Semi-conducteur

Historique

• 1833 : Michael Faraday remarqua le pouvoir conducteur de certains

métaux lorsque l'on augmente la température, contrairement aux métaux
classiques.
• 1833 : Effet photovoltaïque. A. Becquerel constate une différence de
potentiel en éclairant le point de contact entre un conducteur et un
électrolyte.
• 1878 : Effet Hall. H. Hall découvre une différence de potentiel dans le
cuivre dans la direction perpendiculaire au courant et au champ
magnétique.
• 1931 : Théorie moderne des semi-conducteurs. K.G. Wilson décrit les
semi-conducteurs comme isolant à faible bande interdite.
• 1948 : J. Bardeen, W.H. Brattain et W. Shockley découvrent l'effet
transistor.
• 1954 : Fabrication des premiers transistors en silicium.
• 1961 : Pierre Aigrain lance la recherche sur les semi-conducteurs 1

Les semi-conducteurs sont des matériaux présentant une conductivité électrique

intermédiaire entre les métaux et les isolants. Les semi-conducteurs sont
primordiaux en électronique, car ils offrent la possibilité de contrôler, par divers
moyens, aussi bien la quantité de courant électrique susceptible de les traverser
que la direction que peut prendre ce courant.

• Dans un semi-conducteur, un courant électrique est favorisé par deux

types de porteurs : les électrons et les trous.
o La propagation par l'intermédiaire d'électrons est similaire à celle
d'un conducteur classique : des atomes fortement ionisés passent
leurs électrons en excès le long du conducteur d'un atome à un
autre, depuis une zone ionisée négativement à une autre moins
négativement ionisée.
o La propagation par l'intermédiaire de trous est différente : ici, les
charges électriques voyagent d'une zone ionisée positivement à une
autre ionisée moins positivement par le mouvement d'un trou créé
par l'absence d'un électron dans une structure électrique quasi
pleine.

• Le silicium pur est un semi-conducteur intrinsèque. Les propriétés d'un

semi-conducteur (c'est-à-dire le nombre de porteurs, électrons ou trous)
peuvent être contrôlées en le dopant avec des impuretés (autres
matériaux). Un semi-conducteur présentant plus d'électrons que de trous

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 est alors dit de type N, tandis qu'un semi-conducteur présentant plus de
trous que d'électrons est dit de type P.

Les semi-conducteurs

- Les semi-conducteurs sont des corps dont la résistivité est

intermédiaire entre celle des conducteurs et celle des isolants. Parmi les
corps simples utilisés en électronique, le germanium et le silicium sont
des semi-conducteurs (. Leur résistivité est plusieurs centaines de
milliers de fois plus grande que le cuivre. Le silicium est le corps le plus
abondant dans la nature puisqu'il est à la base de la plupart des roches.
Sa température de fusion est de l'ordre de 2000 °C. L'arséniure de
gallium, alliage d'arsenic (5 électrons sur la couche externe) et de
gallium (3 électrons), se comporte comme un corps qui aurait 4 électrons
sur sa couche externe, comme le germanium ou le silicium. Il est
principalement utilisé en très hautes fréquences

Cristallisation du silicium

Un atome de Deux atomes voisins peuvent Chaque atome

silicium possède 4 mettre en commun chacun un peut se lier à 4
électrons sur sa électron et deviennent liés par atomes voisins et
couche externe une liaison covalente former un
tétraèdre

Un atome pentavalent comme l'arsenic possède 5 électrons sur sa

couche externe On se retrouve alors avec un électron supplémentaire,
donc libre. Les porteurs de charges majoritaires sont alors de polarité
négative, le cristal est dit dopé N. Les porteurs de charge minoritaires
sont dans ce cas les trous (positifs) de la conductivité intrinsèque.

Si l'impureté est un atome trivalent (3 électrons sur sa couche externe,

comme le bore ou l'indium) il est dit atome accepteur car il va capter un

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électron et générer un trou.
Les porteurs majoritaires sont beaucoup plus nombreux que les porteurs
minoritaires (106 à1012 fois plus nombreux). Le cristal est dit dopé et
comme les porteurs de charges majoritaires sont des trous, positifs, le
cristal est dit dopé P. Les électrons libres qui correspondent à la
conductivité intrinsèque sont appelés porteurs minoritaires.
La diode à jonction, principe

Une jonction PN ne laisse passer le courant que dans le sens direct, lorsque sa cathode (zone N) est
reliée au - de la source de courant continu. Dans le sens inverse l'intensité est très faible, la diode se
comporte comme une résistance très élevée.

sens direct, courant fort sens inverse, courant faible

• Fonctionnement d'une diode classique:

o Par analogie avec le clapet, on peut differencier deux etats pour la
diode: passante et bloquée:
o

Etat passant: Ve > Vs

La diode est passante lorsque Ve > Vs.

On a alors Id > 0
et Vd > 0 (en fait Vd reste à 0.7V
environ)

Le courant circule de l'anode de la

diode (reperée "A") vers le cathode de
la diode (reperée "C")
C'est le cas où le clapet est ouvert

Etat passant: Ve > Vs

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 La diode est bloquée lorsque Ve < Vs

On a alors Id = 0
et Vd <= 0

la tension aux bornes de la diode est

negative
C'est le cas où le clapet est fermé

•
o Vous venez de voir le fonctionnement d'une diode idéale, voyons maintenant le
fonctionnement d'une diode dans la réalité:
Il y a une tension de seuil qui apparait: 0.7V environ pour une diode au
silicium (0.4V pour une diode au germanium). Cette tension de seuil
correspond a la pression minimale qu'il faut exercer pour pousser la bille du
clapet.

