = (Vbb - Vbe) / Rb.
Por ejemplo, Ib = Ib1.
Con la Ib1 calculada marcaremos en la caracterstica de salida la horizontal de corriente

de base sobre la que podr trabajar el transistor.
Vcesat: tensin colector-emisor de saturacin.

Vcc: punto de corte de la recta de carga.
Vcc/Rc: punto de corte con la recta de carga.
Q1: punto de trabajo.

Vce1: tensin colector-emisor en el punto de trabajo.
Ic1: intensidad de colector en el punto de trabajo.
Clculo grfico del punto de trabajo de un transistor bipolar
53
CIRCUITOS
ZONAS DE FUNCIONAMIENTO
El transistor puede estar polarizado en distintas zonas de funcionamiento. Estas posibles
zonas de funcionamiento son tres: activa, corte y saturacin.
Zonas de funcionamiento de un transistor bipolar
FUNCIONAMIENTO EN ACTIVA
En la zona activa el transistor tiene una corriente de colector (Ic) mayor que cero y
una Vce mayor que un lmite de tensin que separa las zonas de activa y saturacin
llamada Vcesat. En este caso el transistor se comporta como un amplificador de corriente,
ya que en la salida del circuito circular una Ic que ser la intensidad de entrada (Ib)
multiplicada por un valor constante denominado .
Este valor constante depende del transistor, y su valor viene dado por el fabricante en
las hojas de caractersticas.
54
CIRCUITOS
FUNCIONAMIENTO EN CORTE
En la zona de corte, se puede observar que el transistor tiene una Ic y una Ib nulas,
es decir, sus valores son iguales a cero. En este caso el transistor se comporta como
un circuito abierto.
Circuito equivalente del transistor en zona de corte
FUNCIONAMIENTO EN SATURACIN
El punto caracterstico de la zona de saturacin es que la Vce tiene un valor igual a la
Vcesat. Este valor tambin viene determinado por el fabricante del transistor y suele
aproximarse a 0.2 Voltios. En este caso, el transistor se comporta como un cortocircuito,
es decir, es un interruptor cerrado.
Circuito equivalente de un transistor en zona de saturacin
En la mayora de los casos, en la electrnica del automvil, los transistores bipolares

se comportan como un rel o como un interruptor. La ventaja que se obtiene con su
uso es la disminucin de arcos voltaicos en el paso de conduccin a corte; adems el
transistor se controla con seales que son ms fciles de obtener.
Este slamente trabajar en las zonas de corte (circuito cerrado) y saturacin (circuito
abierto) si queremos que se comporte como un rel.
55
CIRCUITOS
LIMITES DE RUPTURA
El transistor bipolar debe trabajar dentro de unos mrgenes de tensin, corriente y
potencia.
Grfica de curva de salida con lmites de ruptura
Vcesat: tensin colector-emisor de saturacin.

Icmax: intensidad de colector mxima.
Vcemax: tensin colector-emisor mxima.
Pmax: mxima potencia elctrica que puede soportar el transistor.
Un transistor bipolar se puede destruir por varias causas:
- Por sobrepasar el valor de Icmax.

- Por sobrepasar el valor de Vcemax.
- Se puede destruir un semiconductor si la potencia que soporta sobrepasa el valor
de potencia mxima (Pmax). A mayor potencia elctrica soportada mayor cantidad
de calor existir en el componente. La zona de ruptura por potencia se puede
apreciar en la grfica.
Todos los valores lmite de intensidad mxima, tensin mxima y potencia mxima
dependen de la fabricacin del transistor. Sus valores vienen proporcionados por las
hojas de caractersticas que suministra el fabricante en los DATA-BOOKS (libro de datos).
56
CIRCUITOS
MONTAJE DARLINGTON
Este montaje consiste en la unin de dos transistores bipolares en cascada dentro de
un circuito. La unin en cascada implica que la salida del primer transistor (Ie1) es la
entrada (Ib2) del segundo transistor.
Circuito electrnico con montaje Darlington
La funcin de este tipo de circuitos es bsicamente, la de amplificar la seal de entrada.

