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Tecnología Electrónica.
UTN, FRBB, año 2006.
Termoresistencias.
• Galasso Christian
Termoresistencias, pg 2
Termoresistencias o RTDs.
¿Qué es un RTD?
Un RTD se fabrica para tener un valor Ro nominal a una temperatura dada (p. e 100 ohms a 0ºC).
Al medir su resistencia a una temperatura desconocida y al compararla con Ro (valor al que debo
ajustar el resistor de referencia), puede conocerse el dR. Como la característica R=f(T) también es
conocida, el cambio de temperatura dT desde el punto inicial será conocida.
Debido a su baja resistividad, el oro y la plata no son usados como RTD’s. El tungsteno posee una
alta resistividad, pero se lo reserva para muy alta temperatura, al ser muy quebradizo y dificil de
maquinar.
Resistividad de los materiales comunmente usados en RTDs, junto con el TCR respectivo.
RA 1
La resistividad se define como: = = m
l
El cobre se usa a veces como RTD. Su baja resistividad hace que el elemento sea más largo que
uno de platino, pero su linealidad y bajo costo lo hacen una alternativa económica. Su límite
superior de operación es de 120ºC.
Los elementos de niquel o aleaciones de niquel son más no lineales y tienden a modificar su valor
de resistencia con el tiempo.
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La última permite el poder reemplazar el elemento sensor sin tener que recalibrar un instrumento .
Valores típicos: 100, 500 y 1000 ohms
Identificación.
Se identifican por el metal del que se componen (según tabla periódica) y la resistencia que
presentan a 0ºC. Ejemplo: Pt100, Pt1000, Ni120, Cu200, etc.
Luego presentan una degradación de la precisión hacia los extremos del rango. Por ejemplo, según
el estandar IEC751, para clase B, se tiene:
Precisión:
±0,8ºC a -100ºC
±0,3ºC a 0ºC
±0,8ºC a 100ºC
±1,8ºC a 300ºC
±2,3ºC a 400ºC
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R 1)
Sr =
T ºC
R
TCR =
R
T
=
R 100−R 0
100 ºC R 0
[ ]
1
ºC
3)
Ejemplo: Un termómetro de platino midiendo 100 ohms a 0ºC y 138,5 ohms a 100ºC, el TCR
resulta de 0,00385 1/ºC (0,385 ohms/ºC si se prefiere la sensibilidad).
La relación con la sensibilidad del RTD:
1 R 1
TCR = = S y Sr = R o TCR 4)
R T R r
Se disponen de platinos con TCR variando desde 0,00375 a 0,003927. El mayor TCR indica el
platino de mayor pureza, y está regido por el estandar ITS-90 para termómetros de platino.
Al reemplazar un RTD, es fundamental que el TCR coincida, aunque no hay ventaja en la elección
de uno u otro.
El platino más común usado en RTDs es el 0.00385, disponible en resistores bobinados y de
película delgada, fijado en el estándar DIN EN 60751.
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Consiste en enrollar sobre una cruz de mica una bobina helicoidal de platino, y montar el conjunto
dentro de un tubo de vidrio. Al ser el coeficiente de dilatación de la mica muy bajo, el esfuerzo
sobre el alambre será bajo, evitando la variación de resistencia por estiramiento, obteniendo así
un dispositivo estable.
A su vez, al estar bobinado a la vez de enrollado, se maximiza la resistencia para un tamaño dado.
Posee el problema de tener una RA (resistencia térmica de encapsulado) muy grande, lo que hace
que el tiempo de respuesta a cambios bruscos de temperatura externa será muy lento (tiempo de
respuesta térmica alto). Esto limita su uso al laboratorio.
Una mejora al diseño de Meyers fue el de no usar soporte para el bobinado de platino, surgiendo así
el elemento de jaula de pájaro. Esto permite que el platino se expanda y contraiga libremente, y se
logra minimizar las variaciones de resistencia debidas al esfuerzo mecánico (strain) en el rango
de temperatura de operación. Pero pasa a ser muy susceptible a vibraciones, y ésto lo hace muy
frágil para uso industrial.
Como primera etapa de producción, el platino dopado es depositado como vapor en un ambiente al
vacío en un substrato Al203. El próximo paso es la transferencia foto-litográfica de la estructura de
meandro sobre el substrato de platino, bajo condiciones de atmósfera limpias (hasta clase 1000).
Luego de quitar el exceso de platino, el sensor así obtenido es encapsulado para obtener distintas
versiones (baja, media y alta temperatura).
El RTD de película delgada ofrece una reducción en el tiempo de ensamble y posee mayor
resistencia para un tamaño dado. Debido a la tecnología de fabricación, el dispositivo en sí es
pequeño, lo que significa que puede responder rapidamente a los cambios bruscos de temperatura.
Además, se reduce la captación de ruido por campos magnéticos variables, problema que poseen
los de tipo bobinado, al ser un lazo magnético inherente.
Los RTD de éste tipo son menos estables (existen dR debidos no sólo a la temperatura, sino también
a la dilatación y al esfuerzo) que sus contrapartes hechos a mano, pero al ser mucho más simples
de fabricar a gran escala, esto atraerá el interés de fabricarlos más estables.
