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MANUAL DE ELECTRNICA
NDICE
ELECTRNICA BSICA..................................................................................01
CORRIENTE ELCTRICA ...............................................................................02
ELEMENTOS PASIVOS SIMPLES.....................................................................02
DIFERENCIA DE POTENCIAL ENTRE DOS PUNTOS......................................... 04
GENERADOR DE TENSIN CONTINUA (DC) .................................................. 05
ASOCIACIN DE RESISTENCIAS ................................................................. 05
LEMAS DE KIRCHOFF................................................................................ 08
TENSIN DE ENTRADA Y TENSIN DE SALIDA............................................. 09
ESTUDIO DE SEALES ELCTRICAS ........................................................... 10
ANLISIS DE UNA RED SIMPLE .................................................................. 14
COMPONENTES PASIVOS DENTRO DE UN CIRCUITO ELCTRICO .................... 15
TEORA DE SEMICONDUCTORES ................................................................ 18
DIODOS SEMICONDUCTORES ..................................................................... 20
TERMINALES Y SIMBOLOGA ...................................................................... 20
FUNCIONAMIENTO ................................................................................... 21
CURVA CARACTERSTICA .......................................................................... 23
LMITES DE RUPTURA............................................................................... 24
ANLISIS EN UN CIRCUITO ....................................................................... 24
TIPOS DE DIODOS SEGN SU FUNCIN...................................................... 25
RECTIFICADORES .................................................................................... 25
RECORTADORES ...................................................................................... 34
ESTABILIZADORES DE TENSIN ...................................................................40
DIODO ZENER ......................................................................................... 40
MDULOS COMERCIALES ..........................................................................44
TRANSISTORES BIPOLARES ......................................................................... 45
TERMINALES Y SIMBOLOGA ..................................................................... 45
CRITERIO DE CORRIENTES Y TENSIONES ................................................... 46
TIPO N-P-N ............................................................................................. 46
TIPO P-N-P.............................................................................................. 47
CURVAS CARACTERSTICAS ...................................................................... 48
RECTA DE CARGA..................................................................................... 50
I
CIRCUITOS
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NDICE
II
CIRCUITOS
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NDICE
III
CIRCUITOS
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MANUAL DE ELECTRNICA
NDICE
IV
CIRCUITOS
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NDICE
V
CIRCUITOS
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NDICE
VI
CIRCUITOS
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NDICE
VII
CIRCUITOS
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MANUAL DE ELECTRNICA
ELECTRNICA BASICA
La electrnica es la ciencia y la tcnica que trabaja con la tensin y la intensidad
(movimiento de los electrones) en los semiconductores y conductores bajo ciertas
condiciones.
La mayora de los circuitos electrnicos toman como elemento esencial a los componentes
formados a base de semiconductores. Estos elementos son:
- Diodos.
- Transistores.
- Tiristores.
- Triacs.
En los circuitos electrnicos tambin existen otros componentes llamados elementos
pasivos que son:
- Resistencias.
- Condensadores.
- Bobinas.
01
CIRCUITOS
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CORRIENTE ELECTRICA
La corriente elctrica es el desplazamiento de cargas de electrones a lo largo de un
conductor por efecto de la fuerza que ejerce sobre ellas un campo elctrico.
La intensidad de corriente es la cantidad de carga que atraviesa la seccin de hilo
conductor por unidad de tiempo.
La intensidad circula por un hilo conductor cuyos terminales deben estar unidos,
formando un recinto cerrado.
- Resistencias
- Bobinas
- Condensadores
02
CIRCUITOS
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MANUAL DE ELECTRNICA
RESISTENCIAS
El comportamiento de estos elementos no depende del tipo de tensin aplicada. Su
relacin entre la tensin entre sus terminales y la corriente que fluye de un terminal a
otro viene dada por la ley de Ohm (VAB = I x R):
R: resistencia.
VAB : cada de tensin entre los terminales de la resistencia.
I: intensidad que circula por la resistencia.
BOBINAS O AUTOINDUCCINES
El comportamiento de una bobina frente a una corriente continua de valor constante
es similar a un cortocircuito. El comportamiento frente a una seal variable, ya sea una
seal senoidal, triangular, etc., es diferente al comportamiento frente a una seal
continua constante.
L: inductancia de la bobina.
VAB : tensin entre los terminales de la bobina.
I: corriente que circula por la bobina
03
CIRCUITOS
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MANUAL DE ELECTRNICA
CONDENSADORES
El comportamiento de un condensador frente a una corriente continua de valor constante
es similar a un circuito abierto. El comportamiento frente a una seal variable, ya sea
una seal senoidal, triangular, etc., es diferente al comportamiento frente a una seal
continua constante.