A efectos de anlisis del montaje, se considera el bloque como un nico transistor bipolar
con un factor de amplificacin constante de valor 1 x 2 (siendo 1 y 2 los respectivos
factores de amplificacin de cada transistor).
MODULOS COMERCIALES
TRANSISTORES BIPOLARES NPN
CODIFICACIN VCE MAX (V) IC MAX (A) VCE SAT VBE SAT (V) IB SAT (mA)
BFY50 35 1 0,7 1,5 50
BFY51 30 1 1 1,5 50
BFY52 20 1 1 1,5 50
2N3903 40 0,2 0,2 0,85 50
2N3904 40 0,2 0,3 0,95 50
57
CIRCUITOS
TRANSISTORES UNIPOLARES
Los transistores unipolares, al igual que los bipolares, son componentes semiconductores
de dos uniones P-N, pero que se realizan con distinta tecnologa de fabricacin. Este
tipo de transistores tiene otra nominacin que es la de transistores de campo, debido
a que en su fabricacin se ha conseguido que la corriente se controle por la accin del
campo elctrico existente en la unin P-N.
Mientras que los transistores bipolares dan un buen rendimiento a baja frecuencia, los
unipolares funcionan mejor en frecuencias altas.
Dentro de los transistores unipolares existen dos tipos: los JFET (denominados simplemente
FET) y los MOSFET (denominados de forma abreviada como MOS).
TRANSISTORES JFET
Las siglas JFET vienen de Junction Field Effect Transistor, que traducido quiere decir
Transistor de Efecto de Campo.
Este tipo de transistores unipolares se utiliza mucho ms que los MOSFET ya que su
fabricacin es mucho ms barata.
58
CIRCUITOS
SIMBOLOGIA Y TERMINALES
Un transistor unipolar se compone de tres partes semiconductoras: la parte principal
es una barra de semiconductor a la que se le hacen dos hendiduras en su superficie
dndole forma de H, las otras dos partes son dos capas de material semiconducor que
van colocadas en las hendiduras de la parte principal. La parte semiconductora principal
puede ser de tipo P o N, mientras que las otras dos capas son del tipo contrario al de
la barra principal.
Esquema de terminales y partes semiconductoras de un JFET
El JFET tiene tres terminales o conexiones que se denominan: puerta (G), surtidor (S),
y drenador (D). Dependiendo de si la barra central es de tipo P o de tipo N, los transistores
JFET pueden ser de canal P o canal N respectivamente. La diferencia entre un tipo u
otro se distingue en el sentido que marca la flecha situada en el terminal de puerta de
su smbolo.
G: puerta.
D: drenador.
S: surtidor o fuente.
Smbolos electrnicos de los transistores unipolares JFET
59
CIRCUITOS

Los sentidos de las diversas intensidades y tensiones en los terminales de un transistor
unipolar JFET de canal N son los mostrados en el siguiente grfico:
Criterio de signos de corrientes y tensiones en un JFET de tipo N
G: puerta. Ig: intensidad por la puerta.

D: drenador. Id: intensidad por el drenador.
S: surtidor. Is: intensidad por el surtidor (negativa).
Vgs: tensin puerta-surtidor. Vds: tensin drenador-surtidor.
A nivel de funcionamiento dentro de un circuito se suponen las siguientes aproximaciones:
Ig = 0.
Id = -Is.
Es decir, la corriente que circula por la puerta se supone aproximadamente cero, y se
supone que la corriente que circula por el drenador es la misma que la que circula por
el surtidor pero en sentido contrario.
Debido a la escasa utilizacin de los JFET de tipo P, slamente se explicar el criterio
de signos en el smbolo de los JFET de tipo N. La diferencia a nivel de signos entre los
dos tipos, es que todos los sentidos de intensidades y tensiones de los de tipo P son
contrarios a los asignados en los de tipo N.
60
CIRCUITOS
En el caso de los transistores unipolares, al igual que en los bipolares, tambin se utilizan
dos tipos de curvas caractersticas: la de entrada y la de salida.
La curva caracterstica de entrada, relaciona la corriente por el drenador (Id) con la
tensin existente entre los terminales de puerta y surtidor (Vgs).
Id: intensidad de drenador.

Idss: intensidad de drenador mxima aprovechable.
Vgs: tensin puerta-surtidor.
Vp: tensin de pinch-off.
Curva caracterstica de entrada de un transistor JFET
El punto que determina que un JFET pase de corte a conduccin es el valor de la tensin
entre puerta y surtidor. Existe un valor, proporcionado por el fabricante, y llamado
tensin de pinch-off (Vp), que es el que determina el cambio de funcionamiento. Si Vgs
es menor que el valor de Vp, el transistor no conduce; mientras que si el valor de Vgs
es mayor que Vp, el JFET se encuentra conduciendo.
La otra curva caracterstica es la de salida, y en ella se relaciona la corriente por el
drenador (Id) con la tensin entre los terminales de drenador y surtidor (Vds), pero
dependiendo del valor de la tensin entre la puerta y el surtidor (Vgs).
61
CIRCUITOS
Id: intensidad de drenador. Idss: intensidad de drenador mxima aprovechable.

