LABORATORIUM

ELEKTRONIKA
JURUSAN TEKNIK ELEKTRO
FAKULTAS TEKNIK - UNIVERSITAS UDAYANA

LAPORAN PRAKTIKUM
DASAR ELEKTRONIKA

KELOMPOK 6 :

I Gede Nova Priana (0904405032)

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS UDAYANA
2010
 PERCOBAAN I
DIODE DAN RANGKAIAN DIODE

1.1 Tujuan Percobaan

1. Memeriksa Kondisi Dioda
2. Mempelajari karakteristik I = f (V), bias reverse dan bias forward

1.2 Tinjauan Pustaka

Dioda

Dalam elektronika, dioda adalah komponen aktif bersaluran dua

(dioda termionik mungkin memiliki saluran ketiga sebagai pemanas). Dioda
mempunyai dua elektroda aktif dimana isyarat listrik dapat mengalir, dan
kebanyakan dioda digunakan karena karakteristik satu arah yang dimilikinya.
Dioda varikap (VARIable CAPacitor/kondensator variabel) digunakan
sebagai kondensator terkendali tegangan.

Sifat kesearahan yang dimiliki sebagian besar jenis dioda seringkali

disebut karakteristik menyearahkan. Fungsi paling umum dari dioda adalah
untuk memperbolehkan arus listrik mengalir dalam suatu arah (disebut
kondisi panjar maju) dan untuk menahan arus dari arah sebaliknya (disebut
kondisi panjar mundur). Karenanya, dioda dapat dianggap sebagai versi
elektronik dari katup pada transmisi cairan.

Dioda sebenarnya tidak menunjukkan kesearahan hidup-mati yang

sempurna (benar-benar menghantar saat panjar maju dan menyumbat pada
panjar mundur), tetapi mempunyai karakteristik listrik tegangan-arus taklinier
kompleks yang bergantung pada teknologi yang digunakan dan kondisi
penggunaan. Beberapa jenis dioda juga mempunyai fungsi yang tidak
ditujukan untuk penggunaan penyearahan.
 Awal mula dari dioda adalah peranti kristal Cat's Whisker dan tabung
hampa (juga disebut katup termionik). Saat ini dioda yang paling umum
dibuat dari bahan semikonduktor seperti silikon atau germanium.

Sejarah

Walaupun dioda kristal (semikonduktor) dipopulerkan sebelum dioda

termionik, dioda termionik dan dioda kristal dikembangkan secara terpisah
pada waktu yang bersamaan. Prinsip kerja dari dioda termionik ditemukan
oleh Frederick Guthrie pada tahun 1873 Sedangkan prinsip kerja dioda
kristal ditemukan pada tahun 1874 oleh peneliti Jerman, Karl Ferdinand
Braun.

Pada waktu penemuan, peranti seperti ini dikenal sebagai penyearah

(rectifier). Pada tahun 1919, William Henry Eccles memperkenalkan istilah
dioda yang berasal dari di berarti dua, dan ode (dari ὅδος) berarti "jalur".

Prinsip Kerja

Prinsip kerja dioda termionik ditemukan kembali oleh Thomas Edison

pada 13 Februari 1880 dan dia diberi hak paten pada tahun 1883 (U.S.
Patent 307031), namun tidak dikembangkan lebih lanjut. Braun mematenkan
penyearah kristal pada tahun 1899. Penemuan Braun dikembangkan lebih
lanjut oleh Jagdish Chandra Bose menjadi sebuah peranti berguna untuk
detektor radio.

Penerima Radio

Penerima radio pertama yang menggunakan dioda kristal dibuat oleh

Greenleaf Whittier Pickard. Dioda termionik pertama dipatenkan di Inggris
oleh John Ambrose Fleming (penasihat ilmiah untuk Perusahaan Marconi
dan bekas karyawan Edison) pada 16 November 1904 (diikuti oleh U.S.
Patent 803684 pada November 1905). Pickard mendapatkan paten untuk
detektor kristal silikon pada 20 November 1906 (U.S. Patent 836531).

Dioda Termonik

Dioda termionik adalah sebuah peranti katup termionik yang

merupakan susunan elektroda-elektroda di ruang hampa dalam sampul
gelas. Dioda termionik pertama bentuknya sangat mirip dengan bola lampu
pijar.

Dalam dioda katup termionik, arus listrik yang melalui filamen

pemanas secara tidak langsung memanaskan katoda (Beberapa dioda
menggunakan pemanasan langsung, dimana filamen wolfram berlaku
sebagai pemanas sekaligus juga sebagai katoda), elektroda internal lainnya
dilapisi dengan campuran barium dan strontium oksida, yang merupakan
oksida dari logam alkali tanah. Substansi tersebut dipilih karena memiliki
fungsi kerja yang kecil. Bahang yang dihasilkan menimbulkan pancaran
termionik elektron ke ruang hampa. Dalam operasi maju, elektroda logam
disebelah yang disebut anoda diberi muatan positif jadi secara elektrostatik
menarik elektron yang terpancar.
 Walaupun begitu, elektron tidak dapat dipancarkan dengan mudah
dari permukaan anoda yang tidak terpanasi ketika polaritas tegangan dibalik.
Karenanya, aliran listrik terbalik apapun yang dihasilkan dapat diabaikan.

Dalam sebagian besar abad ke-20, dioda katup termionik digunakan

dalam penggunaan isyarat analog, dan sebagai penyearah pada pemacu
daya. Saat ini, dioda katup hanya digunakan pada penggunaan khusus
seperti penguat gitar listrik, penguat audio kualitas tinggi serta peralatan
tegangan dan daya tinggi.

Dioda Semikonduktor

P          N

Anoda          Katoda

Sisi P disebut Anoda dan sisi N disebut Katoda. Lambang dioda

seperti anak panah yang arahnya dari sisi P ke sisi N. Karenanya ini
mengingatkan kita pada arus konvensional mudah mengalir dari sisi P ke sisi
N. Dalam pendekatan dioda ideal, dioda dianggap sebagai sebuah saklar
tertutup jika diberi bias forward (maju) dan sebagai saklar terbuka jika diberi
bias reverse (balik). Artinya secara ideal, dioda berlaku seperti konduktor
sempurna (tegangan nol) jika dibias forward dan seperti isolator sempurna
(arus nol) saat dibias reverse.

Untuk pendekatan kedua, dibutuhkan tegangan sebesar 0,7 V

sebelum dioda silikon konduksi dengan baik. Dioda dapat digambarkan
sebagai suatu saklar yang diseri dengan tegangan penghambat 0,7 V.
Apabila tegangan sumber lebih besar dari 0,7 V maka saklar akan tertutup.
Sebaliknya apabila tegangan sumber lebih kecil dari 0,7 V maka saklar akan
terbuka.
 Dalam pendekatan ketiga akan diperhitungkan hambatan bulk
(RB). Rangkaian ekivalen untuk pendekatan ketiga ini adalah sebuah saklar
yang terhubung seri dengan tegangan 0,7 V dan hambatan RB. Saat
tegangan dioda lebih besar dari 0,7 V maka dioda akan menghantar dan
tegangan akan naik secara linier dengan kenaikan arus. Semakin besar
arus, akan semakin besar tegangan dioda karena tegangan ada yang jatuh
menyebrangi hambatan bulk.

Operasi semua komponen benda padat seperti dioda, LED,

Transistor Bipolar dan FET serta Op-Amp atau rangkaian terpadu lainnya
(solid state) didasarkan atas sifat-sifat semikonduktor. Secara umum
semikonduktor adalah bahan yang sifat-sifat kelistrikannya terletak antara
sifat-sifat konduktor dan isolator. Sifat-sifat kelistrikan konduktor maupun
isolator tidak mudah berubah oleh pengaruh temperatur, cahaya atau medan
magnit, tetapi pada semikonduktor sifat-sifat tersebut sangat sensitif.

Elemen terkecil dari suatu bahan yang masih memiliki sifat-sifat

kimia dan fisika yang sama adalah atom. Suatu atom terdiri atas tiga partikel
dasar, yaitu: neutron, proton, dan elektron. Dalam struktur atom, proton dan
neutron membentuk inti atom yang bermuatan positip dan sedangkan
elektron-elektron yang bermuatan negatip mengelilingi inti. Elektron-elektron
ini tersusun berlapis-lapis. Struktur atom dengan model Bohr dari bahan
semikonduktor yang paling banyak digunakan, silicon dan germanium.
 Seperti ditunjukkan pada gambar 1.3 atom silikon mempunyai
elektron yang mengorbit (yang mengelilingi inti) sebanyak 14 dan atom
germanium mempunyai 32 elektron. Pada atom yang seimbang (netral)
jumlah elektron dalam orbit sama dengan jumlah proton dalam inti. Muatan
listrik sebuah elektron adalah: - 1.602-19 C dan muatan sebuah proton
adalah: + 1.602-19 C.

Elektron yang menempati lapisan terluar disebut sebagai elektron

valensi. Atom silikon dan germanium masing-masing mempunyai empat
elektron valensi. Oleh karena itu baik atom silikon maupun atom germanium
disebut juga dengan atom tetra-valent (bervalensi empat). Empat elektron
valensi tersebut terikat dalam struktur kisi-kisi, sehingga setiap elektron
valensi akan membentuk ikatan kovalen dengan elektron valensi dari atom-
atom yang bersebelahan. Struktur kisi-kisi kristal silicon murni dapat
digambarkan secara dua dimensi guna memudahkan pembahasan.

