1

DIODA SEMICONDUCTOARE
1.1. Caracteristici statice
Dispozitivele electronice sunt componente electronice a căror
funcŃionare se bazează pe controlul mişcării purtătorilor de sarcină
în diferite medii (gaz, solid, lichid).
Dispozitivele electronice pot avea 2, 3 sau 4 borne de acces,
prin intermediul cărora se realizează controlul purtătorilor de
sarcină. În condiŃiile în care are 2 borne de acces se numeşte dipol
(figura 1.1, a), iar dacă are 4 borne de acces se numeşte cuadripol
(figura 1.1, b).
Un circuit sau un dispozitiv cu trei borne de acces (spre
exemplu tranzistorul) se tratează ca şi un cuadripol, una din borne
fiind comună intrării şi ieşirii. În figura 1.1,b borna 3 este notată cu
1’ - bornă de intrare şi cu 2’ care este bornă de ieşire.

I
1 2 1 2
⇒ ⇒
U 1’ 2’
3

a) b)
Fig. 1.1

Bornele de acces sunt numite de intrare (şi notate cu 1) sau de

ieşire (notate cu 2) în funcŃie de sensul transferului de putere sau în
funcŃie de sensul de circulaŃie al semnalului. La bornele de intrare
se conectează sursa de semnal iar la bornele de ieşire se percepe
rezultatul prelucrării semnalului de către cuadripol. În figura 1.1
sensul circulaŃiei puterii este figurat prin săgeŃi.
Descrierea funcŃionării circuitului în regim static se face prin
intermediul unor funcŃii numite caracteristici statice, care exprimă

7
dependenŃa mărimilor de ieşire de semnalul aplicat la intrare şi de
structura internă a circuitului.
Regimul static precizează faptul că mărimile sunt constante în
timp, ceea ce înseamnă că timpul nu este o variabilă - toate
mărimile rămân la aceeaşi valoare din momentul când s-a aplicat
semnalul la intrare şi până la infinit.
Caracteristicile statice ale dispozitivelor pot fi exprimate în
mai multe moduri:
- prin intermediul unor relaŃii analitice (matematice);
prin intermediul unor relaŃii grafice.
Caracteristicile statice reprezintă un mod de exprimare a
modelului circuitului .
Modelele circuitelor arareori sunt liniare, de regulă sunt
neliniare, ceea ce înseamnă că şi caracteristicile statice vor fi la fel.
Liniaritatea se referă la faptul că mărimile de ieşire depind de
mărimile de intrare printr-o relaŃie de forma:
mărime de ieşire = (coeticient1) x (mărime de intrare) +
(coeficient2),
unde cei doi coeficienŃi depind de structura circuitului. În cazul
modelelor neliniare cei doi coeficienŃi depind de structura
circuitului şi de mărimile de intrare (uneori nici nu poate fi
explicitată mărimea de ieşire, ca în relaŃia de mai sus).
Spre exemplu în figura 1.2,a este prezentat un dipol (o diodă
semiconductoare) pentru care caracteristica statică poate fi
exprimată prin relaŃia I = f (U ) .
I I
D U
I I=
1 2 R
U
U1 U2 U U
neliniar liniar

a) b) c)

Fig. 1.2.

Dacă relaŃia între intrare şi ieşire este liniară caracteristica

statică poate fi exprimată grafic ca în figura 1.2,c ceea ce înseamnă
că dioda poate fi definită prin rezistenŃa internă R. Caracteristica
statică se exprimă analitic prin relaŃia de definiŃie a rezistenŃei
electrice

8
 U
R⇒I = = GU ,
R
unde G este conductanŃa.
Atât modelele matematice cât şi caracteristicile statice nu sunt
unice (spre exemplu există modele matematice specifice zonelor de
funcŃionare). Uneori, putem avea un model matematic general şi o
caracteristică statică unică, dar datorită complexităŃii modelului se
preferă a se utiliza modelele matematice mai simple care să fie
valabile pentru anumite zone de funcŃionare.
Spre exemplu caracteristica statică neliniară din figura 1.2,b
poate fi exprimată prin două drepte, ca în figura 1.3 , sau poate fi
descrisă aproximativ prin două ecuaŃii, (fiecare valabilă pe
domeniul specificat)

I U
I=
ron

U1 U2 U
U
I=
roff

Fig. 1.3.
1
0 <U <U2 →I= U,
ron

1
U <0 →I= U,
roff

unde ron = (50Ω K1KΩ ) este rezistenŃa diodei la polarizarea directă şi

roff = (100KΩ K10MΩ ) [4] reprezintă rezistenŃa internă a diodei la
polarizarea inversă a dispozitivului.
În cazul cuadripolului, deoarece avem de-a face cu 4 borne,
deci 4 mărimi la borne (figura 1.4).

1 I1 I2 2
IN OUT
⇒ V1 „C” V2 ⇒
1′ 2′

Fig. 1.4.

9
 Modelul matematic trebuie să conŃină 2 ecuaŃii care să exprime
dependenŃa dintre mărimile de ieşire şi cele de intrare care poate fi

V2 = f1 (V1 , I1 )
 ,
 I 2 = f 2 (V1 , I1 )
sau poate fi
V1 = g1 (I1 , I 2 )
 .
V2 = g 2 (I1 , I 2 )

În majoritatea aplicaŃiilor cele două funcŃii (f1 şi f2 ) pot fi

liniarizate în raport cu mărimile de la bornele cuadripolului astfel
încât modelul este exprimat ca sumă a contribuŃiei fiecărei variabile
independente

V1 = Z11 I1 + Z12 I 2

 ,
V2 = Z 21 I1 + Z 22 I 2

în care termenii Zij - numiŃi parametrii de cuadripol (de natura unor

impedanŃe) nu depind de mărimile independente de la borne
(curenŃi sau tensiuni ).
Dacă drept variabile independente se adoptă tensiunile la borne
modelul cuadripolar conŃine admitanŃele Yij

 I1 = Y11V1 + Y12V2
 .
 I 2 = Y21V1 + Y22V2

Sunt patru tipuri de modele cuadripolare, fiecare având alte

mărimi independente.
Notă: Pentru a fixa noŃiunile în figura 1.5 este prezentată o
formă de undă (sinusoidală) a unei mărimi variabile în timp.

v
v(t)
VM
2Vef

t
T

Fig. 1.5

10
 Dacă perioada T este suficient de mare, regimul este
cvasistaŃionar – la fiecare timp (n T) mărimea „v” are aceeaşi
valoare, iar trecerea de la o valoare la alta are loc prin intermediul
unei succesiuni de regimuri staŃionare.
Mărimea este caracterizată, în afară de perioada „T” prin
valoarea efectivă Vef şi valoarea medie VM, definite astfel

1 T 2
v (t )dt ,
T ∫0
Vef =

1
∫0 v(t )dt .
T
VM =
T

Regimul static este regimul în care mărimile sunt aceleaşi la

orice moment de timp.
În cazul figurii 1.5, pentru regimul cvasistaŃionar, mărimile
constante în timp sunt VM şi Vef.

1.2. Semiconductori intrinseci

Dispozitivele semiconductoare sunt realizate cu elemente din
grupa a IV-a datorită faptului că legătura dintre atomi este
covalentă (legătură chimică care se realizează prin punerea în
comun a electronilor de valenŃă a 2 atomi învecinaŃi). Dintre
elementele grupei se utilizează cu precădere Siliciul şi apoi
Germaniul.
Caracteristic elementelor semiconductoare este faptul că
energia electronilor se găseşte pe nivele energetice situate în benzi.
Banda de valenŃă BV conŃine nivele energetice ale electronilor
de energie mică, electroni care sunt prinşi în legături covalente.
Energia maximă a benzii de valenŃă se notează Wv.
Electronii care au posibilitatea să se deplaseze în spaŃiul
interatomic (electronii liberi) au energii situate pe nivele energetice
corespunzătoare benzii de conducŃie BC. Energia minimă a benzii
de conducŃie se notează Wc.
Între cele două benzi permise (BC şi BI) se află banda
interzisă BI, (vezi figura 1.6) a cărei lăŃime energetică ∆W = Wc -
Wv, este o constantă de material fiind specifică naturii
semiconductorului – spre exemplu Semiconductori realizaŃi din Si
au lăŃimea benzii interzise 1,12 eV [2].

11
 Un electron cu energia Wv , pentru a se desprinde din legătura
covalentă, ca să devină electron liber, trebuie să primească pe o cale
oarecare (spre exemplu prin impuls, adică prin ciocnirea cu un
electron de viteză mai mare) o energie suplimentară de cel puŃin
∆W. În aceste condiŃii energia electronului va depăşi BI şi va trece
pe un nivel din interiorul BC – electronul este liber. Părăsirea
legăturii covalente de electronul care a primit suficientă energie
determină o legătură covalentă nesatisfăcută în structura
semiconductorului numită gol.
W [eV]

Wc }BC
} BI = ∆W = 10,12,67eVeV(Si(Ge) )

Wv }BV
Fig. 1.6.
În cazul metalelor, conducŃia curentului electric se face prin
electroni.
În cazul semiconductorilor, conducŃia curentului electric se
face atât prin electroni cât şi prin goluri.
ÎnŃelegem prin conducŃie a curentului electric transferul de
sarcină electrică printr-o suprafaŃă Σ.
Curentul electric este o mişcare ordonată a unor purtători de
sarcină printr-o suprafaŃă Σ , caracterizat prin intensitatea curentului
electric de conducŃie.
Intensitatea curentului electric „i” de conducŃie este definită
prin variaŃia a sarcinii electrice care trece prin suprafaŃa Σ în
unitatea de timp.

dq
i=
dt Σ

Pentru figura 1.7, având în vedere că 3 goluri „g” trec de la

stânga la dreapta prin suprafaŃa Σ şi doi electroni „e” trec de la
dreapta spre stânga, rezultă că prin suprafaŃa Σ trece o sarcină
electrică pozitivă egală cu sarcina electrică transportată de un gol
(qp = - qe = 1,6 10-23 C). Dacă considerăm că situaŃia se menŃine
dinamic pentru un interval de timp de 1 secundă, prin suprafaŃă va
circula un curent electric de conducŃie, cu sensul de la stânga spre
dreapta, cu intensitatea de 1,6 10-23 A.

12
 ∑

Fig.1.7.

ConducŃia curentului este realizată de goluri (legături

covalente nesatisfăcute) prin intermediul electronilor prinşi în
legături covalente ale atomilor învecinaŃi golului. Un electron dintr-
o legătură covalentă, datorită unei forŃe (spre exemplu datorită
forŃei determinate de un câmp electric), pleacă din legătură şi se
poziŃionează la atomul cu legătură covalentă nesatisfăcută. Golul
din poziŃia veche nu mai există - legătura a fost refăcută de
electronul sosit, dar apare un gol în poziŃia din care aplecat
electronul. Această deplasare este echivalentă cu deplasarea golului
în sens invers mişcării electronilor. Electronul care s-a deplasat şi a
ocupat legătura covalentă nesatisfăcută are o energie aflată în BV.
În condiŃiile în care legătura covalentă nesatisfăcută (golul)
este ocupată de un electron a cărui energie este în banda de
conducŃie BC procesul se cheamă de recombinare. Electronul nu a
plecat dintr-o legătură covalentă, ca să determine formarea unui nou
gol. Dispare, pentru procesul de conducŃie, atât electronul cât şi
golul, pentru că electronul liber a fost prins în legătura covalentă
nesatisfăcută numită gol.
La temperatura camerei, numărul de electroni liberi este egal
cu numărul de goluri, pentru că fiecare electron devenit liber a
plecat dintr-o legătură covalentă care a devenit nesatisfăcută (gol).
ConcentraŃia de electroni liberi n 0 egală cu concentraŃia de
goluri p 0 se numeşte concentraŃie intrinsecă ni.

3
n0 = p0 = ni [număr de purtători/cm ].

S-au folosit notaŃiile n 0 şi p 0 cu indice zero pentru a specifica

faptul că semiconductorul se află la echilibru termodinamic.
Cele două concentraŃii fiind egale semiconductorul este
electric neutru.

13
 ConcentraŃia intrinsecă poate fi exprimată în principal în
funcŃie de lăŃimea benzii interzise ∆W şi de temperatura „T”, prin
relaŃia
3 ∆W
−
ni = AT 2 ⋅ e 2 kT

În relaŃie intervine constanta lui Boltzman (k = 1,38 10-23 J/K) şi

o constantă (A) care să preia influenŃele factorilor nespecificaŃi.
Orientativ în cazul unui semiconductor din Si, aflat la T = 300
K, care are o concentraŃie de atomi ni = 10 22 atomi/cm3, concentraŃia
intrinsecă este ni = 1,5 x1010 purtători/cm3, ceea ce înseamnă că la
fiecare 1012 atomi există o legătură covalentă nesatisfăcută (un gol)
şi un electron liber.
RelaŃia dintre concentraŃiile purtătorilor, la echilibru
termodinamic,

n ⋅ p = ni2

este valabilă atât în cazul semiconductoarelor intrinseci cât şi în

cazul semiconductorilor extrinseci.
Modificarea numărului de purtători se face prin:

- creşterea temperaturii semiconductorului;

- iradiere;
- iluminare;
- injecŃie de purtători din exterior.

Primele trei metode de modificare a concentraŃiei intrinseci

determină un aport energetic din exteriorul semiconductorului. O
parte din electroni, prin acest aport energetic, îşi cresc energia peste
Wc, devenind electroni liberi. Se generează totodată şi un gol
datorită apariŃiei unei legături covalente nesatisfăcute, legătură din
care a plecat electronul respectiv. ConcentraŃia de electroni şi
goluri fiind egală semiconductorul va fi tot neutru.
Numărul de purtători este condiŃionat în principal de
temperatură, pentru care concentraŃiile la echilibru termodinamic
sunt notate n0 şi p0. În condiŃiile în care apare o perturbare (injecŃie
de purtători din exterior ) astfel încât să se modifice concentraŃia
unuia dintre purtători, intervine procesul de generare sau
recombinare de purtători astfel încât concentraŃiile să revină la
echilibrul stabilit de valoarea temperaturii, respectiv n0 şi p0. Odată
cu încetarea perturbaŃiei semiconductorul acŃionează în scopul

14
anulării excesului de purtători pentru a ajunge în vechea stare de
echilibru.
Semiconductori intrinseci sunt folosiŃi la realizarea rezistorilor
şi a termistorilor (rezistoare a căror rezistenŃă se modifică cu
temperatura, proprietate utilizată la măsurarea pe cale electrică a
temperaturii).

1.3. Semiconductori extrinseci

Semiconductorul extrinsec este format dintr-un material
semiconductor intrinsec în structura căruia s-au introdus elemente
din grupa a III-a (Bo, Al, ş.a.) sau din grupa a V-a (P, As, St, ş.a.).
ConcentraŃiile de elemente străine, voit introduse, sunt foarte mici
(1012...1018 atomi/cm3) în raport cu numărul atomilor
semiconductorului ( 1022 atomi) motiv pentru care sunt numite
impurităŃi [8].

Semiconductorul de tip N este realizat prin introducerea de

elemente din grupa a V-a ceea ce conduce la prinderea în legături
covalente a 4 electroni ai impurităŃii cu atomii semiconductorului
de bază rămânând un electron foarte slab legat de atomul de
impuritate, care electron la temperatura camerei este electron liber
(are energia în BC). ImpurităŃile din grupa a V-a sunt donoare (de
electroni) şi introduc un nivel energetic apropiat de banda de
conducŃie Wc notat Wn în figura 1.8.
W

Wc
Wn

Wv

Fig. 1.8.

Notăm cu N D = 1014 K1018 [atomi/cm3] concentraŃia de

impurităŃi introdusă. ImpurităŃile fiind ionizate (au pierdut un
electron) vor modifica numai concentraŃia de electroni liberi

n = n0 + N D = ni + N D ≈ N D
⇒
 p = p0 = ni

15
 łinând seamă de relaŃia dintre concentraŃiile la echilibru se
obŃine

ni2 n2
n ⋅ p = ni2 ⇒ p= = i .
n ND

Semiconductorul se numeşte N pentru că, conducŃia curentului

electric este asigurată în principal de electroni şi anume de
electronii liberi furnizaŃi de impurităŃi.

Semiconductorul de tip P realizează prin introducerea în

structura semiconductorului de bază de elemente din grupa a III-a,
ceea ce face ca cei 3 electroni ai impurităŃii să formeze legături
covalente cu atomii semiconductorului, rămânând o legătură
covalentă nesatisfăcută.
ImpurităŃile introduc un nivel energetic Wp în banda interzisă
a semiconductorului de bază, nivel apropiat de limita benzii de
valenŃă WV, ca în figura 1.9.

Wc

Wp
Wv

Fig. 1.9.

Notând cu NA concentraŃia de impuritate introdusă, obŃinem

concentraŃiile de purtători în semiconductorul de tip P

 ni2
n =
 NA
p = p + N ≈ N
 0 a A

Semiconductorii intrinseci se numesc de tip P şi de tip N după

semnul sarcinii purtătorilor majoritari, respectiv golurile de sarcină
pozitivă (pentru P) şi electronii de sarcină negativă (pentru N).
Nivelul Fermi WF, este acel nivel energetic sub care se găseşte
energia tuturor electronilor unui solid în condiŃiile în care
temperatura acestuia este de zero grade Kelvin.

16
 ConcentraŃia purtătorilor de sarcină poate fi exprimată în
funcŃie de poziŃia nivelului Fermi prin relaŃiile
3
Wc − WF
n0 = AT 2 exp(− ),
kT
3
WF − Wv
p0 = AT exp( −
2 ),
kT
care verifică condiŃia de echilibru termodinamic ( n p = ni2 ).
Deoarece nivelul Fermi al semiconductorului intrinsec este la
jumătatea benzii interzise se notează acest nivel cu

Wc + Wv
Wi = ,
2

În funcŃie de nivelul intrinsec pot fi exprimate concentraŃiile

purtătorilor pentru semiconductorul extrinsec

W − Wi W − WF
n0 = ni exp( F ) , p0 = ni exp( i ).
kT kT

Se remarcă faptul că la semiconductorii extrinseci nivelul Fermi

este diferit de nivelul Fermi al semiconductorului intrinsec, fiind
“tras” de impurităŃi.

1.4. DensităŃi de curent în semiconductori

Curentul electric de conducŃie este definit prin mişcarea
ordonată a purtătorilor de sarcină printr-o suprafaŃă dată.
r
F
r
F

r
qp Fe
r
Fe q n

a) b)

Fig. 1.10

17
 În general, dacă nu acŃionează nici o forŃă curentul este zero.
Curentul electric de conducŃie apare în condiŃiile în care asupra
purtătorilor de sarcină acŃionează o forŃă (electrică sau de difuzie)
care să orienteze vitezele
purtătorilor către suprafaŃa în cauză, ca în figura 1.10a.
ForŃa electrică este datorată prezenŃei unui câmp electric de
intensitate E în semiconductor.
Valoarea forŃei electrice cu care acŃionează câmpul electric de
intensitate E asupra unui purtător de sarcină qe este
r r
F = qe ⋅ E ,

unde q e = ±1,6 ⋅ 10 −23 C (semnul minus pentru electroni şi plus pentru

goluri).
ForŃa de difuzie este acea forŃă care apare datorită
neuniformităŃii de concentraŃie a purtătorilor în diferite zone ale
semiconductorului fiind proporŃională cu gradientul concentraŃiei
r
F ≈ grad n
d

Pentru a caracteriza local starea de conducŃie electrică se

foloseşte densitatea „j” a curentului electric de conducŃie. Integrala
de suprafaŃă a densităŃii de curent exprimă valoarea curentului
electric de conducŃie care străbate respectiva suprafaŃă
r r r
j ⇒ i = ∫ j dA .
Σ

În condiŃiile unei densităŃi de curent uniforme avem

i
j = const ⇒ j = ,
SI

unde Sj este aria suprafeŃei Σ.

ForŃa electrică determină apariŃia unei densităŃi de curent prin
suprafaŃă care este proporŃională cu Vm (viteza medie a
purtătorilor), concentraŃia purtătorilor p şi sarcina electrică
transportată de un purtător qp
r r
j p = q p pV m .

18
 Viteza medie a purtătorilor poate fi exprimată prin intermediul
coeficientului µp numit mobilitate

Vm = µ p E

Se obŃine expresia densităŃii de curent a golurilor aflate într-un

câmpului electric
r r
jp = p qpµpE

Sub influenŃa câmpului electric electronii vor determina o

densitate de curent
r r
jn = −qn n µ n E ,

Semnul minus se datorează faptului că electronii se mişcă

invers liniilor de câmp electric, ca în figura 1.10b. Cele două
densităŃi de curent se însumează dacă există două tipuri de purtători
de sarcină.
r r r r r
j e = j p + j n = (q p pµ p − q n nµ n )⋅ E = q e ( pµ p + nµ n ) ⋅ E .

Expresia din finală se obŃine deoarece q p = −q e , q n = q e .

Legea de material a conducŃiei poate fi utilizată pentru a stabili
expresia rezistivităŃii ρ a unui semiconductor

r r 1 r 1
j = σE = E ⇒ ρ= .
ρ q e ( pµ p + nµ n )

Expresie care sugerează modalităŃile de modificare a

rezistenŃei unui semiconductor, şi anume prin modificarea
concentraŃiei de impurităŃi.
Mobilitatea purtătorilor este afectată
- de temperatură crescând odată cu creşterea
temperaturii,
- de concentraŃia de impurităŃi care determină scăderea
mobilităŃii,
- de intensitatea câmpului electric aplicat din exterior (la
intensităŃi mari mobilitatea scade).
ForŃa de difuzie determină densităŃi de curent în semiconductor
a căror expresii se pot exprima

19
 r
 j pd = −qe D p grad p
r ,
 jnd = qe Dn grad n

în funcŃie de gradientul de concentraŃie, de sarcina purtătorilor şi de

coeficienŃii de difuzie Dp, Dn ai fiecărui tip de purtător de sarcină.
CoeficienŃii de difuzie sunt mărimi dependente de materialul
semiconductorului, fiind corelate cu mobilitatea purtătorilor prin
relaŃiile Euler

KT KT
Dp = µp; Dn = µn .
qe qe

DensităŃile de curent ale celor doi purtători de sarcină se

însumează
r r r
jd = j pd + j pn .

Densitatea de curent care se stabileşte printr-o suprafaŃă a unui

semiconductor când acŃionează atât forŃa electrică cât şi forŃa de
difuzie sumează efectul celor două forŃe
r
r r dE
j = je + j d + ε ,
dt

Expresia densităŃii de curent conŃine un termen (ultimul)

dependent de viteza de variaŃie în timp a câmpului electric
r
dE
jv = ε ,
dt

care poartă numele de „densitate de curent de deplasare”.

Densitatea curentului de deplasare este semnificativă când
intensitatea câmpului electric are o viteză mare de variaŃie în timp.

Generarea şi recombinarea purtătorilor de sarcină

Fenomenul de recombinare constă în scăderea energiei unui
electron liber sub valoarea nivelului Wv , ceea ce determină fixarea
acestuia într-o legătură covalentă nesatisfăcută.
Dacă legătura covalentă provine de la materialul
semiconductor de bază rezultă dispariŃia a 2 purtători de sarcină
(atât un electron cât şi un gol).

20
 Dacă electronul este prins într-o legătură a impurităŃii sau a
unui centru de recombinare se pierde numai un electron pentru
procesul de conducŃie, vezi figura 1.11a, deoarece atomul de
impuritate este ionizat şi primind un electron devine neutru.

W W
recombinare cu Ion pozitiv
centru de captură (1 purtător
Wc Wc
(1 e-) generat)

recombinare
Wv Wv gol
bandă-bandă
(2 purtători)
(2 purtători)
b)
a)
Fig. 1.11.

Generarea purtătorilor de sarcină se poate face în perechi (un

electron şi un gol) dacă electronul provine dintr-o legătură
covalentă.
Se generează numai un purtător dacă electronul provine de la
un atom de impuritate care, prin cedarea sau acceptarea, unui
purtător se ionizează. Semiconductorul rămâne neutru pentru că
sarcina purtătorului generat este egală şi de semn opus sarcinii
ionului format, vezi figura 1.11.
Viteza netă de recombinare a purtătorilor U este definită drept
variaŃia excesului de sarcină în unitatea de timp faŃă de sarcina
stabilită de echilibrul termodinamic
pn − ni2
U= ,
τ n ( n + nt ) + τ p ( p + p t )

unde τ n şi τ p reprezintă timpul de viaŃă al electronului şi respectiv

al golului, n şi p sunt concentraŃiile de purtători iar nt şi pt
reprezintă concentraŃii fictive de purtători dacă aceştia ar avea
energia corespunzătoare nivelului de captură (în cazul recombinării
prin neutralizarea unei impurităŃi ionizate, energia nivelului de
captură corespunde nivelului energetic introdus de impuritate – ca
în 1.11 a).
La echilibru termodinamic între concentraŃiile de purtători
avem relaŃia

n p = ni 2 U= 0,

21
pentru că U este viteza netă de recombinare, adică diferenŃa între
viteza de recombinare a purtătorilor şi viteza de generare a acestora,
viteze care la echilibru termodinamic sunt egale.

1.5. JoncŃiunea p-n la echilibru termodinamic

JoncŃiunea PN este linia care separă două zone
semiconductoare diferite - una de tipul P şi cealaltă de tipul N -
care au fost puse în contact.
La echilibru termodinamic temperatura este constantă şi nu
există schimb de energie cu exteriorul.
ConcentraŃiile purtătorilor în cele două zone semiconductoare
sunt prezentate în tabelul de mai jos.

P N
p = N A + p 0 ≅ N A goluri n = N D + n0 ≅ N D electroni
 
 n i2  n i2
 n = p =
 NA  ND
goluri - majoritare electroni - majoritari
electroni - minoritari goluri - minoritare

Datorită faptului că în zona P avem multe goluri, în condiŃiile

în care se pune în contact cu N, apare fenomenul de difuzie care
determină transferul de goluri din zona P în zona N.
La fel se pune problema pentru electronii din zona N, aşa încât
plecând golurile de la suprafaŃa semiconductorului de tip P această
zonă este sărăcită în purtători şi plecând electroni de la suprafaŃa
semiconductorului din zona N aceasta este sărăcită în sarcini
negative, ca în figura 1.12.

P N

-lp +ln
r
E dp

Fig. 1.12

În zona de joncŃiune, datorită plecării purtătorilor de sarcină,

rămân numai ionii de impuritate.

22
 Ionii de impuritate de la suprafaŃa semiconductorului de tip N
sunt sarcini pozitive (pentru că au cedat un electron) şi determină o
densitate de sarcină

q = qe ND pe intervalul 0,..., ln ,

(se înmulŃeşte sarcina ionului cu densitatea ionilor din zona

semiconductoare N).
Ionii de impuritate de la suprafaŃa semiconductorului de tip P
sunt sarcini negative (pentru că au primit un electron) şi determină
o densitate de sarcină q = -qe NA pe intervalul -lp ,..., 0 (se
înmulŃeşte sarcina ionului cu densitatea ionilor din zona
semiconductoare P).
PrezenŃa celor două acumulări de sarcină la joncŃiune conduce
la apariŃia unui câmp electric de intensitate notată cu E.
Intensitatea câmpului electric poate fi calculată pe baza legii
fluxului electric, care stabileşte faptul că fluxul inducŃiei D a
câmpului electric printr-o suprafaŃă închisă este egal cu cantitatea
de electricitate-sarcină electrică din volumul delimitat de suprafaŃa
respectivă

ε grad (Ē) = q .

În condiŃiile din figura 1.12, când intensitatea câmpului se

modifică numai pe OX gradientul conŃine numai derivata pe axa „x”

dE
ε = q
dx .

Separând variabilele se obŃin expresiile câmpului electric

NA
E ( x) = −q e (l p + x) pentru − l p ≤ x ≤ 0
ε ,
ND
E ( x) = −q e (l n − x) pentru 0 ≤ x ≤ l n
ε
ca în figura 1.13.
Din condiŃia de continuitate a câmpului în origine

E(-0) = E(+0),

se obŃine o relaŃie între lăŃimile zonelor de golire in cele două zone

semiconductoare
NA lp = ND ln .

23
 Zona P E
Zona N

x[µm]
U E0
U0

x
-lp 0 ln

Fig. 1.13.

Considerând drept referinŃă a tensiunii zona neutră a

semiconductorului P (V(-lp) = 0) şi plecând de la definiŃia căderii de
tensiune
p r r
U = ∫ 1 Edr ,
p 0

particularizată pentru joncŃiune

Ip r r
U0 = ∫ Edr ,
−In

se obŃine expresia tensiunii pe joncŃiune cunoscută sub numele de

barieră de potenŃial
qN qN
U0 = e A l p2 + e D ln2
ε ε

care se opune transferului de purtători prin joncŃiune.

De fapt câmpul electric determină forŃa electrică Fe , din figura
1.14, care este de sens opus forŃei de difuzie Fd .
r
Fd
r r
Fe = q e E

Fig. 1.14.

La conectarea celor două zone începe procesul de difuzie a

purtătorilor, zona de golire se extinde, sarcina de fiecare parte a
joncŃiunii creşte, câmpul electric creşte şi forŃa electrică creşte aşa
încât

24
 ⇒ me a = Fd − Fe

diferenŃa celor două forŃe se micşorează.

Transferul de sarcină şi extinderea zonelor golite în purtători
încetează când forŃa electrică egalează forŃa de difuzie.
Notând lăŃimea totală a zonei de golire l = lp + ln din ecuaŃia
barierei de potenŃial se obŃine

2ε  1 1 
l=  + U0 .
q e  N A N D 

Deoarece avem două acumulări de sarcini opuse separate

printr-o zonă de lăŃime l în care se stabileşte un câmp electric,
rezultă că avem un condensator a cărei capacitate
ε SJ
CB = ,
l

este numită capacitate de barieră.

Expresia barierei de potenŃial poate fi dedusă pe baze energetice,
Ńinând seamă de faptul că energiile benzilor de conducŃie din cele
două zone semiconductoare trebuie să se racordeze

Wc(-l p) = Wc(+l n) + qe U0

aşa ca nivelul Fermi W F să fi acelaşi în toată structura (ca în figura

1.15).

Wc(-l p) Wc(+l n)
qe U0
WF

-lp 0 +ln

Fig. 1.15

Energiile benzilor de conducŃie se explicitează din expresia

purtătorilor majoritari din zona semiconductoare N

W (l ) − W F
n = N D = A exp(− c n )
kT

25
din care se determină Wc(+l n) .
Din expresia purtătorilor minoritari din zona semiconductoare P se
determină Wc(-l p)
ni2 Wc (−l p ) − W F
n= = A exp(− )
NA kT

Înlocuind se obŃine expresia barierei de potenŃial ca funcŃie

numai de caracteristicile zonelor semiconductoare (ND , NA)

kT N N
U0 = In( A D )
qe ni2

unde n i reprezintă concentraŃia intrinsecă şi are valoarea

3 ∆W
−
ni = AT 2 e 2 KT
.

1.6. Polarizarea joncŃiunii P-N

Polarizarea joncŃiunii P-N constă în aplicarea din exterior a

unei surse de tensiune electromotoare cu bornele sursei pe zonele
neutre ale semiconductorului.
Dacă borna pozitivă a sursei se aplică pe zona P polarizarea
este directă, iar când pe zona P se aplică borna negativă polarizarea
este inversă.
În cazul polarizării directe a joncŃiunii t.e.m. EAA determină
apariŃia unui câmp electric notat EA care este de sens invers
câmpului electric intern notat E0. Rezultă că valoarea câmpului
electric care acŃionează asupra purtătorilor se micşorează, ceea ce
înseamnă că o parte din purtători vor traversa datorită forŃei de
difuzie zona de golire. Golurile din zona P vor ajunge în zona N
până la o distanŃă Lp = lp + ∆p (vezi figura 1.16), numită lungime
medie de difuzie a golurilor şi definită drept acea distanŃă pe care o
parcurge un golul până la recombinarea cu un electron.
Lungimea medie de difuzie poate fi exprimată

L p = D pτ p
prin D p - coeficientul de difuzie şiτ p - timpul de viaŃă al golurilor
(definit drept timpul cât golul se mişcă în zona N – de la intrare şi
până la recombinare).

26
 Golurile, provenind din zona P, vor modifica, pe distanŃa ∆p,
concentraŃia purtătorilor minoritari din zona N.

P N
Pp 0 nn0 ≈ ND

-ln r +lp
E0
r -ln +lp P≈0
EA
∆n ∆p

E AA
Fig. 1.16.

ConcentraŃia de goluri, pe distanŃa ∆p, va diferi de concentraŃia

impusă de echilibrul termodinamic. Vom avea o sarcină
suplimentară numită sarcină în exces.
Aceleaşi considerente se fac pentru electronii proveniŃi din
zona N şi injectaŃi în zona P.
Acumulările de sarcină excedentară determină definirea unei
capacităŃi numită capacitate de difuzie

∆q
Cd = .
E AA

Această teorie este valabilă în cazul nivelelor mici de injecŃie

adică atunci când curentul electric de conducŃie prin semiconductor
nu are valori foarte mari, ceea ce înseamnă că numărul de purtători
care sunt injectaŃi prin suprafaŃa semiconductorului este mic în
raport cu numărul de purtători majoritari din zona respectivă.
Exemplu numeric:
Ppot → 1015 K1018
⇒
∆Pinj = 1012

în zona P: ( )
Ppot + ∆Pinj = 1015 + 1012 = 1012 103 + 1 ≅ 1015 ⇒
⇒ la nivele mici concentraŃia de purtători majoritari (goluri
în zona P) nu se modifică prin injecŃie de purtători minoritari.
Dar golurile care ajung în zona N (unde sunt minoritari) vor
modifica concentraŃia de purtători minoritari (pe distanŃe mici). La
fel se prezintă situaŃia pentru electronii care ajung în zona P.

27
 Sursa de t.e.m. furnizează numai purtătorii care au fost
injectaŃi (spre exemplu furnizează electroni pentru zona N), dar
numărul acestora este mic faŃă de ce există deja în zonă, rezultă că
vor determina un curent de valoare mică în zonele neutre (unde sunt
plasate bornele sursei). Curentul de valoare mică determină căderi
de tensiune mici, motiv pentru care se neglijează căderile de
tensiune pe zonele neutre. Reformulând putem spune că întreaga
tensiune furnizată de sursa de t.e.m. se aplică joncŃiunii.
La polarizarea inversă a joncŃiunii intensitatea câmpului
intern E 0 are acelaşi sens cu valoarea câmpului E A - determinat de
sursa de t.e.m. E AA (vezi figura 1.17).

P N

-ln r +lp
E0
r
EA

E AA

Fig. 1.17.

În acest caz, câmpul electric este favorabil mişcării

purtătorilor minoritari, mişcarea purtătorilor majoritari fiind blocată
atât de bariera de potenŃial cât şi de câmpul stabilit în materialul
semiconductor de sursa externă.
Constatăm că avem de-a face cu un transfer de goluri din
zona N în zona P care determină un curent electric de conducŃie de
valoare mică (pentru că există puŃini purtători de sarcină – goluri în
zona N).
La polarizarea inversă curenŃii prin dispozitiv sunt determinaŃi
de fenomenul de „generare de purtători” în zona de trecere sau în
zonele neutre.
În figura 1.18 se prezintă densităŃile curenŃilor care circulă
prin joncŃiunea P-N a)la polarizarea directă şi separat b) la
polarizarea inversă.
La polarizarea directă intervin densităŃile de curent datorate
difuziei purtătorilor, care pot fi exprimate în funcŃie de tensiunea VA
de pe joncŃiune (la nivele mici de injecŃie VA = EAA)

28
  qV A 
jd = j0  e KT − 1 .
 
 
DensităŃile de curent jr ,reprezintă curenŃii de recombinare
directă a purtătorilor de sarcină (în zona de golire) şi pot fi
exprimaŃi prin relaŃia
 qVA 
j r = j 0 r  e 2 KT − 1 .
 

jpd

r jnd r r
J J J
r
 J
 jr jr

lp Lp
− Ln − ln lp Lp

a) b)
Fig. 1.18.
DensităŃile j0 şi j0r sunt constante, dependente de natura
semiconductorului de bază şi doparea acestuia cu impurităŃi.
Curentul prin dispozitiv se obŃine înmulŃind densitatea de
curent cu suprafaŃa transversală a semiconductorului.
Atât pentru polarizarea directă cât şi pentru polarizarea
inversă, curentul prin joncŃiune poate fi descris de ecuaŃia

 qV A 
I = I 0  e mKT − 1
 
 

unde m este coeficientul de neidealitate, m = 1K 2 iar V A este

valoarea tensiunii aplicate pe joncŃiune. Dispozitivul este ideal
pentru m=1.
În figura 1.19 este prezentată caracteristica statică a joncŃiunii
P-N, conformă cu modelul exponenŃial (caracteristica statică
exprimată analitic).
La polarizarea directă curentul este mic până când tensiunea de
polarizare ajunge la valoarea tensiunii Vp numită tensiune de prag.
Tensiunea de prag are valori diferit în funcŃie de tipul
semiconductorului de bază Vp = 0,7 V la Si,
Vp = 0,3 V la Ge, Vp = 1,0 V la As.

29
 La polarizarea inversă curentul are valori foarte mici şi creşte
puŃin la creşterea tensiunii inverse.
I
2000A

V
VP
Polarizare Polarizare
inversă directă

Fig. 1.19

În figura 1.20 este prezentată joncŃiunea P-N în corespondenŃă

cu dispozitivul semiconductor numit diodă semiconductoare
realizat pe baza unei joncŃiuni P-N. Anodul diodei A este pe zona P
a joncŃiunii iar catodul K este pe zona semiconductoare N a
joncŃiunii.

A P N K

IA
A K

VAK

Fig. 1.20

Aplicarea tensiunii de polarizare pe joncŃiunii se face prin

intermediul unor electrozi metalici.

1.7. Fenomene care modifică caracteristica statică

a joncŃiunii P-N

A: Efectul nivelelor mari de injecŃie

În condiŃiile în care curentul prin dispozitiv are valori mari,
acesta fiind dat de purtătorii injectaŃi înseamnă că putem spune că
dispozitivul funcŃionează la nivele mari de injecŃie.

30
 Nu mai pot fi neglijate căderile de tensiune Vl pe zonele
neutre ale fiecărui semiconductor, rezistenŃa acestora se notează RN
în figura 1.21a [8, 9].
Pe joncŃiune nu mai ajunge toată tensiunea sursei ci numai Vj

V AK = V1 + V j + V1 ,
V AK = 2V1 + V j ,

ceea ce conduce la modificarea caracteristicii statice ca în figura

1.21,b.
Curentul prin dispozitiv se obŃine din sistemul de ecuaŃii
V AK = 2 R N I A + V j

  qV j  ⇒ I A = f (V AK )
I = I  e mKT − 1
 A A0
 
  

IA reală
RN RN
P N
I1L
V1 Vj V1

VAK IA 0 VAK

b)
a)
Fig. 1.21.

B: Efectul creşterii temperaturii

Temperatura determină concentraŃia intrinsecă de purtători de
unde rezultă că va creşte numărul de purtători (minoritari şi
majoritari) şi curentul rezidual I A - se dublează curentul rezidual
0

la fiecare creştere cu 10°C a temperaturii joncŃiunii.

Tensiunea pe joncŃiune VAK =Vj scade cu 2mV (1,1...2,1mV) la
fiecare creştere de 1°C a temperaturii.
Tensiunea la temperaturi uzuale este V AK = 0,65V = 650mV .
Efectul temperaturii asupra căderii de tensiune pe joncŃiune
este utilizat la realizarea traductoarelor de temperatură, pentru o
gamă de temperaturi din domeniul –10,..,+1000C.

31
 Temperatura joncŃiunii este limitată la Tjmax = 1250C în cazul în
care semiconductorul de bază este Si. O temperatură mai mare
conduce la ambalarea termică a dispozitivului cu efecte ireversibile.

C: Efectul prelucrării suprafeŃei semiconductorului

Prelucrarea necorespunzătoare a suprafeŃei
semiconductorului determină absorbŃia pe suprafaŃa acestuia de
elemente străine, care se constituie în impurităŃi nedorite. Acestea
vor determină nivele energetice aflate în interiorul benzii interzise
BI a semiconductorului, numite centre de recombinare. Se modifică
astfel necontrolat proprietăŃile electrice ale semiconductorului
(creşte curentul rezidual şi curentul de recombinare).

D: Efectul creşterii tensiunii inverse aplicate dispozitivului

Creşterea tensiunii inverse aplicată joncŃiunii determină o
creştere a curentului invers. Pentru o anumită valoare a tensiunii
inverse notată cu U BR numită tensiune de străpungere (vezi figura
1.22), apare un canal conductor între anod şi catod. Spunem că
dispozitivul s-a străpuns. Se comportă în circuit ca un rezistor de
valoare foarte mică.
Străpungerea are loc prin 3 fenomene fizice:
- multiplicarea în avalanşă a curentului;
- tunelarea (efectul Zener);
- atingere.
1. Multiplicarea în avalanşă constă în creşterea
curentului datorită faptului că sub influenŃa câmpului electric extern
creşte energia electronului (Wc ) astfel încât ciocnirea acestuia de un
atom neutru să determine smulgerea unui electron. Se generează
astfel doi purtători de sarcină, un electron şi a unui gol.
La rândul lui electronul secundar poate să genereze prin
acelaşi mecanism alŃi putători de sarcină.

Fig. 1.22.

32
 Creşterea numărului de purtători determină creşterea curentului
în dispozitiv.
Dacă curentul prin dispozitiv nu depăşeşte o anumită valoare
maximă fenomenul este reversibil - adică la scăderea tensiunii
inverse curentul scade, altfel canalul conductor este permanent şi
dispozitivul se comportă rezistiv.
2. Efectul de tunelare se obŃine la dispozitivele
semiconductoare a căror concentraŃie de impurităŃi este mare
(1016 K1018 at imp/cm3 ) . În aceste condiŃii, limitele benzii de valenŃă
din una din zone (Wc ) este apropiată de limitele benzii de conducŃie
din zona cealaltă. Un electron dintr-o legătură covalentă trecând
peste zona de golire va deveni în cealaltă zonă electron liber (pentru
că energia lui corespunde energiei benzii de conducŃie BC). Apar
astfel putători de sarcină suplimentari care determină creşterea
bruscă a curentului fără ca tensiunea să se fi modificat [18].
3. Fenomenul de atingere apare în condiŃiile în care
dispozitivul semiconductor este realizat cu zone semiconductoare
subŃiri. Creşterea tensiunii inverse determină atât o creştere a
câmpului electric intern cât şi creşterea lăŃimii zonei de golire,
astfel că la o valoare a tensiunii aplicate (notate cu VBR ), zona de
golire ajunge să atingă electrodul de injectare. Câmpul electric
intern, datorat polarizării inverse a joncŃiunii va fi favorabil
transferului în semiconductor a purtătorilor de la sursa de t.e.m.
direct în zona de purtători majoritari (electroni furnizaŃi de sursă
sunt injectaŃi în zona N). Curentul creşte puternic determinând
deteriorarea dispozitivului prin topirea joncŃiunii.

1.8. Circuite echivalente ale joncŃiunii P-N în regim

static

Un circuit echivalent este un circuit realizat cu elemente

pasive şi surse comandate sau necomandate, care poate înlocui
dispozitivul semiconductor fără ca regimul de tensiuni şi curenŃi să
se modifice în exteriorul dispozitivului. Altfel spus aplicând un
semnal la intrarea dispozitivului şi acelaşi semnal la intrarea
circuitului echivalent cele două răspunsuri vor fi identice, pentru un
anumit domeniu al semnalului de intrare sau pentru tot domeniul
permis.
În figura 1.23 a) este prezentată caracteristica statică sub
formă grafică a dispozitivului numit diodă semiconductoare
(joncŃiunea PN), al cărui simbol şi model matematic sunt reluate în
1.23b.

33
Pornind de la caracteristica statică se pot realiza scheme echivalente
pentru diferite domenii de funcŃionare al căror răspuns să fie
suficient de aproape de răspunsul real.

IA (IF) P N

IA
A K

VAK
I0 VAK
 qVAK 
I A = I A 0  e mKT − 1
 
(IR)

a) b)
Fig. 1.23.

Caracteristica statică din figura 1.23a poate fi liniarizată ca în 1.24.

IA
Rd

VP VAK
Rinv
Fig. 1.24.

Se definesc :
- tensiunea de prag, ca fiind tensiunea de la care dispozitivul este în
0,3V Ge
conducŃie (circulă un curent semnificativ) Vp =  ;
0,7V Si
- rezistenŃa internă în conducŃie, este rezistenŃa dispozitivului
pentru VAK > VP
D V AK
Rd = ⇒ V AK = R d I A + V p ;
IA V AK >V p

- rezistenŃa internă în blocare, este rezistenŃa pentru

34
 D V AK
VAK < VP , Rinv = .
IA V AK <V p

Schema echivalentă corespunzătoare caracteristicii statice din figura

1.24 este prezentată în figura 1.25.
Vp
VAK>Vp Rd + -

IA
A K

VAK <Vp Rinv

Fig. 1.25.

Circuitul din figura 1.25 conŃine două comutatoare care

lucrează în opoziŃie – când este unul închis celălalt este deschis.
Deasupra fiecărui comutator este înscrisă condiŃia care dacă este
îndeplinită determină închiderea comutatorului. Dacă între cele
două tensiuni există relaŃia VAK < VP numai comutatorul de jos este
închis şi

VAK = Rinv IA.

Pentru VAK > VP numai comutatorul de sus este închis şi

VAK = Rd IA + VP .

VAK>Vp Rd VAK>Vp Rd

IA IA
A K A K

VAK>Vp Rinv

a) b)
Fig. 1.26.

35
 În condiŃiile în care tensiunea de prag VP este mică în raport
cu tensiunea aplicată la bornele dispozitivului se poate folosi una
din schemele echivalente din figura 1.26 în care se consideră
VP = 0.
RezistenŃele interne au valori din domeniile
Rd [Ω K sute Ω ] , Rinv [sute KΩ K MΩ] .
Dacă rezistenŃa la polarizarea inversă este foarte mare se
foloseşte schema echivalentă din figura 1.26b, considerând Rinv =
„infinit” ,
pentru VAK > 0 , comutatorul este închis şi în circuit rămâne
rezistenŃa internă de la polarizarea directă Rd ,
pentru VAK < 0 , comutatorul este deschis şi circuitul va fi în
gol (curentul IA = 0 ).

1.9. Circuite echivalente ale joncŃiunii P-N în regim

cvasistaŃionar

Regimul cvasistaŃionar este caracterizat prin faptul că viteza

de variaŃie a mărimilor câmpului electromagnetic este suficient de
mică pentru a considera că trecerea de la un regim la altul se face
printr-o succesiune de regimuri staŃionare.
Regimul cvasistaŃionar se obŃine în cazul în care tensiunea
care se aplică este formată prin suprapunerea a două semnale - un
semnal de c.c. VA şi un semnal de c.a. va (t )

v A (t ) = V A + v a (t ) .
Semnalul variabil în timp este un semnal periodic de perioadă
D 1
T [s] sau de frecvenŃă f= [Hz ] , a cărei valoare medie
T
1
∫0 va (t )dt = 0 este nulă.
T
Vmed =
T

f(t)

Fig. 1.27.

36
 Semnalul din figura 1.27 este periodic, de perioadă „T”
pentru că oricare ar fi momentul de timp „t” avem
egalitatea ⇔ f (t + T ) = f (t ) .

vA
va D
iA
VA
Vmax
vA(t)
T t

a) b)
Fig. 1.28.
Orice semnal periodic se poate descompune, cu ajutorul
seriilor Fourier, într-o sumă formată din componenta de curent
continuu şi un număr de semnale sinusoidale de amplitudini diferite
şi frecvenŃe multiplii ai frecvenŃei semnalului. Rezultă că este
suficient să aflăm răspunsul sistemului liniar la un semnal format
din componenta de curent continuu şi o singură sinusoidă de
frecvenŃă neprecizată
v A (t ) = V A + va (t ) ,

în care va = Vmax sin (ωt ) .

În figura 1.28 este prezentat a)semnalul aplicat şi b) simbolul
diodei semiconductoare.
Pentru că tensiunea are variaŃii atât pozitive cât şi negative
modelul dispozitivului electronic folosit este modelul complet

 mkT
qv A


i A (t ) = I A0 e − 1 .
 
 

Dacă se aplică numai semnalul de curent continuu va = 0

v A (t ) = V A + v a (t ) = V A ,

pentru curentul continuu prin dispozitiv IA se obŃine expresia

 qV A  qV A

v A = V A (c.c.) ⇒ I A = I A0  e mkT − 1 ≈ I A0 e mkT .

 
 

37
 În condiŃiile în care se aplică semnalul complet (c.c +c.a),
curentul prin dispozitiv poate fi scris sub forma

 mKT
qv A
  q (VmkT
A +v A )
  mkT
qV A qv A


i A = I A0  e  
− 1 = I A0  e − 1 = I A0  e ⋅ e − 1 .
  mkT

     

Se notează tensiunea termică

D mkT
VT = ,
q

şi se scriu primii termeni ai dezvoltării în serie de puteri

vA 2
VT v 1 v 
e ≡1 + a +  a  + K
VT 2  VT 
Constatând inegalitatea de mai jos se pot reŃine numai primii
doi termeni din dezvoltarea în serie de puteri
va
va VA v
<1 ⇒ e ≈ 1+ a .
VT VT
În condiŃiile aproximării de mai sus expresia curentului

 VA
v a  VT   VVA  VA
v
i A = IA 0 1 +  
e − 1 = IA 0 e − 1 + I A 0 e VT a = IA + i a ,
T

 VT     VT
142  43
c .c .

va conŃine componenta de curent continuu IA (a cărei expresie am

stabilit-o) şi o componentă variabilă, notată ia .
În expresia componentei variabile a curentului intervine
partea variabilă a tensiunii şi conform legii lui Ohm

 VA 
 
 I A0 e VT v = 1 v ,
ia =   a R a
VT ca
 
 

putem identifica expresia rezistenŃei diodei în regim variabil

VA
VT
1 D I A0 e IA qI A
= = =
Rca VT mkT mkT
q

38
 În condiŃii de regim variabil, dioda semiconductoare se
exprimă la polarizarea directă printr-o rezistenŃă notată cu Rca a
cărei valoare

 mkT 
 Rca =  ,
 qI A 

depinde de valoarea componentei de curent continuu (I A ) .

RezistenŃa inversă a dispozitivului este de cele mai multe ori
considerată foarte mare, aşa încât pentru regimul cvasistaŃionar se
utilizează schema echivalentă din figura 1.29,a .

Cd
VAK >0
VAK>0 Rca
Rca
A K A K

Rinv=∞ CB

a) b)
Fig. 1.29.
În cazul în care frecvenŃa semnalului este mare, schema
echivalentă se completează cu cele două capacităŃi, şi anume la
polarizarea directă cu capacitatea de difuzie şi la polarizarea inversă
cu capacitatea de barieră. Se obŃine schema echivalentă din figura
1.29,b .
Diodele semiconductoare se utilizează la realizarea circuitelor
redresoare, a detectoarelor de nivel a stabilizatoarelor de tensiune
continuă (diode Zener) ş.a.

1.10. Tipuri de diode semiconductoare cu joncŃiune

În prezentul paragraf se trec în revistă principalele tipuri de
diode utilizate curent în aplicaŃii. DiferenŃierea se face în funcŃie de
zona de funcŃionare pe care o foloseşte aplicaŃia [3, 4, 26 ]
A. diode la care se utilizează caracteristica statică de la
polarizarea în conducŃie a diodei, cealaltă ramură a caracteristicii
fiind utilizată pentru blocarea curentului (ideal ar fi ca rezistenŃa să
fie infinită)
B. diode se utilizează caracteristica statică de la polarizarea
inversă a diodei, cealaltă ramură nefiind utilizată (dioda Zener)

39
 NotaŃii:
IF - curentul la polarizare directă;
V F - căderea de tensiune la polarizarea directă;
VR - tensiunea inversă maximă (VBR ) ;
max

I R - curentul la polarizare inversă.

A. Diode în polarizare directă

Diode de comutaŃie – sunt caracterizate prin viteza mare de
răspuns, pentru că evacuarea sarcinii stocate se face rapid. Pot lucra
la frecvenŃe mari ale tensiunii de alimentare.
I F = 200mA ; I F = 10 K100mA ; VR = 75V ; VF = 1V ;
max max

Diode de uz general
I F = 150mA ; I F = 800mA ; VR = 20K50V ; VF = 1V ;
max max

Diode de înaltă tensiune – sunt caracterizate prin faptul că

suportă tensiuni mari de polarizare inversă. Spre exemplu TV13,
TV18, ş.a.
I F = 0,2mA ; V R = 13kV ;
max max

Diode de putere – sunt realizate pentru a vehicula puteri mari

şi foarte mari.
I F = 5500 A ; I F = 1100 A ; I R = 6mA ; V R = 1300 K1800V ; VF = 1,4V ;
max max

B. Diode în polarizare inversă

Diode stabilizatoare – sunt realizate aşa fel încât să poată
funcŃiona în zona reversibilă de străpungere. Este cunoscută sub
numele de diodă Zener.
VZ = 0,75K 200V ; I Z = 5K 700 A ; rZ = 2 K1500Ω ; Puteri disipate
max

0,4W | 1W | 4W | 10W | 20W.

