CAPÍTULO 3 - TIRISTORES :

O tiristor é um importante dispositivo semicondutor utilizado na eletrônica industrial. O

nome tiristor é dado à uma família de semicondutores de 4 camadas pnpn com três junções e três
terminais : anodo (A), catodo (K) e gate (G).

O componente principal da família dos tiristores é o SCR, que por ter uma aplicação muito
grande em eletrônica de potência, recebe em muitas bibliografias a denominação de tiristor. Deve-
se, portanto, considerar que : todo SCR é um tiristor mas, nem todo tiristor é um SCR. Neste item
estuda-se as características de funcionamento de alguns tiristores, principalmente o SCR.

3.1 - SCR ( SILICON CONTROLLED RECTIFIER ) :

O SCR, como o próprio nome diz, é um dispositivo de controle de potência composto por
uma estrutura de 4 camadas, com três treminais, como é mostrado na figura 3.1.
A

p A
j1
n
j2
G p
j3 G
n K

K
a) b)
Figura 3.1 : a) estrutura do SCR, b) símbolo do SCR

O gate do SCR permite controlar o momento em que a condução deve se iniciar.

Quando a tensão VA>VK as junções j1 e j3 são diretamentente polarizadas. A junção j2 está

reversamente polarizada e somente uma pequena corrente de fuga circula pelo SCR. Se VAK atinge
um valor suficientemente grande que venha a romper a junção j2, o SCR conduz por sobretensão (
foward breakdown voltage ), assim há o movimento de elétrons através das três junções, resultando
em uma corrente de anodo grande.

A queda de tensão de condução direta do SCR é tipicamente 1V, podendo ser menor ou
maior, dependendo do nível de potência do componente.

Uma vez que o SCR está conduzindo, não há mais controle sobre o componente ou seja, o
circuito de gate perde a sua função. Para que o SCR cesse sua condução, a corrente IAK deve ser
levada à um valor inferior a corrente de manutenção IH, especificada pelo fabricante, indo para então
para o estado de bloqueio reverso.

22
 Quando VA<VK, a junção j2 fica diretamente polarizada mas, j1 e j3 reversamente polarizadas
ficando o SCR, reversamente polarizado.

O SCR pode ser analisado através da analogia de 2 transistores complementares pnp-npn,

como mostrado na figura 3.2.

A
I =I
A T

Q1
IB1 = I
C2
I
C1
G Q2
I I
G B2
I
K
K
Figura 3.2 : modelo do SCR equivalente a 2 transistores

Equancionando-se as correntes nos dois transistores Q1 e Q2, tem-se:

I C = α . I E + I CBO (3.1)

IC
α≅ (3.2)
IE

Transistor Q1
I C1 = α 1 . I A + I CBO1 (3.3)

Transistor Q2
I C 2 = α 2 . I K + I CBO 2 (3.4)

I A = IC 1 + IC 2 (3.5)

I A = α 1 .I A + I CBO 1 + α 2 .I K + I CBO 2 (3.6)

Para uma corrente de gate IG,

I K = I A + IG (3.7)

Portanto, a corrente de anodo IA é dada por :

α1 . I G + I CBO1 + I CBO 2
IA =
1 − (α 1 + α 2 )
(3.8)

α1 : varia com IA;

α2 : varia com IK = IA + IG

23
 Antes da aplicação do pulso no gate existem apenas pequenas correntes de fuga devido ao
movimento de alguns elétrons-livres no corpo do componente. ( ICBO1 e ICBO2 ).

Um simples pulso no gate, incrementa a corrente que por sua vez incrementará α1 e α2. Este
incremento fará com que IA aumente. Assim existe uma realimentação positiva. Se ( α1+α2 ) tender
a 1, a corrente IA tenderá para o infinito. Com esta realimentação, não é mais necessário a
manutenção do pulso no gate do SCR. Esta “auto-realimentação” levará os dois transistores à
saturação, fazendo com que o mesmo passe a conduzir uma corrente IAK ( que geralmente é uma
corrente de carga ).

Em condições transitórias, capacitâncias transitórias das junções, mostradas na figura 3.3,

influenciam nas características do SCR.

A
I
T
C j1
Q1 +
C j2
Vj 2
ij
- 2
G Q2
I
G C j3
I
K
K
Figura 3.3

Se o SCR está bloqueado, um transitório dV/dt sobre o componente provoca uma alta
corrente através dos capacitores das junções. A corrente através do capacitor da junção j2, Cj2 é dada
por :

( )
dQ j 2 d dC j 2 dV j 2
i j2 = = C j 2 .V j 2 = V j 2 . + C j2 . (3.9)
dt dt dt dt

Onde :
Cj2 : capacitância da junção j2;
Vj2 : tensão da junção j2;
qj2 : carga na junção j2.

Se a taxa de subida da tensão ( dV/dt ) for grande, então ij2 se tornará grande resultando no
aumento das correntes de fuga ICBO1 e ICBO2. Estes aumentos fazem com que ( α1+α2 ) tendam a 1,
resultando o disparo do SCR. Esta corrente ij2 poderá danificar o componente.

24
3.1.1 - CARACTERÍSTICA VxI :

Na figura 3.4 é mostrada a característica VxI do SCR. Na região reversa, nota-se que a curva
é semelhante àquela de um diodo normal de silício: ao aumento da tensão aplicada corresponde a
passagem de uma pequena corrente ( microampères ), até se atingir a tensão de ruptura reversa, além
da qual se tem um rápido aumento da corrente e a destruição do componente.

A IAK
IAK região
direta
VAK

VG IG G
IG3 IG2 IG1 IGO=0
IH
K VBR
V
VH VB3 VB2 VB1 VBO

região reversa

a) b)
Figura 3.4 : a) circuito , b) característica VxI

Na região direta, e na ausência da corrente de gate IG, tem-se também a passagem de uma
pequena corrente de fuga direta ( microampères ), até que se atinja a tensão de “break-over” (tensão
de ruptura direta), à partir da qual o SCR entra em condução, assumindo então a característica de
um diodo normal, com uma queda direta de cerca de 1,5V, ligeiramente crescente com o aumento
da corrente.

