Professional Documents
Culture Documents
VILLAMOSMÉRNÖKI ELEKTRONIKAI
INTÉZET TANSZÉK
ELEKTRONIKA
II.
(DISZKRÉT FÉLVEZETŐK,
ERŐSÍTŐK)
ELŐADÁS JEGYZET
2003.
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék
Potenciális energia
potenciálgát
Sávelméleti alapok
A félvezető anyagokban a tiltott sáv szélessége elegendően kicsi ahhoz, hogy már
szobahőmérsékleten a vegyértéksávból elektron lépjen ki és a vezetési sávba kerüljön. A
kilépett elektron (n) helyén elektron hiány lép fel, ami pozitív töltést (p) jelent ezt hívjuk
lyuknak.
Az elektron gerjesztés hatására bekövetkező kiszakadását a kötött rácsszerkezetből
párképződésnek (generációnak) a visszatérését rekombinációnak nevezzük. A generáció
során lyuk-elektron pár keletkezik, a rekombináció során azonban egy lyuk-elektron pár
megsemmisül. Egy adott hőmérsékleten a töltéssűrűség egyensúlyban van, azonos számú
generáció és rekombináció zajlik le. Termikus gerjesztés esetén tehát mindig azonos számú
elektron és lyuk keletkezik.
W
Vezetési sáv
üres
Tiltott sáv
Vegyértéksáv
teljesen betöltött
generáció rekombináció
Az elektronok generációja és rekombinációja azonban nem minden anyagnál ilyen direkt
folyamat. A félvezetőket aszerint is csoportosíthatjuk, hogy az elektronok gerjesztése
(foton abszorpció) ill. generációja (foton kisugárzás) közvetett (indirekt félvezetők) vagy
közvetlen (direkt félvezetők) átmenettel történik-e. Direkt félvezetők esetén a k
hullámszámvektor (az elektromágneses tér terjedési irányába mutató, a frekvenciával
arányos vektor) nem változik meg, míg indirekt félvezetők esetén megváltozik.
A fenti sávszerkezeti modellel szemben a vezetési sáv alsó energia szintje és a
vegyértéksáv felső energia szintje nem párhuzamosan fut egymással, hanem a
Direkt félvezetők
Wg = hωg , ahol Wg a tiltott sáv energia szélessége.
A vegyértéksáv felső
energia szintje
k
A vezetési sáv alsó széle ugyanahhoz a k hullámszám-vektorhoz tartozik, mint a
vegyértéksáv felső széle. Ilyen félvezető, pl. GaAs, InSb, GaSb, stb. A direkt félvezetők az
energiát elsősorban a fénytartományba tartozó hullámsávban (foton kisugárzás) sugározzák
ki.
Indirekt félvezetők
hω = Wg + hΩ ,
A vegyértéksáv
felső szintje
k
A vezetési sáv legalacsonyabb energia szintje eltérő k hullámszám-vektorhoz tartozik,
mint a vegyértéksáv felső energia szintje. Ilyen félvezető, pl. Si és Ge alapú félvezetők. Az
indirekt félvezetők az energiát elsősorban a hő-tartományba tartozó hullámsávban (fonon
kisugárzás) sugározzák ki.
W T=300 [K]
T=0 [K]
WF
p
0 0.5 1
A Fermi-szint definíciója:
1. Az az energiaszint, amelyet a szabad elektronok 50% valószínűséggel töltenek be.
2. Az a maximális energiaszint, amelyet az elektronok 0 K°-on még betölthetnek.
A Fermi-szint jelentőségét az adja, hogy az egyes anyagok–energia szerkezet
szempontjából- a Fermi- szintjükkel kapcsolódnak egymáshoz.
A félvezető alapanyagok (Si, Ge, GaAs, SiC, stb.) 4 vegyértéke stabil kovalens kötésű
rácsszerkezetet eredményez.
A félvezető alapanyagokhoz adalékolt 5 vegyértékű anyag azt eredményezi, hogy egy
szabad (le nem kötött) elektron keletkezik minden szennyező atomra. Ez elektron többletet
Az akceptor típusú szennyezés esetén a szennyező anyag energia szintje a tiltott sávba a
vegyértéksávhoz közel esik, így a vezetés a szennyezett anyag vegyértéksávja és a
szennyező anyag akceptor energia szintje között zajlik le.
W
Vezetési sáv
Tiltott sáv
Akceptor energia szint
Vegyértéksáv
A donor típusú szennyezés esetén a szennyező anyag energia szintje a tiltott sávba a
vezetési sávhoz közel esik, így a vezetés a szennyezett anyag vezetési sávja és a szennyező
anyag donor energia szintje között zajlik le.
W
Vezetési sáv
Vegyértéksáv
Degenerált félvezetők
Amennyiben a szennyezés mértéke eléri, vagy meghaladja az 5x1023/m3 mértéket, akkor a
Fermi-szint a vezetési sávba (n) vagy a vegyértéksávba (p) tolódik el a tiltott sávból. Ez a
félvezetőnek fémes vezető tulajdonságot kölcsönöz a vezetési, vagy a vegyértéksávban
levő nagy mennyiségű töltéshordozó miatt. Speciális félvezetőket készítenek a degenerált
félvezető anyagokból.
Tiltott sáv
2.1.1. A pn átmenet
+
x
-
W
Vezetési sáv
WD
Fermi szint
Tiltott sáv
Vegyértéksáv
töltésekre gyorsítóan hat és kialakul egy kisebbségi töltéshordozó áram is (drift áram).
Termikus egyensúlyban a két áram (a diffúziós- és a drift áram) egyenlő. A pn réteg a
külvilág felé elektromosan semleges, a fenti folyamatok a réteg belsejében zajlanak le.
kisebbségi
A) Záróirányú feszültség
A külső feszültség iránya olyan, hogy növeli a belső térerőt, azaz még jobban lezárja a
félvezetőt. Az ábrán látható, hogy a potenciálgát megnő (WD+Wk, ahol Wk a külső
feszültség hatására létrejött belső energiaváltozás) és még kevesebb töltéshordozót enged
át. A diffúziós áram lecsökken, a drift áram megnő. Ennek hatására a kiürített réteg megnő.
A zárt áramkörben a kisebbségi töltéshordozók árama indul meg, amelynek nagysága csak
csekély mértékben függ a rákapcsolt feszültségtől, nagyságát elsősorban a hőmérséklet
szabja meg.
A pn réteg tehát lezárt állapotban sem ideálisan zárt, mert folyik a kisebbségi
töltéshordozók árama, amelyet gyakran maradékáramként vagy visszáramként
(optoelektronikai eszközök esetén sötétáramként) definiálunk (Io).
A záróirányú feszültség növelésével, az eszköz a letörés határára kerülhet, amely
tönkremenetelét okozhatja. A letörési jelenségekkel a 2.1.1.2. fejezet foglalkozik
részletesen.
Energia viszonyok záróirányú előfeszítés esetén:
p n
Uk
W
qUD+qUk
WD Wk
Vezetési sáv
Fermi szint
Tiltott sáv
Vegyértéksáv
B) Nyitóirányú feszültség
p n
Uk
W
q(UD-Uk)
Vezetési sáv
Fermi szint
Tiltott sáv
Vegyértéksáv
A külső feszültség iránya olyan, hogy csökkenti a diffúziós áramot akadályozó belső
térerőt. Amennyiben a külső feszültség eléri a diffúziós potenciál értékét a potenciálgát
nem akadályozza tovább a többségi töltéshordozók áramát, így az áram rohamosan
(exponenciálisan) növekszik.
A pn réteg árama:
UU k
I = I o e T − 1
Tranziens folyamatok a nyitó és záró feszültségirány változtatása esetén:
Erősen szennyezett félvezetők esetén lép fel. Az erős szennyezés következtében a kiürített
réteg vékony lesz, amely azt eredményezi, hogy már alacsony záróirányú feszültség esetén
is nagy térerő alakul ki. A vékony kiürített réteg és nagy térerő miatt közvetlen vezetés
indul meg az n-réteg vezetési és a p-réteg vegyértéksávja között.
Vezetési sáv
Fermi szint
Tiltott sáv
Vegyértéksáv
Zener hatás 6 V alatti záróirányú feszültség esetén alakul ki. A Zener hatáshoz nem kell
nagy szabad úthossz, így a hőmérséklet növekedése esetén a növekvő számú kisebbségi
töltéshordozó következtében a kiürített réteg vékonyabb lesz, azaz a letörési feszültség
hőmérsékleti együtthatója negatív.
∆Wc
-
Wcfém
- Wcfélvezető vezetési sáv
-
- WF
vegyértéksáv
A kevés szabad töltéshordozó miatt a kiürített réteg ellenállása nagyobb, mint akár a fém
akár a félvezető ellenállása volt. Alapállapotban (ábra szerint) a félvezetőn az egyensúlyt a
fémből a félvezetőbe és a félvezetőből folyó áram egyensúlya tartja fenn. Az eszköz
kívülről villamosan semleges, a belső vagy diffúziós feszültség tartja fenn az egyensúlyt. A
kialakuló diffúziós feszültség is kisebb, mint Si alapanyagú pn réteg esetén:
∆Wc
UD =
q
Ha az n rétegre negatívabb feszültséget kapcsolunk, akkor csökken a potenciálgát a két
réteg között, diffúziós áram indul. Ez az eszköz nyitóirányú előfeszítése.
Fordított előfeszítés esetén a fémből eredő töltéshordozók mennyisége nem változik, de a
félvezetőből származó töltéshordozók száma lecsökken, a kiürített réteg nő. A fém-
félvezető dióda tehát egyenirányító jellegű.
Ha a félvezető réteg erősen szennyezett (pl. n+, degenerált félvezető), akkor az átmenet úgy
viselkedik, mintha két fémet hoztunk volna kontaktusba. Ezt a megoldást alkalmazzák,
amikor egy félvezető lábat, illetve annak fémmel a réteghez vezetett jelét a
félvezetőréteghez erősen szennyezett rétegen keresztül vezetjük be integrált áramkörökben.
Így a réteg és a fémkivezetés közötti ellenállás kicsi lesz, ami előnyös a félvezető üzemére.
Peltier-hatás:
Ha a két anyag két ponton úgy csatlakozik, hogy azok különböző hőmérsékleten vannak,
akkor fellép a Seebeck-hatás. Ezt a jelenséget a termoelektromos átalakítóknál használják
ki hőmérséklet mérésére (hőelemek).