El punto situado a mayor potencial elctrico (con mayor tensin) se marca con un signo
positivo, de la misma manera que el punto situado a menor potencial elctrico se marca
con un signo negativo. La corriente elctrica va a circular del punto con mayor potencial
elctrico al punto con menor tensin elctrica. Por lo tanto, el punto por donde entra
la corriente es el punto positivo, mientras que el punto por donde sale es el punto
negativo.
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CIRCUITOS
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ASOCIACIN DE RESISTENCIAS
Dependiendo de cmo estn situadas las resistencias en una determinada red elctrica,
se puede simplificar su estudio al agruparlas en una sola resistencia de valor equivalente
al conjunto de todas ellas.
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CIRCUITOS
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RESISTENCIAS EN SERIE
El anlisis elctrico de la red, calculando las diferencias de potencial, lleva a las siguientes
ecuaciones:
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CIRCUITOS
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RESISTENCIAS EN PARALELO
1 / RAB = 1 / R1 + 1 / R2 + 1 /R3
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CIRCUITOS
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LEMAS DE KIRCHOFF
La aplicacin de los principios de continuidad de corriente establece ciertas restricciones,
estas restricciones son conocidas como los lemas de Kirchoff.
I1 + I 4 = I 2 + I 3
En todo contorno cerrado o malla, la suma de las cadas de potencial a lo largo de todos
los elementos del contorno siempre es nula.
Para aplicar el lema se parte de un punto cualquiera de la malla y se recorre todo el
contorno sumando las cadas de potencial a travs de todos los elementos que existen
hasta volver al punto inicial. El sentido para recorrer la malla es indiferente. Por ejemplo,
partiendo del punto A :
0 = I x R1 + I x R2 + Vbb + I x R3 - VCC
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CIRCUITOS
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CIRCUITOS
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CIRCUITOS
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V (t ) = A x SEN ( wt )
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CIRCUITOS
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V ( t ) = A x SEN ( wt )
- Para un valor de amplitud (A) de 12 voltios y una fase (wt) de cero grados, el valor
de tensin en ese instante es cero debido a que el seno de cero grados es cero.
- Para un valor de amplitud (A) de 12 voltios y una fase (wt) de 90, el valor de
tensin en ese instante es 12 voltios debido a que el seno de 90 es uno.
SEAL CONTINUA
La seal continua no vara con el tiempo, slo depende del nivel de tensin o corriente,
es decir, mantiene, aproximadamente, el mismo valor de tensin (o corriente) durante
todo el tiempo.
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CIRCUITOS
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Hay dos posibles valores de tensin o de corriente que puede tomar la seal dependiendo
del instante en el que se encuentre. El periodo y la frecuencia de esta seal se definen
de igual manera que en seales alternas senoidales.
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CIRCUITOS
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Malla elctrica
I = (Vcc - Vbb ) / ( R1 + R2 + R3 )
VAB = I x R1
VAB = ( (Vcc - Vbb ) / ( R1 + R2 + R3 ) ) X R1
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CIRCUITOS
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- Resistencias.
- Bobinas.
- Condensadores.
RESISTENCIA
Es un elemento que al ser atravesado por una corriente elctrica en sus terminales se
crea una cada de tensin ( VR = I x R ).
Circuito consumidor
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CIRCUITOS
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BOBINA
Una bobina es un arrollamiento de hilo conductor que al ser atravesado por una corriente
crea un campo magntico.
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CIRCUITOS
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CONDENSADOR
Es un elemento que se comporta como un almacenador de energa cuando a travs de
l circula una intensidad. Un condensador est formado por dos placas conductoras
separadas entre s, una distancia determinada, por un dielctrico o material aislante.
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CIRCUITOS
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TEORIA DE SEMICONDUCTORES
Un semiconductor es un elemento que se puede comportar como un conductor o como
un aislante. Normalmente el material de fabricacin suele ser Silicio (Si) o Germanio
(Ge). Los semiconductores aumentan su conductividad si a su estructura se le aaden
tomos de otros materiales. A la adicin de tomos (impurezas) a un semiconductor
se le denomina dopaje de un semiconductor. Hay dos tipos de materiales semiconductores:
- Semiconductores tipo N.
- Semiconductores tipo P.
TIPO N
Se forman mediante la unin de Silicio (Si) o Germanio (Ge), con cuatro electrones en
su ltima capa denominada de valencia, con impurezas de Arsnico (As), que posee en
su ltima capa cinco electrones. Al crearse los enlaces entre tomos de Silicio (Si) y
Arsnico (As) queda un electrn libre (carga negativa), que va a ser el que movindose
por la red atmica genere una circulacin de electrones, es decir, genere una corriente
elctrica.
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CIRCUITOS
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TIPO P
Se forman mediante la unin de Silicio (Si) o Germanio (Ge), con cuatro electrones en
su ltima capa denominada de valencia, con impurezas de Indio (In), que posee en
su ltima capa tres electrones. Al crearse los enlaces entre tomos de Silicio (Si)
e Indio (In) queda un hueco libre (carga positiva), que va a ser el que movindose por
la red atmica genere una circulacin de huecos o cargas positivas.
