‫ﭼﮑﯿﺪه ‪ :‬در اﯾﻦ ﻣﻘﺎﻟﻪ ﯾﮏ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﺪاري ﺑﺪﯾﻊ ﺑﺮاي ﺗﻘﻮﯾﺖ ﮐﻨﻨﺪه ﻫﺎي ﮔﺴﺘﺮده ﺑﺎ ﺑﻬﺮة ﺑﺎﻻ اراﺋﻪ

ﺷﺪه اﺳـﺖ‪ .‬ﺑـﺮ‬

‫ﻣﺒﻨـــﺎي ﺗﻘﻮﯾـــﺖ ﮐﻨﻨـــﺪه ﻫـــﺎي ﮔﺴـــﺘﺮدة ﻣﻌﻤـــﻮل‪ ،‬ﻫـــﺮ ﻃﺒﻘـــﮥ ﺑﻬـــﺮه ﺑـــﺎ ﻃﺒﻘـــﺎت آﺑﺸـــﺎري ‪cascode‬‬

‫)‪ ( cascading cascode stages‬ﭘﯿﺎده ﺳﺎزي ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﻋﻼوه ﺑﺮ اﯾﻦ اﺳﺘﻔﺎده از روش ‪ ،stagger-tuning‬ﻣﻨﺠﺮ ﺑﻪ‬

‫ﺑﻬﺒﻮد ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ و ﺻﺎف ﺑﻮدن ﺑﻬﺮه ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺎ اﻋﻤﺎل اﯾﻦ ﺳـﺎﺧﺘﺎر‪ ،‬ﺗﻘﻮﯾـﺖ ﮐﻨﻨـﺪه ﺑـﺎ اﺑﻌـﺎد ‪3  3‬‬

‫داراي ﺑﻬﺮة ‪ 16.2 dB‬و ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ‪ 33.4 GHz‬ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮان ﻣﺼﺮﻓﯽ ‪ 260 mW‬و وﻟﺘﺎژ ﻣﻨﺒـﻊ ‪ 2.8-V‬اﯾـﻦ ﻣـﺪار‬

‫داراي ‪ eye-opening‬واﺿﺤﯽ ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬

‫ﻣﻘﺪﻣﻪ ‪:‬‬

‫در اﺛﺮ ﻧﯿﺎز روزاﻓﺰون ﺑﻪ ﻇﺮﻓﯿﺖ ﻣﺒﺎدﻟﮥ داده‪ ،‬ﺳﯿﺴﺘﻢ ﻫﺎﯾﯽ ﺑﺎ ﺣـﻮزة ﮐـﺎري ﺳـﺮﻋﺖ دادة ﺑـﺎﻻﺗﺮ از ‪ 10 Gb/s‬ﺗﻮﺟـﻪ‬

‫زﯾﺎدي را ﺟﻠﺐ ﮐﺮده اﻧﺪ‪ .‬ﺑﺎ ﭘﯿﺸﺮﻓﺖ ﻓﻨﺎوري ﻫﺎي ﻧﯿﻤﻪ ﻫﺎدي‪ ،‬ﻣﺪارﻫﺎي ﻣﺠﺘﻤﻌﯽ ﺑـﺎ ﺳـﺮﻋﺖ ‪ 40 Gb/s‬در ﻓﺮاﯾﻨـﺪ‬

‫‪ CMOS‬اﺳﺘﺎﻧﺪارد ﭘﯿﺎده ﺳﺎزي ﺷﺪه اﻧﺪ‪ .‬در ﻫﻤﮥ ﻣﺪارﻫﺎي ﺳﺮﻋﺖ ﺑﺎﻻ‪ ،‬ﺗﻘﻮﯾﺖ ﮐﻨﻨﺪه ﻫـﺎي ﭘﻬـﻦ ﺑﺎﻧـﺪ ﺑﻠـﻮك ﻫـﺎي‬

‫ﺳﺎﺧﺘﺎري ﮐﻠﯿﺪﯾﯽ ﺑﻪ ﺷﻤﺎر ﻣﯽ آﯾﻨﺪ‪.‬‬

‫ﺑﺮاي ﻋﻤﻠﯿﺎت ﺑﺎ ﺳﺮﻋﺖ ﺑﺎﻻ‪ ،‬اﻏﻠﺐ ﺑﻬﺮة ﺗﻘﻮﯾﺖ ﮐﻨﻨﺪه ﻗﺮﺑﺎﻧﯽ ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﮐﺎﻓﯽ ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬در اﯾﻦ ﻣﻘﺎﻟﻪ ﺑﺎ ﺟـﺎﯾﮕﺰﯾﻨﯽ‬

‫ﻃﺒﻘﺎت ﺗﻘﻮﯾﺖ ﮐﻨﻨﺪة ﮔﺴﺘﺮدة )‪ (DA‬ﻣﻌﻤﻮل ﺑﻪ وﺳﯿﻠﮥ ﻃﺒﻘﺎت آﺑﺸﺎري‪ ،‬ﺑﻬﺮه ﺑﻪ ﻃـﻮر ﻣـﺆﺛﺮي ﺑﻬﺒـﻮد ﯾﺎﻓﺘـﻪ اﺳـﺖ‪.‬‬

‫ﻋﻼوه ﺑﺮ اﯾﻦ‪ ،‬ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﭘﯿﮏ زدن ﺳﻠﻔﯽ در ﺷﯿﻮة ‪ stagger-tuning‬ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﻗﺎﺑﻞ ﺗـﻮﺟﻬﯽ ﻫﻤـﺮاه ﺑـﺎ ﺻـﺎف‬

