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Una vez que se acabó la segunda Guerra Mundial se inició en los Bell
Laboratories, en Estados Unidos, un programa de investigación básica
sobre teoría de sólidos. Uno de los resultados de este esfuerzo fue el
transistor. En esa época la teoría cuántica, es decir, la teoría física que
describe los fenómenos microscópicos ya estaba bien establecida.
Los átomos que tienen capas externas llenas de electrones ejercen una
fuerte atracción sobre ellos y por tanto no son buenos conductores de
electricidad. Para que sirvieran a este propósito se requerirían fuerzas
muy elevadas sobre los electrones externos, que implicaría aplicar
voltajes muy altos a la sustancia. Los elementos que tienen sus capas
externas completas son el helio, el neón, el argón, etc., llamados gases
nobles.
Los átomos y moléculas son entes que tienen niveles de energía bien
definidos para cada uno de ellos. El estado que tiene el valor más bajo de
la energía se llama base, mientras que los estados con valores mayores
de la energía se llaman excitados. A la secuencia de niveles mostrada en
la figura se le llama el espectro de energía del átomo en cuestión.
Distintos átomos tienen diferentes espectros de energía. En cualquier
instante el átomo solamente puede tener una de las energías de sus
niveles, es decir, el átomo no puede poseer una energía que tenga un
valor que se encuentre entre dos valores de sus niveles. Se dice que la
energía está cuantizada. Si el átomo experimenta determinado proceso es
posible que cambie su energía, por ejemplo, a causa de una colisión con
otro átomo, de una descarga eléctrica, de calentamiento, etc. En este
caso, el átomo puede pasar del nivel de energía en que se encuentra a
otro nivel, por ejemplo pasar del estado base al primer estado excitado, o
al segundo, etc., pero solamente puede empezar y terminar en él alguno
de sus niveles permitidos. Esto significa que en las transiciones del
átomo, los cambios de energía que puede experimentar son iguales a las
separaciones (∆ E)1, (∆ E)2 etc., que corresponden a las diferencias de
las energías entre cualquier pareja de sus niveles. Así, se dice que hay
una transición entre los niveles involucrados. Por otro tipo de motivos que
no vienen al caso, puede ocurrir que alguna de estas transiciones esté
prohibida.
Hay varias posibilidades, una de ellas es que los átomos de una sustancia
vayan llenando las capas permitidas y que todavía queden electrones que
al empezar a ocupar la última banda permitida no la llenen
completamente. Los electrones que estén en la última banda incompleta
podrán desprenderse de los átomos con mucha facilidad, por tanto,
podrán conducir muy bien electricidad y la sustancia es, en consecuencia,
un buen conductor de electricidad.
Los transistores tienen varias ventajas sobre los tubos al vacío. En primer
lugar, para que funcione un tubo al vacío su cátodo debe calentarse, y
esto se logra pasando una corriente cercana a él. El voltaje típico que se
requiere para lograr esto es de 250 V. Una vez conectado este voltaje se
necesita esperar determinado tiempo hasta que se caliente el cátodo. Por
tanto, cualquier aparato que use tubos al vacío no funciona
inmediatamente después de haberse conectado. El transistor no requiere
este calentamiento, por lo que empieza a funcionar inmediatamente
después de su conexión. En consecuencia, el uso de un transistor en
lugar de tubos al vacío ahorra mucha energía, y por tanto, resulta más
económico.
Insulación
Conductividad
Silicio: 150-200°C
Germanio: 100-110°C
PD = VCEIC
Sin embargo, esta disipación de potencia se permite solamente hasta una
temperatura máxima.
- Bipolar.
- Unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
- IGBT o Transistores Bipolares de compuerta aislada.
La region central se denomina base (B) y los dos extremos emisor (E) y
colector (C), la base es sumamente estrecha y poco dopada en relación
con el emisor y colector, por lo que tiene muy baja concentración de
portadores.
Ie = Ib + Ic
Encapsulado:
Polarización:
Si Vds se hace positiva ( y Vgs sigue siendo cero) por el canal circulará
una corriente entre sumidero y fuente, que hará que la polarización
inversa de la unión no sea uniforme en toda su longitud y, en
consecuencia, en la parte más próxima al sumidero, que es la más
polarizada, la capa desierta penetrará más hacia el interior del canal.