∆V
α S = lim
∆T → 0 ∆T
αP
αS =
T
Ha egy anyagon belül van hőmérséklet különbség akkor fellép a Thomson-hatás. Ennek a
jelenségnek az elektronikában kisebb a gyakorlati haszna.
2.2.1. Dióda
Anód
IDF
nyitóirányú előfeszítés
IDFn
UBR UBRn Io
UDR UDF
UDFn
záróirányú
előfeszítés
IDR
A dióda nyitóirányú árama egy adott feszültégtől kezdve rohamosan nő. Ez a feszültség
jellemző az adott dióda típusra, pl. Si diódák esetén 0,5…0,8 V között (a szennyezés
mértékétől függően), GaAs diódák esetén 1,1…1,4 V között, Ge diódák esetén 0,2…0,5 V
között (egyenlő a belső diffúziós potenciál értékével).
A fenti egyenlet kis áramok esetén igaz, mert növekvő áramoknál a rétegek, a
hozzávezetések valamint a csatlakozási pontok ohmos ellenállása nem hanyagolható el, így
azok lesznek a dominánsak (a karakterisztika –az ohmos ellenállásnak megfelelően-
egyenesbe megy át).
uG(t) uD(t)
uD(t) tt
tbe tki
2.2.2. Zener-dióda
Anód
A Zener-diódák olyan kétrétegű félvezetők, amelyek tartósan a letörési tartományban
dolgoznak. A legtöbb félvezető elérve a letörési feszültség határértékét tönkremegy,
elsősorban a jelenség hatására a rétegekben egyre növekvő hőmérséklettől. A Zener-dióda
esetében azonban az ilyenkor keletkező hőmennyiség elvezetését megoldották és az eszköz
IF
Dióda jelleg
Uz
l [m] UR UF
Izmin
∂u z
rdz =
∂iz
Izmax
IR
Zener jelleg
Iz
Ube Uz Uki
Kiindulási jellemzők:
• Ubemin<Ube<Ubemax
• Itmin<It<Itmax
• Uki
Hanyagoljuk el a Zener-feszültség változását a Zener-áram függvényében, mivel ez az
összes változáshoz képest lényegesen kisebb.
U be min − U ki
R max ≤
I t max + I z min
U be max − U ki
Rmin ≥
I z max
A kapcsolás stabilitása:
A stabilitás meghatározásához helyettesítsük a Zener-diódát egy feszültséggenerátorral
(Uz) és egy ellenállással (rdz). Ez a helyettesítés a karakterisztika azon szakaszán, ahol
stabilizátor üzemben dolgozunk jól modellezi a Zenert.
It
R
Iz
rdz
Ube Uki
Uz
Ha a terhelő áram a kimeneten ∆It értékkel megnő, akkor a Zener árama ugyanilyen
mértékben csökken (Ube állandó és a Zener feszültségének változása a bemeneti
feszültséghez viszonyítva elhanyagolható), ennek megfelelően a Zener feszültsége ∆It⋅rdz
értékkel csökken.
A két összefüggés alapján látható, hogy a stabilitás annál jobb, minél kisebb a Zener
dinamikus ellenállása és minél nagyobb ellenállást tudunk alkalmazni soros elemként. Az
R akkor a legnagyobb, ha a kimenetet egyáltalán nem terheljük árammal. (Ez a referencia
feszültségforrásként történő alkalmazás esete!)
Példa:
Tervezzünk egy egyszerű Zener diódás feszültség stabilizátort az alábbi feltételek mellet:
• 8<Ube<12 V
• 0<It<10 mA
• Uki=5,6 V
Válasszuk a minimális Zener-áramot 5 mA-re (Kisebb teljesítményű Zenereknél 5 mA
elegendő, nagyobb teljesítményű Zener esetén a 10 mA szükséges)!
PR max =
(U be max − U z )2 = (12 − 5,6)2 = 273mW
R 150
Válasszunk PdR=1/3 W-os teljesítményű ellenállást!
A kapcsolás stabilitása:
rdz 12
Su = = = 0,074
R + rdz 150 + 12
A bemeneti feszültség ∆Ube=4V-os megváltozására a kimeneti feszültség ∆Uki=0,28 V-ot
változik.
S L = − rdz = −12Ω
A terhelő áram ∆Iki=10 mA-s változására a kimeneti feszültség ∆Uki=-0,12 V-ot változik.
A kimeneti feszültség maximális változása, ha mindkét paraméter egyidőben változik:
|∆Uki|max=0.28-(-0.12)=0,4 V
2.2.3.1. PIN-dióda
A PIN dióda a p és n réteg között egy saját szennyezésű réteget is (intrinsic) tartalmaz. Az
így megnövelt kiürített réteg lehetővé teszi a szabad töltéshordozóknak, hogy ütközés
nélkül (kevés szabad töltéshordozó és nagy szabad úthossz) elérjék a legnagyobb
sebességüket. Ez lehetővé teszi, hogy az eszköz gyors legyen (a tranziens paraméterei
különösen kedvezőek). A p és az n réteg közötti megnövelt távolság a réteg kapacitását is
csökkenti, így a dinamikus tulajdonsága is jobb, mint egy normál diódának. Az eszközt
gyakran használják optoelektronikai eszközként üvegszálas átvitel vevő diódájaként,
illetve nagyfrekvencián (a módosított változatát a Read/IMPATT diódákat GHz
tartományban).
Jelölése:
IF
Si dióda
UR UF
IR Schottky dióda
Jelölése:
UR
Jelölése:
IR
rd<0
B B
npn E pnp
A tranzisztor három félvezető réteget (két átmenetet) tartalmazó alkatrész. A két félvezető
alapanyagból így két különböző struktúrájú tranzisztor állítható elő: npn és pnp. A két
eszköz működése nagyon hasonló azzal az alapvető különbséggel, hogy npn
tranzisztoroknál a többségi töltéshordozó az elektron, míg pnp tranzisztoroknál a lyuk.
Ennek megfelelően minden magyarázat és kapcsolás ami az npn tranzisztorra vonatkozik
alkalmazható a pnp tranzisztorra is, ha az elektron szót behelyettesítjük lyukkal, a
kapcsolások tápfeszültségét megfordítjuk ellenkező előjelűre és a polarizált kondenzátorok
bekötését megfordítjuk. Ennek megfelelően a továbbiakban csak az npn tranzisztorra
vonatkozó összefüggéseket határozzuk meg, de a fentiek figyelembevételével minden
magyarázat és összefüggés közvetlenül alkalmazható a pnp tranzisztorra és kapcsolásaira
is.
UCB
UBE
BE átmenet CB átmenet
bázis (B)
Energiaviszonyok a tranzisztorban:
E B C
E B C
vezetési sáv
qUCB qUBE
WF
vegyértéksáv
gerjesztetlen esetben
E C
B UCB
UBE
A töltéshordozók döntő többsége elektron (npn tranzisztornál). Az emitter hatásfok (γ) azt
mutatja meg, hogy az elektronokból származó áram (In) és a lyukakból származó áram (Ip)
hogyan viszonyul egymáshoz.
In
γ= ≈1
In + I p
A BE-rétegre adott nyitóirányú feszültséggel szabályozni lehet az emitterben keletkező
szabad elektronok számát, így magát az áramot.
Megjegyzés: A tranzisztort áramvezérelt eszköznek tekintjük, amelyet a bázisáram vezérel,
de a valósághoz közelebb áll az, hogy a bázisáramot az UBE feszültség vezérli, a bázis
áram ennek következménye, de a tisztán feszültségvezérelt FET-től történő
megkülönböztetés miatt elfogadható az áramvezérelt minősítés.
A lezárt átmeneten folyó visszáramot vagy maradékáramot a kisebbségi töltéshordozók
hozzák létre, így értéke elsősorban a hőmérséklettől függ. Az UCB feszültség –ha
elhanyagoljuk a felületi töltések hatását- értékét nem befolyásolja.
A szokásosan elfogadott áramirányok az elektronok mozgásával szembe mutatnak, így
az npn tranzisztor áramirányai és értékei:
n p n
E I C
E IC
ICB0
IB
B
UBE UCB
A
B=
1− A
Mivel az A>0,99 így a B értéke 100 és 1000 közé esik.
IF IR
E C
IE IC
ARIR AFIF
B IB
ICB0 ICS
ARICS
IEB0 IES
AFIES
IC
IB UCE
UBE
kimeneti paraméterek
IC
ICmax IB5
I. IB4
IB3 Pdmax
III.
IB2
másodfajú
IB1 letörés
ICE0 IB0
II. UCE
UCEsat
IB=0 UCEmax
A tartományok jellemzői:
Jellemző paraméterek:
Az aktív tartományban definiáljuk a transzfer paramétereket és a kimeneti
karakterisztika jellemző paraméterét, amely lineáris üzem miatt itt is egy
koncentrált paraméterű ellenállással jellemezhető.
a) Transzfer paraméterek:
β = f (I C , ω)
A kisjelű áramerősítési tényező és a nagyjelű áramerősítési tényező (B) közötti kapcsolatot
az alábbi ábrán szemléltethetjük:
IC
∂I C
β=
∂I B
ICM munkapont
ICM
IC IB
B= IBM
IB
IC
ICmin ICmax
lgβ
β0 -3dB
0 lgf
fβ fT
Felírható egy másik -bemenet hatása a kimenetre- típusú transzfer paraméter is,
amennyiben a tranzisztort feszültségvezéreltnek tekintjük. Ez a paraméter a meredekség,
amelynek szokásos jelölése S vagy gm szakirodalomtól függően.
∂I C IC
S= ≅
∂U BE U CE = állandó
UT
Összefüggés állítható fel a két -bemenetről a kimenetre mutató- transzfer paraméter között:
∂I C ∂I C ∂I B β βI B
S= ≅ = =
∂U BE ∂I B ∂U BE
{ rBE UT
U CE = állandó 123
β 1
rBE U CE = állandó
b) Kimeneti paraméter
∂U CE
rCE =
∂I C U BE = állandó
A tranzisztor kisjelű üzeme alatt azt az esetet értjük, amikor a munkapontba állított
tranzisztort a munkaponti mennyiségekhez képest kisebb jelekkel vezéreljük. A vezérlőjel
lehet egyenfeszültség vagy váltakozó feszültség. A tranzisztortól ilyenkor elvárt, hogy
karakterisztikája lineáris szakaszán működjön, amely behatárolja a vezérlő jel megengedett
nagyságát. A tranzisztor viselkedését kisjelű üzemmódban (mivel itt a tranzisztor a lineáris
szakaszon üzemel) leírhatjuk koncentrált paraméterű ideális alkatrészekkel. A leírás csak a
tranzisztor karakterisztikáinak azon meghatározott szakaszára érvényes, ahol az adott
munkapont környékén a karakterisztika még lineárisnak tekinthető. Ez azt jelenti, hogy a
helyettesítőkép elemeinek konkrét értékei eltérnek a munkapont függvényében.