Quando se aplica uma corrente IG, a tensão de “break-over” cai em proporção a esta corrente;
com uma corrente de gate suficientemente elevada, o SCR passa à condução com qualquer valor de
tensão aplicada, desde que superior ao valor da queda direta ( VH - holding voltage ).

Assim pode-se dizer que :

IG3>IG2>IG1>IG0 ⇔ VB3<VB2<VB1<VB0

Esta corrente de gate IG é especificada pelo fabricante. Este forneçe a amplitude desta
corrente e o tempo em que esta tem que ficar aplicada no gate do SCR, de forma a garantir o disparo
do componente. Se a amplitude ou o tempo não forem respeitados, o SCR deixará de conduzir
assim que fro retirado o pulso do gate.

Para que o SCR continue a conduzir, após ser retirado o pulso do gate, é necessário que a
corrente IAK tenha um valor superior a da corrente de manutenção IH ( holding current ). Esta
corrente é especificada pelo fabricante na folha de dados do componente.

25
3.1.2 - MÉTODOS DE DISPARO E DE COMUTAÇÃO DO SCR :

a) - DISPARO :

Para que o SCR possa ser disparado, é necessário que ele esteja diretamente polarizado ou
seja, a tensão de anodo VA mais positiva que a tensão de catodo VK.

Os métodos mais utilizados para se disparar um SCR, são :

a.1) - disparo por sobretensão : sem aplicar-se corrente no gate do SCR ( IG=0 ), aumenta-
se o valor da tensão direta VAK, até que se atinja a tensão de “break-over” do componente. Neste
ponto o SCR entra em condução e assume uma característica igual a do diodo de potência.

Este método de disparo pode ser observado na analogia a dois transistores, visto na figura
3.2. As pequenas correntes de fuga ICBO1 e ICBO2, não são capazes de levar os transistores à
saturação. À medida em que a tensão VAK vai aumentando, um número maior de elétrons livres vão
sendo atraídos do catodo ( pólo negativo da bateria ) para o anodo ( pólo positivo da bateria ). A
entrada do componente em condução acorre quando os elétrons livres próximos da junção 2 são
suficientes para rompê-la, estabelecendo o fluxo de elétrons do catodo para o anodo ( fluxo inverso
para a corrente ). Não é um tipo de disparo desejado uma vez que sempre irá se disparar o SCR
próximo do limite de sua tensão direta máxima.

a.2) - disparo por dV/dt : é um disparo indesejado que ocorre quando há uma variação
brusca na tensão VAK. O fabricante geralmente fornece o valor máximo da taxa de crescimento ou
decrescimento da tensão ( dV/dt ) do componente. Utilizando-se este dado, pode-se protejer o SCR
através da colocação de SNUBBER ( circuito RC em paralelo com o componente ). Este tipo de
disparo pode alterar as caracterísitcas elétricas do componente ou mesmo, danificá-lo.

a.3) - disparo por aumento de temperatura : este tipo de disparo também se torna
indesejado pois, implica na entrada em operação do componente em um instante não previsto. Isto
pode ocosionar problemas tanto no componente, quanto no sistema como um todo.

Este disparo ocorre quando o SCR está próximo de uma fonte de calor ou a própria
temperatura ambiente é relativamente elevada. As correntes de fuga observadas na figura 3.2, são
desprezíveis. Mas, ao aproximar-se uma fonte de calor, começam a ocorrer a quebra de algumas
ligações covalentes no cristal de silício. Isto proporciona um aumento no número de elétrons livres
que por sua vez, implica num aumento de corrente. Este torna-se ainda maior pois, existe o efeito da
realimentação dos dois transistores. Em um determinado instante esta corrente é alta o suficiente
para levar os transistores à saturação determinando a condução do SCR. Este disparo, geralemente,
não danifica o componente.

a.4) - disparo por pulso no gate : e´o disparo tradicional do SCR. Consiste em se aplicar
um pulso (CC ) no gate do SCR, durante um tempo suficiente, para que o mesmo passe para o
estado de condução. Pela curva característica VxI do SCR ( figura 3.4 ), percebe-se que quanto
maior a intensidade desta corrente, menor será a tensão VAK em que o SCR irá disparar. O
fabricante já fornece este valor de corrente, de maneira que o componente sempre entre em
condução com uma tensão VAK bem menor que a tensão de “break-over”.

26
 a.5) - disparo por luz ou radiação : é um tipo de disparo específico para um tiristor
conhecido como LASCR ( Light Actived Silicon Controlled Rectifier ). No gate deste componente,
existe uma janela que quando inside-se luz provoca o disparo do componente.

b) - COMUTAÇÃO :

Comutar um SCR significa levá-lo do estado de condução, para o estado de bloqueio. São
muitos os tipos de comutação utilizados para se comutar um SCR. O tipo de comutação depende,
necessariamente da fonte que está alimentando o circuito onde está o componente e, deve-se
observar que a comutação do componente irá ocorrer quando a corrente IAK for menor que a
corrente de manutenção IH ( IAK ≅ zero ) ou, quando aplicar-se uma tensão revera sobre os terminais
do SCR ( VAK < 0 ). Assim pode-se citar alguns tipos de comutação :

b.1) - comutação natural : ocorre geralmente em circuitos cuja fonte de alimentação é

senoidal (CA). Seja a carga resistiva ou indutiva, exite um instante em que a corrente naturalmente
irá passar por zero. Uma vez que isto ocorre, o SCR comuta.Os conversores CA/CC ( retificadores )
apresentam este tipo de comutação.

b.2) - comutação forçada : ocorre quando a fonte de alimentação do circuito é CC. Assim
são criados meios para que a corrente IAK passe por zero, num determinado instante, ou seja
aplicada uma tensão revers sobre o SCR. Dentre estes métodos pode-se citar :