‫ﺑﻮدن ﺑﻬﺮه ﺑﻪ دﺳﺖ آﻣﺪه اﺳﺖ‪.‬‬

‫‪ (1‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺗﻘﻮﯾﺖ ﮐﻨﻨﺪه ‪:‬‬

‫اﻟﻒ‪ DA -‬ﻣﻌﻤﻮل ‪ :‬ﺷﮑﻞ )‪ (1‬ﺷﻤﺎي ﺳﺎدة ﻣﺪار ‪ DA‬را ﻧﺸﺎن ﻣﯽ دﻫﺪ‪ .‬ﺑﺎ اﻧﺘﺨﺎب ﻣﻨﺎﺳﺐ اﻧﺪازة ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‬

‫و ﻣﻘﺎدﯾﺮ ﺳﻠﻒ ﻫﺎ‪ ،‬ﺧﺮوﺟﯽ و ورودي ﺗﻘﻮﯾﺖ ﮐﻨﻨﺪه ﻣﯽ ﺗﻮاﻧﺪ ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﺧﻂ اﻧﺘﻘﺎل ‪ 50-Ω‬رﻓﺘﺎر ﻧﻤﺎﯾﺪ ﮐﻪ ﺑﺎﻋﺚ‬

‫‪2‬‬
 ‫ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ زﯾﺎد و ﺗﻠﻔﺎت ﮐﻢ ﻣﯽ ﺷﻮد‪.‬‬

‫ﺷﮑﻞ )‪ .(1‬ﺷﻤﺎي ﺳﺎده ﻣﺪار ﯾﮏ ﺑﻌﺪي ‪DA‬‬

‫ﺑﺎ ﻓﺮض ﺑﺪون ﺗﻠﻔﺎت ﺑﻮدن ﺧﻂ اﻧﺘﻘﺎل‪ ،‬ﺑﻬﺮة ﺗﻘﻮﯾﺖ ﮐﻨﻨﺪه ﺑﻪ ﺻﻮرت‬

‫‪1‬‬
‫‪Av ‬‬ ‫‪ng m Z 0‬‬
‫‪2‬‬

‫ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ ﮐﻪ ‪ n‬ﺗﻌﺪاد ﻃﺒﻘﺎت ﮔﺴﺘﺮده‪ g m ،‬ﻫﺪاﯾﺖ ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر و ‪ Z 0‬اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﭘﺎﯾﺎﻧﯽ ﺧﻂ اﻧﺘﻘﺎل ﻣﯽ ﺑﺎﺷـﺪ‪ .‬ﺗﻮﺟـﻪ‬

‫داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﯿﻢ ﮐﻪ ﺿﺮﯾﺐ ½ ﺑﻪ اﯾﻦ ﻋﻠﺖ اﺳﺖ ﮐﻪ ﻧﯿﻤـﯽ از ﺟﺮﯾـﺎن در ﺟﻬـﺖ ﻣﺨـﺎﻟﻒ و ﺑـﻪ ﭘﺎﯾﺎﻧـﮥ درﯾـﻦ ﺳـﺮازﯾﺮ‬

‫ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﻣﺸﺨﺼﮥ ﺧﻂ اﻧﺘﻘﺎل و ﻫﻤﭽﻨـﯿﻦ ﭘﻬﻨـﺎي ﺑﺎﻧـﺪ ﮐـﻪ اﺻـﻮﻻَ از روي ﻓﺮﮐـﺎﻧﺲ ﻗﻄـﻊ ﮐﺎﻧـﺎل ) ‪( fc‬‬

‫ﻣﺸﺨﺺ ﻣﯽ ﺷﻮد‪ ،‬ﺑﻪ ﺻﻮرت زﯾﺮ ﺑﯿﺎن ﻣﯽ ﮔﺮدد ‪:‬‬

‫‪Lin‬‬ ‫‪Lout‬‬
‫‪Z0 ‬‬ ‫‪‬‬
‫‪Cin‬‬ ‫‪Cout‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪fc ‬‬ ‫‪‬‬
‫‪ Lin Cin‬‬ ‫‪ Lout Cout‬‬

‫ﺷﮑﻞ )‪ (2‬ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل ﺳﯿﮕﻨﺎل ﮐﻮﭼﮏ ﯾﮏ )‪ (DA‬در ﮔﯿﺖ و درﯾﻦ ﺧﻄﻮط را ﻧﺸـﺎن ﻣـﯽ دﻫـﺪ‪ .‬ﺑـﺎ اﻋﻤـﺎل ﺗﺒـﺪﯾﻞ‬

‫اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺳﺮي ﺑﻪ ﻣﻮازي ﺛﺎﺑﺖ اﻧﺘﺸﺎر در ﺧﻂ اﻧﺘﻘﺎل ﺑﻪ ﺻﻮرت ‪:‬‬

‫‪1‬‬
‫() ‪ g   g   g  ( Rg  jwLg‬‬ ‫) ‪ jwCeq‬‬
‫‪Req‬‬
‫‪1‬‬
‫) ‪ d   d   d  ( Rd  jwLd )(  jwCds‬‬
‫‪ro‬‬

‫‪3‬‬
 ‫ﺷﮑﻞ )‪ .(2‬ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل ﺳﯿﮕﻨﺎل ﮐﻮﭼﮏ ﯾﮏ ‪ DA‬در )‪ (a‬ورودي ﺧﻂ و )‪ (b‬ﺧﺮوﺟﯽ ﺧﻂ‬