Parametros de funcionamiento:
Ig = 0 e Id = ƒ(Vds, Vgs)
Cuando el voltaje del ánodo se hace positivo con respecto al cátodo, las
uniones J1 y J3 tienen polarización directa o positiva. La unión J2 tiene
polarización inversa, y solo fluirá una pequeña corriente de fuga del ánodo
al cátodo. Se dice entonces que el tiristor está en condición de bloqueo
directo o en estado desactivado llamándose a la corriente fuga corriente
de estado inactivo ID. Si el voltaje ánodo a cátodo VAK se incrementa a
un valor lo suficientemente grande la unión J2 polarizada inversamente
entrará en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha y el
voltaje correspondiente se llama voltaje de ruptura directa VBO. Dado que
las uniones J1 y J3 ya tienen polarización directa, habrá un movimiento
libre de portadores a través de las tres uniones que provocará una gran
corriente directa del ánodo. Se dice entonces que el dispositivo está en
estado de conducción o activado.
La caída de voltaje se deberá a la caída ohmica de las cuatro capas y
será pequeña, por lo común 1V. En el estado activo, la corriente del
ánodo está limitada por una impedancia o una resistencia externa, RL, tal
y como se muestra en la fig. 2.
La corriente del ánodo debe ser mayor que un valor conocido como
corriente de enganche IL, a fin de mantener la cantidad requerida de flujo
de portadores a través de la unión; de lo contrario, al reducirse el voltaje
del ánodo al cátodo, el dispositivo regresará a la condición de bloqueo. La
corriente de enganche, IL, es la corriente del ánodo mínima requerida
para mantener el tiristor en estado de conducción inmediatamente
después de que ha sido activado y se ha retirado la señal de la
compuerta.
Una vez que el tiristor es activado , se comporta como un diodo en
conducción y ya no hay control sobre el dispositivo. El tiristor seguirá
conduciendo, porque en la unión J2 no existe una capa de agotamiento
de vida a movimientos libres de portadores. Sin embargo si se reduce la
corriente directa del ánodo por debajo de un nivel conocido como
corriente de mantenimiento IH , se genera una región de agotamiento
alrededor de la unión J2 debida al número reducido de portadores; el
tiristor estará entonces en estado de Esto significa que ILbloqueo. La
corriente de mantenimiento es del orden de los miliamperios y es menor
que la corriente de enganche, IL. >IH . La corriente de mantenimiento IH
es la corriente del ánodo mínima para mantener el tiristor en estado de
régimen permanente. La corriente de mantenimiento es menor que la
corriente de enganche.
Tipos de tiristores
- Pequeñas fugas.
- Alta potencia.
- Bajos tiempos de respuesta (ton , toff), para conseguir una alta
frecuencia de funcionamiento.
- Alta concentración de intensidad por unidad de superficie del
semiconductor.
- Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado ( VCE máxima
elevada).
- Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ).
Tiempos de conmutación
Tiempo de caída (Fall time, tf): Tiempo que emplea la señal de salida en
evolucionar entre el 90% y el 10% de su valor final.
VCBO: tensión entre los terminales colector y base cuando el emisor está
en circuito abierto.
VEBO: tensión entre los terminales emisor y base con el colector en circuito
abierto.
Modos de trabajo
Interruptor en posición 2:
Pero esto no es del todo exacto, porque algo varía, esto se verá si no se
usa la aproximación de IC = IE. Sin esta aproximación tenemos:
6. Conclusiones.
CONCLUSIONES
El transistor es un gran aporte al campo del desarrollo cientifico y
tecnologico, dado su amplia versatilidad y su gran aplicabilidad en la
investigación y desarrollo. Sus fundamentos físicos son
fundamentados en las bases de la mecanica cuantica, aprovechando
sus concepciones y formulaciones teoricas es posible llevar a la
practica elementos practicos e innovadores como el transistor. La
incursion de los transistores sustituyo los tubos al vacio y permitio la
reducción de sistemas y diseños electronicos, siendo estos mas
estables y de mayor rendimiento.