În figura 1.30 este prezentată caracteristica statică a diodei
Zener.
Zona de polarizare inversă, corespunzătoare străpungerii
reversibile poate fi aproximată prin ecuaŃia

VZ = VZ 0 + rZ I Z ,

în care apar Vz0 – tensiunea de stabilizare şi rz – rezistenŃa internă a

diodei.
RezistenŃa internă se defineşte prin relaŃia
D VZ
rZ = .
IZ

40
 Tensiunea de stabilizare VZ 0
se modifică cu temperatura
conform ecuaŃiei:

VZ0 = VZ 0T (1 + α Z ∆T ) ,

în care coeficientul de variaŃie cu temperatura are valori din

domeniul

α Z = 2 K8 ⋅10 −4 [/ °C ]

IA

NU

VZ VBR ≡ VZ 0
I min VAK

 Zona de

 străpungere
I max  reversibilă
IZ

Fig. 1.30

Diodele Zener se construiesc pentru tensiuni cuprinse în

domeniul 1,5...,200V. L0 cu tensiunea < 5V avem α z negativ pentru
că predomină fenomenul de tunelare, iar pentru tensiuni > 5V α z
este pozitiv pentru că predomină fenomenul de avalanşă.

1.11. Principiul superpoziŃiei

În cazul general circuitele electronice primesc la intrare un

semnal variabil a cărui componentă de curent continuu este nenulă.
Semnalul poate fi considerat ca fiind format prin suprapunerea unui
semnal de c.c. VA şi un semnal periodic va(t) fără componentă de
curent continuu, altfel spus a cărui valoare medie este nulă.
Fie semnalul
VA(t)=VA + va(t),

1 T
unde Vmed =
T ∫
0
v a (t )dt = V A .

41
În figura 1.31 este prezentat un astfel de semnal unde componenta
variabilă este sinusoidală
va(t)= Vmax sin( ωt ), va(t)= 2 Vef sin( ωt )

1
a cărui frecvenŃă este f = [ Hz ] .
T

VA(t)
va(t)
,
Vmax

VA
t
ωt

T
Fig. 1.31.

ω = 2πf [rad / s]
Se definesc mărimile α = ωt[rad ] ,
1 T
Vef =
T ∫
0
v A2 (t )dt

numite ω – pulsaŃie, α = ωt – fază şi Vef – valoarea efectivă.

Orice semnal variabil poate fi exprimat printr-o sumă de
semnale sinusoidale de frecvenŃe (pulsaŃii) diferite:
va(t)= ∑ Vak sin(kωt + ρ k ) =V1sin( ωt + ρ 1)+ V2sin( ωt + ρ 2)+... ,

BK
unde tg ρ k = ; Vak = AK2 + BK2 ,
AK
iar termenii Ak şi Bk provin din dezvoltarea în serie Fourier a
semnalului şi pot fi calculaŃi cu relaŃiile

2 2
T∫ T∫
AK= v a (t ) sin kωtdt , B K= v a (t ) cos kωtdt .

Valoarea efectivă şi respectiv valoarea medie a semnalului se

calculează cu relaŃiile
n
1
∑V
T
∫ v A dt = V A
2
Vef = ak , Vmed = .
k =1 T 0

42
 Forma de undă este caracterizată, din punctul de vedere al
apropierii acesteia de o mărime continuă, de unul din factorii
factorul de formă γ şi Ω de factorul ondulaŃie
Vef Vaef
γ = , Ω= .
VA VA
Pentru un semnal continuu factorul de formă este zero iar factorul
de ondulaŃie este 1.
Principiul suprapuneri efectelor sau al superpoziŃiei afirmă faptul
că răspunsul unui sistem este dat de suma răspunsurilor sistemului
la aplicarea mărimii de c.c. si la aplicarea mărimii de c.a.. astfel:
- se calculează mai întâi răspunsul sistemului la aplicarea unei
tensiuni de curent continuu ;
- se calculează răspunsul sistemului la aplicarea unei tensiuni
de curent alternativ ;
- răspunsul sistemului este dat de suma celor doua răspunsuri.

V0 este componenta de c.c.

v(t ) = V0 + ∑ 2Vak sin( kωt + ϕ x ) → Vak armonica de ordin k = 2,...n
V0 , fundamentala tesiunii
2π
T [ s ] − perioada; ω = pulsatia
T

Rezolvarea circuitelor neliniare

Există două metode consacrate şi anume metoda grafică şi
metoda analitică.
În cadrul metodelor grafice se utilizează caracteristici statice
ale dispozitivelor exprimate sub forma grafică.
În cadrul metodelor analitice se utilizează caracteristici statice
ale dispozitivelor exprimate sub forma unor ecuaŃii matematice.
Se exemplifică ambele metode pentru circuitul cu diodă
semiconductoare din figura 1.32.

IA D

VA VI
VAK
R

Fig. 1.32.

43
Metoda grafică
Teorema a II-a a lui Kirchhoff RIA+ VAK = VA, determină ecuaŃia
dreptei de sarcină.
Dreapta de sarcină se reprezintă prin intersecŃiile cu axele de
coordonate
VA  VA 
IA=0, VAK=VA pentru (VA, 0), VAK=0 ⇒ IA= , 0 ,
R  R
în planul caracteristicilor statice ale dispozitivului semiconductor
(în acest caz ale diodei). SoluŃia se obŃine la intersecŃia celor două
curbe. Spunem că soluŃia determină punctul static de funcŃionare
al dispozitivului P.S.F. (VAo,IAo).

IA

VA
R

IAo P.S.F.

VAo VA VAK

Fig. 1.33.
Metoda analitică
EcuaŃiile din care se determină PSF sunt
1. V1+VAK=RIA+ VAK (dreapta de sarcină)
qV AK

2. IA= Io(e mKT

-1) (modelul analitic al dispozitivului)

Sistemul se rezolvă printr-o metodă oarecare – spre exemplu direct

 v AK
 R + R ; v AK > 0
i= d
v AK
 ; v AK < 0
 R + Rinv

Dacă semnalul este cvasistaŃionar soluŃia analitică se obŃine

cu ajutorul transformării în complex a circuitului.
Dacă frecvenŃa este mare, sau în condiŃiile tranziŃiei de la o
stare la alta a circuitului se foloseşte transformata Laplace.

44
1.12. Circuite de redresare

Circuitele de redresare au rolul de a transforma mărimea

alternativa de la intrare într-o mărime a cărei componentă medie
este nenulă.
Redresoarele pot fi monofazate sau polifazate, în funcŃie de
tensiunea aplicată la intrarea circuitului.
După modul de utilizare a alternanŃelor tensiunii variabile de
la intrare redresoarele pot fi:
- monoalternanŃă, când numai una din alternanŃele tensiunii
de intrare participă la obŃinerea tensiunii de pe sarcină;
- bialternanŃă, când ambele alternanŃe sunt utilizate la
formarea tensiunii de curent continuu.

Redresorul monofazat monoalternanŃă cu sarcină rezistivă

Redresorul din figura 1.34 este monofazat pentru că se

alimentează cu o singură tensiune vi = 2Vi sin(ωt ) , este
monoalternanŃă pentru că având un singur element neliniar de
circuit, şi anume dioda D, poate prelucra o singură alternanŃă a
tensiunii de intrare vi (ca în figura 1.35) şi este cu sarcină rezistivă
pentru că la ieşire se află rezistorul RS .
i
D

vi VAK VL
RS

Fig. 1.34.
Dioda semiconductoare este modelată prin rezistenŃa internă

Rd , V AK > 0
Rint =  .
 Rinv → ∞, V AK < 0

În circuitul avem un singur curent, circuitul fiind neramificat

i
 vi
 R + R , vi > 0 ⇔ VAK > 0;0 ≤ ωt ≤ π
vi
= = S d
RS + Rint 
vi
≅ 0, vi < 0 ⇔ VAK ≤ 0; π ≤ ωt ≤ 2π
 RS + Rinv

45
 Valoarea de curent continuu este valoarea medie a curentului
π 2Vi sin(ωt )
∫ , 0 ≤ ωt ≤ π
1 T 1 2π 0 Rs + Rd
I 0 = ∫ i (t ) = ∫ i (ω t )d (ω t ) = 2π ,
T 0 2π 0
 2Vi sin(ωt )
∫ Rs + Rinv
, π ≤ ωt ≤ 2π
π

1  π 2Vi sin(ωt ) 2π 2Vi sin(ωt ) 

I0 = ∫ d(ωt ) + ∫ d (ωt )  =
2π  0 Rs + Rd π Rs + Rinv
 
1 2Vi π 1 2Vi 2π

2π Rs + Rd ∫ 0
sin(ωt )d (ωt ) +
2π Rs + Rinv ∫π sin(ωt )d (ωt ) =

− 2Vi 2Vi ⋅ 2 2Vi

⋅ cos(ωt ) π0 = =
2π ( Rs + Rd ) 2π ( Rs + Rd ) π ( Rs + Rd )
2
I0 = I max
π

Vi

t
ωt

0 π 2π 3π 4π
iL

I0
t
ωt

vL

V0 t
ωt

Fig. 1.35.

S-a notat cu Imax valoarea maximă a curentului în decursul

unei perioade a tensiunii de alimentare.

46
 Din figura 1.35 se constată că valoarea medie se obŃine prin
egalarea ariei mărginită de curba i = f(ωt) cu aria unui dreptunghi
de lungime 2π şi înălŃime I0 înălŃime numită valoarea medie a
curentului.
Componenta de curent continuu a tensiunii se află cu relaŃia
lui Ohm
2Vi 2Vi
V0 = Rs ⋅ I 0 = ⋅ Rs ≅ .
π ( Rs + Rd ) π

Din figura 1.35 constatăm că tensiunea pe sarcină nu este

tocmai continuă ci are variaŃii în jurul valorii medii. De fapt este un
curent (şi tensiune) variabil în timp. Valoarea efectivă a acestui
curent este
2
1 2π 1 π  2Vi sin(ωt ) 
I =
2
∫ i (ωt ) ⋅ d (ωt ) =
2
∫   d (ωt ) =
ef
2π 0 2π 0  R +R 
 s d 
1 2Vi 2 π
⋅
2π Rs + Rd ∫0
sin(ωt ) 2 ωtd (ωt ) =

Vi 2 π 1 − cos 2ωt Vi 2  sin 2ωt  π

π ( Rs + Rd ) 2 ∫0 2
d (ωt ) =
2π ( Rs + Rd ) 2  2ωt − 2  0 =

Vi 2 ⋅ π Vi 2
= =
2π ( Rs + Rd ) 2 2( Rs + Rd ) 2

De unde avem expresia valorii efective a curentului

Vi
I ef = .
2 ( Rs + Rd )
Pentru a efectua o comparaŃie între valoarea efectivă şi
valoarea de curent continuu se exprimă una în funcŃie de cealaltă

π
I ef = I0 .
2
Din reŃeaua de curent alternativ circuitul absoarbe numai
putere activă (pentru că nu conŃine decât rezistoare, ceea ce
înseamnă că defazajul ϕ dintre tensiune şi curent este nul)

π
Pca = UI cos ϕ = UI = Vi I ef = Vi I0 .
2
Randamentul este definit prin eficienŃa conversiei puterii de
curent alternativ (a puterii active) în putere de curent continuu.
Puterea în regim de curent continuu conŃine valorile medii

47
 2
PCC = V0 I 0 = Vi I 0 .
π
Pcc
Randamentul este mic η = = (≤ 40%) .
Pca

VL
.

V0

IL

Fig. 1.36.
Pentru a exprima continuitatea tensiunii – altfel spus cât de
aproape de o linie paralelă cu axa timpului este tensiunea - se
foloseşte factorul de formă [13, 14 ]

V Act RS I ef I ef π
γD = = = ,
VA RS I 0 I0 2

a cărei valoare ar trebui (în condiŃii perfecte) să fie egal cu 1, sau se

foloseşte factorul de ondulaŃie

Ω = 1− γ 2 ,

a cărei valoare ar trebui să fie cât mai aproape de zero.

Dependenta dintre tensiunea de la ieşire şi curentul absorbit de
sarcină reprezintă caracteristica externă a redresorului.
Caracteristica externă ne spune ce se întâmplă cu valoarea tensiunii
furnizate de o sursă când creşte numărul consumatorilor conectaŃi
(în paralel) la respectiva sursă, conform figurii 1.36.
Dioda este solicitată la valoarea medie a curentului
2
I0 = I max şi la o tensiune inversa egală cu valoarea maxima a
π
tensiunii de alimentare V AKinv = ( 2Vi ) .

Caracteristicile reale ale dispozitivului semiconductor vor

modifica, în anumite condiŃii de funcŃionare, forma de undă a
semnalului de pe sarcină.

48
 Dioda nu începe sa conducă curentul de la o tensiune de 0V ci
de la o tensiune mai mare (0,5V) ⇒ în aceste condiŃii forma de undă
se modifică în sensul că vom avea curent nul şi în alternanŃa
pozitivă a tensiunii de intrare. Curentul începe să crească când
dioda intră în conducŃie şi anume când vi depăşeşte pragul de
(0,5V).
La valori mici ale tensiunii de alimentare (până la 1V) nu se
mai poate neglija modul de variaŃie al tensiuni care decurge după
o lege exponenŃiala ceea ce înseamnă că la tensiuni mici

 qV AK 
I A = I AB  e mKT − 1 ,
 
 

curentul are o formă exponenŃială şi nu (ca tensiunea de intrare) o

formă sinusoidală.
Daca Ńinem seama ca Rinv finita, în aceste condiŃii ⇒ prin
dispozitiv va circula un curent şi în alternanŃa negativă a tensiunii
de alimentare, ca în figura 1.37.

VL

t
ωt

VL

t
ωt

VL

ωt
t

Fig. 1.37.
Orice formă de undă nesinusoidală (exponenŃială) poate fi
descompusă într-o sumă de sinusoide numite armonici ale

49
fundamentalei, de frecvenŃe multiplu întreg al frecvenŃei
fundamentalei. Este de dorit să nu apară armonici pentru că
deranjează alŃi consumatori.
În cazul circuitelor de redresare cu diode semiconductoare
avantajul este că armonicile apar la tensiuni mici, ceea ce înseamnă
că amplitudinea lor este mică şi acest fenomen poate fi neglijat în
majoritatea cazurilor. (Nu poate fi neglijat dacă tensiunea de
alimentare este prea mică.)

Circuite de redresare bialternanŃă

Circuitele de redresare monofazate bialternanŃă sunt realizate

în două variante:
- cu transformator cu priză mediană, ca în figura 1.38;
- cu diode în punte ca în figura 1.40.
În figura 1.38 este prezentat redresorul monofazat
bialternanŃă cu transformator cu priză mediană, iar în figura
1.38 sunt prezentate formele de undă asociate.

D1 i1
TR

Vi
D2 i2

RS iL
VL

Fig. 1.38.

Transformatorul TR în fiecare alternanŃă a tensiunii din primar

induce în fiecare secŃiune a secundarului o tensiune de aceeaşi
polaritate cu tensiunea de intrare.
Tensiunea din primar Vi= 2Vi sinωt în alternanŃa pozitivă
polarizează în conducŃie, prin tensiunea din secundar, dioda D1, iar
în alternanŃa negativă polarizează în conducŃie dioda D2.
Înseamnă că în intervalul (0, π ) conduce curent prin sarcină D1
iar în intervalul π ≤ ωt ≤ 2π conduce curent prin sarcină D2.
 D1 este în conductie
În alternanŃa (+) tensiunea vi 
 D 2 blocată

⇒ iL=iD1; 0 ≤ ωt ≤ π

50
 VL

t
ωt

iL

t
ωt

UL

D1 D2 D1 D2
ωt
t

Fig. 1.39.

 D1 este blocată
În alternanŃa (-) tensiunea vi 
 D2 este în conductie
⇒ iL=iD2; π ≤ ωt ≤ 2π

Tensiunea de pe sarcină

VL=RsiL
1 2V
VL= ∫ VL (t )dt ≅ 2 i
,
T π
este de dublă faŃă de cazul redresorului monofazat monoalternanŃă.
Solicitările diodelor sunt diferite în funcŃie de schema
utilizată, în cazul redresorului monofazat bialternanŃă cu
transformator fiecare diodă este solicitată la valoarea medie a
curentului Imed şi la tensiunea inversă Vinv max= 2Vi

Redresorul monofazat bialternanŃă în punte este prezentat în

figura 1.39.
Formele de undă sunt cele din figura 1.39.

51
 În timpul alternanŃei pozitive (+) diodele D1 şi D4 sunt
polarizate direct, pentru că avem (1)=(+) →curentul se închide pe
calea (1) → D1 → R → D4 → (2).
În timpul alternanŃei pozitive (-) diodele D2 şi D3 sunt
polarizate direct pentru că avem (1)=(-) → (2) → D2 → R →
D3 → (1).

D1 I2

(1)
iL VL
Vi R
D2
(2)
D4
D3

Fig. 1.40.
Nici în acest caz nu avem o tensiune continuă ci o tensiune
pulsatore, numai că pulsaŃiile tensiunii în jurul valorii medii sunt
mai mici decât în cazul redresorului monoalternanŃă.
Valoarea tensiunii pe sarcină VL are aceeaşi expresie la
redresorul cu transformator şi la redresorul în punte

2Vi
VL=2 .
π

În cazul redresoarelor in punte diodele sunt solicitate la o tensiune

2Vi
inversă Vinv =
2
mai mică decât în cazul redresorului cu transformator.
Diodele sunt solicitate la valoarea medie a curentului.

Filtre de netezire

Pentru micşorarea ondulaŃiilor tensiunii pe sarcină se

utilizează filtre “ Γ ”sau” π ”, ca în figura 1.41,a sau b.

52
 a) b)
Fig. 1.41.

Filtrele se intercalează între sarcină şi circuitul de redresare.

Pot fi realizate cu condensatori şi rezistori sau cu condensatori
şi inductivităŃi.
Cel mai simplu filtru este reprezentat de un condensator în
paralel cu sarcina RS .

Redresorul monofazat monoalternanŃă cu filtru capacitiv

( Γ ) este prezentat în figura 1.42, cu formele de undă din figura
1.43.
D

vi RS
C

Fig. 1.42.

Calitatea de filtrare se bazează pe proprietatea capacităŃii C de

a înmagazina energia în timp ce prin dioda D trece curent şi de a
ceda energia către sarcină cât timp dioda nu conduce.
În intervalul α a- α b dioda conduce, determină încărcarea
condensatorului şi asigură curentul prin sarcină. Condensatorul se
încarcă către valoarea maximă a tensiunii de intrare.
După ce tensiunea vi ajunge la valoarea maximă 2Vi ,
tensiunea vi începe sa scadă. La α b tensiunea de alimentare a
scăzut sub valoarea la care s-a încărcat condensatorul.
Dioda se blochează şi circuitul va fi format dintr-o capacitate care
se descarcă prin sarcină cu un curent scăzător exponenŃial.
În cazul unor elemente ideale de circuit condensatorul se va
încărca pană la 2Vi după care se va descărca cu o constanta de
timp τ = RS C .
Plecând de la definiŃia capacităŃii electrice şi de la definiŃia
curentului electric de conducŃie se obŃine ecuaŃia diferenŃială a
circuitului.

53
 VL

ωt

iL

∝a ∝b ωt

Fig. 1.43.

q dq
C= , i=
uc dt
du dv c d di
⇒ ic = C , VL = Rs C L ⇒ ic = C = C ( Rs i L ) = Rs C L
dt dt dt dt
t t t
iC k+
1
dic = dt ⇒ ln ic = t + k ⇒ ic = e RS C = (e k )e RS C = k 2 e RS C .
RS C RS C

Factorul de formă în cazul prezenŃei condensatorului este

π
δ = .
RS C

Se constată că valoarea factorului de ondulaŃie scade la

creşterea capacităŃii condensatorului, motiv pentru care circuitele de
filtraj au în componenŃă capacităŃi de valori mari (mii de µF).

1.13. Stabilizatorul parametric (cu diodă Zener)

Stabilizatoarele de tensiune continuă sunt circuite electronice

care au rolul de a menŃine constantă tensiunea pe sarcină în
condiŃiile în care se modifică valoarea tensiunii de intrare Vi,
curentul absorbit de sarcină IL sau temperatura mediului ambiant de
funcŃionare al circuitului [5, 7, 26]

V L = f (Vi , I i , T ) = consant.
Datorită cauzelor menŃionate tensiunea pe sarcină se modifică

54
de la VL la VL = VL + ∆VL , unde ∆VL are atât valori pozitive cât şi
negative. Deoarece scopul circuitului de stabilizare este să menŃină
constantă tensiunea VL rezultă că se impune ∆V L → 0 .

IL
Ii

Vi ST RL V L

Fig. 1.44

Putem diferenŃia funcŃia care exprimă tensiunea de pe sarcină

∂f ∂f ∂f
∆VL = ∆Vi + ∆I L + ∆T .
∂Vi I ,T =ct ∂I L V , T =ct ∂T Vi , I L =ct
142 L 43 142i43 14243
1 R0 ST
SV
Derivatele parŃiale au un corespondent fizic motiv pentru care
se notează astfel

1 ∂f ∆VL
= = sau altfel scris
SV ∂Vi I L ,T =ct
∆Vi I L ,T =ct

∆Vi
SV = numit coeficient de stabilizare a tensiunii;
∆VL I L ,T =ct

∆VL
R0 = − numit rezistenŃa internă;
∆I L Vi ,T = ct

∆VL
ST = numit coeficient de variaŃie cu temperatura;
∆T Vi , I i =ct

Cu aceste notaŃii, variaŃia tensiunii pe sarcină se poate scrie,

evidenŃiind condiŃiile pe care trebuie să le îndeplinească schema
electronică a stabilizatorului pentru ca tensiunea de pe sarcină să
aibă variaŃii cât mai mici, sub forma

55
 SV mare
∆Vi 
∆VL = + R0 ∆I L + ST ∆T ⇒  R0 mic ]
S S
 T mic

Stabilizatorul se bazează pe caracteristice statică a diodei

Zener, din figura 1.45, care poate fi exprimată printr-o ecuaŃie
liniară

VZ=VZo+rZIZ

IZ

IZmax

IZmin

VZ0 VZ

Fig. 1.45.

Tensiunea de stabilizare (se modifică cu temperatura după o relaŃie

liniară
VZo=VZo’(1+ α z ∆ T)

unde α z =(1..8)10-4/0C are valoare negativă sau pozitivă.

Schema stabilizatorului parametric cu diodă Zener este prezentată

în figura 1.46.

Ii R IL
R R R

Vi DZ VZ RL VL
R R R R R

Fig. 1.46

56
 Curentul prin rezistorul R se scrie prin diferenŃa de potenŃial de
la capetele rezistorului
VR Vi − VL
Ii= = .
R R

Suma curenŃilor în nod este

Ii= IZ + IL ⇔ Ii - IZ - IL=0.

Curentul prin diodă poate fi exprimat din ecuaŃia caracteristicii

statice
V Z − V Zo V L − V Zo
V2=VZo+rZ+IZ ⇒ IZ= = , VZ = V L
rZ rZ

Succesiv se determină expresia tensiunii pe sarcină.

Vi − VL VL − VZo
⇔ − − IL = 0 ⇔
R rZ
 1 1  Vi VZo
V L  +  = + − IL
 R R0  R V Z
RrZ
se înmulŃeşte cu
R + rZ
rZ R RrZ
V L = Vi + VZo − IL
R + rZ VZ ( R + rZ ) R + rZ
VariaŃia tensiunii pe sarcină se obŃine prin diferenŃiere

rZ RrZ R
∆ VL= ∆V I − ∆I 2 + ∆VZo ,
rZ + R R + rZ R + rZ

de unde se determină parametrii stabilizatorului

∆Vi R + rZ R
Su = I LT =CT = = 1+ ,
∆vL rZ rZ

R rz
Ri = ,
R + rz

R
ST = Vz 0 α z .
R + rz

57
 Pentru ca Su să aibă o valoare mare se impune a adopta un
rezistor R de valoare mare şi o diodă Zener cu rezistenŃă internă
mică.
Rezistorul R este conectat în serie cu sarcina la sursa de alimentare.
Pentru ca pe sarcină să avem tensiunea nominală se impune a
creşte tensiunea sursei aşa ca să asigure şi căderea de tensiune de pe
rezistorul R.
Pentru ca să nu se utilizeze surse de tensiune cu valori mult
mai mari ca tensiunea de pe sarcină se va adopta o valoare a
rezistorului R care să preia 20,...,30% din tensiunea furnizată de
sursă.

58
 2
TRANZISTORI

Tranzistorii sunt elemente de circuit cu trei electrozi având

posibilitatea de modificare a puterii de la ieşire printr-un consum
energetic mic.
În funcŃie de principiul de funcŃionare pot fi tranzistori bipolari
sau tranzistori cu efect de câmp.

2.1. Teoria elementară a TBP

Tranzistorul bipolar este un dispozitiv electronic cu trei

joncŃiuni realizat prin implementarea pe o pastilă semiconductoare a
trei zone semiconductoare în ordinea PNP sau NPN, ca în figura
2.1.

Fig. 2.1.

S-au notat cu E – zona semiconductoare a emitorului, B – zona

semiconductoare a bazei, C – zona semiconductoare a colectorului.
La fel se notează şi terminalele, prin intermediul cărora avem acces
la zonele semiconductoare asociate.
Pentru ca dispozitivul să poată funcŃiona corespunzător se iau
următoarele măsuri constructive:
- zona semiconductoare a emitorului se dopează mai puternic
decât celelalte zone (indicat în figură prin puterea +);

59
- zona bazei este mai subŃire decât celelalte zone
semiconductoare, teoretic trebuie să fie mai mică decât drumul
mediu pe care îl poate străbate un purtător minoritar în această zonă
[8, 9 ].
În figura 2.2 sunt prezentate, în corespondenŃă cu figura 2.1,
simbolurile celor două tipuri de tranzistori bipolari (tipul PNP şi
tipul NPN) precum şi regulile de asociere a curenŃilor şi tensiunilor.

Fig. 2.2.
Se constată că simbolul tranzistorului conŃine o săgeată care
indică sensul curentului prin terminalul emitorului şi tipul
tranzistorului. Dacă săgeata este orientată către simbol tranzistorul
este PNP.
Sensurile celorlalŃi doi curenŃi sunt invers decât sensul
curentului de emitor, aşa încât să avem relaŃia

I E =I C +I B .

Tensiunile se notează cu indici în ordinea primul indice – de

unde pleacă iar al doilea – unde ajunge ( s.ex. VCE = VEC ) aşa încât
avem relaŃia pentru tensiuni

V EB +V BC +V CE = 0.

Pentru a descrie comportarea dispozitivului trebuie să avem

relaŃiile dinte mărimile (3 curenŃi şi 3 tensiuni) asociate
tranzistorului. Cele două relaŃii elimină două din variabile aşa încât
rămân numai 4 mărimi.
De regulă atât modelele cât şi caracteristicile statice consideră
două din mărimi independente (urmând a fi impuse din exterior) iar
celelalte două se exprimă analitic sau grafic în funcŃie de mărimile
independente.
Teoria elementară a tranzistorului consideră structura
tranzistorului din figura 2.3 cu joncŃiunile polarizate de cele două

60
surse una în conducŃie (joncŃiunea EB emitor – bază) şi cealaltă în
polarizare inversă (joncŃiune CB colector – bază).
Tensiunea pentru polarizarea directă a unei joncŃiuni este mică
(în jurul valorii de 0,65V) iar tensiunea de polarizare inversă poate
fi mult mai mare, motiv pentru care considerăm inegalitatea
V BB <<V CC .
Datorită polarizării directe a joncŃiunii emitor – bază (J EB )
apare un curent de goluri I EB care se transferă în zona bazei.
Grosimea bazei fiind mică („mai mică decât lungimea de
difuzie purtătorilor minoritari” - a golurilor în bază) ⇒ puŃine goluri
se vor recombina cu electronii din zona bazei (fapt exprimat prin
curentul de recombinare notat cu i r în figura 2.3).

Fig. 2.3.

Golurile, provenind din zona emitorului, ajunse în zona bazei

vor intra sub influenŃa câmpului electric E 0 (datorat polarizării
inverse a joncŃiunii colector – bază J CB de către sursa V CC ).
Câmpul electric E 0 este favorabil tranzitului golurilor din zona
bazei în zona colectorului pentru că câmpul electric al joncŃiunii
J CB polarizate invers se opune transferului de electroni din zona N
în zona P.
Efectul de tranzistor consta in modificarea curentului de
goluri (care pleacă de la emitor şi ajunge la colector) prin
modificarea tensiunii de polarizare a unei joncŃiuni polarizate
direct şi anume tensiunea de polarizare a joncŃiunii emitor – bază.
Curentul de emitor nu este format numai din golurile iEP ci şi
din electronii care traversează joncŃiunea iEn din bază către emitor

61
 I E = i Ep + i En .

Se defineşte eficienŃa emitorului, drept capacitatea acestuia

de a emite goluri, prin intermediul coeficientului de injecŃie a
golurilor în bază

i Ep i Ep
γE = = <1.
IE i Ep + i En

Nu toate golurile care ajung (din zona emitorului) în zona

bazei vor reuşi să tracă în zona colectorului, pentru că o parte se vor
recombina cu electronii (majoritari) din zona bazei. Recombinarea
se exprimă prin curentul de recombinare ir al golurilor şi avem
relaŃia

iCp = i Ep − ir .

Se defineşte factorul de transport al golurilor prin bază

iCp iCp
βT = = < 1.
iEp iCp + ir

Curentul de colector IC este format din golurile provenite din

emitor – bază la care se adaugă curentul rezidual al joncŃiunii
colector – bază J CB (format din electronii minoritari din colector,
care sunt deplasate către bază de câmpul E0 şi din golurile
minoritare din zona bazei care vor trece în zona colectorului) notat
ICB0

I C = iCp + I CB 0 .

Putem exprima curentul prin intermediul coeficienŃilor mai sus

definiŃi

I C = iCp + I CB 0 = β T ⋅ i Ep + I CB 0 = β T ⋅ γ E ⋅ I E + I CB 0 .

Se defineşte
α F = βT ⋅ γ E ; α F ∈ ( 0.9;0.999 )

62
 factorul static de amplificare în curent direct în conexiunea bază
comună cu ieşirea în scurtcircuit (colectorul conectat la bază).
Aşa încât avem relaŃia

⇒ I C = α F ⋅ I E + I CB 0 ,

care reprezintă modelul matematic al tranzistorului bipolar în regim

static, pentru zona activă de funcŃionare; model dedus pe baza
teoriei simplificate a tranzistorului.

2.2 Modele în regim static

Regimul static este acel regim în care mărimile de stare a

câmpului electromagnetic nu se modifică în decursul timpului.

Modelul general al tranzistorului bipolar

Tranzistorul are în componenŃă două joncŃiuni (emitor – bază
şi colector – bază) şi cele două joncŃiuni determină atât curentul de
emitor iE cât şi curentul de colector iC .
Curentul unei joncŃiuni PN este:

Vj
i = I 0 (e kT − 1) .

Plecând de la aceste observaŃii se construieşte modelul general

al tranzistorului bipolar

 q ⋅V EB   q ⋅VCB 
 KT   
i E = a11  e − 1 − a12  e KT − 1
   
   
,
 q ⋅V EB   q ⋅VCB 
 KT   KT 
iC = a 21  e − 1 − a 22  e − 1
   
   

curenŃii fiind condiŃionaŃi de ambele joncŃiuni, prin intermediul

unor factori de pondere.
Deoarece tranzistorul este simetric în raport cu zonele extreme
PNP, rezultă că va funcŃiona şi dacă se inversează zona
semiconductoare P alocată emitorului cu zona semiconductoare P
alocată colectorului (regimul de funcŃionare se cheamă inversat).

63
PerformanŃele vor fi scăzute în acest regim faŃă de regimul direct,
pentru că emitorul nu va mai fi P+ şi generarea de goluri va fi mai
slabă.

⇒ a12 = −a21 .

CoeficienŃii aij depind de elemente constructive ale

tranzistorului (tipul semiconductorului, impurităŃi, dopări, ş.a.).

Modelul Ebbers-Moll al tranzistorului bipolar

Modelul Ebbers-Moll se construieşte plecând de la observaŃia
că modelul general al tranzistorului nu Ńine seamă de polarizarea
joncŃiunilor [8, 32].

In cazul polarizării RAD (regiunea activa directă),

joncŃiunea emitor
- bază este polarizata direct ⇒ V EB > 0 ,
- joncŃiunea colector – bază este polarizată invers
⇒ V CB < 0 .
Pe de altă parte avem
q ⋅V CB
V EB << V CB ≈ V CE şi e KT
<< 1 .

Înlocuind în ecuaŃiile modelului generalizat acesta se rescrie

 q ⋅V EB  q ⋅V EB
 KT  i − a12
i E = a11  e − 1 + a12 ⇒ e KT − 1 = E
  a11
 
.
 q ⋅V EB 
 
iC = a 21  e KT − 1 + a 22
 
 

În continuare se explicitează curentul

I E − a21 a a ⋅a − a ⋅a
iC = a21 + a22 = 21 iE + 11 22 12 21
a11 a11 a11
a21
⇒ αF =
a11
şi prin identificare cu relaŃia anterior dedusă ( iC = αF iE + ICB0 ), se
obŃin
∆ a
I CB 0 = , α F = 21 ,
a11 a11

64
unde:
∆ = a11 ⋅ a22 − a12 ⋅ a21 = a11 ⋅ a22 − a12 2 .

În cazul polarizării in RAI (regiunea activă inversată),

joncŃiunea emitor−bază este polarizata invers, iar joncŃiunea
colector–bază este polarizată direct (atenŃie zona colectorului este
în locul zonei emitorului) motiv pentru care avem ca variabilă
independentă curentul iC (colectorul emite purtători)

i E = α R ⋅ iC − I EB 0 .

Modelul generalizat, pentru RAI se simplifică pentru că

q ⋅V EB
e KT << 1 , VCB > 0 ⇒
qVCB
i E = −a11 − a12 (e kT − 1)
.
qVCB
iC = −a 21 − a 22 (e kT − 1)

Prin identificarea celor două relaŃii ale curentului iE se obŃine

a12 ∆
αR = , I EB 0 = .
a 22 a 22

Modelul Ebbers-Moll se obŃine din modelul general,

explicitând termenii aij din cele 4 ecuaŃii subliniate.
Sistemul de ecuaŃii asociat modelului Ebbers-Moll este

iE = iF − αR ⋅ iR
,
iC = α F ⋅ i F − i R

în care apar notaŃiile

 q ⋅V EB 
i F =  e KT − 1 I ES
 
,
 q ⋅ KT
V EC

i R =  e − 1I CS
 

unde iF este curentul furnizat de emitor când tranzistorul este în

RAD, iar iR este curentul furnizat de joncŃiunea polarizată direct
când tranzistorul este în RAI.

65
CurenŃii I ES , I CS sunt curenŃii de saturaŃie.
Corespunzător modelului în figura 2.4 este prezentată
schema echivalentă.

Fig. 2.4.

O parte din curentul iF se pierde în circuitul bazei aşa încât la

colector ajunge o fracŃiune a acestuia α F i F , din care se mai pierde
o parte prin dioda DR în polarizare inversă.

ICB0
IC= ICB0

iB iE = 0

Fig. 2.5.
Polarizarea in zona de blocare RB se face cu surse care să
polarizate invers ambele joncŃiuni ⇒ V CB < 0, V EB < 0 ⇒ apare o
bariera de potenŃial si la joncŃiunea EB ⇒ nu avem transfer de goluri
din emitor în bază ⇒ i E = 0 , ⇒ i B = −I CB 0 , ca în figura 2.5.
Starea de blocare este caracterizată prin

iE = 0 , i B = − I CB 0 , iC = I CB 0 .

66
 Polarizarea în regiunea de saturaŃie RS se face trecând în
conducŃie ambele joncŃiuni VCB > 0, V EB > 0 ⇒ există un curent de
goluri care pleacă de la emitor la colector şi un curent de goluri de
la colector la emitor astfel încât tranzistorul se comportă ca o
rezistenŃă de valoare mică.
Căderea de tensiune pe tranzistor între colector şi emitor este
de valoare mică VCEsat fiind dependentă de tipul şi natura
materialului semiconductor.

2.3. Caracteristici statice ale TBP

Deoarece teoremele lui Kirchhoff determină două relaŃii între

mărimile externe tranzistorului, este suficient să dispunem de relaŃii
între patru mărimi pentru a cunoaşte comportarea dispozitivului.
Se obişnuieşte să se declare drept variabile independente
(mărimi stabilite de circuitele exterioare dispozitivului) două din
mărimile asociate tranzistorului, iar celelalte două să fie exprimate
în funcŃie de mărimile independente.
Dacă exprimarea este analitică spunem că dispunem de un
model matematic al tranzistorului.
Dacă exprimarea este grafică spunem că dispunem de
caracteristici statice ale tranzistorului.
Dacă exprimarea este realizată prin intermediul unor scheme
electronice spunem că dispunem de o schemă echivalentă a
tranzistorului.
Deoarece mărimile independente pot fi considerate oricare
două din cele patru, caracteristicile statice nu sunt unice, depinzând
de modul în care s-au adoptat mărimile independente.
Tranzistorul având trei electrozi devine cuadripol dacă unul din
electrozi este comun atât intrării cât şi ieşirii, astfel că tranzistorul
poate fi conectat în bază comună (BC), emitor comun (EC) sau
colector comun (CC).

IC

IB

VCE
VBE IE

Fig. 2.6

67
 Caracteristicile statice pentru conexiunea EC din figura 2.6 sunt
exprimate prin familiile de curbe IB = f(VEB, VCB), IC = f(VEB, VCB).
Pentru că intrarea, în cazul conexiunii emitor comun EC, este
între bază şi emitor, caracteristicile statice de intrare, sunt
reprezentate prin familia de curbe IB = f(VBE) cu parametrul VCB,
curbe prezentate în figura 2.7a. De fapt caracteristicile sunt ale unei
joncŃiuni (bază emitor) polarizate direct.

VCE=0 VCE>0
IB IC
IB=100

IB= 10

IB=0

VBE VCE
a) b)
Fig. 2.7

Caracteristicile de ieşire, din figura 2.7b, reprezintă dependenŃa

curentului de ieşire (IC curentul de colector) de tensiunea de
polarizare inversă a joncŃiunii colector – bază în condiŃiile injectării
unui curent constant IB= constant prin bază.
În regiunea activă de funcŃionare avem modelul

I C = α F ⋅ I E + I CB 0 .

Între curenŃi există relaŃia

I E = I B + IC .

În conexiunea emitor comun curentul de ieşire este IC, motiv

pentru care din cele două relaŃii se elimină IE şi se obŃine relaŃia
pentru conexiunea EC I C = β F I B + I CE 0 , β F ∈ [10....2000] , unde

αF
βF =
1−αF

68
este factorul static de amplificare în conexiunea EC a TBP, iar
curentul ICE0 este în relaŃie cu ICB0

I CB 0
I CE 0 = .
1−αF
În figura 2.8 este prezentată o caracteristică tipică de intrare,
care permite separarea aproximativă a regimurilor de funcŃionare,
prin tensiunea de polarizare a bazei:
VBE < 0,5 V regiunea de blocare RB;
0,5 V<VBE < 0,8 V regiunea activă directă
RAD;
VBE > 0,8 V regiunea de saturaŃie RS.

IB

0,5 0,8 VBE[V]

Fig. 2.8.

Caracteristicile statice ale tranzistorului sunt modificate de valorile

parametrilor sau de condiŃiile de funcŃionare.
• Efectul creşterii tensiunii inverse aplicate joncŃiunii CB
determină multiplicarea în avalanşă a purtătorilor, ceea ce poate
conduce la străpungerea joncŃiunii. Se limitează valoarea tensiunii
de polarizare inversă a joncŃiunii VCB < VCB 0( BR) , sub valoarea
tensiunii de străpungere VCB 0( BR) .
În cazul conexiunii EC, pe lângă această tensiune de
străpungere V CB 0( BR ) se mai defineşte o tensiune numita tensiune de
susŃinere, cu referitoare la spaŃiul C-E care are valoarea
VCE 0( BR ) = VCE | sust = (0.1.....0.3)VCB 0( BR ) .
Depăşirea acestei tensiuni duce la creşterea tensiunii de
colector dar fără să conducă la străpungerea vreunei joncŃiuni a
tranzistorului.

69
 • Temperatura determina scăderea tensiunii cu 2mV la
creşterea cu 1 grad Celsius, rezultând creşterea curentului
rezidual I CB 0 , care se dublează la o creştere de 10 grade a
temperaturii si afectează factorul de amplificare static in
curent in modificării după relaŃia

 ∆ 
βT = β F 1 + T  ,K P =50°C.
 KP 

• Efectul creşterii curentului de intrare determină o creştere

a curentului de colector care, dacă depăşeşte o anumita
valoare I C max , poate conduce la străpungerea tranzistorului,
prin topirea joncŃiunii.
Se limitează I C ≤ I C max .
• Puterea disipata Pd = V CE ⋅ I C este o consecinŃă a
necesităŃii de limitare a temperaturii joncŃiunii Pd < Pdmax, ceea ce
este echivalent cu

VCE ⋅ I C ≤ Pd max = ct
VCE ⋅ I C = Pd max ⇒

P ct
⇒ I C = d max =
VCE VCE

IC
hiperbola
ICmax

VCEmax VCE

Fig. 2.9.
RelaŃia defineşte în planul caracteristicilor de ieşire o curbă
numită hiperbolă de disipaŃie, marcată în figura 2.9.
În concluzie punctul static de funcŃionare al tranzistorului
trebuie să nu depăşească hiperbola de disipaŃie.

70
 Puterea maximă pe care o poate disipa tranzistorul indicată de
producător, pentru un tip de tranzistor, este puterea pe care o poate
disipa capsula fără radiator.
Montarea unui radiator termic permite creşterea puterii
maxime pe care o poate suporta tranzistorul.

2.4. Polarizarea TBP în zona activă de funcŃionare

Polarizarea tranzistorului în zona activă de funcŃionare

însemnă proiectarea elementelor unei scheme electronice, aşa încât
joncŃiunile tranzistorului să fie polarizate corespunzător RAD
(regiunii active de funcŃionare), adică joncŃiunea emitor - bază să
fie polarizată direct iar joncŃiunea colector bază să fie polarizată
invers. Se impune de asemeni să fie respectate toate limitările
tranzistorului privind valorile tensiunilor şi curentului (vezi
paragraful 2.3).
Se vor prezenta schemele de polarizare a TBP în conexiunea
emitor – comun EC, pentru că schemele de polarizare pentru
celelalte moduri de conectare (BC şi CC) au aceeaşi topologie.

Polarizarea TBP în conexiune EC

Polarizarea tranzistorului în zona activă de funcŃionare se
poate face cu două surse de t.e.m. VBB şi VCC , ca în figura 2.10, sau
cu o singură sursă VCC , ca în figura 2.12.
IC RC

IB
RB
V CE
+
+ V CC
V BB V BE -
- IE

Fig. 2.10.
Pentru ochiurile care conŃin sursele de t.e.m. se scrie teorema a
II-a a lui Kirchhoff

R B I B + V BE = V BB VBB − VBE VBB − 0.65

⇒ IB = ≈
R C I C + V CE = V CC RB RB

71
 Deoarece tranzistorul este în RAD tensiunea de polarizare a
bazei este în jurul valorii VBE = 0,65 V. Pentru că sursa VBB se
adoptă de valoare mult mai mare ca VBE, în relaŃia de mai sus
termenul VBE poate fi neglijat, aşa încât

V
⇒ I B = BB .
RB

Curentul IB stabileşte curba din planul caracteristicilor de ieşire

pe care se va găsi punctul static de funcŃionare PSF.
În zona activă de funcŃionare curentul de colector poate fi
determinat în funcŃie de curentul injectat în bază

I C = β F I B + I CE 0 ,

unde βF este factorul static de amplificare în conexiunea EC

(cunoscut pentru un tranzistor dat), iar ICE0 este curentul rezidual de
colector – care poate fi neglijat în majoritatea aplicaŃiilor, ceea ce
însemnă că se va folosi relaŃia ⇒ I C = β F I B .
Din teorema a II-a a lui Kirchhoff scrisă pentru ochiul de
ieşire se poate exprima tensiunea

VCE = VCC − RC I C .

IC RC

IB
RB
V CE +
V CC
+ -
V BB V BE I E

RE

Fig. 2.11.

Valoarea tensiunii VCE şi valoarea curentului IC stabilesc

punctul static de funcŃionare al tranzistorului PSF de coordonate
(VCE, IC) în planul caracteristicilor statice de ieşire.

72
 În scopul stabilizării PSF cu temperatura se introduce un
rezistor în emitorul tranzistorului, ca în figura 2.11 [8, 34].
RelaŃiile se completează astfel:

R B I B + V BE + R E I E = V BB
RC I C + VCE = VCC
I E = I B + IC , IC = β F I B , ,

Din ultimele relaŃii avem I E = ( β F + 1) I B şi curentul prin bază

devine

V BB
⇒ IB = ,
R B + ( β F + 1) R E

restul elementelor rămânând neschimbate (ca expresiile de mai sus).

Schemele de polarizare cu o singură sursă de alimentare
utilizează un rezistor, ca în figura 2.12,a sau un divizor de tensiune,
ca în figura 2.12,b, pentru a forma sursa VBB din sursa de t.e.m. VCC
ID

RB RC RB2 RC
VCC VCC
T T

RB1

a) b)

Fig 2.12

Pentru figura 2.12,a curentul de bază se determină din ecuaŃia

V − V BE
R B I B + V BE = VCC ⇒ ⇒ I B = CC ,
RB
unde VBE = 0,65 V.
Pentru figura 2.12,b curentul de bază se neglijează în raport cu
ID, ceea ce înseamnă că ID circulă şi prin rezistorul R B . Se pot scrie
1

relaŃiile

73
 VCC
ID = , V BE = VCC − RB1 I D .
R B1 + R B 2
De fapt se putea aplica direct regula divizorului de tensiune

R B1
V BE = VCC .
R B1 + R B 2

Impunând o valoare pentru curentul ID şi considerând

VBE = 0,65 V, se obŃin două ecuaŃii prin intermediul cărora se
calculează cele două rezistoare din baza tranzistorului.

Fig. 2.13.

În condiŃiile în care se cere ca impedanŃa de intrare a

tranzistorului (cu circuitul de polarizare) să aibă o valoare impusă –
s.ex. să fie cât mai mare – calculele circuitului de polarizare se vor
face luând în considerare curentul care este absorbit de baza
tranzistorului.
În cele mai multe aplicaŃii schema de polarizare din figura
2.12b, va conŃine şi o rezistenŃă pentru stabilizare termică în
emitorul tranzistorului, ca în figura 2.13.

Polarizarea TBP în conexiune BC şi CC

În figura 2.14 sunt prezentate circuitele de polarizare pentru

conexiunile a) colector comun CC şi b) bază comună BC.
Constatăm că modul de polarizare este identic tuturor
conexiunilor ( BC, EC, CC) ceea ce înseamnă că metodologia de

74
proiectare a circuitelor de polarizare este aceeaşi indiferent de
conexiunea tranzistorului.
În cazul proiectării elementelor de polarizare se cunosc
tensiunea pe VBE0, VCE 0 , I C 0 , (s-a folosit în indice şi zero pentru a
specifica faptul că mărimile sunt cele din punctul static de
funcŃionare). Deoarece PSF este plasat în zona în care
caracteristicile de ieşire sunt paralele cu axa tensiunii, curentul de
colector nu va mai fi funcŃie decât de curentul bazei, aşa încât se
utilizează dependenŃa liniară a curentului de colector de curentul
bazei I C = β F I B + I CE 0 .
Condensatorii C E , C B sunt condensatori decuplare a
rezistoarelor pe care sunt conectaŃi (în paralel) având rolul de
scurcircuitare a respectivelor rezistoare în regim variabil, motiv
pentru care reactanŃa acestora se adoptă mult mai mică decât
rezistenŃa pe care o scurcircuitează.

a) b)

Fig. 2.14.

Pentru a elimina perturbaŃiile datorate modificării temperaturii

se utilizează diode sau termistori care să compenseze variaŃia cu
temperatura a elementelor schemei sau a parametrilor (în cele mai
multe cazuri) tranzistorului.
Termistorul îşi modifica rezistenta cu temperatura, motiv
pentru care poate fi conectat in locul uneia din rezistentele de
polarizare a bazei tranzistorului pentru a corecta variaŃia cu
temperatura a tensiunii VBE . O dioda de acelaşi tip cu tranzistorul,
polarizata direct, conectată în emitorul tranzistorului poate
compensa variaŃia cu temperatura a tensiunii V BE . O diodă, în
polarizare inversă, montată în circuitul bazei tranzistorului
compensează variaŃia cu temperatura a curentului rezidual I CB 0 .

75
 2.5. Regimul variabil al TBP

Regimul variabil se consideră regim de semnal mic dacă

semnalele aplicate la intrare sunt suficient de mici pentru a nu
deplasa PSF din zona liniara a caracteristicilor ( PSF să nu intre în
zona de saturaŃie sau în zona de blocare ci să rămână tot timpul în
zona activă a caracteristicilor statice RAD).
În figura 2.15 se încearcă o explicare a regimului de semnal
mic.
La intrarea unui tranzistor (spre exemplu în conexiune EC, ca
în figura 2.13) se aplică o tensiune variabilă vBE = vi (t ) = 2Vi sin(ωt ) ,
care pe baza caracteristicii de intrare determină un curent iB.
Curentul iB , Ńinând seamă de ecuaŃia din figura 6.15 determină un
curent iC, care la rândul său, pe baza caracteristicilor statice de
ieşire şi a dreptei de sarcină determină o tensiune v0 de ieşire.
Dacă PSF se deplasează către curenŃi mai mari, spre exemplu
VCC
aşa încât în PSF curentul să fie I C 0 = , alternanŃa pozitivă a
RC
curentului va fi tăiată şi tensiunea de la ieşire va avea numai
alternanŃa negativă.

Fig. 2.15.

Tensiunea de intrare este periodică dar de o formă oarecare.

Pe baza dezvoltării în serie Fourier orice tensiune periodică
poate fi scrisă sub forma

vi = 2 ∑Vik sin(kϖt ) + VI 0
= vi a + Vi , vi a → Vik ( f )
k
unde primul termen exprimă regimul variabil iar al doilea regimul
de curent continuu.

76
 Tensiunile sinusoidale determină pentru k=1 fundamentala
tensiunii, iar pentru alte valori ale lui „k” sinusoidele determină
armonicile semnalului.

Modele şi scheme echivalente cuadripolare

În cazul regimului de curent alternativ se recurge la

transformarea în complex a semnalelor.
Transformarea în complex este valabilă pentru o frecvenŃă
dată, dar se poate aplica principiul suprapunerii efectelor, rezultă că
putem aplica transformarea în complex pentru orice frecvenŃă cu
observaŃia că schema echivalentă a tranzistorului trebuie să fie
valabilă pentru frecvenŃa respectivă. Tranzistorul poate fi tratat ca
un cuadripol, cu structura din figura 2.16.
Descrierea lui se poate face prin intermediul unor ecuaŃii sau a
unei scheme echivalente. Datorită faptului că între curenŃi avem o
relaŃie I E =I C +I B şi între tensiuni o altă relaŃie V EB +V BC +V CE =0.
rezultă că din cele 6 mărimi asociate tranzistorului (vezi figura 2.2)
rămân 4 cu care avem C 42 = 6 posibilităŃi de descriere a
cuadripolului, prin alegerea a două mărimi independente.

1 I0
Ii 2
Vi
„C” V0

1` 2`

Fig. 2.16.
Dacă se iau ca mărimi independente tensiunile Vi şi V0
ecuaŃiile care descriu cuadripolul sunt:

I i = yiVi + yrV0
I 0 = y0Vi + y0V0

Se notează cu “y” datorită faptului că reprezintă raportul dintre

un curent şi o tensiune. Dacă se face tensiunea de ieşire V0= 0 se
Ii I0
obŃin yi = admitanŃa de intrare şi y f = admitanŃa de
Vi V0
Vi V0
transfer de la intrare la ieşire. Similar pentru Vi= 0 .

77
 Ii
1 2
Vi
Yi Y r V0 Y0 V0
Y f Vi
1` 2`

Fig. 2.17.

Corespunzător descrierii cuadripolului prin parametrii „y” în

figura 2.17 avem schema echivalentă.
Cel mai folosit model cuadripolar al tranzistorului este modelul
cu parametri „h” pentru care mărimile independente sunt curentul
de intrare I i şi tensiunea de ieşire U 0 (s-a folosit sublinierea pentru a
specifica faptul că sunt mărimi vectoriale în complex, transformate
ale mărimilor variabile în timp).
În continuare toate mărimile cuadripolare şi mărimile de la
bornele cuadripolului cu toate că sunt mărimi în complex nu vor fi
notate cu subliniere! Motiv - pentru a nu îngreuna scrierea.
EcuaŃiile modelului cu parametri “h” sunt:

V i = h f I i + h r V 0


 I 0 = h f I i + h 0 V 0

SemnificaŃia parametrilor modelului poate fi stabilită prin

anularea succesivă a mărimilor independente:
- impedanŃa de intrare cu ieşirea în scurcircuit
V
hi = i ;
Ii V =0
0

- admitanŃa şi respectiv rezistenŃa de ieşire cu intrarea în gol

I0 1 V0
h0 = => r0 = = ;
V0 I i =0
h0 I 0 I i =0
- factorul de amplificare în curent cu ieşirea în scurcircuit
I0
hf = ;
Ii V
0 =0
- factorul de reacŃie în tensiune cu ieşirea în gol

78
 Vi
hr = .
V0 I i =0

Schema echivalentă asociată modelului este în figura 2.18.