Több módszer is ismert a helyettesítőkép megalkotására. Ki lehet indulni a konkrét fizikai
mennyiségekből (hibrid-π, amely elsősorban a kapcsolásból történő paraméter-számításra
alkalmas) vagy fel lehet állítani egy helyettesítőképet a négypólus-elmélet paraméterei
alapján (H-paraméterek, ez elsősorban katalógus alapján történő tervezésnél kitűnő). A
helyettesítőképek és paraméterek között egy adott munkapontban megfeleltetés teremthető.
e e
rb’e Cb’e Sub’e
e e
∂I B ∂I B
dI B = dU BE + dU CE
∂U BE U = állandó ∂U CE U = állandó
1442 CE
44 3 1442BE44 3
1 νr
rBE rBE
∂I C ∂I C
dI C = dU BE + dU CE
∂U BE U = állandó ∂U CE U = állandó
1442 CE
44 3 1442BE44 3
S 1
rCE
1 νr
dI B rBE r dU BE
dI = BE ⋅
C S 1 dU CE
4424r4
CE
1 3
Y
∂U BE
h12 e =
∂U CE I B = állandó
υr ≅ h12 e
∂U BE
υr =
∂U CE I B = állandó
∂I C
h21e =
∂I B
U CE = állandó
β ≅ h21e
∂I C
β=
∂I B U = állandó
CE
∂I C
h22 e =
∂U CE U BE = állandó 1
rCE ≅
∂U CE h22 e
rCE =
∂I C U BE = állandó
Hibrid-paraméteres helyettesítőkép:
h11e
b c
ube iB h21e iB 1 u
ce
h22e
e e
h12e uCE
A visszahatás elhanyagolásával az alacsony frekvenciás H-paraméteres helyettesítőkép::
iB
b c
ube h21e iB 1 u
h11e h22e
ce
e e
h12e uCE
2.3.5.1. Darlington-kapcsolás
Áramköri jele:
Gyakran előfordul, hogy egy tranzisztor áramerősítési tényezője nem elégendő –pl.
teljesítményerősítők, tápegységek, stb.- így a tranzisztorokat egymás után kötve megnövelt
áramerősítést hozunk létre. A Darlington-kapcsolás, amelynek egy tokban megvalósított
áramköri reprezentációja a Darlington-tranzisztor, alkalmas ilyen elrendezés
megvalósítására. Darlington-kapcsolást tehát meg lehet valósítani diszkrét tranzisztorokkal
vagy egy tokban gyártott Darlington-tranzisztorral is. Nagyobb teljesítmények esetén nem
két, hanem három tranzisztorral építünk fel Darlington kapcsolást hasonló elven.
Darlington-kapcsolás:
C IC
IC1
IB1
T1 IC2
B IB2
T2
E IE
IB2M
IB1M
UBE1 UBE2
I
I B1M = B2M
B1 + 1
b) kapcsolóüzem
Paraméterek:
Beredő ≈ B1B2
βeredő ≈ β1β2
rBEeredő ≈ rBE1
1
rCEeredő ≈ rCE 2
2
A szaturációs feszültség ugyanakkora, mint az előbb, de a nyitáshoz szükséges feszültség
kisebb (UBE1).
2.3.5.2. Shottky-tranzisztor
Ut
RC iC
Cki
uki=uCE Rt
ube
uBE
ii) elegendően távol kell, hogy legyenek a nemlineáris tartományok határaitól ahhoz,
hogy a vezérlőjel hatására változó pillanatnyi munkapont (az ábrán kettős nyíllal
és vastagított vonallal jelöltük) által meghatározott áramok és feszültségek egyetlen
pillanatban se érjék el a nemlinearítás határát,
iii) a munkaponti áramoknak kellően kicsinek kell lenni ahhoz, hogy a kapcsolás
vesztesége a mindenkori feladathoz illeszkedően kicsi legyen.
iB Ut/RC IB4
IB1
A kapcsolás működése:
a) Nagyjelű működés: az UBEM kijelöli a munkapontot a bemeneti karakterisztikán és ezzel
meghatározza az IBM munkaponti bázis áramot is. A munka egyenes és a munkaponti bázis
áram kijelöli a munkapontot a kimeneti karakterisztikában és ezzel kijelöli a munkaponti
UCEM és ICM értékeket.
b) Kisjelű működés: vezéreljük egy szinuszos jellel a bemenetet az ábra szerint. Ekkor a
bemeneti karakterisztikán a bázis áram pillanatnyi értéke szinuszosan vándorol a
vastagított nyílnak megfelelően. A pillanatnyi bázisáram a munka egyenesen is egy
szinuszosan mozgó pillanatnyi munkapontot jelöl ki, amely a kollektor-emitter feszültséget
(ami egyben a kimeneti feszültség is) szintén szinuszosan fogja vezérelni.
IB1
IC IB5
IB
IBM(T2)
IB4
M(T2) IBM(T2)
IB3 Pdmax
IB0
ICE0 IB=0
UBEM UCE
UBE
A munkapontba állított tranzisztoros elvi kapcsolás egyenáramú (nagyjelű) viselkedése
számolással:
I BM = f (U BEM )
I CM = BI BM
U CEM = U t − I CM RC
Feszültségerősítés:
u BE = ube
uki = − Sube (rCE ∗ RC )
Au = − S (rCE ∗ RC )
Figyeljük meg, hogy a kapcsolás (közös emitteres) fázist forgat (180°) a bemeneti jelhez
képest. Ezt egy egyszerű gondolat sorral is leellenőrizhetjük: emeljük meg gondolatban a
bázisfeszültséget, akkor a bázisáram is megnő, amitől a kollektor áram is megnő, így a
kollektor feszültég csökken, azaz növekvő bemeneti feszültségre csökkenő kimenő
feszültséggel reagál.
Bemeneti ellenállás:
ibe = iB , ube = u BE
ube u BE
Rbe = = = rBE
ibe u BE
rBE
Kimeneti ellenállás:
ukiü − Sube (rCE ∗ RC )
Rki = = = rCE ∗ RC ,
ikiz − Sube
ahol ukiü az üresjárási kimeneti feszültség, ikiz a kimeneti zárlati áram.
(Ha méréssel állapítjuk meg a zárlati áramot, akkor természetesen sohasem érhetjük el a
zárlati állapotot, mert az eszköz tönkremegy. Ilyenkor csak a névleges terhelhetőségig
terheljük a kimenetet, de feltételezzük a lineáris viselkedést a további áramokra egészen a
zárlatig!)
Ut
R1 RC iC
Cs2
Cs1
uBE uki=uCE Rt
ube R2
UB
Nagyjelű működés:
A kisjelű viselkedés:
B C
E E
Feszültségerősítés:
u BE = ube
uki = − Sube (rCE ∗ RC ∗ Rt )
Au = − S (rCE ∗ RC ∗ Rt )
Az erősítés az alapkapcsoláshoz képest nem változik.
Bemeneti ellenállás:
ube ube
Rbe = = = rBE ∗ R1 ∗ R2
ibe u u u
be
+ be + be
rBE R1 R2
A bázisosztó miatt a bemeneti ellenállás lecsökken.
Kimeneti ellenállás:
ukiü − Sube (rCE ∗ RC )
Rki = = = rCE ∗ RC
ikiz − Sube
A kimeneti ellenállás az alapkapcsoláshoz képest nem változik.
IC
IB IB5
T1=25 C°
T2>T1 IB4
IBM2(T2) M(T2) IBM(T2)
IB3
M(T1) IBM(T1)
IBM1(T1)
IB2
IB1
ICE0 IB0
UCE
UBEM UBE Kivezérelhetőség (T2)
Kivezérelhetőség (T1)
R1 RC iC
Cs2
Cs1 IB
uBE uki=uCE Rt
ube
Nagyjelű működés:
A kisjelű viselkedés:
B C
E E
Feszültségerősítés:
u BE = ube
uki = − Sube (rCE ∗ RC ∗ Rt )
Au = − S (rCE ∗ RC ∗ Rt )
Az erősítés az alapkapcsoláshoz képest nem változik.
Bemeneti ellenállás:
ube ube
Rbe = = = rBE ∗ R1 ≈ rBE
ibe ube + ube
rBE R1
A bemeneti ellenállás gyakorlatilag az alapkapcsolás bemeneti ellenállásával egyezik meg,
mivel valós adatok esetén R1>>rBE .
Kimeneti ellenállás:
ukiü − Sube (rCE ∗ RC )
Rki = = = rCE ∗ RC
ikiz − Sube
A kimeneti ellenállást a munkapont-beállító kapcsolás nem befolyásolja.
Hőmérséklet hatása:
Ut
RC iC
R1 Cs2
Cs1
uBE uki=uCE Rt
ube
Nagyjelű működés:
A kisjelű viselkedés:
R1
i’
B C
E E
B C
i’
ube i’ uBE rBE SuBE rCE uCE RC uki Rt
R1’ R1’’
E E
Vegyük figyelembe, hogy az erősítés negatív (az uki fázisa 180°-ra van az ube fázisától) a
közös emitteres kapcsolásoknál.
ube − uki ube − Au ube 1 − Au 1 + Au
i' = = = ube = ube
R1 R1 R1 R1
ube R1
R1 ' = =
i ' 1 + Au
uki − ube Au Au
R1 ' ' = = = R1 ≅ R1
− i' 1 + Au 1 + Au
− ube
R1
Megjegyzés:
Feszültségerősítés:
Az erősítés kiszámításánál vegyük figyelembe, hogy a gyakorlatban R1>>rCE, RC.
u BE = ube
uki = − Sube (rCE ∗ RC ∗ Rt )
Au = − S (rCE ∗ RC ∗ Rt )
Az erősítés az alapkapcsoláshoz képest nem változik, így ennek a visszacsatolásnak nincs
hatása a feszültségerősítésre. (Későbbiekben látni fogjuk, hogy ez egy párhuzamos
feszültség típusú visszacsatolás, aminek valóban nincs hatása a feszültségerősítésre csak az
áramerősítésre!)