‫‪1‬‬
‫‪Req  Rgate (1 ‬‬ ‫)‬
‫‪( wRgateCeq )2‬‬
‫ﺟﺎﯾﯽ ﮐﻪ ‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫‪Ceq  C gs (1 ‬‬ ‫)‬
‫‪( wRgate Cgs )2‬‬

‫ﺑﺮ ﻣﺒﻨﺎي ﻣﺪل ﻣﺪاري‪ Lg ،‬و ‪ Ld‬ﺳﻠﻒ ﻫﺎي ﺧﻂ اﻧﺘﻘـﺎل و ﻫﻤﭽﻨـﯿﻦ ‪ Rg‬و ‪ Rd‬ﻣﻘﺎوﻣـﺖ ﻫـﺎي ﺳـﺮي ﺑـﺎ آن ﻫـﺎ‬

‫ﻫﺴﺘﻨﺪ‪.‬‬

‫ب‪ DA -‬ﻫﺎي ﭘﯿﺸﻨﻬﺎد ﺷﺪه ‪:‬‬

‫ﺑﻬﺮة ‪ DA‬ﻣﻌﻤﻮل ﻧﻪ ﺗﻨﻬﺎ ﺑﻪ ﺗﻀﻌﯿﻒ ﺧﻂ اﻧﺘﻘﺎل ﺑﻠﮑﻪ ﺑﻪ ﺳﺎز و ﮐﺎر ﺑﻬﺮه ﻧﯿﺰ ﻣﺤﺪود ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر ﺑﻬﺒـﻮد ﻣـﺆﺛﺮ‬

‫ﺑﻬﺮه ﺑﻪ وﺳﯿﻠﮥ اﺿﺎﻓﻪ ﮐﺮدن ﺗﻌﺪاد ﻃﺒﻘﺎت‪ DA ،‬ﻫﺎي آﺑﺸﺎري ﭘﯿﺸﻨﻬﺎد ﺷﺪه اﺳـﺖ‪ .‬در ﺷـﮑﻞ )‪ (3-a‬اﯾـﻦ ﺳـﺎﺧﺘﺎر را‬

‫ﻣﯽ ﺑﯿﻨﯿﻢ ﮐﻪ اﮔﺮ ‪ m‬ﺗﻌﺪاد ﻃﺒﻘﺎت آﺑﺸﺎري ﺑﺎﺷﻨﺪ‪ ،‬ﺑﻬﺮة ‪ dc‬ﺑﻪ ﺻﻮرت زﯾﺮ ﺗﻌﺮﯾﻒ ﻣﯽ ﺷﻮد ‪:‬‬

‫‪m 1‬‬
‫‪‬‬ ‫‪Z ‬‬ ‫‪Z0‬‬
‫‪Av   ng m 0 c ‬‬ ‫‪ng m‬‬
‫‪‬‬ ‫‪2 ‬‬ ‫‪2‬‬

‫‪ Z 0c‬اﻣﭙﺪاﻧﺲ ﺧﻂ اﻧﺘﻘﺎل ﻣﯿﺎﻧﯽ ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬

‫‪4‬‬
 ‫ﺷﮑﻞ )‪ (3‬ﺷﻤﺎي ﻣﺪار )‪ DA (a‬آﺑﺸﺎري‪ DA (b) ،‬ﻣﺎﺗﺮﯾﺴﯽ‪CSSDA (c) ،‬‬

‫ﺷﮑﻞ )‪ (3-b‬ﯾﮏ ﺳﺎﺧﺘﺎر ﻣﺎﺗﺮﯾﺴﯽ ﺟﺎﯾﮕﺰﯾﻦ را ﺑﺮاي ‪ DA‬آﺑﺸﺎري ﻧﺸﺎن ﻣﯽ دﻫﺪ‪ .‬در ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﻫﺎي ﭘﺎﯾﯿﻦ ﺑﻬﺮة اﯾـﻦ‬

‫ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺷﺒﯿﻪ ﺑﻪ ﻣﻌﺎدﻟﮥ ‪ DA‬آﺑﺸﺎري ﺑﻪ دﺳﺖ ﻣﯽ آﯾﺪ‪ .‬ﺑﻪ ﻣﻨﻈـﻮر ﺑﯿﺸـﺘﺮﯾﻦ اﺳـﺘﻔﺎده از ﺳـﺎز وﮐـﺎر اﻓـﺰاﯾﺶ ﺑﻬـﺮه‪،‬‬

‫ﺗﻘﻮﯾﺖ ﮐﻨﻨﺪة ﮔﺴﺘﺮدة ‪ (CSSDA) cascade single-stage‬در ﺷﮑﻞ )‪ (3-c‬ﭘﯿﺸـﻨﻬﺎد ﺷـﺪه اﺳـﺖ‪ .‬ﺣـﺎﻻ ﻫـﺮ ﻃﺒﻘـﮥ‬

‫ﺗﻘﻮﯾﺖ ﮐﻨﻨﺪه ﯾﮏ ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر‪ ،‬ﯾﮏ ﺷﺒﮑﮥ ‪ LC‬ﻧﺮدﺑﺎﻧﯽ ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر ﺟﺪا ﮐﺮدن ﺧﺎزن ﻫـﺎ و ﯾـﮏ ﻣﻘﺎوﻣـﺖ ﭘﺎﯾﺎﻧـﻪ ﺑـﺮاي‬

‫ﺗﻄﺒﯿﻖ اﻣﭙﺪاﻧﺲ دارا ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺑﺎ ﻓﺮض اﯾﻨﮑﻪ ‪ m‬ﻧﺸﺎن دﻫﻨﺪة ﺗﻌﺪاد ﻃﺒﻘﺎت آﺑﺸﺎري ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬دارﯾﻢ ‪:‬‬