I0
Ii
hfIi V0
hi 1
Vi r0 =
h0
hrV0

Fig. 2.18.
Parametrii de cuadripol depind de conexiunea tranzistorului iar
în cataloage se indică valorile pentru tranzistorul în conexiune
emitor comun EC.
Datorită faptului că, în cazul conexiunii EC, factorul de reacŃie
hr are valori mici influenŃa lui poate fi neglijată şi modelul se
rescrie,

V i = h f I i


 I 0 = h f I i + h 0 V 0

iar schema echivalentă asociată se poate urmări în figura 2.19.

Ii I0
1 2

Vi 1
hi hfIi V0
h0

1` 2`

Fig. 2.19.

Parametrii de cuadripol ai tranzistorului depind de conexiunea

în care au fost definiŃi. În cataloage sunt indicaŃi parametri de
cuadripol pentru tranzistorul aflat în conexiunea emitor comun EC.

79
Circuitul echivalent natural al TBP

Circuitul echivalent, prezentat în figura 2.20, se numeşte

„natural” pentru că a fost dedus pe baza fenomenelor fizice ce stau
la baza modificării concentraŃiilor de purtători în zona bazei.
fα
Schema echivalentă este valabilă pentru frecvenŃe f ≤ ,
4
unde fα este frecvenŃa până la care factorul static de amplificare în
conexiune BC cu ieşirea în scurcircuit nu scade cu mai mult de 3dB
faŃă de valoarea medie.
Elementele schemei echivalente sunt:
- rbb este rezistenŃa distribuită a bazei ; are valori mai mici
'

de 50 Ω.
- Rπ - rezistenŃa unei joncŃiuni polarizate direct; 0,1…,2 kΩ.
- Cπ - capacitatea de difuzie a joncŃiunii emitor –bază:
100,…,500pF.
- rµ - rezistenŃa joncŃiunii polarizate invers: 10,..,20 MΩ.
- C µ - capacitatea de barieră a joncŃiunii colector – bază:
1,...,10pF.
- r0 - rezistenŃa dintre colector şi emitor: 1,..,2 MΩ.
- CCE - capacitatea dintre electrozii specificaŃi: 0,5,…,1 pF.
-gm – panta tranzistorului; se determină în funcŃie de curentul
de colector din PSF cu relaŃia
q
g m = e I C PSF .
kT

cµ
rbb '
B`
B C
rµ
Rπ Cπ C CE
r0
g mVb'e
Vbe

Fig. 2.20.

80
 FrecvenŃa de tăiere (la care βF=1) stabileşte prin pulsaŃia de
tăiere o relaŃie între capacităŃi
gm
ϖT = .
Cπ + Cµ
Factorul static de amplificare în curent în conexiunea EC
stabileşte valoarea rezistenŃei joncŃiunii în conducŃie
βF
rπ = .
gm
La frecvenŃe medii, la care capacităŃile prezintă reactanŃă mare,
circuitul se simplifică, ca în figura 2.21 (desenul este pentru
conexiunea EC).

B C

rπ
VbE r0 VCe
g mVBE

Fig. 2.21.

Circuitul natural din figura 2.21 este echivalent cu circuitul

cuadripolar cu parametri h pentru relaŃiile de echivalenŃă
1
rπ = hi , r0 = , h f I i → g mVi .
h0
Se va folosi circuitul natural sau circuitul echivalent exprimat sub
formă de cuadripol în funcŃie de aplicaŃie, pentru a calcula mai
comod.

2.6. Caracteristici ale tranzistorilor cu efect de

câmp

Tranzistorul este un dispozitiv electronic care are rolul de a

modifica un curent electric important prin modificarea tensiunii de
polarizare a unui electod de comandă sau prin modificarea
curentului absorbit de electrodul de comandă. Scopul este atins cu
cheltuieli minime dacă puterea cerută de electrodul de comandă este
mult mai mică decât puterea din circuitul principal, exprimată aici
prin intermediul curentului „important”.

81
 Tranzistorul bipolar utilizează pentru formarea curentului
comandat două tipuri de purtători de sarcină (goluri şi electroni),
ceea ce determină anumite inconveniente.
Tranzistorii cu efect de câmp utilizează un singur tip de
purtători de sarcină, care circulă printr-un canal semiconductor.
Electrodul de comandă are rolul de a modifica conductivitatea
canalului, în acest fel modificându-se valoarea curentului comandat
[12 ].
U
(Reamintim faptul că I = = GU , iar rezistenŃa canalului este
R
l
R=ρ , unde l este lungimea canalului, S secŃiunea canalului.)
S
De fapt electrodul de comandă acŃionează asupra secŃiunii canalului
S (prin modificarea lăŃimii), care determină modificarea rezistenŃei
R şi care rezistenŃă determină modificarea curentului I.
Tranzistorii cu efect de câmp se numesc astfel pentru că
modificarea conductivităŃii (inversul rezistenŃei electrice) canalului
se face cu ajutorul unui câmp electric mai intens sau mai slab în
funcŃie de potenŃialul electrodului de comandă, numit grilă.
Curentul se închide printr-o zonă semiconductoare (care reprezintă
însăşi canalul) între doi electrozi unul numit sursă - pentru că
furnizează purtătorii de sarcină şi celălalt numit drenă - pentru că
are rolul de a colecta purtătorii.
De notat că prin canal circulă purtătorii majoritari. (Circulă şi cei
minoritari dar contribuŃia lor la curentul din canal este mică.)
În funcŃie de principiul conform căruia se modifică
conductivitatea canalului tranzistorii cu efect de câmp pot fi
realizaŃi în două variante
- TEC-J , tranzistor cu efect de câmp cu joncŃiune,
- TEC-MOS, tranzistor cu efect de câmp de tipul
Metal-Oxid-Semiconductor.

Tranzistorul TEC-J are canalul dintr-un tip de semiconductor

(s.ex. de tipul N) iar grila este conectată la canal prin intermediul
unui semiconductor cu alt tip de purtători majoritari (pentru
exemplul dat, semiconductorul grilei este de tipul P). În figura 2.22
canalul este de tipul N iar grila este conectată la canal prin
intermediul unui strat semiconductor de tipul P+. Tranzistorul este
TEC-J cu canal n. Grila este polarizată aşa fel ca joncŃiunea care
apare între canal şi zona semiconductoare a grilei să fie blocată
(polarizare inversă). În cazul figurii 2.22. grila trebuie să fie
negativă în raport cu canalul.

82
 JoncŃiunea fiind polarizată invers zona de golire se extinde mai
mult în semiconductorul mai slab dopat, se extinde deci în zona
canalului. Extinderea zonei de golire micşorează secŃiunea
canalului, adică micşorează secŃiunea de trecere a electronilor care
pleacă de la sursă, prin canal, către drenă. Pentru că electronii
trebuie să plece de la sursă, câmpul electric din interiorul canalului
trebuie să fie orientat de la drenă către sursă (electronii au sarcină
negativă şi se deplasează invers liniilor de câmp). Această
necesitate impune ca drena să fie polarizată pozitiv faŃă de sursă.
VDS

+ D G S

n+ p+ n+

n
golire

P
canal

Ss
Fig. 2.22.

Zona P din figura 2.22 se numeşte substrat.

Grila este legată la electrodul substratului SS ,aşa încât
secŃiunea canalului să se modifice şi prin intermediul acestei
joncŃiuni aflată în polarizare inversă.
În figura 2.23 este prezentat simbolul TEC-J cu canal N
precum şi polaritatea tensiunilor care se aplică electrozilor pentru ca
să poată fi modificat curentul prin canal – curentul care se închide
de la drenă la sursă (electronii având sarcină negativă circulă invers
decât curentul pe care îl determină).

ID ↓ D

G
VDS>0

VGS < 0 S

Fig. 2.23.

83
 SecŃiunea canalului se micşorează crescând tensiunea de
polarizare inversă a joncŃiunii grilă – canal.

Tranzistorul TEC-MOS are două zone semiconductoare de

acelaşi fel (de tipul N pentru tranzistorul din figura 2.24) alocate
una sursei şi cealaltă drenei, separate printr-un strat de tipul celălalt
(în cazul nostru de tipul P). Orice polaritate a tensiunii am aplica
între drenă şi sursă una din joncŃiunile P-N va fi blocată aşa încât nu
se va închide nici un curent fără aportul electrodului de comandă –
respectiv grila tranzistorului.

D G + S

n+ n+

Ss

Fig. 2.24.

Grila este în contact cu semiconductorul de tipul P, fiind

separată de acesta printr-un izolator, care în cazul tranzistorului
MOS este un strat de oxid de siliciu ca în figura 2.24.
În condiŃiile aplicării unei tensiuni pe grilă pozitivă în raport
cu substratul, această tensiune, prin câmpul electric orientat de al
grilă către SS împinge golurile majoritare din zona P şi atrage la
suprafaŃa de separaŃie a metalului grilei electronii minoritari. În
zona P, între cele două zone N+ apare un strat de electroni
minoritari care formează un strat de inversie a conducŃiei.
Creşterea potenŃialului grilei determină creşterea lăŃimii
stratului de inversie. Aplicând o diferenŃă de potenŃial între drenă şi
sursă electronii din stratul de inversie se vor deplasa pe calea N+
(sursă) – canal format din stratul de inversie - N+ (drenă),
determinând curentul „important” al tranzistorului.
Tranzistorul descris mai sus se numeşte TEC-MOS cu canal n
- indus.

84
 În figura 2.25 este prezentat simbolul tranzistorului „TEC-MOS cu
canal N indus”. NotaŃiile au semnificaŃiile : S - sursă, D - drenă,
Ss - substrat, G - grilă (poartă).

G VDS

VGS < 0 S

Fig. 2.25.

Tensiunea de polarizare a grilei este VGS pozitivă ca să formeze

canalul – materializat prin stratul de inversie – iar tensiunea VDS
este pozitivă ca să antreneze electronii de la sursă către drenă -
pentru ca în circuit să se stabilească curentul ID orientat de la D spre
S.
Notă: Se construiesc tranzistori de tip MOS cu canal iniŃial
pentru care, (datorită dopării zonei P) există un strat de inversie a
conducŃiei la suprafaŃa semiconductorului fără aplicarea unui
potenŃial pe grilă (la VGS =0 ) .

Caracteristici de transfer

FuncŃia tranzistorului este să modifice curentul care circulă de

la drenă la sursă, curent notat ID în figura 2.26, prin modificarea
potenŃialului VGS a grilei faŃă de sursă. Caracteristicile de transfer
ilustrează modul de variaŃie al curentului de ieşire când se modifică
tensiunea de comandă.
Se notează VT tensiunea de tăiere, care are semnificaŃii diferite în
funcŃie de tipul tranzistorului TEC:
- în cazul TEC-MOS tensiunea VT este tensiunea VGS de la
care începe să circule curentul IDS, (vezi caracteristica din figura
2.27,a) reprezentând potenŃialul grilei de la care s-a format stratul
de inversie;
- în cazul TEC-J tensiunea VT este tensiunea VGS la care
curentul IDS se anulează, (vezi caracteristica din figura
2.27 ,b) reprezentând potenŃialul grilei pentru care zona de
golire s-a extins în întreg canalul (purtătorii de sarcină
provenind de la sursă întâlnesc în calea către drenă o zonă
de înaltă rezistenŃă).

85
 ID ID

IDS

VT = - 5
VGS [V ]
VGS
VT = 2 V
b)
a)

Fig. 2.26.
Principiile de modificare a curentului I D, în cazul TEC-J prin
modificarea tensiunii unei joncŃiuni polarizate invers iar în cazul
TEC-MOS prin modificarea tensiunii aplicate unui condensator,
determină valoarea foarte mică a curentului absorbit de electrodul
de comandă (grila), rezultând un consum foarte mic de putere
pentru comandă (specific acestui tip de tranzistor).

Caracteristici de ieşire
Caracteristicile de ieşire sunt familii de curbe care prezintă
dependenŃa curentului de drenă ID de tensiunea aplicată canalului
VDS , pentru diferite valori ale potenŃialului aplicat grilei VGS , ca în
figura 2.27.

ID ID

VGS = 0 VGS = 5
V V
VGS = -2V

VGS = - 4V VGS = 2
V

0. 20 VDS 0. 20 VDS
a)TEC-J
b)TEC-MOS

Fig. 2.27

86
Caracteristicile de ieşire prezintă două zone de funcŃionare [12, 27]
- o zonă liniară, în care pentru o tensiune VGS impusă,
curentul de drenă ID creşte la creşterea tensiunii aplicate
canalului VDS;
- o zonă de saturaŃie, în care pentru o tensiune VGS impusă,
curentul de drenă ID nu se modifică la creşterea tensiunii
aplicate canalului VDS.

În zona de saturaŃie curentul de drenă nu se schimbă prin

modificarea VDS ci numai prin modificarea potenŃialului grilei VGS.
Această dependenŃă este exprimată astfel relaŃii în care apar

VGS 2
I D = I DSS (1 − ) pentru TEC-J ,
VT
I D = β (VGS − VT )m , m ∈ [1,2] pentru TEC-MOS,

mărimi dependente de tipul tranzistorului şi de modul de realizare

practică a acestuia, numite după cum urmează:
IDSS - curentul de saturaŃie,
β - coeficient specific tranzistorului cu dimensiunea
−1
Ω ,
VT - tensiunea de tăiere,
m = 2 - coeficient teoretic are valoarea specificată.
Datele de catalog ale unui tranzistor dat specifică, pe lângă alte
caracteristici, setul de parametri (VT , IDSS) pentru TEC-J şi (VT , β)
pentru TEC-MOS.

În zona liniară a caracteristicilor statice curentul de drenă ID

, pentru o tensiune aplicată grilei constantă (VGS = constant), se
modifică liniar cu tensiunea VDS, ceea ce înseamnă că dispozitivul
între drenă şi sursă se comportă ca o rezistenŃă.
Pentru tranzistorul TEC-J zona liniară a caracteristicilor de ieşire se
află la tensiuni mici aplicate canalului VDS ≤ 0,1V .
Curentul de drenă respectă relaŃia lege lui Ohm pentru rezistenŃe

VDS
ID = = GVDS ,
Rcanal

unde G este conductanŃa canalului (drenei).

ConductanŃa drenei poate fi exprimată în funcŃie de mărimea
care o determină - şi anume tensiunea VGS – prin relaŃia

87
  V 
G = G0 1 − GS ,
 VT 
 

ID VGS = 0 V

VGS = - 2V

VGS = - 4V

0,1V VDS

Fig. 2.28.
unde G0 este o dată de catalog, specifică modului de realizare a
tranzistorului TEC-J.

2.7. Polarizarea tranzistorului cu efect de câmp

În figura 2.29 sunt prezentate schemele clasice de polarizare

a tranzistorului cu efect de câmp în zona activă de funcŃionare.
+ VDD

RG 2 RS
RD
G D
G D
+ VDD
- S
S

RG1 RS CS
RG RS CS

Fig. 2.29.
Structurile de polarizare, constatăm că sunt aceleaşi indiferent
de tipul tranzistorului fie bipolar, fie cu efect de câmp.

88
Condensatorul CS în regim de curent alternativ decuplează
rezistorul RS.
În cazul tranzistorului TEC-J, tensiunea de polarizare a grilei
este negativă, motiv pentru care rezistorul RS este obligatoriu
prezent în schemă.
Considerând curentul absorbit de grilă neglijabil, pentru
schema cu o singură rezistenŃă în circuitul grilei tensiunea de
polarizare a grilei este
VGS = - RS ID ,

iar pentru chema cu două rezistenŃe

RG1
VGS = − RS I D + VDD .
RG1 + RG 2

Tensiunea aplicată canalului, pentru ambele scheme din figura 2.29

este
VDS = VDD – (RS + RD) ID .

2.8. Circuite echivalente ale TEC

Circuitul echivalent de semnal mic al TEC la frecvenŃe medii

Indiferent de tipul tranzistorului (TEC-J sau TEC-MOS), în
regim variabil schema echivalentă se construieşte plecând de la
faptul că numai tensiunile modifică valoarea curentului

I D = f (VGS , V DS ) .

VariaŃia curentului de drenă poate fi exprimată prin diferenŃierea

funcŃiei f

∂f ∂f
∆iD = ⋅ ∆VGS + ⋅ ∆VDS ,
∂VGS VDS =ct
∂VDS VGS =ct

I D = g mVGS + g dVDS .

RelaŃia pe baza căreia se construieşte schema echivalentă

(prezentată în figura 2.9) conŃine notaŃiile derivatelor parŃiale
gm – panta tranzistorului,
gd – conductanŃa drenei,

89
 ID – amplitudinea variaŃiei curentului de drenă în jurul
punctului
static de funcŃionare.
Valorile în care se încadrează parametrii de regim variabil ai
tranzistorilor cu efect de câmp sunt
gm = 0,1 ... 10 mA/V;
rd = 0,1 ... 1 MΩ.

G ID

g mVGS 1
rd = VDS
gd
VGS

S
Fig. 2.30.

Schema echivalentă a TEC la înaltă frecvenŃă

Când frecvenŃa tensiunii de intrare este mare încep să conteze

capacităŃile dintre electrozi, motiv pentru care schema echivalentă
de la frecvenŃe medii se completează cu capacităŃile CGS, CGD, CDS
ca în figura 2.31.

CGD ID
G D

g mVGS rd C DS
CGS VDS
VGS

S S

Fig. 2.31
Există între grilă şi drenă o legătură (între ieşire şi intrare) motiv
pentru care nu se utilizează această schemă echivalentă, ci se
transformă, pe baza teoremei lui Miller, într-o altă schemă
echivalentă fără transfer de la ieşire la intrare.

90
 3
DISPOZITIVE MULTIJONCłIUNE
Dispozitivele multijoncŃiune sunt dispozitive semiconductoare
cu mai mult de două joncŃiuni.
Tehnologia actuală permite realizarea unor dispozitive
compuse având mai multe joncŃiuni (spre exemplu tranzistori
Darlington, sau tranzistori cu efect de câmp cuplaŃi cu tranzistori
bipolari sau cu tiristori, ş.a.). În cadrul capitolului vor fi prezentate
dispozitivele clasice care pot constitui structuri de sine stătătoare şi
anume:
- dioda PNPN;
- tiristorul;
- triacul;
- tranzistorul unijoncŃiune – realizat aşa cum spune numele cu
structuri unijoncŃiune.

3.1. Dioda PNPN

Dioda PNPN este formată din patru zone semiconductoare,

ca în figura 3.1a - zonele de conectare a electrozilor fiind mai
puternic dopate cu impurităŃi.
Accesul la dispozitiv se face prin electrozii A – anod şi K –
catod.
Aplicând tensiunea de alimentare V AA , joncŃiunile J1 şi J3 vor
fi polarizate direct pentru că J1 primeşte tensiune pozitivă pe zona
P+ iar J3 primeşte tensiune negativă pe zona N+ a joncŃiunii.
Tensiunea pozitivă a sursei V AA se aplică prin rezistenŃa mică
a joncŃiunii J1 (în conducŃie) pe zona N a joncŃiunii J2 . Tensiunea
negativă a sursei se aplică prin rezistenŃa mică a joncŃiunii J3 (în
conducŃie) pe zona P a joncŃiunii J2 . Rezultă că joncŃiunea J2 va fi
polarizată invers.
Simbolul dispozitivului este prezentat în figura 3.1b.

91
 Polarizarea inversă a joncŃiunii J2 determină zone de golire
în semiconductorii centrali N şi P ceea ce conduce la apariŃia
câmpului electric intern E0 ce se opune transferului de electroni din
N în P şi transferului de goluri din P în N.
Odată cu creşterea tensiunii V AA (V AK ) , zona de golire se
extinde şi intensitatea câmpului E0 creşte; J1 şi J3 fiind polarizate
direct rezultă că există un transfer de goluri din zona P+ în N şi de
electroni din zona N+ în P.
J1 J2 J3

p+ n p n+ A K
IA

A V AK K
+
V AA
V AA

a) b)
Fig. 3.1.

În figura 3.2 este prezentată caracteristica statică a diodei

PNPN [8].
În condiŃiile în care VAK ajunge la V A intensitatea câmpului m0

E0 a crescut suficient pentru ca golurile provenite din zona P+ să fie

preluate de forŃa datorată câmpului E0 şi să fie transferate în zona P
a joncŃiunii J2. La fel se petrec lucrurile cu electronii proveniŃi din
zona P+ care vor fi transferaŃi în zona N a joncŃiunii J2 .

C
IA
J1/2/3 dir

B
Im
A
− V BR

D O V AB0 V AK

J1, J2 ,J3 inv J1, J3 dir,J2 inv

E

Fig. 3.2.

92
 S-a stabilit un transfer de electroni şi goluri prin J2 => J2 a
basculat în conducŃie, astfel apare un curent de goluri care se
închide de la zona P+ la catodul K şi un curent de electroni de la N+
la anodul A.
Astfel vom avea de-a face cu trei joncŃiuni polarizate direct
(în conducŃie) care determină saltul din A în B.
Scăderea tensiunii în punctul B este datorată faptului că toate
joncŃiunile sunt în conducŃie şi VB ar trebui să fie 3x0,65V = 1,95 V.
PorŃiunea BC reprezintă creşterea curentului celor trei
joncŃiuni când tensiunea aplicată creşte.
Curba ODE se obŃine pentru toate trei joncŃiunile în
polarizare inversă.
Recapitulând avem:
OA – zonă de blocare la polarizarea directă a dispozitivului,
pentru tensiunea V AK < V A
m0
( V A se numeşte
m0
tensiunea de
amorsare)
OD – zonă de blocare la polarizarea inversă a dispozitivului
(se obŃine pentru tensiuni negative < VBR (tensiunea de
străpungere).
În ambele zone, OA şi OD curenŃii sunt mici.
DE – zona de multiplicare în avalanşe a purtătorilor
BC – zona de conducŃie a dispozitivului .
FuncŃionarea dispozitivului mai poate fi explicată pe baza
teoriei tranzistorului, constatând că structura semiconductoare poate
fi descompusă ca în figura 3.3.

E1 B1 C1

IA n p
n+ K
p+
A n p
C2 B2 E2

Fig. 3.3.

Se constată că dioda PNPN este formată din doi tranzistori

diferiŃi Unul PNP şi celălalt NPN interconectaŃi.
În figura 3.4 sunt prezentate conexiunile celor doi tranzistori.

93
 I C1 = I B2
E1

A C1 B2
I A = iE1
C2 E2
B1 K
I B1 = I C 2 I E2 = I A

Fig. 3.4.

În figura 3.5 este prezentată variaŃia factorului static de

amplificare în conexiunea bază comună αF la modificarea
curentului de emitor (de fapt curentul anodic al diodei PNPN).
• αF1 se referă la tranzistorul PNP
• αF2 se referă la tranzistorul NPN

αF αF +αF
1 2

1
1

αF 2

αF 1

i E 0 ← V Am 0 iE

Fig. 3.5.
CurenŃii de colector se exprimă în funcŃie de curenŃii de emitor.

iC1 = α F1 i E 1 + I CB 01
iC 2 = α F2 i E 2 + I CB 02 .
i A = i E1 = i C 1 + i B1

Dar succesiv avem

i A = iC1 + i C 2 ,
iA = α F1 i E 1 + I CB 01 + α F2 i E 2 + I CB 02 .

94
Conform relaŃiei de mai sus dintre curenŃii de emitor şi curentul
anodic obŃinem:
i A = α F1 i A + I CB 01 + α F2 i A + I CB 02 ,
I CB 01 + I CB 02
⇒ iA =
1− α ( F1 +α F2 ).
Expresia curentului anodic permite o explicaŃie a saltului
curentului când tensiunea VAK atinge valoarea tensiunii de amorsare.
Creşterea VAK => creşterea iA ,ceea ce conduce la creşterea sumei
( α F1 + α F2 ), conform figurii 3.5. Când tensiunea V AK = V Am , curentul
0
iA (iE) a crescut suficient pentru ca (α F1 + α F2 ) să fie egal cu
unitatea. Anulându-se numitorul din expresia curentului iA ⇒
efectuează un salt din punctul A al caracteristicii statice în punctul
B . Curentul creşte în continuare pe ramura BC a caracteristicii
statice. Creşterea curentului se opreşte la o valoare stabilită de
elementele externe dispozitivului.

RS
V AK
IA

V AA

Fig. 3.6.

Spre exemplu dacă circuitul arată ca în figura 3.6 se poate scrie

teorema K II pe ochiul de circuit V AK + RS I A = V AA , relaŃie numită
dreaptă de sarcină. EcuaŃia dreptei de sarcină împreună cu ecuaŃia
caracteristicii statice determină punctual static de funcŃionare (PSF),
determină de fapt valoarea la care se stabileşte curentul în circuit
⇒ PSF (I A0 ,V AK ) .
În figura 3.7 este rezolvat grafic sistemul. Prin intersecŃia
dreptei de sarcină cu graficul caracteristicii statice se determină
poziŃia punctului static de funcŃionare, notat pe figură PSF.
Ieşirea din conducŃia dispozitivului se face numai prin
scăderea curentului prin dispozitiv sub valoarea curentului de
menŃinere Im.
Intrarea în conducŃie a dispozitivului poate avea loc:

95
 - prin creşterea tensiunii VAK peste valoarea tensiunii de
amorsare VAm0 , cum s-a văzut mai sus;
- prin creşterea temperaturii, care conduce la creşterea
factorilor statici de amplificare şi a curentului iA (prin
creşterea curenŃilor reziduali I CB0 , I CB0 ) determinând
1 2
anularea numitorului şi bascularea în conducŃie;
- prin viteze mari de creştere a tensiunii VAK (prin efectul
dV AK dV AK
⇒ IA = Cj (Cj – capacitatea joncŃiunii) care
dt dt
conduce la creşterea α F1 ,α F2 şi la bascularea în conducŃie a
joncŃiunii J2.

IA

V AA

RS

PSF
I A0
IA = −
1
(V AK ) + V AA
RS RS
Im

VAK 0 V Am 0 V AA VAK

Fig. 3.7.

Ultimele două moduri de intrare în conducŃie a dispozitivului

nu sunt dorite şi se iau măsuri pentru a fi prevenite.
Dispozitivul este utilizat la protecŃia împotriva
supratensiunilor accidentale aplicate circuitelor, montându-se în
paralel cu circuitul protejat. În condiŃiile în care tensiunea de
alimentare a circuitului protejat depăşeşte V Am0 , dispozitivul intră
în conducŃie şi tensiunea scade la valoarea tensiunii de
amorsare V Am (în jur de 2V).
0

96
 3.2. Tiristorul convenŃional

Tiristorul este realizat ca dioda PNPN, dar în apropierea

catodului, pe zona semiconductoare de tip P este montat un terminal
(electrod) cu funcŃia de comandă numit grilă sau poartă, ca în
figura 3.8 a [4, 13, 14, 15 ].
Simbolul dispozitivului este prezentat în figura 3.8a.
Electrodul de comandă al tiristorului (grila) injectează purtători
în zona joncŃiunii polarizate invers a structurii PNPN. Câmpul
electric intern creşte ceea ce face ca purtătorii din zona P+ să intre
sub influenŃa câmpului electric la tensiuni VAK mai mici şi
joncŃiunea să basculeze din blocare în conducŃie. Rezultă că grila,
prin curentul injectat, scade tensiunea de amorsare. Curentul IA se
stabileşte în circuit pentru valori mai mici ale tensiunii aplicate.

A IA
p+ n p n+ K

IG
G

VAK

Fig. 3.8 a

IA
A K
VGK
G

VAK

Fig. 3.8 b
De aici ideea care a condus la aplicaŃiile tiristorului – folosind
tensiuni de alimentare VAA< VAm0 tiristorul nu va intra în conducŃie
decât dacă se aplică un semnal de comandă pe grila tiristorului,
altfel tiristorul rămâne blocat.
Anularea curentului IA şi ieşirea dispozitivului din conducŃie se
face numai prin scăderea, pe o cale oarecare, a valorii curentului IA

97
sub valoarea curentului de menŃinere (IA< Im). Grila nu are nici un
rol în blocarea tiristorului convenŃional.
Pentru a realiza blocarea există două posibilităŃi:
- scăderea către zero a tensiunii de alimentare;
- aplicarea unei tensiuni de polaritate opusă circuitului anod –
catod.
Valori maxime:
IAmax = 5,500 A
VAK inv max = VBR = VB0 =6,500 V
Utilizări : circuite de redresare, circuite pentru conversia puterii,
invertoare, circuite de control a puterii transmise sarcinii, circuite
pentru comanda acŃionărilor electrice, circuite pentru îmbunătăŃirea
factorului de putere.
Domeniul: circuite de putere mare şi de putere foarte mare.

3.3. Triacul

Triacul este un dispozitiv semiconductor realizat ca să

îndeplinească funcŃia a doi tiristori conectaŃi antiparalel [19, 22,
23].
A1
A1
+ A
p
n
p G
n n
+

A2
A2
Fig. 3.9 a Fig. 3.9 b

În figura 3.9,a sunt evidenŃiate zonele semiconductoare iar în

figura 3.9,b este prezentată schema echivalentă a triaclui.

A1 A2

Fig. 3.10

Pentru că circulaŃia curentului poate avea loc în ambele sensuri

electrozii principali sunt numiŃi anozi A1 şi A2 , iar electrodul de

98
comandă păstrează numele de G grilă, în figura 3.10 fiind prezentat
simbolul triacului.
Caracteristica statică a triacului este formată din caracteristicile
statice ale celor doi tiristori cuplaŃi. Pentru tensiuni VAK = VA1A2
pozitive caracteristica statică este prezentată în figura 3.7.
Semnalul de comandă aplicat pe grilă poate avea orice
polaritate faŃă de anodul A2, dar sensibilitatea maximă a comenzii
se obŃine dacă polaritatea tensiunii de comandă VGA2 este aceeaşi cu
polaritatea tensiunii VA1A2.
Valori maxime:
IAmax = 500 A
VAK inv max = VBR = VB0 =4,500 V
Utilizări: circuite pentru comanda maşinilor electrice,
invertoare, circuite de control a puterii transmise sarcinii, circuite
pentru comanda iluminatului.
Domeniul: circuite de putere mică şi medie.

3.4. Tranzistorul unijoncŃiune

Tranzistorul unijoncŃiune este un dispozitiv electronic având

o caracteristică statică, prezentată în figura 3.11, care prezintă o
zonă de rezistenŃă negativă.
Constatăm că în zona AB panta curbei este negativă

V
( I= = −GV ).
−R
Tensiunea VV se numeşte tensiune de vale , corespunzând
punctului limită până la care există o rezistenŃă negativă în
caracteristica statică a dispozitivului.

IB

B
IV
IP A

VV VP VE
Fig. 3.11.

99
 Tensiunea VP se numeşte tensiune de prag şi delimitează,
înpreună cu tensiunea de vale VV, zona de rezistenŃă negativă.
Dispozitivul electronic numit TUJ are o implementare practică
în două variante, una conŃine o singură joncŃiune numit TUJ clasic
(fig. 3.12a) iar cealaltă conŃine trei joncŃiuni şi se cunoaşte sub
numele de TUJ programabil (fig. 3.12b).

B2
I0 Rs
B2 + p
n VCC J1
−
n E
p J2
IE
B1 p
VE + VE J3
− n

B1

a) b)
Fig. 3.12

Electrozii dispozitivului se numesc baze B1 şi B2 iar

electrodul de comandă se numeşte emitor.
TUJ – ul clasic, prezentat în figura 3.12a, este realizat dintr-o
bară semiconductoare de tipul N (formând cele două baze), iar la o
distanŃă controlată de unul din capete s-au difuzat impurităŃi
acceptoare aşa fel încât să se realizeze joncŃiunea PN a emitorului.
Baza semiconducuctoare prezintă rezistenŃa rB1 sub joncŃiune şi
rezistenŃa rB 2 deasupra joncŃiunii, ca în figura 3.13. JoncŃiunea
emitorului este reprezentată de dioda din schema echivalentă [21,
25, 30].
IB RS

r VCC
B2
VD
IE

VE r
B1

Fig. 3.13

Cât timp tensiunea de alimentare a emitorului VE este mică dioda,

constituita din jonctiunea PN, este blocata, ceea ce înseamna ca

100
avem de-a face cu o zonă de golire care se extinde cu precadere în
semiconductorul de tipul N.
Dida intră în conducŃie cînd este îndeplinită condiŃia
VE≥VD+VA, unde tensiunea VA se exprimă în funcŃie de tensiunea de
alimentare VCC

rB1 rB1
VA = VCC ≅ VCC .
rB1 + rB 2 + RS rB1 + rB 2

Se poate face aproximarea de mai sus pentru că prin dispozitiv

circulă un curent mic şi căderea de tensiune pe RS poate fi neglijată.
JoncŃiunea PN intră în conducŃie determinind injectarea de
purtători în spatiul definit de rezistenta rB1 . Crescând numărul de
purtători va creşte conductivitatea zonei N aflata sub joncŃiune,
determinând o scădere bruscă a rezistenŃei rB1 , ceea ce conduce la
cresterea curentului IE.
Constatăm că la tranziŃia din blocare în conducŃie a
dispozitivului nu avem o multiplicare în avalanşă a purtătorilor ci
numai cu o scădere a rezistenŃei rB1 .
Se defineşte raportul intrinsec de divizare a bazelor prin
rB1
η= .
rB1 + rB 2

În figura 3.14 sunt prezentate simbolurile celor două tipuri de

tranzistori unijoncŃiune:
a) tranzistorul unijoncŃiune clasic;
b) tranzistorul unijoncŃiune programabil.

+VCC
R1
B2
E

R2

B1

a) b)
Fig. 3.14

101
Deosebirea între cele două tipuri constă în faptul că raportul
intrinsec de divizare a bazelor în cazul TUJ-ului clasic este fix, pe
când la TUJ-ul programabil raportul intrinsec de divizare se
stabileşte din exterior, cu cele două rezistoare din figura 3.14b,
având expresia
R2
η= .
R1 + R2

E B2
VCC
+ B1
− C
n1 n2
TR

V0

VCC

VCB

VCI T0
T0 k
T T = T0 + TB

Fig. 3. 15

În figura 3.15 se prezintă schema şi formele de undă asociate

unui oscilator de relaxare cu TUJ [21, 30].
La conectarea sursei de alimentare, dispozitivul este blocat şi
condensatorul C se încarcă, de la Vcc cu o tensiune, care tinde către
valoarea tensiunii de alimentare într-un timp notat cu T0.
Momentrul T0 reprezintă momentul de timp când tensiunea pe
condensator este suficient de mare pentru ca doda din schema
echivalentă să intre în conducŃie, determinind scaderea rezistenŃei
de sub emitor.
Tensiunea pe condensator are valoarea:

102
 VC(T0)=Vs+ηVCC= ηVCC .

La T0 începe procesul rapid de descărcare a sarcinii de pe

condensator prin rezistenŃa de valoare mică de sub zona emitorului
şi primarul transformatorului TR.
Din condiŃia de mai sus se deduce valoarea timpului de
creştere a
impulsului
1
T0 = τ ln( ),
1−η
unde s-a notat constanta de timp cu τ = RC .

3.5.Tiristorul MOS (MOS Controlled Thyristor)

Este o structură formată din doi tranzistori care modelează un

tiristor, la care se adaugă un tranzistor MOS care să realizeze
blocarea structurii.
Schema de principiu a dispozitivului este prezentată în figura
3.16. Tranzitorii bipolari complementari Q1, Q2 modelează
tiristorul.
Dacă se aplică un impuls pozitiv pe G1 faŃă de K, tiristorul intră în
conducŃie. Tranzistorul MOS Q3 este blocat, tensiunea VDS fiind
mică şi anume egală cu VG1K. Pentru a bloca structura se impune
a aduce în conducŃie tranzistorul Q3, ceea ce se realizează prin
aplicarea unui impuls pe G2 (faŃă de K). Tranzistorul Q2 se
blochează şi astfel se anulează curentul anodic.

IA

Q1
G1

Q2

G2
Q3

Fig. 3.16.

103
 În figura 3.17 este prezentată a) o realizare fizică a MCT şi b)
schema structurală a MCT [40].

a) b)
Fig. 3.17.

Tranzistorul NPN este în paralel cu un canal de tipul N (on

FET) având rolul de a iniŃia procesul regenerativ de intrare în
conducŃie a structurii.
Tranzistorul PNP este în paralel cu un canal de tipul P (off
FET) având rolul de a iniŃia procesul regenerativ de blocare a
structurii.
Un impuls de tensiune pozitiv aplicat pe grilă determină
acumularea de purtători de sarcină – electroni - în canalul de tipul N
(care devine conductor). Se realizează astfel o legătură
conductoare între K – N+ - P(canalul) – N-.
Apare o joncŃiune polarizată direct între A şi K, ceea ce
înseamnă că dispozitivul a basculat în conducŃie (se închide un
curent între anod şi catod).
Un impuls negativ aplicat pe grilă VGK acŃionează asupra
canalului de tipul P determinând ieşirea din conducŃie a
dispozitivului.
Procesul de intrare în conducŃie şi de blocare fiind regenerativ
nu este necesar să fie menŃinută tensiunea de comandă pe grilă.

3.6. Tiristorul GTO cu blocare pe poartă (Gate turn off thyristor)

104
 Tiristorul cu blocare pe poartă GTO este o structura
multijoncŃiune similară cu cea a tiristorului convenŃional SCR
(Silicon controlled rectifiers), prezentată în figura 3.18a, dar
factorul de amplificare în curent al tranzistorului NPN din structură
este mult mai mare decât al tranzistorului PNP.
Factorul de amplificare în curent este scăzut tehnologic, ceea
ce se reflectă în schema echivalentă din figura 3.18b, prin rezistenŃa
Rs, cu rol de şuntare a curentului ce se injectează în structură.
Atât tiristorul convenŃional SCR cât şi tiristorul cu blocare pe
poartă GTO intră în conducŃie, când tensiunea VAK > 0, dacă grila
primeşte un impuls pozitiv.

a) b) c)

Fig. 3.18.

Procesul de intrare în conducŃie este regenerativ şi se face într-

un timp foarte scurt (curentul injectat este amplificat de tranzistorul
NPN, care aplicat în baza tranzistorului PNP este amplificat din nou
şi curentul de colector rezultat este adunat la intrare, rezultă astfel o
reacŃie pozitivă sau altfel spus un proces regenerativ).
Blocarea structurii se face într-un timp relativ lung, după
eliminarea sarcinii stocate, ceea ce stabileşte frecvenŃa maximă de
lucru la 1,.., 2 kHz.
Pentru blocarea tiristorului convenŃional SCR se recurge la
anularea curentului anodic sau la inversarea polarităŃii tensiunii
anodice VAK< 0 (ceea ce conduce, de fapt, tot la anularea curentului
anodic).
Pentru blocarea tiristorului GTO se aplică un impuls negativ pe
grilă, la un curent de grilă de 10,...,20% IAK din valoarea curentului
anodic.

105
 Rezultă că factorul de amplificare în curent al GTO este mai
mic decât al SCR şi consumul de putere pentru comandă este mai
mare dar poate fi blocat cu impulsuri negative aplicate pe grilă,
ceea ce înseamnă că schema de comandă este mai simplă.

IL

L Circuit de
accelerare a
R blocării
VAK D
GTO

+
-
C

Fig. 3.19.

Dacă în serie cu tiristorul se află o inductivitate L atunci

blocarea acestuia este lentă. Cu toate că s-a aplicat o comandă de
blocare, curentul anodic nu se anulează până nu s-a epuizat toată
energia acumulată în câmpul magnetic al inductivităŃii.
Pentru a creste viteza de blocare, în paralel cu tiristorul se
conectează o reŃea „Snubber” – un circuit de accelerare a blocării‚
prezentat în figura 3.19.
În timpul conducŃiei tiristorului condensatorul C este încărcat
cu polaritatea din figură şi prin circuitul derivaŃie nu circulă curent
(aste mic).
Comanda de blocare determină creşterea VAK ⇒ IL va încărca
condensatorul C prin dioda D, ca în figura 3.20.
Inductivitatea, prin energia înmagazinată în câmpul magnetic pe
perioada când tiristorul este în conducŃie, are tendinŃa de a menŃine
sensul curentului chiar după ce se dă comandă de blocare a
tiristorului.
Se constată că circuitul de accelerare a blocării formează o cale
pentru descărcarea energiei inductivităŃii L, pentru ca să se poată
anula curentul prin tiristor înainte de anularea curentului prin
inductivitate.

106
 VAK IA
IA UAK = Vc

blocat
Comanda blocare – prin IG respectiv (VGK < 0)

Fig. 3.20.

3.7. Tranzistorul Darlington

Tranzistorul Darlington este o structură, realizată pe o pastila

de siliciu, formată din doi tranzistori bipolari în conexiune
Darlington, ca în figura 3.21. Tranzistorul Q2 este tranzistorul de
putere, iar tranzistorul Q1 are rolul de a creşte factorul de
amplificare (global) în curent, astfel încât h f = h f ⋅ h f (ştiut fiind că
1 2

h f al tranzistorului de putere are valori mici - h f < 30 - şi scade

1 1

puternic pentru valori apropiate de curentul maxim suportat de

tranzistor.
Dioda D este dioda de accelerare a blocării tranzistorului de
putere Q2. Dacă lipseşte Q2 se va bloca după ce se blochează Q1.
Cu dioda D începe simultan procesul de blocare pentru ambii
tranzistori.
Căderea de tensiune în conducŃie este mai mare decât căderea
de tensiune ce s-ar obŃine cu Q2 singur - când tranzistorul
Darlington este saturat căderea de tensiune este 0,8 V fată de 0,2 V
[40].
PerformanŃele din punctul de vedere al aplicaŃiilor de puteri
mari sunt stabilite pentru tranzistorul Darlington de către
tranzistorul final al structurii şi anume de Q2.

107
 C

B
Q1
D

Q2

E
Fig. 3.21.

3.8. Tranzistorul I.G.B.T. (Insulated gate bipolar

transistor)

Structura I.G.B.T. este un montaj Darlington modificat, format

din doi tranzistori - un transistor bipolar PNP de putere şi un
transistor pentru comanda tranzistorului de putere cu efect de câmp
MOS, ca în figura 3.22.
C
IA
C
VCE

G
G

VG E
E

a) b)

Fig. 3.22.

Căderea de tensiune a IGBT în conducŃie este a unui tranzistor

bipolar saturat (0,2V) şi anume a tranzistorului de putere.
Intrarea în conducŃie şi blocarea tranzistorului IGBT se face ca
şi în cazul oricărui tranzistor cu efect de câmp MOS - prin comanda
cu tensiune pozitivă aplicată pe grilă acesta intră în conducŃie.
Procesul de intrare în conducŃie nefiind regenerativ comanda

108
trebuie menŃinută. Timpii de comutare sunt stabiliŃi de tranzistorul
bipolar.

3.9.Aria de diode controlată FCD (Field controlled

diodes )

Structura semiconductoare numită arie de diode controlată,

prezentată în figura 3.23a este similară celei a unui transistor cu
efect de câmp cu joncŃiune J-FET cu deosebirea că în cazul acestui
dispozitiv zona drenei de tipul N+ a fost înlocuită, cu un
semiconductor de tipul P+, pentru a realiza zona catodului .

a) b)

Fig. 3.23.

În figura 3.23,b este prezentată schema echivalentă a

dispozitivului.
Emitorul tranzistorului este reprezentat de zona
+
semiconductoare P , care constituie şi anodul dispozitivului.
Colectorul tranzistorului este reprezentat de zona semiconductoare
N+, care constituie şi catodul dispozitivului.
Zona bazei este zona mai puŃin dopată de tipul N-.
Între grila G (zona P+ ) şi zona semiconductoare a bazei (N- )
există o joncŃiune polarizată invers care modulează rezistenŃa bazei,
de fapt rezistenŃa canalului conductor A – N- - K.
Deoarece modificarea rezistenŃei canalului conductor se face prin
modificarea potenŃialului de polarizare inversă a joncŃiunii
semiconductoare grilă –catod, se justifică schema echivalentă
3.23b.
Dispozitivul FCD nu funcŃionează pe baza unui proces
regenerativ, ca şi IGBT, singura deosebire constând în tipul

109
tranzistorului de comandă J-FET în primul caz şi MOS-FET în
celălalt caz.
Modul de comandă este diferit în funcŃie de dispozitiv
- FCD este normal în conducŃie şi se blochează cu tensiune
negativă pe grilă, iar
- IGBT este normal blocat şi intră în conducŃie prin
aplicarea unei tensiuni pozitive pe grilă.

110
 Teste de autoevaluare A (capitolele 1, 2 şi 3)

1. Fenomenul de recombinare se referă la

a) ciocnirea a doi atomi
b) dispariŃia unui electron şi a unui gol
c) ciocnirea unui electron cu un atom
2. Curentul de recombinare depinde de
a) concentraŃia de impuritati donoare
b) temperatură
c) tensiunea aplicată
3. Polarizarea în conducŃie a joncŃiunii PN se face
a) cu condensatori
b) aplicând tensiune pozitivă pe anod şi negativă pe catod
c) aplicând tensiune negativă pe anod şi negativă pe catod
4. RezistenŃa diodei în conducŃie faŃă de dioda în polarizare
inversă este
a) mai mică
b) mai mare
c) egală
5. Căderea de tensiune pe o diodă în conducŃie este
a) mai mică ca 1 V
b) mai mare ca 10 V
c) foarte mare

6. Tranzistorul bipolar are un număr de joncŃiuni egal cu

a) 1
b) 2
c) 3
7. Curentul principal, care se închide de la E la C în cazul
tranzistorului PNP este:
a) de goluri
b) de electroni
c) de electroni şi goluri
8. Tranzistorul NPN este polarizat în regiunea activă de
funcŃionare prin
a) polarizarea directă a joncŃiunii EB şi inversă a
joncŃiunii CB
b) cu tensiuni VBE>0 şi VCB>0
c) cu tensiuni VBE>0 şi VCB<0

111
9. Modelul cuadripolar “h” al tranzistorului NPN are în
structură
a) două surse de tensiune
b) două surse de curent
c) o sursă de tensiune şi una de curent
10. PrecizaŃi relaŃia între rezistenŃele de intrare şi de ieşire
pentru TBP în conexiune EC
a) intrare > ieşire
b) intrare < ieşire
c) intrare = ieşire
11. Curentul tranzistorului cu efect de câmp este
a) de goluri sau de electroni
b) de electroni şi goluri
12. RezistenŃa de intrare a TEC faŃă de rezistenŃa de intrare a
TBP este
a) mai mare
b) mai mică
c) egala
13. PrecizaŃi tranzistorul pentru care curentul de drenă este nul
dacă tensiunea la intrare este nulă
a) TEC-J
b) TEC-MOS
c) TBP
14. PrecizaŃi numărul de joncŃiuni ale diodei PNPN
a) 1
b) 2
c) 3
15. Tensiunea de amorsare a tiristorului se referă la tensiunea
dintre
a) grilă şi catod
b) anod şi catod
c) grilă şi anod
16.Tiristorul convenŃional intră în conducŃie prin comandă
a) pe grilă
b) pe catod
c) pe emitor

112
 CUPRINS
Modulul A

1. Dioda semiconductoare 7
1.1. Caracteristici statice 7
1.2. Semiconductori intrinseci 11
1.3. Semiconductori extrinseci 15
1.4. DensităŃi de curent în semiconductori 17
1.5. JoncŃiunea p-n la echilibru termodinamic 22
1.6. Polarizarea joncŃiunii P-N 26
1.7. Fenomene care modifică caracteristica statică 30
1.8. Circuite echivalente în regim static 33
1.9. Circuite echivalente în regim cvasistaŃionar 36
1.10. Tipuri de diode semiconductoare cu joncŃiune 39
1.11. Principiul superpoziŃiei 41
1.12. Circuite de redresare 45
1.13. Stabilizatorul parametric 54

2. Tranzistori 59
2.1. Teoria elementară a TBP 59
2.2. Modele în regim static 63
2.3. Caracteristici statice ale TBP 67
2.4. Polarizarea TBP în zona activă de funcŃionare 71
2.5. Regimul variabil al TBP 76
2.6. Caracteristici statice ale TEC 81
2.7. Polarizarea tranzistorului cu efect de câmp 88
2.8. Circuite echivalente ale TEC 89

3. Dispozitive multijoncŃiune 91
3.1. Dioda PNPN 91
3.2. Tiristorul convenŃional 97
3.3. Triacul 98
3.4. Tranzistorul unijoncŃiune 99
3.5. Tiristorul MOS 103
3.6. Tiristorul GTO cu blocare pe poartă 105
3.7. Tiristorul Darlington 107
3.8. Tiristorul I.G.B.T. 108
3.9. Aria de diode controlată 109

Teste de autoevaluare A 111

113
 SoluŃiile testelor de autoevaluare

Teste A 1. b ; 2. a,b,c ; 3. b ; 4. a ; 5. a ; 6. b ; 7. a ; 8. a,c ; 9. c ; 10. b ; 11.

b; 12. a ; 13. b ; 14. c ; 15. a ; 16. a.

114
 4
AMPLIFICATOARE DE SEMNAL MIC

4.1. Parametrii amplificatoarelor de semnal mic

DefiniŃii şi clasificări

Amplificatorul este un circuit electronic care primeşte la

intrare un semnal de putere mică si determină la ieşire un semnal de
aceeaşi formă cu semnalul aplicat, dar de putere mai mare.

X(t) x0=A xi

xi

Fig. 4.1.

CondiŃia pentru ca semnalul de la ieşire (vezi figura 4.1) să

aibă aceeaşi formă este x0(t)=A xi(t− θ). Observăm ca nu este
obligatoriu ca timpul să coincidă, in sensul că amplificatorul poate
introduce o întârziere la ieşire; ceea ce se traduce în domeniul

113
frecvenŃă printr-un defazaj între semnalul de intrare si semnalul
ieşire.
Coeficientul „A” se numeşte factor de amplificare fiind definit
ca raport între mărimea de ieşire şi mărimea de intrare [8].
Datorită faptului că orice semnal periodic poate fi descompus
într-o sumă de semnale sinusoidale de frecvenŃe diferite şi cum în
cazul semnalelor sinusoidale cea mai comodă cale de rezolvare a
circuitului este transformarea acestuia în complex rezultă că
factorul de amplificare se exprimă în majoritatea situaŃiilor ca
vector complex raport între transformata în complex a semnalului
de ieşire şi transformata în complex a semnalului de intrare

X 0 ( jω )
A( jω ) = = A(ω )eϕ ( jω ) ,
X i ( jω )

unde A(ω ) este modulul factorului de amplificare iar ϕ (ω ) este faza

factorului de amplificare.

A
A0 = ct
A0
A0/ 2
ϕ t

π/2 ϕ = ct
0 f
−π/2 fi fs

Fig. 4.2

Deoarece semnalul de ieşire se obŃine prin înmulŃirea

semnalului de intrare cu factorul de amplificare, pentru ca toate
sinusoidele de ieşire să fie la fel cu cele de la intrare se impune ca
A să fie constant, ceea ce înseamnă că atât modulul lui A=A0 trebuie
să aibă acelaşi valoare pentru orice frecvenŃă, cît şi ϕ trebuie să
aibă acelaşi valoare pentru orice frecvenŃă, ca în figura 4.2.
Spunem că A este constant între frecvenŃele f J –numită
frecvenŃă limită inferioară (joasă) şi fS – numită frecvenŃă limită

114
superioară, dacă modulul factorului de amplificare nu scade sub
A0
valoarea de la frecvenŃe medii sub valoarea .
2
DiferenŃa celor două frecvenŃe defineşte banda de frecvenŃa
amplificatorului

B= fs – fj , (în care A = A0).

Amplificatoarele pot fi clasificate în funcŃie de banda de

frecvenŃe astfel:

- Audio frecvenŃă fJ = 20 Hz f S = 20 kHz;

- Medie frecvenŃă f S = 100 kHz;
- Video frecvenŃă f S = 700 MHz;
- Microunde f S = 70 GHz.
- Selective amplifică semnalele dintr-o bandă îngustă, în jurul
unei frecvenŃe f0 centrale cu fJ = f0 -B/2 şi fS = f0 +B/2 .

Parametrii amplificatoarelor de semnal mic

Pentru că un amplificator poate creşte amplitudinea tensiunii

sau curentului de la ieşire faŃă de intrare se definesc diferiŃi
factori de amplificare, şi anume:
V
AV = 0 factorul de amplificare în tensiune;
Vi
I
Ai = 0 factorul de amplificare în curent;
Ii
P
AP = 0 factorul de amplificare în putere;
Pi
V
AZ = 0 factorul de transfer, numit transimpedanŃă, cu
Ii

dimensiunea Ω;
I
AY = 0 factorul de transfer numit transadmitanŃă , cu
Vi

dimensiunea Ω-1 .