Bemeneti ellenállás:
ube ube R1
Rbe = = = rBE ∗
ibe ube + ube 1 + Au
rBE R1 '
Az R1 ugyan nagy, de nagy erősítés esetén a transzformált R1 kicsi lehet, így nem lehet
elhanyagolni. A bemeneti ellenállás csökken az előző esethez képest.
Kimeneti ellenállás:
ukiü − Sube (rCE ∗ RC )
Rki = = = rCE ∗ RC
ikiz − Sube
A kimeneti ellenállást ez a visszacsatolás lényegében nem befolyásolja, mivel R1
lényegesen nagyobb, mint rCE vagy RC.
Hőmérséklet hatása:
A tranzisztort kapcsolóüzemben úgy vezéreljük, hogy tartósan vagy csak a telítési, vagy
csak a lezárási tartományban tartózkodjon. Cél az aktív tartományon való minél gyorsabb
áthaladás. A tranzisztor menetdiagramja teljes lezárás és nyitás között attól is függ, hogy a
terhelés tisztán ohmos vagy van reaktív része is.
Ut A karakterisztikán feltüntettük a tranzisztor pillanatnyi
iC RC munkapontjának mozgását ohmos valamint kapacitiv
terhelés esetén. (Induktív terhelés esetén a munkagörbe
ugyanolyan, mint kapacitiv terhelés esetén csak az irányok
ellentétesek.) A keletkező veszteségi teljesítmény arányos a
ube uki=uCE
munkagörbék által bezárt területtel, amiből látszik, hogy a
kapcsolás vesztesége reaktáns terhelés esetén a legnagyobb.
A legegyszerűbb az ohmos terhelés, ezért a továbbiakban erre az esetre vizsgáljuk a
tranzisztor viselkedését.
IC
ICmax IB5
Mny
Ut/RC IB4
IB3 Pdmax
IB2
IB1
IB0 IB=0
ICE0
Mz UCE
UCEsat
Ut UCEmax
kapacitiv terhelés
Vizsgáljuk meg a fenti kapcsolásban, hogy ohmos terhelés esetén egy impulzusjellel
vezérelve a tranzisztort, hogyan alakul a kollektor áram időfüggvénye. A bemeneti
feszültséget a biztosabb kikapcsolás érdekében kis értékkel a negatív feszültség-
tartományba vezéreljük záráskor.
%
100 iC
90
ube
10
td.tr t
tst tf
ton
toff
A töltéstárolási idő oka a bekapcsoláskor nyitó állapotba kerülő C-B átmenet, ami nyitott
állapotban jelentős mennyiségű szabad töltést halmoz fel és amelyet a lezárás érdekében ki
kell sütni. A lezáráskor azonban csak kicsi áram folyik, így a kisütés hosszabb időt vesz
igénybe.
A be- és kikapcsolási idők meghatározzák a tranzisztorok legnagyobb kapcsolási
frekvenciáját. Kifejezetten kapcsolóüzemű alkalmazásokra gyártanak gyorskapcsoló
tranzisztorokat, ahol ezeket az időket a lehető legkisebb értéken tartják (pl. rekombinációs
centrumok létrehozásával). A digitáliselektronikában –az alacsony teljesítményigény és a
nagy sebesség miatt- elsősorban Shottky tranzisztorokkal biztosítják a gyors
átkapcsolásokat (illetve nem telítéses logika alkalmazásával).
A véges kapcsolási idők azt eredményezik, hogy a tranzisztor kollektor áram és kollektor
feszültség lefutása véges meredekségű lesz. A feszültség és áram szorzata a pillanat-
teljesítmény (pd) amely függ az alábbi ábra szerint a kapcsolási időktől. A tranzisztoron
hővé alakuló teljesítmény a pillanat-teljesítmény átlagértéke.
pd
uCE
Ut ICmax
iC Pd
ICEo
UCEsat
n p kiürítéses növekményes
csatornás csatornás
n p n p
csatornás csatornás csatornás csatornás
A GaAs alapra gyártott (elsősorban nagyfrekvenciás) FET-eket gyakran MESFET-nek
nevezik. A FET-ek (elsősorban is a MOSFET-ek) különösen jól integrálhatók, így a
modern analóg és digitális elektronika integrált áramköreinek jelentős részében
előfordulnak, alkalmanként keverve réteg-tranzisztorokkal. Az ilyen vegyes aktív
alkatrészkészletet tartalmazó áramkörök (pl. BiCMOS) kihasználják a mindkét
áramkörfajtában rejlő előnyöket.
Jelölése:
D
n csatornás
G S
D
p csatornás
G S
Az elektródák elnevezése:
D (drain) nyelő
S (source) forrás
G (gate) vezérlő/kapu
Tételezzünk fel egy rúd formában kialakított (a valóságban sohasem ilyen) homogén
módon szennyezett, n szennyezésű csatornát, amelyre merőlegesen kialakítanak egy p
szennyezésű réteget. Kapcsoljunk záró irányú feszültséget a pn rétegre (UGS<0). A záró
irányú feszültség miatt a határfelületen egy kiürített réteg alakul ki, amelyben a
töltéshordozók koncentrációja alacsony. A kiürített réteg vastagsága a csatorna vastagságát
(w) befolyásolja, így közvetve befolyásolja a csatorna ellenállását is. Amennyiben az n
réteg két végére konstans feszültséget kapcsolunk, akkor az áram is csökken a növekvő
ellenállás miatt, azaz a vezérlőelektródára kapcsolt feszültség vezérli a csatorna áramát. A
kiürített rétegbe nagyon kicsi áram folyik (záró irányba van kapcsolva), így a vezérlés
gyakorlatilag feszültséggel (elektromos térrel) történik.
kiürített
réteg n réteg
p réteg
(source) S D (drain)
w
G (gate)
UGS
UDS
A kiürített réteg nem szimmetrikus, mivel az UGS feszültség lényegesen kisebb, mint az
UDG (=UDS+UGS) feszültség. A drain felöl a csatornát elzárni nem lehet, mert a nagy
UDG feszültség miatt a szűkülő csatornában fellépő különösen nagy térerő megakadályozza
az elzáródást (a térerő legyőzésére minden határon túl növekvő feszültség kellene).
UGS=0 esetén a csatorna a legszélesebb, így ellenállása a legkisebb. Ekkor folyik a
legnagyobb áram (telítési vagy szaturációs áram, IDSS).
Egy adott Up=UGS (pintch off/elzáródási) feszültségnél a csatorna elzáródik. Azért tud a
csatorna a gate felöl elzáródni, mert a feszültség közvetlenül a pn rétegre hat, így kisebb
feszültség kell az elzáródáshoz és nem alakul ki akkora térerő, mint a másik oldal felöl, így
az nem akadályozza az elzáródást.
A kiürített réteg vastagsága függ a hőmérséklettől is (a hőmérséklet által generált töltések
miatt). A FET ennek következtében erősen hőmérsékletfüggő. Előnyös azonban, hogy
FET-nek van egy hőmérséklet-független munkapontja (bár ez erősen elméleti érték,
általában a katalógusok sem tartalmazzák). A FET-et ebben a munkapontban üzemeltetve
nem lesz érzékeny a hőmérsékletre.
Előnyös tulajdonsága a FET-nek, hogy alacsony a zaja, mivel nincs potenciálgát (réteg
átmenet) a mozgó töltéshordozók útjában, így nem keletkezik sörétzaj. A termikus és a
flicker zaj továbbra is fellép.
A FET-eknél a négy négypólus jellemző közül (bemeneti és kimeneti karakterisztika, és a
ki és bemenet felöl értelmezett transzfer karakterisztika) két jellemzőt értelmezünk, mivel
gyakorlatilag olyan nagy bemeneti ellenállással rendelkeznek, hogy azt nem kell
figyelembe venni (vagy csak extrém alkalmazásokban). Úgyszintén elhanyagoljuk a
n csatornás
UGS
Up
p csatornás
A karakterisztika jellemzője, hogy az IDSS és az UP értéke erősen szór azonos típusú FET
esetén is (gyakran 1:10 arányban), ami a precíz áramkör-tervezést megnehezíti.
A karakterisztika hőfokfüggése:
IDS
T1
T2
T3
IDZ
UGS
A karakterisztika meredeksége:
I DS 2 I DSS U GS
S= =− 1 −
U GS U DS = állandó
UP UP
2 I DSS
S max (U GS = 0) =
UP
IDS UGS1>UGS2>UGS3>UGS4>UGS5>UGS6
IDSmax Pdmax
UGS1=0
UGS2
I.
UGS3
II.
UGS4
UGS5
UGS6
UDS
Uk=UGS-Up UDSmax
A kimeneti karakterisztika két tartományra osztható:
I Elzáródás-mentes (néhány szakirodalomban ohmikus vagy trióda) tartomány
II Elzáródásos (néhány szakirodalomban telítési) tartomány
A tartományok határát az Uk könyök-görbe írja le.
Figyeljük meg, hogy -ellentétben a tranzisztorral- az elzáródás-mentes tartományban a
görbék nem azonos iránytangensűek, hanem minden görbe más és más iránytangenssel
rendelkezik. Ez teszi lehetővé, hogy a FET-et, mit vezérelt ellenállást használjuk (lásd
később részletesen.)
Az elzáródási tartományban a JFET lineáris erősítőként alkalmazható (aktív tartomány), a
jellemző paraméter a meredekség (S) és a csatorna ellenállás:
∂U DS
rDS =
∂I DS U GS = állandó
s s
A Cxx szórt kapacitások az adott rétegek között. A rendkívül nagy bemeneti ellenállást
elhanyagolhatjuk a helyettesítőképből.
A FET kisfrekvenciás helyettesítőképe:
g d
ugs Sugs rds uds
s s
Kisfrekvencián a gyártás miatt keletkező szórt kapacitások hatása elhanyagolható.