• - comutação pela carga : a própria carga força a corrente à passagem por zero. Esta
carga deve ter, necessariamente, uma característica subamortecida;

• - comutação por tensão reversa : através de configuração apropriada, aplica-se num

determinado instante uma tensão reversa sobre os terminais do SCR. Esta tensão é
provocada pela colocação de um capacitor em paralelo ou em série com o SCR;

• - auto-comutação : o disparo do componente provoca, após um certo tempo a comutação

do mesmo;

• - comutação por impulso auxiliar : utiliza-se um SCR auxiliar para comutar o SCR
principal. Após um certo tempo, o SCR auxiliar também comuta;

• - comutação por impulso complementar : uma vez que o SCR já esteja conduzindo, este
é comutado através do disparo de seu complementar;

• - comutação por pulso de corrente : utlizado para comutar o GTO ( Gate Turn-OFF ).
Aplica-se um pulso negativo com elevada ampltude mas, com tempo muito pequeno,
provocando a comutação do componente.

Todos os métodos de comutação forçada com excessão deste último, utilizam circuitos
subamortecidos ( LC ) para proporcionar a oscilação da corrente IAK. Isto torna o circuito com SCR
bastante complexo e caro. Deve-se procurar alternativas para esta situação ( transistores, GTO,
IGBT ).

27
3.1.3 - TERMINOLOGIAS DO SCR :

Neste item são apresentadas as principais terminologias par o SCR, encontradas nos
catálogos de fabricantes.

a) - anodo-catodo :

a.1) - tensão de disparo ( VBO ) : é o mínimo valor de tensão direta que fará com que o
componente entre em condução;
a.2) - dV/dt : é o mínimo valor da taxa de crescimento da tensão aplicada no sentido direto,
que provocará a condução do SCR;
a.3) - IH : corrente de manutenção que permite ao componente continuar em condução;
a.4) - IT(rms) : máximo valor de corrente eficaz que o SCR pode conduzir;
a.5) - Itsm : corrente de surto;
a.6) - di/dt : valor máximo da taxa de crescimento da corrente, que o SCR pode suportar, em
condução, sem ser danificado;

b) - gate-catodo :

b.1) - VGT : tensão CC necessária para produzir a corrente de gate IG para o disparo do SCR;
b.2) - IGT : corrente de disparo necessária para “disparar” o SCR;
b.3) - PGM : potência de pico do gate;
b.4) - PG(AV) : máximo valor permitido para a dissipação de potência de gate que a junção do
gate do SCR pode suportar.

c) - temperatura :

c.1) - TJ : temperatura de operação;

c.2) - Tstg : temperatura de armazenamento do componente, sem ocasionar danificação;
c.3) - TC : temperatura do invólucro do dispositivo sob condições específicas de carga.

EXEMPLO : SCR TIC106D :

VBO : 400V
VBR : 400V
IT : 5A
ITSM : 30A
IGT : 0.2A (TPULSO ≤ 300µs)
PG(AV) ; 0.3W
PGM : 1.3W
TJ : - 40°C a 110°C
TSTJ : - 40°C a 125°C
TC : 230°C
3.1.4 - CARACTERÍSITCAS TÉRMICAS DO SCR :

28
 a) - Perdas no SCR :

O comportamento de um SCR ou de um Diodo é função da temperatura da junção central.

Acima de 125°C para os SCR´s e, 150°C para os Diodos, existe risco de destruição das
propriedades do semicondutor. A elevação da temperatura em um SCR ou no Diodo, se deve à
energia elétrica dissipada. As características térmicas estão relacionadas com as perdas produzidas
nos períodos em que existe corrente e tensão no componente. Assim, a dissipação de potência em
um SCR pode ser dividida em cinco partes :

a) - dissipação no estado de bloqueio no sentido direto : pouca dissipação devido ao

baixo valor da corrente direta ( IAK ), apesar da tensão VAK se geralemente elevada;

b) - dissipação durante o chaveamento do estado de bloqueio direto para o estado de

condução : a potência instantânea neste período é muito alta mas, durante um apenas um
pequeno intervalo de tempo (µs), o que forneçe uma potência média baixa;

c) - dissipação durante o estado de condução : onde há maior dissipação de energia pelo

SCR;

d) - dissipação durante o chaveamento do estado de condução para o estado de

bloqueio reverso : também apresentam uma pequena dissipação de energia, semelhante
ao item b;

e) - dissipação devido a polarização do gate : esta dissipação é desprezível, quando

comparda com as dissipações em bloqueio e condução.

Na figura 3.5, são ilustradas as etapas a, b, c e d :

VDIRETA
ICARGA

-IFUGA

t
IFUGA VCONDUÇÃO
-IRR

VREVERSA

POTÊNCIAS

t
a b c d
Figura 3.5 : curvas de tensão, corrente e potência dissipada
b) - Potência média :

29
 A dissipação no componente é calculada em função do valor médio da corrente, fazendo-se
instantâneamente o produto da corrente pela tensão.

As curvas de potência média são baseadas em uma forma de onda, que é o que restou de um
meia onda senoidal, resultante do atraso no disparo do componente. Existem também curvas
baseadas em formas de onda retangulares , ilustradas na figura 3.6.

Figura 3.6

Na figura 3.6, são apresentadas as curvas características de potência média, para o SCR Bst
L45, tanto com alimentação senoidal quanto não senoidal ( quadrada )

c) - Resistência térmica :

A temperatura de junção é um dos parâmetros mais importantes de um componente

semicondutor. Ultrapassado o seu valor máximo, o componente perde suas características definidas
nas folhas de dados.

O calor resultante da potência dissipada na junção, flui pelas partes que compõem o
componente, pelo dissipador e, finalmente, é irradiado para o ambiente. Assim, pode-se definir um
circuito elétrico equivalente, mostrado na fiugra 3.7.