115
 Factorii de amplificare adimensionali se exprimă uneori în
decibeli (dB)
P0 V0
AP = 10 log( )[dB ], AV = 20 log( )[dB ].
Pi Vi

Spre exemplu o amplificare în tensiune de 80dB înseamnă că

tensiunea de ieşire este de 104 ori mai mare ca tensiunea de la
intrare.
Amplificatoarele mai pot fi clasificate în funcŃie de sarcină
astfel:
- amplificatoare de tensiune, când sarcina are impedanŃă
mare şi
amplificatorul are Ai ≤ 1 ;

- amplificatoare de curent, când sarcina are impedanŃă mică şi

amplificatorul are Av ≤ 1 ;

- amplificatoare în putere, când sarcina primeşte putere de la

amplificator şi amplificatorul are Av ≥ 1, Ai ≥ 1 .
Pentru un circuit care are drept sarcină amplificatorul dat este
important să cunoască ce fel de sarcină reprezintă acesta, motiv
pentru care s-a introdus noŃiunea de impedanŃă de intrare a
amplificatorului.
ImpedanŃa de intrare a amplificatorului este un alt parametru
al amplificatorului, reprezentând sarcina pe care o vede circuitul din
amontele amplificatorului.
Dacă circuitul de la intrarea amplificatorului este un generator
de tensiune de rezistenŃă internă Rg, condiŃia de adaptare a
generatorului cu receptorul (amplificatorul) este
Zi = Rg ,
pentru că în această situaŃie are loc transferul maxim de putere de la
generator la receptor (la intrarea amplificatorului).
Se mai defineşte un alt parametru al amplificatorului numit
impedanŃă de ieşire
V0
Z0 = I i =0 ,
I0
care caracterizează amplificatorul pentru circuitele din avalul
acestuia.

116
Ipoteze simplificatoare
• Termenul „de semnal mic” se referă la faptul că
amplitudinea
semnalului aplicat la intrarea amplificatorului este suficient de mic
pentru ca punctul de funcŃionare al oricărui element activ de circuit
(din componenŃa schemei) să nu părăsească zona liniară a
caracteristicilor statice.
Astfel va fi îndeplinită condiŃia privind liniaritatea relaŃiei
dintre mărimea de ieşire şi mărimea de la intrarea amplificatorului.
• Banda de frecvenŃă a semnalului de intrare şi frecvenŃele
limită nu determină creşterea impedanŃelor din schema echivalentă
a tranzistorului pentru ca să se impună a fi luate în consideraŃie.
Această limitare permite utilizarea schemelor cuadripolare ale
elementelor active de circuit cu parametrii de cuadripol
independenŃi de frecvenŃă.
De fapt toate aceste limitări sunt impuse pentru ca semnalul
de la ieşirea schemei să fie de aceeaşi formă cu semnalul de la
intrare, adică schema electronică să îndeplinească funcŃia de
amplificare a semnalului de la intrare.
În realitate nimic nu este perfect, motiv pentru care spunem
că o schemă de amplificator este liniară dacă distorsiunile
semnalului de la ieşire sunt acceptabile (se încadrează într-un
domeniu impus de aplicaŃia dată). Spre exemplu un amplificator
liniar în domeniul 300,..., 12.000 Hz este sper-performant dacă se
utilizează la realizarea unui megafon şi este execrabil dacă este
utilizat la realizarea unui lanŃ audio „HF”.
• Luând în consideraŃie faptul că reacŃia (transferul unei părŃi
din semnalul de la ieşire la intrare) se tratează în cadrul unui capitol
separat, în cadrul prezentului capitol vom considera tranzistori
unilaterali.
Această limitare simplifică schema echivalentă a
elementelor de circuit, în sensul eliminării tuturor componentelor
care transferă semnalul de la ieşire la intrare, ceea ce permite
tratarea separată a circuitului de la intrare şi separat circuitul de la
ieşirea amplificatorului.

Schema echivalentă a TBP

Tranzistorul bipolar poate fi utilizat în conexiune emitor
comun (EC), în conexiune colector comun (CC) sau în conexiune
bază comună (BC) determinând tot atâtea topologii de
amplificatoare, denumite după modul de conectare a tranzistorului.

117
 Ii C
B

hi hfIi r0 =1/h0

Fig. 4.3.
Notă: În toate calculele se va considera schema echivalentă
cuadripolară a tranzistorului bipolar în conexiune emitor
comun, prezentată în figura 4.3, indiferent de modul de aşezare a
tranzistorului (BC, CC, sau EC) în cadrul amplificatorului.

4.2. Amplificatorul cu tranzistor bipolar în conexiune

EC

În figura 4.4 este prezentată schema unui amplificator cu TBP

în conexiune emitor comun EC.
Polarizarea bazei tranzistorului se face prin intermediul
divizorului de tensiune, realizat cu rezistorii RB1 şi RB2, care
stabilesc un potenŃial al bazei
RB1
VB = VCC .
RB1 + RB 2

JoncŃiunea bază – emitor primeşte tensiunea

V BE = V B − RE I E , pentru I E = IC + I B ≅ IC .

JoncŃiunea colector - bază primeşte tensiunea

VCB = VCE − V BE = VCC − ( RC + R E ) I C .

Condensatorii notaŃi CC sunt condensatori de cuplaj, având

rolul de a separa componenta de curent continuu a curenŃilor
tranzistorului de sursa de semnal variabil (Vg , Rg ) şi de
impedanŃa de sarcină (RL). Scopul este ca fiecare etaj de amplificare
să nu sufere modificări ale PSF datorită etajelor din faŃă sau din
aval.
ReactanŃa condensatorului se adoptă aşa ca pe întreg domeniul
de variaŃie a frecvenŃei semnalului de intrare, să fie suficient de

118
mică pentru a neglija căderea de tensiune de pe condensatorul de
cuplaj.
+VCC

RB2 RC

CC
CC
Vg
Vi
Rg VL RL
RE
RB1 CE

Fig. 4.4.

Condensatorul CE este condensator de decuplare a

rezistorului RE, reactanŃa acestuia stabilindu-se la o valoare mult
mai mică decât valoarea rezistenŃei RE
1
<< R E .
ϖ jCE

Rg
Rc RL
Vg RB1 RB2 V0

Fig. 4.5

În condiŃiile precizate curentul variabil de emitor se va închide

prin condensator, iar acesta având o reactanŃă mică va determina
conectarea directă a emitorului la masă (scurcircuitare în regim de
c.a.).

119
 Sursa de curent continuu VCC, este un acumulator, o baterie
sau un circuit de conversie a energiei în energie de curent continuu.
În oricare din situaŃii rezistenŃă internă este foarte mică, motiv
pentru care din punctul de vedere al regimului variabil bornele
sursei vor fi în scurcircuit, ceea ce înseamnă că toate elementele
conectate la VCC în schema echivalentă de c.a. se vor conecta la
masa circuitului. Constatăm că în schema echivalentă de c.a. a
amplificatorului cu tranzistor în conexiune EC, din figura 4.5, în
urma observaŃiilor de mai sus
- emitorul s-a conectat la masă (GND);
- RB2 şi RC s-au conectat la masă;
- condensatorii CC s-au scurcircuitat.
Sursa de tensiune variabilă este o sursă reală formată din sursa
ideală Vg şi rezistenŃa internă Rg.
Prin înlocuirea tranzistorului din figura 4.5 cu schema lui
cuadripolară schema devine ca în figura 4.6.

Rg I1 R’L
L

RB hi h f I1 V0
Vg 1
Vi r0 =
h0

Fig. 4.6.

În figura 4.6 s-au introdus notaŃiile

R B = RB1 R B 2 , R L' = RC RL .

Factorul de amplificare în tensiune

Factorul de amplificare în tensiune poate fi raportat la intrarea

tranzistorului
V
AV = 0 ,
Vi
sau poate fi raportat la generatorul de tensiune

120
 V
AVg = 0 .
Vg
Între cei doi factori de amplificare în tensiune există relaŃia

V0 Vi Vi
AVg = = AV .
Vi Vg Vg

Conform divizorului de tensiune se poate exprima Vi

Rg
Vi = Vg ,
Rg + hi RB
Rg
de unde AVg = AV ,
Rg + hi RB
V0
ceea ce înseamnă că este suficient să determinăm AV = .
Vi
Metodica generală de calcul a unui factor de amplificare
constă în a exprima unul din termeni (numitorul sau numărătorul)
ca funcŃie de celălalt termen sau de a exprima fiecare din termeni
prin aceeaşi variabilă care, prin raportare se va simplifica.
Încercăm cu cea de a doua metodă, variabila fiind I1.
- Tensiunea Vi se exprimă direct pe circuitul de intrare

Vi = hi I1

- Tensiunea V0 este pe rezistorul echivalent

V0 = − RL' I L' ,

dar curentul poate fi exprimat cu teorema I a lui Kirchhoff (K I)

V0
I L' = h f I1 + = h f I1 + h0V0 ⇒
r0

care curent se înlocuieşte în expresia tensiunii

h f RL'
V0 = −(h f I1 + h0V0 ) RL' ⇒ V0 = − I1 .
1 + RL' h0

Efectuând raportul se obŃine expresia căutată

121
 hf hf
AV = − R L' ≅ − R L' = − g m R L'
(1 + R L' h0 )hi hi

S-a aproximat relaŃia pentru că R L' h0 << 1 .

hf
Termenul g m = se numeşte pantă a tranzistorului şi depinde de
hi
curentul în PSF.

Factorul de amplificare în curent

IL
DefiniŃia este Ai = .
Ig
Prin rezistorul RL' = RC RL circulă curentul I L' iar prin
rezistorul RL circulă curentul IL . Conform divizorului de curent
avem
RC
IL = I L' ,
RC + RL
de unde se obŃine o nouă expresie pentru Ai.
RC I L'
Ai =
RC + RL I g
Din ecuaŃiile deduse mai sus
h f RL'
V0 = − I1 ⇒
1 + RL' h0
hf
I L' = I1 ≅ h f I1 .
1 + RL' h0
V0 = − RL' I L'
(se aproximează pentru că R L' h0 << 1 ).

Curentul I1 se exprimă din divizorul de curent de la intrare

RB
I1 = Ig ≅ Ig ⇒
RB + hi

(se aproximează pentru că RB>> hi ).

Curentul I L' se scrie înlocuind I1

hf RB
I L' = Ig ≅ hf Ig ,
1 + RL' h0 RB + hi

122
cu ajutorul căruia am obŃinut expresia factorului de amplificare în
curent

RC hf RB RC
Ai = '
≅ hf
RC + RL 1 + RL h0 RB + hi RC + RL

ImpedanŃa de intrare

ImpedanŃa de intrare văzută de generatorul de tensiune,

reprezintă rezistenŃa echivalentă de la intrarea circuitului privită de
la sursa Vg. Pentru schema din figura 4.6 avem

Vg
Zi = = Rg + RB hi ≅ Rg + hi
Ig

Se constată că impedanŃa de intrare este de valoarea impedanŃei de

intrare (hi) a TBP, deci are o valoare mică – tipic 2 kΩ.

ImpedanŃa de ieşire

ImpedanŃa de ieşire se defineşte cu intrarea în gol

V
Z 0 = 0 I g =0 .
I0

Schema din figura 4.6, prin anularea curentului de intrare, devine

schema din figura 4.7.
I0

1/h0 Rc RL Vo

Fig. 4.7.

Pentru că Ig = 0 avem şi I1 = 0, ceea ce înseamnă că din

circuit se va elimina sursa comandată de curent, rămânând circuitul
din figura 4.7.
Curentul se determină, cu K I,

123
 V0 V0
I0 = + + h0V0 ,
RL RC
de unde

1 1 1
= + + h0
Z 0 R L RC

ImpedanŃa de ieşire a amplificatorului cu TBP în conexiune

EC văzută de sarcina RL este
1 1 1
= + h0 ⇔ Z 0' = RC ≅ RC .
Z 0' RC h0
Se constată că impedanŃa de ieşire este limitată de valoarea
rezistorului din colectorul TBP.

RELAłII pentru amplificatorul cu TBP în conexiune EC

hf hf
AV = − RL' ≅ − RL' = − g m RL'
(1 + RL' h0 )hi hi
RC hf RB RC
Ai = ≅ hf
'
RC + R L 1 + R L h0 R B + hi RC + R L
Vg
Zi = = R g + R B hi ≅ R g + hi
Ig
1 1 1 1
= + + h0 , Z 0 = RL RC ≅ RC RL
Z 0 RL RC h0

4.3. Amplificatorul cu tranzistor bipolar in conexiune

CC

Schema unui amplificator cu TBP în conexiune CC este

prezentată în figura 4.8.
Condensatorii CC sunt condensatori de cuplaj, a căror
impedanŃă se neglijează pentru domeniul de frecvenŃe în care
lucrează amplificatorul.
Polarizarea bazei se face cu cele două rezistoare conectate în
baza TBP şi cu rezistorul RE, numai că rezistorul din emitor se
determină din considerente privind semnalul variabil, nu din
considerente de stabilitate a PSF.

124
 +VCC

RB2
Cc
Cc

Vg, Rg ~ RB2 RE RL

Fig. 4.8

În figura 4.9 este prezentată schema de c.a. a circuitului din

figura 4.8. Sursa de c.c. conectează colectorul TBP la masă şi acum
constatăm că avem colectorul atât la intrare cât şi la ieşire, ceea ce
justifică afirmaŃia din titlu “TBP în conexiune CC”.

C
Rg
B
I0

Vg
RB1 RB2 RE R L V0

Fig. 4.9

În figura 4.10 este prezentată schema echivalentă a amplificatorului,

unde pentru tranzistor s-a folosit schema echivalentă cuadripolară.

I1

Rg B
hi
Vg
RB I 0′ E
V0 R L′ h f I1 r0

Fig. 4.10.

125
 ′
S-au notat RB = RB1 RB 2 , RL = RE RL , RL" = r0 RE RL .
I0 RE r0 I"
Ai = = ⋅ 0 .
I g R E + R L r0 + R L I g

Factorul de amplificare în curent se aproximează, pe baza

faptului că r0 >> RL astfel

RE
Ai ≅ −(1 + h f ) .
RE + R L

Factorul de amplificare în tensiune

Fără a face nici un fel de calcule ştim că factorul de amplificare
în tensiune este subunitar. Subunitar pentru că tensiunea de
intrare se aplică între bază şi masă (Vg = Vbe + Ve) şi se culege
(ieşirea) între emitor şi masă.
R L (1 + h f )
″
V0
AV = = < 1.
V g R + h + R ″ (1 + h )
g i L f

Constatăm că montajul nu amplifică din tensiune (doar din

curent).
ImpedanŃa de intrare a amplificatorului cu tranzistor bipolar
in conexiune CC se determină pentru schema echivalentă din figura
4.10 (cu RB= f. mare).
= Rg + hi + RL″ (1 + h f )
Vg
Zi =
Ig

Se constată că impedanŃa de intrare este de valoare mare,

pentru că la intrarea circuitului se transferă valoarea impedanŃei de
sarcină (echivalentă) multiplicată cu factorul de amplificare în
curent al tranzistorului.
V0
Pentru că se impune Z0 = Vg = 0 , impedanŃa de ieşire se
I 0L
determină pe schema echivalentă din figura 4.11 cu relaŃia
V0
Z0 = .
I 0L

Suma curenŃilor în nod determină relaŃia de mai jos.

I 1 + I 2 + I OL + h f I 1 = 0 ⇒

126
 V0 V V0 h f
− − 0 − = −I 0L
hi + R g R ″ hi + R g
L

I1 I0L
I2
hi RL" hfI1
V0

Rg

Fig. 4.11
RL (h + R g )
″
V0 1
⇒ = =
RL (1 + h f ) + hi + R g
I 0L 1+ hf 1 ″
+
hi − R g R ″
L

 hi + R g 
RL″ 
 1+ hf 
Z0 =   ≅ hi + R g
 hi + R g  1+ hf
RL″ +  
 1+ hf 
 
ImpedanŃa de ieşire are o valoare foarte mică, pentru că la
ieşire se transferă impedanŃa de intrare a tranzistorului micşorată de
hf ori.

4.4. Amplificatorul cu tranzistor bipolar in conexiune

BC
În figura 4.12 este prezentată schema unui amplificatorul cu
tranzistor bipolar in conexiune BC.
Polarizarea în zona activă de funcŃionare este realizată de rezistorii
RB1 , RB2.
În regim variabil de c.a. condensatorul CB, scurcircuitează
rezistenŃa echivalentă. În regim de curent continuu curentul absorbit
de la sursa VCC se închide prin rezistorul RC, tranzistor şi rezistorul

127
RE (introdus în montaj tocmai pentru a crea o cale de curent
continuu către masă).

+Vcc

RC RB2

Ii Cc E Q
C
B Cc
Rg

RE CB RL
RB1
Vg VL

Fig. 4.12.

Condensatorii CC sunt condensatori de cuplaj a căror reactanŃă este

suficient de mică pentru a putea fi neglijată, rezultând schema
echivalentă din figura 4.13.
Se notează rezistenŃa totală de sarcină RL ′ = RC RL , prin care
circulă curentul notat I0 .
Se pot scrie relaŃiile:

′
V0 = − R L ⋅ I 0 ,
RC
IL = I0 .
RC + R L

Ig Rg hfI1
I0
I
I Va
Vg hi RL

Fig. 4.13.

128
 Factorul de amplificare în curent raportat la rezistenŃa
echivalentă ( RL' conectată la ieşirea tranzistorului)

I0 hf
Ai = =− ≅ −1 .
Ig 1+ hf

Factorul de amplificare în curent raportat la sarcină ( RL ) se

defineşte
I L I L I0 RC
Ai = = =− ,
I g I0 I g RC + RL

conform relaŃiei între curenŃi.

Factorul de amplificare în tensiune se determină pe baza

definiŃiei
V0
AV = .
Vg
RL'
AV = h f .
R g (1 + h f ) + hi

Dacă rezistenŃa internă a sursei este mică (Rg = 0) factorul de

amplificare în tensiune
RL'
AV = h f = g m RL' ,
hi

are aceeaşi expresie ca la amplificatorul cu tranzistor bipolar în

conexiunea emitor comun fără inversarea de semn.

ImpedanŃa de intrare este

Vg hi
Zi = = Rg + .
Ig 1+ hf

Constatăm că impedanŃa de intrare are o valoare foarte mică.

ImpedanŃa de ieşire se determină pe baza schemei

echivalente complete din figura 4.13, particularizată pentru
condiŃiile impuse de definiŃia impedanŃei de ieşire

129
 V0
Z0 = Vg = 0 .
IL

Practic se anulează Vg , ceea ce conduce la schema din figura

4.14.

r0=1/h0
I3

I I0 hfI1 I0 IL
V1 I1
I1 V0

Rg hi Rc

Fig. 4.14.

ImpedanŃa de ieşire
V0 1 Rg
Z 0' = = (1 + h f + R g h0 )
I 0 h0 R g + hi

este scurcircuitată de rezistenŃa de alimentare a colectorului

tranzistorului:

1 Rg
Z 0 = Z 0' RC = (1 + h f + R g h0 ) RC ≅ RC .
h0 R g + hi

4.5. PerformanŃele amplificatoarelor elementare cu

TBP

În tabelul 1 sunt prezentate performantele amplificatoarelor cu

tranzistor bipolar in diferit conexiuni.
În condiŃiile în care nu se pot obŃine performanŃele dorite prin
utilizarea numai a unui singur tranzistor în conexiune EC, BC sau
CC se utilizează conexiunile compuse sau se conectează mai multe
etaje de amplificare în cascadă.

130
 Un etaj de amplificare cu tranzistori cuplaŃi este format din
doi tranzistori cuplaŃi atât în regim de curent alternativ cât şi în
regim de curent continuu.

Tabelul 1.
Conexiunea E.C B.C C.C

Intrare – BE Intrare – EB Intrare – BC

Intrare/Ieşire
Ieşire – CE Ieşire – CB Ieşire – EC

R' L RC
AV − hf + hf AV<1
hi + R g hi

RC RB
Ai hf Ai ≅ −1 −
R C + RL RL

hi + R' B
RE
1+ hf
Z0 ≅ RC ≅ RC
f. mică
hi
RE
Zi ≈ hi
1+ hf
RB [h + (1 + h )R ]
i f E

f. mică

Rezultă că punctele statice de funcŃionare se influenŃează

reciproc, spre deosebire de situaŃia conectării în cascadă a mai
multor amplificatoare când fiecare etaj este separat în regim de
curent continuu (separaŃie realizată de condensatori de cuplaj, de
transformatoare sau de un cuplaj optic) [8].

4.6. Etaje cu tranzistori compuşi

Termenul de tranzistor compus se referă la doi tranzistori
cuplaŃi în curent continuu fiecare tranzistor fiind într-una din
conexiunile cunoscute (EC, BC, CC).
În figura 4.15 este prezentată structura corespunzătoare
conexiunilor EC+CC şi CC+CC.
Structura formată din cei doi tranzistori , din figura 4.15a,
cuplaŃi este echivalentă cu un singur tranzistor echivalent , din
figura 4.15b, a cărui proprietăŃi urmează să le determinăm. Prin

131
proprietăŃi înŃelegem, de fapt, parametri de cuadripol ai
tranzistorului echivalent.

+ VCC
B T1
C C

T2 B T2


E
E

a) b)

Fig. 4.15.

În figura 4.16 sunt prezentate schemele echivalente

corespunzătoare schemelor din figura 4.15.

B I1

hi
E I2 C0 I0 B
C
E0
1/h0 I
rL rI
1/h0

E E

a) b)
Fig. 4.16.

CunoscuŃi fiind parametrii de cuadripol ai celor doi tranzistori,

în continuare se vor determina parametrii de cuadripol ai
tranzistorului echivalent.
Parametrul h numit admitanŃă de ieşire se constată, comparând
cele două scheme, că este determinat de tranzistorul T2

h0= h02 .

132
 ImpedanŃa de intrare se defineşte prin relaŃia

Vi hi1 I i + hi 2 I 2
hi = = = hi1 + (1 + h f )hi 2 ,
Ii Ii
unde s-au folosit relaŃiile dintre curenŃi

I 2 = I 1 + h f 1 I 1 = I 1 (1 + h f 1 )I 1 , I i = I1 .

Suma curenŃilor în nodul de la ieşire

= h f 2 I 2 + h02V0 = h f 2 I 1 (1 + h f 1 ) + h02V0
V0
I0 = h f 2 I2 + I3 = h f 2 I2 +
1
h02

Pentru V0 = 0 avem

I0 V0 = 0 = h f 2 (1 + h f 1 )I 1 ⇒ h f = h f 2 (1 + h f 1 )
Concluzii:
- impedanŃa de intrare are valori mari hi = hi1 + (1 + h f )hi 2 ;
- factorul de amplificare este mare, fiind egal cu produsul
factorilor de amplificare;
- impedanŃa de ieşire este dată de T2.

C C

B T1 B T1

T2
T2

a) b)

Fig. 4.17.

133
 Un circuit des utilizat este tranzistorul Darlington, montaj
format din doi tranzistori cuplaŃi, ambii, în conexiune colector
comun, ca în figura 4.17.
Schema din fig. 4.17b conŃine un rezistor care să preia o parte
din curentul de emitor al T1, pentru ca acesta să poată lucra la
curenŃi de emitor mai mari decât curentul de bază al T2.

4.7 . Structuri pentru creşterea impedanŃei de ieşire a

amplificatorului

ImpedanŃa de ieşire fiind condiŃionată de valoarea impedanŃei

de ieşire a tranzistorului şi de impedanŃa conectată în colectorul
(drena) acestuia pentru a creşte valoarea impedanŃei de ieşire
trebuie să se acŃioneze asupra acestor doi factori.
Montajul cascod este format dintr-un tranzistor în conexiune
emitor comun (sursă comună) - pentru că prezintă amplificări
supraunitare, atât în tensiune cât şi în curent - în colectorul căruia se
conectează un tranzistor în conexiune bază comună – pentru că este
conexiunea care prezintă o impedanŃă de ieşire mare, ca în figura
4.18.
+ VCC

RC
R’B2
RB2
CC
T2

V0
R’B1 CB
Ccc T1

VI CE
RB1 RE

Fig. 4.18.

134
Condensatorii CE şi CB sunt condensatori de decuplare primul
scurcircuitând rezistorul RE iar cel de al doilea conectând la masă
baza tranzistorului T2.
În figura 4.19 este prezentată o altă modalitate de polarizare a
tranzistorilor din montajul cascod [8, 25]. Sunt utilizate rezistoarele
RB1, RB2 şi RB3 .
+ VCC

RC
RB3

CC
CB
T2

RB2

CC
T1 V0

VI
RB1

Fig. 4.19.

Schema echivalentă în regim de curent alternativ valabilă

pentru ambele montaje cascod este prezentată în figura 4.20.

T2
T1
R1
V0
V1 R0

Fig. 4.20.

135
 Pentru a efectua calculele necesare stabilirii parametrilor
montajului se înlocuiesc tranzistorii cu modelul lor cuadripolar,
ceea ce conduce la schema echivalentă din figura 4.21.
1/h02

I1 C1 C2 I0
I2 E2 I3
Vi hf1I1 1/h01 hi2
RB hi RL
V0

Fig. 4.21.
Pentru calculul impedanŃei de ieşire se Ńine seamă de faptul că
aceasta este definită în condiŃiile în care la intrare semnalul este nul.
ImpedanŃa de ieşire care include şi RL se calculează cu relaŃia

V0
R0 = = R0T RL ,
I0

unde rezistenŃa de ieşire a tranzistorului are expresia

V0 1 1
R0T = = (1 + h f + h02 hi 2 ) ≅ (1 + h f ) .
I 02 h02 h02

Se constată că rezistenŃa de ieşire a montajului a crescut de hf

ori faŃă de valoarea rezistenŃei de ieşire a tranzistorului.
ImpedanŃa de intrare este
Vi
Zi = = RB hi 2 ≅ hi 2
Ii
Factorul de amplificare în curent devine
I0 hf I2 h I
Ai = = , Ai = f 2 = h f ,
Ii I1 I1
ceea ce spune că amplificarea în curent a montajului este dată de
un singur tranzistor.
Factorul de amplificare în tensiune
V0 − h f I 2 R L hf
AV = = =− RL = − g m RL ,
Vi hi I 1 hi

136
 are expresia de mai sus pentru că raportul curenŃilor este unitar.
Se constată că numai un tranzistor formează factorul de
amplificare în tensiune, expresia factorului de amplificare fiind cea
a unui tranzistor în conexiunea emitor comun.

Etajul cascod cu doi tranzistori cu efect de câmp

+ VDD

RD
RB3

G
TEC2
CB CC

RB2 S
D

TEC1
CC
RL
S V0
V1 RB1 CS
RS

Z0

Fig. 4.22.
În figura 4.22 este prezentată schema de principiu a unui etaj
cascod realizat cu doi tranzistori cu efect de câmp (SC+GC).
TEC1 constituie etajul de intrare în conexiune sursă comună,
iar TEC2 realizează amplificatorul în conexiune grilă comună.
În figura 4.23 este prezentată schema echivalentă completă a
montajului.
g mV gS 2
G S D I0

V gS 1 RL V0
Vi RB1 RB 2 rD
V gS 2 rD
g mV gS 1
IG
Z0

Fig. 4.23.

137
 Pentru determinarea impedanŃei de ieşire se scurcircuitează
intrarea Vi = 0 şi VgS1 = 0.

Vo
Z0 =
I0 Vi = 0

Vi = 0 ⇒ V gS 1 = 0 ⇒ g mV gS 1 = 0

Se determină rezistenŃa R0T care se vede de la sarcina RL către

intrarea circuitului. Pentru că rezistenŃa de ieşire totală este
R0 = R0T RL . RezistenŃa de ieşire a montajului este foarte mare.
În figura 4.24 este prezentată una din schemele montajului
cascod cu doi tranzistori diferiŃi.

+ V DD
RL
RB3
G T2
CC
CB
S
RB 2
C
V0
T1
CC B
E
Vi RB1 CE
RE

Fig. 4.24.

Tranzistorul bipolar este în conexiune emitor comun iar

tranzistorul cu efect de câmp este în conexiunea sursă comună.
ImpedanŃa de ieşire a montajului este
1
R0T = rD + (1 + g m rD ) , unde intervine conductanŃa de ieşire h0 a
h0
tranzistorului bipolar.

Etaje cuplate prin emitor

Sunt etaje la care emitorii celor doi tranzistori sunt cuplaŃi printr-
o rezistenŃă unică, ca în figura 4.25.

138
 + VCC

RB2 RC RB’2
C0
CC
T1 T2

V0
Rg RL
RB1
RE R’B1 CB
Vg ~

Fig. 4.25.

Tranzistorul T1 este în conexiunea colector comun iar T2,

′ 1
datorită condensatorului de decuplare CB ( RB1′ RB 2 << ) , este
ω J CB
în conexiunea bază comună.
Schema de c.a. a montajului este prezentată în figura 4.26.
RezistenŃele de polarizare a bazei T1, în curent alternativ sunt în
paralel, motiv pentru care în schema echivalentă apare o singură
rezistenŃă ( a grupului).
Se notează impedanŃa

V3
R01 = .
IA

1
r02 =
hO

I3
I0
I0
hf I2
R01 V0
I2

Fig. 4.27

139
 RezistenŃa RE şi hi2 sunt în paralel cu R01 de valoare mică, ceea
ce înseamnă că rezistenŃa echivalentă va fi:

hi
Z 3 = R01 R E hi 2 ≅ R01 = .
1+ hf

Din figura 4.27 se exprimă curentul I 2 = − I 0 ,cu ajutorul căruia

avem
1 1
V0 = ( I 0 + h f I 0 ) + R01 I 0 = [ (1 + h f ) + R01 ]I 0 ⇒
h0 h0
1 1
Z 0 = (1 + h f ) + R01 ≅ (1 + h f ) ⇒
h0 h0

de unde se obŃine impedanŃa de ieşire a montajului

1
Z0 ≅ (1 + h f ) .
h0

T2 este în conex BC ( cu intrarea pe emitor şi ieşirea pe

colector) rezultă factorul de amplificare în curent al acestui
tranzistor este subunitar (Ai <1 ) iar factorul de amplificare al
montajului va fi dat de factorul de amplificare al tranzistorului T1

T1 este în conexiune colector comun şi factorul de

amplificare în curent al întregului montaj va fi

Ai ≅ Ai1 ≅ h f 1 .

Factorul de amplificare în tensiune al montajului este

determinat de factorul de amplificare al tranzistorului T2 ( care este
în conexiune bază comună) pentru că tranzistorul T1 fiind în
conexiune colector comun are un factor de amplificare în tensiune
subunitar
(Av <1 ).

4.8 . Structuri pentru creşterea impedanŃei de intrare a

amplificatorului

AplicaŃiile care necesită utilizarea unor amplificatoare cu

impedanŃă mare de intrare vor avea în componenŃă etaje de
amplificare cu tranzistori în conexiunea colector comun, pentru că

140
este singura conexiune a tranzistorului care determină o impedanŃă
de intrare mai mare decât h i .
ImpedanŃa de intrare a amplificatoarelor realizate cu tranzistori
bipolari este micşorată de rezistenŃele conectate în baza
tranzistorului (rezistenŃe cu rol de polarizare a acestuia în zona
activă de funcŃionare) care apar, în schema echivalentă, în paralel
cu impedanŃa de intrare a tranzistorului.

T RB1 RB2 RIT

RB1 RB2
V1

RE V0
Zig

RIT

a) b)
Fig.4.28.

În figura 4.28a este prezentată schema schema de c.a. a etajului

cu tranzistor bipolar în conexiunea colector comun .
S-a notat Zig – impedanŃa de intrare a amplificatorului, care
este formată din trei rezistenŃe conectate în paralel (ca în figura
4.28b)
Zig =RB1 || RB2 || RIT = RB || RIT ,

unde RIT este impedanŃa de intrare a tranzistorului.

RezistenŃele de polarizare RB1 ,RB2 nu pot fi luate de valori
foarte mari => RB va scurcircuita impedanŃa de intrare a
tranzistorului, adică va conduce la micşorarea impedanŃei aşa încât
Zig ≤ Z IT .

Metoda urmăririi de potenŃial

Metoda urmăririi de potenŃial constă în modificarea

circuitului de polarizare astfel încât potenŃialul bazei să urmărească
potenŃialul emitorului.

141
 Schema de polarizare în zona activă a tranzistorului,
corespunzătore metodei urmăririi de potenŃial este prezentată în
figura 4.29., iar în figura 4.30 sunt prezentate schemele echivalente.

Fig. 4.29.

a) b)

Fig. 4.30.

Se constată că prin intermediul condensatorului de cuplaj CC1

se realizează o legătură, în curent alternativ, directă între baza şi
emitorul tranzistorului. În regim variabil potenŃialul emitorului va
urmări potenŃialul bazei (şi reciproc) .
Constatăm că condensatorul de scurcircuitare CC conectează
RB1 şi RB în || cu RE, dar RE<<RB1, RB2 astfel încât
RAM = RE || RB1 || RB2 ~ RE .

142
 ImpedanŃa de intrare se calculează pe desenul din figura 4.31b,
care se redesenează, după înlocuirea tranzistorului cu schema lui
echivalentă, în figura 4.32.
Se aplică teoremele lui Kirchoff pentru schema din figura 4.32b,
care determină relaŃiile între tensiuni şi respectiv între curenŃi

Vi = hi I1 + IE RE ,
IE = I1 +hf I1 .

a) b)
Fig.4.32.

Prin înlocuirea relaŃiei dintre curenŃi se obŃine expresia

tensiunii VI în funcŃie de curentul de intrare I1
VI = hi I1 + RE (I1 + hf I1)/I1 ,
cu ajutorul căreia se stabileşte expresia impedanŃei de intrare

ZI = hi + RE (1 + hf ) .

a) b)

Fig.4.33.

Schema urmăririi potenŃialului poate fi generalizată.

Cele două scheme din figura 4.33 sunt echivalente a )
b )
în condiŃiile în care

143
 R
Z’ = , Z” ~R ,
1 − Av

unde s-a notat cu Av factorul de amplificare în tensiune al

amplificatorului în conexiunea colector comun.
Având în vedere faptul că tranzistorul cu efect de câmp are o
impedanŃă de intrare foarte mare rezultă că, dacă dorim să păstrăm
valoarea mare a impedanŃei de intrare şi pentru amplificator, se
impune să aplicăm metodei urmăririi de potenŃial. Altfel
rezistenŃele de polarizare a grilei vor scurcircuita intrarea
tranzistorului.
În figura 4.34a este prezentat amplificatorul cu TEC iar în 4.34b
este prezentat amplificatorul cu TEC la care s-a modificat circuitul
de polarizare pentru ca potenŃialul sursei să urmărească potenŃialul
grilei.

a) b)

Fig.4.34.

În cazul schemei din figura 4.34a impedanŃa de intrare (foarte

mare) a tranzistorului va fi scurcircuitată de cele două rezistenŃe din
grilă (conectate în paralel) Zi ~ RG1|| RG2 .
Montajul din figura 4.34b determină schema de curent
alternativ din figura 4.35a şi , prin înlocuirea tranzistorului cu
schema de curent alternativ, se obŃine schema echivalentă din figura
4.35b.
În figura 4.35 nu apar rezistenŃele RG1|| RG2 pentru că în c.a.
acestea se conectează în paralel cu rezistenŃa de sarcină RS ,care se
presupune de valoare mult mai mică decât cele două rezistenŃe, ceea
ce înseamnă că rezistenŃa echivalentă a grupului va fi apropiată de
RS (care apare în desen).

144
 a) b)

Fig.4.35.

ImpedanŃa de intrare se calculează cu relaŃia

VI
ZI = .
I1

Pentru schema echivalentă din figura 4.35b se pot scrie relaŃiile

VI = Vgs + IS RS ,

I1 + gmVgs = IS ,

Vgs = I1 R ,

unde I1 este curentul prin R iar IS este curentul prin RS .

Prin înlocuiri

VI = Vgs + ( I1 + gm Vgs ) Rs = I1 R + (I1 + gm I1 R ) Rs ,

Se obŃine expresia impedanŃei

Zi = R + (1 + gm R ) Rs.

Expresia de mai sus se poate obŃine şi pe baza schemei

generale a urmăririi de potenŃial, calculând factorul de amplificare
în tensiune pentru schema din figura 4.26b în condiŃiile anulării
rezistenŃei R = 0.
Pentru creşterea impedanŃei de intrare, datorită faptului că RS
se transferă la intrare înmulŃită cu factorul de amplificare, se

145
recurge la utilizarea unei rezistenŃe RS care să aibă o valoare mare în
regim de c.a. şi o valoare mai mică în regim de c.c.
Acest lucru se realizează prin înlocuirea RS cu o sursă de
curent constant, realizată cu ajutorul unui tranzistor bipolar, ca în
figura 4.36.

+ VDD
ID
RG2
CC D RB1

TEC
R CC
S
CC1 C
RG1 B
V1
V0
E RB2
RE

Fig.4.36.

Tranzistorul bipolar are baza la potenŃial constant ( de curent

continuu) ceea ce face ca valoarea curentului de colector şi implicit
valoarea curentului de drenă a TEC să fie constantă.
În regim variabil tranzistorul bipolar, între colector şi masă va
prezenta o impedanŃă de valoare mare, determinând creşterea
impedanŃei de intrare a montajului .

146
 5
AMPLIFICATOARE CU REACłIE
NEGATIVĂ
5.1 ConsideraŃii privind reacŃia negativă
ReacŃia constă în a transfera o parte din semnalul de la ieşirea
unui amplificator, prin intermediul unei reŃele de reacŃie, la intrarea
acestuia.

xi ε x0
Gen. Ampf

xf

R.R.

AR
Fig. 5.1.

În figura 5.1 este prezentată schema bloc a unui amplificator

cu reacŃie unde Ampf. – este amplificatorul de bază, căruia i se
adaugă reŃeaua de reacŃie R.R. pentru a obŃine amplificatorul cu
reacŃie AR.
ReacŃia este negativă în condiŃiile în care semnalul x f pe
care îl aplică reŃeaua de reacŃie la intrarea amplificatorului este în
opoziŃie de fază cu semnalul x i furnizat de generatorul Gen.
În cazul semnalelor continue opoziŃia de fază înseamnă polaritate
opusă iar, în cazul semnalelor variabile opoziŃia de fază se referă la

147
valoarea defazajului φ dintre cele două semnale, care trebuie să fie
φ =k π, ca în figura 5.2.
Rolul R.R. constă în prelucrarea semnalului de ieşire de la
ieşirea amplificatorului, în sensul scăderii amplitudinii acestuia şi în
sensul obŃinerii unui semnal x f care să fie în opoziŃie de fază cu
semnalul x i .
Se constată că atunci când semnalul de intrare xi este pozitiv
semnalul furnizat de reŃeaua de reacŃie la intrarea amplificatorului
este negative şi invers, aşa încât în orice moment de timp semnalul
adus de reŃeaua de reacŃie se va scădea din semnalul furnizat de
generatorul Gen de semnal.

Fig. 5.2.

Atât amplificatorul cât şi reŃeaua de reacŃie sunt caracterizate

prin intermediul funcŃiilor de transfer A - pentru amplificatorul fără
reacŃie, AR- pentru amplificatorul cu reŃea de reacŃie, şi respectiv
β - pentru reŃeaua de reacŃie, definite ca raport al mărimii de ieşire
şi al mărimii de intrare, exprimate în complex.
X0
A= ,
E
E = Xi − X f
X0
AR = ,
Xi
X f
β=
X0

Toate mărimile din relaŃiile de mai sus sunt reprezentări în

complex ale funcŃiilor de timp corespunzătoare. Spre exemplu
eroarea E reprezintă transformata în complex a abaterii

148
 ε = x i − x1

a mărimii x f - furnizate de RR în raport cu mărimea x i - prescrisă

de generatorul notat cu Gen.
Notă. Convenim să notăm în continuare, pe tot parcursul
paragrafului, mărimile complexe cu litere mari ale alfabetului fără a
mai utiliza sublinierea.
Din relaŃia de definiŃia factorului de amplificare
A(X i − X f )
A ⇒ X 0 = A ε = A(X i − X f ) ⇒ AR = =
Xi
 X   X 
= A1 − f  = 1 − 0 β  A ⇒ AR = (1 − β ⋅ AR )A ⇒
 Xi   Xi 
A 1
⇒ AR = ≈
1+ β ⋅ A β

Se notează produsul

T = β⋅A

care se numeşte transmisie pe buclă .

Factorul de amplificare A R al amplificatorului cu reacŃie este

de (1+T) ori mai mic decât factorul de amplificare al
amplificatorului din componenŃa sistemului

AR < A

Pe seama acestei scăderi a factorului de amplificare se obŃin

anumite avantaje (care nu s-ar obŃine fără reacŃia negativă) şi
anume[8]:

- se produce o desensibilizare a valorii factorului de amplificare la

dispersia componentei electronice din componenŃa sistemului,
datorită faptului că factorul A R depinde de β (care este realizat de
obicei cu elemente pasive de circuit);
- permite adaptarea impedanŃei amplificatorului cu impedanŃa
generatorului şi cu impedanŃa sarcinii în scopul realizării
transferului optim al semnalului;
- se reduce efectul zgomotului propriu dispozitivelor active;
- se reduce efectul neliniarităŃii caracteristicii de transfer a
amplificatorului;

149
- creşterea bandei de frecvenŃă a amplificatorului care determină
scăderea distorsiunilor datorate transferului semnalului de la
intrarea la ieşirea amplificatorului.

Pentru a unifica modul de lucru în cazul amplificatoarelor prevăzute

cu reŃea de reacŃie negativă se impune a se efectua calculul asupra
unui factor de amplificare specific fiecărui tip de reacŃie şi anume
calculele se efectuează pentru factorul de amplificare definit astfel:

Marimea comuna iesirii amplificatorului si intrarii RR

A=
Marimea generatorului de la intrare afectata de reactie

Factorul de reacŃie corespunzător se exprimă prin raportul

Marimea de iesire a retelei de reactie R.R.

β=f =
Marimea comuna iesirii amplificatorului si intrarii R.R.

În teoria generală a reacŃiei se utilizează notaŃia β pentru factorul de

reacŃie şi acelaşi factor în aplicaŃii este notat cu „f”, motiv pentru
care în continuare se va folosi notaŃia „f” sau β.

De notat următoarele:

- atât amplificatorul de bază cât şi reŃeaua de reacŃie se consideră

unilaterale, ceea ce înseamnă că semnalul se transmite de la intrare
la ieşire şi nu se transmite nimic invers,
- faptul că intrarea reŃelei de reacŃie se găseşte la ieşirea
amplificatorului de bază iar ieşirea reŃelei de reacŃie se găseşte la
intrarea amplificatorului.

5.2. Topologii ale amplificatoarelor cu reacŃie

Mai întâi câteva precizări privind terminologia.
Termenul de topologie se referă la structura sistemului, sau
altfel spus la modul de interconectare a elementelor care compun
sistemul.
Folosim termenul
comparare când discutăm despre mărimi de la intrarea
amplificatorului
şi termenul
eşantionare în condiŃiile în care discutăm despre mărimi de la
ieşirea amplificatorului.

150
 Datorită faptului că de la ieşirea amplificatorului poate fi
preluată o parte din tensiunea acestuia sau o parte din curentul
furnizat de amplificator şi că R.R. poate injecta la intrarea
amplificatorului un curent sau poate aduce o tensiune se utilizează

termenul
în nod în cazul curentului
şi termenul
pe buclă în cazul tensiunii .
Spre exemplu în cazul amplificatorului cu reacŃie negativă „cu
eşantionare în nod şi comparare pe buclă” avem o reŃea de reacŃie
care preia de la ieşirea amplificatorului o parte din curentul furnizat
sarcinii îl prelucrează şi aduce la intrarea amplificatorului o
tensiune în opoziŃie de fază cu tensiunea furnizată de generatorul de
semnal.
Din consideraŃii privind claritatea expunerii atât amplificatorul
de bază cât şi reŃeaua de reacŃie vor fi exprimate prin intermediul
parametrilor de cuadripol. Mai mult, se vor folosi acei parametri
de cuadripol care să conducă prin cât mai puŃine operaŃii
matematice la rezultat (la concluzia expunerii) şi anume se vor
folosi parametrii de cuadripol care conŃin în membrul drept
variabile independente de prezenŃa reŃelei de reacŃie.
Având în vedere faptul că sunt două mărimi la intrarea
cuadripolului şi două mărimi la ieşirea acestuia rezultă că sunt
posibile 4 topologii ale amplificatoarelor cu reacŃie:

- eşantionarea în nod şi compararea în nod;

- eşantionare pe buclă şi comparare pe buclă;
- eşantionare pe buclă şi comparare în nod;
- eşantionare în nod şi comparare pe buclă.

În continuare vom stabili factorii specifici fiecărei topologii.

Amplificatorul cu eşantionare în nod şi comparare în nod

ReŃeaua de reacŃie preia o parte din curentul de ieşire al

amplificatorului (dacă nu ar fi fost RR curentul la ieşirea
amplificatorului ar fi fost IL pe când în prezenŃa RR curentul este
mai mic, fiind notat cu I0 ), îl prelucrează şi transferă la intrarea
amplificatorului sub forma unui curent notat I f .

Topologia sistemului cu reacŃie de tipul eşantionare în nod şi

comparare în nod este prezentată în figura 5.3.

151
 Tensiunea de ieşire V0 este atât la ieşirea amplificatorului cât şi
la intrarea reŃelei de reacŃie.
Tensiunea de la intrarea amplificatorului Vi este şi tensiune de
ieşire a reŃelei de reacŃie.
Mărimile independente de structură sunt cele două tensiuni
ceea ce înseamnă că se impune a descrie ambii cuadripoli prin
intermediul relaŃiilor care conŃin în membrul drept cele două
tensiuni. Se vor folosi parametrii de cuadripol „y”.

Rg Ig Ii I0 IL

Vg Vi If A IR
V0 RL

Fig. 5.3.

EcuaŃiile asociate cuadripolului sunt

 I i = f1 (Vi , V0 ) = y11Vi + y12V0


 I 0 = f 2 (Vi ,V0 ) = y21Vi + y22V0

Parametrii de cuadripol pot fi determinaŃi prin calcul sau

experimental prin încercările (de mers în gol şi de mers în
scurcircuit) efectuate asupra cuadripolului fizic.
În ambele situaŃii, pentru calculul parametrilor, se folosesc relaŃiile

Ii
y11 = (admitanŃa de intrare),
Vi V0 = 0

I0
y22 = (admitanŃa de ieşire),
V0 Vi =0

Ii
y12 = (admitanŃa de transfer de la
V0 Vi =0

intrare la ieşire),

152
 I0
y21 = (admitanŃa de transfer de la
Vi V0 =0

ieşire la intrare).

Tensiunea de ieşire V 0 este atât la ieşirea amplificatorului cât

şi la intrarea reŃelei de reacŃie.
Toate calculele se fac, în cazul amplificatorului cu
eşantionarea în nod şi compararea în nod, asupra acelui factor de
amplificare definit prin raportul

Marimea comuna iesirii amplificatorului si intrarii RR V0

A= =
Marimea generatorului de la intrare afectata de reactie I g

şi notat cu indice z (pentru că este de natura unei impedanŃe)

V0
AZ = .
Ig

Factorul de reacŃie corespunzător este

I
f
f = .
y V
0

Amplificatorul cu eşantionare pe buclă şi comparare pe

buclă

ReŃeaua de reacŃie prelucrează tensiunea de la ieşirea

amplificatorului şi aduce la intrarea acestuia o tensiune în opoziŃie
de fază cu tensiunea furnizată de generatorul de semnal. Topologia
sistemului cu reacŃie de tipul eşantionare pe buclă şi comparare pe
buclă este prezentată în figura 5.4.

153
 Ii I0
A
Vg V0
Vi VL RL

β Vr

Fig. 5.4.

Între tensiuni se pot scrie relaŃiile

VL = V0 + Vr ,
Vg = Vi + V f ,

ceea ce înseamnă că mărimile independente sunt curenŃii I0 şi Ii .

În aceste condiŃii trebuie să exprimăm atât R.R. cât şi
amplificatorul prin intermediul parametrilor de cuadripol „Z”,
ale căror ecuaŃii conŃin ca mărimi independente cei doi curenŃi.

Vi = Z11 I i + Z 12 I 0

V 0 = Z 21 I i + Z 22 I 0

Factorului de amplificare afectat de reacŃie

Marimea comuna iesirii amplificatorului si intrarii RR I 0

A= =
Marimea generatorului de la intrare afectata de reactie V g

iar factorul de reacŃie este

Vf
fz =
I0

Amplificatorul cu eşantionarea pe buclă – compararea în nod

ReŃeaua de reacŃie prelucrează tensiunea de la ieşirea

amplificatorului şi injectează la intrarea acestuia un curent.
Topologia sistemului cu reacŃie de tipul eşantionare pe buclă şi
comparare în nod este prezentată în figura 5.5.

154
 Ig Ii I0

A Vi
VL
If

Vr
β

Fig. 5.5.

Mărimile independente sunt V g şi I 0 .

Factorul de amplificare afectat de reacŃie care se utilizează în
calcule pentru această topologie este

I0
Ai =
Ig

iar factorul de reacŃie

If
fi =
I0

Amplificatorul cu eşantionarea în nod şi compararea pe buclă

ReŃeaua de reacŃie prelucrează curentul de la ieşirea

amplificatorului şi transferă la intrarea acestuia o tensiune.
Topologia sistemului cu reacŃie de tipul eşantionare în nod şi
comparare pe buclă este prezentată în figura 5.6.

Mărimile independente sunt V g şi I 0 ,

Factorul de amplificare afectat de reacŃie care se utilizează în
calcule pentru această topologie este

V0
Av =
Vg

iar factorul de reacŃie

155
 Vf
fv =
V0

I0 IL
Ii Vi V0
A

Vg
Ir

Vf
β

Fig. 5.6.

5.3. ReacŃia negativă cu eşantionare în nod şi

comparare în nod
În cadrul prezentului paragraf va fi abordată „in extenso“
problema reacŃiei negative pentru a putea evidenŃia o metodologie
de calcul valabilă şi în cazul celorlalte topologii de amplificatoare
cu reacŃie.
EcuaŃiile asociate cuadripolului descris prin intermediul
admitanŃelor pot fi rescrise pentru a evidenŃia intrarea şi ieşirea

 I i = yiVi + yrV0

 I 0 = y f Vi + y0V0 ,

notând cu i – intrarea, o – ieşirea, f – transferul de la intrare la ieşire

şi r – transferul de la ieşire la intrare.
AdmitanŃelor li se mai asociază un al doilea indice pentru a
specifica blocul funcŃional ( a – pentru amplificator, f – pentru
reŃeaua de reacŃie).

156
 EcuaŃiilor de descriere a cuadripolului li se pot asocia o
schemă echivalentă. Spre exemplu în figura 5.7 se prezintă schema
echivalentă cuadripolară a amplificatorului cu parametrii „y”.
Deoarece se studiază reacŃia, care, prin definiŃie constă în a
aduce un semnal la intrarea acestuia de la ieşire, se consideră atât
amplificatorul cât şi reŃeaua de reacŃie elemente de circuit
unilaterale ( în sensul că transferul semnalului are loc numai într-un
singur sens – de la intrare la ieşire - nu şi invers ).
Ii I0

Vi Yia
YraV0 YfaVi Y0a
V

Fig. 5.7.

În aceste condiŃii ecuaŃiile cuadripolilor se simplifică prin

anularea admitanŃei corespunzătoare transferului invers, astfel:
- pentru amplificator avem ecuaŃiile

 I i = yiaVi

 I 0 = y faVi + yoa ⋅V0

- iar pentru reŃeaua de reacŃie avem ecuaŃiile

 I f = yif Vi + yrf ⋅V0


 I r = yof ⋅ V0

Pe baza ecuaŃiilor celor doi cuadripoli şi pe baza

schemei echivalente din figura 5.8 se vor calcula factorul de
transfer al amplificatorului cu reacŃie A Z şi factorul de reacŃie f y ,
definite conform relaŃiilor 5.3 şi 5.4.
Teorema I-a Kirchoff pentru nodul de la intrare determină relaŃia

I g = I g′′ + I g′ = I g′′ + (I i + I f ) = YG ⋅ Vi + I i + I f =
= YG ⋅ Vi + yia ⋅Vi + yif ⋅Vi + yrf ⋅V0 = Yi ' ⋅Vi + yrf ⋅V0

Se notează
Yi′ = YG + y ia + y if

157
 Corespunzător ecuaŃiilor de mai sus, în figura 5.8 este
prezentată schema echivalentă.

Amplificator
Ig I’g Ii 1
2 IL”
Ig”
Vi I0 IL
yia yfa IL’
VG yoa yL V0
Vi

1’ 2’
If IR
2 1

yif YrfV0 yO
F

2’ 1’
R.R.
Fig.5.8

Teorema I-a Kirchhoff pentru nodul de la ieşire determină relaŃia

I L = I 0 + I r = y fa ⋅Vi + yoa ⋅V0 + yof ⋅ V0

care , după înlocuirea expresiei curentului prin sarcină (I L = −YL ⋅ V0 )

, devine
− YL ⋅V0 = y fa ⋅Vi + yoa ⋅ V0 + yof ⋅V0

( )
y fa ⋅ Vi + YL + yof + yoa ⋅V0 = 0

se notează ⇒ y fa ⋅Vi = −Y0′ ⋅V0 ⇒

Y0′ = YL + yof + y0 a

Y
Vi = − 0′ V0
y fa

158
 Se înlocuieşte expresia tensiunii de intrare

 Y' 
I g = Yi′ ⋅  − 0 ⋅ V0  + yrf ⋅ V0
 y 
 fa 

obŃinând o relaŃie pentru curentul furnizat de generator în funcŃie de

tensiunea de ieşire
 Y ' ⋅Y ' 
I g =  yrf − i 0  ⋅V0
 y fa 


Factorul de amplificare al sistemului cu reacŃie

V0 1 y fa
AZ = = ' '
= =
I0 Yi ⋅ Y0 yrf ⋅ y fa − Yi ' ⋅ Y0'
yrf −
y fa
y fa y fa
' '
−
Yi ⋅ Y Yi ' ⋅ Y0'
= 0
=
yrf ⋅ y fa  y 
' '
− 1 1 +  ' fa '  ⋅ yrf
Yi ⋅ Y0  Yi ⋅ Y0 

Acelaşi factor de amplificare poate fi exprimat, pentru reacŃia

de tipul „eşantionare în nod şi comparare în nod “ , conform teoriei
generale a reacŃiei prin relaŃia
az
Az =
1 + az ⋅ f y

unde a z este factorul de amplificare a amplificatorului în buclă

deschisă de reacŃie iar f y este factorul de reacŃie .
Prin identificarea celor două expresii ale A Z se obŃin
expresiile
- factorului de amplificare în buclă de reacŃie deschisă
y fa
az = −
Yi ' ⋅ Y0'

- factorului de reacŃie

f y = y rf .