La combinacin de capas de semiconductores tipo N y tipo P, da lugar a componentes
utilizados en electrnica tales como diodos, transistores, etc. Estos componentes tienen
distintas propiedades y modos de funcionamiento debido a sus diversas tcnicas de
fabricacin, y a las distintas formas de combinar los materiales semiconductores.
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CIRCUITOS
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DIODOS SEMICONDUCTORES
Un diodo semiconductor es un componente electrnico (fabricado a partir de un material
semiconductor), de dos terminales, que posee una estructura interna caracterizada por
la existencia de una unin P-N. Una unin P-N es la asociacin de dos tipos de
semiconductores, uno de tipo N (carga negativa) y otro de tipo P (carga positiva) con
el fin de conseguir componentes electrnicos que puedan funcionar como conductores
o como aislantes.
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CIRCUITOS
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FUNCIONAMIENTO
El comportamiento de un diodo es similar a una vlvula unidireccional. El diodo slo
permite el paso de corriente en el sentido de nodo a ctodo.
Si la corriente que atraviesa el diodo va en sentido nodo a ctodo, el diodo est en
directo, y se comporta como una pila de tensin de valor tensin umbral (Vu)
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CIRCUITOS
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CIRCUITOS
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CURVA CARACTERSTICA
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CIRCUITOS
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LIMITES DE RUPTURA
Los lmites de ruptura son los valores mximos permitidos, de corriente y de tensin,
en un diodo. Estos valores vienen representados sobre la curva caracterstica del diodo.
En la curva caracterstica del diodo hay dos limitaciones: una por corriente y otra por
tensin. Si cualquiera de estos dos lmites se superan, el diodo se destruye. La corriente
mxima que puede atravesar el diodo en directo se denomina Ifmax; la tensin en
inverso mxima entre nodo y ctodo que puede soportar el diodo es llamada Vrmax.
ANALISIS EN UN CIRCUITO
En este circuito, si la tensin de entrada es positiva el diodo est en directo, por lo que
la tensin de salida ser igual a la tensin que cae en el diodo, es decir, Vu. Mientras
que si cambiamos la polaridad del diodo, se encontrara en inverso (circuito abierto),
y la tensin de salida sera igual a la tensin de entrada.
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CIRCUITOS
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- Diodo rectificador:
RECTIFICADORES.
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CIRCUITOS
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CIRCUITOS
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Grfico del proceso que se realiza sobre la seal de entrada por tramos
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CIRCUITOS
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CIRCUITOS
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CIRCUITOS
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En cambio, cuando la tensin de entrada es negativa, los diodos que estn en directo
son D3 y D4, y los que estn en inverso son D1 y D2, con lo que a la salida se obtiene
la entrada pero cambiada de signo, es decir, se convierte a positiva la tensin de entrada
negativa.
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CIRCUITOS
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RECTIFICADOR TRIFSICO
Este rectificador es el mismo que el rectificador de onda completa, pero la seal de
entrada es generada por un alternador trifsico, por lo que en la entrada hay tres seales
superpuestas.
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CIRCUITOS
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CIRCUITOS
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RECORTADORES
La funcin bsica de un recortador es limitar la tensin en la carga.
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CIRCUITOS
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Variando la posicin del diodo, se consigue recortar la seal por la zona contraria; es
decir, en vez de permitir el paso de seal por arriba, lo permite por abajo.
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CIRCUITOS
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CIRCUITOS
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CIRCUITOS
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CIRCUITOS
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ESTABILIZADORES DE TENSIN
Para realizar esta funcin se utiliza un nuevo tipo de diodo denominado diodo Zener.
DIODO ZENER
Es un diodo que permite la conduccin de corriente en determinadas condiciones tanto
en un sentido como en el otro. El diodo zener se puede comportar como un diodo normal
si hacemos que trabaje fuera de su zona zener.
Zona zener es la parte de la curva caracterstica en la cual el diodo est polarizado en
inverso pero permitiendo el paso de corriente de ctodo a nodo. En esta zona la tensin
entre nodo y ctodo toma un valor negativo constante, esta tensin es la denominada
tensin zener (Vz).
A: nodo. K: ctodo.
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CIRCUITOS
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El diodo Zener conduce tanto en directo como en inverso. En directo contina fijando
una tensin Vu, mientras que en inverso fija una tensin mayor denominada tensin
Zener (Vz).
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CIRCUITOS
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Ahora el lmite de ruptura en inverso viene determinado por intensidad, ya que no puede
superar el valor de intensidad zener mxima (Izmax), en vez de por tensin como los
diodos normales.
El circuito estabilizador de tensin se realiza mediante un diodo zener, el cual se polariza
en inverso, de manera que fije siempre la tensin zener (Vz).
