El diodo gunn, presenta la característica de oscilar cuando se alcanza una
determinada intensidad del campo eléctrico. Esta región de alta intensidad de campo se mueve en el camino catodo-ánodo, donde desaparece generándose inmediatamente otra similar en el catodo y así sucesivamente. Dimensiones menores en el camino darán lugar a menores tiempos de oscilación, o lo que es lo mismo mayores frecuencias. Para mantener estable la oscilación se debe acoplar el diodo a una cavidad resonante que será en ultima instancia la que determine la frecuencia de resonancia del conjunto. Se puede generar así un amplio rango de frecuencias, entre 1 y mas de 100 GHz, con potencias de emisión entre 5 y 800 mW.
Ventajas y desventajas
Existen dispositivos amplificadores basados en el esquema de las válvulas
termoiónicas, modulando el haz de electrones con un fuerte campo magnético y el diodo gunn es un dispositivo de estado sólido utilizado para la modulación por impulsos en alta frecuencia pero no es amplificador. Diodo de IMPATT
Diodo de IMPATT (IMPionización del acto Avalanche Transit-Tel ime) es una
forma de alta energía, utilizado en electrónica de alta frecuencia y dispositivos microonda. Se hacen típicamente con carburo del silicio debido a sus altos campos de la interrupción. Funcionan con frecuencias entre de 3 y 100 GHz o más. Una ventaja principal es su capacidad de la alta energía. Estos diodos se utilizan en una variedad de usos de baja potencia en sistemas de radar. Una desventaja importante de usar los diodos de IMPATT es la de alto nivel del ruido de la fase que generan. Esto resulta de la naturaleza estadística del proceso de la avalancha. Sin embargo estos diodos hacen los generadores excelentes de la microonda para muchos usos.