Meskipun terikat dengan kuat dalam struktur kristal, namun bisa

saja electron valensi tersebut keluar dari ikatan kovalen menuju daerah
konduksi apabila diberikan energi panas. Bila energi panas tersebut cukup
kuat untuk memisahkan elektron dari ikatan kovalen maka elektron tersebut
menjadi bebas atau disebut dengan electron bebas. Pada suhu ruang
terdapat kurang lebih 1.5 x 1010 elektron bebas dalam 1 cm3 bahan silikon
murni (intrinsik) dan 2.5 x 1013 elektron bebas pada germanium. Semakin
besar energi panas yang diberikan semakin banyak jumlah elektron bebas
yang keluar dari ikatan kovalen, dengan kata lain konduktivitas bahan
meningkat.

Kristal-kristal Silikon

Ketika atom-atom silikon bergabung. Menjadi satu kesatuan,

mereka membentuk dirinya sendiri menjadi sebuah bentuk yang dinamakan
sebuah kristal. Masing-masing atom silikon membagi elektron-elektronnya
dengan 4 atom yang berdampingan dan mempunyai 8 elektron dalam orbit
valensi. Lingkaran bayangan mewakili inti silikon. Meskipun, inti atom
sebenarnya mempunyai 4 elektron di dalam orbit valensinya, sekarang inti
atom mempunyai delapan.

Ikatan Kovalen

Masing-masing atom yang berdekatan membagi sebuah elektron

dengan atom inti. Dalam hal ini inti atom mempunyai empat elektron
tambahan, memberikan seluruh 8 elektron kedalam orbit valensi. Elektron-
elektron tersebut tidak begitu lama menjadi atom tunggal. Masing-masing inti
atom dan atom yang berdampingan membagi elektron-elektron, hal itu juga
terjadi pada atom-atom silikon yang lain. Dengan kata lain setiap bagian
sebuah kristal silikon mempunyai 4 yang berdampingan.

Penyatuan Valensi

Setiap atom didalam kristal silikon mempunyai 8 elektron didalam orbit

valensinya. 8 elektron tersebut menghasilkan sebuah stabilitas kimia yang
mengakibatkan bahan silikon menjadi padat. Tidak ada seorangpun yang
yakin bagaimana orbit paling luar dari seluruh elemen mempunyai
kecendrungan memiliki 8 elektron. Ketika 8 elektron tidak berada dalam
 p n
+ + _ _

⊝ ⊝ ⊝ ⊕ ⊕ ⊕
+ + _ _
⊝ ⊝ ⊝ ⊕ ⊕ ⊕

V
_

sebuah elemen, maka menjadi sebuah kecendrungan bagi elemen untuk

mengkominasikan dan membagi elektron-elektron menjadi atom lainnya
sehingga memiliki 8 elektron dalam orbit.

Bias Maju

Forward bias (bias maju) adalah hubungan yang dihasilkan oleh

pusat sumber negatif dihubungkan dengan bahan tipe-n dan pusat positif
dihubungkan dengan bahan tipe-p.

Dalam gambar, baterai mendorong lubang-lubang dan elektron-

elektron bebas menuju sambungan. Jika tegangan baterai lebih kecil
dibandingkan hambatan potensial, elektron bebas tidak mempunyai cukup
energi untuk melintasi lapisan deplesi (daerah hampa muatan). Ketika
mereka masuk lapisan deplesi, ion-ion tersebut akan mendorongnya kembali
menuju daerah n, oleh karena itu, tidak ada arus yang melintasi dioda.

Ketika sumber tegangan dc lebih besar dibandingkan dengan

hambatan potensial. Baterai mendorong kembali lubang-lubang dan
elektron-elektron bebas menuju ke sambungan. Pada saat tersebut elektron
bebas mempunyai cukup energi untuk melintasi lapisan deplesi dan
bergabung dengan lubang-lubang. Dengan kata lain elektron bebas menjadi
sebuah elektron valensi. Sebagai elektron valensi, elektron tersebut terus
berjalan ke kiri melalui satu lubang selanjutnya ia sampai ke ujung kiri dioda.
Ketika elektron tersebut meninggalkan ujung kiri dioda, lubang baru muncul
dan proses tersebut berulang kembali. Karena terdapat miliaran elektron
yang mengalami perjalanan yang sama, maka arus akan terus-menerus
melintasi dioda.

Sekali potensial (lapisan deplesi) ini terlewati, resistansi dari dioda

turun ke suatu nilai yang amat rendah dan kenaikan yang sangat kecil pada
tegangan catu mengakibatkan suatu arus yang amat besar pada dioda.
Dimana arus mengalir dengan mudah dalam bias maju dioda. Sepanjang
penerapan tegangan lebih besar dibandingkan tegangan potensial, maka
akan terjadi arus kuat secara terus-menerus dalam sirkuit.

Dalam daerah maju, tegangan pada saat arus mulai naik secara
cepat disebut sebagai tegangan kaki (tegangan ambang) dari dioda.
Tegangan ini sama dengan tegangan penghalang. Analisis rangkaian dioda
biasanya menentukan apakah tegangan dioda lebih besar atau lebih kecil
dari tegangan kaki. Apabila lebih besar, maka dioda akan menghantar
dengan mudah. Jika lebih kecil, maka dioda tidak menghantar dengan baik.
Tegangan kaki untuk dioda silikon:

VK ≈ 0,7 V

(Catatan: lambang (≈) artinya mendekati sama dengan)

Untuk itu, kita harus mengatasi terlebih dahulu tegangan ambang 0,7 V
sebelum dioda dapat menghantar. Penting untuk diperhatikan bahwa
tegangan ambang hampir tidak tergantung pada arus, berlawanan dengan
tegangan pada resistor. Jadi, semikonduktor tidak mengikuti hukum Ohm.
Untuk mengukur tegangan ambang dapat digunakan rangkaian pembagi
tegangan. Dioda pembagi tegangan merupakan sumber tegangan yang
sangat stabil.
Bias Mundur

Bias mundur (reverse bias) adalah hubungan yang terjadi saat pusat
negatif baterai dihubungkan pada sisi-p dan pusat positif baterai
dihubungkan dengan sisi-n.

Jika panjaran mundur diterapkan ke suatu pertemuan P-N, tegangan

panjaran mundur menambah lapisan deplesi. Akibatnya jumlah pembawa
muatan gerak di dalam daerah hubungan dikosongkan lebih lanjut, sehingga
menambah lebar daerah pengosongan, yang berarti kedua daerah dari dioda
tetap terisolasi satu dengan lainnya.

Perluasan daerah lapisan deplesi adalah proporsional dengan

tegangan reverse. Karena tegangan reverse meningkat, lapisan deplesi
bertambah lebar.

Setelah lapisan deplesi stabil, ada sebuah arus kecil berada pada
reverse bias. Mengulang kembali bahwa energi panas secara terus-menerus
menciptakan sepasang elektron-elektron dan lubang-lubang. Hal ini berarti
bahwa sedikit pembawa minoritas berada pada kedua sisi sambungan.
Sebagian besar bergabung dengan pembawa mayoritas. Tetapi yang berada
di dalam lapisan deplesi berada lebih lama untuk melintasi sambungan.
Ketika hal ini terjadi, sebuah arus yang kecil mengalir dalam rangkaian luar.

Gambar mengilustrasikan gagasan tersebut. Asumsikan bahwa

energi panas menciptakan sebuah elektron bebas dan lubang di dekat
sambungan. Lapisan deplesi mendorong elektron bebas ke kanan dan
memaksa satu elektron meninggalkan ujung kanan kristal. Lubang pada
lapisan deplesi didorong ke kiri. Lubang extra pada sisi p membiarkan satu
elektron memasuki ujung kiri kristal dan jatuh kedalam lubang. Karena
energi panas terus-menerus mengasilkan sepasang elektron lubang di
dalam lapisan deplesi, sebuah arus kecil secara terus-menerus mengalir
dalam rangkaian luar.
 p n
+ + _ _

⊝ ⊝ ⊝ ⊕ ⊕ ⊕
+ + _ _
⊝ ⊝ ⊝ ⊕ ⊕ ⊕
_

Arus reverse disebabkan oleh panas yang menghasilkan minoritas

disebut juga sebagai arus jenuh. Persamaannya, arus jenuh disimbolkan
dengan dengan IS (dimana S adalah saturation). Nama saturation berarti kita
tidak dapat mendapatkan arus pembawa minoritas lebih banyak daripada
diproduksi oleh energi panas. Dengan kata lain, kenaikan tegangan reverse
tidak akan menaikkan jumlah sifat panas yang menciptakan pembawa
minoritas.

Di samping sifat thermal memproduksi arus pembawa minoritas, ada

arus lain yang berada dalam sebuah dioda bias balik yaitu arus permukaan
bocor yang merupakan arus kecil yang mengalir pada permukaan kristal.

Nilai arus bocor dalam dioda sinyal normalnya adalah beberapa puluh atau
ratus nanoamper (1nA = 10-9 A), dan mungkin beberapa miliamper dalam
dioda daya. Arus bocor lebih disebabkan oleh arus intrinsik yang timbul dari
pasangan-pasangan hole-elektron secara termal di dalam daerah
pengosongan. Sebagai tambahan terhadap arus ini, sejumlah kecil arus
bocor disebabkan oleh kebocoran pada permukaan dioda. Nilai arus bocor
tetap cukup konstan sampai tegangan kerja mundur dari dioda.