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CIRCUITOS
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Una tensin est estabilizada en la carga cuando no sufre variaciones ante cambios en
la intensidad (dentro de un determinado rango).
En el circuito del estabilizador, la tensin de entrada sufre variaciones con el tiempo,
pero siempre es positiva; por lo que el diodo Zener est en inverso y fija la tensin de
la carga al valor de Vz.
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CIRCUITOS
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MODULOS COMERCIALES
DIODOS RECTIFICADORES
DIODOS ZENER
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CIRCUITOS
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TRANSISTORES BIPOLARES
Un transistor bipolar consiste en tres semiconductores de tipo P o N, alternados
consecutivamente formando as dos uniones P-N.
Las dos uniones de un transistor dan lugar a tres regiones denominadas emisor, base
y colector. A efectos de comportamiento, un transistor se puede comparar con un
interruptor controlado electrnicamente
E: emisor.
B: base.
C: colector.
E: emisor.
B: base.
C: colector.
Cada zona lleva conectado un terminal. Estos terminales se denominan emisor, base y
colector. La base se corresponde con el semiconductor central, ya sea un transistor P-
N-P como uno N-P-N.
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CIRCUITOS
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Intensidades:
Tensiones:
- Vce : tensin entre el colector y el emisor
- Vbe : tensin entre la base y el emisor
- Vbc : tensin entre la base y el colector
TIPO N-P-N
E: emisor
B: base
C: colector
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CIRCUITOS
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La suma de las corrientes que entran a un nudo son iguales a la suma de las corrientes
que salen del nudo. La suma de cadas de tensin a lo largo de una red es cero.
Ic = Ie
TIPO P-N-P
E: emisor.
B: base.
C: colector.
Este tipo de transistor trabaja exactamente igual que el de tipo N-P-N, pero con la
diferencia de que cambian todos los sentidos, tanto de las tensiones como de las
intensidades.
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CIRCUITOS
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CURVAS CARACTERSTICAS
Las curvas caractersticas son curvas que referencian el comportamiento del componente.
En el caso de los transistores bipolares hay que analizar dos tipos de curvas.
La primera es la curva caracterstica de entrada, y relaciona la corriente de base (Ib)
con la corriente de colector (Ic).
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CIRCUITOS
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Relacionando la curva caracterstica de salida para todos los posibles valores de corriente
por la base, la curva caracterstica general para un transistor bipolar es:
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CIRCUITOS
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RECTA DE CARGA
El punto de trabajo es el punto que indica la tensin colector-emisor (Vce) y la corriente
de colector (Ic) del transistor bipolar.
Recta de carga es la lnea sobre la que se van a situar los posibles puntos de trabajo
del transistor. Sobre la recta de carga tendremos varios puntos de trabajo dependiendo
del valor de la corriente de base (Ib). Para un valor de Ib igual a Ib1 el punto de trabajo
ser el Q1.
Para calcular la recta de carga se deben hallar los puntos de corte con los ejes de la
grfica. Observando el circuito de la figura y su curva caracterstica de salida, la recta
de carga se calcular de la siguiente forma:
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CIRCUITOS
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Vbb = Vbe + Rb x Ib
* Para hallar el punto de corte con el eje de Ic, supondremos que la Vce es igual a cero.
En este supuesto, en el circuito la Ic tiene un valor igual a Vcc / Rc.
* Para hallar el punto de corte con el eje de Vce, se supone que la Ic es igual a
cero. Por lo tanto, la Vce tiene un valor igual a Vcc.
* Se colocan los dos puntos de corte sobre la grfica, y al unirlos mediante una lnea,
se obtiene la recta de carga del transistor.
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CIRCUITOS
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Los posibles puntos de trabajo del transistor estarn situados en las intersecciones entre
la recta de carga y la curva caracterstica de salida del transistor bipolar, dependiendo
del valor de la intensidad de base (Ib).
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CIRCUITOS
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La corriente que atraviesa la base (Ib) del transistor se obtiene analizando la red de
entrada:
Ib = (Vbb - Vbe) / Rb.
Por ejemplo, Ib = Ib1.
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CIRCUITOS
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ZONAS DE FUNCIONAMIENTO
El transistor puede estar polarizado en distintas zonas de funcionamiento. Estas posibles
zonas de funcionamiento son tres: activa, corte y saturacin.
FUNCIONAMIENTO EN ACTIVA
En la zona activa el transistor tiene una corriente de colector (Ic) mayor que cero y
una Vce mayor que un lmite de tensin que separa las zonas de activa y saturacin
llamada Vcesat. En este caso el transistor se comporta como un amplificador de corriente,
ya que en la salida del circuito circular una Ic que ser la intensidad de entrada (Ib)
multiplicada por un valor constante denominado .
Este valor constante depende del transistor, y su valor viene dado por el fabricante en
las hojas de caractersticas.
