'~~ .L...:.)~ c. ...

-

"

I. DIODA SEMICONDUCTOARE IN REGIM STATIC

1.1 Consideratli teoretice

I.l.a Trasarea caraeteristicii stance

Polarizarea diodei semiconductoare se face in dona situatii: polarizare directa, cand U A >0 ~i I A >0,

polarizare inverse, cand U A <0 si I A <0.

In cazul polarizdrii directe se constata 0 crestere exponential a a curentului IA in raport cu tensiunea aplicata la bomele diodei UA( Zona I a caracteristicii din figura 1.1.1).

Fig. 11.1 ~ Caracteristica curent-tensiune a diodei semiconductoare

La polarizarea inversa a diodei, se observa 0 modificare putin semnificativa a curentului invers Io(de ordinul rA) la 0 variatie mare(de ordinul V) a tensiunii inverse

aplicate U o (zona II). Aceasta situatie are loc pana la 0 anumita valoare (relativ mare) a tensiunii inverse aplicate, de la care se produce strapungerea jonctiunii PN; aceasta tensiune se noteaza Ustr, fiind localizata 10 punctul B al caracteristicii.

Fenomenul de strapungere consta ill cresterea brusca a curentului invers prin dioda la 0 variatie relativ mica a tensiunii inverse aplicate ~i se datoreaza multiplicarii in avalansa a purtatorilor de sarcina sau efectului Zener.

Acest din urma efect sta la baza functionarii diodei Zenner in zona III a caracteristicii, careeste cunoscuta sub numele de regiune de stabilizare (aici se considera ca tensiunea este practic independents de valoarea curentului, fiind practic constants).

Tensiunea UT se numeste tensiune de prag ~i este tensiunea la care dioda se deschide(prin dioda

trece un curent electric); ea este cuprinsa tntre O,2-O,4V pentru diodele cu Ge ~i intre 0,5- 0,7V pentru diodele cu Si.

5

I.1.h Determinarea parametrilor diodei semiconductoare

in curent alternativ, dioda semiconductoare se comports ca 0 rezisterua dinamicii (internli sau diforenfialii) cu care se inlocuieste efectiv in analiza practica a circuitelor electrice, doar pentru cazul in care dioda respective lucreaza in regiunea de conductie (dioda redresoare, de exempJu,ce lucreaza in regiunea de conductie ~i blocare nu se comportaca Ri).

ill = KTI qIA

(1.1 )

unde KT/q:;,:O,026 V.

Presupunand ca amplitudinea tensiunii alternative este mica (conditia de semnal mic), atunci cand in jurul punctului mediu de functionare Urn caracteristica poate fi aproximata printr-o tangenta ,se poate determina grafie parametrii Ri, ~ ~i a. (-fig. 1.1.2).

UM

Fig. L1.1- Ltniarizarea caracteristicii diodei

Fata de componenta alternativa a tensiunii, dioda are un comportament diferentiat, ce poate fi caracterizat de parametrii:

a) panta diodei in punctul de functionare Urn:

S = dUdU lu=VM= M I AUI U=Um (1.2)

b) rf#_$t~nt{1 jfJ/~rfliJ ( dinmniciJ) a diode]:

Ri = lIS = dU 1M I U=Um= tga (1.3)

Ri este diferita de rezisterua aparenta in curent continuu (staticii):

Rcc =tg/3

(1.4)

care este fermata din dona componente;

Rce = Rb +U A II A (1.5)

unde Rb este rezistetua blocului semiconductor (a regiunilor neutre p ~i n)

Nota: Se poate serie §i expresia matematicii a caracteristicii statice pentru calcule in scheme electrice astfel:

I A = 10 [exp (qU A/mKT) - I]

(1.6)

unde m este coeficient eu valori intre 1 §i 2, iar 10 s-a notat curentul de saturatie al diodei in polarizare inversa,

6

1.2. Lucrarea numarul I:

STUDIUL DIODE I REDRESOARE CU Ge si Si

1.2.a Scopul lucriirii: trasarea caracteristicii curent-tensiune ~i determinarea parametrilor diodei: panta S, rezistenta dinamica Ri, rezistenta stancil Ret.