+ uki
ube UG RG RS CS
US
A CS kapacitás feladata az RS ellenállás kisjelű negatív visszacsatolásának
megakadályozása (“hidegítő” kondenzátor), mivel váltakozó jel esetén az impedanciája
közel nulla lesz és így kisjelű vagy váltakozó áramú szempontból kisöntöli az RS-t. A
bemeneten és a kimeneten levő két csatoló kondenzátor a kapcsolás egyenáramú
leválasztására szolgál a meghajtó és a terhelő áramkör felé.
RG
UG = Ut
RG + R1
U S = I DS RS
RG
U GS = U G − U S = U t − I DS RS
RG + R1
2
U
I DS = I DSS 1 − GS
UP
U DS = U t − I DS (RD + RS )
IDS UGS2
IDSS
-1/RS U t RG UGS3
M RS RG + R1 M UGSM
UGS4
UGS UGS5
Up RG
UGSM Ut UGS6
RG + R1
UDS
Ut
Az RS ellenállással (a karakterisztika meredekségén keresztül) és/vagy a feszültségosztóval
állítható a munkapont a megfelelő értékre. Bár a kapcsolásban nincs negatív feszültség,
mégis kialakul a megfelelő UGS feszültség, mivel a kapcsolás -kihasználva a FET speciális
transzfer karakterisztikáját- önszabályozó módon beáll egy stabil munkapontba.
B) Kisjelű viselkedés
g d
s s
Bemeneti ellenállás:
Rbe = R1 ∗ RG
Feszültségerősítés:
u gs = ube
uki = − Sube (rDS ∗ RD ∗ Rt )
Au = − S (rDS ∗ RD ∗ Rt )
Kimeneti ellenállás:
Rki = rDS ∗ RD
Az egyenletek hasonlósága ellenére –gyakorlati példák alapján- megállapítható, hogy a
JFET-es kapcsolás bemeneti ellenállása nagyobb, de erősítése kisebb, mint a megfelelő
tranzisztoros kapcsolásé.
A grafikus munkapont-beállító karakterisztikák alapján megállapítható, hogy a
munkapontot akkor is be lehet állítani, ha a kapcsolás nem tartalmaz R1 ellenállást, csak
egy RG gate-“hidegítő” ellenállást (az elektroncsöves megfelelő kapcsolás alapján szokták
UG = 0
U S = I DS RS
U GS = U G − U S = − I DS RS
2
U
I DS = I DSS 1 − GS
UP
U DS = U t − I DS (RD + RS )
B) Kisjelű viselkedés
g d
s s
Bemeneti ellenállás:
Rbe = RG
A bemeneti ellenállás igen nagy lehet. Gyakran az RG ellenállást aszerint választjuk meg,
hogy az ellenállás ne legyen nagyobb a szükséges értéknél, mert a nagyértékű ellenállás
jelentős zajt termel, így tulajdonképpen lerontjuk a bemeneti ellenállást a kívánt szintre.
Feszültségerősítés:
Au = − S (rDS ∗ RD ∗ Rt ) nem változott.
Kimeneti ellenállás:
Rki = rDS ∗ RD nem változott.
2.4.2. MOSFET
Áramköri jelölése:
D
substrate n csatornás
G S
D
substrate p csatornás
G S
Működése:
A MOSFET alapállapotban, feszültségmentes esetben nem tartalmaz csatornát. A hordozó
réteg (szubsztrát) gyengén szennyezett (majdnem intrinsic) p réteg, amelynek nagy
ellenállása van a kevés szabad töltéshordozó miatt. A D-S közé feszültséget adva nem
alakul ki áram a nagy ellenállás miatt. A csatorna a G-S közé kapcsolt pozitív UGS
feszültség hatására alakul ki úgy, hogy a gyengén szennyezett hordozó rétegben levő
negatív töltéseket a gate alatti szigetelő réteghez vonzza. Ugyanakkor a gate-hez
legközelebb levő -hőmérséklet hatására keletkező- lyuk-elektron párokból a lyukakat
taszítja. A szabad elektronok feldúsulása a gate alatt kialakítja a csatornát. A csatorna
kialakulásához minimálisan szükséges G-S feszültséget küszöbfeszültségnek nevezzük
(Uth). A D-S közé kapcsolt feszültség (UDS) hatására megindul a csatorna áram (IDS), amely
rohamosan nő a küszöb feszültség felett.
UDS
szigetelés
UGS SiO2
S G
D
n+ - n+
+
p-
szubsztrát
A növekményes MOSFET karakterisztikája
IDS
n csatornás
UGS
Uth
A karakterisztika matematikai leírására általában ugyanazt a közelítést alkalmazzuk, mint a
JFET-nél, de léteznek ettől eltérő összefüggések is. Egy szokásos matematikai közelítés, ha
UGS>Uth:
(
I DS = K U GS − U th )2
Áramköri jelölése:
D
substrate n csatornás
G S
D
substrate p csatornás
G S
Működése:
A kiürítéses MOSFET alapesetben, feszültségmentes állapotban kialakított csatornát
tartalmaz. A D-S közé adott feszültség hatására a csatornán a telítési áram folyik. A
hordozó réteg (szubsztrát) gyengén szennyezett (majdnem intrinsic) p réteg, amelynek
nagy ellenállása van a kevés szabad töltéshordozó miatt. A csatorna a G-S közé kapcsolt
negatív feszültség (UGS) hatására elszegényedik szabad töltéshordozókban, mivel a
UDS
szigetelés
UGS SiO2
S G
D
n+ n+
p
szubsztrát
A kiürítéses MOSFET karakterisztikája
IDS
n csatornás
UGS
Uth
A karakterisztika matematikai leírására általában ugyanazt a közelítést alkalmazzuk, mint a
JFET-nél. Megfigyelhető, hogy ellentétben a JFET-tel a karakterisztika folytatódik a
pozitív UGS tartományban is egy határértékig. A pozitív UGS hatására a csatorna növekszik
a növekményes MOSFET-hez hasonló módon. (A JFET esetén pozitív UGS a pn átmenet
kinyitását eredményezte volna, ami az egész JFET nagyimpedanciás jellegét
megváltoztatta volna, ezért ott tilos pozitív UGS feszültséget kapcsolni a vezérlő
elektródára.)
A kimeneti karakterisztika jellegre megegyezik a JFET kimeneti karakterisztikájával.
A kiürítéses MOSFET helyettesítőképe megegyezik a JFET helyettesítőképével.
+Ut
R1 RD
+ uki
ube UG R2 RS CS
US
U DS = U t − I DS (RD + RS )
IDS UGS2
-1/RS
U t R2 R2 UGS3
Ut
M R2 + R1
RS R2 + R1 M UGSM
UGS4
UGS UGS5
Uth UGSM
UGS6
UDS
Ut
g d
s s
Bemeneti ellenállás:
Rbe = R1 ∗ R2
Feszültségerősítés:
u gs = ube
uki = − Sube (rDS ∗ RD ∗ Rt )
Au = − S (rDS ∗ RD ∗ Rt )
Kimeneti ellenállás:
Rki = rDS ∗ RD
+Ut
R1 RD
+ uki
ube UG US RS CS
U DS = U t − I DS (RD + RS )
g d
s s
Bemeneti ellenállás:
Rbe = R1
2.4.3. FET kapcsoló üzeme
UP
rDS min (U GS = 0 ) =
I DSS
Ábrázolva a csatorna ellenállás-vezérlő feszültség függvényt (rDS=f(UGS)):
rDS
rDSmin
UGS
UGS=UP
A kapott karakterisztika monoton, így a vezérlőfeszültség és az ellenállás közötti kapcsolat
egyértelmű, bár nemlineáris, de visszacsatolással linearizálható. A linerizálás a csatorna
ellenállás vezérelhetőségének tartományát is beszűkíti.
Linearizálás negatív visszacsatolással:
UGS rDS4
rDS3
rDS2
rDS1
UDS
Ut IDS
Munka-‘egyenes’
Munkapont
Uki
Ube
UDS
Jelölések:
νj a réteg hőmérséklete (a határérték katalógus adat)
νc a tok hőmérséklete
νa a környezet hőmérséklete
Rthjc a réteg és a tok közötti hőellenállás
Rthca a tok és a környezet közötti hőellenállás
Rth_hűtő a hűtőfelület (beleértve a mesterséges hűtést is) hőellenállása
Rth_szigetelés a félvezető és a hűtőfelület közötti szigetelés hőellenállása
l [m]
Az ábrán látható, hogy a hosszméret növelésével a hőellenállás nem arányosan változik,
ami a hővezetés fizikájával magyarázható.
Hőtechnikai jellemzők:
Rthjc=1.56 K/W, Rthja=42 K/W.
b) Határozzuk meg, hogy egy Rth hűtő= 0.76 K/W hőellenállású, gyárilag méretre vágott, de
felhasználható által kifúrható hűtőborda esetén (természetes hűtést alkalmazva, szigetelés
nélkül) mekkora teljesítményig lehet igénybe venni a tranzisztort!
Minden passzív és aktív alkatrész 0 K felett zajt termel. A zaj mértéke függ a
hőmérséklettől és az alkatrészre jutó jel-sávszélességtől. Pl. az ellenállás zaja (ahogy azt az
Elektronika I. jegyzetben levezettük):
2
u zT = 4kTBR
4kTB
2
i zT =
R
A termikus zaj teljesítménysűrűség spektruma (G(f)) a teljes frekvencia tartományban
egyenletes eloszlású (fehér zaj jellegű).
A félvezetők esetén egyéb jellemző zajok is vannak, amelyeket együtt kezelünk.
b) Sörétzaj (izs)
A zaj oka nem teljesen tisztázott, de általában a nem teljesen tiszta félvezető anyagot és a
rácstorzulásokat tekintik annak. Ennek megfelelően mértéke technológiai módszerekkel
befolyásolható.
A villódzási zaj jellegzetessége, hogy a teljesítménysűrűség spektruma a frekvenciával
arányosan csökken (rózsaszín zaj), ezért szokás 1/f zajnak is hívni. A zajáram függ az
átfolyó áramtól és a sávszélességtől is (K egy empirikus konstans).
KIB
i zf =
f
A zajok együttesen befolyásolják egy félvezető működését, ezért csak egy jellemző érték
van jellemzésükre megadva.