Tj - temperatura de junção

∆r - resistência diferencial

R θjc - resistência térmica junção-cápsula

Tc - temperatura cápsula-dispositivo
Pmédia R θcs - resistência térmica cápsula-dissipador
Ts - temperatura do dissipador
R θsa - resistência térmica dissipador-ambiente

Ta - temperatura ambiente
Figura 3.7 : circuito elétrico equivalente

TJ − TA = PMÉ DIA . ( ∆r + RθJC + RθCS + RθSA ) (3.10)

30
 θCA = Rθ
Onde : Rθ θCS + Rθ
θAS

∆r : resistência fictícia que leva em conta o fato de que em regime pulsado, o valor de pico
da temperatura é maior do que em regime contínuo de mesmo valor médio de potência ( fator de
correção ). O fabricante fornece o valor da resisência térmica diferencial na forma de um gráfico em
função do ângulo de condução, como está mostrado na figura 3.8.

Figura 3.8

O valor de RθJC é fornecido pelo fabricante, pois depende das características internas do
dispositivo. A resistência RθCS, é afetada pelos procedimentos de montagem, embora alguns
fabricantes forneçam este dado para determinadas condições de montagem.

Alguns fabricantes de SCR´s, já apresentam um valor total para a resistência RθCA, aplicável
a cada tipo de dissipador e determinadas condições de ventilação. A figura 3.9 mostra a curva que
relaciona a resitência térmica cápsula-ambiente para o SCR Bst L45, montado em um dissipador
tipo PK20 ( Icotron S/A ).

31
 Figura 3.9

O dissipador de potência é um importante elemento para que a temperatura no componente,

possa ser melhor dissipada e, consequentemente, não seja atingida a máxima temperatura de junção.

Uma forma de se determinar o fluxo de ar necessário em um dissipador, é dado através das

curvas Itmédio x Tamb. ( forma de onda senoidal e quadrada ) dados pelo fabricante. Na figura 3.10a
(senoidal) e 3.10b ( quadrada ), dá-se esta relação de corrente, temperatura e fluxo de ar, para
dissipadores KK32.

32
 Figura 3.10

Montando-se dois módulos de SCR, no mesmo dissipador, o circuito elétrico equivalente é

dado na figura 3.11. Cada módulo de SCR, tem sua resistência à passagem do calor. Para efeito de

33
análise e cálculo, supõe-se que existe uma perfeita simetria entre os SCR´s do módulos. Observar
que quando se fala em módulo, deve-se entender que existem dois SCR´s no mesmo.

(1/2)∆r (1/2)∆r

(1/2)Rθjc
(1/2)Rθjc

Ptotal
(1/2)Rθ cs (1/2)Rθ cs

Rθsa

Figura 3.11

OBS : cada módulo contribui com a sua resistência térmica equivalente, sendo utilizado para
cálculo, a associação térmica do dois módulos.

PTOTAL = n. PT (3.11)

 Rθ + ∆r 
TJ − TA = PTOTAL . JC + RθCA  (3.12)
 n 

Onde :
PTOTAL : potência total no dissipador;
PT : potência dissipada em um dos SCR’s;
n : quantidade de SCR’s por dissipador

34
3.1.5 - ESPECIFICAÇÕES DE CORRENTE E TENSÃO :

Estas especificações são geralmente determinadas na pior condição, ou seja, quando a

temperatura da junção é máxima. Após estes testes, já não são garantidos vários parâmetros do
SCR.
a) - Corrente :
As especificações de corrente de um SCR podem ser divididas em duas classes :
especificação de corrente recorrente e epscificação de corrente não recorrente.
a.1) - Correntes recorrentes : ou periódicas são aquelas em que o componente é aplicado de
uma maneira tal, que o máximo valor de temperatura de junção não é excedido.

*Corrente média ( IT(AV) ) : é apresentada na forma de curva de degradação, parametrizada

pelo ângulo de condução ( λ ). A curva é apresentada na forma de TC x ITAV ( TC :temperatura de
encapsulamento ), mostrada na figura 3.12 para o caso de um SCR Bst L45.

Figura 3.12.

Se, por exemplo , a temperatura da cápsula aumentar, não será possível manter a corrente, no
seu valor médio original pois, a temperatura máxima da junção será excedida. Deve-se, então,
diminuir o valor médio da corrente.Para se obter um mesmo valor médio de corrente, que se tem
quando o ângulo de condução é grande, deve-se ter um pico de corrente maior para um ângulo de
condução menor. Isto acarreta num maior aquecimento de junção durante a condução.

I MAX
I MÉ DIO = .(1 + cos α) (3.13)
2. π

35
 *Corrente eficaz ( ITRMS ) : a especificação do valor eficaz da corrente é sempre utilizado
no dimensionamento de um circuito, apesar de não ser muito visível ao projetista, visto que ele está
interessado no valor da corrente média fornecida à carga. Mas, uma vez especificada a corrente
média, o valor da corrente eficaz já estará determinada.

1
 1 π 
. ∫ I MAX 2 .sen 2 θ. dθ
2
I TRMS = (3.14)
 2. π α 

1
 1 α sen 2α  2
I TRMS = I MAX . − +  (3.15)
 4 4. π 8. π 

O patamar onde o valor médio é limitado, para cada ângulo de condução, corresponde ao
valor eficaz máximo permitido para o componente. A especificação do valor eficaz da corrente de
um SCR é necessária para evitar aquecimento excessvio das partes resistivas que compõem o
componente ( juntas, terminais, etc. ).

a.2) - Correntes não-recorrentes :ou não-periódicas, são aquelas em que se permite que a
máxima temperatura de junção seja excedida por um breve período de tempo. Isto geralmente
ocorre quando há uma sobrecarga ou uma falha no funcionamento do circuito. Desta forma, os
SCR´s ficam sujeitos à temperaturas de junção maiores que a especificada.