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CIRCUITOS
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FUNCIONAMIENTO EN CORTE
En la zona de corte, se puede observar que el transistor tiene una Ic y una Ib nulas,
es decir, sus valores son iguales a cero. En este caso el transistor se comporta como
un circuito abierto.
FUNCIONAMIENTO EN SATURACIN
El punto caracterstico de la zona de saturacin es que la Vce tiene un valor igual a la
Vcesat. Este valor tambin viene determinado por el fabricante del transistor y suele
aproximarse a 0.2 Voltios. En este caso, el transistor se comporta como un cortocircuito,
es decir, es un interruptor cerrado.
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CIRCUITOS
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LIMITES DE RUPTURA
El transistor bipolar debe trabajar dentro de unos mrgenes de tensin, corriente y
potencia.
Todos los valores lmite de intensidad mxima, tensin mxima y potencia mxima
dependen de la fabricacin del transistor. Sus valores vienen proporcionados por las
hojas de caractersticas que suministra el fabricante en los DATA-BOOKS (libro de datos).
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CIRCUITOS
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MONTAJE DARLINGTON
Este montaje consiste en la unin de dos transistores bipolares en cascada dentro de
un circuito. La unin en cascada implica que la salida del primer transistor (Ie1) es la
entrada (Ib2) del segundo transistor.
MODULOS COMERCIALES
TRANSISTORES BIPOLARES NPN
CODIFICACIN VCE MAX (V) IC MAX (A) VCE SAT VBE SAT (V) IB SAT (mA)
BFY50 35 1 0,7 1,5 50
BFY51 30 1 1 1,5 50
BFY52 20 1 1 1,5 50
2N3903 40 0,2 0,2 0,85 50
2N3904 40 0,2 0,3 0,95 50
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CIRCUITOS
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TRANSISTORES UNIPOLARES
Los transistores unipolares, al igual que los bipolares, son componentes semiconductores
de dos uniones P-N, pero que se realizan con distinta tecnologa de fabricacin. Este
tipo de transistores tiene otra nominacin que es la de transistores de campo, debido
a que en su fabricacin se ha conseguido que la corriente se controle por la accin del
campo elctrico existente en la unin P-N.
Mientras que los transistores bipolares dan un buen rendimiento a baja frecuencia, los
unipolares funcionan mejor en frecuencias altas.
Dentro de los transistores unipolares existen dos tipos: los JFET (denominados simplemente
FET) y los MOSFET (denominados de forma abreviada como MOS).
TRANSISTORES JFET
Las siglas JFET vienen de Junction Field Effect Transistor, que traducido quiere decir
Transistor de Efecto de Campo.
Este tipo de transistores unipolares se utiliza mucho ms que los MOSFET ya que su
fabricacin es mucho ms barata.
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CIRCUITOS
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SIMBOLOGIA Y TERMINALES
Un transistor unipolar se compone de tres partes semiconductoras: la parte principal
es una barra de semiconductor a la que se le hacen dos hendiduras en su superficie
dndole forma de H, las otras dos partes son dos capas de material semiconducor que
van colocadas en las hendiduras de la parte principal. La parte semiconductora principal
puede ser de tipo P o N, mientras que las otras dos capas son del tipo contrario al de
la barra principal.
El JFET tiene tres terminales o conexiones que se denominan: puerta (G), surtidor (S),
y drenador (D). Dependiendo de si la barra central es de tipo P o de tipo N, los transistores
JFET pueden ser de canal P o canal N respectivamente. La diferencia entre un tipo u
otro se distingue en el sentido que marca la flecha situada en el terminal de puerta de
su smbolo.
G: puerta.
D: drenador.
S: surtidor o fuente.
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CIRCUITOS
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Ig = 0.
Id = -Is.
Es decir, la corriente que circula por la puerta se supone aproximadamente cero, y se
supone que la corriente que circula por el drenador es la misma que la que circula por
el surtidor pero en sentido contrario.
Debido a la escasa utilizacin de los JFET de tipo P, slamente se explicar el criterio
de signos en el smbolo de los JFET de tipo N. La diferencia a nivel de signos entre los
dos tipos, es que todos los sentidos de intensidades y tensiones de los de tipo P son
contrarios a los asignados en los de tipo N.
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CIRCUITOS
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CURVAS CARACTERSTICAS
En el caso de los transistores unipolares, al igual que en los bipolares, tambin se utilizan
dos tipos de curvas caractersticas: la de entrada y la de salida.
La curva caracterstica de entrada, relaciona la corriente por el drenador (Id) con la
tensin existente entre los terminales de puerta y surtidor (Vgs).
El punto que determina que un JFET pase de corte a conduccin es el valor de la tensin
entre puerta y surtidor. Existe un valor, proporcionado por el fabricante, y llamado
tensin de pinch-off (Vp), que es el que determina el cambio de funcionamiento. Si Vgs
es menor que el valor de Vp, el transistor no conduce; mientras que si el valor de Vgs
es mayor que Vp, el JFET se encuentra conduciendo.