Se constată că a z se poate determina din expresia lui AZ prin

anularea reacŃiei

159
 (y rf =0→ fy =0 . )
Acest rezultat sugerează modul de abordare a sistemelor cu
reacŃie. Constatăm că elementul care defineşte reŃeaua de reacŃie
este numai parametrul de cuadripol y rf , restul elementelor reŃelei
de reacŃie putând fi incluse în blocul notat în figura 5.1. „Ampf“.
Înseamnă că putem rearanja elementele schemei amplificatorului cu
reacŃie negativă cu eşantionare în nod şi comparare în nod ca în
figura 5.9, unde am definit o nouă reŃea de reacŃie şi un amplificator
numit „în buclă deschisă de reacŃie “ ABD.
Structura ABD se obŃine:
- prin încărcarea amplificatorului de bază cu elemente ale reŃelei
de reacŃie care rămân după ce s-a anulat reacŃia ;
- încărcarea la intrare a amplificatorului de bază se face, datorită
faptului că eşantionarea este în nod, prin scurcircuitarea intrării
reŃelei de reacŃie ;
- încărcarea la ieşirea amplificatorului se obŃine, datorită faptului
că se face comparare în nod, prin scurcircuitarea ieşirii reŃelei de
reacŃie.

(ABD) az

Ig yG yif yia yfa Vi yoa yof Y1

2 1

yrf V0 V0

1’ Fig. 5.9.
2’

(RR) fy

Fig.5.9

De remarcat faptul că în structura ABD intră atât Y G

(admitanŃa
generatorului) cât şi Y L (admitanŃa sarcinii) cu ajutorul cărora,
pentru schema ABD, se calculează a z , cu aceeaşi relaŃie ca A Z dar
pe schema ABD.

160
 Factorul de reacŃie f y se obŃine separând R.R. şi calculând
acest element prin scurcircuitarea ieşirii reŃelei de reacŃie (pentru că
compararea se face în nod).

Notă. În cadrul metodologiei de generare a structurii ABD şi RR ,

dacă compararea sau eşantionarea se face „pe buclă “ , se va înlocui
termenul „scurcircuit “ cu termenul „în gol “.

AdmitanŃa de intrare şi admitanŃa de ieşire se calculează pe

baza admitanŃelor notate cu indice prim ( Yi ' , Y0' ).
Se defineşte o admitanŃă de lucru

Ig I g ′ + I g ′′ I g ′ I g ′′ Yi ' ⋅ Vi + yrf ⋅ V0
Yi′′ = = ⋅ = +
Vi Vi Vi Vi Vi

Din 5.14 se exprimă V0 şi se înlocuieşte în relaŃia de mai sus

y fa
Yi ' ⋅ Vi + yrf ⋅ ⋅Vi
" − Y0'
Yi = ⇒
Vi
 
 y 
'  ⇒
⇒ Yi = Yi ⋅ 1 + yrf ⋅
" fa

 − Y ' '
Y
i 0

↓ 12 3

 fy az 
⇒ Yi = Yi ⋅ (1 + f y ⋅ a z )
" '

AdmitanŃa de intrare a amplificatorului cu reacŃie nu conŃine

şi admitanŃa generatorului aşa încât aceasta trebuie scăzută

Yi = Yi ' − YG

obŃinând astfel formula de calcul a admitanŃei de intrare a

amplificatorului cu reacŃie

Yi = Yi′ ⋅ (1 + T ) − YG

unde T = f y ⋅ a z este transmisia pe buclă.

Se constată că această topologie de amplificator cu reacŃie
determină creşterea admitanŃei de intrare de (1 + T) ori, ceea ce
înseamnă că impedanŃa de intrare va scădea tot de atâtea ori.

161
 AdmitanŃa de ieşire este definită prin raportul de mai jos, în
condiŃiile când nu se aplică semnal la intrare

IL
Y0 =
V0 Ig =0

Ca mai sus se defineşte o admitanŃă Y0" de lucru (vezi şi figura 5.8)

I L' I L + I L' I I'

Y0" = = = L + L = Y0 + YL
V0 I g =0 V0 V0 V0

prin intermediul căreia se va calcula admitanŃa de ieşire (scăzând

admitanŃa sarcinii YL , care nu aparŃine amplificatorului cu reacŃie)

Y0 = Y0" − YL

Curentul injectat din exterior poate fi scris succesiv

I L" = I L' + I L = I L' + I 0 + I r = YL ⋅V0 + I 0 + I r ,

I L" = YL ⋅V0 + y fa ⋅Vi + yoa ⋅ V0 + yof ⋅ V0 =

Înlocuind I L" în definiŃia lui Y0" se obŃine

Y0" = Y0′(1 + T )

şi admitanŃa de ieşire va avea expresia

Y0 = Y0" (1 + T ) − YL

Se constată că reacŃia determină creşterea admitanŃei de ieşire.

În concluzie prin aplicarea unei reacŃii negative cu
eşantionare în nod şi comparare în nod scad ambele impedanŃe, atât
impedanŃa de intrare cât şi impedanŃa de ieşire.

EXEMPLU În figura 5.10 este prezentată schema de principiu a

unui amplificator cu tranzistor bipolar în conexiune EC prevăzut cu
RN cu eşantionare în nod şi comparare în nod pentru care se vor
calcula elementele mai sus definite.

162
 + VCC

CC RC C
C

RB2

R
CC

RL
Rg

RB1 RE CE

~ Vg

Fig. 5.10

În figura 5.11 este evidenŃiată reŃeaua de reacŃie negativă a

montajului din figura 5.10, pe baza schemei echivalente de regim
variabil.

Rc RL

Ig
Yg If RB

2 1
R
2’ 1’

Fig. 5.11.

163
 În cadrul schemei echivalente din fig. 5.11 s-a înlocuit
generatorul de tensiune de la intrare cu un generator de curent
echivalent, conform relaŃiilor de echivalenŃă

Vg 1
Ig = , Yg =
Rg Rg

ReacŃia prin rezistorul R, transferă o parte din curentul

furnizat de colectorul tranzistorului în circuitul bazei.
Factorul de amplificare al unui etaj cu tranzistor în conexiune
EC este negativ, ceea ce semnifică faptul că mărimea din colector
este în opoziŃie de fază cu mărimea din bază. Din acest motiv
reŃeaua de reacŃie negativă poate fi pur rezistivă (nu mai trebuie
schimbată faza mărimii pentru că această schimbare a efectuat-o
tranzistorul).
În figura 5.12 este prezentată schema ABD.

Se notează:

R B = R B1 || R B2 , R L’ = R L || R C ,
R2 = R L’ || R , R1 = R B || R .

R RL’ = RL ║RC
Rg
RB R

~ Vg
V0

Fig. 5.12

Cu ajutorul notaŃiilor mai sus definite se obŃine schema echivalentă

a ABD, din figura 5.13.

164
 Ig Rg I1

Vg hf I1 1/h0
RB ║R hi R2 = R║R’L

R1
V0

Fig. 5.13.

ImpedanŃa de intrare a ABD se calculează din figura 5.13 iar

expresia admitanŃei de intrare rezultă din relaŃia

Yi ' =
1
Z i′
; (
Z i' = Rg + Rg R hi )

AdmitanŃa de ieşire a ABD este

1
Yi ' = R2
h0

Factorul de amplificare al ABD este definit pe schema ABD

se determină scriind, mai întâi, expresia tensiunii de ieşire

 1 
V0 = − h f  R2  I1
 h0 

şi apoi expresia curentului

hi
I1 = ⋅ Ig
R1 + hi

Se obŃine expresia factorului de amplificare în buclă deschisă de

reacŃie

 1  hi
a z = − h f  R2
 h0  R1 + hi

165
Factorul de reacŃie se determină, prin separarea reŃelei de reacŃie de
amplificatorul de bază, conform figurii 5.14.

2 If R 1

V0
V0 = − R ⋅ I f
If 1
2’ 1’ fy = ⇒ fy = −
V0 R

Fig. 5.14.

Cu ajutorul elementelor determinate mai sus se poate calcula A

z factorul de amplificare global (al amplificatorului cu reacŃie)

az
Az =
1 + az ⋅ f y
şi transmisia pe buclă

T = az ⋅ f y .

AdmitanŃele amplificatorului cu reacŃie sunt

1 1
Yi = (1 + T ) ⋅ Yi ' − ; Y0 = (1 + T ) ⋅ Yi ' −
Rg RL

5.4. Metodica de rezolvare a amplificatoarelor cu

reacŃie negativă

În figura 5.15 este prezentată schema de conectare a AR la

generator şi la sarcină.

1. Se identifică amplificatorul de bază şi R.R. stabilindu-se

totodată tipul comparării, tipul eşantionării şi variabilele
independente de R.R.

În cazul în care compararea sau eşantionarea se face pe buclă

mărimea independentă = curentul, iar dacă compararea sau
eşantionarea se face în nod mărimea independentă = tensiunea.

166
 2. Se stabileşte factorul de amplificare cu ajutorul căruia se
calculează reacŃia.

Rg Ig IL ILL

Vi AR RL
Vg VL

Fig. 5.15.

Marimea comuna iesirii amplificatorului si intrarii R.R.

A=
Marimea generatorului de la intrare afectata de reactie

Factorul de reacŃie este definit în paragraful 5.1 astfel

Marimea de iesire a retelei de reactie R.R.

A=
Marimea comuna iesirii amplificatorului si intrarii R.R.

If IR
Vf R.R. VR

Fig. 5.16.

În figura 5.16 sunt precizate mărimile de la bornele reŃelei de

reacŃie. Mai jos sunt definiŃi cei doi factori pentru fiecare topologie
de reacŃie, prima referire fiind la modul de eşantionare.

167
Nod – Nod Buclă – Buclă

VL IL
Az = ; Ay =
Ig Vg

If If Vf Vf
fy = = fz = =
VL VR IL IR

Nod – Buclă Buclă – Nod

VL IL
Av = ; Ai =
Vg Ig

Vf Vf If Vf
fv = = fz = =
VL VR IL IR

3. Se construieşte amplificatorul în buclă deschisă de reacŃie prin

adăugarea la amplificatorul de bază a elementelor care rămân din
R.R. după anularea reacŃiei.

Anularea reacŃiei constă în

- scurcircuitarea bornelor dacă compararea / eşantionarea se
face în nod şi
- în întreruperea legăturii dacă compararea / eşantionarea se
face pe buclă.
La intrarea amplificatorului apar elemente ale R.R. care rămân după
ce
- se scurcircuitează intrarea R.R. dacă eşantionarea este în nod
sau
- se întrerupe legătura de intrare în R.R. dacă eşantionarea este
pe buclă.
La ieşirea amplificatorului apar elemente ale R.R. care rămân după
ce
- se scurcircuitează ieşirea R.R. dacă compararea se face în
nod sau
- se întrerupe legătura de ieşire în R.R. dacă compararea este
pe buclă.
Se calculează factorul de amplificare conform definiŃiei de la
punctul 2 şi se calculează după caz Z i‘ sau Y i‘ şi Z0‘ sau Y0‘ .
ImpedanŃa Z i‘ include şi impedanŃa generatorului, iar Z0‘ include şi
sarcina R L.

168
4. Se separă R.R. şi se calculează factorul de reacŃie f
- în condiŃiile scurcircuitării ieşirii reŃelei de reacŃie dacă
compararea este în nod sau
- în condiŃiile lăsării în gol şi ieşirii dacă compararea este pe
buclă.

a
5. Se calculează factorul de amplificare A =
1+ a ⋅ f
Se calculează
- impedanŃa de intrare dacă compararea este pe buclă

Z i = (1 + T ) ⋅ Z i′ − Rg

- sau admitanŃa de intrare dacă compararea este în nod

1 1 1
Yi = = (1 + T ) ⋅ ' −
Zi Z i Rg

În funcŃie de natura eşantionării se calculează:

- impedanŃa de ieşire dacă eşantionarea este pe buclă

Z 0 = (1 + T ) ⋅ Z 0′ − RL

- sau admitanŃa de ieşire dacă eşantionarea este în nod

1 1
Y0 = '
⋅ (1 + T ) ⋅
Z0 RL

5.5. ReacŃia negativă cu comparare buclă şi eşantionare

buclă (exemplu)
În figura 5.20 este prezentată schema de principiu a unui
amplificator cu reacŃie negativă de tipul cu eşantionare în buclă şi
comparare pe buclă realizat cu un tranzistor bipolar.

169
 +VCC

RB1 RC
CC
CC

Rg RB2 RE
RL

~ Vg

Fig. 5.20

Constatăm că reacŃia este determinată de rezistorul R E care

preia din tensiunea de ieşire şi o transferă la intrarea tranzistorului.

Fig. 5.21.

Schema echivalentă de regim variabil este prezentată în

figura 5.21.

170
 Amplificatorul în buclă deschisă de reacŃie se obŃine prin
încărcarea amplificatorului de bază (tranzistorul) cu elemente ale
reŃelei de reacŃie după îndepărtarea acesteia. În schema ABD, din
figura 5.22, se regăseşte R E în baza tranzistorului pentru că am
lăsat în gol RR (adică V r) şi se regăseşte R E la ieşirea acestuia
pentru că am lăsat ieşirea RR în gol (adică V f) .

Rg
Vg R’L
RB

RE RE

Fig. 5.22.

În figura 5.23 se prezintă schema echivalentă a ABD.

Ig Rg Rg I0
I1
Vg RB hi 1/h0 R’L
hiI1
RE

Fig. 5.23.

I0 h f
ay = = .
V g Z i′
ReŃeaua de reacŃie negativă amplificatorului din figura 5.20
este prezentată în figura 5.24.

171
 Fig. 5.24.

Fiind determinate ay şi fz se calculează factorul de amplificare

al amplificatorului cu reacŃie

I0 ay
Ay = =
Vg 1 + a y f z

iar cu relaŃiile de mai sus se deduc impedanŃele de intrare şi

respectiv de ieşire.

5.6. ReacŃia negativă cu eşantionare pe buclă şi

comparare în nod (exemplu)

Schema unui amplificator cu reacŃie negativă cu eşantionare

pe buclă şi comparare în nod trebuie să conŃină un număr par de
tranzistori bipolari pentru ca reacŃia să fie negativă.
Condensatorii notaŃi C C sunt condensatori de cuplaj între
etaje. ReactanŃa acestora are valori mici la în banda de frecvenŃă a
amplificatorului, motiv pentru care vor fi eliminaŃi (scurcircuitaŃi)
în schema echivalentă şi reactanŃa nu va afecta calculele ce
urmează.
În schema din figura 5.25 condensatorii C E sunt condensatori
de decuplare a rezistoarelor cu care sunt cuplaŃi în paralel, ceea ce
înseamnă că au reactanŃa aşa încât să fie îndeplinită relaŃia
1
<< R .
ωC E
E
În figura 5.25 este prezentată schema de principiu a unui
amplificator cu reacŃie negativă cu eşantionare pe buclă şi
comparare în nod realizat cu doi tranzistori bipolari.

172
 + VCC

RC1 RB’2 RC2

Rb1
CC
CC CC
T1 T2

RL V0
Vg Rb2
RE1 CE RB’1 R2

RE2 CE2

CC R1

Fig. 5.25.

Schema echivalentă pentru regim variabil este prezentată în figura

5.26.
I0

Ig Rg T2 R’L
T1 RC1

Vg

Ir
If

2 R1 1

Vf R2 V0
2’
1

Fig. 5.26.

173
Tranzitorii din schemă se consideră identici. ReacŃia negativă este
asigurată de grupul R 1 , R 2 .
În figura 5.27 este prezentată schema ABD.

Ig Rg T2
RC1 R’L V0
T1

R1
Vg

R1 R2
R2

Fig. 5.27.

Pentru că eşantionarea se face pe buclă, în vederea

determinării încărcării amplificatorului, se lasă în gol bornele 1-1’ ,
ceea ce face ca în schema ABD să avem, la intrarea amplificatorului
cele două rezistoare R 1 , R 2 conectate în serie.

Pentru că compararea se face în nod, în vederea determinării

încărcării amplificatorului, se scurcircuitează bornele 2-2’ , ceea ce
face ca în schema ABD să avem, în emitorul tranzistorului T2 cele
două rezistoare R 1 , R 2 conectate în paralel grup notat cu R12 .
Factorul de amplificare în curent al ABD se exprimă

I0 Rc 2 I
ai = = ⋅ 0′
I g R12 + RL I g

RC1 R1 + R2 RC 2
ai = − hi 2 ⋅ ⋅
RC1 + hi + R12⋅(1+ h f ) R1 + R2 + hi RC 2 + RL

Factorul de reacŃie se obŃine prin scurcircuitarea ieşirii reŃelei

de reacŃie, pentru că compararea se face în nod, obŃinând schema
din figura 5.28.

174
 R1 Ir = I0
If
2 1

RL

2’ 1’

Fig. 5.28.

Factorul de reacŃie este

If
fi =
I0
If − R2
fi = =
I0 R1 + R2

Transmisia pe buclă este T = ai f i .

Factorul de amplificare în curent al amplificatorului cu reacŃie este
ai
Ai = .
1 + ai ⋅ f1

ImpedanŃa de intrare de calcul este impedanŃa pe care o vede sursa

ideală de la intrare pe schema ABD
Vg
Z i′ = = R g + ((R1 + R2 ) hi )
Ig

ImpedanŃa de ieşire se defineşte în lipsa semnalului la intrarea

amplificatorului
V
Z 0' = 0 = RLŃ
IL Vg =0

Cu impedanŃa de intrare de calcul Z i' se obŃine expresia admitanŃei

de intrare a amplificatorului cu reacŃie (se calculează admitanŃa
pentru că compararea se face în nod)
1 1
Yi = '
⋅ (1 + T ) −
Zi Rg

175
Cu impedanŃa de ieşire de calcul Z 0' se obŃine expresia impedanŃei
de ieşire a amplificatorului cu reacŃie (se calculează impedanŃa
pentru că eşantionarea se face pe buclă)

1 1
Z0 = '
⋅ (1 + T ) −
Z0 RL

5.7. ReacŃia negativă cu eşantionare în nod şi

comparare pe buclă (exemplu)
În figura 5.29 este prezentată schema de principiu a unui
amplificator cu reacŃie negativă cu eşantionare în nod şi comparare
pe buclă.
+ VCC

RC RB2 RC
RB2 CC
CC
CC
T1 T2
RB1 RL VL
Vg ,
RB1
Rg RE CE
R1

R2

CE
RE

Fig. 5.29.

Schema unui amplificator cu reacŃie negativă cu eşantionare

în nod şi comparare pe buclă trebuie să conŃină cel puŃin doi
tranzistori bipolari pentru ca reacŃia să fie negativă (vezi paragraful
5.6).
Se fac următoarele ipoteze (în vederea simplificării calculelor):

176
 - condensatorii C c sunt condensatori de cuplaj,
- C E scurcircuitează rezistorul cu care se află în paralel,
- tranzistorii sunt identici,
- rezistorul echivalent R B = R B1 || R B2 nu şutează
intrarea tranzistorului.

I1 I2 ILL

hi hfI2 RC hi hfI2
Vg RL” VL

(hf + 1)I1

R12

Fig. 5.30.

Schema echivalentă a ABD pentru amplificatorului din figura 5.33

este prezentată în figura 5.30.
Se notează :

R B = R B1 || R B2 ;

R 12 = R 1 || R 2 ;

R L’’ = ( R 1 + R 2 ) || R C || R L .
ImpedanŃa de calcul de la intrarea ABD se obŃine imediat

Vg
Z i' = = R g + hi + R12 ⋅ (h f + 1)
I1

Factorul de amplificare în buclă deschisă de reacŃie, din relaŃia

de mai sus, devine
h 2f ⋅ RL" ⋅ RC 1
av = ⋅
RC + hi Rg + hi + R12 ⋅ (h f + 1)

177
 ImpedanŃa de ieşire se calculează fără semnal la intrare, adică
pentru V g = 0 => I 1 = 0 => h f · I 1 = 0 => h f · I 2 = 0 ,
ceea ce înseamnă că în circuit rămâne numai R L’’ şi

VL
Z 0' = = RL" ⇒ Y0' .
I LL

Pentru determinarea factorului de reacŃie se utilizează reŃeaua

de reacŃie separată de amplificator, cu ieşirea în gol (pentru că
compararea se face pe buclă). Factorul de reacŃie este

Vf R1
fv = =
VL R1 + R2
Transmisia pe buclă este T = av fv .

Factorul de amplificare în tensiune al amplificatorului cu

reacŃie se determină conform formulei generale

VL av
Av = =
I L 1 + av ⋅ f v

ImpedanŃele amplificatorului cu reacŃie se calculează cu

formule corespunzătoare topologiei.
Pentru că compararea se face pe buclă se aplică relaŃia
corespunzătoare impedanŃei de intrare

Z i = Z i’ · ( 1 + T ) - R g .

Pentru că eşantionarea se face în nod se aplică relaŃia

corespunzătoare admitanŃei de ieşire

Y o = Y o‘ ( 1 + T ) - Y L ,

5.8. PerformanŃele topologiilor de reacŃie

Reamintim faptul că discuŃia se referă la reacŃia negativă
aplicată amplificatoarelor, ceea ce înseamnă că pe baza scăderii
factorului de amplificare se obŃin alte avantaje. „Avantaj“ este o
creştere sau o scădere a unui parametru al amplificatorului care
poate fi un avantaj sau un dezavantaj în funcŃie de scopul urmărit.

178
Aşa încât în tabelul de mai jos se prezintă modul în care se modifică
impedanŃa de intrare Zi şi impedanŃa de ieşire a amplificatorului
atunci când acesta este integrat în topologia din prima coloană.
În coloana 2 este specificată mărimea neafectată de reacŃie de
la ieşirea amplificatorului (mărimea independentă de reacŃie de la
ieşirea sistemului), iar în coloana 3 sunt precizate mărimile cu
asupra cărora se va aplica metodologia de rezolvare a sistemelor cu
reacŃie – metodologie prezentată în paragraful 5.4.
Dacă se folosesc tranzistori bipolari, ultima coloană prezintă
numărul de etaje necesar pentru ca reacŃia să fie negativă.

În prima coloană primul termen al topologiei se referă la

eşantionare iar al doilea la comparare.

Topologia 2 3 Zi Z0 Nr. etaje

nod – nod V0 Az,fy 3,1

buclă – nod I0 Ai,fi 2

nod – buclă V0 Av,fv 2

buclă – buclă I0 Ay,fz 3,1

Spre exemplu nod – buclă va fi citit “ cu eşantionare în nod şi

comparare pe buclă “, ceea ce spune că reŃeaua de reacŃie va prelua
o parte din curentul de ieşire al amplificatorului şi va aplica la
intrarea amplificatorului o tensiune ( care se scade din tensiunea
furnizată de generatorul de semnal de la intrarea sistemului).

Constatări:

• Dacă compararea se face în nod impedanŃa de intrare a

sistemului cu reacŃie va scădea. ExplicaŃia pleacă de la definiŃia
impedanŃei de intrare
Vi
Zi = ,
Ii

179
 care are la numitor curentul de intrare, curent care este afectat de
reacŃie.

• Dacă compararea se face pe buclă impedanŃa de intrare

va
creşte, pentru că reacŃia va afecta tensiunea de la intrare.

• Dacă eşantionarea se face în nod impedanŃa de ieşire a

sistemului cu reacŃie va scădea. ExplicaŃia pleacă de la definiŃia
impedanŃei de ieşire
V0
Z0 = ,
I0

care are la numitor curentul de ieşire, curent care este afectat de

reacŃie.

• Dacă eşantionarea se face pe buclă impedanŃa de ieşire

va
creşte, pentru că reacŃia va afecta tensiunea de la intrare.

180
 6
AMPLIFICATOARE DE PUTERE
Amplificatoarele de putere sunt amplificatoare a căror
schemă electronică permite utilizarea cât mai eficientă a
dispozitivelor semiconductoare (la limita superioară a
caracteristicilor) pentru a se obŃine simultan o amplificare
supraunitară pentru tensiune şi o amplificare supraunitară în curent,
pentru a obŃine deci o amplificare în putere a semnalului aplicat la
intrare.
Tranzistori din schemă pot funcŃiona în clasa A sau clasa B
Clasa de funcŃionare ale tranzistorului este definită de
poziŃia punctului static de funcŃionare pe caracteristica statică a
tranzistorului.
Tranzistorul funcŃionează în clasa A dacă punctul static de
funcŃionare (PSF) este plasat în zona liniară a caracteristicilor, ca în
figura 6.1a, ceea ce determină un unghi de conducŃie θ = 2·π

a) b)
Fig. 6.1.

181
 Tranzistorul funcŃionează în clasa B dacă punctul static de
funcŃionare (PSF) este plasat în apropierea originii caracteristicilor,
ca în figura 6.1b, ceea ce determină un unghi de conducŃie θ = π.

În cazul amplificatoarelor de putere la care nu contează

forma semnalului se poate folosi clasa C de funcŃionare a
tranzistorului, caracterizată prin faptul că PSF este situat în zona
negativă a axei semnalului de intrare, ceea ce determină un unghi de
conducŃie al curentului θ < π.

6.1 Amplificatoare de putere în clasă A

Elementele active de circuit (tranzistorul) din cadrul

amplificatoarelor de putere în clasă A au PSF în zona liniară a
caracteristicilor statice la limita hiperbolei de disipaŃie, ca în figura
6.2b, pentru a solicita de la elementul de circuit puterea maximă pe
care acesta este capabil să o furnizeze sarcinii [ 8, 35, 36].

a) b)
Fig. 6.2.

Transferul energiei către sarcină se face prin intermediul unui

transformator de adaptare şi separaŃie a componentei de curent
continuu, ca în figura 6.2a. Tranzistorul lucrează ca şi cum în
colector se găseşte un rezistor (rezistenŃa reflectată din secundar în
primar) , a cărui valoare se stabileşte

182
 2
N 
RLC =  1  RL ,
 N2 

în funcŃie de rezistenŃa RL a sarcinii din secundarul

transformatorului şi de raportul numărului de spire din primar N1 şi
secundar N2.
Amplitudinea semnalului variabil VC din colectorul
tranzistorului trebuie să nu determine intrarea punctului de
funcŃionare în zonele neliniare ale caracteristicilor statice. Se
limitează amplitudinea la valori apropiate de valoarea tensiunii de
c.c. de alimentare a etajului de putere

VC = k VCC , k = 0.91,......,0.99 ,

unde k este coeficientul de utilizare a sursei de curent continuu VCC.

Amplitudinea curentului

kVC
IC = ,
RLC

permite exprimarea puterii active pe tranzistor

2
VC I C VC I C k 2VCC
P0 = = = .
2 2 2 2 RLC

Puterea absorbită de la sursa ce curent continuu are expresia

2
VCC VCC
PCC = VC 0 I C 0 = VCC = .
RLC RLC

Prin raportarea celor două puteri ( a puterii utile – de c.a. şi a puterii

absorbite de la sursa de c.c.) se stabileşte expresia randamentului
etajului de amplificare în clasă A

P0 k2 1
η= = < = 50% .
PCC 2 2

Se constată că randamentul maxim al unui etaj de putere

funcŃionând în clasă A nu depăşeşte 50%.

183
 6.2 Amplificatoare de putere în clasă B

Spunem că un amplificator este în clasă B dacă tranzistorii

din componenŃa etajului final lucrează în clasă B.

Punctul static de amplificare al tranzistorului (PSF) se stabileşte

în apropierea originii caracteristicilor statice, ca în figura 6.3,a.

Constatăm că tranzistorul va amplifica numai alternanŃa pozitivă

a curentului iB, pentru că alternanŃa negativă deplasează punctul de
funcŃionare în zona de blocare unde curentul de ieşire iC este
independent de curentul iB şi are valori foarte mici (apropiate de
zero).

a) b)
Fig. 6.3.
În figura 6.3,a este prezentată caracteristica de transfer a
curenŃilor unui tranzistor NPN şi variaŃia în timp a curentului
injectat în baza tranzistorului, iar în figura 6.3,b este prezentată
forma de variaŃie a curentului de colector. Se constată că la ieşirea
etajului se transmit numai variaŃiile din domeniul pozitiv al
curentului iB.

În figura 6.4 este prezentată schema unui etaj de amplificare

de putere în clasă B de funcŃionare în care cuplajul cu sarcina este
realizat prin transformatorul TR2 iar cuplajul cu sursa de semnal
este realizat de transformatorul TR1. RezistenŃele RB1 şi RB2

184
împreună cu RE polarizează ambii tranzistori la curenŃi de colector
de valori foarte mici aşa încât punctul static de funcŃionare se
găseşte în zona pozitivă a caracteristicilor, în apropierea originii
axelor. RezistenŃa RE se adoptă de valoare foarte mică (mai mică ca
1 Ω) pentru ca să nu consume din puterea care trebuie transferată
sarcinii.
Transformatorul TR1 , pentru tensiuni de intrare pozitive determină
valori pozitive ale tensiunilor V1 şi V2 din secundar. Se constată că
alternanŃa pozitivă a tensiunii de intrare determină deplasarea
punctului de funcŃionare în zona activă a caracteristicilor
tranzistorului T1 .
Tranzistorul T2 este blocat pentru că tensiunea (V2) se aplică cu
minusul pe bază şi tensiunea VBE1 va fi negativă.
Curentul de colector iC1 , circulând prin primarul transformatorului
TR2 va induce o tensiune electromotoare în secundar (şi pe sarcină)
pozitivă.
În alternanŃa negativă a tensiunii de intrare, polaritatea tensiunilor
V1 şi V2 din secundarul transformatorului TR1 va fi negativă. În
aceste condiŃii tranzistorul T1 va fi blocat iar T2 va amplifica
tensiunea prezentă la intrare (V2).
+VCC

RB1
N1 iC1
TR2
T1
N1
RE N2 RL V0
V1
N2
N1
Vi N1
RB2 RE
iC2
N2 V2
T2

Fig. 6.4.

185
Am constatat că fiecare tranzistor amplifică o alternanŃă a tensiunii
de intrare, ceea ce înseamnă că la ieşire se poate obŃine – prin
analogie cu amplificatorul în clasă A – o putere de două ori mai
mare decât puterea maxim disipată pe fiecare tranzistor. Această
afirmaŃie este nejustificată deoarece intervalul de conducŃie al
fiecărui tranzistor este numai de
π- radiani şi nu de 2π - cum este cazul amplificatorului funcŃionând
în clasă A – ceea ce înseamnă că condiŃiile de disipare a puterii sunt
mult uşurate în cazul montajelor în clasă B. Se poate obŃine o putere
maximă de ieşire teoretic de 2,5 ori mai mare decât puterea maximă
a fiecărui tranzistor.
Randamentul conversiei energiei ajunge la 80%.
Pentru ajustifica aceste afirmaŃii şi pentru a stabili relaŃii de
proiectare a amplificatorului pelecăm de la ipoteza că divizorul de
tensiune de alimentare în curent continuu este corect dimensionat
aşa încât tensiunea de c.c. VBE polarizează tranzistorii în apropierea
blocării. Deblocarea tranzistorului o face tensiunea variabiilă vb din
secundarul transformatorului de intrare

vBE1 = VBE + vb,

vBE2 = VBE - vb.

Cele două tensiuni, prin intermediul caracteristicii de transfer a

tranzistorului, determină curenŃii de colector

iC1 = y vBE1, iC2 = y vBE2,

care prin transformatorul de ieşire determină curentul prin

rezistenŃa de sarcină
N1
iL = (iC1 − iC 2 ) .
N2

Între tensiunea din secundar şi cea din primar există relaŃia

2
N N N 
V1 = 1 V0 ⇒ V1 = 1 RL iL =  1  RL (iC1 − iC 2 ), ,
N2 N2  N2 

unde termenul care din faŃa diferenŃei curenŃilor este rezistenŃa

reflectată din secundar în primar

186
 2
N 
RLC =  1  RL .
 N2 

Amplitudinea tensiunii variabile din colectorul tranzistorului

poate fi adoptată un pic mai mică ca tensiunea de alimentare

Vc V
Vc = kVCC ⇒ I c = = k CC ,
RLC RLC

unde k este un factor subunitar.

Deoarece în PSF curentul de colector este aproape zero,

curentul continuu prin tranzistor este dat de valoarea medie a
curentului variabil
π
1 2I c 2VCC
sin (ωt ) d (ωt ) = .
π∫
I CC = I =k
π π RLC
c
0

Puterea preluată de la sursa de curent continuu este

2k VCC
PCC = VCC I CC = .
π RLC

O parte din puterea preluată este convertită în putere a semnalului

variabil
2
VC I c k 2 VCC
P0 = = ,
2 2 2 RLC
iar restul de putere

PD = PCC − P0 ,

este disipată de tranzistor.

Tranzistorul se adoptă aşa ca puterea disipată, determinată mai

sus, să nu depăşească valoarea maximă a puterii pe care o poate
disipa tranzistorul adoptat.

Notă: Puterea maximă utilă pe fiecare tranzistor se obŃine pentru

k= 1

187
 2
VCC
P0 max = ,
2 RLC

cu care, prin înlocuire aflăm expresia puterii disipate pe

tranzistor

 4k   8 4 
PD = P0 max  − k 2  ⇒ PD max = P0 max  2 − 2  = 0,4 P0 max
π  π π 
,

2
valoare maximă care se obŃine la k = .
π

RelaŃia de mai sus poate fi exprimată

1
P0 max = .PD max = 2,5 PD max ,
0,4

cu ajutorul căreia aflăm puterea maximă ce se poate obŃine cu

doi tranzistori (în clasă B) şi anume

P0 max = 2 (2,5 PD max ) = 5 PD max, .

De fapt se poate multiplica puterea maxim disipată a unui

tranzistor cu un coeficient de (2,...,5) pentru a determina puterea
maximă de pe sarcină.

Randamentul conversiei energiei se calculează clasic

188
 P0 π
η= = k = 78,5%.
PCC 4

Amplificatoare de putere în clasă B fără transformator de

ieşire

Transformatorul electric este o piesă de gabarit mare, gabarit

dependent de puterea vehiculată, de materialele şi de tehnologia
utilizată, motiv pentru care şi preŃul de cost este mare [10, 12 ].
Cuplajul sarcinii, dacă se acceptă pierderi mai mari la
transfer, se poate face prin condensator, ca în figura 6.5.
Se constată că repartizarea celor două alternanŃe ale tensiunii de
intrare pe cei doi tranzistori se face tot prin intermediul unui
transformator numit „de defazare”. Fiind conectat la intrare puterea
transformatorului este mică şi deci costul şi gabaritul sunt mici.
Schema din figura 6.5 prezintă un singur inconvenient şi anume
faptul că pentru alimentarea tranzistorilor finali este necesară o
sursă de curent continuu duală. Nu mai constituie un inconvenientul
în condiŃiile aparatelor alimentate de la baterii, o sursă duală
realizându-se uşor, prin div8zarea cu doi a numărului bateriilor.

+ VCC
RB1
+
+ T1
+ RE CC
- 1/2 V CC

Vi N1 -
+
RB2
- - R
RL -
E
1/2 VCC
T2 +

Fig, 6.5.

189
 CC
T1 +
CC RL - 1/2 VCC
(A)
Vi
+
1/2 VCC
T2
-

Fig, 6.6.

Transformatorul de defazare poate fi eliminat, fără alte

complicaŃii, dacă etajul de putere este realizat cu doi tranzistori
complementari, ca în figura 6.6. Tranzistorul T1 amplifică
alternanŃa pozitivă a tensiunii de intrare Vi iar tranzistorul T2
amplifică alternanŃa negativă.
Deoarece tranzistorii sunt complementari, curentul prin sarcină are
sensuri diferite în funcŃie de tranzistorul polarizat în conducŃie.
Sensurile diferite ale curentului determină polarităŃi diferite ale
tensiunii pe sarcină, determină deci aceeaşi formă de undă a
tensiunii de ieşire v0 cu formă de undă a tensiunii aplicate la intrarea
montajului.

190
 7
AMPLIFICATOARE INTEGRATE

7.1. Amplificatoare diferenŃiale

Amplificatoarele diferenŃiale elementare sunt caracterizate
prin faptul că dispun de două intrări şi două ieşiri toate fiind
raportate la punctul de potenŃial zero (numit masă sau „ground”), ca
în figura 7.1.

+
Vi1 AD
- V01
Vi2
V02

Fig. 7.1.

De fapt structura din figura 7.1 este formată din două amplificatoare
separate, fiecare fiind caracterizat printr-un factor de amplificare.
Pentru ca amplificatorul global să devină diferenŃial se impune să
amplifice diferenŃa a două mărimi.
Se definesc
- tensiunea diferenŃială de intrare

Vidif = Vi1 − Vi 2 ;

191
 - tensiunea de intrare de mod diferenŃial
-
Vi1 − Vi 2
Vid = ;
2

- tensiunea de intrare de mod comun

Vi1 + Vi 2
Vic = ;
2

- tensiunea de ieşire diferenŃială

V0 dif = V01 − V02 ;

- tensiunea de ieşire de mod diferenŃial

V01 − V02
V0 d = ;
2

- tensiunea de ieşire de mod comun

V01 + V02
V0 c = .
2

Se constată că tensiunile de la borne pot fi exprimate în funcŃie de

mărimile mai sus definite

Vi1 = Vic + Vid ; Vi 2 = Vic − Vid ;

V01 = V0c + V0 d ; V02 = V0c − V0 d ;

Corespunzător se definesc factorii de amplificare

- factorul de amplificare de mod diferenŃial (MD)

V0 d
Add = , pentru Vic = 0; ⇔ Vi1 = −Vi 2 ;
Vid

- factorul de amplificare de mod comun (MC)

V0c
Acc = , pentru Vid = 0; ⇔ Vi1 = Vi 2 ;
Vic

192
 - factorul de amplificare de transfer de la modul comun la
modul diferenŃial

V0 d
Adc = , pentru Vid = 0;
Vic

- factorul de amplificare de transfer de la modul diferenŃial la

modul comun
-
V0c
Acd = , pentru Vic = 0.
Vid

Cu ajutorul factorilor de amplificare se pot exprima tensiunile

V0 d = Add Vid + AdcVic ,

V0 c = AccVic + AcdVid .

Dacă nu există transfer de la MC la MD sau invers, tensiunile

de ieşire se exprimă

V0 d = Add Vid ,
V0c = AccVic .

În cazul amplificatoarelor diferenŃiale semnalul de intrare util

este semnalul diferenŃial, iar semnalul util de la ieşire este semnalul
de ieşire diferenŃial. Ne interesează ca semnalul de mod comun de
la intrare să nu modifice ieşirea, motiv pentru care se defineşte
factorul de rejecŃie a modului comun

Add
RMC = ,
Adc

care intervine în expresia tensiunii de ieşire de mod diferenŃial

 1 
V0 d = Add Vid + AdcVic = Add  Vid + Vic  .
 RMC 

Din expresia tensiunii de ieşire de mod diferenŃial Vid se constată că,

pentru ca Vic să nu afecteze ieşirea, se impune ca RMC să aibă
valori cât mai mari.
La una din intrări se aplică rezultatul sumării semnalului
variabil „e” şi a semnalului de mod comun VMC, iar la cealaltă se

193
 aplică numai semnalul de mod comun, ca în figura 7.2. Se poate
exprima tensiunea de ieşire V0 în funcŃie de semnalul diferenŃial Vd.

VI = Vutil + VMC = e + VMC 

 =>
VR = 0 + VMC 
=> Vd = ∆ ⋅ VI = Vi − VR = Vutil
V0 = Ad ⋅ Vd

Z1 Z1

A V0 V0
Z2 Zi
Vid A
e + VMC e Zi
~ ~ VMC Z2

VMC

Fig. 7.2.

De notat că perturbările generale (de ex. cele datorate frecventei

tensiunii de 50Hz) afectează în principal semnalul de mod comun
VMC - pentru ca afectează la fel semnalul furnizat de toate
traductoarele.
Schema desfăşurată a unui amplificator diferenŃial este prezentată în
figura 7.3.
Factorii de amplificare, pentru amplificatoarele Au se notează

V0d
A2 =
V2 V1 =0

V0d
A1 =
V1 V2 =0

194
 Tensiunea de ieşire diferenŃială este suma tensiunilor
furnizate de cele două amplificatoare

V0d = A2V2 − A1V1 .

+ +
A2

∑ V0d
V2
- -
A1

V1

Fig. 7.3.

Se notează tensiunea de intrare diferenŃială şi respectiv

tensiunea de mod comun
D
Vid = V2 − V1
D V2 + V1
VMC =
2

Tensiunea de ieşire, cu aceste notaŃii, este rezultatul

contribuŃiei celor două tensiuni Vid şi VMC

V0d
V0d = A d Vid + A MC VMC cu A d = ,
Vid VMC = 0

Ad fiind amplificarea diferenŃială.

Prin identificare se stabilesc relaŃiile dintre Ad factorul de

amplificare diferenŃial respectiv AMC factorul de amplificare a
tensiunii de mod comun şi factorii de amplificare (A1, A2 ) a celor
două căi de prelucrare a semnalelor

195
 A2 + A1
Ad = ; AMC = A2 − A1 ,
2

Se constată că, dacă cele doua amplificatoare sunt identice

(A2=A1=A) ,avem

Ad=A şi AMC=0 =>

V0d=AdVid+0

Tensiunea V0d poate fi scrisă

AMC V
V0d = Ad (Vid + VMC ) = Ad (Vid + MC ) ,
Ad RMC

în funcŃie de factorul de rejecŃie a tensiunii de mod comun

D Ad
RMC = .
AMC

Dacă RMC = mare => tensiunea de ieşire este puŃin influenŃată de

tensiunea de mod comun VMC , chiar dacă cele două amplificatoare
din figura 7.3 nu sunt identice.

Exemplul 1. Una din intrări este conectată la masă (V1 = 0 ) iar la

cealaltă intrare se aplică atât semnalul util Vi cât şi perturbaŃia VP,

V2 = Vi + VP.
Avem

Vid = Vi + VP
Vi + VP
VMC =
2
Vi + VP
V0 d = Ad (Vi + VP + )
2 RMC

Se constată că la ieşire se obŃine un semnal proporŃional cu

perturbaŃia (sunt amplificate potenŃialele care apar ca semnal
diferenŃial).

196
Exemplul 2. La una din intrări se aplică numai semnalul
perturbator V1 = VP , iar la cealaltă intrare se aplică atât
semnalul util Vi cât şi perturbaŃia VP, V2 = Vi + VP.
Avem

Vid = Vi + VP − VP = Vi
Vi + V P + VP V
Vmc = = VP + i
2 2

de unde tensiunea diferenŃială este

Vi
VP +
V0d = A d (Vid + 2 )≅A V
d id .
R MC
V0 d = Ad Vi

Se constată că la ieşire tensiunea este în funcŃie numai de

semnalul util. Tensiunea de mod comun determină un semnal de
eroare

VP
∆V0d = A d ( )
RMC

mic dacă factorul de rejecŃie RMC este de valoare mare.

În cazul amplificatoarelor reale trebuie să se ia în
consideraŃie atât impedanŃa de intrare Zi a fiecărei intrări faŃă de
masa de semnal, cât şi impedanŃa firelor de legătură Z2 până la
borna neinversoare şi Z1 până la borna inversoare, ca în figura 7.4.
Tensiunile pe care le furnizează cele două traductoare sunt notate
Vi2 (semnal util + perturbaŃie) şi Vi1 (numai perturbaŃie).
La intrările amplificatorului se aplică tensiunile

Zi
V2 = (e + VP ),
Zi + Z2
Zi
V1 = VP .
Z i + Z1

197
 Z2
+

V2 Zi

Vi2=e+VP
Z1 - V0d

Vi1=VP V1 Zi

Fig. 7.4.

Tensiunea diferenŃială şi tensiunea de mod comun

Zi  Zi Zi 
Vid = V2 − V1 = ⋅ e + VP  − 
Zi + Z2  Zi + Z2 Zi + Z 2 
,
V + V1  Zi Zi  1 Zi
VMC = 2 = VP  +  + ⋅ ⋅e
2  Zi + Z2 Zi + Z1  2 Zi + Z2

determină tensiunea de ieşire

 V   Zi  Zi Z i  VMC 
V0d = Ad Vid + MC  = Ad  ⋅ e + Ad ⋅ VP ⋅  −  + 
 RMC   Zi + Z2  Z 1 + Z 2 Z + Z 1  RMC 

Se constată influenŃa impedanŃelor de conectare.

ImpedanŃele de conectare scad tensiunea diferenŃială de intrare Vid ,
pentru ca să nu influenŃeze se impune ca Zi să aibă valori cât mai
mari, ceea ce conduce la

Zi 1
⋅e = e⋅ ≅e.
Zi + Z2 Zi
1+
Z2

198
În exprimarea tensiuni de ieşire apare un termen suplimentar care
poate fi anulat prin echilibrarea impedanŃelor de conectare, în
sensul egalării acestora Z1=Z2=ZC,

 Zi Zi 
Ad  −  ⋅ VP = 0 .
 Z i + Z 2 Zi + Z1 

S-a considerat că amplificatoarele sunt identice, cel puŃin din

punctul de vedere al impedanŃelor de intrare, având aceleaşi
impedanŃe

Zi+ = Zi- = Zi.

Notă. DiferenŃa impedanŃelor Z1 ≠ Z2 determină apariŃia unei părŃi a

tensiunii de mod comun la intrarea diferenŃială (care va fi
amplificată) denaturând semnalul util, cules de la ieşirea
amplificatorului.

Etajul de amplificare de la intrarea amplificatorului diferenŃial

consumă curent de la sursa de semnal, numit curent de polarizare.
Daca cei doi curenŃi de la intrarea neinversoare ( + ) şi de la
intrarea inversoare (– ) sunt diferiŃi. Aceasta diferenŃă se numeşte
curent de decalaj.
Când tensiunile de intrare sunt nule la ieşire se obŃine o
nenulă numită tensiune de decalaj.
Se numeşte tensiune de ofset tensiunea care aplicată la intrare
anulează tensiunea de la ieşire (tensiunea de decalaj).
Traductoarele furnizează la intrarea preamplificatorului un
semnal de curent continuu (curent lent variabil în timp şi afectat de
perturbaŃii) şi un semnal util. Dacă semnalul datorat potenŃialului
de electrod este prea mare amplificatorul intră în saturaŃie şi nu mai
amplifica semnalul util, în sensul că tensiunea de ieşire este mare
(are valoarea de saturaŃie) şi nu se modifică la modificarea
semnalului aplicat la intrare.

Preamplificatorul poate conŃine un circuit (la intrare), ca în

figura 7.5, care să deplaseze tensiunea continuă de la ieşire aşa
încât să anuleze diferenŃa dinte potenŃialele de electrod.

199
 R2

V1 R1
-
Vod
A
B
V2 +
R1

R3 +V

R4 R5
VCC -V

Fig. 7.5.

Se defineşte fereastra dinamică a amplificatorului ca tensiunea

maximă ∆V care poate fi aplicată la intrare peste o valoare de curent
continuu VCC. Altfel spus tensiunea de intrare corectă este în
domeniul
VCC - ∆V,..., VCC + ∆V.
În figura 7.6 este prezentată o modalitate de anulare a
potenŃialului de electrod, prin aplicarea unei tensiuni continue VCC
peste tensiunea preluată de unul din electrozi (tensiunea V2).

R1 R3 I2 R5

I1
V2 VCC
R4
VB

Fig. 7.6.

R4
Tensiunea de c.c. la ieşire este V0cc= VCC .
R4 + R5

200
 Tensiunea (V2-V1) conŃine semnalul util şi diferenŃa
potenŃialelor de electrod , diferenŃă ce va fi compensată cu VCC.

Dar VA=0 => VA-VB=0 => VA=VB , de unde

R1 R2 R2 R1 R4
V0 + V1 = V2 + VCC
R1 + R2 R1 + R2 R1 + R2 R1 + R2 R4 + R5
R2 R4
V0 = (V2 − V1 ) + VCC
R1 R4 + R5

În final se obŃine expresia factorului de amplificare, ca funcŃie de

rezistorii externi circuitului

V0 R R4
AV = = 2 V0CC = VCC
V2 − V1 R1 R4 + R5

7.2. Amplificatoare operaŃionale

Amplificatoarele operaŃionale (AO) sunt amplificatoare de

tensiune, realizate în tehnologia circuitelor integrate prin cuplarea
directă, în cascadă, a mai multor amplificatoare elementare.

+V
Ii+ Vi+ +

-
Vi1 + Ii- Vi -
-V V0
Vi2

GND

Fig. 7.7.

Alimentarea circuitului integrat se poate face diferenŃial, ca în

figura 7.7 cu tensiunile +V şi –V, sau cu o tensiune pozitivă
conectată între borna de alimentare şi masă (GND).

201
 AO sunt caracterizate prin:
- existenŃa a două intrări , una numită intrare neinversoare Vi+
şi cealaltă numită intrare inversoare Vi- - prima ( Vi+ )
determinând o tensiune V0 de ieşire în fază cu semnalul
aplicat iar cealaltă
( Vi- ) determinând o tensiune V0 în fază opoziŃie de fază cu
semnalul aplicat la intrare;
- factor de amplificare diferenŃial, în tensiune, de valoare
foarte mare (AV > 10 6 )
V0
AV = ;
Vi + − Vi −

- impedanŃă de intrare foarte mare, datorită faptului că curenŃii

de intrare sunt aproximativi egali şi foarte mici
I i + ≅ I i − < 10 −10 A ;
- impedanŃă de ieşire foarte mică.

Datorită faptului că AO au un factor de amplificare foarte mare în

aplicaŃiile curente circuitele sunt folosite numai cu o reŃea de reacŃie
negativă, ca în figura 7.8.

RR

I1 R Ii -
-
R1 Vi AV
+
I2 Ii
Vi - V0
Vi + R2

Fig. 7.8.

ReacŃia negativă este realizată prin rezistenŃa RR.

Datorită faptului că avem curenŃi foarte mici prin intrările
amplificatorului în raport cu valorile curenŃilor furnizaŃi de sursele

202
de semnal Vi+ , Vi- putem considera că I1 se închide prin R şi RR iar
I2 se închide prin R1 şi R2, aşa că avem

Vi − − V0 Vi + − V0
I1 = , I2 = .
R + RR R1 + R2

Deoarece AV >> 1

V0 V
AV = >> 1 ⇒ Vi = 0 ≅ 0 ⇒ V+ = V−
Vi AV

potenŃialele celor două puncte de referinŃă ale tensiunii diferenŃiale

de intrare Vi vor fi egale astfel
R
Vi− − V− = RI1 ⇒ V− = Vi− − (Vi− − V0 ) ,
R + RR
Dar avem
R2
V+ = Vi+ ⇒
R1 + R2

R
Vi− − (Vi− − V0 ) = R2 Vi + ⇒
R + RR R1 + R2

şi expresia tensiunii de ieşire în funcŃie de tensiunile aplicate la

intrare devine

 R  R2 RR 
V0 = 1 − R  Vi + − Vi −  .
 R  R1 + R2 R + RR 

De reŃinut faptul că polaritatea tensiunilor aplicate la cele două

intrări poate fi oricare.
Principalele topologii ale amplificatoarelor operaŃionale se
obŃin prin particularizarea valorii rezistoarelor din schema 7.7.

Amplificatorul operaŃional inversor

Dacă Vi+ = 0 se obŃine amplificatorul inversor din figura 7.9.

Tensiunea de ieşire are expresia

RR
V0 = − Vi .
R

203
 RR

R
-
AV
+
V0
Vi

Fig. 7.9.

Un amplificator de tensiune diferenŃială, ca în figura 7.4, se

obŃine prin adoptarea valorilor rezistenŃelor aşa ca să îndeplinească
relaŃia

 R2 RR 
 = = k 
 R1 + R2 R + RR 
1− k
⇒R= RR ,
k
1− k
⇒ R1 = R2
k
iar tensiunea de ieşire va avea expresia

V0 = (2k − 1)(Vi + − Vi − ) .