Voici la courbe réelle qui peut

toujours se décomposer en deux
parties:

La zone où la diode est bloquée,

c'est a dire que Vd < 0.7V
Dans cette zone, on peut considerer
que le courant Id est nul, mais il ne
l'est pas totalement.

La zone où la diode est passante,

c'est à dire que Vd > 0.7V
Dans cette zone, Vd reste proche de
la tension de seuil (0.7V), mais
augmente legèrement avec le
courant.

Transformateur électrique

Invention

Les principes du transformateur ont été établis en 1831 par Michael Faraday, mais celui-ci ne
s'en servi que pour démontrer le principe de l'induction électromagnétique et n'en prévit les
applications pratiques .

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Ainsi, en 1885, les Hongrois Károly Zipernowsky, Miksa Déry et Otto Titus Bláthy mettent
au point un transformateur avec un noyau annulaire commercialisé dans le monde entier par la
firme Ganz à Budapest. Aux USA, W. Stanley développe des transformateurs.

Constitution

Il est constitué de deux parties essentielles, le circuit magnétique et les enroulements.

Le circuit magnétique [modifier]

Le circuit magnétique d'un transformateur est soumis à un champ magnétique variable au

cours du temps. Pour les transformateurs reliés au secteur de distribution, cette fréquence est
de 50 ou 60 Hertz. Le circuit magnétique est généralement feuilleté pour réduire les pertes par
courants de Foucault, qui dépendent de l'amplitude du signal et de sa fréquence. Pour les
transformateurs les plus courants, les tôles empilées ont la forme de E et de I, permettant ainsi
de glisser une bobine à l'intérieur des fenêtres du circuit magnétique ainsi constitué.

Les circuits magnétiques des transformateurs « haut de gamme » ont la forme d'un tore. Le
bobinage des tores étant plus délicat, le prix des transformateurs toroïdaux est nettement plus
élevé.

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Les enroulements

Les enroulements sont en général concentriques pour minimiser les fuites de flux

Fonctionnement du transformateur monophasé

Transformateur parfait ou idéal

Transformateur monophasé idéal

C'est un transformateur virtuel sans aucune perte. Il est utilisé pour modéliser les
transformateurs réels. Ces derniers sont considérés comme une association d'un
transformateur parfait et de diverses impédances.

Dans le cas où toutes les pertes et les fuites de flux sont négligées, le rapport du nombre de
spires primaires sur le nombre de spires secondaires détermine totalement le rapport de
transformation du transformateur.

• Exemple: Un transformateur dont le primaire comporte 230 spires alimenté par une
tension sinusoïdale de 230 V de tension efficace, le secondaire qui comporte 12 spires
présentera à ses bornes une tension sinusoïdale dont la valeur efficace sera égale à 12
V. (Attention en général 1 spire n'est pas égale à 1 V)

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Comme on néglige les pertes, la puissance est transmise intégralement, c'est pourquoi
l'intensité du courant dans le secondaire sera dans le rapport inverse soit près de 19 fois plus
importante que celle circulant dans le primaire.

De l'égalité des puissances apparentes : , soit : on tire : .

• quelques volts à quelques dizaines de volts.

•

~ Ce montage
est constitué
d'un
transformateur,
suivi du
fameux pont de
diode.

~ La tension à
l'entrée et la
sortie du
transfo ont
exactement la
meme allure,
seul leur valeur
efficace (Veff)
change (220V
a l'entrée, et
par exemple
12V à la sortie)

~ Le pont de
diode permet
de rendre Vs
entierement
positive.

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 ~ La tension a l'entrée du pont de diodes (Ve)
est représentée par la premiere courbe. La
tension a la sortie du pont de diodes (Vs) est
representée par la seconde courbe.

~ Lorsque l'alternance de Ve est positive (noté

+ sur les courbes), les diodes D1 et D3 sont
passantes, et l'alternance de sortie est la meme
que l'alternance d'entrée.

~ Lorsque l'alternance de Ve et negative (noté -

sur les courbes), les diodes D2 et D4 sont
passantes, et l'alternance de sortie est l'opposée
de l'alternance d'entrée.

~ Voila, on obtient donc en sortie une tension

qui est certe positive, mais qui n'est pas tout a
fait continue (elle n'est vraiment pas stable).
Pour la rendre plus stable, on fait le montage
suivant.

• C'est le meme montage que precedemment, avec en plus un condensateur mis en

parallele sur la sortie.

~ On obtient
alors un signal
de sortie Vs'
(voir courbe
3) qui est
quasiment
stable. Les
legeres
variations sont
dues à la
charge et à la
decharge du
condensateur.

~ Notez que le
courant Is
n'est pas nul
(on alimente
un montage).
Si ce courant
etait nul, la
courbe serair
parfaitement
horizontale.

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Supposons qu'on veuille faire une
alimentation de 20V, 1

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