1.2. b Desfasurarea lucrarii:

A. STUDIUL DIODEI REDRESOARE CD Ge

1.2.1. Realizati montajul experimental din figura 12.1(fiira alimentare), studiind ~i schema electrica din figura 1.2.2.

Sursa

stab. (Ualim) 1: 30 V e.c.

r------ --.,

I I

I I

I I

I----~~~ ... I 4 :

I I

~~-r5 P2 :

I ,

I I I

L- --~ 6 :

---------j

Fig.l2.1 Montajul experimental - dioda redresoare cu Ge

Fig.12.2 Schema electrica - dioda redresoare cu Ge

1.2.2. Se conecteaza sursa stabilizata de c.c., stabilindu-se valorile tensiunii de alimentareUaJim intre 0.1 ~i 15V(~ cum se vede in tabelul I.L)!ji citindu-se pentru fiecare astfel de valoareUalim tensiunea la bornele diodei U A pe voltmetrul conectat intre bornele 5 ~i 6,respectiv valoarea curentului prin dioda IA pe miliampermetrul coneetat in circuit.

. Masuratorile se vor face atlt in polarizare directs , cat si in polarizare inversada polaritatile din paranteze).

Cu date1e inregistrate se va completa tabelull.l.

Se va trasa apoi caracteristica statica IA = f(U A) a diodei redresoare eu Ge.

7

Ualim(V) 0.11 0.3 0.5/ 0.7/ I 213 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
POLARIZARE U A (V) ( I j
DlRECTA IA (rnA) I I I I
POLARIZARE -U A (V) I ~
INVERSA !
-I A (j.tA) I I I I I
, Tabelull1

I.2.3.Se stabileste pe curba caracteristicii In polarizare directa un punct mediu de functionare U 111 apoi se vor lua diverse puncte de pe caracteristica de jur 1mprejurullui U In'

determinandu-se astfe) rezistema dinamkii (ifl!crnif) gppa formula:

De exemplu,

s.a.m.d. conform expresiei

RI• = (Um+n - Um_,,)/( Im+,,-Im_J·

Se calculeaza, de asemenea, R cc si S (conform analizei prezentate la consideratii teoretice) dupa formulele:

S n = II R1n, (1.2')

Valorile de mai sus se tree in tabel.

Tabell2.

S3 S"

Ri3 : Rin

8

B.STUDIUL DIODEI REDRESOARE CU Si

1.2.4. Realizati montajul experimental din figura I.2.3(fara alimentare), studiind si schema electrica din figura 1.2.4.

Sursa . .

stab. (Ualim)

'I: 30V e.c.

------,

t I

17 I

r----~"" t

P2 1 I I I

L------._-*' ... :R;:;; "" J

Fig.12.3 Montaj experimental » dioda redresoare cu Sf

70-----..

Fig.12.4 Schema electrica - dioda redresoare cu Si

1.2.5. Se conecteaza sursa stabilizata de c .. c., stabilindu-se valorile tensiunii de alimentareUalim intre 0.1 ~i 15V(a~ cum se vede in tabelul I.3.)~i citindu-se pentru fiecare astfel de valoareUalim tensiunea la bomele diodei U A pe voltmetrul coneetat intre bornele 8 ~i 9; respectiv valoarea eurentului prin dioda IA pe miliampermetrul coneetat in circuit. Masuratorile se fac atatQ.'?.!!!:n!"p.2_I~~~_.~ir~cta, cat ~i pentru polarizare inversa(semnele ,," ;,+~' din paranteze),

Tabel13.

Ualim(V) 0.1 0.3 0.5 0.7 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
POLARlZARE UA(V)
DIRECrA. . IA (rnA)
POLARIZARE -U A (V)
INVERSA
. -I A (IJA) Se va trasa caracteristica statica I A = f (U A ) a diodei pe hartie milimetrica,

1.2.6. Se determina rezistenta dinamica Rp rezistenta statica Rcc~i panta S pe baza formulelor de Iapunctul 1.2.3.

Se completeaza cu aceste date obtinute prin calcul tabelul Lti,

Tabel14.