Pentru Vi- = 0 ( rezistenŃa R este conectată la masă) se obŃine un

amplificator neinversor, al cărui factor de amplificare determină
expresia tensiunii de ieşire

 R  R2 
V0 = 1 − R  Vi+ .
 R  R1 + R2 

204
 În condiŃiile amplificatorului neinversor dacă tensiunea de
intrare nu se conectează prin divizor de tensiune ci direct, expresia
tensiunii de ieşire va fi stabilită de grupul de reacŃie negativă

 R 
V0 = 1 − R Vi+
 R 

7.3. Amplificatoare de transimpedanŃă (Norton)

Amplificatorul este de transimpedanŃă (numit şi amplificator

Norton) dacă tensiunea de ieşire este proporŃională cu diferenŃa
curenŃilor aplicaŃi la cele două intrări.
Ca şi la amplificatorul operaŃional una din intrări este inversoare iar
cealaltă neinversoare.
Factorul de amplificare se defineşte, pentru notaŃiile din figura 7.10,
prin raportul dintre mărimea de intrare şi cea de ieşire

V0 V0
AZ = = .
∆I i I i + − I i −
CurenŃii de intrare au valori foarte mici, de ordinul I i = 10,...,50µA ,
aşa încât diferenŃa celor doi curenŃi (de la numitorul factorului de
amplificare) este ∆I i ≅ 50nA .

+VCC

R- II -
-

+
Vi - R+ II + V0
Vi +

Fig. 7.10.

205
 Dacă sursa de semnal de la intrare nu este o sursă de curent ci
o sursă care furnizează tensiunile Vi+ , Vi-, amplificatorul va fi
prevăzut, ca în figura 7.10 cu două rezistenŃe R+ şi R- care au rolul
de a converti tensiunea într-un curent.
Amplificatorul Norton nu are nevoie, pentru alimentarea
circuitului, decât de o singură sursă VC de curent continuu cu borna
negativă conectată la masă.
Datorită faptului că AN primeşte la intrări doi curenŃi, fiecare
intrare are un tranzistor la care cuplajul bazei cu sursa de semnal se
realizează direct (fără vreun condensator). Acest tranzistor trebuie
polarizat în conducŃie, pentru ca să plaseze punctul de funcŃionare
în zona liniară a caracteristicilor, ceea ce înseamnă că schema AN
trebuie să conŃină şi circuite de polarizare în curent continuu a
intrărilor amplificatorului.
Polarizarea intrării neinversoare este realizată cu o rezistenŃă RP
conectată la VCC iar polarizarea intrării inversoare este realizată de
către ieşirea AN, prin rezistenŃa de reacŃie negativă.
Deoarece tensiunea la intrarea tranzistorului VBE ≅ 0,65V este mică în
raport cu tensiunea de alimentare a circuitului se poare aproxima

VCC
RP ≅ ,
I CC

unde ICC este curentul continuu absorbit de baza tranzistorului de

intrare.

Vi-
Q2
Vi2

Vi+ Q1

D1

GND

Fig. 7.11.
Pentru exemplificare în figura 7.11 este prezentată schema
circuitului de intrare a unui amplificator Norton, din structura

206
 circuitului integrat βM3900 (circuitul integrat are patru
amplificatoare pe capsulă, deci sunt patru circuite de intrare
separate).
Intrarea inversoare se conectează la tranzistorul Q2 iar
intrarea neinversoare mai conŃine un tranzistor (tranzistorul Q1).
Tensiunea Vi2 preluată din colectorul tranzistorului Q2 este
amplificată şi transmisă etajului de ieşire al amplificatorului.
Dioda D1 are rolul de a limita valoarea tensiunii aplicate la
intrare.
Bazele tranzistorilor Q1 şi Q2 vor fi polarizate în curent
continuu.

Amplificator Norton cu intrare pe borna inversoare

În figura 7.12 este prezentată o structură de AN inversoare.

RR
R-
-
Ii -
+
ICC
Vi VM (Ii +) V
0
Rp

+VCC

Fig. 7.12.

Spre deosebire de AO amplificatoarele Norton au la ieşire o

componentă de curent continuu, chiar în lipsa vreunui semnal la
intrarea acestuia.
Avem relaŃiile
VCC
I i + = I CC = ,
RP
V0
I i− = ,
RR

207
unde V0 este o tensiune de curent continuu pe care o notăm V0CC.
DiferenŃa curenŃilor fiind foarte mică îi putem considera egali

VCC V0CC RR
= ⇒ V0CC = VCC ,
RP RR RP

obŃinând astfel V0CC valoarea tensiunii de la ieşire când la

intrare nu se aplică semnal.

Curentul la intrarea amplificatorului are expresia

Vi − VM V0 − VM
I i− = + .
R− RR

Deoarece curentul de intrare este foarte mic şi potenŃialul intrării

faŃă de masă este de asemeni mic, expresia curentului permite
determinarea

Vi − V M V0 − V M V V
I i− = + ≅0⇒ i + 0 =0⇒
R− RR R− R R
V0 R
AV = =− R
Vi R−

expresiei factorului de amplificare în tensiune al structurii din

figura 7.12, care reprezintă un amplificator inversor.

Amplificator Norton cu intrare pe borna neinversoare

În figura 7.13 este prezentată o structură de amplificator Norton la
care tensiunea furnizată de generatorul de semnal se aplică pe borna
neinversoare.
PotenŃialul bornei de intrare faŃă de masă fiind mic VM = 0 şi
curenŃii pe cele două intrări fiind aproximativ egali avem succesiv

208
 V0 − VM V0 Vi
I i− = ≅ , Ii+ =
RR RR R+ + rd

V0 Vi
I i− = Ii+ ⇒ = ⇒
RR R+ + rd

RR
Ii -
-
R+
+
ICC
Vi V0
Rp

+VCC

Fig. 7.13.

V0 RR
AV = = .
Vi R + + rd

În expresia factorului de amplificare în tensiune intervine rd

rezistenŃa dinamică a intrării neinversoare faŃă de masă.
Integratul are la fiecare intrare o joncŃiune bază – emitor a
tranzistorului de intrare, a cărui rezistenŃă dinamică se poate
exprima

VT kT 1
rd = = ,
I CC q e I CC
în funcŃie de tensiunea termică VT (care este 26mV la T = 250 C ) şi
de curentul continuu ICC de polarizare a intrării
VCC − VBE VCC − 0,65
( I CC = ≅ ).
R+ R+

209
7.4. Amplificatoare de putere

Amplificatoarele de putere integrate nu au în componenŃă

numai elementele de amplificare în putere, conŃinând pe lângă
elementele de putere şi
- etajul de putere,
- etaje preamplificatoare,
- circuite de protecŃie a etajului de putere,
- circuite pentru corecŃia caracteristicii de frecvenŃă.
- etaje pentru aplicarea unei reacŃii negative.
Amplificatoarele de putere integrate sunt circuitele integrate
liniare care determină la ieşire un semnal de aceeaşi formă cu
semnalul aplicat la intrare dar de putere mult mai mare.
Conform definiŃiei ieşirea de semnal trebuie să aibă distorsiuni
cât mai mici ale formei semnalului.
În cadrul domeniului industrial contează mai mult randamentul
conversiei energiei de curent continuu (furnizată de sursa de
alimentare) în energie a semnalului este mai puŃin importantă
reproducerea formei semnalului motiv pentru care se utilizează
termenul de „convertor de putere” în locul de „amplificator de
putere”.
Etajele finale ale amplificatoarelor de putere pot fi în clasă A,
AB sau clasă B.
4 ReacŃie

3k 1 VCC

Q21
Q22

35Ω

12 Ieşire
Q15
Q23
8
ViPA 10 GND A

9 GND PA

Fig. 7.14.

210
 În figura 7.14 este prezentat etajul final şi un tranzistor (Q14) al
etajului prefinal din componenŃa amplificatorului TBA790K.
Circuitul integrat se alimentează la o tensiune de maximum
VCC=14V, furnizând o putere a semnalului la ieşire de 2,5W pentru o
sarcină la ieşirea 12 de RL = 4Ω.

2I

Vi Vi

Q2 Q3

I-∆I 2 ∆I

I+∆I I+∆I

8 Q1

Q4 Q5 RL
2Vi V0

9 GND PA

Fig. 7.15.
Preamplificatorul are masa GND PA distinctă de masa etajului
final, notată GND A.
Etajul final este realizat cu 4 tranzistori şi lucrează în clasă AB.
Etajul de intrare, prezentat în figura 7.15, este format din
tranzistorul Q1 în regim de repetor şi etajul diferenŃial Q2, Q3
Ieşirea etajului diferenŃial este nesimetrică, tensiunea de ieşire fiind
preluată din colectorul tranzistorului Q2.
RezistenŃa RL reprezintă rezistenŃa de intrare a etajului
preamplificator, care furnizează semnal etajului final.
Sarcina etajului diferenŃial este o sarcină activă, realizată cu
tranzistorii Q4 şi Q5.
În figura 7.16 este separată sarcina activă a etajului diferenŃial,
pentru că structura celor doi tranzistori constituie un montaj, deseori
folosit, numit oglindă de curent.

211
 I4 I5

IB4+IB5

IC5
IB4 IB5
Q4 Q5

Fig. 7.16.

Tensiunile aplicate joncŃiunii bază – emitor sunt egale

VBE 4 = VBE 5 ⇒ I B 4 = I B5 = I B .

Deoarece tranzistorii Q4 şi Q5 sunt identici avem şi egalitatea

curenŃilor de colector, care se pot exprima în funcŃie de curentul de
bază

I4 = IC4 = β I B , IC5 = β I B .

Curentul I5 se poate scrie în funcŃie de ceilalŃi curenŃi

I 5 = I C 5 + I B 4 + I B 5 = β I B + 2 I B = ( β + 2) I B ⇒
I5
IB = .
β +2
Înlocuind IB în expresia curentului I4 obŃinem relaŃia

β
I4 = I5 ≅ I5 ,
β +2

relaŃie care exprimă proprietatea montajului numit oglindă de

curent şi anume – curentul de comandă (I5) , aplicat
tranzistorului Q5 cu baza scurcircuitată la colector este reprodus
de tranzistorul Q4 comandat.
Revenind la montajul din figura 7.16, oglinda de curent
permite să avem I C 4 = I + ∆I , ceea ce face ca prin sarcină să
circule numai variaŃia curentului ( 2∆I ).

212
 Se constată că tensiunea de intrare 2Vi se repartizează în mod
egal pe cei doi tranzistori ai etajului diferenŃial, numai că
tensiunea bazei tranzistorului Q2 este scăzută şi I C 2 = I − ∆I iar
tensiunea bazei tranzistorului Q3 este crescută şi I C 3 = I + ∆I .
Tensiunea pe sarcină este V0 = −2∆I RL .
VariaŃia de curent ∆I se obŃine în colectorul tranzistorului Q2
prin variaŃia curentului bazei

∆I = h f 2 ∆I B 2 ,

dar ∆I B 2 este datorat variaŃiei curentului bazei tranzistorului

Q1

∆I = h f 2 ∆I B 2 = h f 2 (h f 1∆I B1 ) .

Curentul ∆I B1 se modifică datorită variaŃiei tensiunii de

intrare
∆Vi 2∆Vi
∆I B1 = ⇒ ∆I = h f 2 h f 1 = 2 g m1h f 2 ∆Vi .
hi hi
Factorul de amplificare în tensiune al etajului de intrare este

V0 − 2 ∆I RL
AV = = = −2 g m1h f 2 RL .
2∆Vi 2∆Vi

Toate notaŃiile de mai sus se referă la parametrii „h” de

cuadripol ai tranzistorului în conexiunea emitor comun.

7.5. Amplificatoare cu impedanŃă de intrare foarte

mare

OPA 128 ( înlocuitor al circuitelor AD 515, AD 549) este un

amplificator operaŃional având la intrare cu un amplificator realizat
cu tranzistori cu efect de câmp, a cărui schemă simplificată este
prezentată în figura 7.17. Curentul de polarizare mic (maximum
300 fA) îi conferă o mare rezistenŃă de intrare.
Atât tensiunea de offset de maximum 500 µV cât şi deviaŃia cu
temperatura de maximum 5 µV/Co sunt foarte mici.
Amplificarea în buclă deschisă este de 110 dB, iar rejecŃia
semnalului de mod comun este de minimum 90 dB.

213
 Fig. 7.17

Conectând un potenŃiometru între bornele TRIM, cursorul fiind

conectat la – VCC se ajustează tensiunea de variaŃie cu temperatura a
circuitului la valori foarte mici.
Poate fi utilizat în spectrometre de masă, cromatografe, aparate
pentru măsurări electrometrice, aparate pentru măsurarea pH-ului şi
în orice aplicaŃie care necesită un circuit de înaltă impedanŃă de
intrare ( 1013 Ω, 1pF pentru intrare diferenŃială şi 1015 Ω, 2pF pentru
intrarea de mod comun).
În figura 7.18 este prezentat un circuit pentru măsurarea pH-
ului.
Se remarcă faptul că, datorită tensiunilor foarte mici şi a
impedanŃelor foarte mari, s-a prevăzut un inel de gardă pentru
traseul de la sursa de semnal la amplificator, la bornele de intrare a
semnalului.
RezistenŃele de pe reacŃia negativă stabilesc factorul de amplificare
în tensiune
9.5 kΩ
Au = 1 + = 20 .
500 Ω

214
 Fig. 7.18

PotenŃiometrul de 100 kΩ ajustează tensiunea de offset.

În figura 7.19 este prezentat un circuit pentru măsurarea
variaŃiilor sarcinii unui traductor piezoelectric.
Rezistorul RF împreună cu CF stabilesc un filtru trece – jos a cărui
frecvenŃă de tăiere de 0,16 Hz, nu permite transferul la ieşire a
zgomotelor (a căror frecvenŃă este într-un domeniu cu limita
inferioară mai mare de 1 Hz).

Fig. 7.19

Tensiunea de ieşire a amplificatorului depinde liniar de variaŃia

sarcinii de pe feŃele cristalului piezoelectric

215
 ∆Q
e0 = − .
CF

Pentru a nu creşte tipul de răspuns se impune să nu se introducă noi

capacităŃi în circuit sau chiar să se compenseze capacităŃile
existente.
Din acest motiv
- firele de conexiune de la traductor la aparat trebuie să fie
scurte;
- se torsadează firele pentru a elimina capacităŃile dintre fire
şi pentru ca să nu se inducă semnale parazite;
- se utilizează fir ecranat, cu ecranul conectat la un potenŃial
apropiat de potenŃialul firului central de semnal şi se
utilizează inele de gardă.

Notă – Inelele de gardă sunt trasee de circuit plasate în jurul

pinilor de intrare ai amplificatorului de semnal. Deoarece
capacitatea dintre firul de semnal şi inelul de garda depinde de
q
diferenŃa de potenŃial dintre cele doua elemente ( C = ) , inelele de
u
gardă se vor conecta la un potenŃial apropiat de al semnalului util.

Scăderea capacităŃii totale se face prin micşorarea traseului

de la sursa de semnal la amplificator şi uneori prin compensarea
capacităŃii.
Se utilizează, ca şi în contextul precedent teorema lui Miller
privind valoarea impedanŃei de intrare a unui amplificator.

7.6. Amplificatoare de instrumentaŃie

Amplificatoarele de instrumentaŃie sunt caracterizate prin:

- impedanŃă de intrare foarte mare, de ordinul 108..1012 Ω ;
- impedanŃă de ieşire foarte mică Zout = 10-2,..., 10-1 Ω ;
- tensiune de decalaj a nulului de valoare mică, mai mică de
Vdo=200mV;
- RMC > 100.

În figura 7.20 este prezentată schema clasică a unui amplificator de

instrumentaŃie, realizat cu trei amplificatoare operaŃionale.

216
 R3 R4
A1
+
-
R1 +
A3
V0
RG -
R2

+ R3 R4
-
V2 A2
V1

Fig. 7.20.

Expresia tensiunii de ieşire a amplificatorului de instrumentaŃie

R4  R R 
V0 = −  1 + 4 + 2 Vi
R3  RG RG 

Se constata ca valoarea amplificării poate fi modificată

prin ajustarea valorii rezistorului RG.

AD623 este un amplificator de instrumentaŃie integrat, a

cărui schema simplificată este prezentată în figura 7.21.
Tensiunile de intrare se aplică prin intermediul unui etaj cu
tranzistor PNP, având rolul de buffer şi de adaptor de nivel.
Borna 5 este borna de referinŃă a semnalelor de intrare, conectată de
regulă, la masa amplificatorului.
Rezistorul G stabileşte valoarea amplificării, conform relaŃiei

100kΩ
V0 = (1 + ) + VC .
G

Rezistorul de 50 kΩ de pe reacŃia fiecărui amplificator fixează

valoarea amplificării.
Deoarece tranzistorii lucrează la potenŃialul masei, circuitul nu a
fost prevăzut cu posibilitatea compensării curentului de alimentare a
intrărilor, dar acesta are valori mici de ordinul a 25 nA.

217
 Fig. 7.21.

Diodele de pe intrare limitează tensiunea la aproximativ 0,3

V.
Precizia de realizare a rezistorilor asigură o precizie a
factorului de amplificare de 0,1%.
Răspunsul amplificatorului este liniar în frecvenŃă până la 10
kHz, pentru amplificări mari (60 dB) şi până la 100 kHz, pentru
amplificări mici (20 dB).
Factorul de rejecŃie a modului comun RMC are valori mari
( 90 dB) pentru frecvenŃe mai joase de 200 Hz, apoi scade aşa
încât la 100 kHz este de 30 dB.
Tensiunile de radiofrecvenŃă, induse pe diferite căi, în
amplificatoarele de instrumentaŃie se manifestă ca o tensiune de
offset la ieşirea acestuia.
În figura 7.22 sunt prezentate elementele suplimentare care să
prevină efectele tensiunilor de radiofrecvenŃă. Având în vedere
că factorul de rejecŃie are valori mai mici la frecvenŃe mari şi
circuitul integrat nu va atenua singur decât în mică măsură
efectele acestor perturbaŃii se impune a utiliza o serie de
condensatori care să şunteze frecvenŃele mari.
Perechile R1/C1 şi R2/C2 formează o punte la intrarea
amplificatorului care creşte factorul de rejecŃie pentru frecvenŃe
mari. C3 face ca orice semnal RF să devină de mod comun şi în
consecinŃă să fie atenuat.

218
 Fig. 7.22.
Filtrul trece jos astfel format are frecvenŃa de tăiere la 400
Hz, aşa încât atenuarea frecvenŃelor până la 20 MHz este mai
bună de 70 dB.

7.7. Amplificatoare de izolaŃie

Amplificatorul de izolaŃie este un amplificator la care nu

există legătură galvanică între pinii de intrare şi pinii de ieşire ai
semnalului.
Întreruperea legăturii galvanice se face prin intermediul aşa-numitei
bariere (de izolaŃie), care trebuie să aibă
- o tensiune de străpungere mare;
- pierderi mici în curent continuu;
- pierderi mici în curent alternativ;
- izolaŃie între sursa de alimentare a circuitului şi sursa de
semnal.
Izolarea intrărilor de semnal de ieşirea circuitului se face prin două
metode
- prin intermediul optocuploarelor (BB 3652, BB 3650);
- prin intermediul unui transformator de izolare ( BB 3656).

Modelele BB 3650 şi BB 3652 sunt amplificatoare izolate

optic. Înainte de comercializarea acestora, amplificatoarele de
izolaŃie disponibile erau sub formă modulară sau instalaŃii pe raft şi
foloseau tehnici de modulare şi demodulare. În comparaŃie cu
primele amplificatoare de izolaŃie, modelele 3650 şi 3652 au
avantajul unor dimensiuni mici, costuri reduse, bandă mai mare şi
fiabilitate ridicată.
Întrucât utilizează o tehnică de modulaŃie analogică, se evită
problemele de interferenŃă electromagnetică atât transmisă cât şi

219
primită, care se întâlnesc la majoritatea amplificatoarelor de izolaŃie
modulară.
EcuaŃia ce defineşte rejecŃia pe mod izolat (RMI) este

10 6  V  V
VOUT =  V0 + CM  + ISO .
RG1 + RG 2 + R IN  RMC  RMI

RejecŃia pe mod izolat nu este infinită deoarece există

anumite pierderi de-a lungul barierei de izolaŃie datorită
rezistenŃelor şi condensatorilor de izolaŃie.
Neliniaritatea este specificată ca fiind abaterea valorii de vârf de la
o linie dreaptă exprimată ca un procent din semnalul de ieşire vârf-
vârf.
Înainte de introducerea familiei 3650, izolaŃia optică nu a fost
folosită în circuitele liniare.
Modelele 3650 şi 3652 folosesc o tehnologie unică pentru a
depăşi inconvenientele izolatorului cu un singur led şi o fotodioda.
În figura 7.23 este prezentată schema simplificată a BB 3650.

Fig. 7.23.

Sunt folosite două fotodiode identice: una la intrare (CR3) şi

cealaltă (CR2) la etajul de ieşire; pentru a reduce considerabil
neliniarităŃile şi instabilităŃile timp-temperatură.
FuncŃia de transfer este independentă de orice degradare a
semnalului de ieşire a LED-ului atât timp cât valorile celor două
fotodiode sunt aproape identice.
Liniaritatea este acum o funcŃie a preciziei de măsurare şi
este îmbunătăŃită prin folosirea reacŃiei negative în etajul de intrare.
Ieşirea este o sursă de tensiune dependentă de curent, a cărei
valoare depinde de curentul de intrare. Astfel, 3650 este un
amplificator cu conductanŃă mutuală /de transfer, cu un câştig de

220
( 1V / 1µA ) un volt pe un microamper. Când sursele de tensiune sunt
folosite, curentul de intrare este obŃinut prin folosirea rezistenŃelor
de reglare a amplificării cuplate în serie cu sursa de tensiune. RIN
este impedanŃa de intrare diferenŃială.
ImpedanŃele pe mod comun şi pe mod izolat sunt foarte mari
şi se presupune că sunt infinite pentru acest model.

Modelul BB 3656 este un amplificator de izolaŃie cu bariera de

izolaŃie realizată prin intermediul unui transformator.
Schema bloc a circuitului este prezentată în figura 7.24.
Semnalul de intrare VIN se aplică la intrarea neinversoare a
amplificatorului A1, iar la intrarea inversoare se aplică un semnal de
reacŃie. Ieşirea amplificatorului este convertită în semnal variabil în
timp de către un modulator, care injectează în circuitul magnetic al
transformatorului un flux variabil, cu bobina W2.

Fig. 7.24.

Fluxul variabil induce o tensiune electromotoare în

inductivitatea W7. Semnalul este demodulat şi este aplicat
amplificatorului de ieşire A2.
Acelaşi flux variabil induce o tensiune de reacŃie în spirele
bobinei W6. Semnalul este demodulat şi este aplicat pe borna
inversoare a amplificatorului A1.
Alimentarea este realizată cu un generator de oscilaŃii
dreptunghiulare de la o baterie. Generatorul injectează în circuitul
magnetic fluxul variabil, prin bobina W1.

221
În spirele bobinelor W3, W4, W5, se induc tensiuni electromotoare de
frecvenŃa generatorului care sunt redresate cu câte o diodă şi filtrate
cu un condensator, fiind aplicate drept tensiuni de curent continuu
pe alimentările circuitelor.
În acest mod s-a separat sursa de c.c. de intrările şi de ieşirile de
semnal.

222
 Teste de autoevaluare B (capitolele 4, 5, 6 şi 7)

1. Amplificatorul
a) Modifica forma de unda a semnalului
b) creşte impedanŃa generatorului
c) furnizează la ieşire un semnal de forma semnalului de
la intrare cu alte caracteristici electrice
2. Amplificatorul cu TBP în conexiune EC
a) amplifică numai în tensiune
b) amplifică în tensiune şi în curent
c) creşte impedanŃa de intrare
3. Amplificatorul cu TBP în conexiune CC
a) amplifică în tensiune şi în curent
b) are impedanŃă de intrare mică
c) are impedanŃă de intrare mare
4. Amplificatorul cu TBP în conexiune BC
a) amplifică în tensiune
b) amplifică în curent
c) are impedanŃă de intrare mare
5. Pentru impedanŃă de intrare foarte mică se foloseşte
conexiunea
a) EC
b) BC
c) CC
6. Montajul Darlington se foloseşte pentru creşterea
a) amplificării în curent
b) amplificării în tensiune
c) impedanŃei de intrare
7. Pentru creşterea impedanŃei de intrare se folosesc doi
tranzistori în conexiunea
a) EC+BC
b) EC+EC
c) BC+EC
d) CC+EC
8. Etajul cascod se compune din doi tranzistori conectaŃi
a) EC+BC
b) SC+BC
c) SC+SC
d) SC+GC
9. Metoda urmăririi de potenŃial are drept scop creşterea
a) impedanŃei de intrare
b) factorului de amplificare

223
10. ReacŃia negativă creşte
a) amplificarea în curent
b) banda de frecvenŃă
c) amplificarea în tensiune
11. ReacŃia negativă cu eşantionare în nod şi comparare pe buclă
creşte
a) impedanŃa de intrare
b) impedanŃa de ieşire
c) amplificarea în curent
12. Un tranzistor din amplificatorul în clasă B amplifică pe
intervalul unghiului electric
a) π
b) 2 π
c) 3 π
13. Amplificatorul operaŃional are
a) 2 intrări + 1 ieşire
b) 2 intrări + 2 ieşire
c) 1 intrări + 1 ieşire
14. Factorul de amplificare în tensiune al AO este aproximativ
a) 1
b) 10 6
c) 10 −6
15. Amplificatorul Norton este caracterizat prin
a) transimpedanŃă
b) amplificarea în tensiune
c) impedanŃa de ieşire

224
 CUPRINS

Modulul B

4. Amplificatoare de semnal mic 113

4.1. Parametrii amplificatoarelor de semnal mic 113
4.2. Amplificatorul cu TBP in conexiune EC 118
4.3. Amplificatorul cu TBP in conexiune CC 124
4.4. Amplificatorul cu TBP in conexiune BC 127
4.5. PerformanŃele amplificatoarelor cu TBP 130
4.6. Etaje cu tranzistori compuşi 131
4.7. Structuri pentru creşterea impedanŃei de ieşire 134
4.8. Structuri pentru creşterea impedanŃei de intrare 140

5. Amplificatoare cu reacŃie negativă 147

5.1. ConsideraŃii privind reacŃia negativă (RN) 147
5.2. Topologii ale amplificatoarelor cu reacŃie 150
5.3. RN cu eşantionare în nod şi comparare în nod 156
5.4. Metodica de rezolvare a amplificatoarelor cu RN 166
5.5. RN cu comparare buclă şi eşantionare buclă 169
5.6. RN cu eşantionare pe buclă şi comparare în nod 172
5.7. RN cu eşantionare în nod şi comparare pe bucla 176
5.8. PerformanŃe ale topologiilor de reacŃie 179

6. Amplificatoare de putere 181

6.1. Amplificatoare de putere în clasă A 182
6.2. Amplificatoare de putere în clasă B 184

7. Amplificatoare integrate 191

7.1. Amplificatoare diferenŃiale 191
7.2. Amplificatoare operaŃionale 201
7.3. Amplificatoare de transimpedanŃă (Norton) 205
7.4. Amplificatoare de putere 210
7.5. Amplificatoare cu impedanŃă de intrare foarte mare 213
7.6. Amplificatoare de instrumentaŃie 216
7.7. Amplificatoare de izolaŃie 219

Teste de autoevaluare B 223

225
 SoluŃiile testelor de autoevaluare

Teste B 1. c ; 2. b ; 3. c ; 4. a ; 5. b ; 6. a,c ; 7. a ; 8. a,b,d ; 9. a ; 10. b ; 11.

a; 12. a ; 13. a ; 14. b ; 15. a .

226
 8
STABILIZATOARE LINIARE
DE TENSIUNE CONTINUĂ

8.1 Parametrii stabilizatoarelor

Stabilizatoarele de tensiune continuă sunt circuite electronice
care au rolul de a menŃine constantă valoare tensiunii v0 pe o sarcină
RL, în condiŃiile în care, din diferite cauze se modifică valoarea
tensiunii de la intrarea circuitului vi, curentul i0 absorbit de sarcina RL
sau temperatura T a mediului ambiant.
Se poate considera tensiunea de pe sarcină ca o funcŃie

v0 = f(vi, i0, T)

de mărimile enumerate.
Pentru că tensiunea v0 este o mărime de curent continuu care se
notează cu v0, interesează cu cât se modifică valoarea acestei tensiuni
când asupra circuitului acŃionează mărimile mai sus enunŃate
(denumite perturbaŃii).
Prin diferenŃierea relaŃiei de mai sus se obŃine valoarea deviaŃiei
tensiunii de pe sarcină

∂f ∆v i ∂f ∆I 0 ∂f ∆T
∆v = + + ,
0 ∂v ∂i ∂T
i 0
I , T = ct V , T = ct V , I = ct
0 i i 0

225
care se modifică de la valoarea V0 la valoarea V0' = V0 + ∆V0 atunci când
tensiunea vi, a devenit Vi + ∆Vi , curentul a devenit I0 + ∆I0 , iar
temperatura s-a modificat de la T la T +∆T.
DiferenŃialele funcŃiei f ponderează variaŃiile mărimilor, având valori
dependente de topologia circuitului electronic şi de valorile
elementelor componente.
Pentru a caracteriza eficienŃa stabilizatorului, coeficienŃii de
pondere se notează:

−1
 ∂f  ∆V
S =  = i , coeficientul de stabilizare în tensiune;
u  ∂v  ∆V
 i I ,T 0
I ,T
0 0

∂f ∆V
R =− =− 0 , rezistenŃa internă a stabilizatorului;
0 ∂i0 ∆I
0
V ,T V ,T
i i

∂f ∆V
S = = 0 , coeficient de stabilizare cu temperatura.
T ∂T ∆T
V , I0 V , I0
i i

Parametrii stabilizatorului trebuie priviŃi ca mărimi caracteristice

stabilizatorului care nu permit perturbaŃiilor să ajungă la ieşirea
stabilizatorului.
Spre exemplu, dacă nu se modifică decât temperatura, atunci o valoare
mică a coeficientului de stabilizare ST va determina variaŃia tensiunii
de ieşire

1
∆V = ∆V = R ∆I − S ∆T = S ∆T
0 S i 0 0 T T
u
de valoare mică indiferent de variaŃia ∆T a temperaturii.
Pentru ca ∆V0 să aibă valori mici se impune ca stabilizatorul să fie
caracterizat prin valori cât mai mari ale factorului Su şi valori cât mai
mici ale factorilor R0 şi ST.

226
 Uneori, pentru caracterizarea stabilizatorului, se foloseşte un
factor global de stabilizare

∆V  R 
K= i = S 1 + 0 ,
∆V u R 
0
R , T = ct  L
L

pentru rezistenŃă de sarcină şi temperatură a mediului constante.

Stabilizatorul este un sistem automat de reglare a valorii
tensiunii V0 atunci când asupra sistemului acŃionează perturbaŃiile
necunoscute (variaŃiile Vi , I0 şi T). Sistemul îşi îndeplineşte misiunea
furnizând comenzi către un element de reglaj EC.
Dacă elementul de comandă primeşte comandă şi acŃionează asupra
mărimii de ieşire la momente discrete de timp spunem că stabilizatorul
lucrează în comutaŃie. În cazul când primeşte tot timpul comandă este
stabilizator continuu (sau liniar).
Sistemul poate acŃiona asupra mărimii de ieşire numai dacă
sesizează că aceasta s-a modificat faŃă de valoarea impusă, ceea ce
înseamnă că este un sistem de reglare după abatere, motiv pentru care
se numeşte stabilizator cu reacŃie.
Dacă nu testează valoarea tensiunii de ieşire şi acŃionează atunci
când constată că s-a modificat unul din parametri (de obicei tensiunea
de intrare sau curentul absorbit de la sursă) stabilizatorul este în buclă
deschisă de reacŃie (este un sistem automat de reglare după
perturbaŃie).
În condiŃiile în care acŃiunea de reglare are loc pe seama
caracteristicii statice neliniare a unui element din schema
stabilizatorului spunem că stabilizatorul este parametric.
Elementul de reglaj EC poate modifica valoarea tensiunii care
ajunge pe sarcină fiind plasat în serie cu aceasta, motiv pentru care
spunem că stabilizatorul este cu element de reglaj serie (ERS).
Dacă elementul de reglaj modifică curentul care circulă prin
sarcină, în scopul menŃinerii constantă a tensiunii (V0 = RLI0), EC va fi
plasat paralel cu RL şi stabilizatorul spunem că este cu element de
reglaj paralel (ERP).
Stabilizatorul poate să furnizeze sarcinii o tensiune constantă de
valoare fixă sau poate îndeplini funcŃia de stabilizare pentru mai multe
valori de tensiuni de ieşire, caz în care stabilizatorul este cu tensiune
reglabilă.

227
Uneori se impune ca stabilizatorul să furnizeze la ieşire două tensiuni
egale ca valoare dar de sens opus, spunem că stabilizatorul este dual.
Pe parcursul evoluŃiei construcŃiei circuitelor de stabilizare s-au
evidenŃiat două generaŃii.
Prima generaŃie este caracterizată prin faptul că permite accesul la
toate blocurile funcŃionale ale stabilizatorului. De regulă este realizată
cu elemente discrete de circuit.
GeneraŃia a doua a stabilizatoarelor evidenŃiază conceptul de integrare,
având ca scop micşorarea numărului de componente necesare a fi
interconectate pentru creşterea fiabilităŃii sistemului. Aşa au apărut
stabilizatoare cu 3 terminale.

8.2. Topologia stabilizatoarelor liniare

Topologia stabilizatoarelor liniare este stabilită de principiul conform

căruia este menŃinută constantă tensiunea la ieşire prin acŃiunea
schemei asupra unei tensiuni sau asupra unui curent care determină
valoarea tensiunii de ieşire.
Dacă stabilizatorul acŃionează asupra unei tensiuni elementul de
comandă se plasează în serie cu sarcina, ca în figura 8.1, aşa încât să
modifice valoarea tensiunii V pentru ca

V0 = Vi – V = const

să rămână constantă oricare ar fi variaŃia tensiunii Vi - stabilizatorul

este cu element de reglaj (EC) serie .

Fig. 8.1.

Dacă stabilizatorul acŃionează asupra unui curent, elementul EC se

plasează în paralel cu sarcina, ca în figura 8.1 b, iar stabilizatorul este

228
cu element de reglaj (EC) paralel .
Tensiunea pe sarcină

V0 = RLI0

depinde de curentul I0, care se modifică

I0 = Ii – I

datorită modificării curentului absorbit de la sursa de alimentare Ii , iar

acesta la rândul său se modifică prin modificarea valorii tensiunii Vi .
Dacă se modifică Vi atunci se modifică Ii şi stabilizatorul
comandă EC pentru a modifica I aşa încât Ii – I = constant.
Se observă că am folosit numai “se modifică Vi” fără a specifica
nimic despre parametrii I0 şi T. Justificarea este următoarea.
Dacă se modifică T (sau I0) tensiunea de ieşire se modifică de la V0 la
V0 + ∆V0. Aceeaşi modificare ∆V0 a tensiunii de ieşire se poate obŃine
dacă se modifică tensiunea de intrare Vi cu o valoare ∆Vi
corespunzătoare.
Conform celor de mai sus rezultă că se poate studia funcŃionarea
schemei numai la modificarea tensiunii de intrare, rezultatele fiind
valabile şi pentru modificarea celorlalŃi parametri.

Fig. 8.2.

Stabilizatoarele cu amplificator de eroare, a căror topologie este

prezentată în figura 8.2, acŃionează asupra unei tensiuni sau asupra
unui curent, conŃinând elemente suplimentare pentru închiderea buclei
de reacŃie.

229
 Sistemele cu reacŃie prelucrează abaterea dintre tensiunea pe
sarcină (prescrisă) şi valoarea reală (măsurată) a tensiunii. Valoarea
“dorită” este furnizată de elementul de referinŃă ER. Numai că acesta
nu dă la ieşire o tensiune egală cu cea dorită a se găsi pe sarcină ci o
valoare mai mică, motiv pentru care în schemă s-a introdus elementul
de eşantionare EE care să aducă valoarea sesizată pe sarcină în
domeniul tensiunii furnizate de ER. Aceasta înseamnă că se va efectua
comparaŃia pe valori proporŃionale ε = VER – kV0 , ε este abaterea.
Blocul AE amplificator de eroare, prelucrează abaterea ε şi
elaborează o comandă către elementul EC în scopul modificării
tensiunii V0 aşa încât să se anuleze abaterea.
Această teorie este valabilă pentru sistemele din figura 8.2 în cazul
regimului dinamic.
Dacă Ńinem seamă de faptul că atât amplificatorul AE cât şi EC
sunt elemente fizice atunci se impune o mică corecŃie. Dacă ε = 0
atunci AE nu dă nimic la ieşire, EC nu primeşte nimic la intrare (şi
cum, de regulă, este un tranzistor acesta va fi blocat) şi rezultă că, în
cel mai bun caz, EC nu consumă nimic şi avem tensiunea V = 0 (la
schema serie), iar curentul I = 0 (la schema paralel).
În aceste condiŃii sistemul nu va funcŃiona decât crescând V şi I, ceea
ce înseamnă că nu va funcŃiona şi la scăderea tensiunii Vi.
CorecŃia se referă la faptul că se impune o eroare staŃionară, ceea ce
înseamnă că atunci când tensiunea de ieşire este la valoarea prescrisă
la intrarea amplificatorului vom avea o tensiune ε ≠ 0 care să asigure
tensiunea V pentru ERS sau curentul I pentru ERP.
PrezenŃa unei valori nenule V pe elementul EC determină
randamentul stabilizatorului

V0I0 V
η= = 0 .
Vi Ii V0 +V

De obicei se adoptă V = 20%V0 ceea ce conduce la randamente mai

mici de 80%.
Stabilizatoarele cu componente electronice discrete sunt
stabilizatoare de tensiune continuă care nu au în componenŃă nici un
circuit integrat. Principiile de funcŃionare pe baza cărora au fost
realizate schemele cu componente discrete se aplică şi în cazul
stabilizatoarelor cu circuite integrate.

230
8.3 Stabilizatorul în buclă deschisă cu element de
comandă serie
Stabilizatorul are în componenŃă un element de reglaj serie şi un
stabilizator parametric cu diodă Zener, ca în figura 8.4,a.

Fig. 8.4.

RelaŃia care asigură stabilizarea pentru circuitul din figura 8.4 a

este
V0 = VZ – VBE .

Prin diferenŃiere se obŃine coeficientul de stabilizare cu

temperatura

∂V
S = 0 = V ′ α −α ,
T ∂T Z0 Z VBE
VI
i 0

care depinde de parametrii diodei Zener şi de variaŃia cu temperatura

a tensiunii bază emitor (α VBE ≈ −2,1mV / 0 C ) .
În figura 8.4,b s-a desenat schema echivalentă a circuitului
pentru variaŃii mici ale mărimilor stabilizatorului. Se folosesc aceleaşi
notaŃii ca în figura 8.4,a, dar cu altă semnificaŃie – mărimile din figura
8.4,b reprezintă variaŃiile mărimilor de curent continuu din figura
8.4,a.
În scopul determinării parametrilor stabilizatorului se scriu,
pentru schema echivalentă din figura 8.4,b, relaŃiile între curenŃi şi
tensiuni astfel:

231
 - pe ochiul de intrare

V = RI + r I = (R + rz )I − r I ,
i z z z z
cu IZ = I + I1 ,

- pe ochiul de ieşire

hi I1 + V0 – rZIZ = 0 ,

V0 hi + rZ I 0
hi I 1 + V0 − rZ (I − I 1 ) = 0 ⇒ I= +
rZ rZ h f + 1

relaŃii care conduc la o expresie conŃinând numai variaŃiile tensiunilor

Vi şi V0

R+r  RrZ  I 0
V = Z V + R + rZ  hi +  .
0
i r
Z rZ  R + rZ  fh + 1

De unde se obŃine

∆V V R+r
S= i = i ≅ z = 1+ R ,
∆V V r r
0 0 z z

care spune că tranzistorul din schemă are rolul de extindere a

domeniilor de curenŃi ai stabilizatorului parametric format din
rezistorul R şi dioda DZ, coeficientul de stabilizare modificându-se.
RezistenŃa internă a stabilizatorului se obŃine pentru tensiune de intrare
constantă, adică pentru variaŃii Vi ale tensiunii nule

V
R =− 0 ,
0 I
0
V
i=0

Scurcircuitând intrarea schemei echivalente din figura 8.4,b se

constată că rezistenŃa internă are expresia:

232
 R r +h
Z i rZ + hi
R = ≅ ,
0 h +1 h +1
f f

din care rezultă că introducerea tranzistorului în schema

stabilizatorului parametric scade puternic rezistenŃa internă a
stabilizatorului, astfel constant.

8.4 Stabilizatorul în buclă deschisă cu element de reglaj

paralel
Pentru a obŃine o topologie cu element de reglaj paralel se utilizează
stabilizatorul parametric format din R, DZ şi un tiristor Q2 conectat ca
în figura 8.3,a.

Fig. 8.3.

Tensiunea de ieşire
V0 = VZ + VBE

stabileşte expresia coeficientului de variaŃie cu temperatura

ST = V’0Z αZ + αVBE

Pentru schema echivalentă din figura 8.3,b se scriu mai întâi expresiile
curenŃilor

V V −V
I = R I , I= 0 , I = i 0 ,
1 R+h Rhi i Rb
i rZ +
R + hi

233
iar apoi se aplică teorema lui Kirchhoff în nodul de ieşire

Vi − V0  R  V0
Ii = I + h f Ii + I 0 ⇒ = 1 + h f  + I0
Rb  R + hi  rZ + R hi

Factorul de stabilizare va avea expresia

V R 1+ h
i b f
S= = 1+ +R .
V R B h
0 L i

Determinarea expresiei rezistenŃei interne se face schema din figura

8.5,b cu Vi = 0, obŃinând

  h
1 = 1 + 1 + h R  1 f
≈ .
R R  f 
R+h r +R h h
0 b  i 2 i i

Se constată că stabilizatorul cu element de reglaj paralel are

factorul de stabilizare şi rezistenŃa internă dependente de factorul de
amplificare al tranzistorului.
PerformanŃele nu sunt mult deosebite de stabilizatorul cu
element de reglaj serie, Ńinând seamă că tranzistorul este de putere ceea
ce înseamnă că are un factor de amplificare hf în curent mic. Totuşi
este caracterizat prin faptul că tranzistorul se autoprotejează în cazul
scurcircuitării bornelor sarcinii RL (tensiunea VCE ≅ 0 ceea ce face ca
tot curentul să se închidă prin bornele scurcircuitate şi nu prin
tranzistor), scurtcircuitul conducând la distrugerea rezistorului Rb sau
la întreruperea siguranŃei fuzibile montate în serie cu Rb.

8.5 Stabilizatorul în buclă închisă de reacŃie şi element de

reglaj serie

FuncŃionarea stabilizatorului cu reacŃie şi element de reglaj serie poate

fi explicată prin rearanjarea blocurilor funcŃionale din figura 8.2,a ca
în figura 8.4.

234
 Fig. 8.4.

Elementul de eşantionare este realizat de regulă cu un divizor de

tensiune rezistiv, în acest caz format din R1 şi R2, caracterizat prin
factorul de divizare (sau de reacŃie)
R
f = Z .
v R +R
1 2
Deducerea relaŃiilor de calcul a parametrilor stabilizatorului se
face luând în considerare că reacŃia modifică parametrii stabilizatorului
fără reacŃie negativă.
Tensiunea de intrare este formată dintr-o componentă de regim
staŃionar VI (tensiunea de c.c. aplicată la intrare nu când nu acŃionează
perturbaŃii) peste care se suprapune o componentă variabilă vi datorată
perturbaŃiilor (care în cazul stabilizatoarelor constau în modificarea
valorilor V0, T şi VI )

VI = VI + vi .

VariaŃia vi determină modificarea tensiunii de pe sarcină de la valoarea

V0 la V0 + v 0' .
Stabilizatorul fără reacŃie este format din rezistenŃa de ieşire r0 a
ERS în serie cu sarcina RL' , ceea ce înseamnă că avem relaŃia

R′
v′ = L v ,
0 R′ + r i
L 0

235
(unde R’L este constituit din RL|| (R1 + R2) care conduce la un
coeficient de stabilizare fără reacŃie

v r
s = i = 1+ 0
v R′
0 L

Amplificatorul de eroare AE elaborează o comandă către

elementul de reglare ERS care determină la ieşire o variaŃie v”0. În
aceste condiŃii variaŃia tensiunii de ieşire este formată din două
componente
v0 = v’0 + v”0 ,

prima v’0 fiind datorată sistemului fără reacŃie, iar a doua datorată
amplificatorului de eroare v”0 (prin intermediul ERS).
Pentru ca variaŃia tensiunii de ieşire să fie cât mai mică se impune ca
v”0 să fie de semn opus şi apropiată de v’0 (variaŃie de tensiune
datorată modificării intrării de la VI la VI + vi). Acesta este principiul
stabilizării cu reacŃie.
Pentru a stabili relaŃiile de calcul luăm în considerare tensiunea
aplicată la intrarea amplificatorului de eroare

Vε = VR– fv (V0 + v’0) ,

a cărui variaŃie este

ε = ∆Vε = - fv v’0 .

Sistemul cu reacŃie negativă este caracterizat prin factorul se

amplificare în tensiune
v′′
A = 0 ,
VR ε

care stabileşte expresia tensiunii de corecŃie

v”0 = AVRε = −AVR fv v’0 .

VariaŃia tensiunii de ieşire, în condiŃiile aplicării reacŃiei

v0 = v’0 + v”0 = v’0 − AVRfv v’0 .

236
Conform teoriei reacŃiei avem
a
A = v , T =a f ,
VR 1 + a f v v
v v
care înlocuite în relaŃia de mai sus conduc la expresia variaŃiei
tensiunii de ieşire a sistemului cu reacŃie
v′
v = 0 ,
0 1+ T

care evidenŃiază faptul că reacŃia a acŃionat în sensul micşorării de

(1+T) ori a variaŃiilor tensiunii de la ieşire faŃă de stabilizatorul fără
reacŃie.
În relaŃiile de mai sus av este factorul de amplificare în buclă deschisă
de reacŃie a sistemului iar T este transmisia pe buclă.
Coeficientul de stabilizare în prezenŃa reacŃiei este

v v
S ′ = i = i = s (1 + T ) .
v v′
0 0
1+ T

Pe de altă parte, Ńinând seamă de relaŃia dintre v’0 şi vi , factorul de

stabilizare al sistemului cu reacŃie se poate scrie şi sub forma

 r 
S = 1 + 0 (1 + T ) .
 R′ 
 L

RezistenŃa internă a stabilizatorului

v
R =− 0 ,
0 i
0
v =0
i
este de fapt rezistenŃa de ieşire a amplificatorului cu reacŃie negativă
de tipul eşantionare în nod şi comparare pe buclă, care, conform teoriei
reacŃiei are expresia

1 = 1 (1 + T ) − 1 .
R R′′ R
0 L L

237
8.6 Stabilizatorul cu tranzistori bipolari în buclă închisă
de reacŃie

Pe baza schemei de principiu din figura 8.4 poate fi realizat un

stabilizator cu element de reglaj serie, utilizând tranzistori bipolari, ca
în figura 8.5.
Elementul de reglaj serie este constituit din tranzistorul T0, care
acŃionează asupra tensiunii VCE pentru a modifica valoarea tensiunii de
ieşire V = V −V .
0 I CE

VCE

T0
IB0 R3 R1

R4
I4

VI T1 RL
V0
VBE1 VB= fvV0

DZ R2

Fig. 8.5.

Elementul de referinŃă îl constituie stabilizatorul parametric cu diodă

Zener DZ şi R3. Alimentarea stabilizatorului parametric se face din
tensiunea stabilizată (V0 de la ieşire) şi nu din tensiunea de intrare VI
care este mai puŃin stabilă, fiind afectată de perturbaŃiile transmise prin
linia de alimentare.
Eşantionarea tensiunii de la ieşire este realizată de divizorul de
tensiune format din rezistoarele R1 şi R2 – furnizează la ieşire tensiunea

VB= fvV0,

238
unde
R2
fV =
R1 + R2
este factorul de divizare al tensiunii de ieşire (de fapt este factorul de
reacŃie, cum vom stabili mai jos).
Tranzistorul T1 împreună cu rezistenŃa din colector R4 constituie
amplificatorul de eroare. La intrarea AE, pe baza tranzistorului T1, este
prezentă tensiunea de eroare
VBE1 = VB − VZ .
Modificarea tensiunii de ieşire determină modificarea tensiunii VBE1,
care conform caracteristicilor tranzistorului din figura 8.6 determină
modificarea IB şi modificarea I C = β F I B , care modifică VCE.
Modalitatea de reglare a tensiunii pe sarcină, presupunând o creştere a
tensiunii VI este

VI ↑ V0 ↑⇒ VB creste ⇒ VBE1 ↑⇒ I B1 ↑⇒ I C1 ↑⇒ I 4 ↑⇒ V = R4 I 4 ↑⇒
VCE = V + VBE ↑⇒ V0 = VI ↑ −VCE ↑= const

IB
IC

IB

VCE
VBE1
V Fig. 8.6.

Se constată că avem un sistem de reglare care verifică tensiunea de

ieşire şi în funcŃie de abaterea acesteia faŃă de tensiunea de referinŃă
modifică valoarea căderii de tensiune VCE a tranzistorului T0 aşa încât
să preia variaŃiile tensiunii de alimentare VI.

Coeficientul de stabilizare cu temperatura, se calculează cu

relaŃia din expresia tensiunii de ieşire

239
  R
V = 2 V
B R +R 0 ⇒
 2 1

V B = V BE1 + VZ
R
V 2 =V +V ⇒ ,
0 R +R BE1 Z
1 2
 R 
V = 1 + 2  V
0  R  BE1
(
+V
Z
)
 1

care relaŃie se derivează în raport cu temperatura pentru a obŃine

∂V  R 
S
T
=
∂T
0 = 1 +

2 α
R  BE
(+α V
Z Z0
. )
 1

S-a considerat o variaŃie cu temperatura a tensiunii de pe dioda Zener

V
Z
=V ( Z 0 (1 + α Z ∆T ))
şi o tensiunea o scădere cu αBE = 2mV la fiecare grad Celsius de
creştere a temperaturii a tensiunii VBE1.

T1
T0

VZ
R1 RL V0

2 1

2 R2 1

Fig. 8.7.

240
 Pentru calculul celorlalŃi parametrii ai stabilizatorului se Ńine seama de
faptul că se pot obŃine aceleaşi variaŃii ale tensiunii de ieşire la
modificarea tensiunii VI sau la modificarea altui parametru.
Spre exemplu putem considera constantă tensiunea de intrare VI şi
studiem variaŃia tensiunii V0 la modificarea tensiunii VZ.
Pe baza acestei observaŃii se desenează în figura 8.7 schema
echivalenta a montajului in regim variabil de semnal mic.
Constatăm că schema din figura 8.7 este schema de curent alternativ a
unui amplificator cu reacŃie negativă, format din amplificatorul T1, T0
şi reŃeaua de reacŃie 11 – 22.
ReacŃia este de tipul cu eşantionare în nod şi comparare pe buclă.
Separând reŃeaua de reacŃie se obŃine factorul de reacŃie

V22 R2
fV = = .
V11 R1 + R2

Schema amplificatorului în buclă deschisă de reacŃie este

prezentată în figura 8.8.

hfI1
I I2

hi hi0 hf0I2

Vi I1

R1 R2 R1 RL

R2 V0

Fig. 8.8.

Pe latura cu sursa de curent de indice 1, există o notaŃie ( I2) ceea ce

conduce la egalitatea

241
 I = −h I .
2 f 1

Considerăm R1 + R2 >> RL , ceea ce permite să scriem, conform primei

teoreme a lui Kirchhoff

V = R I = R L (I 2 + h f 0 I 2 ).
0 L 0
Înlocuind I2 avem

V = − R h 1 + h  .
0 L f f0

Curentul I1 se determină pe ochiul de intrare pe baza rezistenŃei

echivalente
V
I =− i ,
1 h +R R
i 1 2

cu ajutorul căruia se determină expresia tensiunii de ieşire poate fi

exprimată

 V 
   i 
V = −R  h + 1 h  −
0 L f 0  f1 h + R R 
 
 i1 1 2

Factorul de amplificare în buclă deschisă de reacŃie are expresia

V R 
a = 0 = L  
V V h f 1 h f 0 + 1
1 hi1 + R1 R2 RL

Cu ajutorul expresiilor aV , f V şi T = aV fV se exprimă mărimile

stabilizatorului

 r 
S = 1 + 0 (1 + T );
 R 
 L ,
1 1 1
= (1 + T ) −
R R R
0 ies L

242
unde Ries este rezistenŃa de ieşire a amplificatorului în buclă deschisă
de reacŃie .
RezistenŃa de ieşire care se vede privind de la bornele de ieşire poate fi
aproximată

Ries=RL (R1+R2)

Tranzistorul T0 reprezintă elementul de putere, care lucrează în general

la curenŃi mari motiv pentru care amplificarea acestuia va avea valori
mici hf0=1….4, pe când hf al tranzistorului T1 are valori de ordinul
sutelor.