Vds: tensin drenador-surtidor. Vgs: tensin puerta-surtidor.
Vp: tensin de pinch-off . BVds: tensin drenador-surtidor mxima
aprovechable.
Curva caracterstica de salida de un JFET
Cada lnea es representada para un valor determinado de Vgs, as la unin de dichas

lneas referencia la curva caracterstica de salida global, esto es, para distintos valores
de tensin entre la puerta y el surtidor (Vgs1, Vgs2, Vgs3, etc.).
62
CIRCUITOS
Este tipo de transistores puede estar polarizado en diversas zonas de funcionamiento:

corte, hmica, saturacin y ruptura.
Zonas de funcionamiento reflejadas sobre la curva de salida
ZONA DE CORTE
En este estado de funcionamiento el transitor JFET equivale elctricamente a un circuito

abierto entre sus terminales de drenador y surtidor. Por lo tanto, no circula corriente
por l.
ZONA OHMICA
Elctricamente, el JFET se comporta como si hubiera un potencimetro entre el drenador

y el surtidor. La peculiaridad de este potencimetro o resistor variable es que su
resistencia no vara manualmente o mecnicamente, sino que su variacin es controlada
por la tensin entre puerta y surtidor (Vgs). Es decir, la resistencia entre drenador y
surtidor (Rds) toma diferentes valores para distintos valores de Vgs.
63
CIRCUITOS
ZONA DE SATURACION
En esta zona, el transistor unipolar equivale a un generador de corriente continua, cuyo

valor depende de la Vgs aplicada. Esto es debido a que el valor de la intensidad que
circula por el drenador (Id), permanece constante e invariante aunque se cambie el
valor de la tensin entre el drenador y el surtidor (Vds).
El JFET entra en esta zona de funcionamiento cuando la tensin drenador-surtidor (Vds)
supera el valor de tensin de pinch-off (Vp).
ZONA DE RUPTURA
Es una zona en la que, por diversas causas, tiene lugar un rpido crecimiento de la
corriente por el drenador, lo que lleva a la ruptura de la unin semiconductora P-N
situada en la parte del drenador. Esta zona tambin marca un lmite en la tensin entre
el drenador y el surtidor (Vds) que no se puede superar, este valor mximo de tensin
se denomina BVds. Esta zona apenas se utiliza, ya que el componente pierde sus
propiedades semiconductoras. Trabajar en esta zona supone hacer funcionar al transistor
con corrientes y tensiones elevadas, lo que puede hacer que el componente se rompa.
64
CIRCUITOS
CIRCUITO AUTOPOLARIZADO
Circuito autopolarizador de un transistor unipolar JFET
A este circuito se le llama as porque mediante la disposicin de resistencias y la fuente

de alimentacin continua Vdd, se consigue que el transistor JFET nunca est funcionando
en la zona de corte. Esto se debe a que el valor de tensin entre la puerta y el surtidor
(Vgs) nunca va a ser inferior al valor de la tensin de pinch-off (Vp). Luego el circuito
autopolarizado slo puede estar funcionando en la zona de saturacin o en la zona
hmica.
Cuando se encuentra en saturacin, equivale a un generador de corriente continua de
valor Id:
D: terminal de drenador.
S: terminal de surtidor.
Id: generador de corriente constante de valor Id.
Circuito equivalente de un transistor JFET en saturacin
65
CIRCUITOS
En cambio, cuando se encuentra en zona hmica, equivale a una resistencia variable

de valor Rds:
Rds: resistencia entre los terminales
del drenador y el surtidor.
Circuito equivalente de un transistor JFET en zona hmica
TRANSISTORES MOSFET
Las siglas MOSFET vienen de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transitor, que
significa Transistor Semiconductor de Efecto de Campo con Oxido de Metal.
En la actualidad se ha conseguido abaratar la fabricacin de este tipo de transistores
unipolares, por lo que estn siendo utilizados para sustituir a los tiristores. La razn
fundamental de este cambio es que se controlan por tensin y no hacen falta los circuitos
de bloqueo adicionales que utilizan los tiristores, estos circuitos se vern en el prximo
captulo dedicado a los tiristores.
66
CIRCUITOS
SIMBOLOGIA Y TERMINALES (CONEXIONES)
Este tipo de transitores unipolares est fabricado con una barra principal semiconductora
de tipo P o N, y dos zonas transversales de semiconductor de tipo contrario al de la barra
principal. Pero con la diferencia con respecto a los JFET de que la capa superior es de
material dielctrico (aislante) y aisla el terminal de puerta (G) del resto del componente.
G: terminal de puerta.
S: terminal de surtidor o fuente.
Terminales y partes semiconductoras de un transistor unipolar MOSFET
Con esta peculiar forma de fabricacin se consigue crear un campo elctrico entre el
terminal de puerta y el material dielctrico; esto, elctricamente, equivale a que haya
un condensador entre estas dos partes, lo que provoca que la corriente por el terminal
de puerta sea cero.
G: terminal de puerta.
Smbolos electrnicos de los transistores MOSFET.

Al igual que los JFET, tienen tres terminales: puerta, drenador y surtidor. Dependiendo
de si la barra central del componente es de un tipo u otro de semiconductor, existen
dos tipos de transistores MOSFET: de canal P o de canal N.
Sus respectivos smbolos se diferencian entre ellos en que la flecha pintada sobre el
terminal del surtidor tiene sentido contrario.
67
CIRCUITOS
Como siempre, estos dos tipos se diferencian en que todos los sentidos de corriente y
tensin definidos en un MOSFET de tipo N, son de sentido contrario en uno de tipo P.
Ig: intensidad por la puerta. Vgs: tensin puerta-surtidor.