Karakteristik arus–tegangan
 Karakteristik arus–tegangan dari dioda, atau kurva I–V, berhubungan
dengan perpindahan dari pembawa melalui yang dinamakan lapisan
penipisan atau daerah pemiskinan yang terdapat pada pertemuan p-n
diantara semikonduktor. Ketika pertemuan p-n dibuat, elektron pita konduksi
dari daerah N menyebar ke daerah P dimana terdapat banyak lubang yang
menyebabkan elektron bergabung dan mengisi lubang yang ada, baik
lubang dan elektron bebas yang ada lenyap, meninggalkan donor bermuatan
positif pada sisi-N dan akseptor bermuatan negatif pada sisi-P. Daerah
disekitar pertemuan p-n menjadi dimiskinkan dari pembawa muatan dan
karenanya berlaku sebagai isolator.
Walaupun begitu, lebar dari daerah pemiskinan tidak dapat tumbuh
tanpa batas. Untuk setiap pasangan elektron-lubang yang bergabung, ion
pengotor bermuatan positif ditinggalkan pada daerah terkotori-n dan ion
pengotor bermuatan negatif ditinggalkan pada daerah terkotori-p. Saat
penggabungan berlangsung dan lebih banyak ion ditimbulkan, sebuah
medan listrik terbentuk didalam daerah pemiskinan yang memperlambat
penggabungan dan akhirnya menghentikannya. Medan listrik ini
menghasilkan tegangan tetap dalam pertemuan.

Jenis-jenis diode

Secara umum, diode yang banyak dijual dipasaran adalah diode kristal,
diode zener, LED (Ligth Emiting Diode), diode kapasiansi variabel dan diode
bridge.

1) Diode Kristal
Diode kristal ini terdiri dari 2 jenis yaitu diode silikon (Si) dan diode
germanium (Ge). Berikut penjelasan dari masing-masing jenis diode tersebut

a. Diode Silikon (Si)

Disamping oksigen, silikon adalah elemen yang banyak dalam

dunia. Satu dari masalah tersebut terselesaikan, keuntungan silikon
 segera membuatnya menjadi pilihan semikonduktor. Tanpa itu elektronika
modern, komunikasi dan komputer tidak dapat bekerja.

Sebuah atom silikon terisolasi mempunyai 14 proton dan 14

elektron. Orbit yang pertama mengandung 2 elektron dan orbit yang
kedua mempunyai 8 elektron. 4 elektron yang tersisa terdapat dalam orbit
valensi.

Pada saat diode silikon ini dibias maju, agar arus dapat mengalir
maka tegangan harus sebesar 0,7 Volt. Apabila tidak mencapai tegangan
minimal tersebut, arus yang datang dari anoda tidak akan mengalir ke
katoda. Apabila tegangan tersebut sudah mencapai tegangan minimal,
maka arus akan naik dengan cepat seperti yang terlihat pada gambar 1.4
yaitu kurva karakteristik diode silikon ini. Dimana pada kurva terlihat, saat
tegangan mencapai 0,7 Volt, maka arus akan naik dengan cepat.

I (arus)

V(teganga
n
0,7 V

b. Diode Germanium (Ge)

Konduktor terbaik (perak, tembaga dan emas) mempunyai satu

elektron valensi dimana insulator terbaik mempunyai delapan elektron
valensi. Sebuah semikonduktor adalah sebuah elemen dengan kemampuan
listrik diantara sebuah konduktor dan insulator. Seperti yang mungkin anda
pikirkan, semikonduktor yang terbaik mempunyai empat elektron valensi.

Germanium adalah contoh dari sebuah semikonduktor. Ia mempunyai

empat elektron dalam orbit valensi. Beberapa tahun yang lalu germanium
adalah satu-satunya bahan yang cocok untuk membuat peralatan
semikonduktor. Tetapi peralatan germanium mempunyai sebuah kekurangan
yang fatal yaitu arus balik yang sangat besar dimana insinyur tidak dapat
mengatasinya. Akhirnya semikonduktor lain dinamakan silikon menjadi
sesuatu yang dipakai dan membuat germanium menjadi usang dalam
sebagian besar pemakian elektronik. Untuk jenis diode germanium (Ge),
arus akan dilewatkan apabila tegangan harus mencapai tegangan 0,3 Volt.
Jadi, pada prinsipnya sama seperti diode silikon, apabila tegangan belum
mencapai 0,3 Volt maka arus tidak akan dilewatkan. Jika tegangannya
sudah mencapai tegangan minimal sebesar 0,3 Volt, maka arus sudah dapat
dilewatkan.

2) Diode Zener

Diode zener atau juga dikenal sebagai voltage regulation diode

adalah silicon PN junction yang bekerja pada reverse bias yang di
daerah breakdown. Simbol dari suatu zener diode ditunjukkan pada
gambar 1.5 dibawah ini. Tegangan zener Vz adalah tegangan reverse di
mana terjadi breakdown. Bila tegangan reverse VD kurang dari VZ tahanan
zener diode di sekitar 1 megaohm atau lebih.

Anoda Katod
a

Bila VD naik sedikit saja di atas Vz arus reverse akan naik dengan
cepat, oleh karena itu di dalam permakaian zener diode selalu digunakan
suatu tahanan seri untuk mencegah terjadinva arus yang berlebihan.
 Bila tegangan reverse dihubungkan pada PN-junction, lebar depletion
layer akan bertambah karena elektron dan hole tertolak dari junction.
Lebar depletion layer tergantung dari kadar doping, bila digunakan silicon
dengan doping tinggi akan dihasilkan depletion layer yang tipis. Sehingga
bila tegangan reverse dihubungkan akan menimbulkan medan listrik yang
kuat di dalam dioda dan jika tegangan reverse mencapai tegangan zener Vz
maka medan listrik yang dibangkitkan demikian kuatnya sehingga sejunilah
besar elektron akan terlepas dan daya tarik intinya diikuti dengan kenaikan
arus reverse secara mendadak. Peristiwa inilah yang disebut dengan
Zener breakdown.

Jadi zener diode sebenarnya adalah PN junction dengan doping

tinggi hingga menghasilkan depletion layer tipis; biasanya zener breakdown
terjadi di bawah tegangan 5 volt dan masih tergantung pada temperatur. Di
bawah pengaruh medan listrik yang kuat, atom-atom lebih mudah
melepaskan elektronnya menjadi ion-ion bila temperatumya naik. Jadi Vz
turun bila temperatur zener diode naik.

PN junction diode yang dibuat dengan doping rendah depletion

layernya lebih lebar. Medan listrik harus lebih kuat untuk menghasilkan
zener breakdown. Tetapi sebelum zener breakdown terjadi elektron-
elektron minority carriers sudah akan memperoleh tenaga kinetik demikian
besarnya hingga pada saat menabrak atom akan menimbulkan ionisasi
yang menimbulkan elektron baru. Elektron-elektron baru akan ikut bergerak
akibatnya tabrakan akan berlangsung secara berantai sehingga makin
banyak elektron yang dihasilkan dan arus reverse naik dengan cepat.
Peristiwa semacam ini disebut avalanche breakdown. Bila temperatur
dioda naik laju gerakan elektron dalam depletion layer menurun sehingga
diperlukan tegangan yang lebih besar untuk memberikan kecepatan yang
cukup bagi elektron-elektron.

Jadi kita mengenal zener breakdown yaitu ionisasi karena kekuatan

medan listrik dan avalanche breakdown yaitu ionisasi karena tabrakan.
Yang pertama terjadi pada bahan dengan tahanan jenis rendah (doping
tinggi) yang dipisahkan oleh depletion layer tipis yaitu untuk Vz di bawah 5
volt. Yang kedua terjadi pada bahan dengan tahanan jenis tinggi (doping
rendah) yang dipisahkan oleh depletion layer lebar untuk Vz di atas 5 volt.
Meskipun demikian dalam prakteknya kedua type di atas tetap dinamakan
zener diode. Karena alasan inilah maka zener diode dibuat dari silikon.

Data-data zener diode yang perlu diketahui adalah:

1. Tegangan zener Vz terletak antara 3,3 Volt sampai 200 Volt. Tiap
zener mempunyai V z.tertentu dengan toleransi 5 sampai 10 persen.

2. Arus zener Iz ialah arus yang mengalir pada saat breakdown. I z minimum
adalah besarnya Iz tepat pada knee. I z maksimum adalah arus yang tidak
boleh dilampaui, karena dapat menimbulkan panas yang berlebihan.
Misalkan sebuah zener diode dengan: V z = 5,8 volt, I z min = 1 mA dan Iz
mak = 50 mA pada temperatur 40 ° C.

3. Tahanan zener rz ialah suatu nilai yang menunjukkan perbandingan

perubahan tegangan zener (Vz) terhadap perubahan arus zener (I z).

ΔVZ
rZ =
ΔIZ

Tahanan zener minimum sekitar 10 ohm bila VZ nya sekitar 6 volt.

Tahanan ini akan naik bila Vz lebih atau kurang dari 6 volt. Hubungan antara VZ
dan rZ ini dapat dilihat pada gambar 1.6 dibawah.