La otra curva caracterstica es la de salida, y en ella se relaciona la corriente por el
drenador (Id) con la tensin entre los terminales de drenador y surtidor (Vds), pero
dependiendo del valor de la tensin entre la puerta y el surtidor (Vgs).
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CIRCUITOS
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CIRCUITOS
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ZONAS DE FUNCIONAMIENTO
ZONA DE CORTE
ZONA OHMICA
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CIRCUITOS
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MANUAL DE ELECTRNICA
ZONA DE SATURACION
ZONA DE RUPTURA
Es una zona en la que, por diversas causas, tiene lugar un rpido crecimiento de la
corriente por el drenador, lo que lleva a la ruptura de la unin semiconductora P-N
situada en la parte del drenador. Esta zona tambin marca un lmite en la tensin entre
el drenador y el surtidor (Vds) que no se puede superar, este valor mximo de tensin
se denomina BVds. Esta zona apenas se utiliza, ya que el componente pierde sus
propiedades semiconductoras. Trabajar en esta zona supone hacer funcionar al transistor
con corrientes y tensiones elevadas, lo que puede hacer que el componente se rompa.
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CIRCUITO AUTOPOLARIZADO
D: terminal de drenador.
S: terminal de surtidor.
Id: generador de corriente constante de valor Id.
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D: terminal de drenador.
S: terminal de surtidor.
Rds: resistencia entre los terminales
del drenador y el surtidor.
TRANSISTORES MOSFET
Las siglas MOSFET vienen de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transitor, que
significa Transistor Semiconductor de Efecto de Campo con Oxido de Metal.
En la actualidad se ha conseguido abaratar la fabricacin de este tipo de transistores
unipolares, por lo que estn siendo utilizados para sustituir a los tiristores. La razn
fundamental de este cambio es que se controlan por tensin y no hacen falta los circuitos
de bloqueo adicionales que utilizan los tiristores, estos circuitos se vern en el prximo
captulo dedicado a los tiristores.
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Este tipo de transitores unipolares est fabricado con una barra principal semiconductora
de tipo P o N, y dos zonas transversales de semiconductor de tipo contrario al de la barra
principal. Pero con la diferencia con respecto a los JFET de que la capa superior es de
material dielctrico (aislante) y aisla el terminal de puerta (G) del resto del componente.
G: terminal de puerta.
D: terminal de drenador.
S: terminal de surtidor o fuente.
Con esta peculiar forma de fabricacin se consigue crear un campo elctrico entre el
terminal de puerta y el material dielctrico; esto, elctricamente, equivale a que haya
un condensador entre estas dos partes, lo que provoca que la corriente por el terminal
de puerta sea cero.
G: terminal de puerta.
D: terminal de drenador.
S: terminal de surtidor.
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Como siempre, estos dos tipos se diferencian en que todos los sentidos de corriente y
tensin definidos en un MOSFET de tipo N, son de sentido contrario en uno de tipo P.
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CURVAS CARACTERSTICAS
En este caso el valor de tensin que identifica el lmite en el cual se pasa de conduccin
a corte se llama tensin umbral (Vt). Si Vgs es mayor que este valor, el transistor
M O S F E T e s t c o n d u c i e n d o ; m i e n t ra s q u e s i e s m e n o r n o c o n d u c e .
La curva caracterstica de salida relaciona la intensidad por el drenador (Id) con la
tensin existente entre los terminales del drenador y el surtidor (Vds).
En esta curva, cada lnea continua referencia un valor de tensin entre la puerta y el
surtidor (Vgs) distinto.
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ZONAS DE FUNCIONAMIENTO
Al igual que en los transitores JFET, los MOSFET tienen las mismas cuatro zonas de
funcionamiento.
ZONA DE CORTE
El transistor MOSFET equivale elctricamente a un circuito abierto entre los terminales
del drenador y el surtidor. Se comporta como un interruptor desconectado, situado entre
los dos terminales.
ZONA OHMICA
El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el drenador y el surtidor.
El valor de esta resistencia vara dependiendo del valor que tenga la tensin entre la
puerta y el surtidor (Vgs).
ZONA DE SATURACION
El transistor entra en esta zona de funcionamiento cuando la tensin entre el drenador
y el surtidor (Vds) supera un valor fijo denominado tensin drenador-surtidor de
saturacin (Vdssat); este valor viene determinado en las hojas caractersticas
proporcionadas por el fabricante.
En esta zona el MOSFET mantiene constante su corriente por el drenador (Id),
independientemente del valor de tensin que halla entre el drenador y el surtidor (Vds).
Por lo tanto, el transistor equivale a un generador de corriente continua de valor Id.
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ZONA DE RUPTURA
Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET pierde sus propiedades
semiconductoras y se puede llegar a romper el componente fsico. La palabra ruptura
hace referencia a que se rompe la unin semiconductora de la parte del terminal del
drenador.