2 n
R R R 5) donde T = b b ...b 6)
T = b0b1 b2 ...bn ref 0 1 n
R ref R ref R ref
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Algunos materiales tienen una relación R-T aproximadamente lineal en un rango de temperaturas
T1 < T < T2. Esta función lineal tomaría la forma:
La temperatura será:
T = T ref
R
R ref
1
8)
Donde:
R(T) = Resistencia medida.
R0 = Resistencia nominal a 0°C
Las constantes están definidas por el estándar internacional (DIN EN 60751) para sensores de
platino:
1 1
a =3,9083 x10−3 −7
b = 5,775 x10
ºC ºC2
El coeficiente b es tan pequeño que para la mayoría de las aplicaciones puede considerarse una
relación lineal entre R(T) y T (expresiones 7 y 8).
Los sensores de platino con altas resistencias nominales poseen una mayor sensibilidad (dR/dT),
ya que la pendiente de la característica es directamente proporcional a R.
Dependiendo de las substancias y el proceso usado en la fabricación del sensor, pueden ocurrir
desviaciones respecto a la característica óptima. Estas desviaciones definen el rango de
temperatura de medición y la precisión de la tolerancia (clase A o B nombradas anteriormente)
para cada tipo de sensor.
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Fig 6: Encapsulado:
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Fig 7 Encapsulado:
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Heraeus M-222
Diseñados para producción en masa, presentan la mayor variedad de Ro y rangos de temperatura.
Fig 8 Encapsulado:
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Ohms
Ro
Pt1000
ºC
Aunque existe un gran número de circuitos integrados que permiten medir temperatura (por ejemplo
el LM35, LM335, etc), con buena precisión (< 1ºC), buscando linealizar la variación de tension de
una juntura PN, los rangos de temperatura medibles con ellos es bajo (0 a 70º para integrados
comerciales, -55ºC a +125º para los de tipo industrial), al estar expuesto todo el sistema (sensor,
amplificadores operacionales, referencias) a grandes fluctuaciones de temperatura.
La solución para medición de grandes rangos de temperatura es separar el sensor de los circuitos
de instrumentación espacialmente.
Pero no es tan simple, al requerir un sensor con buena linealidad en un rango de temperatura
extendido (a menor dT, cualquier sensor puede presentar mayor linealidad).
Allí entran en juego las resistencias Pt100 (platino, 100 ohms) o Pt1000 (platino, 1000 ohms).
Su rango de temperatura tipicamente va desde -200 ºC a +1000 ºC, con la ventaja de disponerse de
variedad de encapsulados, desde los totalmente cerrados para resistir corrosión hasta versiones
miniatura para circuitos impresos.
Es también favorable el hecho de que por éstas resistencias sólo circula DC y poseen alta
sensibilidad (Sr), disminuyendo la incidencia de ruido externo, en contraste con los termopares,
donde requiero medir tensiones muy bajas (del orden de microV), y me afectan otras uniones
metálicas del circuito de entrada, consideración que no existe con los PRTD's.
Y entonces:
R1 R3
=
R 1R 2 R 3R g
El valor del RTD a la temperatura de calibración del puente será el valor de R3.
Se busca que R1, R2, R3 tengan coeficiente de variación de resistencia con la temperatura (Tc) nulo
a la temperatura de trabajo. Como ésto se logra en un rango estrecho de temperatura, es necesario
separar físicamente el puente del RTD. Al ser ésta separación hasta de decenas de metros, el circuito
pasa a ser:
Para cancelar el efecto de Rc en equilibrio, se usará un 3º conductor desde Rg, que permitirá el
sensado de tensión.
R2 R cR 3
=
R 1R 2 R 3R g2R c
R 2 R gR c R 2 = R 1 R cR 3 R 1
Como el puente no será equilibrado manualmente, la relación entre Vo y Rg debe ser conocida:
V
V
V
R g R 3 V o 2s = V s R 3 ; R g V o 2s = R 3 2s −V o y
Rg = R3
V s−2 V o
V s 2 V o 12) Esta expresión no incluye la resistencia de los cables de conexión Rc.
Vo = Vs
R cR 3
R g R 32R c V
− s
2
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Despejando Rg:
R g V o
Vs
2
R 3 V o
Vs
2
2R c V o
Vs
2
= V s R cR 3 V s
R g V o
Vs
2
V
= R 3 s −V o −2R c V o
2
Rg = R3
V s−2 V o
V s2 V o
−R c
4 Vo
V s2 V o 13)
El error en Rg será pequeño si Vo es pequeño. Esto es así en los medidores de deformación o peso
(strain gauges), donde el cambio de Rg es un pequeño porcentaje del total R /R 0 .
Pero en un RTD, la R cambia en un alto porcentaje en el rango de operación R /R 1 Esto
incrementa el término de error debido al conexionado.