Rz (ohm)

200

100

10 20 Vz (volt)
Oleh karena itu penggunaan zener sebagai s tabilisator Vz yang
terbaik adalah sekitar 6 volt. Bila tegangan yang akan distabilkan
lebih dari 6 volt dapat digunakan bcberapa zener yang dihubungkan seri.

a. Karakteristik maju dioda Zener

b. Karakteristik balik dioda Zener

3) LED (Ligth Emiting Diode)

LED adalah singkatan dari Light Emiting Dioda, merupakan

komponen yang dapat mengeluarkan emisi cahaya.LED merupakan produk
temuan lain setelah dioda. Strukturnya juga sama dengan dioda, tetapi
belakangan ditemukan bahwa elektron yang menerjang sambungan P-N
juga melepaskan energi berupa energi panas dan energi cahaya. LED
dibuat agar lebih efisien jika mengeluarkan cahaya. Untuk mendapatkna
emisi cahaya pada semikonduktor, doping yang pakai adalah galium,
arsenic dan phosporus. Jenis doping yang berbeda menghasilkan warna
cahaya yang berbeda pula. Berikut simbol LED dalam skema rangkaian.

Anoda Katoda

Pada saat ini warna-warna cahaya LED yang banyak ada adalah warna
merah, kuning dan hijau.LED berwarna biru sangat langka. Pada dasarnya
semua warna bisa dihasilkan, namun akan menjadi sangat mahal dan tidak
efisien. Dalam memilih LED selain warna, perlu diperhatikan tegangan kerja,
arus maksimum dan disipasi daya-nya. Rumah (chasing) LED dan
bentuknya juga bermacam-macam, ada yang persegi empat, bulat dan
lonjong.

4) Diode kapasiansi variabel

Dioda Kapasiansi Variabel yang disebut juga dioda varicap atau dioda
varactor. Sifat dioda ini ialah bila dipasangkan menurut arah terbalik akan
berperan sebagai kondensator.Kapasitansinya tergantung pada tegangan
yang masuk. Dioda jenis ini banyak digunakan pada modulator FM dan juga
pada VCO suatu PLL (Phase Lock Loop). Berikut adalah simbol diode
varicap dalam skema rangkaian.

Anode Katode
a a
 5) Diode Bridge

Untuk membuat penyearah pada power supply, di pasaran banyak

terjual dioda bridge.Dioda ini adalah dioda silicon yang dirangkai menjadi
suatu bridge dan dikemas menjadi satu kesatuan komponen. Di pasaran
terjual berbagai bentuk dioda bridge dengan berbagai macam kapasitasnya.
Ukuran dioda bridge yang utama adalah voltage dan ampere maksimumnya.

Penyearah Setengah Gelombang

a. Penyearah Setengah Gelombang dengan Kapasitor

Untuk mendapatkan suatu tegangan DC yang baik dimana bentuk tegangan

hasil penyearahan adalah mendekati garis lurus maka tegangan keluaran
dari suatu rangkaian penyearah seperti terlihat pada gambar 1.12
dihubungkan dengan suatu kapasitor secara paralel terhadap beban seperti
pada gambar 1.13 dimana arus dari keluaran rangkaian penyearah selain
akan melewati beban juga akan mengisi kapasitor sehingga pada saat
tegangan hasil penyearahan mengalami penurunan maka kapasitor akan
membuang muatannya kebeban dan tegangan beban akan tertahan
 sebelum mencapai nol. Hal ini dapat dijelaskan pada gambar berikut: Hasil
penyearahan yang tidak ideal akan mengakibatkan adanya ripple seperti
terlihat pada gambar diatas dimana tegangan ripple yang dihasilkan dapat
ditentukan oleh persamaan berikut : Ripple (peak to peak) = Idc . (T / C)
Dimana Idc dalam hal ini adalah tegangan keluaran dibagi dengan R beban.
T adalah periode tegangan ripple (detik) dan C adalah nilai kapasitor (Farad)
yang digunakan.

b. Penyearah Setengah Gelombang dengan bridge dioda

c. Penyearah Gelombang Penuh

1.3 Daftar Komponen dan Alat
1. Modul elektronika dasar 5. Mistar / penggaris
2. 1 buah multimeter 6. Milimeterblock
3. Penjepit buaya 7. Disket / flashdisk
4. Osiloskop 8. Pulpen/pensil

1.4 Cara Kerja

1.4.1 Memeriksa Keadaan Diode
Gunakan alat ukur multimeter untuk memeriksa diode – diode yang ada.
Pada saat pengukuran R maju gunakan range yang paling kecil (ohm) dan range
yang besar untuk R mundur (10 K ohm), untuk multimeter analog. Pada
multimeter digital gunakan range untuk mengukur. Catat hasil pengukuran anda
pada table 1.1.
Table 1.1 Pemeriksaan baik buruknya diode

No Jenis dan tipe Multimeter Resistansi Dioda Keadaan Ket

dioda diode
Forward Reverse Baik Buruk
1 Dioda BY Analog
Digital
penyearah 299
Ge Analog
Digital
IN60
2 Diode 5,1 V Analog
Digital
zener (1W)
3 LED Merah Analog
Digital
Putih Analog
Digital
4 Diode MV Analog
Digital
varaktor 2209
1.4.2 Karakteristik V – I (dengan multimeter)
1. Buatlah rangkaian seperti gambar 1.2, untuk pengukuran Vd
gunakan multimeter digital dan Id dengan multimeter analog.
2. Atur Vs agar didapat harga seperti pada table 1.2 (untuk bias
forward). Dan harga Vd sesuai dengan table 1.2 (untuk bias
reverse).
3. Lakukan untuk diode Si, Ge, dan zener.
 Gambar 1.1 Rangkaian diode pada karakteristik V – I diukur dengn multimeter

Table 1.2 Pengukuran diode pada karakteristik V – I dengan multimeter

No VD ID Bias Forward Voltage (V) Bias Reverse Voltage (V) ket
Diode Diode LED Diode Diode LED
(V) (mA)
penyearah Zener penyearah Zener
BY IN60 5,1V;1 M P IN40 IN60 5,1V M P
229 W 01
1 0,0 0,0
2 0.1
3 0.2
4 0.3
. .
. .
. .
. .
. .
. .
.
5,0 5,0

1.4.3 Karakteristik V – I (dengan osiloskop)

1. Buatlah rangkaian seperti gambar 1.3
2. Atur range I/div osiloskop pada x – y.
3. Atur Vs sesuai table 1.2 untuk bias maju dan mundur, Atur pula V/div
(CH1 dan CH2), sehingga didapatkan gambar yang cukup baik, dan
gambarlah pada kertas millimeter.
4. Lakukan percobaan tersebut untuk diode si, Ge, dan Zener.
 Gambar 1.2 Rangkaian diode pada karakteristik V – I diukur dengn osiloskop

1.4.4 Penyearah Setengah Gelombang

a) Dengan 1 diode
1. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 1.4, untuk pengukuran VRL
dan IRL gunakan multimeter digital.
2. Hubungkan Vsi pada 18 Vrms, kemudian ukur besarnya I RL (arus
DC), dan VRL1 (tegangan DC), catat pada table 1.4.
3. Hubungkan VSi pada 25 Vrms, kemudian ukur besarnya I RL1 (arus DC),
dan VRL (tegangan DC), catat pada table 1.4.
4. Ulangilah langkah – langkah diatas untuk RL1 10Ω20W dan RL2
100Ω20W.
5. Catatlah hasil pengukuran anda pada table 1.3.

Gambar 1.3 Rangkaian diode penyerah setengah gelombang dengan 1 diode

Table 1.3 Pengukuran diode penyearah setengah gelombang dengan 1 diode

Vp Vs(V) Pengukuran Perhitungan
Dengan Multimeter Digital Gambar OSC
Rms Ket
VD VA VS IRL VRL PRL
RL IRL VRL VA VRL
(V)
(CE)
10Ω;20
220 W
100Ω;2
0W
 b) Dengan 2 diode
1. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 1.5, untuk pengukuran VRL
dan IRL gunakan multimeter.
2. Vsi pasang pada 18 Vrms, kemudian ukur besarnya I RL (arus DC), dan
VRL1 (tegangan DC), catat pada table 1.5.
3. VSi pasang pada 25 Vrms, kemudian ukur besarnya IRL1 (arus DC), dan
VRL (tegangan DC), catat pada table 1.5.
4. Ulangilah langkah – langkah diatas untuk RL 1 10Ω20W dan RL2
100Ω20W.