Az F zajszám értelmezése:
Az alkatrészt zajmentesnek tételezzük fel (T=0 K esetén a zaj nulla) és a zajt a bemenetre
redukáljuk, méghozzá az alkatrészt meghajtó áramkör Thevenin helyettesítő-képének
megfelelő belső ellenállásába. A belső ellenállás által termelt zajt megnöveljük a
zajszámmal oly mértékig, hogy a zajmentesnek feltételezett alkatrész kimenetén a zaj
ugyan akkora legyen, mint az a zajos alkatrész kimenetén volt.
u z = 4kTBRg F
T>0 K T=0 K
Rg
uz
A teljes áramkörre, amelynek zaját az egyes alkatrészek zaja határozza meg, nem a
zajszámot, hanem a jel/zaj (S/N) viszonyt használjuk, amelyet dB-ben adunk meg:
Uz T=0 K
Zajmentes
Rg áramkör
Ug
Rbe
(T=0 K)
A jel/zaj viszony:
S Ug
= 20 lg
N Uz
Az Ug és Uz a jel és a zaj effektívértéke. A zaj a bemenetre van redukálva, ezért ugyanazt
az eredményt kapjuk, ha a kimeneten vesszük a két jel hányadosát, mert az erősítő
mindkettőt egyformán erősíti.
Alkalmanként definiálják a kapcsolás zajtényezőjét, amit hasonlóan a zajszámhoz F-vel
jelölünk:
Pkiz
F=
AP Pbez
A Pkiz a kimeneti zajteljesítmény, Pbez a bemeneti zajteljesítmény, AP a kapcsolás
teljesítmény erősítési tényezője.
2.6. Erősítők
Az erősítők az erősítő típusú diszkrét félvezetők és integrált elektronikus áramkörök
leggyakoribb lineáris alkalmazásai. Erősítők nemcsak villamos jellemzők erősítésére, de
egyéb -a mindennapi gyakorlatban fontos- fizikai mennyiségekre is léteznek (pl.
hidraulikus, pneumatikus erősítők, mágneses erősítők, stb.). A fejezet további részében
azonban csak olyan erősítőkkel foglalkozunk, amelyeket az alap villamos jellemzők
(feszültség, áram és teljesítmény) nagylinearítású erősítésére alkalmaznak. Ezek közül is -
gyakorlati fontosságuk miatt- kiemelt jelentőséget a feszültség és a teljesítményerősítők
kapnak. Az áramerősítők, esetleg az áram bemenetű feszültségerősítők (meredekség
erősítők) kisebb gyakorlati jelentőséggel bírnak. A kapcsolásoknál nem tárgyaljuk az
integrált áramkörökön (műveleti erősítők) alapuló kapcsolásokat, mivel ezekkel egy külön
fejezet foglalkozik (Elektronika III.). Az erősítők tárgyalása során nem foglalkozunk a
nagyfrekvenciás kapcsolásokkal, csak a hangfrekvenciás és középfrekvenciás erősítőkkel.
A nagyfrekvenciás erősítők speciális jellegük miatt egyéb tárgyak anyagát képezik.
ube uki
Az Ukiü az üresjárási kimeneti feszültség, az Ikiz a kimeneti zárlati áram. (A negatív előjel a
felvett pozitív vonatkoztatási irányok miatt van.)
A szimmetrikus bemenet jellemzője, hogy a bemeneti pontok egyike sem kitüntetett pont,
pl. földpont. A két földfüggetlen bemeneti pont közötti feszültséget szimmetrikus bemeneti
(kimenet esetén kimeneti) feszültségnek nevezzük, míg a földponthoz mért feszültségeket
aszimmetrikus (vagy azonos fázisú) feszültségnek nevezzük. Az aszimmetrikus
feszültségek alapján határozhatjuk meg a közösmódusú feszültséget. A fentiek alapján így
minden mennyiség esetében definiálható a szimmetrikus és a közösmódusú erősításen túl a
ki- és bemeneti ellenállás is.
A szimmetrikus bemenetű erősítők aszimmetrikus vagy szimmetrikus kimenetűek
lehetnek. A gyakorlatban az aszimmetrikus kimenetűek lényegesen gyakoribbak, de
speciális alkalmazásokban a szimmetrikus kimenetűek is előfordulhatnak.
ibe1 iki
ubes
ibe2 uki
ube1
ube2
U bes = U be1 − U be 2
U be1 + U be 2
U bek =
2
Definiálhatjuk a szimmetrikus bemeneti áramot (Ībes) és a közösmódusú bemeneti áramat
(Ībek) is:
I be1 − I be 2
I bes =
2
I bek = I be1 + I be 2
Így a két bemeneti áram a szimmetrikus paraméterekkel kifejezve:
I bek
I be1 = I bes +
2
I
I be 2 = I bes − bek
2
Szimmetrikus (Zbes) és a közösmódusú (Zbek) bemeneti impedanciák:
U bek
Z bek =
I bek
U bes
Z bes =
I bes
A feszültségerősítés is lehet szimmetrikus (Aus) vagy közösmódusú (Auk).
uki
Aus =
ubes u bek = 0
uki
Auk =
ubek u bes = 0
A szimmetrikus bemenetű erősítőket úgy tervezik, hogy azok csak a szimmetrikus jelet
erősítsék, így a közösmódusú erősítés hibának tekinthető. Ez alapján definiálható a
közösmódusú elnyomási tényező (KME vagy gyakrabban az angol rövidítéssel CMRR):
Aus
CMRR = 20 lg [dB]
Auk
A kimenet az aszimmetrikus erősítőhöz képest nem változott, így a kimeneti impedancia:
U kiü
Z ki = a korábban definiáltak szerint.
I kiz
ibe1 iki1
ubes iki2
ukis
ube1 uki1
ube2 uki2
ukis
Ausk =
ubek u bes = 0
ukik
Auks =
ubes u bek = 0
ukik
Aukk =
ubek u bes = 0
ube-uv
ube + A0 uki
-
uv
A visszacsatolandó jel lehet feszültség vagy áram, amelyet a bemenethez sorosan vagy
párhuzamosan csatolhatunk. Ennek megfelelően négy alaptípusa van a negatív
visszacsatolásnak:
a) Soros-feszültség
b) Soros-áram
c) Párhuzamos-feszültség
d) Párhuzamos-áram
ubeo
A0 uki
ube
uv K
b) Soros-áram visszacsatolás
ibe Iki
ubeo
A0 uki
ube
uv K Rsc
A kimeneti ellenállás kis mértékben nő (az Rsc a gyakorlatban kicsi érték a többi
impedanciához képest), gyakran a változást elhanyagolhatjuk!
c) Párhuzamos-feszültség visszacsatolás
ibe ibe0
uv K
ube ube
Rbev = = = Rv
ibe ibe 0 + iv
ube Rv
= = Rbe 0 ∗ uv K
ube 0 1 + A0 1 + A0
+ ube
Rbe 0 Rv
Az áramerősítés értéke a visszacsatolás miatt csökkenni fog! Konkrét értékét csak konkrét
kapcsolás esetén lehet pontosan megállapítani.
d) Párhuzamos-feszültség visszacsatolás
ibe ibe0
uv K
Példa: Ut
Vizsgáljuk meg a fenti összefüggések ismeretében a RC iC
korábban tárgyalt “munkapontbeállítás bázisárammal R1
egyenáramú visszacsatolással” alapkapcsolást.
uki
ube uBE
Zárthurkú feszültségerősítés:
Au 0 = Auv
Zárthurkú bemeneti ellenállás:
Rv R1
Rbev = Rbe 0 ∗ = rBE ∗
1 + Au 1 + Au
A zárthurkú kimeneti ellenállás:
Rki 0
Rkiv =
1 + A0 K
Rki 0 = rCE ∗ RC
1 1
K= − =0
Auv Au 0
rCE ∗ RC
Rkiv = = rCE ∗ RC
1 + S (rCE ∗ RC )K
Összehasonlítva az így kapott eredményeket a korábban a kisjelű helyettesítő-kép alapján
meghatározott összefüggésekkel megállapítható, hogy a különböző módszerekkel nyert
eredmények azonosak lesznek.
A közös emitteres kapcsolások korábban tárgyalt elvi kapcsolásai azért nem megfelelőek
gyakorlati célokra, mert a kapcsolások stabilitása alacsony, a hőmérséklet a kapcsolások
működését erősen befolyásolja.
A kapcsolások munkapontbeállító áramköre bármelyik lehet a korábban tárgyalt három
alap megoldás közül, de a továbbiakban csak a feszültségosztós megoldással fogjuk a
kapcsolások működését tárgyalni.
A kapcsolásoknál negatív visszacsatolásokat alkalmaznak a stabilitás növelésére. A közös
emitteres kapcsolásnál a negatív visszacsatolást az emitter-körbe helyezett ellenállással
valósítják meg. Annak érdekében, hogy az egyenáramú és a váltakozó áramú
visszacsatolás eltérő legyen a munkapontbeállító ellenállások egy része (vagy akár az
egész) kondenzátorral áthidalásra kerül. Az alábbi kapcsolásnál a nem “hidegített”
ellenállás (RE2) kisjelű/váltakozó áramú szempontból visszacsatolás, azonban egyenáramú
szempontból mindkét ellenállás visszacsatolás, mivel a kondenzátor egyenáramon
szakadásnak tekinthető.
Ut
R1 RC iC
Cs2
Cs1
uBE uki=uCE Rt
ube R2
RE2
UB
RE +
CE
R1 RC iC IB Iki
Cs2
uBE
Cs1 A0
uBE uki=uCE Rt
ube R2 iE uki
ube
UB iE
uE RE2
RE2 Rsc
uE RE1
RE1 +
A visszacsatoló ellenállás kialakítására a fenti kapcsoláson (a) kívül egyéb lehetőségek (pl.
b és c) is rendelkezésre állnak:
UB RE2 UB RE UB
RE + CE
RE1 + CE
a) b) c)
A b) esetben az RE mind egyenáramú, mind váltakozó áramú szempontból visszacsatolás.
A c) esetben az RE csak egyenáramú szempontból visszacsatolás, váltakozó áramú
szempontból nincs visszacsatolás. Az alábbi egyenleteket ennek megfelelően
értelemszerűen lehet alkalmazni.
Jelöljük REDC–vel az egyenáramú szempontból visszacsatoló ellenállást és REAC–vel a
váltakozó áramú szempontból is visszacsatoló ellenállás!