8.7 Circuite pentru protecŃia stabilizatoarelor

Circuitele de protecŃie au rolul de a proteja sarcina şi tranzistorul

de putere (elemente de regulator serie) la supratensiuni şi supracurenŃi.
Supratensiunile apar prin creşterea valori tensiunii de alimentare sau
prin scăderea consumului de curent .
SupracurenŃii apar de regula în cazul scăderi valorii sarcinii sau prin
scurcircuitarea bornelor de ieşire.
ProtecŃia poate fi realizată pe partea de curent alternativ, cu
ajutorul siguranŃelor fuzibile sau a unor scheme de protecŃie (realizate
cu tiristori ) ,care să întrerupă alimentarea cu energie electrică a
circuitului redresor-stabilizator. Elementul de bază a unei siguranŃe
fuzibile este un fir conductor (din cupru) dimensionat aşa încât la
valoarea maximă a curentului să se topească local, aşa încât circuitul
protejat să fie deconectat de la sursa de tensiune
Se prefera protecŃia cu tiristori datorită timpului de răspuns mai mic
decât al siguranŃelor fuzibile.

Circuite de protecŃie cu limitarea curentului

Stabilizatoarele sunt realizate in general cu element de reglaj

serie aşa încât circuitele de protecŃie elaborează o comandă pentru
blocarea elementului de reglaj serie.
În figura 8.9 este prezentat un circuit de protecŃie cu limitarea
curentului, format din rezistorul RSC şi tranzistorul TP.

243
 Pentru condiŃii normale de funcŃionare tranzistorul de protecŃie TP
este blocat prin tensiunea de valoare mică din circuitul bază – emitor
V BE = R SC I 0 max ≤ 0,5 V .

V VSC
RSC I0

T0

IB0 IC RL
V0
Vi
TP

AE

Fig. 8.9.

Dacă I0 ↑ către valoarea limită notată cu ISC căderea de tensiune pe

rezistorul RSC va creşte, adică va creşte tensiunea de polarizare a bazei
tranzistorului TP (VBE ↑ ),rezultă tensiunea depăşeşte valoarea de
deschidere a tranzistorului VBE>0,65V.
Tranzistorul TP intră în conducŃie =>curentul de colectare IC ≠ 0 al
tranzistorului TP =>scade curentul IB0 ↓ =>VCE ↑ => la I0 = ISC
=>VCE=VI ,V0=0 ,I0=ISC. Caracteristica externă a montajului este
prezentată în figura 8.10.

Vies

V0

ISC Imax I0

Fig. 8.10

244
RelaŃia de dimensionare a rezistenŃei de protecŃie este

0,65=RSC.ISC.

Caracteristica externă din figura 8.10 nu este avantajoasă dacă

scurcircuitul de la ieşire se menŃine timp îndelungat, pentru că prin
tranzistorul serie va circula un curent de valoare mare I0max,
determinând încălzirea acestuia.
Vies

V0

IP ISC I0

Fig. 8.11

Circuitul din figura 8.12 realizează o caracteristică externă cu

întoarcere, ca în figura 8.11.
VSC

T0 RSC I0
B

IB0 IC

VI AE R1 V0

TP A RL

R2 VBE

Fig. 8.12

245
În condiŃiile în care curentul de ieşire ajunge la valoarea ISC, schema de
protecŃie determina anularea tensiunii de pe sarcină şi scăderea
curentului prin sarcina la o valoare IP<ISC.
Tensiunea de polarizare a bazei este

V BE = V A − V0 .

Tensiunea în punctul B este

V B = RSC I 0 + V0 ,

iar în punctul A este

R2
VA = (RSC I 0 + V0 ) ⇒ VBE .
R1 + R2

V =
R2
(
R I +V −V .
BE R1 + R2 SC 0
)0 0

RelaŃia tensiunii VBE se scrie în cele două situaŃii

1) Pentru.V = 0,65V ⇒ I = I
BE 0 SC
,
2) Pentru.V = 0 ⇒ I = I
0 0 P
din care se determină elementele schemei, considerând cunoscuŃi
curenŃii.

Circuite de protecŃie cu întreruperea tensiunii de alimentare

În cele ce urmează vor fi prezentate circuite care acŃionează asupra

tensiunii VI , în sensul întreruperii alimentării stabilizatorului.
Un releu electronic cu rearmare este prezentat în figura 8.13.
La funcŃionarea normală a circuitului de sarcină (ST) starea
tranzistorilor este
T1 saturat , T2 blocat.

Tensiunea de comandă a tranzistorului T2

R
V =V ⋅ 3
BE 2 CE1 R + R
2 3
depinde de căderea de tensiune de pe tranzistorul T1.

246
 VCE1

T1

VI R1 V0
T2
ST
VBE2

R2 R3

Fig. 8.13

FuncŃionarea schemei decurge după cum urmează.

VI ↑⇒ VCE1 ↑⇒ VBE 2 ↑⇒ la VBE = 0.65V T2 se.deschide I B 0 ↓ ⇒

T1 se blacheaza ⇒ VCE1 = V1 şi I 0 = f .mic
Dacă scurtcircuitul din stabilizator se îndepărtează
=>VI - creşte, => VCE1 scade,
VBE1 scade => T1 saturat, T2 blocat =>
stabilizatorul este din nou alimentat cu tensiune, ceea ce înseamnă
„rearmare”.

ProtecŃie cu scurcircuitarea tensiunii de intrare a stabilizatorului

În figura 8.16 este prezentată o schemă de protecŃie cu scurcircuitarea

tensiunii de la intrarea stabilizatorului.
SF

Redresor
VI T şi
stabilizator

Fig. 8.14

247
Scurcircuitarea intrării stabilizatorului determină creşterea curentului
prin siguranŃa fuzibilă peste valoarea de „ardere” ceea ce conduce la
întreruperea circuitului dintre sursa de alimentare şi stabilizator.
Senzorul de curent comandă elementul de scurcircuitare, care în cazul
schemei din figura 8.14 este tiristorul T.

ProtecŃie cu variator de tensiune alternativă

În figura 8.15 este prezentată o schemă de protecŃie cu variator de

tensiune alternativă.
T1

T2

Redresor
şi
Vi Va stabilizator

Fig. 8.15.

Variatorul de tensiune, format din tiristorii T1 şi T2, permite controlul

tensiunii de alimentare a stabilizatorului prin modificarea unghiului de
comandă. În condiŃii de scurcircuit în stabilizator se întrerup
impulsurile de comandă a tiristorilor, separând stabilizatorul de sursa
de alimentare.

8.8 Stabilizatoare cu circuite integrate

Stabilizatoarele de tensiune continuă cu circuite integrate au în

componenŃă un circuit integrat specializat care are rolul de a integra
funcŃiile unui stabilizator liniar (atât de stabilizare a tensiunii de pe
sarcină cât şi de protecŃie), în scopul reducerii numărului de
componente electronice ale schemei de stabilizare, ceea ce determină
şi o creştere a fiabilităŃii sistemului.

248
 FuncŃia de reglare este realizată prin integrarea unei scheme de
stabilizator, ca în figura 8.16, cu amplificator de eroare şi element de
reglaj serie.

Fig. 8.16.

La intrarea amplificatorului operaŃional, caracterizat prin

factorul de amplificare în tensiune AV, se aplică tensiunea de referinŃă
VZ şi o fracŃiune din tensiunea de ieşire. DiferenŃa celor două tensiuni,
amplificată, comandă elementul serie de reglare, constituit din
tranzistorul Q.
Elementul de referinŃă este realizat cu stabilizatorul parametric,
format din dioda Zener şi rezistorul R3.
În condiŃiile în care amplificatorul de eroare AV nu lucrează
(schema este fără reacŃie) , deoarece impedanŃa de intrare a
amplificatorului este foarte mare, rezistoarele R1 , R2 vor fi în serie şi
tot grupul va fi în paralel cu rezistenŃa de sarcină.
Coeficientul de stabilizare al schemei din figura 8.16, în lipsa
reacŃiei negative, este
RL'
s −1 = ,
1
R +
'
L
h0
unde R 'L este rezistenŃa echivalentă de la ieşire RL' = RL ( R1 + R2 ) iar h0
este conductanŃa de ieşire a tranzistorului.

249
ReacŃia negativă, asigurată de rezistenŃele R1 şi R2 , modifică
coeficientul de stabilizare de la s la
1 + RL' h0
S= '
(1 + f v Av ) ≅ f v' Av .
RL h0 RL h0

Deoarece factorul de reacŃie are expresia

R2
fv =
R2 + R1

coeficientul de stabilizare se poate exprima sub forma

R2 Av
S= .
R2 + R1 RL' h0

Pentru a determina expresia rezistenŃei interne, notăm cu RA

rezistenŃa de ieşire a amplificatorului operaŃional şi înlocuim
tranzistorul cu schema echivalentă a acestuia.

I1 hi I0

hfI1 V0
Rf

Fig. 8.17.

Conform schemei echivalente a amplificatorului în buclă deschisă de

reacŃie din figura 8.17, determinăm rezistenŃa de ieşire de calcul
V
R' = 0 ,
0 I
0 V =0
i

R' = −
(hi + R A ) I = (hi + R A )
I1 (h + R A ) .
= i
0 I0
1
(1 + h f )I1 (1 + h f )

250
Conform teoriei reacŃiei negative, rezistenŃa de ieşire este

R0' R' R' (h + R A ) R1 + R2

R0 = ≅ 0 = 0 = i .
1+ T T f v Av (1 + h f )Av R2

Se constată că stabilizatorul are parametrii de stabilizare

determinaŃi de factorul de amplificare în tensiune al AO şi de calitatea
tranzistorului regulator.
EvoluŃia stabilizatoarelor liniare integrate a cunoscut două
generaŃii succesive. A doua generaŃie şi-a propus să micşoreze atât
numărul de componente externe integratului dar şi numărul
conexiunilor de acces. Integratele din generaŃia a doua au trei borne de
acces ceea ce permite să utilizeze capsula standard a tranzistorului.
Pe lângă stabilizatoarele de uz general se întâlnesc şi
stabilizatoare specializate, dintre care curent se utilizează
stabilizatoare duale – stabilizatoare care furnizează două tensiuni de
ieşire, una pozitivă şi una negativă. Schema electronică a
stabilizatorului dual are rolul de a menŃine constantă diferenŃa celor
două tensiuni de ieşire.
În continuare vor fi prezentate un stabilizator din prima
generaŃie (BA723) şi un stabilizator din generaŃia a doua (ROB317).

Stabilizatorul liniar cu BA723

Circuitul integrat BA723 este un stabilizator de uz general de

mică putere, a cărei schemă internă este a unui stabilizator cu
amplificator de eroare.
Este introdus într-o capsulă TO116 care determină o rezistenŃă termică
joncŃiune – mediul ambiant Rth j-a = 200 0 C / W , pentru o temperatură
maximă a joncŃiunii T j = 1250 C . De fapt producătorul impune limitele
de funcŃionare a capsulei în domeniul T = 0 0 C ,....,70 0 C .
Puterea maxim disipată la T = 250 C este PDmax=500mW.
Circuitul primeşte tensiunea de alimentare la bornele V+ şi V- .
Valoarea maximă a tensiunii aplicate la cele două borne de alimentare
se impune a fi Vi = V+ - V- < 40V, iar valoarea minimă Vi > 9,5V.
Pentru ca tranzistorul regulator Q15, din schema stabilizatorului
prezentată în figura 8.18, să lucreze în zona liniară a caracteristicilor se
impune ca tensiunea VCE să depăşească valoarea de 7,5V

251
(Vi –Vout >7,5V). Limita superioară a tensiunii care se poate aplica
tranzistoului Q15 este 40V, ceea ce înseamnă că circuitul are limitarea
(Vi –Vout < 40V).
Există posibilitatea de alimentare separată a tranzistorului
regulator, la tensiunea VCC, care trebuie să se încadreze în limitele
impuse tensiunii Vi.

Fig. 8.18.

Circuitul are două ieşiri una notată Vout, ieşire care poate furniza
un curent de maximum I0max= 150mA, şi cealaltă notată V0Z care poate
furniza un curent de maximum I0Zmax= 25mA.
Tensiunea maximă a ieşirii este Vout =2,...,40V.
Amplificatorul de eroare este realizat cu amplificatorul operaŃional AV ,
ale cărui intrări sunt notate IP şi IM (intrarea neinversoare şi respectiv
intrarea inversoare) şi tranzistorul de comandă Q14.
Blocul elementului de referinŃă, notat cu ER în figura 8.18, acceptă
tensiuni la borna REF de maximum VREF = 7,15V la un curent
IREF = 15mA. Tensiunea furnizată de ER este folosită drept referinŃă
pentru amplificatorul operaŃional în sensul că o fracŃiune (sau toată
tensiunea) se aplică intrării IP a AO.

252
 Pentru a implementa diferite moduri de protecŃie a sarcinii sau
tranzistorului regulator schema conŃine un tranzistor Q16 ale cărui
terminale sunt notate CL (baza), CS (emitorul) şi COMP (colectorul).
Intrarea COMP, fiind conectată la ieşirea amplificatorului de eroare
poate fi folosită pentru blocarea funcŃionării sistemului de reglare a
tensiunii de ieşire. Prin semnalul aplicat se poate masca comanda
generată de AE pentru tranzistorul regulator.
În figura 8.19 sunt prezentate elementele strict necesare care vor
fi adăugate integratului BA723 ca să funcŃioneze în regim de
stabilizator.
La bornele +V şi –V se aplică tensiunea de alimentare, care este
+V şi respectiv GND (borna de masă = borna de potenŃial nul).

REF
+V I0

RC
IP RA VOUT
AV
IM
RD RB RL

VR
-V VRR

Fig. 8.19.

Tensiunea de referinŃă a AO se obŃine din tensiunea furnizată de

blocul de referinŃă cu divizorul de tensiune RC şi RD
RC
VR = VREF .
RC + RD

Pe intrarea inversoare a AO se aplică o fracŃiune din tensiunea de la

ieşire

RB V RB
VRR = VOUT ⇒ fV = RR = .
R A + RB VOUT R A + RB

Dar avem

253
 aV V  R   R  RD
VOUT = VR ≅ R = 1 + A VR = 1 + A  VREF .
1 + aV fV fV  RB   RB  RC + RD

Schema din figura 8.19 este utilizată pentru tensiuni de ieşire

VOUT < VREF = 7,5V . Deoarece amplificatorul operaŃional are nevoie de
tensiuni de intrare diferenŃiale pozitive se impune ca VIP>VIM, ceea ce
înseamnă că nu poate fi utilizată întreaga tensiune de referinŃă .
Micşorarea tensiunii aplicate la IP se face cu divizorul rezistiv RC, RD.
Pentru tensiuni de ieşire VOUT > VREF = 7,5V la IP se aplică
întreaga tensiune de referinŃă, conectând printr-o rezistenŃă de valoare
RRF = RA RB borna REF cu borna IP, (pentru ca intrările la AO să fie
conectate rezistenŃe egale în scopul păstrării simetriei intrărilor).
Implementarea schemelor de protecŃie se face prin conectarea
unor elemente rezistive la bornele CL şi CS.

OUT I0

CL RSC
Q16

CS
RL

GND

Fig. 8.20.

ProtecŃia cu limitarea curentului de ieşire

Pentru limitarea simplă a curentului de ieşire se conectează în serie cu

sarcina un şunt Rsc, ca în figura 8.20. Creşterea curentului determină
creşterea tensiunii de polarizare directă a joncŃiunii EB a Q16. Când
tranzistorul intră în conducŃie

0,65
VBE = RSC I 0 ⇒ VBE = RSC I 0 max = 0,65V ⇒ RSC =
I 0 max

254
colectorul acestuia şuntează ieşirea AO şi Q14 se blochează
determinând anularea tensiunii de la ieşirea OUT. Curentul prin sarcin[
se limitează la valoarea I0max.

ProtecŃia cu întoarcere curentului

ProtecŃia cu întoarcere se implementează ca în figura 8.21.

I0
OUT

RE
RSC

Q16 CL
I0
RF

RL
CS

Fig. 8.21.

Tranzistorul Q16 intră în conducŃie când tensiunea bază – emitor devine

0,65V
RF
VBE = 0.65 = V0 − (V0 − RSC I 0 ).
RE + RF
EcuaŃia este valabilă atât când curentul ajunge la valoarea de protecŃie
I0max (la V0)
RF
VBE = 0.65 = V0 − (V0 − RSC I 0 max ),
RE + RF
cât şi la valoarea curentului I0sc care se obŃine când intră protecŃia în
funcŃiune, adică atunci când tensiunea se anulează (V0 = 0)
RF 0,65
VBE = 0.65 = 0 − (0 − RSC I 0 sc ) ⇒ RSC = .
RE + R F I 0 sc

Reamintim faptul că protecŃia intră în funcŃiune la curentul absorbit de

sarcină I0max şi pe lângă faptul că anulează tensiunea pe sarcină,
micşorează şi curentul prin sarcină de la I0max la I0sc. În cazul limitării

255
simple (montajul din figura 8.20) curentul prin sarcină rămânea la
valoarea intrării protecŃiei I0max.

Extinderea domeniului curenŃilor de ieşire

Extinderea domeniului curenŃilor se face prin conectarea la ieşire a

unui tranzistor extern Qext , ca în figura 8.22.

VCC

OUT
Qext

RE

CL RSC OUT

CS
RL

Fig. 8.22.

Se constată că stabilizatorul BA723, în acest caz, comandă direct

curentul pe elementul de reglare intern Q15 care stabileşte (prin ieşirea
OUT a BA723) curentul de bază al tranzistorului extern Qext.
RezistenŃa din emitorul tranzistorului Qext stabileşte tensiunea de
polarizare a bazei.

Stabilizatorul flotant

Extinderea domeniului de stabilizare a tensiunii se face ca în figura

8.23, figură în care se prezintă un stabilizator flotant.
Stabilizatorul este flotant pentru că potenŃialul de referinŃă al
stabilizatorului, şi anume –V, nu se găseşte la potenŃialul masei ci la un
potenŃial egal cu V0.

256
 VCC
VREF
RE

RA RC

+ +V
Q15
-
V0Z
RB -V
Qext
RD
V0

V0
RL

Fig. 8.23.

La intrările amplificatorului operaŃional avem tensiunile

RB RD
V+ = (VREF ) + V0 , V− = (VREF + V0 ) ,
RB + R A RD + RC

care sunt de valori apropiate. Prin egalarea celor două tensiuni se

obŃine expresia tensiunii stabilizate

R  R  RB 
V0 = VREF  D − 1 + D  .
 RC  RC  RB + R A 
RezistenŃa RE se calculează din condiŃia ca să asigure curentul de
alimentare al BA723.

Stabilizatorul cu ROB 317

Stabilizatorul ROB 317 este un stabilizator din a doua generaŃie, având

trei borne de acces, notate B, E, C, ca în figura 8.24.

257
 Vi
E
IZ

+
DZ AO Q
-

RSC

C I0
VREF
B
RA V0
IZ
RL

RB

Fig. 8.24.

Toate stabilizatoarele cu trei borne de acces sunt stabilizatoare flotante

– ceea ce înseamnă că toate tensiunile nu au drept referinŃă masa
sistemului în care a fost integrat ci au drept referinŃă unul din electrozii
proprii şi anume electrodul notat cu E.
Amplificatorul de eroare AO primeşte la intrarea neinversoare o
tensiune de referinŃă, furnizată de dioda Zener DZ cu VZ = 1,2V –
diodă alimentată la curent constant de sursa de curent IZ = 50µA. La
intrarea inversoare a AO se aplică tensiunea VREF care este formată din
tensiunea de ieşire V0 a stabilizatorului.
Abaterea ∆V = VZ − VREF este amplificată de AO, determinând
un curent de comandă pentru tranzistorul regulator Q.
Prin intermediul rezistenŃei RSC circuitul intern de protecŃie
acŃionează pentru limitarea curentului de ieşire la valoarea I0max = 0,5A,
aşa fel ca să nu se depăşească puterea maxim disipată Pdmax = 2W,
pentru tensiuni de ieşire din domeniul V0 = 1,2V,...,37V.
Cu ajutorul rezistenŃelor RA şi RB se stabileşte valoarea tensiunii
de ieşire.

258
 VREF
Prin RA circulă curentul I A = , iar prin RB curentul
RA
V
I B = I Z + I A = I Z + REF .
RA
Tensiunea de la ieşire este
 V 
V0 = VREF + RB I B = VREF + RB  I Z + REF  ⇒
 RA 
 R 
V0 = VREF 1 + B  + RB I Z .
 RA 
În regim stabilizat al tensiunii de ieşire

∆V = 0 ⇒ V =V = 1,2V ,
REF Z

iar curentul este IZ = 50µA, valori cu care se poate calcula tensiunea de

ieşire sau se pot dimensiona rezistenŃele.
Pentru dimensionarea rezistenŃelor se foloseşte
V0 V
I 0 ≥ 10mA ⇒ ≥ 10mA ⇒ R A + RB ≤ 0 kΩ .
R A + RB 10

În figura 8.25 este prezentată schema completă a unui stabilizator

cu ROB317.
D1

Vi
E ROB317 C
B D2
RA

Vi C2
C1 V0
C3 RB

Fig. 8.25.

259
RezistenŃele care stabilesc valoarea tensiunii de ieşire s-au notat cu RA
şi RB, cu toate că RB este un potenŃiometru prin intermediul căruia se
fixează tensiunea de ieşire la valoarea dorită (din domeniul
1,2V,...,37V).
Condensatorul C1 = 0,1,...,10µF este nepolarizat şi are rolul de a
compensa componenta inductivă a firelor de legătură de la redresor la
stabilizator şi a determina un filtru pentru eliminarea componentelor
variabile ale tensiunii Vi de frecvenŃă mare.
Condensatorul C2 >25µF este un condensator pentru filtrarea
ondulaŃiilor tensiunii de ieşire, datorate redresării sau comenzilor date
de stabilizator.
Condensatorul C3 >10µF îmbunătăŃeşte stabilitatea sistemului
acŃionând pentru întârzierea variaŃiilor bruşte ale comenzii.
Diodele D1 şi D2 introduc o cale de rezistenŃă mică pentru
descărcarea sarcinii de pe condensatoare. Spre exemplu condensatorul
C3 s-ar descărca prin circuitul diodei Zener (s-ar depăşi 50 µA), pe
când aşa se va descărca prin redresorul de la intrare pe calea D2 , D1 .
Condensatorul C2 se descarcă numai prin D1.
Circuitele stabilizatoare din generaŃia a II-a asigură coeficienŃi
de stabilizare a tensiunii de ieşire, exprimaŃi prin variaŃia procentuală a
tensiunii de pe sarcină, de
K= 0,01% la variaŃia tensiunii de intrare Vi;
K= 0,1% la variaŃia sarcinii RL;
K= 0,015% la variaŃia temperaturii T,
faŃă de coeficienŃii de stabilizare ai stabilizatoarelor de uz general, care
au valorile
K= 0,1% la variaŃia tensiunii de intrare Vi;
K= 0,03% la variaŃia sarcinii RL;
K= 0,003% la variaŃia temperaturii T.

260
 9
OSCILATOARE ELECTRONICE
Oscilatoarele armonice generează oscilaŃii cu forme de undă
sinusoidală,
v(t ) = 2V sin(ωt )

prin transformarea energiei de curent continuu a sursei de alimentare

în energie de curent alternativ.
Oscilatorul este caracterizat prin :
- frecvenŃa oscilaŃiei;
- amplitudinea sinusoidei de la ieşire;
- condiŃiile în care se amorsează şi se menŃin oscilaŃiile;
- stabilitate în timp a valorii amplitudinii şi a frecvenŃei de
oscilaŃie;
- prin mărimi care să arate cât de aproape este forma de undă
de o sinusoidă ideală exprimate prin coeficientul de
distorsiune.

În funcŃie de frecvenŃa oscilaŃiei generate, oscilatoarele pot fi de :

- audio frecvenŃă, dacă frecvenŃa este 1…20 kHz;
- radio frecvenŃă, pentru f < 100 MHz;
- video frecvenŃă, pentru f < 1 GHz;
- microunde pentru f > 1 GHz.
FrecvenŃa generată poate fi modificată sau are o valoare fixă.

Circuite electronice care să genereze oscilaŃii pot fi realizate cu

ajutorul unui
- dispozitiv neliniar de circuit a cărui caracteristică statică
tensiune - curent are o zonă de rezistenŃă negativă;
- amplificator cu reacŃie pozitivă.

261
 Elementele care prezintă o zonă de rezistenŃă negativă în cadrul
caracteristicii statice şi care se utilizează la generarea oscilaŃiilor
armonice sunt dioda tunel , dioda PIN sau dioda GUNN.
Modelul adoptat pentru dispozitivul electronic determină
elementele ce pot fi calculate pentru un oscilator dat. Spre exemplu
dacă se utilizează un model liniar se pot determina numai frecvenŃa de
oscilaŃie şi condiŃia de amorsare a oscilaŃiilor fără a putea stabili
amplitudinea semnalului.
Deoarece oscilaŃiile se obŃin pe seama neliniarităŃii
caracteristicii statice a unui dispozitiv rezultă că, pentru a determina
toate elementele care definesc oscilatorul (frecvenŃa de oscilaŃie,
amplitudinea semnalului de ieşire şi condiŃiile de amorsare a
oscilaŃiilor) se impune a folosi caracteristica statică reală (exprimată
analitic sau grafic).

9.1. Principii de realizare a oscilatoarelor armonice

cu reacŃie pozitivă
Schema bloc a unui amplificator cu reacŃie pozitivă este prezentată în
figura 9.1.

Xg ε Xe
+ A

Xf β

Fig. 9.1.

Amplificatorul este caracterizat prin factorul de amplificare

Xe Xe
A= ⇒ε = ,
ε A

iar reŃeaua de reacŃie prin coeficientul de reacŃie

Xf
β= ⇒ X f = βX e .
Xe

262
Pentru că reacŃia este pozitivă semnalele de la intrarea amplificatorului
sunt în fază, ceea ce conduce la relaŃia

ε = Xg + X f ⇒ Xg =ε − X f .

Factorul de amplificare al sistemului cu reacŃie este definit ca raport

între mărimea de ieşire şi mărimea aplicată la intrare

Xe Xe
AR = = ⇒
ε−Xf Xe
− βX e
A
A
AR = .
1 − βA

CondiŃii de oscilaŃie

Circuitul generează oscilaŃii întreŃinute, ceea ce înseamnă că nu

are nevoie de un semnal din afară, adică X g = 0 ⇒ condiŃia de oscilaŃie
care defineşte relaŃia lui Barkhausen

βA = 1 .

CondiŃia de oscilaŃie exprimă o relaŃie vectorială (cele două mărimi

fiind mărimi complexe) care poate fi descompusă pe cele două axe.
CondiŃia echivalentă de oscilaŃie este

Re ( β A) = 1

Im ( β A) = 0

Mărimile complexe pot fi exprimate prin intermediul modulului şi a

fazei
ϕ
= A (cos ϕ A + jsin ϕ A )
j
A = A1 + jA2 = A e A

şi pot fi înlocuite în relaŃia condiŃiei de oscilaŃie

ϕ
j ϕ
j j (ϕ +ϕ )
Ae A
β e B
= 1⇒ A ⋅ β e A B
=1

263
dar avem 1 = e j2kπ , cu ajutorul cărei relaŃii obŃinem

j (ϕ +ϕ ) j2kπ
A⋅β e A B
=e ,

iar prin identificarea separată obŃinem o altă exprimare a condiŃiei de

 β ⋅ A =1
⇒ 
 ϕ A + ϕ β = 2 k π
oscilaŃie.
Cea de a doua relaŃie precizează faza mărimii pe care o transferă
reŃeaua de reacŃie la intrarea amplificatorului şi anume faza trebuie să
fie zero sau 2π.

Limitarea amplitudinii semnalului generat de oscilator

La alimentarea oscilatorului factorul de amplificare este mic şi

odată cu creşterea tensiunii de alimentare creşte şi factorul amplificare,
aşa încât se va îndeplini condiŃia de oscilaŃie circuitul începând să
genereze oscilaŃii . Dacă factorul de amplificare creşte sau scade nu
vor mai fi îndeplinite condiŃiile de oscilaŃie şi oscilaŃiile încetează.
Se impune ca factorul de amplificare sa fie limitat la valoarea
care asigura îndeplinirea condiŃiilor de oscilaŃie .
Limitarea factorului de amplificare se realizează ori cu ajutorul unor
elemente neliniare de circuit care au caracteristica statica prevăzută cu
o zona de saturaŃie sau prin controlul factorului de amplificare cu
ajutorul unei bucle de reglare .
Elementele neliniare de circuit utilizate frecvent sunt :
termistorul , dioda semiconductoare sau dioda Zener.
Schemele cu termistori sunt proiectate să funcŃioneze la curenŃi
care să determine încălzirea acestuia. Termistorul prezintă o scădere a
rezistenŃei cu 3-5 % din valoare la fiecare creştere a temperaturii cu
1º C, ceea ce înseamnă că tensiunea va scădea ( u=R i ).
Circuitele de limitare a amplitudinii cu diode, ca în figura 9.2, se
bazează pe caracteristica statică a diodei semiconductoare care este
liniară la valori mici ale curentului.

264
 Pentru care depăşesc cotul caracteristicii tensiunea se limitează
(la valori de aproximativ 0,7V, în cazul diodelor având ca
semiconductor siliciul).
În cazul când valoarea amplitudinii ce trebuie limitată este mai mare se
înlocuiesc diodele semiconductoare din figura 9.2 cu diode Zener,
montate în opoziŃie. Astfel limitarea are loc la valoarea tensiunii de
stabilizare a diodei Zener.

D1

D2

V
Fig. 9.2.

9.2. Oscilatoare armonice cu reacŃie pozitivă prin

„RC”

Oscilatoarele se numesc cu reŃea „RC” pentru că reŃeaua de

reacŃie pozitivă este realizată numai cu rezistoare şi condensatori.
Dintre oscilatoarele astfel definite cele mai utilizate sunt
- cu reŃea de defazare RC;
- cu reŃea Wien directă şi inversată;
- cu reŃea în „T” şi în „TT”.

Oscilatoarele cu reŃea de defazare RC

ReŃeaua de reacŃie a oscilatoarelor de acest tip este formată din 6

impedanŃe. Trei impedanŃe sunt rezistoare iar trei sunt condensatori.
Pentru stabilirea condiŃiei de oscilaŃie utilizăm schema din figura 9.3,
fără a preciza care din impedanŃe este asociată unui condensator şi care
unui rezistor.
Considerăm că reŃeaua lucrează în gol, ceea ce înseamnă că la ieşire
este conectată o impedanŃă de valoare foarte mare aşa încât curentul

265
 absorbit să fie foarte mic ca să poată fi neglijat în calculele ce
urmează.
Z1
Se notează m= .
Z2

Tensiunea de ieşire poate fi scrisă

Z2
V0 = V2 şi
Z1 + Z 2

Z 22
V2 = V1 ,
Z 22 + Z 1
unde s-a notat impedanŃa echivalentă văzută de la bornele tensiunii V2
cu
Z 2 (Z1 + Z 2 )
Z 22 = Z 2 II ( Z 1 + Z 2 ) = .
Z 2 + Z1 + Z 2

Z1 Z1 Z1

Vi Z2 V1 Z2 V2 Z2
V0

Fig. 9.3.
Similar avem

Z 11
V1 = Vi ,
Z 11 + Z 1
unde s-a notat impedanŃa echivalentă văzută de la bornele tensiunii V1
cu

Z 11 = Z 22 II ( Z 1 + Z 22 ) .

Prin înlocuiri succesive avem o relaŃie între V0 şi Vi care

266
stabileşte expresia factorului de reacŃie

V0 1
β= = 3 .
Vi m + 5m 2 + 6m + 1

Deoarece factorul de amplificare A este un număr real, condiŃia de

oscilaŃie βA=1, impune ca şi factorul de reacŃie β să fie un număr real.
1
Cum m - este raportul impedanŃelor unui condensator, cu Z = , şi
jω C
a unui rezistor, cu Z = R , rezultă că „m” este un număr pur imaginar.
Pentru ca β să fie un număr real se impune ca termenii la puteri impare
din expresia factorului de reacŃie să fie zero

Z1 3 Z Z
m 3 + 6m = 0 ⇒ ( ) + 6( 1 ) = 0 ⇒ ( 1 ) 2 = − 6
Z2 Z2 Z2
şi
m 2 = −6 .
În aceste condiŃii factorul de reacŃie devine

1 1 1
β= = =− ⇒
m + 5m + 6 m + 1
3 2
0 + 5(−6) + 1 29

iar factorul de amplificare necesar menŃinerii oscilaŃiilor este

1
βA = 1 ⇔ − A = 1 ⇒ A = −29 ,
29

Pentru amorsarea oscilaŃiilor se impune condiŃia

A>-29.
FrecvenŃa de oscilaŃie se poate determina numai după precizarea
celor două impedanŃe, folosind relaŃia

Z1 2
( ) = −6 .
Z2

În figura 9.4. este prezentată schema unui oscilator RC cu reŃea

de defazare în care amplificatorul este format dintr-un etaj cu
tranzistor bipolar în conexiunea emitor comun.

267
 Constatăm că impedanŃele reŃelei de reacŃie au fost precizate şi
anume
1 1
Z1 = , Z2 = R ⇒ ω = .
jω C 6 RC

PulsaŃia de oscilaŃie a fost stabilită din condiŃia

Z1 2
( ) = −6 .
Z2

+VCC

RB2
RC CC

T
RL

RB1
RE CE

CC
C C C

Fig. 9.4.

FrecvenŃa de oscilaŃie a circuitului este

1
f = .
2π 6 RC

Amplificatorul, realizat cu tranzistorul bipolar T, trebuie să

asigure un factor de amplificare în tensiune AV >-29 pentru ca
oscilatorul să genereze oscilaŃii întreŃinute.
Polarizarea tranzistorului în zona activă de funcŃionare este
realizată cu divizorul din bază RB1 , RB2 şi rezistenŃa din emitor RE
(decuplată în regim de c.a. de condensatorul CE ).

268
 Factorul de amplificare cerut este stabilit de panta tranzistorului
gm şi de valoarea rezistenŃei din colectorul tranzistorului
hf
AV ≅ − RL' = − g m RC ,
hi

unde hf este factorul de amplificare al tranzistorului, hi este impedanŃa

de intrare a tranzistorului iar RL' este rezistenŃa echivalentă de la ieşirea
amplificatorului (care poate fi aproximată RL' = RC ) .
O altă posibilitate alternativă de construire a reŃelei de reacŃie
este
1
Z2 = , Z1 = R ⇒
jω C

pentru care situaŃie se obŃine altă expresie pentru frecvenŃa de oscilaŃie

şi anume

6 6
ω= ⇒ f = .
RC 2πRC

ReŃeaua de reacŃie Wien

ReŃeaua Wien este formată dintr-un grup RC serie şi un grup RC

paralel.

R1 C1
I0 Ii

Vi
V0
R2 C2

Fig. 9.5.

269
 În figura 9.5. este prezentată structura unei reŃele de reacŃie
Wien directă, reŃea utilizată în cazul în care reacŃia este cu eşantionare
pe buclă şi comparare în nod (amplificatorul este de tensiune).
Factorul de reacŃie, pentru comparare în nod, se determină cu
ieşirea reŃelei de reacŃie în scurcircuit ( Vi = 0)
Z2
I0 = − Ii ,
Z1 + Z 2

de unde se obŃine expresia factorului de reacŃie

I0 Z2
β= =− .
Ii Z1 + Z 2

Două din elemente sunt în serie şi două în paralel, motiv pentru care
impedanŃele se notează cu Z1 şi Z2

1 jωR1 C1 + 1
Z1 = R1 + =
jω C1 jω C1
1
R2
jω C 2 R2 jω C 2 R2
Z2 = = ⋅ =
1 j ω C 2 R 2 jω C 2 + 1 jω R 2 C 2 + 1
R2 +
jω C 2

ReŃeaua Wien inversată este prezentată în figura 9.6,

eşantionarea fiind în nod şi compararea pe buclă. Pentru ca ieşirea
amplificatorului să nu scurcircuiteze reŃeaua de reacŃie amplificatorul
din componenŃa oscilatorului trebuie să îndeplinească funcŃia de
amplificator de curent.
R1 C1

Vi
R2 C2
V0

Fig. 9.6.

270
Pentru reŃeaua de reacŃie Wien inversată, din figura 9.6, factorul de
reacŃie poate fi exprimat (cu ieşirea RR în gol) din relaŃiile
Z2
Vi = V0 ⇒
Z1 + Z 2
V Z2
β= i = .
V0 Z 1 + Z 2

Raportul celor două impedanŃe este

Z 1 1 + jωR1C1 1 + jωR2 C 2
=
Z2 jωC1 R2

CondiŃia de oscilaŃie impune

β AV = 1 → 
(
 Im β AV = 0 )
(
 Re β AV = 1 ) ,

 Z2    Z2   Z2 
AV β =   AV = AV  Re  + jIm  = 1 ,
 Z1 + Z 2    Z1 + Z 2   Z1 + Z 2 
łinând seamă de expresia factorului de reacŃie, condiŃia de
oscilaŃie devine, în acest caz particular care se descompune pe
componente

  Z2 
AV  Re   = 1,

  Z1 + Z 2 
 Z2 
Im  = 0.
 Z1 + Z 2 

În condiŃiile în care se adoptă valori egale pentru elementele reŃelei de

reacŃie
R1 = R2 = R ; C1 = C 2 = C , δ = RC ,

avem

271
 - j1 - ω 2δ 2  + 2ωδ
Z1 (1 + jωδ )2 1 + 2 jωδ - ω 2δ 2    1 
= = = = 2 + j ωδ - 
Z2 jωδ jωδ ωδ  ωδ 

Prin anularea părŃii imaginare, conform relaŃiei anterioare, se

obŃine expresia frecvenŃei de oscilaŃie

 
 
Im  = 0 ⇒ ωδ − 1 = 0 ⇒ ω = 1 = 1 ,
1 1
f =
 Z1  ωδ δ RC 2πRC
1+ 
 Z2 

Pentru condiŃii de oscilaŃie stabilizate, deoarece partea imaginară este

zero avem
Z1
= 2,
Z2

iar prima condiŃie de oscilaŃie determină valoarea factorului de

amplificare
AV = 3.

În concluzie pentru reŃeaua Wien inversată avem

1
Ai ≥ 3 , f = .
2πRC

Efectuând calcule similare şi pentru reŃeaua Wien directă se obŃin

(pentru elementele egale ale reŃelei de reacŃie) succesiv relaŃiile

R
1 + jωRC jωδ
β =− =− ,
R 1 + jωRC 1 − (ωδ ) 2 + 3 jωδ
+
1 + jωRC jω C

βAV = 1 ⇒ − AV jϖδ = 1 − (δω ) 2 + 3 jωδ ⇒

1 − (ωδ ) 2 = 0 ⇒ ω δ = 1 ⇒
− AV = 3

272
Pentru reŃeaua Wien directă se obŃine condiŃia de oscilaŃie şi frecvenŃa
tensiunii generate

1
AV ≥ −3, f = .
2πRC
ImpedanŃa de intrare a amplificatorului trebuie să aibă valori suficient
de mari ca să nu scurcircuiteze reŃeaua de reacŃie.
Deoarece amplificatorul este de tensiune, ceea ce înseamnă că
rezistenŃa de ieşire are valori mici, la intrarea acestuia se vor găsi cele
două impedanŃe ale reŃelei de reacŃie cuplate în paralel.
ImpedanŃele se exprimă sub forma
1 + jωRC 1+ j
Z1 = R =R ,
jωRC j
R
Z2 = ,
1+ j
cu ajutorul cărora se determină impedanŃa echivalentă a reŃelei de
reacŃie (care condiŃionează impedanŃa amplificatorului)

1+ j 1
Z Z j 1+ j R
Ze = 1 2 = R = (1 − j ) .
Z1 + Z 2 j +1 1 3
+
j 1+ j
Problema poate fi pusă şi în sensul adoptării valorii rezistorului atunci
când se impune impedanŃa amplificatorului.

Oscilator cu reŃea Wien directă cu amplificator operaŃional

În figura 9.7 este prezentată schema de principiu a unui oscilator cu

reŃea Wien directă , realizată cu un amplificator operaŃional - notat pe
figură cu „A”.
Amplificatorul este prevăzut cu reŃeaua de reacŃie pozitivă
formată din elementele reŃelei Wien directă (R1, C1, R2 , C2) şi o reŃea
de reacŃie negativă formată din rezistenŃa r2 şi impedanŃa de ieşire a
tranzistorului cu efect de câmp T (pe care o notăm cu rDS).
ReŃeaua de reacŃie negativă determină un factor de amplificare
r2
AV = 1 + .
rDS

273
 CondiŃia de oscilaŃie impune ca factorul de amplificare să
îndeplinească relaŃia
AV ≥ 3,

ceea ce permite stabilirea valorii rezistenŃei r2 (pentru că rDS se

determină din alte considerente, prezentate în cele ce urmează).
R1 C1

r2

+V

+
V0
A
-
T
R2 C2 RV CF

Vrd

Fig. 9.7.
Tranzistorul cu efect de câmp, pentru valori mici ale tensiunii
VDS , prezintă o caracteristică de ieşire liniară, ca în figura 9.8.
Panta caracteristicii de ieşire depinde de tensiunea aplicată între grilă
şi sursă VGS, ceea ce este echivalent cu a spune că rezistenŃa rDS poate
fi modificată prin valoarea tensiunii VGS.
RelaŃia după care se modifică rezistenŃa de ieşire în funcŃie de
tensiunea aplicată pe grilă este

= r 0
r DS
V GS
,
1−
VP

274
în care r0 şi VP sunt date specifice tranzistorului cu efect de câmp din
schema oscilatorului.
Valoarea rezistenŃei de ieşire a tranzistorului rDS este utilizată la
stabilizarea (limitarea) amplitudinii oscilaŃiilor tensiunii de ieşire V0.
Dacă, din diferite motive amplitudinea tensiunii de ieşire creşte ,

ID
VGS3

VGS2

VGS1

0,05V 0,1V VDS

Fig. 9.8.
valoarea acesteia este scăzută prin acŃiunea buclei de reacŃie negativă,
care micşorează factorul de amplificare A, prin creşterea rezistenŃei
rDS.
RezistenŃa rDS depinde direct de tensiunea V0, pentru că
tensiunea care se aplică grilei tranzistorului se obŃine, prin redresare
din tensiunea cu variaŃie sinusoidală V0, astfel:
- dioda D redresează tensiunea de ieşire aşa încât avem
2
Vrd = V0 ;
π
- condensatorul CF filtrează tensiunea redresată;
- rezistenŃa variabilă RV stabileşte valoarea tensiunii din grila
tranzistorului

V DS = kVrd ,

unde k este un număr subunitar proporŃional cu rezistenŃa

potenŃiometrului RV de sub cursor;
- tensiunea VGS stabileşte caracteristica de ieşire, adică
stabileşte valoarea rezistenŃei rDS.

275
 9.3. Oscilatoare armonice de tipul „LC”

Oscilatoarele armonice cu circuit LC sunt circuite electronice

care au în compunere cel puŃin o inductivitate şi o capacitate care să
determine frecvenŃa oscilaŃiei generate.

Oscilatoare cu circuit LC acordat

În figura 9.9 este prezentată schema de principiu a unui oscilator cu

circuit acordat.

+VCC

RB1
M

L2 L1 C

RB2

Fig. 9.9.
Oscilatoarele cu circuit acordat se bazează pe caracteristica de
frecvenŃă a circuitelor RLC serie sau paralel, caracteristică care
favorizează transmiterea uneia din frecvenŃe, celelalte frecvenŃe fiind
atenuate.
Se bazează pe un circuit oscilant realizat cu bobină şi condensator care
să determine frecvenŃa de oscilaŃie şi un circuit de reacŃie pozitivă prin
intermediul căreia se întreŃin oscilaŃiile.
Circuitul care determină frecvenŃa de oscilaŃie este format dintr-
o inductivitate L1 în paralel cu capacitatea C, ambele aflate în
colectorul tranzistorului amplificator T. ReacŃia pozitivă este asigurată
de inductivitatea L2 (cuplată magnetic cu inductivitatea L1) prin
intermediul căreia se transferă o parte din tensiunea de colector în

276
circuitul bazei tranzistorului. Rezistoarele RB1 , RB2 servesc la
polarizarea în regim de curent continuu a joncŃiunii bază - emitor a
tranzistorului T.
În figura 9.10 este prezentată schema echivalentă a circuitului
pentru regimul variabil.

Ii
M
IL1
*
C L1 L2
V0

Fig. 9.10.

Pentru transformatorul TR ( format din L2 şi L1) s-a precizat,

prin asteriscul din figura 9.10, sensul pozitiv al curentului – sens care
stabileşte tensiunea pozitivă indusă.
Avem ecuaŃiile în complex

V0 = jωL1 I L1 − jωMI i ≅ jωL1 I L1

,
Vi = − jωMI L1 + jωL2 I i ≅ − jωMI L1
în care s-a neglijat valoarea mică a curentului Ii .
Coeficientul de cuplaj magnetic dintre inductivităŃi s-a notat cu M.
EcuaŃiile de mai sus permit stabilirea expresiei factorului de
reacŃie
Vi M
β= =− .
V0 L1
Pentru a determina factorul de amplificare al amplificatorului cu
tranzistor folosim schema echivalentă a transformatorului TR raportată
la circuitul primar. Pentru că transformatorul este considerat fără
pierderi sigurul element care rămâne în schema echivalentă este
rezistenŃa reflectată
L1
L
Z0 = C = 1 ,
r1 r1C
unde s-a notat cu r1 rezistenŃa electrică a inductivităŃii L1.

277
 Termenul “fără pierderi” se referă la faptul că se consideră că
fluxul magnetic nu se închide prin aer ci numai prin circuitul magnetic
al transformatorului, motiv pentru care inductivitatea de dispersie, din
schema echivalentă a transformatorului este nulă. Se neglijează şi
pierderile în miezul transformatorului.
În figura 9.11 este prezentată schema echivalentă simplificată a
amplificatorului cu un tranzistor.

Ii I0

Vi
V0
hi GmVi Z0
Fig. 9.11
Nu s-a folosit gm pentru panta tranzistorului pentru că Gm
reprezintă panta tranzistorului în regim de semnal mare iar gm este
panta tranzistorului în regim de semnal mic.
Panta de semnal mic are expresia
q
gm = IC0 ,
kT
unde IC0 este curentul în PSF, determinat de tensiunea de polarizare a
bazei tranzistorului.
Panta de semnal mare depinde de tensiunea Vi ca în figura 9.12.

Gm
gm

q
X0 x= Vi
kT
Fig. 9.12.

Pentru schema echivalentă din figura 9.11 se scriu relaŃiile

278
 V0 = −Gm Z 0Vi
,
Vi = hi I i
care permit stabilirea expresiei factorului de amplificare
V0 L
AV = = Gm Z 0 = Gm 1 .
− Vi r1C
S-a schimbat semnul tensiunii Vi pentru că transformatorul (vezi
bornele polarizate) determină defazarea tensiunii induse faŃă de
tensiunea V0 .
CondiŃia de oscilaŃie determină panta de semnal mare a tranzistorului
r1C
βAV = 1 ⇒ Gm = .
L1
Din figura 9.13 pantei Gm îi corespunde o tensiune Vi şi
respectiv o valoare a amplitudinii oscilaŃiei armonice de la ieşire.

Oscilatoare cu cristal de cuarŃ

Oscilatoarele cu cristal de cuarŃ se utilizează în condiŃiile în care

se impune o frecvenŃă a oscilatorului foarte stabilă în timp şi foarte
precisă. Domeniul în care se realizează oscilatoare armonice pe baza
cristalelor de cuarŃ este 1 kHz,...,20 MHz .
Cristalul de cuarŃ după ce este tăiat după anumite direcŃii pentru
a-i conferi calităŃi piezoelectrice este introdus într-o capsulă metalică
prevăzută cu terminale.
În funcŃie de modul de tăiere şi de grosimea şi de natura
cristalului se stabilesc frecvenŃele proprii de oscilaŃie.
Cristalul are o schemă echivalentă, ca în figura 9.13, care determină
două frecvenŃe de oscilaŃie,
- o frecvenŃă serie
1
fs =
2π L0C0

279
 1
- o frecvenŃă paralel fp =
C0C1
2π L0
C0 + C1

L0
I
V
C1 C0

V
.
Fig. 9.13.

În figura 9.14 este prezentat modul de variaŃie al reactanŃei

X = XL − XC
cristalului de cuarŃ la modificarea frecvenŃei tensiunii aplicate V.

fS fP
f

Fig. 9.14.

280
 ReactanŃa este pozitivă, adică cristalul de cuarŃ se comportă
inductiv, numai în domeniul de frecvenŃe f S < f < f P .
În afara acestui domeniu de frecvenŃe cristalul de cuarŃ prezintă
o reactanŃă capacitivă.
Cristalul de cuarŃ poate fi folosit la frecvenŃele de oscilaŃie
fs şi fp cât şi la multipli de ordin impar (1,3 sau 5) al acestor frecvente -
nu se folosesc armonici mai mari ca 5 deoarece amplitudinea oscilaŃiei
devine prea mică
În figura 9.15 este prezentată schema de principiu a unui
oscilator cu cristal de cuarŃ, care foloseşte frecvenŃa serie a cristalului.
Tranzistorul T este în conexiunea bază – comună, pentru că
condensatorul CB scurcircuitează rezistoarele RB1, RB2 de polarizare a
bazei.

+VCC

RL
RB2 L

T
C1
CuarŃ
C

Fig. 9.15.
FrecvenŃa de oscilaŃie este determinată de inductivitatea L şi
condensatorii C1, C2 împreună cu care realizează un oscilator Colpitts
(vezi paragraful următor) numai dacă punctul comun celor două
condensatoare este conectat la emitorul tranzistorului T.
Această legătură, de rezistenŃă mică, se realizează numai la frecvenŃa
de rezonanŃă serie a cristalului când reactanŃa acestuia este minimă;
pentru alte frecvenŃe reactanŃa cristalului este suficient de mare pentru
ca oscilaŃiile să nu se amorseze şi să nu poată fi întreŃinute.
De notat că frecvenŃa la care se calculează elementele oscilatorului
Colpitts este frecvenŃa de rezonanŃă serie a cristalului de cuarŃ.

281
 În figura 9.16 este prezentat un oscilator care foloseşte frecvenŃa
paralel a cristalului de cuarŃ.

VDD

LS
RG1
Cristal
V0

RG2 RS

Fig. 9.16.

Oscilatorul de tipul Pierce, din figura 9.16, generează oscilaŃii numai

în condiŃiile frecvenŃei de rezonanŃă paralel a cristalului de cuarŃ ( când
cristalul prezintă o reactanŃă capacitivă de valoare mare).

282
 10
CIRCUITE ELECTRONICE
DE PUTERE

10.1. Redresoare de putere

Redresoarele de putere utilizează tensiuni de alimentare trifazate

din doua motive, şi anume:
- transportul energiei se face în sistem trifazat şi în
condiŃiile în care instalaŃia este de putere mare, respectiva putere
se împarte pe cele trei faze o scădere a curenŃilor absorbiŃi
prin fiecare linie de alimentare ;
- reŃeaua trifazata, prin schimbarea conexiuni
transformatorului trifazat , oferă două tensiuni de alimentare a
receptorului ( V f si 3V f ) .
Pentru ca reŃeaua să rămână simetrică (tensiuni egale pe fiecare
fază) se impune ca receptorul să preia curenŃi egali pe fiecare din cele
trei faze.
Creşterea numărului de faze permite micşorarea ondulaŃiilor
tensiunii redresate, de alimentare a receptorului şi implicit scad
amplitudinile armonicilor introduse în reŃeaua de c.a. de către sistemul
de redresare.
Uneori secundarul transformatorului se construieşte aşa încât sa
asigure mai multe faze ( multiplu de 3), dar de regulă creşterea
numărului de faze se face prin utilizarea mai multor circuite de
redresare.

283
 Redresorul trifazat monoalternanŃă

În figura 10.1 este prezentat un redresor trifazat cu secundarul

transformatorului de alimentare conectat în stea.
Tensiunile de intrare sunt tensiuni simetrice. Fiind tensiuni
2π
trifazate sunt defazate între ele cu un unghi electric de . Sistemul
m
fiind simetric valorile efective ale celor trei tensiuni vor fi identice.
În funcŃie de timp cele trei tensiuni au expresiile
2π
u 21 = 2Vi cos(ωt − ) → V1 ;
3
u 22 = 2Vi cos(ωt ) → V2 ;
2π
u 23 = 2Vi cos(ωt + ) → V3 .
3

primar secundar D

R
V21=V1

S
V22

T D2
V23

D3
Ls Rs id

Vd
Fig. 10.1

Prin aplicarea transformatei în complex, celor trei mărimi sinusoidale

li se asociază trei vectori în planul complex
2π π
−j + 2π 2π 1 3
V1 = Vi e 3 2
= jVi (cos− + j sin − ) = Vi (− − j )j
3 3 2 2

284
 π
j
V2 = Vi e 2
= Vi j
2π π
−j + 2π 2π 1 3
V3 = Vi e 3 2
= Vi (cos + j sin ) = Vi (− + j )j
3 3 2 2

Pentru că sistemul de tensiuni este simetric suma vectorilor în

complex este zero
V1 + V2 + V3 = 0 .
Se notează cu „m” numărul de faze ale tensiunii de alimentare (spre
exemplu m=3 ) .
Daca una din diode este în conducŃie, adică are V AK > 0 ,atunci
celelalte două diode sunt blocate.
Spre exemplu când U1 > 0 dioda D1 este în conducŃie, D2 este
blocată pentru că v AK 2 = v 2 − v1 < 0 , D3 este blocată pentru că
v AK 3 = v3 − v1 < 0 ⇒
prin sarcină va circula curentul id=ia1 , care se închide pe traseul v12 –
D1 – sarcină – conductor de nul.
În figura 10.2 sunt prezentate formele de undă asociate
redresorului trifazat cu schema de principiu în figura 10.1.
Conduce curentul dioda corespunzătoare fazei cu tensiunea
pozitivă cea mai mare. Intervalul de timp (exprimat prin unghiul
electric) în care conduce o diodă, spre exemplu D2 este de când v1=
v2 până când v3= v2.
Cele două condiŃii conduc la două ecuaŃii trigonometrice
2π 2π π
cos( x +) = cos x → x + = ±x → x = − ;
3 3 3
2π 2π π
cos( x − ) = cos x → x − = ±x → x = .
3 3 3
 π π
Intervalul de conducŃie al unei diode este − 3 ,+ 3  , de lungime

exprimată în unghi electric (radiani) π + π = 2π = ωT .