Id: intensidad por el drenador. Vds: tensin drenador-surtidor.
Is: intensidad por el surtidor o fuente.
Criterio de signos de tensiones y corrientes de un MOSFET

de canal N
68
CIRCUITOS
Se utilizan dos curvas caractersticas: la de entrada y la de salida.

La curva caracterstica de entrada relaciona la corriente que circula por el drenador (Id)
con la tensin entre la puerta y el surtidor (Vgs).
Id: intensidad por el drenador.

Vgs: tensin puerta-surtidor.
Vt: tensin umbral.
Curva caracterstica de entrada de un transistor MOSFET.
En este caso el valor de tensin que identifica el lmite en el cual se pasa de conduccin
a corte se llama tensin umbral (Vt). Si Vgs es mayor que este valor, el transistor
M O S F E T e s t c o n d u c i e n d o ; m i e n t ra s q u e s i e s m e n o r n o c o n d u c e .
La curva caracterstica de salida relaciona la intensidad por el drenador (Id) con la
tensin existente entre los terminales del drenador y el surtidor (Vds).
Id: intensidad de drenador.

Vds: tensin drenador-surtidor.
Idss: intensidad de drenador mxima aprovechable.
gs: tensin puerta-surtidor.
Vt: tensin umbral.
BVds: tensin drenador-surtidor mxima aprovechable.
Curva caracterstica de salida de un transistor MOSFET
En esta curva, cada lnea continua referencia un valor de tensin entre la puerta y el
surtidor (Vgs) distinto.
69
CIRCUITOS
Al igual que en los transitores JFET, los MOSFET tienen las mismas cuatro zonas de
funcionamiento.
Zonas de funcionamiento de un transistor unipolar MOSFET
ZONA DE CORTE
El transistor MOSFET equivale elctricamente a un circuito abierto entre los terminales
del drenador y el surtidor. Se comporta como un interruptor desconectado, situado entre
los dos terminales.
ZONA OHMICA
El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el drenador y el surtidor.
El valor de esta resistencia vara dependiendo del valor que tenga la tensin entre la
puerta y el surtidor (Vgs).
ZONA DE SATURACION
El transistor entra en esta zona de funcionamiento cuando la tensin entre el drenador
y el surtidor (Vds) supera un valor fijo denominado tensin drenador-surtidor de
saturacin (Vdssat); este valor viene determinado en las hojas caractersticas
proporcionadas por el fabricante.
En esta zona el MOSFET mantiene constante su corriente por el drenador (Id),
independientemente del valor de tensin que halla entre el drenador y el surtidor (Vds).
Por lo tanto, el transistor equivale a un generador de corriente continua de valor Id.
70
CIRCUITOS
ZONA DE RUPTURA
Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET pierde sus propiedades
semiconductoras y se puede llegar a romper el componente fsico. La palabra ruptura
hace referencia a que se rompe la unin semiconductora de la parte del terminal del
drenador.
EJEMPLO DE CIRCUITO POLARIZADOR DE UN MOSFET
Circuito de polarizacin de un transistor MOSFET.
En este circuito se sabe que la fuente de alimentacin de continua Vdd tiene un valor
en voltios superior al valor de tensin umbral del MOSFET (Vt). Esto implica que el
MOSFET est en zona de conduccin, porque Vgs > Vt.
Como la tensin entre la puerta y el surtidor (Vgs) tiene el mismo valor que la tensin
existente entre el drenador y el surtidor (Vds), el transistor unipolar se encuentra
funcionando en zona de saturacin. Esto implica que el MOSFET equivale, elctricamente,
a un generador de corriente continua y constante de valor Id:
Circuito equivalente de un transistor MOSFET en saturacin.
71
CIRCUITOS
LIMITES DE RUPTURA
La utilizacin de transistores unipolares en circuitos electrnicos, tanto JFET como

MOSFET, exige, como en cualquier otro componente, conocer sus limitaciones de trabajo.
Idmax: intensidad drenador mxima.

BVgs: tensin puerta-surtidor mxima.
Curva de entrada referenciada con lmites de ruptura.
Los transistores unipolares estn limitados en tres magnitudes elctricas:
- En tensin: no se puede superar el valor mximo de tensin entre la puerta y el

surtidor. Este valor se denomina BVgs. Tampoco se puede superar un valor mximo
de tensin entre el drenador y el surtidor denominado BVds.
- En corriente: no se puede superar un valor de corriente por el drenador, conocido
como Idmax.
- En potencia: este lmite viene marcado por Pdmax, y es la mxima potencia que
puede disipar el componente.
Idmax: intensidad de drenador mxima.