En este circuito se sabe que la fuente de alimentacin de continua Vdd tiene un valor
en voltios superior al valor de tensin umbral del MOSFET (Vt). Esto implica que el
MOSFET est en zona de conduccin, porque Vgs > Vt.
Como la tensin entre la puerta y el surtidor (Vgs) tiene el mismo valor que la tensin
existente entre el drenador y el surtidor (Vds), el transistor unipolar se encuentra
funcionando en zona de saturacin. Esto implica que el MOSFET equivale, elctricamente,
a un generador de corriente continua y constante de valor Id:
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LIMITES DE RUPTURA
Todos estos valores que marcan los lmites de ruptura del transistor unipolar vienen
referenciados en las hojas de caractersticas (DATA-BOOK) proporcionadas por el
fabricante.
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TIRISTORES
Un tiristor es un componente electrnico formado mediante la unin de cuatro capas
semiconductoras, dos de tipo P y dos de tipo N alternadas. Un tiristor se puede definir
como un diodo controlado mediante un terminal. El terminal de control se denomina
puerta (G) y tiene como funcin la de hacer que el tiristor pase a estado de conduccin
o directo. El terminal de puerta tambin se denomina electrodo de gobierno.
TERMINALES Y SIMBOLOGIA
Existen dos tipos de tiristores NPNP y PNPN dependiendo de la combinacin de capas
semiconductoras. Los terminales del tiristor se denominan nodo (A), ctodo (K) y el
terminal de control o puerta (G).
A: nodo
K: ctodo
G: puerta
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A diferencia de los transistores bipolares, la corriente que entra por el nodo es la misma
que sale por el ctodo (Iak):
Ia = Ik = Iak
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CURVAS CARACTERSTICAS
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La curva caracterstica de salida relaciona la corriente que pasa del nodo al ctodo
(Iak) con la tensin entre el nodo y el ctodo (Vak). Para valores negativos de tensin
nodo-ctodo (Vak) el tiristor se comporta como un diodo polarizado en inverso por lo
que equivale a un circuito abierto entre el nodo y el ctodo.
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RECTA DE CARGA
El punto de trabajo en un tiristor indica la corriente que circula desde el nodo hasta
el ctodo (Iak) y la tensin existente entre el nodo y el ctodo (Vak).
Para calcular la recta de carga del tiristor hay que calcular los puntos de corte con los
ejes Vak e Iak. Analizando las cadas de tensin en la red de salida la ecuacin de salida
es:
Vak = Vcc - Iak x R
Haciendo Iak cero y calculando en esta situacin la Vak respecto de la ecuacin de salida
se llega a la conclusin:
Vak = Vcc
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De manera anloga haciendo Vak cero y calculando en esa situacin Iak respecto de
la ecuaccin de salida, se obtiene:
Iak = Vcc / R
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ZONAS DE FUNCIONAMIENTO
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Si no se genera corriente por la puerta del tiristor, los cortes de la recta de carga con
la curva caracterstica de salida para un valor de corriente por la puerta (Ig) igual a cero
son tres: Q1, Q2 y Q3.
Hay tres puntos de corte entre las dos curvas, cada punto de corte est situado en una
zona distinta. Para saber qu punto es el correcto hay que tener en cuenta el estado
anterior en el que se encontraba el tiristor. Si el tiristor estaba bloqueado (diodo en
inverso) el punto correcto es el Q1 (bloqueo). Si por el contrario el tiristor estaba en
conduccin, el punto correcto es Q3 (conduccin). El punto Q2 se desestima porque es
improbable que el tiristor estuviera trabajando en zona de resistencia negativa.
Al generar un impulso de corriente por la puerta la curva caracterstica vara, con lo que
tambin cambian los puntos de corte entre ambas rectas. Con una corriente de puerta
(Ig) mayor que cero slo hay un punto de corte Q3 que est situado en la zona de
conduccin. Por lo tanto en esta situacin el tiristor se comporta como un diodo en
directo.
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CIRCUITOS
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Existen tres puntos de corte entre la recta de carga y la curva de salida que son Q1,
Q2 y Q3 . Como el tiristor, al retirar el pulso de corriente, estaba en conduccin, el punto
vlido es Q3. Se define corriente de mantenimiento (Ih) y tensin de mantenimiento
(Vh), no explicadas anteriormente, como:
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CIRCUITOS
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El tiristor est trabajando en Q3 por encima del punto Qh, en esta situacin el tiristor
est conduciendo independientemente de que se retire o no el pulso de corriente por
la puerta.