*Corrente de surto ( ITSM ) : o valor de ITSM é determinado experimentalemtne, fazendo

com que o componente conduza semiciclos senoidais de corrente em 60Hz, com amplituda igual ao
máximo valor eficaz especificado. A seguir é aplicado um meio-ciclo de corrente acidental. Logo
após, segue-se um meio-ciclo de onda senodal em 60Hz, de tensão reversa, com uma amplitude
igual à especificação de bloqueio não repetitivo. Se após este teste o componente não perder sua
capacidade de bloqueio, eleva-se o valor da corrente acidental aplicada, repetindo-se o
procedimento. Prossegue-se até que ocorra uma falha. Avaliando-se o limite de sobrevivência de um
número elevado de amostras, estabelece-se o valor de ITSM. Na figura 3.13 está ilustrado este teste.

ITSM

ITRMS

VRSM

Figura 3.13 : curvas de corrente e tensão do SCR para determinação de ITSM

36
 *Capacidade térmica de corrente ( I2t ) : a especificação desta grandeza é dada na figura
3.14. É utilizada para se especificar a capacidade térmica dos fusíveis de proteção.

I2t ( fusível ) < I2t ( SCR )

IPP

IRMS

tS
Figura 3.14

O valor da corrente eficaz é dado por :

I PP
I RMS = (3.16)
tS

Para um tempo tS, obtém-se o valor da corrente de pico permito ( IPP ). Assim, determina-se
o valor da corrente eficaz I.

O valor de I2t é dado por :

I 2 t = I 2RMS . t S (3.17)

Esta especificação presume que o fusível irá eliminar uma falha em menos do que meio-
ciclo. Entretanto, antes que isso ocorra, o SCR estará sujeito à temperaturas elevadas.

*Taxa de crescimento de corrente de anodo ( di/dt ) : esta taxa determina o máximo di/dt
que o SCR pode suportar. Valores típicos de di/dt são 200A/µs para SCR´s de controle de fase (
retificadores ) e, 800A/µs para SCR´s utilizados em inversores.

Quando um SCR é disparado, através de uma corrente de gate, inicialmente o fluxo de

corrente se concentra em uma área próxima ao gate. A área de concentração de corrente se espalha
por toda a área de catodo a uma taxa aproximada de 0.1mm/µs. Se a corrente de anodo aumentar
muito rapodamente, haverá um aquecimento localizado nesta área preferencial, face à elevada
densidade de corrente, resultando em temperaturas extremamente elevadas, podendo causar a
destruição do componente.

Este di/dt geralmente ocorre no instatne de chaveamento do SCR. Assim coloca-se um

indutor em série com o SCR limitando o crescimento indesejado da corrente.

37
 b) - Tensão :

As especificações de tensão também podem ser classificadas em : tensão direta e tensão

reversa.

b.1) -Tensão direta : quando o SCR é polarizado diretamente.

*Tensão direta repetitiva máxima ( VDRM ) : é a máxima tensão direta repetitiva que o Scr
pode suportar, sem que passe do estado de bloqueio direto para o estado de condução ( IG = 0 ).

*Tensão direta de surto máxima ( VDSM ) : é a máxima tensão direta, não repetitiva, que o
SCR pode suportar, sem passar do estado de bloqueio direto para o estado de condução. Este valor
de corrente, se ultrapassado, danifica o componente. A figura 3.15 mostra as duas especificações
dadas.

VAK
VDSM

VDRM

A B C

Figura 3.15 : aplicação das especificações de VDRM e VDSM

A : região de operação normal do SCR;

B : região onde o SCR pode disparar mas não se danifica;
C : região onde o SCR pode disparar e pode ser danificado.

*Taxa de crescimento da tensão direta ( dV/dt ) : se houver variação muito rápida da

tensão VAK, esta variação pode ocasionar uma corrente suficiente para que, somada à corrente de
fuga que circula pelo SCR ( ICBO ), provoque o disparo acidental do mesmo. Uma maneira de se
limitar este dV/dt é o de se colcar um circuito “SNUBBER”, já visto anteriormente.

b.2) -Tensão reversa : quando o SCR é polarizado reversamente, ele atinge uma valor de
tensão reversa que desencadeia um fenômeno de ruptura, que se ultrapassado, provoca a destruição
do componente.

*Tensão reversa repetitiva máxima ( VRRM ) : é a máxima tensão reversa repetitiva que o
SCR pode suportar, sem que ocorra a ruptura.

*Tensão reversa de surto máxima : ( VRSM ) : é a máxima tensão reversa, não repetitiva,
que o SCR pode suportar sem que ocorra a ruptura ( às vezes pode ocorrer ).

38
3.1.7 - TEMPOS DE DISPARO E DE COMUTAÇÃO :

Observando a figura 3.16, abaixo, tem-se que :

IG
0.9IG

IA t

0.9IA

0.1IA t

tr td
tON

Figura 3.16

a) - Tempo de disparo ( tON ) : como o SCR não entra em condução imediatamente após a
aplicação do pulso na gate, pode-se definir o tempo de disparo como sendo o intervalo
entre o ponto no início do pulso de gate e o instante em que a tensão no SCR sobe a um
valor especificado, durante o chaveamento de um SCR do estado de bloqueio ao estado
de condução. Este tempo também representa a duração mínima que deve ter o pulso de
corrente de gate IG. Logo :

t ON = t d + t r (3.18)

Onde :
td : tempo de atraso ( delay time ) - 0.90.IG ≤ td ≤ 0.10.IA;
tr : tempo de crescimento ( rise time ) - 0.10.IA ≤ tr ≤ 0.90.IA

b) - Tempo de comutação ( tOFF ) : é o intervalo de tempo entre o instante em que a

corrente do SCR cai à zero, e o instante em que o mesmo está em condições de ser
novamente disparado. Este tempo é importante em circuitos cuja alimentação é CC, visto
que há a necessidade de se utilizar métodos de comutação forçada para o SCR. O valor
de tOFF é utilizado para calcular os elementos passivos ( indutor e capacitor ) que irão
realizar o processo de comutação forçada do SCR.