Gambar 1.4 Rangkaian diode penyerah setengah gelombang dengan 2 diode

Table 1.4 Pengukuran diode penyearah setengah gelombang dengan 2 diode

Vp Vs(V) Pengukuran Perhitungan
Dengan Multimeter Digital Gambar OSC
Rms Ket
RL VA VS IRL VRL PRL
IRL VRL VD(CE) VA VRL
(V)
10Ω;20 18
220 W
100Ω;2 25
0W

1.4.5 Penyearah Gelombang Penuh

1.4.5.1 Menggunakan 2 dioda
1. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 1.5.
2. Kemudian isialah table 1.5 untuk RL sama dengan RL 110Ω20W dan
RL2100Ω20W

Gambar 1.5 Diode penyearah gelombang penuh dengan 2 diode

Table 1.5 Pengukuran diode penyearah gelombang penuh dengan 2 diode
Vp Vs(V) RL Pengukuran Perhitungan Ket
Multimeter Gambar Osc Vs VRL PRL f
Rms (Ω)
IRL VA VRL VD VA VRL VD
(V)

220 18 10
100
25 10
100

1.4.5.2 Menggunakan 4 dioda

1. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 1.6.
2. Kemudian isilah table 1.6, untuk RL sama dengan RL1 10Ω20W dan
RL2 100Ω20W

Gambar 1.6 Diode penyearah gelombang penuh dengan 4 diode

Table 1.6 pengukuran diode penyearah gelombang penuh dengan 4 diode

Vp Vs(V) RL Pengukuran Perhitungan Ket
Multimeter Gambar Osc Vs VRL PRL f
Rms (Ω)
IRL VA VRL VD VA VRL VD
(V)

220 18 10
100
25 10
100

1.4.5.3 Pengenalan IC regulator pada power supply.

1. lakukan percobaan berikut.
2. ukur berapakah keluaran IC tersebut.
 78XX

79xx
Gambar 1.7 percobaan menggunakan IC regulator

VP Jenis Pengukuran Ket

rms IC
Multimeter Digital
(V) regulator
Vin Vout

220 7805

7812

7912

1.5 Lembar Kerja dan Data Hasil Percobaan

Tabel 1.9 Pemeriksaan Baik Buruknya Dioda

Keadaan
Jenis dan tipe Resistansi Dioda
No Multimeter diode Ket
dioda
Forward Reverse Baik Buruk
BY Analog - - √    
Dioda 299 Digital 470 1      
1
penyearah IN Analog - -      
4001 Digital 531 1 √    
  - -      
Diode
2   Digital 330 1 √    
zener
  - -      
 Tabel 1. 10 Pengukuran Dioda Pada Karakteristik V-I Dengan Multimeter

Bias Forward Voltage Bias Riverse Voltage

No Vo ket
Dioda penyearah Dioda Penyearah

1 1V 0, 60 Volt 1, 09 Volt  
2 2V 0, 68 Volt 2,02 Volt  

3 3V 0, 70 Volt 3,05 Volt  

4 3V 0, 72 Volt 4,00 Volt  

Tabel 1.11 Pengukuran Dioda Penyearah Setengah Gelombang Dengan 1 Dioda

Pengukuran perhitungan
Vp
Dengan RL Vs ket
RMS
Vd VRL Va IRL PRL
10 ohm : 20
220 w 7,30 5,5 220 0,5 2,6  
18
V 4700 ohm : 1,3
20 w 7,78 7,81 220 1,66x104 mw  

Table 1.11 Pengukuran diode penyearah setengah gelombang dengan 2

diode
Vp Pengukuran Perhitungan
Multimeter Digital
Rms Dengan RL Vs(V) Ket
IRL VRL PRL
IRL VRL VD(CE) VA
(V)

10Ω;20W 18 - 4,77 0,08 220 2,27 -

220

100Ω;20W 25 - 7,61 0,43 220 1,23 -

Table 1.12 Pengukuran diode penyearah gelombang penuh dengan 2 diode

 Vp
Pengukuran Perhitungan
Rms RL
Vs(V) Ket
(Ω)
VA VRL VD Vs VRL PRL f
 
10 220 9.77 12.02     9.54    
220 18
47K 220 15.68 15.67     5.23mW    

Table 1.13 pengukuran diode penyearah gelombang penuh dengan 4 diode

Vp
Pengukuran Perhitungan
Rms
Vs(V) RL (Ω) Ket
(V)
VA VRL VD Vs VRL PRL f
 
10 220 9 4.64          
220 18
47K 220 15.33 7.64          

Table 1.14 Pengukuran IC Regulator

VP Pengukuran
RMS Jenis IC Regulator Multimeter Digital
ket
V Vin Vout  
7805 23 6.2  
220 7812 11.4 10.2  
7912 -23.5 -11.9  

1.6 Analisa Data Hasil Percobaan

1.6.1 Memeriksa keadaan diode
Dari percobaan diperoleh table seprti berikut :

No Jenis dan tipe Multimeter Resistansi Dioda Keadaan Ket

 diode
dioda
Forward Reverse Baik Buruk
BY Analog - - √    
Dioda 299 Digital 470 1      
1
penyearah IN Analog - -      
4001 Digital 531 1 √    
  - -      
Diode
2   Digital 330 1 √    
zener
  - -      

Setelah kita lihat tabel diatas terlihat bahwa pada pengukuran Dioda
Penyearah (BY229 dan IN 4001) dengan menggunakan multimeter analog pada
saat diode dikenakan bias maju (forward), multimeter tidak menampilkan hasil
(jarum penunjuk tidak bergerak) karena skala pada multimeter tidak dapat
menunjukkan hasil pengukuran yang disebabkan nilai pengukuran yang terlalu
kecil (saat bias maju tahanan mendekati nol). Sedangkan pada pengukuran
menggunakan multimeter digital, nilai pengukuran saat diode dikenakan bias
mundur tidak dapat ditampilkan, hal ini disebabkan karena pada saat bias
mundur nilai tahanan sangat besar sehingga nilai pengukuran tidak dapat
ditampilkan pada skala multimeter digital.
Pada pengukuran diode yang lain seperti diode zener, LED, diode varaktor
nilai pengukuran saat dikenakan bias maju dan bias mundur tidak dapat
ditampilkan baik menggunakan multimeter analog atau digital, hal ini disebabkan
skala pada multimeter tersebut tidak dapat menampilkan nilai tersebut. Selain itu
kebanyakan komponen dioda yang diukur dalam keadaan buruk, ini
kemungkinan disebabkan karena pemberian tegangan yang salah, sampai dioda
ada yang rusak dan tidak dapat digunakan.

1.6.2 Karakteristik V – I (dengan multimeter)

Table 1.16 Pengukuran diode pada karakteristik V – I dengan multimeter

Bias Forward Voltage Bias Riverse Voltage

No Vo ket
Dioda penyearah Dioda Penyearah

1 1V 0, 60 Volt 1, 09 Volt  
 2 2V 0, 68 Volt 2,02 Volt  

3 3V 0, 70 Volt 3,05 Volt  

4 3V 0, 72 Volt 4,00 Volt  

Diketahui rangkaian sebagai berikut :

Gambar 1.1 Rangkaian diode pada karakteristik V – I diukur dengn multimeter

Pada rangkaian diatas diketahui bahwa: pada saat tegangan VS ≤ 0,

maka nilai arus yang mengalir pada rangkaian adalah 0. karena sifat dari diode,
bila pada keadaan itu maka diode mengalami reverse bias, sehingga pada diode
akan berlaku hubungan terbuka. Untuk lebih telitinya, maka dapat dilihat sebagai
berikut:

a. Pada saat reverse bias ( VS ≤ 0):

b. Pada saat forward bias ( VS > 0):

1. Untuk nilai Vs ≤ 0 berarti tidaka ada arus yang mengalir pada rangkaian (I
= 0) sehingga
 Vs  V R  V D  0

 Vs  0  V D  0
 Vs  VD

Persamaan ini berlaku untuk semua jenis diode baik itu jenis Si
maupun Ge. Selama perhitungan , walaupun tegangan diubah-ubah,
selama VS lebih kecil dari 0 maka Vd=Vs.

2. Pada saat Vs> 0 maka :

Secara matematis perhitungannya adalah :
ID = IR = I
Vs = VR + VD = I x R + VD
Vs  V D
I
R
Nilai VD untuk diode jenis silikon adalah 0,7 volt sedangkan untuk
germanium 0,3 volt Pada saat :
1  0,7
Vs = 1 volt maka I   3mA
100
2  0,7
Vs = 2 volt maka I   13mA
100
3  0,7
Vs = 3 volt maka I   23mA
100
 0,7
Vs = 4 volt maka I   33mA
100

Sehingga diperoleh pengukuran seperti table berikut :

Table 1.17 Hasil perhitungan karakter V-I
Bias Riverse
No Vo ID mA Bias Forward Voltage Voltage ket
Dioda penyearah Dioda Penyearah
1 1 3 0, 60 Volt 1, 09 Volt  
2 2 13 0, 68 Volt 2,02 Volt  
3 3 23 0, 70 Volt 3,05 Volt  
4 4 33 0, 72 Volt 4,00 Volt  
 Berdasarkan data yang diperoleh pada hasil percobaan dan hasil kalkulasi
maka dapat dihitung persentase kesalahannya dengan menggunakan
persaaman sebagai berikut :
I pengukuran  I teori
% kesalahan = x 100 %
I teori

Untuk data I D pertama dapat dihitung persentase kesalahannya yaitu:

I pengukuran = 1 mA
I teori = 3 mA
1 3
% kesalahan = x 100 %
3

= 66.6 %
Untuk data I D kedua dapat dihitung persentase kesalahannya yaitu :
I pengukuran = 2 mA
I teori = 13 mA
2  (13)
% kesalahan = x 100 %
13
= 84.6 %

Untuk data I D ketiga dapat dihitung persentase kesalahannya yaitu :

I pengukuran = 3 mA
I teori = 23 mA
3  23
% kesalahan = x 100 %
23

= 91.3%

Untuk data I D keempat dapat dihitung persentase kesalahannya yaitu :

I pengukuran = 4 mA
I teori = 33 mA
4  33
% kesalahan = x 100 %
33

= 87.8%
 Untuk data hasil perhitungan persentase kesalahan dapat dilihat pada tabel
di bawah ini :

Tabel 1.18 Persentase Kesalahan pada Karakteristik V -I

Persentase
VD ID ID
kesalahan
No
(V) (mA) (mA) (%)
  (pengukuran) (perhitungan)  
1 1 0 3 66,6
2 2 0 13 84,6
3 3 0 23 91.3
4 4 0 33 87.8

Gambar 1.6.1 Grafik Perbandingan Vd dan Id pada Percobaan

 Gambar 1.6.2 Grafik Perbandingan Vd dan Id pada Pengukuran
Dari grafik diatas dapat disimpulkan bahwa VD berbanding lurus dengan
ID, yaitu makin besar VD makin besar juga ID baik dalam pengukuran maupun
dalam perhitungan.