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Se plantea un problema cuando se quiere que un tiristor que est conduciendo pase a
corte o bloqueo. La nica manera que hay de conseguir el bloqueo de un tiristor, es
conseguir que la tensin entre el nodo y el ctodo sea negativa o bien que la corriente
que circula desde el nodo hasta el ctodo sea tambin negativa. Con esto se consigue
variar la recta de carga hasta zonas de trabajo en las que se comporta como un diodo
en inverso. Para lograr el bloqueo de tiristores hay que situar circuitos adicionales de
bloqueo. Actualmente, este inconveniente est motivando que el tiristor deje de existir,
a medio plazo, y su lugar sea ocupado por los transistores de potencia unipolares.
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LIMITES DE RUPTURA
Como cualquier componente, los tiristores tambin tienen unos valores mximos
permitidos, a partir de los cuales se destruyen.
Un tiristor puede perder sus caractersticas semiconductoras por alguna de las siguientes
causas:
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CIRCUITO DE APLICACIN
El siguiente circuito representa una aplicacin bsica de un tiristor. El generador Eg1
crea el pulso de corriente por la puerta del tiristor, para rectificar la seal alterna de
salida, generada por Eg. La funcin de este circuito es equivalente a un rectificador de
media onda, pero con la ventaja de que el tiristor (diodo controlado) entra en conduccin
cuando se desee.
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TH ON : tiristor en conduccin.
f1: fase de disparo del tiristor.
Vak1: tensin nodo-ctodo en el tiristor.
TH OFF: tiristor en bloqueo.
Ig1: amplitud del pulso de corriente por la puerta.
Iak1: corriente nodo-ctodo del tiristor.
* En el intervalo de tiempo comprendido entre 0 y la fase f1 el tiristor est bloqueado,
puesto que todava no se ha generado el pulso de corriente por la puerta (Ig).
El tiristor se comporta como un diodo en inverso y el circuito equivalente en la salida
es:
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En este intervalo la tensin entre el nodo y el ctodo del tiristor es igual a la tensin
proporcionada por el generador de tensin alterna Eg.
En este intervalo la tensin entre nodo y ctodo del tiristor es igual a cero, puesto que
est cortocircuitado.
* Desde 180 hasta 360 la tensin Vak, al ser igual a la proporcionada por el
generador de alterna Eg, pasa a valores negativos que fuerzan el bloqueo natural del
tiristor sin necesidad de circuitos de bloqueo adicionales.
Los tiristores suelen ser utilizados en aplicaciones que requieren componentes con unos
lmites elctricos de ruptura muy grandes. El tiristor es utilizado en la industria del
automvil como un:
- Rel.
- Rectificador controlado.
- Interruptor.
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MODULOS COMERCIALES
TIRISTORES
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La centralita controla, mediante una seal cuadrada, la base del transistor bipolar. El
transistor funciona como un interruptor cuya funcin es alimentar o desalimentar al
electroinyector. Cuando la seal proporcionada por la centralita est a nivel alto el
transistor entra en saturacin, por lo que permite la conduccin de corriente elctrica
y la bobina del electroinyector est alimentada, por lo que el electroinyector pulveriza
gasolina; est pulverizando gasolina tanto tiempo como dure el pulso a nivel alto de
la seal de control de la centralita.
Cuando la seal de control est a nivel bajo, el transistor se encuentra en corte por lo
que impide el paso de corriente. En esta situacin la bobina del electroinyector no est
alimentada y adems se descarga por medio de Rc. El tiempo de duracin del pulso a
nivel bajo es el mismo tiempo en el que la bobina del electroinyector no est alimentada
y no pulveriza gasolina.
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El generador de onda cuadrada emite una seal de control que a nivel alto de tensin
polariza el transistor unipolar en zona hmica y permite la conduccin; mientras que
a nivel bajo de tensin polariza el transistor unipolar en zona de corte, impidiendo la
conduccin de corriente.
Cuando la seal est a nivel bajo el transistor est cortado y el condensador se carga
a travs de la resistencia R1 con la tensin proporcionada por el generador de tensin
continua Vcc, en esta situacin el diodo se encuentra en directo y permite la carga del
condensador. Cuando la seal est a nivel alto el transistor conduce y se comporta como
una resistencia (zona hmica), con lo que el condensador se descarga a travs de ella,
de Rd, de Rs y de la bobina del primario del transformador. Esto es posible gracias a
que el diodo se encuentra en inverso y no permite el paso de corriente a travs de l.
En el momento de inicio de la descarga, la bobina del primario no tiene energa. A
medida que el condensador se va descargando la bobina se va cargando con la energa
del condensador, y sta, a su vez, induce una tensin en la bobina del secundario
provocando un arco voltaco en los electrodos de la buja.
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La fuente de tensin que controla el tiristor debe variar entre valores que corten o
disparen el tiristor.
El funcionamiento de este circuito es similar al anterior. Cuando se dispara el tiristor,
ste conduce y el condensador se descarga por medio de Ra, Rk y la bobina del primario;
mientras que cuando se bloquea el tiristor, ste no conduce y el condensador se carga
a travs de R1 con una tensin de valor Vcc.
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