R;(.Q) R;I

R;3 Rin

S3················· .. ···················· .. ············ Sn

9

1.3. Lucrarea numarul Z:

STUDIUL DIODEI ZENER

1.3.1. Consideratii teoretice

Dioda Zener este 0 dioda stabilizatoare de tensiune ce functioneaza in regim de polarizare inverss;

Curentul invers are 0 valoare relativ constanta ~i neglijabila (de ordinul j.tA) Ia 0 temperatura data pentru toate tensiunile sub tensiunea de strapungere (UBR).

4

2

o

••........... - ... -- .. ---- ... --.- ... -- •..... 1

A BR

c

B

Fig L3.1. Caracteristica cureni - tensiune a diode; Zenner

Portiunea de lucru (AB) este situata 'in zona de strapungere , unde caderea de tensinne pe dioda ramane practic constanta (tensiune stabilizata) pentru 0 gama foarte larga de curenti.

Strapungerea diodei se explica prin dow efecte: multipltcarea in avalansaa purtiitori/or de sarcina §i efectul Zener.

In cazul primului efect(multiplicare in avalansa a purtatorilor), 1a tensiuni inverse ridicate, campul electric din regiunea de sarcina spatiaIa atinge valori marisi imprima 0 energie crescuta purtatorilor de sarcina care tree pe acolo; 'in urma ciocnirii cu atomii retelei cristaline, un purtator de sarcina poate avea energie suficienta pentru a forma 0 pereche electron-gel prin ruperea unei legaturi covalente ~i acesti purtatori suplimentari de sarcina sunt antrenati la randul Ior de campul electric, formand noi perechi electron-gel s.a.m.d. (ducand astfel la cresterea curentuluij.Cantitativ, fenomenul de multiplicare este luat in considerate conform relatiei: IR = M 10 (I. 7 .), nude 10 este curentul invers prin dioda in absenta multiplicarii si M = coeficient de multiplicare in avalansa.

Coeficientul M se poate calcula dupa relatia empirica: M = 1 n .n 0:0 3 + 7 (1.8)

l-[2L)'

UBR

La concenrratii mari de impnritati(> lOt8cm-3) sttapnngerea jonctiunii se face prin eject Zener, care consta In aparatia unui numar crescut de purtatori de sarcina(prin ruperea unor legaturi covalente) sub actiunea directa a campului electric.Acest efect apare la un numar redus de tipuri de jonctiuni, si anume la cele la care UBR<5V.

10

1.3.2. Scopullucriitii: trasarea caracteristicii curent tensiune ~i determinarea coeficientului de multiplicare in avalan~ii M.

Desfasurarea Iucrartt;

Studiati montajulexperimental din figura 1.4.6 ~i schema electrica din figura lA. 7.~ apoi realizati practic montajul respectiv fara alimentare, analizand ~i functionarea lui.

r--------

I J

1---""-"10 I

I I

I' J

I I

.------ 11 ':

: P2 :

1 1

I J

! j

~--------~---.12 J

-----~-- ...

Sursa stab. 1-30Vc.c.

Fig. I4.5 Montaj experimental- dioda Zener

PL 7V5Z

100----1

A

~----------~11

Fig. I. 4. 7. Schema electrica dioda Zenner

Se conecteaza alimentarea ~i se regleaza tensiunea sursei tncepand de la 1 pana la 30 V astfel incat sa se obtina treptele de valori prezentate 'in tabelul de mai jos pentru curentul -IA ~j tensinnea -lh,

Cu datele im-egistrate se va completa urmatorul tabell.7.

TabelLZ

-n A (V) ..... ... ... , .. 7,30 7,31 7,32 7,33 7,34 '" .........................................
-IA (rnA) o.t .D,3 0,5 D,7 I ... ... . .. ... .. ........ '" ........................... " . " .. ~ . Se va trasa caracteristica de stabilizare a diodei pe hattie milimetrica luand in considerate . sensul tensiunii si curentului, identificandu-se pe curba curent-tensiune punctul strapungerii jonctiunii : A(IJBR~R)respectiv punctnlcorespunzator stabilizarii tensiunli: C(Ustab, lstab).

Se determina apoi coefieientul de multiplicare in avalansa M eu ajutoruJ relatieifl.S), considerand n=3 ~i UR=~U A

11

I

/ / / I / (

~( \