39
 O tempo de comutação é definido por :

t OFF = t S + t f (3.19)

Onde :

tS : tempo de armazenamento ( storage time ) - é devido à recombinação da cargas

armazenadas próximas da junção. Este tempo é determinado à partir do instante em que a corrente
IAK se anula, até o instante em que ela atinge um valor negativo IRR. Pode-se dizer que tS é o próprio
tempo de recuperação reversa do SCR tRR.

tf : tempo de descida ( fall time ) - este tempo é determinado à partir do instante em que a
corrente IAH é igual à IRR, até o instante em que IAK se anula. Neste instante o SCR deve estar em
condições de ficar sujeito à uma tensão direta, podendo ou não ser novamente disparado. A figura
3.17 observa-se o tempo de comutação tOFF.

IAK tf
tS

- IRR

tOFF

Figura 3.17

Os SCR´s que possuem tempos de comutação acima de 50µs, são chamados de SCR´s de
rede (lentos ), sendo utilizados principalmente, em retificadores ( conversores CA/CC ). Os SCR´s
rápidos (abaixo de 50µs são utilizados em aplicações de alta frequência ( conversores CC/CC e
CC/CA ).

40
3.1.7 - CONEXÕES SÉRIE E PARALELO DO SCR :

a) - Conexão série :

Para aplicação em alta tensão, dois ou mais SCR´s devem ser conectados em série de modo a
dividir a tensão total aplicada . Na figura 3.18 são apresentadas as características de dois SCR’s, à
princípio idênticos, mas que na verdade, apresentam características diferentes.

IAK

T2 T1
IT2

IT1

-V1 -V2
VAK

VT1 = VT2
IS

Figura 3.18

No caso de diodos de potência, apenas a tensão reversa é dividida entre os componentes. Já

no caso dos SCR´s, a tensão direta também é importante uma vez que o SCR pode estar sujeito à
uma tensão VAK diferente de zero ( geralmente alta ), quando é disparado.

Esta tensão direta é normalmente dividida, colocando-se resistores em paralelo com os

SCR´s, como é mostrado na figura 3.19, abaixo.

C1 R C1 R C1 R
1 1 1

T T Tn
1 2

IT IT IT
IT I
1 Tn
2

R I1 R R In
I2
V - + V -
+ T T
1 2
Figura 3.19 : conexão série de SCR’s

41
 Para se obter tensões iguais nos componentes ( VT1 = VT2 ), necessariamente as correntes são
diferentes ( IT1 ≠ IT2).

Sendo nS o número de SCR´s conectados em série; ID1 a corrente através do SCR T1 e as

correntes IT2=IT3=IT4=ITn, onde IT1 < IT2. Nota-se que o SCR T1 por apresentar uma menor corrente
de bloqueio direto, suporta uma maior tensão de bloqueio direto do que os outros SCR´s. Se I1 é a
corrente através do resistor R1, que está em paralelo com T1, e as correntes através dos outros
resitores I2=I3=I4=In , tem-se que :

∆I T = I T 1 − I T 2 = I T − I 2 − I T + I1 = I1 − I 2 (3.20)

Ou :

I 2 = I1 − ∆I T (3.21)

A tensão sobre o SCR T1 é :

VS + ( nS − 1). R.∆IT
VT 1 = (3.22)
nS

A tensão VD1 será máxima quando ∆IT for máxima. Para IT1 igual a zero :

VS + ( nS − 1). R. I D 2
VT 1 = (3.23)
nS

Durante o estado de bloqueio reverso, as diferenças entre as cargas armazenadas nos SCR´s,
causam diferenças nas tensões reversas. O SCR com menor tempo de recuperação reversa ( trr ),
terá um maior transitório de tensão. As capacitâncias da junções que controlam dos SCR´s,
normalmente não são suficientes para suportarem estes transitórios. Assim, torna-se necessário a
colocação de capacitores (C1) sobre os SCR´s, como mostrado nas figura 3.15. Os resistores ( R1 ),
colocados em série com os capacitores limitam a descarga da corrente. A variação da tensão sobre o
SCR T1 é dada por :

Q2 − Q1 ∆Q
∆V = R. ∆I D = = (3.24)
C1 C1

Onde Q1 é a carga armazenada no SCR T1 e Q2, a carga armazenada nos demais SCR´s ( Q2
= Q3 = Q4 = Qn e Q1 < Q2 ). Substituindo a equação 1.74 na equação 1.72, tem-se que :

1  ( nS − 1).∆Q 
VT 1 = .VS +  (3.25)
nS  C1 

42
 O pior caso ocorre quandoQ1 é igual a zero. Assim :

1  ( nS − 1). Q2 
VT 1 = .VS +  (3.26)
nS  C1 

b) - Conexão paralelo :

Quando os SCR´s são conectados em paralelo, a corrente de carga nã é dividida igualmente

entre eles devido às diferenças nas suas características. Se um SCR suporta uma maior corrente que
os outros, isto ocasiona um aumento na dissipação de potência deste SCR, que por sua vez aumenta
a temperatura de junção, diminuindo a resistência interna. A consequência disto é a destruição do
componente pelo aumento da corrente. Quando este SCR queima, os demias SCR´s em paralelo têm
que assumir correntes maiores, o que ocasionará a destruição deles.

Para se forçar uma equalização de correntes boa entre os SCR´s, conecta-se em série com
cada um, uma pequena resistência. Pode-se também utilizar indutores magnéticamente acoplados.
Se a corrente pelo SCR T1 aumenta, uma tensão com polaridade invertida será induzida no indutor
ligado em série com o SCR T2, diminuindo a impedância no ramo deste SCR oque, por sua vez,
ocasionará o aumento da corrente po T2.. Estes métodos de equalização de corrente pode ser visto
nas figura 3.20a e 3.20b.