‫‪Z0‬‬
‫‪Av  ( g m Z L ) m 1 g m‬‬
‫‪2‬‬

‫‪ Z L‬ﺑﺎر ﺑﯿﻦ ﻃﺒﻘﺎت اﺳﺖ‪.‬‬

‫‪5‬‬
 ‫ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺗﻘﻮﯾﺖ ﮐﻨﻨﺪة ﭘﯿﺸﻨﻬﺎدي ‪:‬‬

‫ﺷﮑﻞ )‪ (4‬ﺳﺎﺧﺘﺎر ‪ DA‬ﭘﯿﺸﻨﻬﺎدي ﺑﺎ ﺑﻬﺮة ﺑﺎﻻ ﺑﻪ ﻫﻤﺮاه ﻃﺒﻘﺎت ﺑﻬﺮة آﺑﺸﺎري‬

‫ﺳﺎﺧﺘﺎر ﭘﯿﺸﻨﻬﺎدي ﮐﻪ در ﺷﮑﻞ )‪ (4‬ﻣﯽ ﺑﯿﻨﯿﻢ ﺗﺮﮐﯿﺒﯽ از ‪ DA‬ﻣﻌﻤﻮل در ﺷﮑﻞ )‪ (1‬و ‪ CSSDA‬ﻧﺸـﺎن داده ﺷـﺪه در‬

‫ﺷﮑﻞ )‪ (3-c‬ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬اﮔﺮ ‪ n‬ﻃﺒﻘﮥ ﺑﻬﺮة در ﻃﻮل ﺧﻂ اﻧﺘﻘﺎل ﮔﺴﺘﺮده ﺷﺪه ﺑﺎﺷﺪ و ﻫﺮ ﻃﺒﻘـﻪ ﺑـﺎ ‪ m‬ﻃﺒﻘـﮥ آﺑﺸـﺎري‬

‫ﺳﺎﺧﺘﻪ ﺷﺪه ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺑﻬﺮة ﺗﻘﻮﯾﺖ ﮐﻨﻨﺪه ﺑﻪ ﺻﻮرت ‪:‬‬

‫‪Z0‬‬
‫‪Av  n( g m Z L ) m1 g m‬‬
‫‪2‬‬

‫ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬

‫‪ (2‬ﻃﺮاﺣﯽ ﻫﺎي ﻣﺪار ‪:‬‬

‫اﻟﻒ‪ -‬ﺑﻬﺮة ﻫﺮ ﻃﺒﻘﻪ ‪:‬‬

‫ﺑﺎ ﺑﻪ دﺳﺖ آوردن ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻬﺮة ﺗﻘﻮﯾﺖ ﮐﻨﻨﺪة ﭘﯿﺸﻨﻬﺎدي ﺑﻪ ﺗﻘﻮﯾﺖ ﮐﻨﻨﺪة ﻣﻌﻤﻮل و ﻗﺮار دادن اﯾﻦ ﻧﺴﺒﺖ ﺑﺰرﮔﺘـﺮ از‬

‫واﺣﺪ‪ ،‬ﻣﯽ ﺗﻮان ﺑﻪ ﮐﻤﯿﻨﮥ ﺑﻬﺮة ﻫﺮ ﻃﺒﻘﻪ و ﻫﻤﭽﻨﯿﻦ ﺗﻌﺪاد ﺑﻬﯿﻨﮥ ﻃﺒﻘﺎت ﺗﻘﻮﯾﺖ ﮐﻨﻨﺪه ﭘﯽ ﺑﺮد‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ دارﯾﻢ ‪:‬‬

‫‪6‬‬
 ‫‪Z0‬‬
‫‪Av, proposed‬‬ ‫‪n( g m Z L ) m1 g m‬‬ ‫‪m 1‬‬
‫‪‬‬ ‫‪2  ( gm Z L )  1‬‬
‫‪Av, conventional‬‬ ‫‪Z‬‬ ‫‪m‬‬
‫‪(n.m) g m 0‬‬
‫‪2‬‬

‫ﮐﻪ ﺟﺪول زﯾﺮ ﺑﺮاي ﮐﻤﯿﻨﮥ ﺑﻬﺮه‬

‫و ‪ n  4‬ﺑﻪ دﺳﺖ ﻣﯽ آﯾﺪ‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ در ﺳﺎﺧﺘﺎر ﭘﯿﺸﻨﻬﺎدي ﺑﻪ ﭘﯿﺎده ﺳﺎزي ﭘﯿﮑﺮﺑﻨﺪي ‪ 3  3‬ﻣﯽ ﭘﺮدازﯾﻢ‪.‬‬

‫ب‪ -‬ﻣﻨﺎﺳﺒﺎت ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ‪:‬‬

‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺷﮑﻞ )‪ (4‬اﮔﺮ ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﻗﻄﻊ ﺧﻂ اﻧﺘﻘﺎل ﻫﺎي ورودي و ﺧﺮوﺟﯽ ﺑﺰرگ در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻪ ﺷﻮد‪ ،‬ﭘﻬﻨـﺎي ﺑﺎﻧـﺪ‬

‫ﻣﺪار ﺑﺎ ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﻫﺮ ﻃﺒﻘﻪ ﻣﺸﺨﺺ ﻣﯽ ﮔﺮدد‪ .‬ﻫﻤﺎن ﻃﻮر ﮐﻪ در ﺷﮑﻞ )‪ (5-a‬ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر ﻣﻨﺎﺳـﺒﺎت‬