Ejemplo: Suponer un puente diseñado para Rg=100 ohms, que estará equilibrado en T=0ºC. El
RTD es un Pt100, con Sr = 0,385 ohms/ºC. Con dT=259,7ºC, Rg' = 200 ohms. El gráfico muestra la
tensión de salida en dicho caso:
V o = 2,00662 V−3 V
V o = −0,99338 V
Como en realidad se desconoce el valor de Rc, al suponer que el puente cancela su efecto, según Vo
medido, el valor de Rg será:
de 12)
R g = 100
6 V−2 x −0,99338
6 V−2 x0 ,99338
= 100
7,98676
4,01324
= 100 x1 ,99 = 199,01
R g−R 'g
El error porcentual en Rg: eRg = x100 = −0,5 %
R 'g
eabs
Y en temperatura: e T = = −2,57 ºC
Sr
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Consecuencia: a menos que se conozca Rc o se balancee el puente, para poder utilizar la relación
más precisa entre Rg y Vo, el puente no ofrece una exactitud suficiente como para despreciar el
error de método.
Si se recuerda, al definirse los RTD de clase B, el mayor error que cometen es de ±2,3ºC, por lo
que el error del circuito de medición debería ser de unos ±0,23ºC para ser despreciado, al agregarse
luego el error de los amplificadores y sistema de presentación.
Una mejor solución la brinda el método de 4 hilos con fuente de corriente constante.
Rref posee un valor calibrado igual al valor de Ro nominal del PRTD a la temperatura de referencia,
por ejemplo, 100 ohms a 0ºC. Ia y Ib son dos fuentes de corriente apareadas. Así, la tensión
desarrollada sobre el PRTD difiere en un dV de la de Rref dependiendo de la diferencia de
temperatura, al existir una variación de resistencia igual a:
R = Sr T con T = T−T 0
24 0,0843 −8
1,7.10
26 0,1355 D = = 0,0531 = 3,19.10−4 m
28 0,2136 r 3,1415
30 0,3369
O lo que es lo mismo, 0,3 mm.
Ejemplo:
Como el resistor de referencia se encuentra cercano al circuito integrado, la Rc agregada por sus
conexiones es despreciable, y el error observado dependerá de la Rc anterior:
Si no tuviera Rc, mediría:
R R R c
T = ,pero tengo Rc agregada, por lo que mido: T ' = = Tea
Sr Sr
Rc
Por comparación, el error absoluto de temperatura será: ea = 15)
Sr
Que es constante en todo el rango de temperatura, y será más importante en las temperaturas bajas
(valores relativos más próximos).
Para el ejemplo, el error absoluto de temperatura es, con Sr = 0,385 ohms/ºC (Pt100).
1,062
ea = = 2,75 ºC
0,385 /ºC
Efecto de autocalentamiento.
Es el 2º contribuyente al error del RTD. Al circular corriente por el sensor,
PRTD = I2a R
Será la potencia disipada. Por efecto Joule, el calentamiento generado provocará una suba de la
temperatura del sensor, dependiente de la temperatura ambiente, dada por:
T R −T A
RA =
PRTD
Que es la resistencia térmica del encapsulado de la PRTD, suministrada por el fabricante.
Al ser Tr un incremento respecto a Ta, puedo escribir:
T
RA = 2
T = RA I2a R 16) Error absoluto por autocalentamiento.
I R
a
Ejemplo:
Suponiendo RA = 50 ºC/ W , R o = 100 , Ia = 1 mA , el incremento de temperatura
por autocalentamiento (error absoluto agregado al incremento de temperatura real) será:
ºC
T auto = 50 1 mA 2 100 W = 5.10−3 ºC
W
Quiere decir que si requiero un error de +/- 1% (que en general es adicionado por el controlador de
temperatura), éste error será despreciable.
Notar que el error por autocalentamiento es proporcional a la Ro, por lo que tendrá más peso para
las Pt1000.
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La tensión presente a su entrada es reflejada a su salida (con sólo un pequeño offset agregado, que
puede eliminarse por compensación), podría modificar el circuito anterior para copiar la VB al
terminal negativo de Rref:
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1, 2, 3, 4 son los cuatro terminales de conexión del PRTD. Resultó en un método de medición por
comparación a cuatro hilos.
Estos esquemas pueden obtenerse en espacios reducidos utilizando ICs monolíticos dedicados,
como el ADT70 de Analog Devices.
ADT70
Circuito acondicionador PRTD (Dispositivos de Temperatura/Resistencia de Platino) y controlador
de temperatura.
Si el TCR = 0,00385 1/ºC, la Sr=3,85 ohms/ºC, y el factor de escala de la tensión de salida será
5 mV/ºC.
La ganancia del AO de instrumentación normalmente se establece a 1,3, con Rg=49,9K entre los
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terminales Rga y Rgb. Pueden obtenerse otros valores del factor de escala usando:
Fig 20: Medición de temperaturas por encima y por debajo de 0ºC, usando el IC ADT70.
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Índice temático.
22.Indice temático
23.Referencias del documento.
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PRTDs:
http://www.heraeus-sensor-nite.de/indexE.html
http://temperature-measurement.globalspec.com/Industrial-Directory/RTD_element
http://www.omega.com/temperature/Z/TheRTD.html
http://www.efunda.com/designstandards/sensors/rtd/rtd_theory.cfm