BVds: tensin drenador-surtidor mxima.
Pdmax: potencia elctrica mxima.
Curva de salida referenciada con lmites de ruptura.
Todos estos valores que marcan los lmites de ruptura del transistor unipolar vienen
referenciados en las hojas de caractersticas (DATA-BOOK) proporcionadas por el
fabricante.
72
CIRCUITOS
TIRISTORES
Un tiristor es un componente electrnico formado mediante la unin de cuatro capas
semiconductoras, dos de tipo P y dos de tipo N alternadas. Un tiristor se puede definir
como un diodo controlado mediante un terminal. El terminal de control se denomina
puerta (G) y tiene como funcin la de hacer que el tiristor pase a estado de conduccin
o directo. El terminal de puerta tambin se denomina electrodo de gobierno.
TERMINALES Y SIMBOLOGIA
Existen dos tipos de tiristores NPNP y PNPN dependiendo de la combinacin de capas
semiconductoras. Los terminales del tiristor se denominan nodo (A), ctodo (K) y el
terminal de control o puerta (G).
A: nodo
K: ctodo
G: puerta
73
CIRCUITOS
-Iak: intensidad que circula de nodo a ctodo.

-Ig: intensidad por la puerta.
-Vgk: tensin existente entre la puerta y el ctodo.
-Vak: tensin entre nodo y ctodo.
Smbolo electrnico del tiristor
A diferencia de los transistores bipolares, la corriente que entra por el nodo es la misma
que sale por el ctodo (Iak):
Ia = Ik = Iak
Siendo Ia la intensidad por el nodo, Ik la intensidad por el ctodo, y la intensidad total,

Iak, la que circula desde el nodo hasta el ctodo.
74
CIRCUITOS
El tiristor tiene dos curvas caractersticas: la curva de salida y la curva de entrada.
Vgk: tensin puerta-ctodo.

Ig: intensidad por la puerta.
Vu: tensin umbral.
Curva caracterstica de entrada de un tiristor
La curva caracterstica de entrada va a relacionar la corriente por la puerta (Ig) con la

tensin entre la puerta y el ctodo (Vgk).
La grfica de entrada es idntica a la curva caracterstica de un diodo normal.
Vr: tensin en inverso.

Vmax: tensin mxima en conduccin.
Vh: tensin de mantenimiento.
Ih: corriente de mantenimiento.
Curva caracterstica de salida de un tiristor para Ig = 0
75
CIRCUITOS
La curva caracterstica de salida relaciona la corriente que pasa del nodo al ctodo
(Iak) con la tensin entre el nodo y el ctodo (Vak). Para valores negativos de tensin
nodo-ctodo (Vak) el tiristor se comporta como un diodo polarizado en inverso por lo
que equivale a un circuito abierto entre el nodo y el ctodo.
Vr: tensin en inverso.

Ih: corriente de mantenimiento.
Curva caracterstica de salida para Ig > 0
La curva caracterstica de salida es distinta si se varan valores de corriente por la puerta

(Ig). En los tiristores en el momento en que la corriente de puerta sea distinta de cero,
la caracterstica de salida vara y se elimina el pico que hay en la grfica de la curva
de salida.
76
CIRCUITOS
RECTA DE CARGA
El punto de trabajo en un tiristor indica la corriente que circula desde el nodo hasta
el ctodo (Iak) y la tensin existente entre el nodo y el ctodo (Vak).
Eg: generador de tensin de onda cuadrada.

Vcc: fuente de tensin en continua.
TH: tiristor.
Circuito de polarizacin de un tiristor
Para calcular la recta de carga del tiristor hay que calcular los puntos de corte con los
ejes Vak e Iak. Analizando las cadas de tensin en la red de salida la ecuacin de salida
es:
Vak = Vcc - Iak x R
Haciendo Iak cero y calculando en esta situacin la Vak respecto de la ecuacin de salida
se llega a la conclusin:
Vak = Vcc
77
CIRCUITOS
De manera anloga haciendo Vak cero y calculando en esa situacin Iak respecto de
la ecuaccin de salida, se obtiene:
Iak = Vcc / R
Con los valores de Iak y Vak calculados se traza la recta de carga.
Grfico de la recta de carga del tiristor para el circuito de polarizacin
78
CIRCUITOS
Zonas de funcionamiento de un tiristor
Hay tres zonas sobre las que puede trabajar un tiristor:
- Bloqueo: el tiristor se comporta como un diodo polarizado en inverso, es decir, como