1.6.3 Penyearah Setengah Gelombang

a. Dengan 1 diode
Dari hasil percobaan diperoleh hasil sebagai berikut :
Table 1.19 Pengukuran Diode Penyearah Setengah Gelombang dengan 1Diode

Pengukuran perhitungan
Vp
Dengan RL Vs ket
RMS
Vd VRL Va IRL PRL

220 10 ohm : 20 w 7,30 5,5 220 - -  

18
V
47 Kohm :20 w 7,78 7,81 220 - -  
Diketahui rangkaian sebagai berikut :

Gambar 1.10 Rangkaian diode penyerah setengah gelombang dengan 1 diode

Untuk menghitung I RL , PRL dapat digunakan persamaan berikut:

VRL
I RL  I D 
R
PRL  I RL
2
R

Sehingga untuk menghitung pada saat RL = 10Ω:20W : :

VRL 5,1
I RL    0,5 A
R 10
PRL  I RL
2
R = 0.5 2 x10 =2,6 Watt
Begitu juga untuk menghitung pada saat RL = 47KΩ:20W :
VRL 7,81
I RL    0.00166 A
R 4700
PRL  I RL
2
R = 0.00166 2 x 47000 = 1,3 mW

Maka akan didapat tabel perhitungan nilai dari IRL dan PRL adalah sebagai berikut
:

Tabel 1.20 Perbandingan Hasil Pengukuran dengan Hasil Perhitungan

Pengukuran perhitungan
Vp
Dengan RL Vs ket
RMS
Vd VRL Va IRL PRL

220 10 ohm : 20 w 7,30 5,5 220 0,51 2,6  

18
V 1,3
47 Kohm :20 w 7,78 7,81 220 1,66x104 mw  
 b. Dengan 2 diode
Table 1.22 Pengukuran diode penyearah setengah gelombang dengan 2
diode
Vp Pengukuran Perhitungan
Vs(V Multimeter Digital
Rms Dengan RL Ket
) IR VRL PRL
IRL VRL VD(CE) VA
(V)

10Ω;20W 18 0,477 4,77 0,08 220 - -

220

47kΩ;20W 18 0,16mA 7,61 0,43 220 - -

Diketahui rangkaian sebagai berikut :

Gambar 1.11 Rangkaian diode penyerah setengah gelombang dengan 2 diode

Untuk mencari pesentase kesalahannya, harus dihitung terlebih dahulu IRL,
VRL, dan PRL. Untuk menghitung IRL, VRL, dan PRL dapat digunakan persamaan
berikut :
VRL  E  VD ; VD  0.7V
 VRL
I RL  I D 
R
PRL  I RL
2
R

Sehingga untuk menghitung pada saat RL = 10Ω:20W : :

V RL  18  0,7
V RL  17,3V

V RL 17,3
I RL    1,73 A
R 10
PRL  I RL
2
R = 1.73 2 x10 = 29,9Watt

Begitu juga untuk menghitung pada saat RL = 47KΩ:20W :

V RL  18  0,7
V RL  17,3V

V RL 17,3
I RL    0.36 A
R 47000
PRL  I RL
2
R = 0.36 2 x 47000 = 6091,1 Watt

Dari hasil perhitungan secara teori di atas Maka akan diperoleh hasil
seperti table di bawah ini sebagai berikut :

Tabel 1.23 Perbandingan Hasil Pengukuran dan Hasil Perhitungan

Vp Vs Pengukuran Perhitungan
Dengan Multimeter Digital
Rms (V) Ket
VD(C VA IRL VRL PRL
RL IRL VRL
(V)
E)
10Ω;20 0,47 22 1,7 17,
18 4,77 0,08 29,9 -
W 7 0 3 3
220 0,16 7,61 0,43 22 0,3 17, 6091, -
47KΩ;20 18 mA 0 6 3 1
 W

Berdasarkan data yang diperoleh pada hasil percobaan dan hasil

kalkulasi maka dapat dihitung persentase kesalahannya dengan menggunakan
persaaman sebagai berikut :
I pengukuran  I teori
% kesalahan = x 100 %
I teori

untuk data IRL pertama dapat dihitung persentase kesalahannya yaitu :

I pengukuran = 0,477 A

I teori = 1,73 A
I pengukuran  I teori
% kesalahan = x 100 %
I teori

0,477  1.73
= x 100 %
1.73

= 72,4 %
Untuk data IRL kedua dapat dihitung persentase kesalahannya yaitu :

I pengukuran = 0,16 mA

I teori = 0,36 A
I pengukuran  I teori
% kesalahan = x 100 %
I teori

0,16 mA  0.36
= x 100 %
0.36

= 99,5 %
Dengan cara yang sama untuk menghitung VRL maka didapat tabel
perbandingan sebagai berikut:
V pengukuran  Vteori
% kesalahan = x 100 %
Vteori

4,77  17,3
= x 100 %
17,3

= 72,4 %
 V pengukuran  Vteori
% kesalahan = x 100 %
Vteori

7,61  17,3
= x 100 %
17,3

= 56,01 %

Tabel 1.24 Persentase kesalahan

Persentase kesalahan
Dengan Pengukuran Perhitungan
(%)
RL
IRL VRL IRL VRL IRL VRL
10Ω;20W 0,477 4,77 1.73 17,3 72,4 72,4

0,16
100Ω;20W 7,61 0.36 17,3 99,5 56,01
mA

1.6.4 Penyearah Gelombang Penuh

a. Menggunakan 2 dioda
Table 1.25 Pengukuran diode penyearah gelombang penuh dengan 2 diode

Vp
Pengukuran Perhitungan
Rms RL
Vs(V) Ket
(Ω)
VA VRL VD Vs VRL PRL f
 
10 220 9.77 12.02     9.54    
220 18
47K 220 15.68 15.67     5.23mW    

Diketahui rangkaian sebagai berikut :

 Gambar 1.12 Diode penyearah gelombang penuh dengan 2 diode

Untuk menghitung I RL , VRL , PRL dapat digunakan persamaan berikut :

V RL  E ; VD  0.7V

VRL
I RL  I D 
R

PRL  I RL
2
R

Sehingga untuk menghitung pada saat RL = 10Ω:20W : :

V RL  18  0,7
V RL  17,3V

V RL 17,3
I RL    1,73 A
R 10
PRL  I RL
2
R = 1.73 2 x10 =29,9 Watt
Begitu juga untuk menghitung pada saat RL = 47KΩ:20W :
V RL  18  0,7
V RL  17,3V

V RL 17,3
I RL    0.36mA
R 47000
PRL  I RL
2
R = 0.36 2 x 47000 = 6091,1 Watt

Maka akan didapat hasil perhitungannya sebagai berikut:

Tabel 1.26 Perbandingan Hasil Pengukuran dan Hasil Perhitungan
Vp
Pengukuran Perhitungan
Rms Vs(V RL Ke
Multimeter Digital
(V) ) (Ω) Vs IRL PRL t
IRL VA VRL VD

10 0,97 220 9,77 12,02 18 1,73 29,9

220 18 4700 15,6
0,33 220 15.67 18 0,36 6091,1
0 8
 Berdasarkan data yang diperoleh pada hasil percobaan dan hasil
perhitungan maka dapat dihitung persentase kesalahannya dengan
menggunakan persaaman sebagai berikut :
I pengukuran  I teori
% kesalahan = x 100 %
I teori

untuk data IRL pertama dapat dihitung persentase kesalahannya yaitu

I pengukuran = 0,97 A

I teori = 1.73 A
I pengukuran  I teori
% kesalahan = x 100 %
I teori

0,97  1.73
= x 100 %
1.73

= 43,9%
Untuk data IRL kedua dapat dihitung persentase kesalahannya yaitu :
I pengukuran = 0,33 A

I teori = 0,36 A
I pengukuran  I teori
% kesalahan = x 100 %
I teori

0,33  0.36
= x 100 %
0.36

= 83,3 %
Dengan cara yang sama untuk menghitung VRL maka didapat tabel
perbandingan sebagai berikut:
V pengukuran  Vteori
% kesalahan = x 100 %
Vteori

9.77  17,3
= x 100 %
17,3

= 43,5 %
V pengukuran  Vteori
% kesalahan = x 100 %
Vteori

15,68  17,3
= x 100 %
17,3
 = 9,36 %

Dengan cara yang tersebut, maka didapat tabel pesentase sebagai berikut:
Tabel 1.27 Persentase Kesalahan
Persentase
Vs RL Pengukuran Perhitungan kesalahan (%)
(V) (Ω)
IRL VA VRL VD IRL VRL PRL IRL VRL
12,0 17, 49,3 43,5
10 0.97 220 9,77 15 29,9
2 3
18
4700 15,6 15,6 17, 83,3 9,36
0,33 220 15 6091,1
0 8 7 3

1.6.4 Penyearah Gelombang Penuh

a. Menggunakan 2 dioda
Table 1.25 Pengukuran diode penyearah gelombang penuh dengan 2 diode

Vp
RL Pengukuran Perhitungan
Rms
Vs(V) (Ω Ket
(V) ) VA VRL VD Vs VRL PRL f
 
10 220 9.77 12.02     9.54    
220 18 47
220 15.68 15.67     5.23mW    
K

Diketahui rangkaian sebagai berikut :