‫ﺑﻬﺮه‪ ،‬اﯾﺰوﻟﮥ ﻣﻌﮑﻮس و ‪ ...‬ﻫﺮ ﻃﺒﻘﻪ ﺑﺎ ﯾﮏ ﺗﻘﻮﯾﺖ ﮐﻨﻨﺪة ﮐﺴﮑﻮد )‪ (cascode‬ﭘﯿﺎده ﺳﺎزي ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﺷﮑﻞ )‪ (a) (5‬ﻃﺒﻘﮥ ﮐﺴﮑﻮد ﻣﻌﻤﻮل )‪ (b‬ﻃﺒﻘﻪ ﮐﺴﮑﻮد ﺑﺎ ﺑﺎﻧﺪ ﭘﻬﻦ ﺑﻪ روش ‪inductive peaking‬‬

‫‪7‬‬
‫ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر وﺟﻮد ﺧﺎزن ﻫﺎي ﻣﺰاﺣﻢ در ﮔﺮه ﮐﺴﮑﻮد‪ ،‬ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ﮐﺎﻫﺶ ﭘﯿﺪا ﻣﯽ ﮐﻨﺪ‪ .‬ﺑﺮاي ﻓﺎﺋﻖ آﻣﺪن ﺑـﺮ اﯾـﻦ اﺛـﺮ‬

‫ﻧﺎﻣﻄﻠﻮب ﻫﻤﺎن ﻃﻮر ﮐـﻪ در ﺷـﮑﻞ )‪ (5-b‬ﻧﺸـﺎن داده ﺷـﺪه از ﺷـﯿﻮة ﺗﻮﻟﯿـﺪ ﭘﯿـﮏ ﺳـﻠﻔﯽ )‪(inductive peaking‬‬

‫اﺳﺘﻔﺎده ﻣﯽ ﺷﻮد‪.‬‬

‫ﻫﻤﭽﻨﯿﻦ ﺑـﺮاي ﭘﯿـﺎده ﺳـﺎزي ﻣـﺪار و ﮐـﻢ ﮐـﺮدن رﯾﭙـﻞ ﻧـﺎﻣﻄﻠﻮب ﺑﻬـﺮه‪ ،‬ﺷـﯿﻮة ﭘﯿـﺎده ﺳـﺎزي ﺗﻨﻈـﯿﻢ ﻣﺘﻨـﺎوب‬

‫)‪ (stagger-tuning‬در روش ‪ inductive peaking‬اﻋﻤﺎل ﻣﯽ ﺷﻮد‪ .‬ﺑﺮاي اراﺋﮥ واﺿﺢ اﯾﻦ ﻣﻄﻠﺐ اﺑﺘـﺪا ﺷـﺒﮑﮥ ﭘﯿـﮏ‬

‫ﺳﺮي )‪ (series-peaking‬ﻫﻤﺎن ﻃﻮر ﮐﻪ در ﺷﮑﻞ )‪ (6‬ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ‪ ،‬ﺑﺮرﺳﯽ ﻣﯽ ﮔﺮدد‪.‬‬

‫ﺷﮑﻞ )‪ (6‬ﻣﺪل ﻣﺪاري ﺷﺒﮑﮥ ﭘﯿﮏ ﺳﺮي‬

‫ﺑﺮاي ﺗﺎﺑﻊ اﻧﺘﻘﺎل اﯾﻦ ﻣﺪار دارﯾﻢ ‪:‬‬

‫‪1‬‬ ‫‪Rs1‬‬
‫‪Vout‬‬ ‫‪sCs 2‬‬ ‫‪sCs1‬‬
‫‪‬‬ ‫‪.‬‬
‫‪Iin Z  1 R  1‬‬
‫‪s , eq‬‬
‫‪sCs 2 s1 sCs1‬‬
‫‪Rs1‬‬
‫‪where : Z s , eq  sLs1 ‬‬
‫‪1  sRs1Cs1‬‬
‫‪Rs1‬‬
‫‪with : Re Z s ,eq (w) ‬‬
‫‪1  ( wRs1Cs1 ) 2‬‬
‫‪w  Ls1  Rs12Cs1 1  w2 Ls1Cs1  ‬‬
‫‪Im Z s ,eq (w) ‬‬
‫‪1  ( wRs1Cs1 )2‬‬

‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪L‬‬

‫‪ w0 ‬ﻗﺮار دﻫﯿﻢ دارﯾﻢ ‪:‬‬ ‫‪, w1 ‬‬ ‫اﮔﺮ ‪, m1  2s1‬‬
‫‪Rs1Cs1‬‬ ‫‪Ls1Cs1‬‬ ‫‪Rs1 Cs1‬‬

‫‪8‬‬
 ‫‪2‬‬
‫‪w‬‬ ‫‪w ‬‬
‫‪ m1  1    ‬‬
‫‪w0 ‬‬ ‫‪ w0  ‬‬
‫‪Im Z s ,eq ( w) ‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪Rs1‬‬
‫‪2‬‬
‫‪ w‬‬
‫‪1  ‬‬
‫‪ w0 ‬‬

‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﭘﯿﮏ در اﯾﻦ ﻣﺪار از ﻣﻌﺎدﻟﮥ زﯾﺮ ﺑﻪ دﺳﺖ ﻣﯽ آﯾﺪ ‪:‬‬

‫‪1‬‬
‫‪w peak ‬‬
‫‪Ls1  Rs21Cs1 1  w2peak Ls1C s1 ‬‬
‫‪Cs 2‬‬
‫‪1  w2peak Rs1Cs1‬‬

