Professional Documents
Culture Documents
1
Primul LED in spectrul de vizibil( rosu) a fost dezvoltat în 1962 de
către Nick Holonyak Jr., în timp ce lucra la General Electric Company.
El s- a mutat mai târziu la Universitatea din Illinois la Urbana-
Champaign. Holonyak este văzut ca « tatăl LED- ului ». M. George
Craford, un fost student si absolvent de- al lui Holonyak , a inventat
primul LED galben şi LED- urile roşu- portocalii, de 10 ori mai luminoase
în 1972.
Primul LED albastru de mare luminozitate a fost inventat de către
Shuji Nakamura de la Nichia Corporation şi a fost bazat pe InGaN
împrumutand din evoluţiile în GaN pe substraturi de safir si pe
demonstraţia p- doping- ului GaN care au fost elaborate de Isamu
Akasaki şi H. Amano în Nagoya. În 1995, Alberto Barbieri la
Laboratorul Universitatii din Cardiff ( GB) a investigat eficienţa şi
fiabilitatea LED- urilor de mare luminozitate, demonstrând un foarte
mare rezultat prin utilizarea unui contact transparent făcut din indiu
de oxid de staniu ( ITO) pe ( AlGaInP / GaAs). Existenţa LED- urilor
albastre şi a LED- urilor de înaltă eficienţă a condus rapid la
dezvoltarea primelor LED- uri albe, care foloseau un Y3 Al5 O12: Ce, sau
« YAG », un strat de protecţie de fosfor pentru a se amesteca lumina
galbena ( jos- convertita) cu lumina albastra pentru a produce lumina
care apare ca fiind alba. Nakamura a fost laureat in 2006 cu Premiul
pentru Tehnologie Mileniului pentru invenţia sa.
Dezvoltarea tehnologica a LED- urilor a determinat creşterea
exponenţiala a eficienţei şi a luminii de ieşire cu dublare care apare la
fiecare 36 luni începând din anii 1960, în mod similar cu legea lui
Moore. Progresele sale sunt, în general atribuite dezvoltarii în paralel
de tehnologii şi alte semiconductoare, progrese in optica şi in ştiinţa
materialelor. Această tendinţă este în mod normal, numita Legea lui
Haitz după Dr. Roland Haitz.
Folosirea practica
Primele LED- uri comerciale erau utilizate ca înlocuitori pentru
indicatorii incandescenti, şi în afisari in segment de şapte, la inceput
in costisitoare echipamente de laborator, precum şi in echipamente
electronice de testare, apoi mai târziu, în televizoare, radiouri,
telefoane, calculatoare si chiar si ceasuri. Aceste LED- uri de culoare
roşie erau suficient de luminoase doar pentru a fi folosite ca indicatori
dar ca lumina de ieşire nu a fost suficiente pentru a ilumina o zona.
Mai târziu, alte culori au devenit disponibile pe scară largă şi, de
asemenea, au apărut si în aparate şi echipamente. Pe masura ce
tehnologia materialor LED- urilora devenit mai avansata, lumina de
ieşire a inceput sa creasca, menţinând în acelaşi timp eficienţa şi
fiabilitatea la un nivel acceptabil, determinand utilizarea LED- urilor de
lumină albă la iluminarea diverselor aplicatii.
Cele mai multe LED- uri au fost construit foarte frecvent in
pachete de 5 mm T1 ³ şi de 3 mm T1, dar cu creşterea puterii de
ieşire a devenit din ce în ce mai necesar a vărsa excesul de căldură
pentru a menţine fiabilitatea, aşa că pachete mai complexe au fost
adaptate pentru împrăştierea căldurii intr- un mod cat mai eficient.
Pachetele pentru LED- urile de tehnologie de ultima ora, de mare
putere se aseamana foarte putin cu LED- uri de la inceput.
Hewlett Packard ( HP) şi- a prezentat primul LED disponibil
comercial în 1968 . Tehnica a dovedit a avea mare nevoie de afişari
alfanumerice şi a fost integrată în calculatoarele HP de la inceputuri.