R1 T1 T1
L R1

I1 I1
I R2 I2 I I R2 I2 I
T T T T
L
T2 T2
a b
Figura 3.20

43
3.2 - GTO ( GATE-TURN-OFF ) :

Em muitas aplicações de eletrônica de potência, os SCR´s são considerados como chaves

ideais. Eles suportam altas tensões reversas ( e diretas quando em não condução ), e altas correntes
diretas, apresentando uma pequena queda de tensão direta. A sua principal característica está no seu
disparo que é realizado através de um sinal positivo aplicado em seu gate.

A principal desvantagem está na impossibilidade de se desligar o componente através do

próprio gate. A inclusão desta capacidade de “desligamento” em um SCR, requer modificações no
componente e algumas limitações de operação do mesmo.

O componente ( tiristor ) que apresenta esta capacidade de “desligamento” através do seu

terminal de gate é chamado de GTO ( Gate turn-off ).

3.2.1 - Características do GTO :,

Existem três diferenças significativas entre o GTO e o SCR que podem ser observadas
através da figura 3.21 :

Figura 3.21 : Estrutura interna do GTO.

a) - as estruturas do gate e do catodo são altamente interligadas com muitos tipos de formas
geométricas sendo utilizadas no desenvolvimento ( lay-out ) do gate e do catodo,
incluindo estruturas involutes. Estas modificações visam aumentar a periferia do catodo
e diminuir a distância do gate a região central do catodo;

44
 b) - as áreas do catodo apresentam o formato de “ilhas “, e são formadas através do desgaste
da camada de silício ao redor destas “ilhas “. Quando o GTO é encapsulado, todas as
“ilhas” do catodo são conectadas diretamente à um dissipador de calor metálico,
formando o próprio catodo;

c) - a maior diferença está na região de anodo do GTO. Em intervalos regulares, na região p

(p1), são introduzidas regiões do tipo n+, permitindo o contato com a região n-, que forma
a região n1. As regiões n+ são otimizadas de forma a permitir que se tenha um “ anodo
pequeno “, aumentando-se assim a velocidade de “desligamento” do GTO. Alguns
GTO’s são desenvolvidos sem este “anodo pequeno” de forma a permitir bloqueio em
tensões reversas.

A característica do GTO, na região direta é idêntica a do SCR. Mas, na região reversa, o

GTO não apresenta uma capacidade de bloqueio elevada ( 20V a 30V ), devido ao “anodo
pequeno”. O símbolo do GTO é mostrado na figura 3.22.

G
K
Figura 3.22 : Símbolo do GTO.

* Característica de “desligamento” :

Na analogia a dois transistores ( figura 3.23 ), se ambos estão saturados ( Q1 e Q2 ), significa

dizer que o componente está conduzindo. Para provocar o seu “desligamento”, basta que a corrente
de base IB2 (Q2 ) se torne menor que o valor necessário para manter o transistor saturado.
A
I =I
A T

Q1
IB1 = I
C2
I
C1
G Q2
I I
G B2
I
K
K

Figura 3.23 : Circuito equivalente a dois transistores para o Tiristor

I B2 〈 I C 2 / β 2 (3.27)

Logo o transistor Q2, após o processo de realimentação, cortará, fazendo com que o GTO
também deixe de operar. Assim :

45
 I B 2 = α 1. I A − I G (3.28)

A corrente IC2 é :

I C 2 = (1 − α 1 ). I A (3.29)

Como :

IC2
IB2 〈
β2
(3.30)
α2
β2 =
1−α2

Tem-se :
IA
IG 〉 (3.31)
β OFF

βOFF : ganho de desligamento do GTO

Este ganho não é grande ( tipicamente ≤ 5 ), portanto há a necessidade de pulso de corrente,

negativa, com grande amplitude para se desligar o componente. Esta amplitude de corrente é
limitada pelo fenômeno “ Crowding” e, portanto, existe uma corrente máxima de anodo que garante
o desligamento seguro do componente.

Os GTO’s são utilizados em aplicações de média a alta potência. Geralmente são utilizados
“Snubbers” para proteger o componente no desligamento, principalmente contra sobre-correntes; já
que o gate não desliga para correntes que excedem o valor máximo especificado.

* Características de Chaveamento do GTO :

A figura 3.24 mostra as formas de onda relativas as características de chaveamento do GTO.

O intervalo t1, representa o disparo do GTO ( turn-on ). O processo de disparo é semelhante
ao do SCR. Deve-se aplicar um pulso de corrente, positiva, no gate do componente, especificado
pelo fabricante e, após o disparo total do componente, apenas uma pequena corrente ( “backparch
current” ) circula pelo mesmo. Esta corrente é necessária pois evita que algumas ilhas do catodo
parem de conduzir ( quando IG é zero ). Se a corrente de anodo aumenta rapidamente, não há tempo
para que estas ilhas voltem a conduzir novamente, assim as outras ilhas ficam sobrecarregadas e o
GTO é destruído por avalanche térmica.

O intervalo t2, representa a comutação ( turn-off ) do GTO. Aplica-se uma alta corrente
negativa no gate do GTO. Esta corrente varia em torna de 1/3 a 1/5 do valor da corrente de anodo,
mas durante um intervalo de tempo muito pequeno. Como pode ser observado, existem vários
intervalos de tempo no processo de comutação do GTO:

46
 Figura 3.24 : Características de disparo e de comutação do GTO.

- tS - storage time : a corrente negativa IG é utilizada para remover cargas armazenadas

nas regiões p2 e n2 em direção a periferia das ilhas dos catodos ( figura 3.21 ). Quando
uma quantidade suficiente de cargas armazenadas foram removidas, a corrente de anodo
começa a decrescer;

- tf - fall time : quando as cargas são removidas, a corrente decresce rapidamente ( tfi ).
Este tempo cessa quando o excesso de portadores na junção gate-catodo são eliminados e
a junção recupera sua capacidade de bloqueio reverso;

