Welcome to Scribd, the world's digital library. Read, publish, and share books and documents. See more
Download
Standard view
Full view
of .
Save to My Library
Look up keyword or section
Like this
18Activity
0 of .
Results for:
No results containing your search query
P. 1
Cap3 Disp Act Simples_medid Ac Uni Lisboa

Cap3 Disp Act Simples_medid Ac Uni Lisboa

Ratings: (0)|Views: 1,321 |Likes:
Published by wadamarcelo
Capítulo III Dispositivos Activos Discretos e Instrumentos de Medida ac
ÍNDICE
3.1 DISPOSITIVOS ACTIVOS .....................................................................................2 3.1.1 DÍODOS....................................................................................................................................................................... 2 a) Rectificador de meia onda...................................................................................................
Capítulo III Dispositivos Activos Discretos e Instrumentos de Medida ac
ÍNDICE
3.1 DISPOSITIVOS ACTIVOS .....................................................................................2 3.1.1 DÍODOS....................................................................................................................................................................... 2 a) Rectificador de meia onda...................................................................................................

More info:

Categories:Types, School Work
Published by: wadamarcelo on Sep 14, 2010
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

08/01/2013

pdf

text

original

 
 
III/1
Capítulo III Dispositivos Activos Discretos e Instrumentosde Medida ac
ÍNDICE
3.1 DISPOSITIVOS ACTIVOS.....................................................................................2
 
3.1.1
 
D
ÍODOS
.......................................................................................................................................................................2
 
a) Rectificador de meia onda.........................................................................................................................................4
 
b) Rectificador de onda completa..................................................................................................................................
 
c) Díodo Zener................................................................................................................................................................9
 
d) Díodo de efeito de túnel...........................................................................................................................................10
 
e) Díodo posterior “Back diode” ................................................................................................................................11
 
 f) Varactor....................................................................................................................................................................11
 
3.1.2
 
T
RANSÍSTORES
.........................................................................................................................................................12
 
3.1.3
 
Transístores bipolares .................................................................................................................................12
 
a) Modo de funcionamento do BJT
..........................................................................................................................................13
 
b) Configurações de BJT e seu funcionamento
.......................................................................................................................16
 
c) Utilização do BJT como amplificador
..................................................................................................................................17
 
d) Circuito inversor simples em BJT
........................................................................................................................................20
 
e) Circuito inversor DTL
...........................................................................................................................................................21
 
f) Circuito inversor TTL
............................................................................................................................................................22
 
l) Portas lógicas
...........................................................................................................................................................................22
 
3.1.4
 
D
IAC
........................................................................................................................................................................22
 
3.1.5
 
R
ECTIFICADOR CONTROLADO DE SILÍCIO
“S
ILICON
C
ONTROLLED
R
ECTIFIER
-SCR”............................................23
 
3.1.6
 
T
RIAC
.......................................................................................................................................................................24
 
3.1.7
 
O
DÍODO
PIN...........................................................................................................................................................25
 
3.2 TRANSTORES UNIPOLARES............................................................................25
 
3.2.1 O dispositivo J-FET............................................................................................................................................26 
 
3.2.2 O dispositivo MOSFET.......................................................................................................................................28
 
3.2.3 comparação entre um UJT e um BJT.................................................................................................................30
 
3.2.4
 
S
IMBOLOGIA DE COMPONENTES ACTIVOS
................................................................................................................31
 
3.3 MODO DE ANÁLISE DE CIRCUITOS TRANSISTORIZADOS....................................33
 
3.3.1
 
MODELO
 
INCREMENTAL
 
DE
 
ANÁLISE
 
DOS
 
FET.........................................................................................34
 
3.4 MEDIDORES DE CORRENTE ALTERNA.................................................................34
 
3.4.1 O medidor d’Arsonval.........................................................................................................................................34
 
a) Condições de medida ac do medidor d’Arsonval
...............................................................................................................34
 
3.4.2 Electrodinamómetro como voltímetro e amperímetro.......................................................................................37 
 
3.4.3 Electrodinamómetro como Wattimetro ..............................................................................................................38
 
a) Erros associados ao Wattimetro
...........................................................................................................................................39
 
b) Efeitos de carga em Wattimetro
...........................................................................................................................................40
 
3.4.4 Medidor de palhetas de ferro..............................................................................................................................40
 
3.4.5 Medidores de filamento aquecido e de termopar...............................................................................................40
 
3.4.6 Medidores de sinais de microondas ...................................................................................................................42
 
3.4.7 Medidor detector de envolvente..........................................................................................................................43
 
3.5 EXERCÍCIOS TEÓRICOS E PTICOS, PARA RESOLVER......................................44
 
A) EXERCIOS TEÓRICOS......................................................................................44
 
B) EXERCÍCIOS PRÁTICOS.......................................................................................45
 
SITES A CONSULTAR...............................................................................................45
 
 
 