Gambar 1.12 Diode penyearah gelombang penuh dengan 2 diode

 Untuk menghitung I RL , VRL , PRL dapat digunakan persamaan
berikut :
V RL  E ; V D  0.7V

VRL
I RL  I D 
R
PRL  I RL
2
R
Sehingga untuk menghitung pada saat RL = 10Ω:20W : :
V RL  18  0.7

V RL  17.3V

V RL 17.3
I RL    1.73 A
R 10
PRL  I RL
2
R = 1.73 2 x10 = 29.9Watt
Begitu juga untuk menghitung pada saat RL = 47kΩ:20W :
V RL  18  0.7

V RL  17.3V

V RL 17.3
I RL    0.33mA
R 47000
PRL  I RL
2
R = 0.33mA 2 x 47000 = 5.7 mW
Maka akan didapat hasil perhitungannya sebagai berikut:
Tabel 1.26 Perbandingan Hasil Pengukuran dan Hasil Perhitungan

Vp
RL Pengukuran Perhitungan
Rms Vs(V
(Ω Ket
(V) )
) VA VRL VD Vs IRL PRL f
 
10 220 9.77 12.02  18  0.977 9.54    
220 18 47
220 15.68 15.67  18  0.33 mA 5.23mW    
K

Berdasarkan data yang diperoleh pada hasil percobaan dan hasil

perhitungan maka dapat dihitung persentase kesalahannya dengan
menggunakan persaaman sebagai berikut :
 I pengukuran  I teori
% kesalahan = x 100 %
I teori

untuk data IRL pertama dapat dihitung persentase kesalahannya yaitu

I pengukuran = 0.97 A
I teori = 1.73 A
I pengukuran  I teori
% kesalahan = x 100 %
I teori

0.97  1.73
= x 100 %
1.73

= 44 %
Untuk data IRL kedua dapat dihitung persentase kesalahannya yaitu :

I pengukuran = 0.33 mA

I teori = 0,36 mA
I pengukuran  I teori
% kesalahan = x 100 %
I teori

0.33mA  0.36mA
= x 100 %
0.36mA

= 8.3 %

Dengan cara yang sama untuk menghitung V RL maka didapat tabel

perbandingan sebagai berikut:

V pengukuran  Vteori
% kesalahan = x 100 %
Vteori

9.77  17.3
= x 100 %
17.3

= 43.5 %
V pengukuran  Vteori
% kesalahan = x 100 %
Vteori
 15.68  17.3
= x 100 %
17.3

= 9.4 %

Dengan cara yang tersebut, maka didapat tabel pesentase sebagai

berikut:
Tabel 1.27 Persentase Kesalahan

Persentase
Vs Pengukuran Perhitungan
RL kesalahan (%)
(Ω)
(V) IRL VA VRL VD IRL VRL PRL IRL VRL
17.
10 1.73 220 9.77 12.02 0.97 9.54 44
3 43.5
18
17.
47k 0.36mA 220 15.68 15.67 0.33mA 5.23mW
3 8.3 9.4

b. Menggunakan 4 dioda
Table 1.28 pengukuran diode penyearah gelombang penuh dengan 4 diode

Vp
Pengukuran Perhitungan
Rms RL
Vs(V) Ket
(V) (Ω)
VA VRL VD Vs VRL PRL f
 
10 220 9 4.64          
220 18
47K 220 15.33 7.64          

Diketahui rangkaian sebagai berikut :

 Gambar 1.13 Diode Penyearah Gelombang Penuh dengan 4 Diode

Untuk menghitung I RL , VRL , PRL dapat digunakan persamaan berikut :

V RL  E ; V D  0.7V

VRL
I RL  I D 
R
PRL  I RL
2
R

Sehingga untuk menghitung pada saat RL = 10Ω:20W : :

V RL  18  0.7

V RL  17.3V

V RL 17.3
I RL    1.73 A
R 10
PRL  I RL
2
R = 1.73 2 x10 = 29.9Watt

Begitu juga untuk menghitung pada saat R L = 47kΩ:20W :

V RL  18  0.7

V RL  17.3V

V RL 17.3
I RL    0.33mA
R 47000
PRL  I RL
2
R = 0.33mA 2 x 47000 = 5.7 mW

Maka akan didapat tabel sebagai berikut

Tabel 1.29 Perbandingan Hasil Perhitungan dengan Hasil Percobaan

Pengukuran Perhitungan
Vp
VS RL
Rms Multimeter Digital Ket
(V) (Ω)
(V) IRL VRL PRL
IRL VA VRL VD

10 0.97 220 9 4.64 1.73 17.3 29.9

18
220
47k 0.33mA 220 15.33 7.64 0.36mA 17.3 5.7mW
 Berdasarkan data yang diperoleh pada hasil percobaan dan hasil
perhitungan maka dapat dihitung persentase kesalahannya dengan
menggunakan persaaman sebagai berikut :

I pengukuran  I teori
% kesalahan = x 100 %
I teori

I pengukuran = 0.97 A
I teori = 1.73 A
I pengukuran  I teori
% kesalahan = x 100 %
I teori

0.97  1.73
= x 100 %
1.73

= 44 %
Untuk data IRL kedua dapat dihitung persentase kesalahannya yaitu :
I pengukuran = 0.33 mA

I teori = 0,36 mA
I pengukuran  I teori
% kesalahan = x 100 %
I teori

0.33mA  0.36mA
= x 100 %
0.36mA

= 8.3 %
Dengan cara yang sama untuk menghitung V RL maka didapat tabel
perbandingan sebagai berikut:

V pengukuran  Vteori
% kesalahan = x 100 %
Vteori

9  17.3
= x 100 %
17.3
 = 47.9 %
V pengukuran  Vteori
% kesalahan = x 100 %
Vteori

15.33  17.3
= x 100 %
17.3

= 11.4 %

Dengan cara yang sama untuk menghitung V RL, maka didapat tabel
pesentase sebagai berikut:

Tabel 1.30 Persentase Kesalahan

Persentase
Vs RL Pengukuran Perhitungan kesalahan
(V) (Ω) (%)
IRL VA VRL VD IRL VRL PRL IRL VRL
44 47.9
10 0.97 220 9 4.64 1.73 17.3 29.9
18
47k 0.33mA 220 15.33 7.64 0.36mA 17.3 5.7mW 8.3 11.4

1.7 Jawaban Pertanyaan :

1. Grafik Id terhadapVD
2. Untuk Mengetahui baik buruknya dioda
Untuk Mengetahui baik buruknya dioda,perlu melakukan pegukuran.
Dengan menggunakan ohm meter, dapat diketahui baik buruknya dioda tersebut.
Dengan menggunakan prinsip forward bias maupun reverse bias. Untuk dioda
penyearah seperti dioda silicon dan germanium, kita memakai prinsip bias
voltage untuk mengukur baik buruknya dioda. Karena pada ohm meter, terminal
positif alat ukur berpolaritas negative, sedangkan terminal negative alat ukur
bermuatan positif.
Pada saat dibias maju maka tidak ada arus yang mengalir pada dioda, dan
pada saat dibias mundur maka akan ada arus yang mengalir melewati dioda. Bila
demikian, maka dioda masih baik. Apabila pada saat dibias maju ataupun dibias
mundur tidak ada arus yang melewati dioda, maka dioda rusak/putus. Juga pada
saat dibias maju ataupun dibias mundur ada arus yang melewati dioda berarti
dioda rusak/bocor.
Pada dioda zener agak lain dari dioda penyearah diatas. Dioda zener
apabila dibias maju ada arus yang melewati dioda zener dan pada saat dibias
mundur tidak ada arus yang melewati dioda zener, berarti dioda zener baik.
Apabila pada saat dibias maju ataupun dibias mundur tidak ada arus yang
melewati dioda zener, maka dioda zener rusak/putus. Juga pada saat dibias
maju ataupun dibias mundur ada arus yang melewati dioda zener berarti dioda
zener rusak/bocor.
 Jadi apabila terdapat atau terbaca suatu nilai pada salah saru resistansi
dioda yaitu saat bias maju saja atau bias mundur saja maka dipastikan bahwa
dioda tersebut dalam keadaan baik sehingga dapat digunakan. Namun apabila
terdapat nilai saat bias maju dan saat bias mundur atau tidak terdapat nilai pada
saat kedua resistansi (referse dan forward) maka dioda dalam kondisi buruk dan
tidak dapat digunakan lagi.

4. Cara kerja rangkaian pelipat ganda tegangan :

a. Cara kerja Penyearah Diode Setengah Gelombang
Perhatikan rangkaian pada gambar 1.92 a, dimana sumber masukan
sinusoida dihubungkan dengan beban resistor melalui sebuah diode. Untuk
sementara kita menganggap keadaan ideal, dimana hambatan masukan
sinusoida sama dengan nol dan diode dalam keadaan hubung singkat saat
berpanjar maju dan keadaan hubung terbuka saat berpanjar mundur.
Besarnya keluaran akan mengikuti masukan saat masukan berada di atas
“tanah” dan berharga nol saat masukan di bawah “tanah” seperti diperlihatkan
pada gambar 1.92 b. Jika kita ambil harga rata-rata bentuk gelombang keluaran
ini untuk beberapa periode, tentu saja hasilnya akan positif atau dengan kata lain
keluaran mempunyai komponen DC.