Nagyjelű működés:
R2
U BM = U t
R1 + R2
Ut
I0 =
R1 + R2
U EM = U BM − U BEM
U EM
I EM = ≈ I CM
REDC
I CM
I BM = >> I 0
B
U CEM ≅ U t − I CM (RC + REDC )
A munkapont stabilizálás hatásvázlata:
Kisjelű viselkedés:
B C
iB
uBE rBE SuBE rCE uCE
ube R1 R2 RC uki Rt
E E
uE REAC
Feszültségerősítés:
β >> 1 ⇒ u E ≅ Su BE REAC = βiB REAC
ube = u BE + u E = u BE + Su BE REAC = u BE (1 + SREAC )
uki = − Su BE ( RC ∗ Rt )
uki − Su BE ( RC ∗ Rt ) S ( RC ∗ Rt )
Auv = = =−
ube u BE (1 + SREAC ) 1 + SREAC
A kimeneti feszültségben az rCE ellenállással nem számoltunk, mert a gyakorlatban
megvalósított ellenállásokat feltételezve a hatása elhanyagolható.
Ha SREAC>>1, akkor az erősítés értékét a (nagyon stabil) ellenállások szabják meg:
RC ∗ Rt
Auv ≅ −
REAC
Bemeneti ellenállás:
A bemeneti ellenállást három lépésben számítjuk ki:
I Meghatározzuk a tranzisztor bemeneti ellenállását (rBE)
II Meghatározzuk a negatívan visszacsatolt tranzisztor bemeneti ellenállását. (RbeII)
III Meghatározzuk a kapcsolás bemeneti ellenállását (Rbe)
uBE
iB
RbeI SuBE rCE
ube rBE
R1 R2
Rbe=RbeIII
RbeII uE RE2
RbeI = rBE
ube u BE (1 + SREAC ) iB rBE (1 + SREAC )
RbeII = = = = rBE (1 + SREAC )
ibe iB iB
RbeIII = Rbe = R1 ∗ R2 ∗ rBE (1 + SREAC )
Az RbeII a negatívan visszacsatolt alaperősítő bemeneti ellenállása, ami az elméleti értékkel
jól egyezik. A teljes kapcsolás tényleges bemeneti ellenállása (RbeIII) azonban a bázisosztó
miatt kisebb.
Kimeneti ellenállás:
ukiü − Su BE RC
Rki = ≅ ≅ RC
ikiz − Su BE
A kimeneti ellenállás az alapkapcsoláshoz képest csekély mértékben nőtt.
Ut
R1 RC
Cs1
Nagyjelű működés:
R2 Ut
U BM = U t I0 =
R1 + R2 R1 + R2
U EM = U BM − U BEM
U EM
I EM = I CM ≈ I EM
RE
I CM
I BM = >> I 0
B
U CEM ≅ U t − I CM RE
Munkapont-stabilizálás hatásvázlata:
Tételezzük fel, hogy nő a hőmérséklet, akkor T↑⇒UBE↓⇒UE↑⇒IE↑⇒IC↑⇒IB↑⇒UBE↑
A hőmérsékletváltozás hatására a munkapont megváltozik, azonban a kapcsolás ennek egy
részét kikompenzálja az RE ellenálláson létrejövő negatív visszacsatolással!
Kisjelű viselkedés:
B C
iB
uBE rBE SuBE rCE uCE
ube R1 R2 E
E
uE RE uki
Terhelő ellenállást –az eddigiektől eltérően- azért nem veszünk fel, mert gyakori, hogy az
RE ellenállás maga a terhelés is!
Feszültségerősítés:
β >> 1 ⇒ uki = u E ≅ Su BE RE = β iB RE
ube = u BE + u E = u BE + Su BE RE = u BE (1 + SRE )
uki Su BE RE SRE
Auv = = = <1
ube u BE (1 + SRE ) 1 + SRE
Ha SRE>>1, akkor az erősítés egységnyi.
Bemeneti ellenállás:
Kimeneti ellenállás:
Az áramerősítés:
iki ie
Ai = = ≅β
ibe ib
A kapcsolás teljesítményerősítése:
Ap = Au Ai ≅ β
A közös kollektoros kapcsolás (FC) bemeneti ellenállása nagy, a kimeneti ellenállása kicsi,
az erősítése ~1. Ha egy áramkör kimeneti impedanciája (Rki1) nem sokkal kisebb, mint a
rácsatlakozó másik áramkör bemeneti impedanciája (Rbe2), akkor a második áramkör
terheli az első áramkör kimenetét. Ez feszültségerősítőknél megengedhetetlen (lásd statikus
és dinamikus munkaegyenes). Ezt elkerülendő alkalmazunk impedancia illesztő
áramköröket.
Egy közös kollektoros kapcsolást iktatunk az elválasztandó áramkörök közé.
1. 2. 1. FC 2.
R1 RC iC
Cs2
CB
uki=uCE Rt
ube R2 Cs1 RE
Nagyjelű működés:
A nagyjelű munkaponti adatok számítása megegyezik a közös emitteres kapcsolásnál
alkalmazott módszerrel.
R2
U BM = U t
R1 + R2
Ut
I0 =
R1 + R2
U EM = U BM − U BEM
U EM
I EM =
RE
I CM
I BM = >> I 0
B
U CEM ≅ U t − I CM (RC + RE )
Kisjelű viselkedés:
B C
iB
uBE rBE SuBE rCE uCE
E RC uki Rt
E
ube uE RE
Feszültségerősítés:
ube
iB = −
rBE
ube
uki = − β iB ( RC ∗ Rt ) = β ( RC ∗ Rt )
rBE
uki β
Auv = = ( RC ∗ Rt ) = S ( RC ∗ Rt )
ube rBE
A kimeneti feszültségben az rCE ellenállással nem számoltunk, mert gyakorlatban
megvalósított ellenállásokat feltételezve a hatása elhanyagolható.
Az erősítés abszolút értékben megegyezik a visszacsatolatlan közös emitteres kapcsolás
erősítésével.
Bemeneti ellenállás:
ube
Rbe =
ibe
ube ube
ibe = + + Sube ≅ Sube
rBE RE
ube 1
Rbe ≅ ≅
Sube S
A bemeneti ellenállás nagyon kicsi (~10Ω), amely a feszültségerősítők szempontjából
hátrányos.
Kimeneti ellenállás
A kimeneti kör nem változott a közös emitteres kapcsoláshoz képest, így a kimeneti
ellenállás értéke:
Rki ≅ RC
A közös bázisú kapcsolás legnagyobb előnye, hogy a CBE és CBC kapacitások nem
visszacsatoló kapacitások, így a felső határfrekvencia értéke nem erősítésfüggő, azonos
körülmények között a legnagyobb a három alapkapcsolás körül. Elsődleges felhasználási
területe a szélessávú és nagyfrekvenciás erősítők.
A gyakorlati esetek jelentős részében egy erősítő fokozat nem elegendő a kívánt erősítés
eléréséhez. A stabilitás, a zavarérzékenység csökkentése és a szükséges határfrekvencia
érdekében egy erősítő fokozattal reálisan csak 10..50-szeres erősítés érhető el (közelebb az
alsó határhoz). A többfokozatú erősítők kialakításának célja lehet a nagyobb erősítés (ált.
feszültségerősítés elérése, pl. egyenáramú erősítők, jelkondicionálók), de lehet egy
nagyobb teljesítményű erősítő fokozat meghajtása is (előerősítő és főerősítő).
A közvetlen csatolt erősítő fokozatok követhetik egymást sorosan (kaszkád erősítők), vagy
párhuzamosan (kaszkód erősítők). A kaszkód erősítők gyakran a különböző áramkörfajták
előnyös tulajdonságait használják fel, pl. KE+KK kapcsolás. A közvetlenül csatolt erősítők
egyenáramú munkaponti jellemzői összefüggnek, ami hőstabilitás szempontjából nagyobb
igényeket támaszt az áramkörökkel szemben. Az egyik fokozat állítja be a másik fokozat
munkapontját és vissza, ami azt eredményezi, hogy az előző fokozat munkapontjának
megváltozása kihat a másik fokozat munkapontjának stabilitására is. A fenti okok miatt
gyakran alkalmaznak közös visszacsatolást, ami mindegyik fokozatra egyszerre hat, bár
lehetséges az egyes fokozatok egyedi visszacsatolása is.
Ut
RC1 RC2
Cs2
Cs1
T1 T2
uki=uCE Rt
ube
Rv
RE CE
Nagyjelű üzem:
(az első tranzisztor körében levő elemek és paraméterek 1 indexet, míg a második esetén 2
indexet kapnak)
I C1= B1I B1
U CE1 = U t − I C1R C1
U E 2 = U CE1 − U BE 2
UE2
IC 2 ≅ I E 2 =
RE
U CE 2 = U t − I C 2R C 2
U E 2 − U BE1
I B1 =
Rv
U BE1 = f (I B1 )
Kisjelű viselkedés
(A kapcsolás váltakozó áramú szempontból visszacsatolást nem tartalmaz.)
RC1
Erősítés:
uki = − S 2 (rCE 2 ∗ RC 2 ∗ Rt )(− S1 (rCE1 ∗ RC1 ∗ rBE 2 )ube )
Au = S1S 2 (rCE 2 ∗ RC 2 ∗ Rt )(rCE1 ∗ RC1 ∗ rBE 2 )
Bemeneti ellenállás:
Rbe = Rv ∗ rBE1
Kimeneti ellenállás:
Rki = RC 2 ∗ rCE 2
A fenti kapcsolás a CS1 és CS2 csatolókondenzátorok elhagyása esetén egyenfeszültségtől
képes erősíteni, bár ekkor a nagyjelű viselkedést a külső elemek (meghajtógenerátor,
terhelés) is befolyásolja.
R1 RC1 R3 RC2
Cs3
Cs1 Cs2
uki Rt
ube R2 R4
RE1 +
CE1 RE2 +
CE2
AI AII
Az eredő erősítés:
A = AI AII
A nagyjelű viselkedés illetve a fokozatok kisjelű viselkedésének meghatározása a közös
emitteres kapcsolásnál tárgyaltak szerint történik.
RC RC
ukis
UE uki2
ubes uBE2 uki1
ube1 uBE1
iE1 iE2
ube2 I0
-Ut
A lehetséges fizikai megvalósítások:
• Párba válogatott (paraméter egyezőség alapján) közös hűtőfelületre szerelt
tranzisztor-pár
• Integrált differenciálerősítő tranzisztor-pár, esetleg beintegrált (mikrochip)
hőmérséklet stabilizálással
• Műveleti erősítők bemeneti fokozata, amely döntően differenciálerősítővel épül fel
I 0 = iE1 + iE 2 = I E 0e UT
+ I E 0e UT
= I E 0e UT
+ I E 0e UT
=
u BE 1 u
− bes u
− bes
= I E 0e
UT
1 + e UT = i 1 + e U T
124 3 E1
iE1
Az IE0 a maradékáram.