‫در ﺷﮑﻞ )‪ (7‬ﭘﺎﺳﺦ ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ و ﭘﺎﺳﺦ ﻓﺎز ﺑﻪ ازاي ﻣﻘﺎدﯾﺮ ﻣﺨﺘﻠﻒ ‪ m1‬ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﺷﮑﻞ )‪ (7‬ﭘﺎﺳﺦ ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ و ﭘﺎﺳﺦ ﻓﺎز‬

‫‪9‬‬
 ‫در ﺷﮑﻞ )‪ (8-a‬ﻣﺪل ﺳﯿﮕﻨﺎل ﮐﻮﭼﮏ ﻣﻌﺎدل ﻃﺒﻘﮥ ﮐﺴﮑﻮد آورده ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺗﻮﺟﻪ ﺷﻮد ﮐﻪ ﻣﻘﺎدﯾﺮ ﺧﺎزن ﻫﺎ ﺑﺮ‬

‫ﺷﮑﻞ )‪ (a) (8‬ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل ﺳﯿﮕﻨﺎل ﮐﻮﭼﮏ ﻃﺒﻘﮥ ﮐﺴﮑﻮد ﭘﯿﺸﻨﻬﺎدي )‪ (b‬روش ‪ shunting-peaking‬در ﺧﺮوﺟﯽ )‪ (c‬ﭘﺎﺳﺦ ﺧﺮوﺟﯽ )‪ (d‬ﭘﺎﺳﺦ‬

‫ﺷﺒﮑﮥ ﻣﯿﺎﻧﯽ )‪ (e‬ﭘﺎﺳﺦ ﮐﻞ ﻃﺒﻘﻪ‬

‫اﺳﺎس اﺑﻌﺎد ﻣﺪار ﻗﺎﺑﻞ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ اﺳﺖ‪ .‬ﻃﺮاﺣﯽ ﺑﺎ ﺷﺒﮑﮥ ﺧﺮوﺟﯽ ﻧﺸﺎن داده ﺷـﺪه در ﺷـﮑﻞ )‪ (8-b‬آﻏـﺎز ﻣـﯽ ﮔـﺮدد‪.‬‬

‫ﺑﺮاي ﺑﯿﺸﯿﻨﮥ ﺻﺎﻓﯽ ﭘﺎﺳﺦ‪ L1 ،‬از راﺑﻄﮥ ‪:‬‬

‫‪L1  0.41 RL 2  C1  C2 ‬‬

‫‪10‬‬
 ‫ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻣﯽ ﮔﺮدد‪.‬‬

‫ﺑﺎ اﻓﺰاﯾﺶ ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ‪ ،‬ﺷﺒﮑﮥ ﺧﺮوﺟﯽ ﻫﻤﺎن ﻃﻮر ﮐﻪ در ﺷﮑﻞ )‪ (8-c‬ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ ﺑﻪ ﻣﺎﻧﻨﺪ ﯾﮏ ﺷﺒﮑﮥ ﻣـﻮازي‬

‫ﻋﻤﻞ ﻣﯽ ﮐﻨﺪ‪ .‬ﻣﻘﺎدﯾﺮ ‪ Req ,Zeq‬ﺑﻪ ﺻﻮرت زﯾﺮ ﻗﺎﺑﻞ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻫﺴﺘﻨﺪ ‪:‬‬

‫‪w 2 L12‬‬
‫‪Req1  RL ‬‬
‫‪RL‬‬
‫‪RL 2 C1  L1  w2 L12C1‬‬
‫‪Ceq1 ‬‬
‫‪RL 2  w2 L12‬‬

‫‪1‬‬
‫‪ w p1 ‬ﺗﻌﺮﯾﻒ ﺷﻮد‪ L2 ،‬ﺑﺎﯾﺪ ﻃﻮري اﻧﺘﺨﺎب ﮔﺮدد ﮐﻪ ﭘﯿﮏ زدن ﺑﻬﺮه در ﺑـﺎﻻي ﻓﺮﮐـﺎﻧﺲ ﺑﺎﻧـﺪ‬ ‫اﮔﺮ‬
‫) ‪RL (C1  C2‬‬

‫‪L1‬‬
‫‪ w peak  4.5w p1 ، L2 ‬ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺑﺮاي ﺟﺒـﺮان درة ﺑﺎﻧـﺪ ﻣﯿـﺎﻧﯽ‪،‬‬ ‫اﺗﻔﺎق اﻓﺘﺪ ﮐﻪ در اﯾﻦ ﻣﻮرد ﺑﻪ ﺧﺼﻮص ﺑﺮاي‬
‫‪2‬‬

‫ﻧﯿﺎز ﺑﻪ ﭘﯿﮑﯽ در ﺣﺪود ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ‪ 3.5wp1‬ﺑﻪ وﺳﯿﻠﮥ ﻃﺒﻘﮥ ﻣﯿﺎﻧﯽ ﻧﯿﺎز ﻣﯽ ﺑﺎﺷـﺪ و ﻫﻤـﺎن ﻃـﻮر ﮐـﻪ در ﺷـﮑﻞ )‪(8-d‬‬

‫ﻣﯽ ﺑﯿﻨﯿﻢ ﺑﺎ ﻗﺮار دادن ‪ L3  L1‬ﺑﻪ دﺳﺖ ﻣﯽ آﯾﺪ‪ .‬در ﺷﮑﻞ )‪ (8-e‬ﻧﯿﺰ ﮐﻞ ﭘﺎﺳﺦ ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ ﻃﺒﻘﻪ آورده ﺷـﺪه اﺳـﺖ‪.‬‬

‫ﭘﺎﺳﺦ ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ و ﻓﺎز ﻃﺒﻘﮥ ﻃﺮاﺣﯽ ﺷﺪه در ﺷﮑﻞ )‪ (9‬و ﻣﻘﺎدﯾﺮ آن در ﺟﺪول )‪ (2‬آورده ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬

‫‪11‬‬
 ‫ﺟﺪول )‪(2‬‬

‫در ﺷﮑﻞ )‪ (10‬ﻧﯿﺰ ﭘﺎﺳﺦ ﮐﻞ ﻃﺒﻘﺎت و در ﺷﮑﻞ )‪ (11‬ﺷﻤﺎي آن آورده ﺷﺪه اﺳﺖ ‪:‬‬

‫ﺷﮑﻞ )‪ (a) (10‬ﭘﺎﺳﺦ ﮐﻞ ﻃﺒﻘﺎت )‪ (b‬ﭘﺎﺳﺦ ﮐﻞ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از روش ‪stagger-tuning‬‬

‫ﺷﮑﻞ )‪ (11‬ﺷﻤﺎي ﮐﻞ ﻣﺪار‬

‫‪12‬‬
‫ﻫﻤﺎن ﻃﻮر ﮐﻪ در ﺷﮑﻞ )‪ (11‬ﻣﯽ ﺑﯿﻨﯿﻢ‪ ،‬ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر ﺻﺎﻓﯽ ﻫﺮ ﭼـﻪ ﺑﯿﺸـﺘﺮ ﺑﻬـﺮه از روش ‪ staggering-peaking‬ﺑـﻪ‬

‫ﮐﻤﮏ ﺿﺮﯾﺐ ‪ k‬اﺳﺘﻔﺎده ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﻣﺠﻤﻮﻋﮥ ﻃﺮاﺣﯽ ﻫﺎ و ﻧﺘﺎﯾﺞ ﺗﻮﺳﻂ داﻧﺸﺠﻮ ‪:‬‬

‫ﺗﻮﺿﯿﺢ ‪ :‬از آﻧﺠﺎ ﮐﻪ در ﻧﺮم اﻓﺰار ‪ ADS‬و در ﻓﻨﺎوري ‪ 0.18µm‬ﭘﻬﻨﺎي ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر ﺑﺮ ﺧﻼف ﻃﺮاﺣﯽ اﻧﺠـﺎم ﺷـﺪه در‬

‫اﯾﻦ ﻣﻘﺎﻟﻪ )ﺟﺪول )‪ ،((2‬از ‪ 100µm‬ﺑﯿﺸﺘﺮ ﻧﻤﯽ ﺗﻮاﻧﺪ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺑﻨﺪه ﺑﻪ ﻃﺮاﺣﯽ دوﺑﺎرة ﻃﺒﻘﻪ ﻫﺎ ﭘﺮداﺧﺘﻢ ﮐﻪ ﻣﻘـﺎدﯾﺮ آن‬

‫ﺑﻪ ﺻﻮرت زﯾﺮ ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ ‪:‬‬

‫‪W ‬‬ ‫‪62.5 m‬‬

‫‪L‬‬ ‫‪0.18 m‬‬
‫‪ 1‬‬

‫‪W ‬‬ ‫‪100 m‬‬

‫‪L‬‬ ‫‪0.18 m‬‬
‫‪ 2‬‬

‫‪RL‬‬ ‫‪60Ω‬‬

‫‪L1‬‬ ‫‪0.56nH‬‬

‫‪L2‬‬ ‫‪0.28nH‬‬

‫‪L3‬‬ ‫‪0.75nH‬‬

‫‪Factor k‬‬
‫‪ 1.4‬‬

‫‪supply voltage‬‬ ‫‪1.8v‬‬

‫در ﺿﻤﻦ ﻣﻘﺎدﯾﺮ ﺳﻠﻒ ﻫﺎ ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر رﺳﯿﺪن ﺑﻪ ﺷﮑﻞ ﻣﻮج ﻫﺮ ﭼﻪ ﻣﻨﺎﺳﺐ ﺗﺮ ﺑﻪ روش ﺳﻌﯽ و ﺧﻄﺎ ﺗﻐﯿﯿﺮ داده ﺷـﺪه‬

‫اﺳﺖ‪ .‬ﻋﻼوه ﺑﺮ اﯾﻦ ﻫﻤﺎن ﻃﻮر ﮐﻪ در ﺷﮑﻞ ﺻﻔﺤﮥ ﺑﻌـﺪ ﻣـﯽ ﺑﯿﻨـﯿﻢ ﺧـﻂ اﻧﺘﻘـﺎل ﺑـﺎ ﺳـﻠﻒ ‪ 0.5pH‬و ﺧـﺎزن ﻫـﺎي‬

‫ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر ﻣﺪل ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬در ﺷﮑﻞ ﺻﻔﺤﮥ ﺑﻌﺪ ﺗﻨﻬﺎ ﺷﻤﺎي ﯾﮏ ﺳﺘﻮن از ﻣﺪار آورده ﻣﯽ ﺷﻮد ‪:‬‬

‫‪13‬‬
 V1
V_D C
C R L L
SR C 45
C 13 R34 L12 L13
Vdc =2.8 V
C =1.0 pF R=50 Ohm L=0.5 pH L L=0.5 pH
R= L14 R=
L=0.5 pH
R=

V_DC R
SRC 12 R5
Vdc=DC 1 V R =60 Ohm
Vo3

C
C3
C=1.0 pF TSMC_C M018R F_N MOS
M6
C V_DC R Ty pe=1.8V_nom
C 21 SRC 7 R3 Length=0.18001 um
C =1.0 pF Vdc=1.8 V R =60 Ohm Width=100 um