Gambar 1.34 Penyearah setengah gelombang

b. Cara Kerja Penyearah Diode Gelombang Penuh

Terdapat cara yang sangat sederhana untuk meningkatkan kuantitas
keluaran positip menjadi sama dengan masukan (100%). Ini dapat dilakukan
dengan menambah satu diode pada rangkaian seperti terlihat pada gambar
1.2.11. Pada saat masukan berharga negatif maka salah satu dari diode akan
dalam keadaan panjar maju sehingga memberikan keluaran positif. Karena
keluaran berharga positif pada satu periode penuh, maka rangkaian ini disebut
penyearah gelombang penuh. Pada gambar 1.2.11 terlihat bahwa anode pada
masing-masing diode dihubungkan dengan ujung-ujung rangkaian sekunder dari
transformer. Sedangkan katode masing- masing diode dihubungkan pada titik
positif keluaran. Beban dari penyearah dihubungkan antara titik katode dan titik
center-tap (CT) yang dalam hal ini digunakan sebaga referensi atau “tanah”.

Gambar 1.35 Keluaran dari penyearah gelombang penuh

Mekanisme terjadinya konduksi pada masing-masing diode
tergantung pada polaritas tegangan yang terjadi pada masukan. Keadaan
positif atau negatif dari masukan didasarkan pada referensi CT. Pada gambar
1.2.12 nampak bahwa pada setengah periode pertama misalnya, v1 berharga
positif dan v2 berharga negatif, ini menyebabkan D1 berkonduksi (bias maju)

dan D2 tidak berkonduksi (bias mundur). Pada setengah periode ini arus i D1
mengalir dan menghasilkan keluaran yang akan nampak pada hambatan beban.
Pada setengah periode berikutnya, v2 berharga positif dan v1 berharga negatif,
menyebabkan D2 berkonduksi dan D1 tidak berkonduksi. Pada setengah

periode ini mengalir arus i D 2 dan menghasilkan keluaran yang akan nampak
pada hambatan beban. Dengan demikian selama satu periode penuh hambatan

beban akan dilewati arus i D1 dan i D 2 secara bergantian dan menghasilkan

tegangan keluaran DC.
c. Cara Kerja Penyearah Gelombang Penuh Model Jembatan
Penyearah gelombang penuh model jembatan memerlukan empat buah
diode. Dua diode akan berkondusi saat isyarat positif dan dua diode akan
berkonduksi saat isyarat negatif.,Untuk model penyearah jembatan ini kita tidak
memerlukan transformator,yang memiliki center-tap.,Seperti ditunjukkan pada
gambar 8.4, bagian masukan AC dihubungkan pada,sambungan D1-D2 dan
yang lainnya pada D3-D4. Katode D1 dan D3 dihubungkan, dengan keluaran
positif dan anode D2 dan D4 dihubungkan dengan keluaran negative (tanah).
Misalkan masukan AC pada titik A berharga positif dan B berharga negatif, maka
diode D1 akan berpanjar maju dan D2 akan berpanjar mundur. Pada sambungan
bawah D4 berpanjar maju dan D3 berpanjar mundur. Pada keadaan ini elektron
akan mengalir dari titik B melalui D4 ke beban , melalaui D1 dan kembali ke titik
A. Pada setengah periode berikutnya titik A menjadi negatif dan titik B menjadi
positif. Pada kondisi ini D2 dan D3 akan berpanjar maju sedangkan D1 dan D4
akan berpanjar mundur. Aliran arus dimulai dari titik A melalui D2, ke beban,
melalui D3 dan kembali ke titik B. Perlu dicatat di sini bahwa apapun polaritas
titik A atau B, arus yang mengalir ke beban tetap pada arah yang sama.

Gambar 1.36 Penyearah gelombang penuh model jembatan

Rangkaian jembatan empat diode dapat ditemukan di pasaran dalam
bentuk paket dengan berbagai bentuk. Secara prinsip masing-masing bentuk
mempunyai dua terminal masukan AC dan dua terminal masukan DC.

d. Cara Kerja Penyearah Keluaran Ganda

Pada berbagai sistem elektronik diperlukan sumber daya dengan keluaran
ganda sekaligus, positif dan negatif terhadap referensi (tanah). Salah satu bentuk
rangkaian penyearah gelombang penuh keluaran ganda diperlihatkan pada
gambar 1.95. Perhatikan bahwa keluaran berharga sama tetapi mempunyai
polaritas yang berkebalikan. Diode D1 dan D2 adalah penyearah untuk bagian
keluaran positif. Keduanya dihubungkan dengan ujung transformer. Diode D3
dan D4 merupakan penyearah untuk keluaran negatif. Titik keluaran positif dan
negatif diambil terhadap CT sebagai referensi atau tanah.

Gambar 1.37 Penyearah keluaran ganda

Misalkan pada setengah periode titik atas transformer berharga positif dan
bagian bawah berharga negatif. Arus mengalir lewat titik B melalui D4, 2 L R , 1
L R , D1 dan kembali ke terminal A transformator. Bagian atas dari 1 L R menjadi
positif sedangkan bagian bawah 2 L R menjadi negatif.
Pada setengah periode berikutnya titik atas transformer berharga negatif
dan bagian bawah berharga positif. Arus mengalir lewat titik A melalui D3, 2 L R ,
1 L R , D2 dan kembali ke terminal B transformator. Bagian atas dari 1 L R tetap
akan positif sedangkan bagian bawah 2 L R berpolaritas negatif. Arus yang lewat
1 L R dan 2 L R mempunyai arah yang sama menghasilkan tegangan keluaran
bagian atas dan bagian bawah pada 1 L R dan 2 L R .
5. Perbandingan antara perhitungan dan percobaan adalah sebagai berikut :
a. Perbandingan antara perhitungan dan percobaan Karakteristik V-I
Table 1.17 Hasil Perhitungan Karakter V-I

Bias Forward Voltage Bias Riverse Voltage

No Vo ket
Dioda penyearah Dioda Penyearah

1 1V 0, 60 Volt 1, 09 Volt  
2 2V 0, 68 Volt 2,02 Volt  

3 3V 0, 70 Volt 3,05 Volt  

4 3V 0, 72 Volt 4,00 Volt  

b. Perbandingan antara perhitungan dan percobaan penyearah setengah

gelombang dengan 1 diode

Tabel 1.20Perbandingan pengukuran dengan perhitungan

Pengukuran perhitungan
Vp
Dengan RL Vs ket
RMS
Vd VRL Va IRL PRL
10 ohm : 20
220 w 7,30 5,5 220 0,5 2,6  
18
V 4700 ohm : 1,3
20 w 7,78 7,81 220 1,66x104 mw  

c. Perbandingan antara Perhitungan dan Percobaan Penyearah Setengah

Gelombang dengan 2 Diode
Tabel 1.23 Perbandingan pengukuran dengan perhitungan

Vp Vs Pengukuran Perhitungan
Dengan
Rms (V) Multimeter Digital Ket
RL IRL VRL PRL
(V) IRL VRL VD(CE) VA

10Ω;20 20
18 3 5,5 2,2 1,5 15 22,5 -
W 8
220
d. Perbandingan antara perhitungan dan percobaan Penyearah Gelombang
Penuh dengan 2 diode
 Tabel 1.26 Pengukuran diode penyearah gelombang penuh dengan 2
diode

Vp
Pengukuran Perhitungan
Rms RL
Vs(V) Ket
(Ω)
VA VRL VD Vs VRL PRL f
 
10 220 9.77 12.02     9.54    
220 18
47K 220 15.68 15.67     5.23mW    

1.8 Kesimpulan
1. Dioda merupakan suatu komponen elektronika yang berfungsi sebagai
penyearah dan penstabil tegangan
2. Dari percobaan yang telah dilakukan maka dapat disimpulkan sebagai
berikut :
Apabila terdapat atau terbaca suatu nilai pada salah satu resistansi diode
yaitu saat bias maju saja atau bias mundur saja maka dipastikan bahwa diode
tersebut dalam keadaan baik sehingga dapat digunakan.Namun apabila terdapat
nilai saat bias maju dan saat bias mundur atau tidak terdapat nilai pada saat
kedua resistansi(reverse dan forward) maka diode akan berkondisi buruk dan
tidak dapat di gunakan lagi.
pada percobaan yang memakai 2 dioda yang dipasang pada polaritas
positif dan negative terjadi kesalahan pengukuran yang di akibatkan karena
polaritas positif dan negative pada rangkaian sama-sama di beri diode ,saat
diukur seakan rangkaian short /di hubung singkat sehingga hasil pengukuran
tegangan menjadi 0. Ini mengakibatkan resistor menjadi panas.
Pada saat mengukur Vd tidak ada tegangan negative ,karena Vd
merupakan tegangan AC ,tegangan AC tidak memiliki nilai minus/negative.

1.9 Daftar Referensi Buku.

1. Boylestad Robert, Nashelsky Louis,Electronic Device and Circuit Theory.
USA: Prentice Hall International Edition.1996.
2. Millmann, Jacob. 1986. Mikroelektronika, Sistem Digital dan Rangkaian
Analog. Erlangga:_ _ _.
3. Malvino,A.P. 1987. Prinsip-Prinsip Elektronika. Erlangga: _ _ _.
4. Richard Blocher. 2003. Dasar Elektronika. Andi: Yogyakarta.
5. http://elka.brawijaya.ac.id/praktikum/de/de.php?page=2
6. http://elka.brawijaya.ac.id/praktikum/de/de.php?page=2
7. http://id.wikipedia.org/wiki/Dioda
8. http://id.wikipedia.org/wiki/Dioda