III/2
3.1 Dispositivos Activos
Os dispositivos activos são aqueles que interferem no modo de circulação de cargas eléctricas,de tal forma que a relação entre a corrente e a tensão resultante aos seus terminais não seguea lei de Ohm. Esta relação não linear deve-se ao facto do dispositivo interferir na forma dosinal eléctrico, podendo modificá-la. Esta capacidade designa-se de efeito de rectificação e étraduzida por uma relação exponencial entre a corrente e a tensão, que é altamentedependente do valor do sinal da tensão utilizada. A equação típica da corrente em função datensão é a que se segue,
)
 / (0
q
 B
e I  I 
β 
±
=
(3.01)onde I
0
é a corrente de saturação (o menor valor de corrente que passa no circuito, pelo factode este não se comportar como um circuito aberto, quando polarizado inversamente); V
T
 designa-se de tensão limiar e corresponde à tensão mínima necessária aplicar ao dispositivopara que este permita a circulação livre de cargas eléctricas; V é a tensão aplicada, em que osinal positivo significa que estamos a polarizar o dispositivo no sentido a que este deixe passaro fluxo de cargas eléctricas (polarização directa) e o sinal negativo significa que estamos adificultar a passagem de cargas eléctricas (polarização inversa);
β
designa-se factor dequalidade e tem um valor entre 1 e 2; K
B
T/q é o potencial equivalente gerado pelatemperatura T.
3.1.1 Díodos 
Por díodo entende-se um dispositivo com dois terminais acessíveis, respectivamentedesignados de ânodo (polo positivo) e cátodo (pólo negativo).
.
Neste caso, o sentidoda seta indica o sentido correcto da circulação de cargas (polarização directa), em que ocátodo corresponde à ponta da seta e o ânodo ao outro extremo. Isto é, o díodo pode serconsiderado como um dispositivo em que em polarização directa e a cima de uma dada tensãose comporta como se tivesse associada uma resistência de baixo valor /resistência série, R
S
, e,quando polarizado inversamente, é como se tivesse associado em paralelo com os seusterminais uma resistência de valor muitíssimo elevado, R
P
.Neste caso concreto, se tivermos um sinal alterno sinusoidal, de valor médio nulo, o queconstatamos é que nos semi períodos positivos, o díodo “deixa” passar o sinal, enquanto quepara os semi períodos negativos, tal não acontece. Isto é, o díodo comporta-se como uminterruptor que, em determinadas condições está “aberto” e noutras “fechado” (I
0
tem, nestecaso o mesmo significado do que uma corrente de fuga). Este tipo de comportamento designa-se de rectificante, sendo utilizado para transformar sinais de corrente alterna (ac) em sinais decorrente contínua (dc), cujo valor médio já não é zero.
 
 
III/3 
Junção díodo polarizada directamente
 
Junção díodo polarizada inversamente
 Como se indica nos esquemas acima, a polarização directa faz com que se “acumulem cargaslivres” próximo da região da junção, onde existem impurezas ionizadas (cargas fixas), de sinalcontrário aos portadores livres, de cada uma das regiões (no material tipo n, existem electrõese impurezas doadoras ionizadas positivamente, enquanto que no lado p, existem buracos livrese impurezas aceitadoras ionizadas negativamente). Tal faz com que a região associada àpresença de cargas fixas (tal como um condensador) vá diminuindo. Esta região designa-se de
carga espacial
e a sua diminuição está também associada à diminuição da altura da barreirade potencial.Por outro lado, quando se polariza inversamente, a extensão da região de carga espacialaumenta, o mesmo acontecendo á altura da barreira de potencial (é mais difícil a condução,neste caso).
exemplo do funcionamento ideal de umdíodo, como chave de comutação.
 O díodo, para além de se comportar como umachave de comutação tem a propriedade adicionaldireccional. Na figura ao lado mostramos ocomportamento de uma curva característicaideal de um díodo em que R
S
=0 e R
P
=
.Contudo, em termos reais, as condiçõesanteriores não se verificam, uma vez que sesabe que V
T
0 (vale 0,3 V para os díodos deGermânio e 0,7 V, para os díodos de Silício).Para além disso, o isolamento da junção não éperfeito, pelo que existe uma corrente de fugaassociado a um valor não infinito de R
P
.
 
Assim, ao polarizar-se inversamente o díodo este deixa passar uma pequena corrente de fuga(próxima de I
0
) até se alcançara tensão de rotura, tensão a partir da qual se pode fazer comque o díodo se degrade, de uma forma irreversível (aumento brusco de corrente, associado aum processo de avalanche ou tentativa de deslocamento das impurezas ionizadas (neste caso,existe um hiper aquecimento do dispositivo que leva à destruição do mesmo).

You're Reading a Free Preview

Download
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->