3 3 3

Notă : În calculele care urmează considerăm inductivitatea sarcinii de

valoare suficient de mare (LS=∞) pentru ca să nu permită modificarea
(scăderea) curentului prin sarcină. În figura 10.2 curentul prin sarcină
id = Id = constant.

285
 • Valoarea tensiunii redresate
Pe baza relaŃiei de definiŃie a valorii medii, Ńinând seama de
durata curentului
T π
2 3
1 3
Vd 0 =
T ∫ u(t )dt =
T 2π ∫π 2Vi cos ωtdωt =
− −
2 3

π π
3 π sin
3 3 m
=2
2π ∫0
2Vi cos ωtdωt =
π
2Vi (sin ωt ) | 03 = 2Vi
π
m
se obŃine

π
sin
Vd 0 = 2 Vi m
π
m

Curentul prin sarcină este stabilit de „legea” lui Ohmm

Vd 0
Id0 = .
RS
• Factorul de redresare (Vd 0 = DR 2Vi )
π
sin
Vd 0 m
DR = = pentru m=3 DR = 0,827 iar
2Vi π
m
pentru m=6 DR =0,955.

• Valoarea efectiva a tensiunii totale de pe sarcina

π
1T 2 3 3
Vd 0ef . = ∫ v2 dt = 2 ∫ ( 2Vi cos ωt )2 dωt
T0 2π 0
2π
sin
3 2π m
= Vi 1 + sin = Vi 1 +
2π 3 2π
m

286
 V1 V2 V3 V1 V2
Vi

Vd
t
Vd
0

i2

i3

i1+i2+i3=Id
i1
t

Fig. 10.2.

287
• Factorul de forma al tensiunii redresate

2π
sin
1+ m
2π
Vd 0ef . m 1,015 ← m = 3
Kf =γ f = = =
Vd 0 π  1,01 ← m = 6
sin
2 m
π
m

• Deoarece forma de undă este sinusoidală aceasta poate fi

descompusă într-o sumă de sinusoide (fundamentala – o
sinusoidă de pulsaŃie egală cu a tensiunii de alimentare şi
armonici – sinusoide cu pulsaŃia multipli întregi de pulsaŃia
fundamentalei) cu valorile efective determinate de dezvoltarea
în serie Fourier

f (ωt ) = ∑ ( An sin nωt + Bn cos nωt ) + Vcc = Vcc + ∑ Vn sin( nωt + ϕ n ) .

n

Din figura 10.2 se remarcă faptul că tensiunea pe sarcină este o

funcŃie pară , deci va conŃine numai termini cu cosinus .
π
2π m
1 1
Bn =
π ∫
0
f (ωt ) cos nωtdωt = m
π ∫
−π
2Vi cos nωt cos ωtd (ωt ) ,
m
π
−
m
1
unde într-o perioadă sunt m
π π
∫ 2Vi cos nωt şi
m
2π
1
An =
π ∫ f (ωt ) sin nωtdωt = 0
0
.

Amplitudinea armonicii de ordin „n” este

2Vd 0
2Vdn = Bn = − cos nπ ,
n 2 −1
pentru n=km , k = 1,2,3,....., unde m = numărul de faze a
tensiunii de alimentare

288
Pentru m =3 ⇒ avem armonici de ordinal 3,6,9,...., a căror
amplitudine este prezentată în tabelul de mai jos.

2Vdn k f [Hz] V
Vdo
0,25 1 → 3ω 150 Hz ( 60V
20% 2Vi )
0,057 1 → 6ω 300 Hz ( 5% 2Vi ) 15V
0,025 1 → 9ω 450 Hz ( 2% 2Vi ) 6V
0,014 1 → 12ω 600 Hz (1,2% 2Vi ) 4V

• Randamentul conversiei c.a.→c.c. – se exprima prin factorul

de utilizare al secundarului transformatorului definit
Pd 0
K2 =
S2
ca raport dintre puterea de curent continuu Pd0 transmisă sarcinii
şi puterea aparentă din secundarul transformatorului S2

Vd 0 I d 0
S 2 = 3Vi I 2ef , Pd 0 = Vd 0 I d ⇒ K2 = ;
3Vi I 2ef
unde I 2ef = valoarea efectiva a curentului printr-o faza ( adică
printr-o diodă) .

Pentru că L1 = ∞ → curentul prin sarcina este constant iar prin

diodă curentul are o formă de undă dreptunghiulară . Valoarea
efectivă a curentului este

2π
m
1 Id Id0
I 2ef = ∫i dω t = =
2
.
2π
0
0 m 3
Cu ajutorul valorii efective a curentului se calculează puterea
aparentă
Id
S 2 = 3Vi = 3Vi I d ;
3

289
 şi factorul de utilizare al transformatorului

π
2Vi sin
V I V m = 0,675 ⇐ m = 3
K2 = d0 d = d0 = 
I 3Vi π  0,55 ⇐ m = 6
3Vi d 3Vi
3 m

Se constată că factorul de utilizare optim al transformatorului se

obŃine pentru m=3, adică pentru tensiuni de alimentare trifazate. În
schimb ondulaŃiile tensiunii vor fi mai mari decât la valori mai mari
ale lui m, dar majoritatea aplicaŃiilor suportă ondulaŃii relativ mari
ale tensiunii pe sarcină (spre exemplu maşinile electrice). Când
aplicaŃia necesită tensiuni cu ondulaŃii mici se utilizează filtre sau
se iau alte măsuri pentru micşorarea ondulaŃiilor.

Modificarea valorii tensiunii redresate prin control de fază

Controlul de fază permite modificarea puterii active transmise

sarcinii fără a determina pierderi de putere activă (deci fără a scădea
randamentul conversiei) .
Controlul de faza afectează forma de undă a tensiunii de
alimentare (o distorsionează) şi creşte puterea aparentă preluată din
reŃea.
Controlul de faza constă în comanda întârziată cu un unghi
α1 = α 2 = α 3 = α faŃă de timpul la care există condiŃii (la egalitatea
tensiunilor de pe doua faze) ca dioda să intre natural în conducŃie.
De fapt , prin acest procedeu, se scade intervalul de timp în care o
diodă se află în conducŃie ⇒ scade aria mărginită de tensiunea fazei,
care a ajuns (prin diodă) pe sarcină ⇒ scade valoarea de curent
continuu a tensiunii de pe sarcină.
Rezultă, de aici, că prin control de fază tensiunea pe sarcină nu
poate decât să scadă faŃă de valoarea obŃinută la conducŃia naturală a
dispozitivelor semiconductoare
π
sin
Vd ≤ Vd 0 = 2Vi m.
π
m

290
 Forma de undă a tensiunii pe sarcină este diferită după cum se ia
în considerare influenŃa reactanŃei liniei de alimentare (figura 10.3,b)
sau nu (figura 10.3,a).
Se notează α lim − unghiul de întârziere ”limită” la care încep să
apară vârfuri de tensiune negativă în componenŃa formei de undă a
tensiunii redresate.
Lc=0 V V2 V3

- 0 π/m wt
π/m
α2 α3
id
i1 i2 i3

wt

Fig. 10.3a.

Lc ≠ 0
V

- π/3 wt
π/3 i1
Id=cons
t.
i01 i02

γ
wt

Fig. 10.3b.

291
 vd

t
π/2m π/2m π/2m
π/m αlim

π/2
Fig. 10.4.

Din figura 10.4 se deduce expresia unghiului limită

π π π π π π π
α < α lin = − = − = , α lim = −
2 m 2 3 6 2 m
până la care tensiunea vd nu are valori instantanee negative .
Valoarea tensiunii redresate la comutarea naturală are expresia
π
sin
V d 0 = 2v i m .
π
m
Valoarea tensiunii redresate când comutarea dispozitivului este
întârziată cu unghiul α faŃă de momentul comutaŃiei naturale are
expresia

pentru Lc = 0
 πm +α 
1  
Vd =  m ∫ v1dωt  = Vd 0 cos α ;
2π
 − π +α 
 m 

iar pentru Lc ≠ 0

292
  πm +α π
+α + γ 
m  m
v 2 + v3  cos α + cos(α + γ )
Vd =  m ∫ v 2 dω t + ∫ dω t  = V d
2π 2 2
 − π +α π
+α 
 m m 
.

Valoarea efectivă a tensiunii , pentru Lc = 0 , este

 πm +α  2π
sin
1   m cos α .
V2 erf =  m ∫ v 22 dωt  = Vi 1 +
2π 2 π
 − π +α 
 m  m

Redresorul trifazat bialternanŃă în punte semicomandată

Redresorul bialternanŃă, din figura 10.5, este în punte semicomandată

pentru că numai o parte din elementele punŃii pot fi comandate
(tiristorii notaŃi T)

TR TS TT
R Rs

S
Vd
T
Ls

DR DS DT

Fig. 10.5.
În figura 10.6 sunt prezentate formele de undă asociate punŃii
semicomandate ( fără a lua în consideraŃie inductivitatea liniei de
alimentare).

293
 v VT VR VS
V Cd T Cd R Cd S Cd T

IT

DS

TT t

IR
DT

TR t

IS

DR
TS t

Fig. 10.6.

294
 Inductivitatea sarcinii LS se consideră a fi suficient de mare
pentru ca să menŃină valoarea curentului constantă indiferent de
scăderea tensiunii de alimentare a sarcinii.
Conduce dioda al cărui catod este mai negativ decât anodul
propriu şi tiristorul care are codiŃii de conducŃie şi a primit impuls de
comandă pe grilă.
Spre exemplu în punctul „Cd R”, din figura 10.6, tensiunea VR
este pozitivă şi tiristorul TR primeşte semnal pe grilă pentru a intra în
conducŃie.
Curentul plecând de la faza R se închide prin TR şi dioda care are
catodul la potenŃialul cel mai negativ. Într-o primă fază tensiunea cea
mai negativă este VT, rezultă că circuitul se va închide pe calea (faza
R) VR - TR – RS,LS – DT - VT (faza T).
Tensiunea VT creşte, aşa încât există un punct în care devine mai
negativă tensiunea VR ceea ce face ca dioda DT să se blocheze şi
curentul să fie preluat de dioda DR .
În a doua fază a conducŃiei tiristorului TR curentul se va închide
pe calea TR – RS,LS – DR pe seama energiei înmagazinate în câmpul
magnetic al inductivităŃii sarcinii (LS). Tensiunea pe sarcină, în acest
interval de timp, este mică şi egală cu suma căderilor de tensiune de pe
tiristorul TR şi dioda DR , ambele dispozitive fiind în conducŃie.
Fenomenele decurg similar şi la comanda altui tiristor.
Tensiunea pe sarcină este de două ori mai mare decât la redresorul
monoalternanŃă

Vdα = 2Vd 0 cos α .

De notat că în condiŃiile unei sarcini rezistive ( LS = 0) curentul în

circuit se va anula la ieşirea din conducŃie a diodei DT ( în cazul
exemplului nostru), rămânând egal cu zero până la comanda
tiristorului următor TS. Spunem că redresorul funcŃionează în regim de
conducŃie întreruptă.

10.2. Variatoare de tensiune alternativă

Variatoarele de tensiune alternativă (VTA) sunt circuite

electronice care au rolul de a modifica valoarea puterii transmise unei
sarcini, prin modificarea valorii efective a tensiunii alternative pe care
o primeşte de la linia de alimentare.

295
 În cazul tensiunilor de alimentare sinusoidale (de c.a.) puterea
activă preluată de sarcină este proporŃională cu valoarea efectivă a
tensiunii .
Modificarea valorii efective a tensiunii se face prin două metode :
• conectarea intermitentă a sarcinii la sursa de t.e.m. ,
• controlul de fază.

Conectarea intermitentă a sarcinii constă în alimentarea cu

tensiune a
acesteia un număr de alternanŃe ale tensiunii ( pe un interval de timp
TC ) şi decuplarea de la sursa de t.e.m. pe intervalul de timp T0 - TC ,
ca în figura 10.7.
Tc
Pmed = ⋅ Pmax = K ⋅ V max
2

T
Tc
K=
Te
2π
1
Vef = ⋅ ∫ ( 2 ⋅ V sin nωt ) 2 dt = K ⋅ V
2π 0
Metoda este utilizată în cazul instalaŃiilor cu timp de răspuns
mare, cum ar fi instalaŃiile de reglare a temperaturii, şi nu se
recomandă în cazul sarcinilor puternic inductive.

Te

Fig. 10.7.

Comanda alimentarii cu energie se face, în cazul sarcinilor

rezistive la trecerea prin zero a tensiunii şi cu o întârziere egală cu
defazajul dintre tensiune şi curent (α = φ) în cazul sarcinilor rezistiv -
inductive.

296
 Pentru închiderea si deschiderea circuitului se utilizează
contactoare statice de curent alternativ. În figura 10.8. sunt prezentate
câteva contactoare statice de curent alternativ realizate cu tiristori.

a) b)

Vc

c)

Fig. 10.8

Controlul de fază constă în alimentarea sarcinii cu fracŃiuni din

sinusoida tensiunii de alimentare.
În figura 10.9 este prezentat un circuit conŃinând un contactor
static şi o sarcină rezistiv – inductivă ( R şi L). Sarcina determină un
ωL
defazaj al curentului faŃă de tensiune cu un unghi electric tgϕ = .
R
Fiecare tiristor este comandat în conducŃie la un unghi întârziat
faŃă de trecerea prin zero a tensiunii, aşa încât curentul determină o
valoare efectivă a tensiunii pe sarcină

1
π π − α + sin 2α
2 2
VRe f = ⋅ ∫ ( 2 ⋅ V sin ωt ) 2 dt = V .
2π 0 π

297
 T1

T2

ωL
tgϕ =
R XL
L
vs
R φ

Fig. 10.9.

EcuaŃia diferenŃială corespunzătore circuitului din figura 10.9.

di 2V
R ⋅i + L⋅ = 2V sin ωt cu i0 = sin(ωt − ϕ )
dt 2
şi i p = I ⋅ sin(ωt + β )

Curentul în circuit, prin rezolvarea ecuaŃiei diferenŃiale, este o

sumă a componentei de regim permanent şi a componentei de regim
tranzitoriu

2 ⋅V  R
− (ωt −α ) 
i (t ) = sin(ωt − ϕ ) − e ωL
⋅ sin(α − ϕ ) ,
2  

prima sinusoidă reprezentând regimul permanent (sinusoidal) iar cea

de-a doua soluŃia de regim tranzitoriu.
Curentul se stabileşte de valoarea de regim permanent după
anularea regimului tranzitoriu.
Prin modificarea unghiului de comanda α in domeniul φ<α<1800
se modifica valoarea puterii transmise sarcinii.

298
 În figura 10.10. este prezentată influenŃa valorii unghiului de
comandă asupra formei de undă a curentului pentru diferite sarcini.

V,i
v
i

t
a)

V,i
v
i

b)
V,i

v
i

φ t
α

c)

Fig. 10.10.

• a) Sarcină rezistivă - curentul se stabileşte cu o pantă de

creştere mare la valoarea de regim permanent;

299
 • b) Sarcină rezistiv –inductivă cu comandă la α=φ –
curentul este sinusoidal, fiind numai defazat faŃă de
tensiune;
• c) Sarcină rezistiv –inductivă cu comandă la α>φ –
curentul are intervale de discontinuitate (este întrerupt) pe
intervalul φ,…, α.

Principalele domenii de utilizare a contactoarelor statice de c.a. sunt:

- alimentare cu tensiune variabila a rezistoarelor pentru
încălzire;
- modificarea puterii la aparatele de încălzire inductiva;
- modificarea fluxului luminos (iluminat al incintelor
industriale);
- conectarea grupurilor de condensatoare pe linia de alimentare
pentru îmbunătăŃirea factorului de putere (compensatoare de putere
reactivă);
- sisteme de reglare a curentului sau tensiunii;
- modificarea puterii motoarelor de c.a.

Întrerupătoare de c.a.

Contactoarele statice de curent alternativ au rolul de

întrerupător când furnizează putere sarcinii sau o întrerupe pe un timp
determinat.

Z
R2 D1 IP
≈v T

T
R
D2 R1

Fig. 10.11.

300
 Comanda CS poate fi manuală (cu un întrerupător IP ) sau cu
ajutorul unui semnal electric. În cazul semnalului electric se impune o
separare a circuitului de forŃă de circuitele de comandă.
Un exemplu de CS cu comanda manuală este prezentat în
figura 10.11.
În alternanŃa pozitivă a tensiunii de alimentare (+) curentul se
închide prin D1R1 → VGK2 > 0→ T2 intră în conducŃie. În alternanŃa
negativă a tensiunii de alimentare (-) circuitul se închide prin D2R1 →
amorsează T1.
RezistenŃa R limitează curentul pe poarta tiristorului, adaptându-
se
2V
R≥ − R1 ; R1= 0,1 … 1 k Ω
I 0 max
Rezistenta R trebuie sa fie suficient de mica, pentru a limita
curentul injectat prin poarta tiristorului.
D1,D2 = protejează tiristorului la aplicarea unei tensiuni VGK < 0
R1R2 = măresc capacitatea tiristorului de a suporta viteze mai
dv
mari de creştere a tensiunii ( la ).
dt
CS cu circuit de comandă cu T.U.J.

Spre exemplu în figura 10.12. este prezentat un CS cu circuit de

comandă cu T.U.J. Circuitul de comandă, având în componenŃă
întrerupătorul IP şi oscilatorul cu TUJ, este alimentat la tensiune joasă
(12 V c.a.).

≈ Zs

R
IP TUJ
≈ 12 V
*

C * *

Fig. 10.12

301
 Comutarea întrerupătorului IP determină alimentarea punŃii de
diode cu tensiune sinusoidală. Alimentarea TUJ –ului se face cu
tensiunea trapezoidală, formată de dioda Zener.
Condensatorul se încarcă prin rezistorul R şi se descarcă prin
spaŃiul E-B2 al tranzistorului, generând o tensiune variabilă în
primarul transformatorului.
Secundarele transformatorului fiind bobinate în acelaşi sens vor
furniza comenzi pe porŃile ambilor tiristori, dar va intra în conducŃie
numai tiristorul a cărui tensiune anodică este pozitivă.
În figura 10.13. sunt prezentate variante de comandă a CS cu
triac a) cu comanda în c.c. şi b) cu comanda în impulsuri.

≈V ≈V Tr
Zs Zs
E

Fig. 10.13. a) Fig. 10.13. b)

Transformatorul din figura 10.13 are rolul de a separa impulsurile

de comandă ( cu frecvenŃa de 2-6 kHz ) de circuitul de forŃă.
Comanda tiristorilor poate fi realizată şi direct din circuitul de
forŃă, ca în figura 10.14., în condiŃiile în care nu există pericolul
electrocutării (spre exemplu prin izolarea suplimentară a elementelor
la care este permis accesul).
K Zs

V R
V R

R1
a) b)
Fig. 10.14.

302
 Rezistorul R se determină din condiŃia privind valoarea maximă a
curentului absorbit pe poartă

2V
R> ; R1= 100 Ω, …,1kΩ.
I G max

10.3. Variatoare de tensiune continuă

Variatoarele de tensiune VTC continuă sunt circuite care se

intercalează între sarcină şi sursa de curent continuu, având rolul de a
modifica valoarea puterii transmise de la sursă la sarcină (motiv pentru
care se mai numesc şi transformatoare de curent continuu).

Variatorul de tensiune continuă cu tiristor auxiliar de stingere

In cadrul schemei variatorului de tensiune continuă cu tiristor

auxiliar de stingere din figura 10.15. tiristorul T1 este tiristorul
principal, fiind cel care alimentează în mod normal sarcina reactiv
inductivă
(Rs, Ls).

T1
L1’ IS
Vc
C +− T2 Ls
VA VS
D2
R

L1
D1

Fig. 10.15

Schema a fost prevăzuta cu un circuit de stingere format din

tiristorul T2 şi elementul de acumulare a energiei C (condensatorul C
de stingere).

303
 T1
Vc IT1
VA

C iC
- +
-VA Is
T2 Ls
VA
ic
VA
RS

b) t1≤t≤t2
ID1 T2
C
- +
t3 t4 t5
LS
D2
VA ID2
ID2 iC
RS

c) t2≤t≤t3
iS
T1
IS t1 t2
T1 D2 T1
- ic IT1
C
+

Vs L1
VA D1 Ls
VA
iSF=ct=
IT1-Ic Rs
toff ton

a) d) t4≤t≤t5

Fig. 10.16.

304
 Dioda D1 are rolul de a încărca condensatorul cu tensiune de
polaritatea corespunzătoare ( C −+ ) pentru a realiza stingerea tiristorului
principal . Stingerea tiristorului are loc pe seama energiei acumulate de
'
inductivitatea L1. Inductivitatea L1 limitează viteza de variaŃie a
curentului prin tiristorul T1. La conectarea in conducŃie a tiristorului T1
comutatorul K se închide şi curentul în circuit se deduce din ecuaŃia,
unde rezistorul are o valoare mică

di s di s di
R s i s + Li ⋅ = VA ⇒ Li ⋅ = VA ⇒ s .
dt dt Li

Din condiŃia de limitare a vitezei de variaŃie a curentului se obŃine:

di s di s VA
≤ ⇒ L'i = .
dt dt max
di s
dt max

Dioda D2, conectată în paralel cu sarcina, este diodă de nul, având

rolul de a permite descărcarea energiei acumulate de inductivitatea Ls,
după ce T1 a fost comutat în blocare.
În figura 10.16 sunt prezentate formele de undă asociate
elementelor schemei din figura 10.15.
Considerăm schema la momentul t1 când se dă comanda de
conducŃie a tiristorului T2. Condensatorul de stingere este încărcat cu
polaritatea din figura 10.15 adică cu sarcină negativă spre anodul
tiristorului T1 ( C +− ).
Curentul prin sarcina va fi asigurat de T1 şi T2 ( is = iT + ic ). 1

Deoarece T1 este alimentat la VA iar T2 este alimentat la VA + vc =2 VA

(tensiunea de pe condensator se adună cu tensiunea sursei) iT + iC = I s 1

curentul iT ↓
1
iar iC ↑ astfel încât is = ct (vezi
10.16,b).
Deoarece condensatorul îşi modifică tensiunea în mod oscilant cu
o constantă de timp τ 1 = π Ls C , atunci când vc=0, curentul ic este

305
maxim şi egal cu ic = Is, ceea ce înseamnă ca iM ≅ 0 , ( iC + iT = ct ), 1

conducând la blocarea tiristorului T1.

În intervalul de timp t2-t3 curentul iC ↓ şi condensatorul se
încarcă, de la sursă, cu polaritatea din figura c). Scăderea curentului
prin sarcină nu este permisă de energia înmagazinata în Ls,
determinând un curent prin dioda D2, astfel încât i D + iC = ct = i s .La
2

momentul t3, curentul ic s-a anulat (ceea ce înseamnă blocarea

tiristorului Ta iar curentul prin sarcină este menŃinut numai de energia
inductivităŃii L3 şi dioda D2 ( i D = is = I s = ct ).
2

În intervalul t3-t4 avem:

di D2 di D2
R s i D2 + L s ≤ 0 ⇒ Ls = 0 ⇒ i D2 = ct .
dt dt

Comanda tiristorului T1 trebuie să se facă înainte de epuizarea

energiei înmagazinate în Ls, pentru ca, curentul is să nu înceapă sa
scadă (la momentul de timp t4).
Tiristorul T1 asigură în intervalul t4-t5 curentul prin sarcina (is = Is
= ct) şi curentul ic de descărcare a energiei înmagazinate in câmpul
magnetic inductivităŃii L1, deci

iT1 = I s + ic .

Energia înmagazinata in câmpul inductivităŃii L1 se transfera, prin

curentul oscilant ic, către condensatorul C încărcându-l cu polaritate
C +− prin dioda D1 şi tiristorul in conducŃie T1. Anularea curentului ic
are loc când C s-a încărcat la valoarea VA. RelaŃia de dimensionare a L1
se determina din corelaŃia energetică
2
I2 V2 V 
W A = L1 ⋅ n = Wc = C ⋅ A ⇒ L1 = C  A  unde: In = Is =ct.
2 2  In 
După anularea curentului ic procesul tranzitoriu de comutare in
conducŃie a T1 este încheiat şi acesta rămâne in funcŃiune până la
comanda de blocare a acestuia (adică comanda lui T2).
Timpul tn minim este stabilit de timpul de încărcare a C cu sarcina
necesara blocării T1 (interval t4-t5) π L1C .

306
 Timpul toff minim este stabilit de comanda de blocare a tiristorului
T1. Dacă aceasta este tq atunci relaŃia de dimensionare a
condensatorului.

Ls ⋅ C
t blocare = , în intervalul t1-t2
2
Ls ⋅ C
t blocare ≥ t 2 ⇒ ≥ t2 ⇒ C
2

Variatorul de tensiune continuă cu autotransformator (Jones)

VTC cu autotransformator, din figura 10.17 elimină dezavantajul

VTC cu tiristor auxiliar care impunea a se comanda. (la conectarea
sursei de alimentare) un anumit tiristor din schemă.
T1

-
C
T2
+

L2 L1 D2
+ - + -
Ls
n1 n1
D1 Vs

VA Rs

Fig. 10.17.

307
 La comanda T1 circulă curent prin Ls, Rs → circulaŃia curentului
prin L1 face să se inducă în L2 o tensiune electromotoare
n2
VL2= v L → apare curent de încărcare prin C stabilind polaritatea
n1 + n 2 1
C +− . Circuitul de încărcare este D1, C, T1, L2. Când C s-a încărcat cu o
tensiune ≈Va → D1 se blochează.
T1 formează cea mai mare parte a tensiunii Vs iar T2 formează o
mică porŃiune, pe intervalul. Ton = π L2 C ⇒ C .

Variatorul de tensiune continuă cu 4 tiristori auxiliari de stingere

Schema din figura 10.18,a are în componenŃă tiristorii T2,..., T4

, cu ajutorul cărora se permite accesul la bornele condensatorului de
stingere C (pentru a-l încărca cu polaritatea corespunzătoare şi pentru
a-l conecta pe tiristorul care trebuie stins).

TP
L1

T2 T5
D1 Ls
+
T3 - C T4 V
s
VA Rs

Fig. 10.18 a

T2T4 T1 T3T5 T1

Fig. 10.18 b

308
Comanda T2T4 → C −+ prin RsLs.
Comanda Tp. Comanda stingere → T3T5 → stingereTP → incarcareC +− .
Comanda T1 Comanda stingere T2T4
Graful comenzilor este prezentat în figura 10.18 b.

Variatorul de tensiune continuă în mai multe cadrane

În figura 10.19a este prezentată schema de principiu a uni VTC

cu funcŃionare în 2 cadrane.
Se caracterizează prin faptul ca pentru acelaşi sens al curentului
prin sarcină tensiunea poate fi pozitivă sau negativă, ceea ce înseamnă
că funcŃionează în cadranele I şi II ale planului (Vs , Is ).

Vi t

-Vi T
c

a) b)

Fig. 10.19.

Dacă se comandă ambele contactoare statice CS1, CS2 pentru

alimentarea cu tensiune Vi a sarcinii în interval de timp Tc ( vezi figura
10.6a) pe sarcina avem tensiune pozitivă.
În intervalul de timp cât ambele contactoare sunt blocate (T-Tc)
avem regimul de frâna al maşinii şi tensiunea electromotoare E,
furnizată de maşina electrică, deoarece valoarea acestuia depăşeşte
valoarea tensiunii de intrare deschide diodele D1,D2.

309
 Polaritatea tensiunii de intrare şi sensul curentului prin sarcină se
menŃin (ca în intervalul TC ) dar se inversează sensul curentului prin
sursa de alimentare, ca în figura 10.19b.

Variatorul de tensiune continuă cu armonici reduse

Principiul reducerii armonicilor tensiunii de pe sarcină vs a

VTC din figura 10.20, constă în reducerea saltului de tensiune de la 0
Vi
la Vi la valori mai mici şi anume de la la V L .
2

Fig. 10.20.

Se presupune că inductivitatea sarcinii este suficient de mare

pentru ca curentul prin sarcină să fie constant în orice interval de timp
IS = constant.

a) b)
Fig 10.21.

Când se comandă CS1 intensitatea curentului I11 determină

inducerea unei tensiuni în L2 cu polaritatea din figură. Tensiunea

310
indusă deschide dioda D2 şi curentul se închide prin D2LSRS , ca în
figura 10.21a, cu respectarea condiŃiei
Is = I11+iD2 = ct

Graful comenzilor este CS1, CS1+CS2, CS2, CS1+CS2, retur la

început.
Bobinele L1 şi L2 sunt cuplate magnetic aşa încât când circulă
Vi
curent prin una (L1) în cealaltă se induce o tensiune electrica = ,
2
pentru că suma tensiunilor pe cele două inductivităŃi trebuie să fie
egală cu tensiunea de alimentare.
S-a notat cu 1 intervalul de timp cât în circuit numai CS1 este în
conducŃie, cu 3 când numai CS2 este în conducŃie şi respectiv cu 2
când sunt ambele contactoare statice în funcŃiune.
Figurile 10.22a şi 10.22b prezintă structura variatorului de
tensiune la diferite momente de timp, momente de timp precizate în
figura 10.8b.

a) (2) =(3) şi (1) b) (3)

Fig 10.22.
Vi
Tensiunea nu se mai modifica de la 0V la Vi ci de la la Vi, ceea
2
ce înseamnă ca va scădea amplitudinea armonicilor tensiunii introduse
de CS in reŃea.

Contactor static de curent continuu

Contactoarele statice (CS) de curent continuu au rolul de a

întrerupe şi de a restabili un circuit electric, într-un timp scurt (de
ordinul microsecundelor).

311
 În figura 10.23 este prezentat un CS cu circuit de stingere RC,
unde Tp este tiristorul principal care are rolul de a alimenta sarcina
reactiv inductivă Rs, Ls.
Circuitul de stingere este realizat de tiristorul secundar Ts
,condensatorul de stingere Cs şi rezistorul Ra.
În intervalul de conducŃie (de durată nelimitată) a tiristorului Tp
sarcina este alimentată de la sursa de tensiune Vak, iar condensatul C
este conectat ( prin Tp ) cu borna notata (+) la masă. Condensatorul se
încarcă prin Ra, cu constanta de timp ‫ح‬i = RaC până la valoarea Vak (cu
polaritatea înscrisă pe figura 10.23)

a) b)
Fig. 10.23.

Comanda tiristorului de stingere Ts (la momentul aleator t1)

conectează condensatorul C +− în paralel cu tiristorul Tp. Condensatorul
se descarcă de la valoarea vci ≤ Va şi se încarcă cu polaritatea inversă
până la valoarea VCF= -VAA, cu constanta de timp ‫ح‬1 = RsC, după o
curbă exponenŃială
t
−
Vc (t ) = VCF − (VCF − VCI ) ⋅ e τ1
.

Curentul prin tiristor continuă să circule. Anularea tensiunii

Vak=Vc=0 se face după un timp ∆ts.

Vc (∆t s ) = 0 → ∆t s = R s C ⋅ ln 2 = 0,69 R s C .
Tiristorul Tp se blochează dacă tensiunea negativă anod-catod,
dată de condensatorul Cs, se menŃine un timp suficient (în catalog
timpul de blocare se notează cu tq), ceea ce impune relaŃia

312
 tq
∆t s ≥ t q ⇒ C s ≥ 1,45 ⋅
Rs
din care se dimensionează condensatorul de stingere.
Întrerupătorul IP are rolul de a conecta circuitul la sursa de
energie Va.
Contactorul static poate fi completat cu un circuit pentru
protecŃia la supracurent a sarcinii ca in figura 10.24.
Dioda Dn cu rolul de a menŃine curentul prin sarcina după
blocarea ambilor tiristori în scopul epuizării energiei înmagazinate in
câmpul magnetic al inductivităŃii Ls.
Circuitul de protecŃie este realizat cu grupul de diode D1 – Dk si
rezistorul Rsc montat in serie cu tiristorul Tp. Creşterea curentului prin
sarcina determina creşterea tensiunii Vsc = Rsc*Is.

Fig. 10.24.

Rezistorul Rsc se dimensionează aşa încât la curentul maxim Imax,

VD + VGKS
tensiunea Vsc ( Vsc = Rsc ⋅ I max ≥ VD + VGKS ⇒ Rsc = ) , să
I max
depăşească pragul de deschidere a diodelor D1-Dk
( VD = K ⋅ VD ≅ 0,65 ⋅ kΩ ) şi tensiunea de grilă VGK la care sa intre in
conducŃie tiristorul de stingere Ts.

313
 Se montează una sau mai multe diode D1 – Dk in funcŃie de
mărimea curentului Imax, în aşa fel ca Rsc să fie de valoare mică (de
ordinul Ω).
Schema a fost prevăzută şi cu elemente de comandă a opririi
(butonul B0 care alimentează grila tiristorului de stingere) şi elemente
pentru conectarea sarcinii (butonul BP- care alimentează grila
tiristorului principal Tp prin Ra si rezistorul de protecŃie la supracurent
R1).
De notat că după întreruperea curentului prin sarcină (prin
apăsarea butonului de oprire B0, sau după acŃiunea circuitului de
protecŃie) circuitul nu alimentează sarcina prin simpla apăsare a
butonului de pornire BP. Se impune ca mai întâi schema să fie scoasa
de sub tensiune, pentru scurt timp, prin acŃionarea întrerupătorului de
pornire IP.
Tiristorul Ts nu iese din conducŃie de la sine, după anularea
curentului prin sarcina, deoarece
rămâne conectat la sursa de alimentare prin rezistorul Ra.
Anularea curentului prin Ts se face numai prin acŃionarea
întrerupătorului IP.
În figura 10.25 se prezintă un CS care elimină acest dezavantaj
privind repornirea . De notat că poate fi un dezavantaj dar în anumite
aplicaŃii se impune ca schema de alimentare să nu pornească fără
comandă la revenirea tensiunii de alimentare.

Fig. 10.25.

Apăsarea butonului de pornire BP determină alimentarea grilei Tp

prin rezistorul Ra şi conectarea la sursă a sarcinii.

314
 Apăsarea butonului de oprire BO conectează borna încărcată cu
sarcină negativă pe anodul tiristorului Tp şi determină ieşirea din
conducŃie a acestui tiristor.
Timpul de apăsare BO trebuie să fie mai mare decât timpul de blocare
tq al tiristorului (aşa cum se îndeplineşte totdeauna deoarece tq este de
ordinul µs).
Circuitul nu permite implementarea montajului de protecŃie la
supracurent pentru că nu poate fi separat de sursa de alimentare
(potenŃialul pe Rs ar fi RscImax , iar potenŃialul pe catodul diodelor ar fi
Va - conectate la borna dinspre sursa a BO – motiv pentru care diodele
nu vor intra niciodată în conducŃie).

10.4. Invertoare

Invertoarele sunt circuite electronice având rolul de a converti

tensiunea de curent continuu, aplicată la intrare, într-o tensiune
variabilă în timp (de formă dreptunghiulară sau sinusoidală) pe care o
furnizează sarcinii.

Caracteristici ale comutatoarelor din componenŃa invertoarelor

Tensiunea de intrare a invertorului fiind de curent continuu, se

impune ca întrerupătoarele să fie comandate atât pentru intrarea în
conducŃie cât şi pentru blocarea curentului.
Se pot utiliza pentru diferite domenii, ce pot fi vizualizate în
figura 10.26, dispozitivele electronice expuse în continuare.
- tranzistori bipolari (TBP), pentru f < 50 kHz
I Cmax = 1200A VCEmax = 1200V ;
- tranzistori MOS-FET pentru f < 200 kHz
I Dmax = 100A VDSmax = 600V ;
- tiristori convenŃionali, prevăzuŃi cu circuite auxiliare care să
determine ieşirea comandată din conducŃie, pentru f < 500Hz
I Amax = 5000A VAKmax = 6000V ;
- tiristori GTO, pentru f < 2 kHz
I Amax = 4000A VAKmax = 5000V ;
- tiristori I.G.B.T pentru f < 20 kHz
I Amax = 1200A VAKmax = 3300V ;
- tranzistori Darlington – cu domeniul stabilit de TBP.

315
 IA [A]
5000
Tiristor conventional (SCR)
4000
GTO (2KHz)

1200
800 TBP (50KHz) IGBT

(20KHz

100MOS(200KHz VAK [V]

600 1200 3300 5300 6000

Fig. 10.26.

Invertoarele de tensiune necesită comutatoare (vezi figura 10.27a)

care să accepte:
- numai tensiuni VAK > 0;
- curenŃi in ambele sensuri IA <> 0.
Invertoarele de curent necesită comutatoare (vezi figura 10.27b) care
să accepte:
- tensiuni VAK <> 0;
- curenŃi IA > 0.

A A

IA
VAK>0 K1
K1 VAK<>0

IA
a) b)
Fig. 10.27.

316
 Clasificarea invertoarelor
A. După sursa de alimentare a invertorului acestea pot fi:
- invertorul de tensiune – se alimentează, ca în figura 10.28a,
de la o sursă de tensiune (caracterizată prin valoarea mică a rezistenŃei
interne). Au rolul de a comuta tensiunea ⇒ tensiunea pe sarcină este
determinată de invertor, iar curentul prin sarcină este determinat de
natura acesteia. Curentul prin condensator are orice sens, dar
tensiunea este numai pozitivă.
- invertorul de curent – este alimentat, ca în figura 10.28b, de
la o sursă de curent (rezistenta internă foarte mare) astfel încât
invertorul are rolul de a comuta un curent. Tensiunea pe sarcina este
data de natura sarcinii. Curentul prin condensator circula intr-un singur
sens, dar tensiunea poate fi pozitivă sau negativă.

IA INV. L iA INV.
VA DE ek uA DE
ek TENS. CURENT

a) b)
Fig. 10.28.
Bateria de acumulatori este o sursă de tensiune, pentru că
v A > 0, i A <> 0 , ceea ce înseamnă că se utilizează la alimentarea
invertoarelor de tensiune. Bateria de acumulatori este o sursă de
tensiune dar poate alimenta invertoarele de curent dacă conectăm în
serie o inductivitate L, ca în figura 10.29b, care va simula o sursă de
curent.

di A
e + u A = ek ⇒ L + UA = E
dt
di A
uA = E − L
dt

Circuitul de redresare prevăzut cu condensator de filtraj este o

sursa de curent, deci poate alimenta invertoare de curent ca în figura
10.30. Circuitul de redresare poate alimenta un invertor de tensiune

317
dacă se poate schimba sensul curentului. Pentru aceasta se conectează
redresorul la un circuit de inversare a curentului, spre exemplu prin
intermediul celor patru tiristori din figura 10.29.

LA iA
INV.
C VA DE
REDR. CUREN
i A > 0, v A <> 0

Fig. 10.29.

LA IAR T1+ IA+

T1- IA- C
~ INV.
REDR T2+ DE
. TEN
T2-

Fig. 10.30.

Redresorul furnizează IAR > 0 , dar curentul absorbit de

invertorul de tensiune poate fi iA+ sau iA-.
Se pot folosi doua redresoare: unul pe V+ si altul pe V- , cu punct
de nul.
Notă: Invertorul de tensiune alimentează receptoare de curent, iar
invertorul de curent alimentează receptoare de tensiune . Sursa şi
receptorul trebuie să fie diferite unul de curent şi celălalt de tensiune.

B. După modul de comandă al comutatorului invertorul poate fi

comandat
- cu undă plină;
- cu impulsuri modulate în lăŃime.
C. După numărul de faze utilizate de invertor acesta poate fi

318
 - monofazat;
- trifazat (şi uneori cu mai mult de trei faze).
D. După forma semnalului de pe sarcină invertorul poate fi:
- cu semnal dreptunghiular;
- cu semnal dreptunghiular modulat în durată;
- cu semnal triunghiular (sintetizat sau nu).

Invertorul paralel (de tip Wagner)

Invertorul Wagner, a cărui schemă de principiu este în figura

10.31, este un invertor cu tensiune de ieşire dreptunghiulară. Sarcina
ZS este cuplată la invertorul propriu zis prin transformatorul TR.
Inductivitatea Lf are o valoare suficient de mare pentru ca să se
opună variaŃiilor curentului absorbit, cu alte cuvinte are rolul de a
menŃine constant curentul în circuit.

VL Lf
ZS +

- + - + VC
L1 L2
C

- +
C
T T2
1

Fig. 10.31.
La comanda tiristorului T1, curentul în circuitul se închide prin LfL1T1
şi datorită faptului că L1 este cuplată magnetic cu L2 ,în L2 se induce o
tensiune egală cu tensiunea de alimentare VCC ⇒ C se încarcă
rezonant de la L1 şi L2 la tensiunea maximă
vC= VL + VL = VCC + VCC = 2VCC .
1 2

Curentul şi tensiunea într-un circuit rezonant RLC se modifică

sinusoidal, aşa fel că atunci când se anulează curentul tensiunea pe
condensator va fi maximă (egală cu 2 VCC). Anularea curentului în

319
circuit, înseamnă anularea curentului anodic al tiristorului T1, în acel
punct se blochează (natural) T1. Valoarea maximă a timpului de
conducŃie a tiristorului T1 este t C1 max = π C(L1 + L 2 ) , adică o
semialternanŃă a curentului.
Dacă T2 este comandat înainte de tC!max condensatorul C se
conectează cu borna (-) pe T1 şi determina stingerea acestuia (ieşirea
din conducŃie prin anularea curentului). De notat că valoarea tensiunii
inverse aplicate pe AT1 este maximă la tC!max, altfel tensiunea va fi mai
mică.
Formele de undă asociate sunt prezentate în figura 10.32,
corespunzătoare tensiunii de pe tiristor VAK2 şi tensiunii VL de pe
sarcină.

VAK2

2VCC

-2VCC
cda T2

t C1 tC2

Fig. 10.32.

La comanda tiristorului T2 curentul se închide pe calea Lf L2 T2

ceea ce face ca polaritatea tensiunii pe condensator să se inverseze.
Similar primului interval de timp avem valoarea maximă

tC2 max = π ( L1 + L2 )C .

320
 Curentul în primarul transformatorului are sensuri diferite în cele
două intervale de timp, rezultă că în secundarul transformatorului se va
induce o tensiune VL, cu o polaritate în primul interval de timp şi cu
polaritatea opusă în cel de al doilea interval, ca în figura 10.33.

Invertorul cu aproximarea prin segmente a sinusoidei

În scopul reducerii distorsiunilor curentului absorbit de invertor

din linia de alimentare, se impune ca forma acestuia să fie cât mai
apropiată de o sinusoidă.
Pentru că o formă de undă sinusoidală nu se obŃine decât în cazul
circuitelor aflate la rezonanŃă, se recurge (uneori ) la aproximarea
sinusoidei cu segmente de dreaptă.

V2
Vc Vc
V V
V
Va
t

-Va -Va
-Vb -Vb
-Vc -
T Vc

Fig. 10.33

Spre exemplu dacă se utilizează 3 nivele de tensiune notate cu Va,

Vb, Vc sinusoida V2 poate fi aproximată ca în figura 10.33.
Daca raportul între segmente este
Va V
= 0,265, b = 0,735 ,
Vc Vc
atunci forma de undă din figura 10.33 se descompune într-o sumă de
termeni sinusoidali de diferite frecvenŃe (conform dezvoltării în serie
Fourier)

321
  sin11ωt sin13ωt sin23ωt 
V2 = 2V  sinωt + + + + ...
 11 13 23 

1 1 1
V2ef , 1 + 2
+ 2 + 2 + ... V
11 13 23
unde V2 este tensiunea aproximată cu cele trei segmente, de valoare
efectivă V2ef.

Tensiunea V2 are în componenŃă fundamentala de frecvenŃă

1
f = , ω = 2πf iar prima armonică se are frecvenŃa 11f şi amplitudinea
T
de 11 ori mai mică decât fundamentala.
În figura 10.35 este prezentat un circuit care implementează invertorul
cu aproximare prin trei segmente a sinusoidei.

T1

Va T4
+ L2
INV.
VCC T5
paralel Ls
- C2 C2 V
Vb R
s
T s

T6

Vc
T3

Fig. 10.34.

Circuitul primar al transformatorului conŃine un invertor Wagner

sau Murray care determină o formă de undă dreptunghiulară. Numărul
se spire din fiecare secundar este aşa fel încât la aceeaşi valoare a
tensiunii din primar în fiecare circuit secundar să se obŃină respectiv
tensiunile Va, Vb, Vc. Contactoarele statice din fiecare secŃiune
secundară sunt comandate pentru a obŃine forma de undă din figura
10.34, astfel

322
 T1-T2-T3-T3-T2-T1-pauză-T4- T5-T6-T6-T5-T4- pauză –

şi se repetă programul de comandă.

Circuitul L2, C2 realizează un filtru trece –jos pentru frecvenŃe mai
mici de 11f.

Invertorul cu sarcina RLC la rezonanŃă

Sarcina rezistiv - inductivă RLs este completată cu condensatorul

C0 de acord aşa ca circuitul de sarcină să formeze un circuit oscilant
1
RLC serie cu frecvenŃa de oscilaŃie f = .
2π Ls C0

Lf
D1 D4
Cf
T1 T4
VCC iJ
C0 LS RS
T2 T3
D2 Vd D3

Fig. 10.35.

Se impune ca X C > X L astfel încât ZS=RS+j(XL-XC) sa aibă

0 S

componentă capacitivă, ca în figura 10.35, pentru ca curentul prin

sarcină să fie înaintea tensiunii cu un mic unghi ϕ .

vd
+VCC
id

-VCC

Fig. 10.36.

323
 În aceste condiŃii tensiunea este negativă atunci când id=0,
ϕ
tiristorul va avea o tensiune VAK<0 un timp ti= > t q calculat aşa ca să
ω0
fie mai mare ca timpul necesar ieşirii din conducŃie a tiristorului
(evacuării sarcinii stocate).
Se comandă simultan T1T3 şi T2T4.
Diodele intră în conducŃie în intervalul de timp asociat defazajului
ϕ pentru că s-a schimbat sensul curentului, tiristorul nu permite
circulaŃia curentului şi condensatorul trebuie să schimbe polaritatea
tensiunii. Frecventa maximă de comanda este limitată de timpul de
blocare al tiristorului. Se adoptă (ti=1,2tq+5µs) ⇒

π 1 1 1
ϕ max = = ω 0 t i = 2ππn t i → f m = = ≅ .
2 4t i 4(1,2t q + 5) 5t q

Invertorul de curent monofazat cu semnal de ieşire

dreptunghiular

Sursa de alimentare având în componenŃă inductivitatea LA de

valoare mare este o sursă de curent ceea ce face ca curentul furnizat de
sursă este constant: IA = constant. Schema de principiu a invertorului
de curent, fără precizarea tipului de dispozitiv semiconductor utilizat,
este prezentată în figura 10.37.

LA IA = ct

K1 K3
VS
E
VA
iS ZS
K4
K2

Fig. 10.37.

324
 iS
+IS
t
π 2π 3π ωt

-IS

vS
+VA t
ωt
Z=RS
-VA

vS t
ωt
Z=RS; LS
φ

vS t
ωt

φ Z=RS ; CS

Fig. 10.38
Curentul fiind impus de sursă ⇒ comutatoarele au rolul de a
schimba sensul curentului prin sarcină ⇒ se comută simultan K1, K4 si
respectiv K3, K2. Tensiunea pe sarcină depinde de natura acesteia, în
figura 10.38 fiind prezentate forma de undă a tensiunii pentru diferite
tipuri de sarcină (R, R+L, R+C).
Se constată că în momentul comutaŃiei (0, π,2π.....) tensiunea pe
comutator
 v − vS 
 v A = v S + 2v AK ⇒ v AK = A > 0  este pozitivă motiv pentru care se
 2 
impune ca schema să conŃină comutatoare care să se blocheze prin

325
comandă externă, sau schema să fie completată cu elemente care să
determine blocarea comutatorului.

Modularea în durată a impulsurilor de comandă (PWM)

Modularea în impulsuri (MDI sau PWM) permite:

- modificarea valorii efective a fundamentalei;
- modificarea frecventei fundamentalei;
- transferarea armonicilor la frecvenŃe mari (mai uşor de
filtrat).
Semnalele de comanda sunt declanşate de intersecŃia dintre:
- o formă de undă vo de aceiaşi formă cu unda dorită la ieşire, cu
frecventa fo şi amplitudinea u 0 ;
- o forma de unda triunghiulara vp de referinŃa (sau purtătoare),
caracterizată prin amplitudinea u p şi frecvenŃa fp.
Se definesc parametrii MID:
fp fp
m= - gradul de modulaŃie fo = ⇔ To = mTp
fo m
uo
r= - coeficientul de reglaj al tensiunii
up
U o = rU p
Modularea este:
- sincronă dacă m∈N ⇒ f p = mf o
- asincronă dacă m ∈ R ⇒ cel mai utilizat caz este cu
f p = const si f o = variabil
Comanda valorii efective a tensiunii pe sarcina se face prin
modificarea lui r iar comanda frecventei tensiunii pe sarcina se face
prin modificarea lui m .

326
 Teste de autoevaluare C (capitolele 8, 9 şi 10)

1. Stabilizatorul are rolul de a

a) menŃine constantă tensiunea continuă
b) menŃine constantă tensiunea alternativă
c) valoarea curentului prin sarcină
2. Elementul de reglaj al stabilizatorului poate fi conectat
a) în serie cu sarcina
b) în paralel cu sarcina
c) mixt
3. Amplificatorul de eroare dintr-un ST prelucrează
a) tensiunea de intrare
b) tensiunea de ieşire
c) curentul de intrare
4. Circuitele de protecŃie ale ST protejează
a) sarcina
b) reŃeaua de alimentare
c) elementul de comandă
5. Oscilatorul generează semnale
a) dreptunghiulare
b) sinusoidale
c) în dinte de fierăstrău
6. Un amplificator generează oscilaŃii dacă are o reŃea de reacŃie
a) pozitivă
b) negativă
c) nu contează
7. FrecvenŃa de oscilaŃie pentru un oscilator RC este
6
a) f =
2πRC
1
b) f =
2π 6 RC
8. Cristalul de cuarŃ are un număr de frecvenŃe de rezonanŃă
a) 1
b) 2
c) 3
9. Redresorul trifazat monoalternanŃă determină armonici
semnificative în domeniul
a) [150,600] Hz
b) [100,600] Hz

327
 c) nu generează armonici
10. Controlul de fază se referă la modificarea
a) unghiului de conducŃie al dispozitivelor
b) sarcinii redresorului
c) a formei de unda a tensiunii
11. Contactoarele statice au rol de
a) întrerupător
b) generator de electroni
c) de a controla sursa de semnal
12. PrecizaŃi rolul elementelor reactive de circuit din componenŃa
variatoarelor de tensiune continuă
a) de stingere a tiristorilor
b) de protecŃie
c) acumulatoare de energie
13. Invertorul
a) inversează polaritatea tensiunii
b) converteşte energia de c.c. în energie de c.a.
c) inversează fluxul de putere
14. Invertorul de curent alimentează
a) motoare de c.c.
b) receptoare de tensiune
c) receptoare de curent
15. Generarea tensiunilor sinusoidale la ieşirea invertorului se face
a) prin aproximare
b) prin PWM
c) prin acordarea sarcinii

SoluŃiile testelor de autoevaluare

Teste C 1. a ; 2. a,b ; 3. b ; 4. a,c ; 5. a,b,c ; 6. b ; 7. a,b ; 8. b ; 9. a ;

10. a ; 11. a ; 12. a,c ; 13. b,c ; 14. b ; 15. a,b,c .

328
 CUPRINS

Modulul C

8. Stabilizatoare liniare de tensiune continuă 225

8.1. Parametrii stabilizatoarelor (ST) 225
8.2. Topologia stabilizatoarelor liniare 228
8.3. ST în buclă deschisă cu element de comandă serie 231
8.4. ST în buclă deschisă cu element de reglaj paralel 233
8.5. ST în buclă închisă de reacŃie, element de reglaj serie 234
8.6. ST cu tranzistori bipolari în buclă închisă de reacŃie 238
8.7. Circuite pentru protecŃia stabilizatoarelor 243
8.8. Stabilizatoare cu circuite integrate 248

9. Oscilatoare electronice 261

9.1. Principii de realizare a oscilatoarelor cu reacŃie pozitivă 262
9.2. Oscilatoare armonice cu reacŃie pozitivă de tipul „RC” 265
9.3. Oscilatoare armonice „LC” 276

10. Circuite electronice de putere 283

10.1. Redresoare de putere 283
10.2. Variatoare de tensiune alternativă 295
10.3. Variatoare de tensiune continuă 303
10.4. Invertoare 315

Teste de autoevaluare C 327

SoluŃiile testelor 328

329
330