2
Tehnologia LED- urilor
Asemeni unei diode normale, LED- ul este alcatuit dintr- un cip de
materiale semiconductoare impregnate, cu impurităţi pentru a crea o
joncţiune p- n. Ca şi în alte diode, fluxurile de curent se deplaseaza
uşor de la p sau anod catre n sau catod, dar nu si în direcţie opusă.
Transportatorii de sarcina - electroni şi găuri ajung in nod de la
electrozi cu diferite tensiuni. Când un electron întalneste o gaura,
aceasta se încadrează într- un nivel mai mic de energie şi elibereaza
energie sub formă de cuantă de lumină ( foton).
Lungimea de undă a luminii emise şi prin urmare, culoarea
acesteia, depinde de banda decalaj a energiei din materialele care
formeaza legatura p- n. În diode de siliciu sau germaniu, electronii şi
golurile se recombina printr- o tranziţie non- radiativa care nu produce
nici o optică de emisie, pentru că acestea sunt materiale indirecte din
banda de decalaj. Materialele utilizate pentru fabricare LED- urilor au
o legatura directă cu banda de decalaj a energiile corespunzătoare
aproape de infraroşii, vizibile sau aproape de lumina ultravioleta.
Dezvoltarea LED- urilor a început cu dispozitive infraroşii şi roşii
făcute cu GaAs. Progresele în stiinta materialelor au făcut posibila
producţia de dispozitive cu lungimi de unda mai scurte, producătoare
de lumină într- o varietate de culori.
LED- uri sunt, de obicei, construit pe un substrat de tip n, cu un
electrod ataşat la stratul de tip p depus pe suprafata sa. Substraturile
de tip p, în timp ce mai puţin frecvente, apar la fel de bine. Multe
LED- uri comerciale, în special Gan / InGaN, folosesc, de asemenea,
substrat de safir.
Extractia luminii
Indexul de refractie al celor mai multe materiale semiconductoare
utilizate in LED- uri este destul de mare, astfel încât în aproape toate
cazurile lumina de la LED este cuplata într- o medie a indicelui mult
mai mica. Diferentele de indice fac reflecxia sa fie destul de
substanţială ( pe coeficienţii de Fresnel). Lumina produsa devine parţial
reflectata înapoi în semiconductoare, în cazul în care acesta poate fi
absorbita şi transformata într- o suplimentare de căldură; aceasta este,
de obicei, una din cauzele dominante de ineficienta a LED- urilor.
Deseori, mai mult de jumătate din emisiile de lumina sunt reflectate
înapoi la pachetul LED şi la interfeţele de aer. Procesul de reflecţie
este cel mai frecvent redus folosind un pachet de forma de cupolă ( o
jumătate de sferă) cu dioda în centrul de ieşire, astfel încât lumina
razelor de se reflecta perpendicular pe suprafata la care unghiul de
reflexie este minimizat. Substraturile care sunt transparente la lungimi
de undă emise şi susţinute de un strat reflectorizant cresc eficienţa
LED- urilor. Indexul de refractie al pachetului de materiale ar trebui de
asemenea să se potrivească cu indicele semiconductoarelor pentru a
minimiza reflexia. Un strat de protecţie anti- reflecţie poate fi adăugat,
de asemenea.
Pachetul poate fi colorat, dar asta este numai pentru motive
cosmetice sau de a îmbunătăţi rata de contrast, de culoare de pe
ambalaj si nu afectează în mod substanţial de culoare a luminii
emise.
Alte strategii pentru reducerea impactului de reflexie de interfaţă
includ proiectarea de LED- uri ce reabsorb lumina reflectată si reemit
lumina reflectata ( proces numit reciclarea fotonilor) şi manipuleaza
microscopic structura de suprafaţă pentru a reduce reflexie, prin
3
introducerea aleatoare de rugozitate, creand modele programate de
ochi de molie. Recent, cristalele fotonice au fost folosite şi pentru a
minimiza reflexiile- înapoi. În decembrie 2007, oamenii de stiinta de la
Universitatea din Glasgow, sustin că au găsit o cale de a face LED-
urile mai eficiente din punct de vedere energetic, imprimand miliarde
de găuri în LED- uri, folosind un proces cunoscut ca nanoimprimare
litografica.