un circuito abierto por el que no podr circular corriente desde el nodo hasta el
ctodo.
- Resistencia negativa: es una zona muy inestable en la que el tiristor no debe nunca
trabajar.
- Conduccin: el tiristor se comporta como un diodo polarizado en directo, es decir, como
un cortocircuito. En esta zona circula corriente desde el nodo hasta el ctodo (Iak).
Q1, Q2, Q3: posibles puntos de trabajo del tiristor
Intersecciones de la recta de carga con la curva de salida para Ig = 0
79
CIRCUITOS
Si no se genera corriente por la puerta del tiristor, los cortes de la recta de carga con
la curva caracterstica de salida para un valor de corriente por la puerta (Ig) igual a cero
son tres: Q1, Q2 y Q3.
Hay tres puntos de corte entre las dos curvas, cada punto de corte est situado en una
zona distinta. Para saber qu punto es el correcto hay que tener en cuenta el estado
anterior en el que se encontraba el tiristor. Si el tiristor estaba bloqueado (diodo en
inverso) el punto correcto es el Q1 (bloqueo). Si por el contrario el tiristor estaba en
conduccin, el punto correcto es Q3 (conduccin). El punto Q2 se desestima porque es
improbable que el tiristor estuviera trabajando en zona de resistencia negativa.
Interseccin de la recta de carga con la curva de salida para Ig > 0
Al generar un impulso de corriente por la puerta la curva caracterstica vara, con lo que
tambin cambian los puntos de corte entre ambas rectas. Con una corriente de puerta
(Ig) mayor que cero slo hay un punto de corte Q3 que est situado en la zona de
conduccin. Por lo tanto en esta situacin el tiristor se comporta como un diodo en
directo.
Circuito equivalente para un tiristor en conduccin
80
CIRCUITOS
Estando el tiristor en la zona de conduccin si se retira el pulso de corriente por la puerta

(Ig = 0) se obtiene la curva caracterstica para una corriente por la puerta igual a cero.
Posibles puntos de trabajo despus de retirar el pulso de corriente con Ig = 0
Existen tres puntos de corte entre la recta de carga y la curva de salida que son Q1,
Q2 y Q3 . Como el tiristor, al retirar el pulso de corriente, estaba en conduccin, el punto
vlido es Q3. Se define corriente de mantenimiento (Ih) y tensin de mantenimiento
(Vh), no explicadas anteriormente, como:
- Corriente de mantenimiento (Ih): es el mnimo valor que debe tomar la corriente

nodo-ctodo para que al retirar el pulso de corriente por la puerta, el tiristor
permanezca en estado de conduccin.
- Tensin de mantenimiento (Vh): es el mnimo valor de tensin nodo-ctodo que
debe existir para que al retirar el pulso de corriente por la puerta el tiristor permanezca
en estado de conduccin.
Punto de trabajo despus de generar el pulso de coriente con Ig > 0
81
CIRCUITOS
Circuito equivalente para un tiristor en bloqueo
Si en el momento de retirar el pulso de corriente por la puerta (Ig) el punto de trabajo

Q3 (Iak3, Vak3) no se encuentra por encima del punto de mantenimiento Qh (Ih, Vh),
el tiristor pasa a funcionar en zona de bloqueo y se comporta como un diodo en inverso.
Q3: punto de trabajo del tiristor.

Ih: intensidad de mantenimiento.
Iak3: corriente nodo-ctodo en Q3.
Vak3: tensin nodo-ctodo en Q3.
Punto de trabajo sobre curva de salida con Ig > 0.
El tiristor est trabajando en Q3 por encima del punto Qh, en esta situacin el tiristor
est conduciendo independientemente de que se retire o no el pulso de corriente por
la puerta.
82
CIRCUITOS
Recta de carga negativa sobre curva de salida
Se plantea un problema cuando se quiere que un tiristor que est conduciendo pase a
corte o bloqueo. La nica manera que hay de conseguir el bloqueo de un tiristor, es
conseguir que la tensin entre el nodo y el ctodo sea negativa o bien que la corriente
que circula desde el nodo hasta el ctodo sea tambin negativa. Con esto se consigue
variar la recta de carga hasta zonas de trabajo en las que se comporta como un diodo
en inverso. Para lograr el bloqueo de tiristores hay que situar circuitos adicionales de
bloqueo. Actualmente, este inconveniente est motivando que el tiristor deje de existir,
a medio plazo, y su lugar sea ocupado por los transistores de potencia unipolares.
83
CIRCUITOS
LIMITES DE RUPTURA
Como cualquier componente, los tiristores tambin tienen unos valores mximos
permitidos, a partir de los cuales se destruyen.
Lmites de ruptura de un tiristor.
Iakr: intensidad nodo-ctodo de ruptura.

Vakr: tensin nodo-ctodo de ruptura.
Un tiristor puede perder sus caractersticas semiconductoras por alguna de las siguientes
causas:
- Tensin Vak > Vakr.

- Corriente Iak > Iakr.
- Corriente Ig > Igmax.
- Tensin Vgk > Vgkr.
- Potencia Pd > Pdmax.
84
CIRCUITOS
CIRCUITO DE APLICACIN
El siguiente circuito representa una aplicacin bsica de un tiristor. El generador Eg1
crea el pulso de corriente por la puerta del tiristor, para rectificar la seal alterna de
salida, generada por Eg. La funcin de este circuito es equivalente a un rectificador de
media onda, pero con la ventaja de que el tiristor (diodo controlado) entra en conduccin
cuando se desee.
Eg: generador de tensin de onda alterna senoidal.