L
L9
L L=l3 nH
R=
L5
V_DC R L=0.56 nH
SR C6 R4 R=
Vdc =D C1 V R =60 Ohm
Vo2

L R
C
L6 R31
C12
L=0.28 nH R=100 k Ohm TSMC_C M018R F_N MOS
C=q uF
C R=
M5
C2
TSMC _C M018RF_NMOS Ty pe=1.8V_nom
C =1.0 pF Length=0.18001 um
M3 V_D C
C V_D C R SR C 40 Width=62.5 um
Ty pe=1.8V_nom
C 22 SRC 1 R1 Length=0.18001 um Vdc =0.888 V
C =1.0 pF Vdc =1.8 V R =60 Ohm Width=100 um

L
L4
L L=l2 nH
R=
L3
V_DC R L=0.56 nH
SR C2 R2 R=
Vdc=D C1 V R =60 Ohm
Vo1
L
C R I_Probe
L2 R30I_in2
C23
L=0.28 nH R=100 k Ohm TSMC _C M018RF_NMOS
C=q uF
C R= M4
C1
TSMC _C M018RF_N MOS Ty pe=1.8V_nom
C =1.0 pF Length=0.18001 um
M2 V_D C
SR C 8 Width=62.5 um
Ty pe=1.8V_nom
Length=0.18001 um Vdc =0.888 V
Width=100 um

L
L1
L=l1 nH
R=

Vin1
I_Probe
I_in1

TSMC _C M018RF_N MOS

M1
Ty pe=1.8V_nom
Length=0.18001 um
Width=62.5 um

R L L
R35 L10 L11
R=50 Ohm L=0.5 pH L=0.5 pH
R= R=

V_D C
SR C 37
Vdc =0.888 V

Vin

V_AC
SR C4
Vac =polar(1,0) V
Freq=freq

14
‫ﭘﺎﺳﺦ ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ و ﻓﺎز ﻫﺮ ﻃﺒﻘﻪ در زﯾﺮ آﻣﺪه اﺳﺖ ﮐﻪ ﺑﺎ ﺷﮑﻞ )‪ (9‬ﻣﻘﺎﻟﻪ ﻣﺘﻨﺎﻇﺮ اﺳﺖ و ﺗﺎ ﺣﺪود زﯾﺎدي آن را ﺗﺄﯾﯿـﺪ‬

‫ﻣﯽ ﮐﻨﺪ‪.‬‬

‫)‪Eqn Normalized_gain=db(AC1.Av1‬‬ ‫‪Eqn Phase_degree=phase(AC1.Av1)-180‬‬

‫‪10‬‬ ‫‪0‬‬
‫‪Normalized_gain‬‬

‫‪5‬‬ ‫‪-100‬‬

‫‪Phase_degree‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪-200‬‬

‫‪-5‬‬ ‫‪-300‬‬

‫‪-10‬‬ ‫‪-400‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪15‬‬ ‫‪20‬‬ ‫‪25‬‬ ‫‪30‬‬ ‫‪35‬‬ ‫‪40‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪15‬‬ ‫‪20‬‬ ‫‪25‬‬ ‫‪30‬‬ ‫‪35‬‬ ‫‪40‬‬

‫‪f req, GHz‬‬ ‫‪f req, GHz‬‬

‫ﺷﮑﻞ زﯾﺮ ﻣﻘﺪار ‪ dB‬ﺑﻬﺮه ﮐﻠﯽ ﻣﺪار را ﮐﻪ ﻣﺘﻨﺎﻇﺮ ﺑﺎ ﺷﮑﻞ )‪ (10‬ﻣﻘﺎﻟﻪ اﺳﺖ ﻧﺸـﺎن ﻣـﯽ دﻫـﺪ‪ .‬در ﻣﻘﺎﻟـﻪ ﺑﻬـﺮة ‪،dc‬‬

‫‪ 16.2 db‬ﺑﺎ ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ ‪ 33.4 GHz‬ﮔﺰارش ﺷﺪه ﮐﻪ ﺑﺎ ﻣﻘﺪار ﺑﻪ دﺳﺖ آﻣﺪه ﻗﺎﺑﻞ ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ اﺳﺖ و اﻟﺒﺘﻪ ﻣﯿﺰان ﺻـﺎﻓﯽ‬

‫ﮐﻤﺘﺮي دارد‪.‬‬

‫‪m1‬‬
‫‪30‬‬ ‫‪freq=35.68GHz‬‬
‫‪dB(AC1.Av)=16.930‬‬
‫‪20‬‬ ‫‪m1‬‬
‫)‪dB(AC1.Av‬‬

‫‪10‬‬

‫‪0‬‬

‫‪-10‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪15‬‬ ‫‪20‬‬ ‫‪25‬‬ ‫‪30‬‬ ‫‪35‬‬ ‫‪40‬‬

‫‪freq, GHz‬‬

‫ﭘﻬﻨﺎي ﺑﺎﻧﺪ‬ ‫ﺑﻬﺮة ‪dc‬‬

‫در ﻣﻘﺎﻟﻪ‬ ‫‪33.4 GHz‬‬ ‫‪16.2 dB‬‬

‫در ﮔﺰارش‬ ‫‪35.7 GHz‬‬ ‫‪20 dB‬‬

‫‪15‬‬
 ‫به نام خدا‬

‫تقویت کننده گسترده ‪ 40-Gb/s‬با بهره باال به کمک طبقات بهره‬

‫آبشاری )‪ (cascade‬در فناوری ‪0.18-µm CMOS‬‬

‫آقای دکتر گنجی‬

‫تهیه و تنظیم‪:‬‬
‫وحید غالمعلیپور‬
‫)‪(812222157‬‬

‫بهار‪89‬‬