- tw2 - gate-cathode junction avalanche breakdown time : neste período a tensão VGK
torna-se negativa e a corrente ( negativa ) IG começa a decrescer rapidamente ( dIG/dt ) provocando a
ruptura por avalanche da junção gate-catodo. Esta ruprtura por avalanche é desejável somente neste
intervalo, de forma a retirar o máximo possível, as muitas cargas armazenadas no gate e na região
p2;
- ttail - anode tail-currente time : é o intervalo de tempo em que circula uma corrente de
anodo para o gate (tail currente - corrente de cauda ), devido à diferença de potencial entre ambos.
Este intervalo contribui com a maior dissipação de potência, durante o turn-off do GTO. Isto porque
o intervalo é relativamente longo e a tensão sobre o GTO é relativamente alta. Quando a corrente de
anodo fica abaixo de IH, a tensão VGK cai a um valor mínimo e o GTO pode ser novamente
disparado.

47
 O GTO, portanto, permite algumas vantagens sobre o SCR, como :

a) - eliminação de circuitos de comutação forçada;

b) - redução de ruídos - eliminação dos circuitos de comutação ( ressonância );
c) - chaveamento para o estado de bloqueio mais rápido, permitindo operação em altas
frequências;
d) - maior eficiência.

Apesar do GTO ocupar uma posição privilegiada em termos de potência, o valor da corrente
de pico necessária para comuta-lo ainda é bastante elevada.

3.3 - TRIAC ( TRIODE AC SWITCH ) - TIRISTOR BIDIRECIONAL :

Este componente conduz tanto direto quanto reversamente polarizado. É geralmente

utilizado em controle de fase CA, onde controla-se o valor eficaz ( rms ) da tensão CA que esta
sendo fornecida para a carga. O TRIAC pode ser considerado como sendo dois SCR´s ligados em
anti-paralelo, mas com apenas um gate em comum, como mostrado na figura 3.25.
A1

n
A1
p A1
G
n
G
p
G
A2
n A2

A2
a) b) c)
Figura 3.25 : a) Estrutura do TRIAC; b) Símbolo do TRIAC; c) Circuito equivalente a 2 SCR´s.

Pode-se notar que o TRIAC é um elemento de cinco camadas, tendo dois caminhos P-N-P-N
entre os terminais principais A1 e A2 , podendo portanto conduzir nos dois sentidos.

O TRIAC pode ser levado ao estado de condução, pela aplicação de um pulso positivo ou
negativo, no terminal de gate, embora seja mais confiável levá-lo ao estado de condução aplicando
um pulso positivo no gate, quando A2 é positivo e, um pulso negativo no gate, quando A1 é positivo.
Assim, existem quatro modos possíveis de operação do TRIAC ( operação em quatro quadrantes ),
mostradas na tabela da figura 3.26.

48
 QUADRANTES VA2 VG
I + +
II + -
III - -
IV - +

Figura 3.26 : Modos de operação do TRIAC.

a) - Operação no Quadrante I :

G
+

A1

N1 N2
P1

SCR 2 N3 SCR 1

P2
N4 N5

A2

Figura 3.27 : Estrutura do TRIAC para operação no quadrante I.

• ANÁLISE :

1) - Tensão positiva em A2 ⇒ há a polarização direta do SCR1 formado por P2 - N3 - P1 - N2

;
2) - O SCR2 formado por P1 - N3 - P2 - N4 , está polarizado reversamente ( não conduz );

3) - Quando o gate G for positivo, a junção formada por P1 - N2 será polarizada diretamente.
Com isso, o SCR1 vai conduzir e o TRIAC passará a conduzir de A2 para A1 .

49
b) - Operação no Quadrante II :

G
- SCR
AUXILIAR

A1

N1 N2
P1

SCR 2 N3 SCR 1

P2
N4 N5

A2
Figura 3.28 : Estrutura do TRIAC para operação no quadrante II.
• ANÁLISE :

1) - Tensão positiva em A2 ⇒ há a polarização direta do SCR1 ( P2 - N3 - P1 - N2 );

2) - Quando o gate G for negativo, a junção P1 - N1 ( SCR auxiliar ) é diretamente

polarizada, onde A1 funciona como gate de SCR;

3) - Quando o SCR auxiliar conduz, apresenta uma baixa queda de tensão, ficando à um
potencial VA ( agora G está positivo ). Desta forma a junção P1 - N2 do SCR1 é
polarizada diretamente, levando o TRIAC à condução de A2 para A1 .

• OBSERVAÇÃO :

I e II QUADRANTES : condução do SCR1 ;

III e IV QUADRANTES : condução do SCR2 .

50
• APLICAÇÕES DO TIRISTOR DE POTÊNCIA :

a ) - RETIFICADOR TRIFÁSICO DE MEIA-ONDA CONTROLADO :

a) - Circuito Retificador; b) - Formas de Onda.

51
b) - INVERSOR TRIFÁSICO EM PONTE :

a) - Inversor trifásico em ponte; b) - Formas de onda para disparo em 180º

52
c ) - TRANSMISSÃO DE ALTA TENSÃO EM CORRENTE CONTÍNUA :

HVDC : HIGH-VOLTAGE DIRECT-CURRENT

a) - Tranmissão HVDC - Diagrama Global; b) - Terminal do Conversor.

53
c) - SISTEMA BÁSICO DE TRAÇÃO ELÉTRICA EM LOCOMOTIVA :

Arranjo básico de uma locomotiva acionada por sistema Tiristorizado.

54
d) - ELETROEROSÃO :

Circuito típico para inversão periódica de corrente.

55
e) - CONTROLE DE POTÊNCIA DE CARGAS RESISTIVAS :

a) - TRIAC; b) - conexão em catodo comum; c) - ponte de diodos com SCR;

d) - Controle do Ângulo de Fase; e) - Controle de Ciclo Integral.

56