Eg1: generador de tensin de onda cuadrada.
Circuito de polarizacin con tensin alterna en la salida.
85
CIRCUITOS
Funcionamiento del circuito mediante las grficas de las seales
TH ON : tiristor en conduccin.
f1: fase de disparo del tiristor.
Vak1: tensin nodo-ctodo en el tiristor.
TH OFF: tiristor en bloqueo.
Ig1: amplitud del pulso de corriente por la puerta.
Iak1: corriente nodo-ctodo del tiristor.
* En el intervalo de tiempo comprendido entre 0 y la fase f1 el tiristor est bloqueado,
puesto que todava no se ha generado el pulso de corriente por la puerta (Ig).
El tiristor se comporta como un diodo en inverso y el circuito equivalente en la salida
es:
86
CIRCUITOS
Circuito equivalente de salida con el tiristor en bloqueo.
En este intervalo la tensin entre el nodo y el ctodo del tiristor es igual a la tensin
proporcionada por el generador de tensin alterna Eg.
* En la fase f1 un pulso de corriente generado por el generador de impulsos hace que

la corriente por la puerta del tiristor sea mayor que cero. En este instante se modifica
la curva caracterstica de salida y hace que el tiristor pase a conduccin, con lo cual se
comporta como un cortocircuito. Desde f1 hasta 180 el circuito equivalente de salida es:
Circuito equivalente de salida con el tiristor en conduccin.
En este intervalo la tensin entre nodo y ctodo del tiristor es igual a cero, puesto que
est cortocircuitado.
* Desde 180 hasta 360 la tensin Vak, al ser igual a la proporcionada por el
generador de alterna Eg, pasa a valores negativos que fuerzan el bloqueo natural del
tiristor sin necesidad de circuitos de bloqueo adicionales.
Los tiristores suelen ser utilizados en aplicaciones que requieren componentes con unos
lmites elctricos de ruptura muy grandes. El tiristor es utilizado en la industria del
automvil como un:
- Rel.
- Rectificador controlado.
- Interruptor.
87
CIRCUITOS
MODULOS COMERCIALES
TIRISTORES
CODIFICACION VAK MAX (V) IAK MAX (A) IG MAX (mA)

2N4441 50 8 60
2N4442 200 8 60
2N4443 400 8 60
2N4444 600 8 60
88
CIRCUITOS
APLICACIONES DE ELECTRONICA ANALOGICA
AVISADOR ACUSTICO DE FRENO DE MANO
El avisador acstico de freno de mano es un circuito electrnico que permite la activacin

de un zumbador sonoro, dependiendo de si el freno de mano est activado o no.
Circuito avisador acstico de freno de mano
El interruptor del circuito es un microinterruptor colocado de forma que al desactivar

el freno de mano, se cierra. Al cerrarse, la corriente proporcionada por la fuente de
tensin se deriva a masa con lo que el transistor bipolar P-N-P est cortado, por lo tanto
el zumbador no es alimentado. Al activar el freno de mano el microinterruptor pasa a
estar abierto, con lo que el transistor bipolar entra en conduccin permitiendo el paso
de corriente hasta el zumbador, activndolo, y emitiendo por lo tanto un zumbido.
89
CIRCUITOS
ETAPA DE ACTUACION SOBRE LOS ELECTROINYECTORES

La cantidad de gasolina pulverizada en la mezcla aire-combustible est controlada por
un elemento electromecnico denominado electroinyector.
Etapa de actuacin sobre un electroinyector
La centralita controla, mediante una seal cuadrada, la base del transistor bipolar. El
transistor funciona como un interruptor cuya funcin es alimentar o desalimentar al
electroinyector. Cuando la seal proporcionada por la centralita est a nivel alto el
transistor entra en saturacin, por lo que permite la conduccin de corriente elctrica
y la bobina del electroinyector est alimentada, por lo que el electroinyector pulveriza
gasolina; est pulverizando gasolina tanto tiempo como dure el pulso a nivel alto de
la seal de control de la centralita.
Cuando la seal de control est a nivel bajo, el transistor se encuentra en corte por lo
que impide el paso de corriente. En esta situacin la bobina del electroinyector no est
alimentada y adems se descarga por medio de Rc. El tiempo de duracin del pulso a
nivel bajo es el mismo tiempo en el que la bobina del electroinyector no est alimentada
y no pulveriza gasolina.
90
CIRCUITOS
ENCENDIDO POR CARGA DE CONDENSADOR CON TRANSISTOR UNIPOLAR