I0 I 0 u
iE 1 = = 1 + th bes ≅ iC1
u
2
− bes
2U T
1+ e UT
I u
iE 2 = 0 1 − th bes ≅ iC 2
2 2U T
A differenciálerősítő meredeksége:
∂iC I u
S= = 0 1 − th 2 bes
∂ubes 4U T 2U T
I0
S max u =0
=
bes
4U T
A meredekség nem állandó, ami nemlinearítást okoz. A maximális meredekséget az ubes=0
esetén kapjuk.
ubes
a)
b) ubes
Bemeneti ellenállások:
+Ut
RD RD
ukis
uki2
uki1
ube1 IS1 IS2 ube2
I0
-Ut
∑U
i=2
i
2
THD =
U1
A csoportfutási időt a szűrőknél definiáljuk.
AvUbe
A bemeneti és a kimeneti körre felírható:
Rbe sRbeCbe
U be ( s ) = U g ( s ) = U g ( s)
Rbe + Rg +
1 sCbe (Rbe + Rg ) + 1
sCbe
Rt sRt Cki
U t ( s ) = U ki ( s ) = U ki ( s )
Rt + Rki +
1 sCki (Rki + Rt ) + 1
sCki
1 1
ωbe = , ωki =
Cbe (Rbe + Rg ) Cki (Rki + Rt )
A csatoló kondenzátorok, együttesen a meghajtó generátor és a terhelés ellenállásával, az
erősítő eredő erősítését a fenti egyenlet szerint változtatják meg.
A(ω)
20lgAv
-3dB
20lgA
A hatást a korábban tárgyalt közös emitteres kapcsolás c) változata (az emitter ellenállás
egyenáramú szempontból visszacsatolás, váltakozó áramú szempontból a kondenzátor
miatt rövidre van zárva) alapján vizsgáljuk. Ha nem hanyagoljuk el a kondenzátor hatását,
akkor az erősítés:
Au 0 = − S (RC ∗ Rt )
S (RC ∗ Rt ) 1
A( s ) = − = − S (RC ∗ Rt )
1 SRE
1 + S RE ∗ 1+
sC E 1 + sC E RE
1+ s
1 + sC E RE S (RC ∗ Rt ) 1 + sC E RE ωE
A( s ) = − S (RC ∗ Rt ) =− = − Auv
1 + sC E RE + SRE 1 + SRE 1 + s CE RE 1+ s *
1424 3
1 + SRE ωE
Auv
1 1 + SRE
ωE = ωE* = = ω E (1 + SRE )
CE RE CE RE
Ábrázolva az erősítés változását a frekvencia függvényében:
Auv(ω)
20lg|Auv|
ωE ωE*
lgω
Kisjelű viselkedés:
B C
CCB
ube
R1 R2 uBE rBE rCE uCE RC uki
E
CBE SuBE
A visszacsatoló kondenzátort (CCB) letranszformálhatjuk a ki- és a bemenetre a korábban
meghatározott transzformációs összefüggések alapján (lásd Miller-hatás). A kimeneten a
1 1 1
ωf = ≅ ≅ , Rbe >> Rg
Ce (Rbe ∗ Rg ) Ce Rg CCB (1 + Auv )Rg
Feszültségerősítés esetén a bemeneti ellenállásnak jóval nagyobbnak kell lennie, mint a
meghajtó generátor ellenállása, hogy az erősítő ne terheljen be, ezért az Rbe hatása
elhanyagolható.
Au(ω)|
20lgAu0
-20dB/D
ωf
lgω
2.6.6. Teljesítményerősítők
IB4
IIB3
B
M(A)
IB2
IB1
M(AB)
ICE0
UCE
M(B)
Ûki(A)
Ûki(B)
Ûki(AB)
npn
±Ut pnp
Ûki
-IC
A kapcsolás tulajdonképpen egy npn és egy pnp tranzisztorpárra épülő közös kollektoros
kapcsolás, ahol a terhelés egyben a munkapont-beállító ellenállás is. A két fél-kapcsolás
sorosan egymás után működik, így a kapcsolás alapvető
+Ut tulajdonságai megegyeznek a közös kollektoros
kapcsolásnál tárgyaltakkal. A két végtranzisztort
ugyanazzal a jellel vezéreljük, így ami nyitó az egyikre
az záró irányú a másikra nézve. Nagyobb áramok esetén
ube Darlington kapcsolást, esetleg több tranzisztorral
uki kialakított Darlington kapcsolást alkalmazunk.
Azonos típusú végtranzisztorokkal is felépíthető a
-Ut kapcsolás, azonban ekkor a pnp tranzisztort kompozit-
Darlington kapcsolással kell felépíteni.
+Ut
Léteznek kvázi-komplementer kapcsolások is, amikor a
két végtranzisztor npn típusú, ekkor azonban a
ube1 végfokozat meghajtásában kell gondoskodni az
ellenütemű üzemállapot biztosításáról, azaz a két
uki tranzisztort kell két különböző (ellenfázisú) jellel
vezérelni.
ube2
-Ut
2 Ut
t 2
1 π U t2
PdT 1 max = π − =
Rt π 4 Rtπ 2
A tranzisztorok hűtését a fenti teljesítményre kell méretezni!
ube
Végtranzisztorok hőmegfutása:
ube
U0
Tranzisztor bemeneti
karakterisztika
AB osztály
Megfelelő U0 alkalmazásával az ideális és a tényleges közel azonos értékre hozható, ami a
torzítás jelentős csökkenését eredményezi.
R1 R2 R
U BE = U 0 ⇒ U 0 = U BE 1 + 1
U0 R1 + R2 R2
R2
+Ut +Ut
I I
U0 U0
uki uki
Ajánlott irodalom
[1] Tietze, U-Schenk, Ch.: Analóg és digitális áramkörök, Műszaki Könyvkiadó, 1990.
[2] Millman,J-Grabel,A: Microelectronics, McGraw-Hill Int. Publ., 1987.
[3] Kittel, Ch.: Bevezetés a szilárdtest fizikába, Műszaki Könyvkiadó, 1981.
[4] Mayer,T-Vágó,I: Szilárdtestfizika, LSI Oktatóközpont, 1995.
[5] Seymour,J: Electronic devices and components, Pitman Publ., 1981.
[6] Uray-Szabó: Elektrotechnika, Tankönyvkiadó, 1992.
[7] Savant-Roden-Carpenter: Electronic Design, The Benjamin-Cummings Publ. 1991.
Tartalomjegyzék
2.0. Diszkrét félvezetők és alkalmazásaik ........................................................................ 2
2.1. Félvezető-elmélet alapjai....................................................................................... 2
2.1.1. A pn átmenet.................................................................................................. 8
2.1.1.1. A pn réteg gerjesztése külső feszültséggel .......................................... 10
2.1.1.2. Letörési jelenségek a pn rétegben........................................................ 11
2.1.2. Fém-félvezető átmenet ................................................................................ 12
2.1.3. Termikus hatások félvezetőkben ................................................................. 13
2.2. Kétrétegű félvezetők............................................................................................ 15
2.2.1. Dióda ........................................................................................................... 15
2.2.1.1. Dióda karakterisztika, paraméterek ..................................................... 15
2.2.1.2. Diódák alkalmazása............................................................................. 17
2.2.2. Zener-dióda.................................................................................................. 17
2.2.2.1. Karakterisztika, paraméterek ............................................................... 18
2.2.2.2. Zener-diódák alkalmazása ................................................................... 19
2.2.3. Speciális diódák........................................................................................... 21
2.2.3.1. PIN-dióda ............................................................................................ 21
2.2.3.2. Shottky dióda....................................................................................... 22
2.2.3.3. Varicap-dióda (kapacitásdióda)........................................................... 22
2.2.3.4. Alagút-dióda (Esaki-dióda, tunnel-dióda, avalanche-dióda)............... 23
2.3. Tranzisztor (BJT)................................................................................................. 24
2.3.1. A tranzisztor működése ............................................................................... 24
2.3.2. Nagyjelű helyettesítőkép ............................................................................. 26
2.3.3. Karakterisztikák, paraméterek ..................................................................... 28
2.3.4. Kisjelű helyettesítőkép ................................................................................ 33
2.3.4.1. Hibrid-π helyettesítőkép ...................................................................... 33
2.3.4.2. Tranzisztor paraméterek a négypólus paraméterekkel kifejezve......... 34
2.3.5. Speciális tranzisztorok................................................................................. 36
2.3.5.1. Darlington-kapcsolás ........................................................................... 36
2.3.5.2. Shottky-tranzisztor .............................................................................. 38
2.3.6. Tranzisztor működése lineáris üzemben ..................................................... 39
2.3.6.1. Tranzisztor kis- és nagyjelű működése................................................ 39
2.3.6.2. Munkapont-beállító kapcsolások......................................................... 44
2.3.6.2.1 Munkapont-beállítás bázisosztóval ..................................................... 44
2.3.6.2.2 Munkapont-beállítás bázisárammal..................................................... 46
2.3.6.2.3 Munkapont-beállítás bázisárammal egyenáramú visszacsatoláson
keresztül ............................................................................................................. 47
2.3.7. Tranzisztor működése kapcsolóüzemben .................................................... 50
2.4. Térvezérelt tranzisztor (Field Effect Transistor) ................................................. 52
2.4.1. Záróréteges FET (JFET).............................................................................. 52
2.4.1.1. JFET működése ................................................................................... 53
2.4.1.2. JFET karakterisztikák, paraméterek .................................................... 54
2.4.1.3. A JFET lineáris üzeme ........................................................................ 56
2.4.2. MOSFET ..................................................................................................... 59
2.4.2.1. Növekményes MOSFET ..................................................................... 59
2.4.2.2. Kiürítéses MOSFET ............................................................................ 60
2.4.2.3. MOSFET lineáris üzeme ..................................................................... 61
2.4.3. FET kapcsoló üzeme ................................................................................... 64
2.4.4. FET-alapú vezérelt és aktív ellenállás ......................................................... 64