La ventaja del encendido por carga de condensador radica en el aprovechamiento
mximo, en la etapa de explosin, de la energa proporcionada por la buja. Esto es
debido a que con este tipo de encendido se consigue un incremento notable en la energia
que cede el circuito almacenador del primario al secundario.
Encendido por carga de condensador con transistor unipolar
El generador de onda cuadrada emite una seal de control que a nivel alto de tensin
polariza el transistor unipolar en zona hmica y permite la conduccin; mientras que
a nivel bajo de tensin polariza el transistor unipolar en zona de corte, impidiendo la
conduccin de corriente.
Cuando la seal est a nivel bajo el transistor est cortado y el condensador se carga
a travs de la resistencia R1 con la tensin proporcionada por el generador de tensin
continua Vcc, en esta situacin el diodo se encuentra en directo y permite la carga del
condensador. Cuando la seal est a nivel alto el transistor conduce y se comporta como
una resistencia (zona hmica), con lo que el condensador se descarga a travs de ella,
de Rd, de Rs y de la bobina del primario del transformador. Esto es posible gracias a
que el diodo se encuentra en inverso y no permite el paso de corriente a travs de l.
En el momento de inicio de la descarga, la bobina del primario no tiene energa. A
medida que el condensador se va descargando la bobina se va cargando con la energa
del condensador, y sta, a su vez, induce una tensin en la bobina del secundario
provocando un arco voltaco en los electrodos de la buja.
91
CIRCUITOS
ENCENDIDO POR CARGA DE CONDENSADOR CON TIRISTOR

Este circuito es el mismo que el de encendido por carga de condensador con transistor
unipolar, pero cambiando el transistor unipolar por un tiristor.
Encendido por carga de condensador con tiristor
La fuente de tensin que controla el tiristor debe variar entre valores que corten o
disparen el tiristor.
El funcionamiento de este circuito es similar al anterior. Cuando se dispara el tiristor,
ste conduce y el condensador se descarga por medio de Ra, Rk y la bobina del primario;
mientras que cuando se bloquea el tiristor, ste no conduce y el condensador se carga
a travs de R1 con una tensin de valor Vcc.
92

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CIRCUITOS

IMPRIMIR NDICE ZOOM ZOOM ELECTROTCNICOS BSICOS

ZONAS DE FUNCIONAMIENTO ......................................................................54

CRITERIO DE CORRIENTES Y TENSIONES ....................................................74

DECODIFICADOR DECIMAL ....................................................................... 115

MEMORIAS MS UTILIZADAS................................................................... 164

OPERACIONALES CON REALIMENTACIN NEGATIVA ................................... 192

TERMMETRO DIGITAL ........................................................................... 249

Vcc: pila de tensin continua de valor Vcc voltios

EJEMPLO DE MALLA ELCTRICA

ELEMENTOS PASIVOS SIMPLES

Cada de tensin en una resistencia

Cada de tensin en una bobina

C: capacidad del condensador.

Cada de tensin en un condensador

DIFERENCIA DE POTENCIAL ENTRE DOS PUNTOS

Diferencia de potencial entre los terminales de una resistencia

GENERADOR DE TENSION CONTINUA (DC)

E: tensin continua del generador.

Tensin proporcionada por un generador de continua

Asociacin de resistencias en serie

VAB = VAM + VMN + VNB

La resistencia equivalente entre los puntos A y B es la suma de las resistencias puestas

Asociacin de resistencias en paralelo

De manera anloga a como se calcula la resistencia equivalente con resistencias en

I = I1 + I2 + I3 = VAB / R1 + VAB / R2 + VAB / R3

Sacando factor comn a VAB:

Como RAB = VAB / I se deduce que:

La inversa de la resistencia equivalente entre los puntos A y B es la suma de las inversas

LEMA DE LOS NUDOS

Nudo en el que confluyen diversas intensidades

En un instante cualquiera, la suma de las intensidades que entran en un punto son

LEMA DE LAS MALLAS

Cadas de tensin a lo largo de una malla elctrica

TENSION DE ENTRADA Y TENSION DE SALIDA

Tensin de entrada y salida en un circuito elctrico

En el circuito de la figura la tensin de entrada es el valor de tensin proporcionado por

ESTUDIO DE SEALES ELECTRICAS

SEAL ALTERNA SENOIDAL

Es una seal que dependiendo de la fase y de la amplitud tiene un valor de tensin o

Parmetros de una seal de tensin alterna.

Los trminos representados en la grfica se definen como:

Una manera de ver la variacin de seal con la fase y amplitud es:

Valores de tensin dependiendo de la fase de la seal.

Seal de tensin continua

SEAL CONTINUA PULSANTE

Seal de tensin continua pulsante

ANALISIS DE UNA RED SIMPLE

El clculo de la diferencia de potencial entre A y B, o cada de tensin entre A y B, o

La tensin existente entre A y B es:

COMPONENTES PASIVOS DENTRO DE UN CIRCUITO ELECTRICO

Circuito de carga de una bobina

Seal exponencial de carga de una bobina

Una bobina en un circuito con seales continuas, almacena la corriente elctrica en

Circuito de carga de un condensador

Seal exponencial de carga de un condensador

Un condensador situado en un circuito con seales continuas, almacena energa elctrica

Estructura atmica de un semiconductor tipo N.

Estructura atmica de un semiconductor tipo P.

TERMINALES (CONEXIONES) Y SIMBOLOGIA

Los dos terminales de un diodo se denominan nodo y ctodo. Anodo es la zona

Unin semiconductora y terminales de un diodo

El pequeo tringulo del smbolo en forma de flecha indica el sentido convencional de