Polaritate electrica
Spre deosebire de becurilor electrice incandescente, care iluminau
indiferent de polaritatea electrica, LED- urile vor lumina doar cu
polaritatea electrica corecta. Când voltajul de pe joncţiunea p- n este
în direcţia corectă, o parte semnificativă a fluxurilor curente se
4
deplaseaza si se spune ca dispozitivul este ante- polarizat. În cazul în
care tensiunea este de polaritate gresita, dispozitivul este spus a fi
invers polarizat, foarte puţine fluxurile de curent trex şi nici o lumină
este emisa. LED- uri pot fi utilizate pe un curent alternativ de
tensiune, dar acestea vor lumina doar cu tensiune pozitiva, cauzand ca
LED- ul sa se aprinda si sa se stinga la frecvenţa de aprovizionare a
curentului alternativ. Dacă nu este dorită de a conduce LED- ul direct
de la o sursa de aprovizionare de curent alternativ, atunci acesta
poate fi protejat prin plasarea unei diode ( sau un alt LED), în paralel
invers.
sign: + -
5
*pin: 1 2
Cazuri de ineficienta
Cel mai comun mod ca un LED ( şi dioda laser) de a ceda este
scăderea treptată a luminii de ieşire şi de pierdere a eficienţei. Eşecuri
instantanee, totusi rare, pot apărea, de asemenea. LED- urile de
culoare roşie initiale erau cunoscute pentru scurta lor de viaţă.
• Formarea nucleurilor şi creşterea dislocarilor este un cunoscut
mecanism de degradare al regiunii active, în cazul în care se produce
recombinarea radiativa. Acest lucru necesită o prezenţă a unui defect
existent în cristal şi este accelerat de căldură, curent de înaltă
densitate, şi de lumina emisa. GaAs de GaAsAl sunt mult mai sensibile
la acest mecanism mult decat GaAsP şi GaAsInP. Datorită proprietăţilor
diferite de active în regiuni, galiu nitride indiu şi galiu nitride sunt
practic insensibili la acest tip de defect.
• Migrarea electronilor cauzata de curent de înaltă densitate
poate muta atomi de active regiuni, ceea ce duce la apariţia de
dislocari şi defecte punctuale, care acţionează în calitate de centri de
recombinare nonradiativa şi producătoare de energie termică în loc de
lumină.
• Radiaţiile ionizante pot duce la crearea de defecte, de
asemenea, ceea ce duce la probleme cu radiaţii de întărire a
circuitelor care conţin LED- uri ( de exemplu, în optoizolatori).
• Degenerari diferentiate de fosfor. Diferiti fosfati utilizati în
LED- urile albe au tendinţa de a se degrada odata cu căldură şi cu
vârstă, dar la rate diferite, determinând modificări din produse lumina
de culoare, de exemplu, violet şi roz. LED- urile utilizeaza deso formula
organica de fosfor care se poate degrada după doar câteva ore de
funcţionare determinând o schimbare majoră în producţia de culori.
• Difuzia in metale este cauzata de curentii electrici mari sau
tensiunile foarte mari aplicate la temperaturi ridicate care pot muta
atomii de metal de la electrozii în regiunile active. Unele materiale, în
special de oxid de indiu si argint, sunt supuse migrarii electronilor
care determină scurgeri de curent, şi recombinarea non- radiativa de-
a lungul marginilor cipului. În unele cazuri, în special la dioda cu
Gan / InGaN, un strat de metal bariera este utilizat pentru a diminua
efectele migrarii electronilor.
• Scurt circuite. Factorii mecanici, curenţii mari si mediile
corozive poate duce la formarea de mustati, cauzând scurt circuitele.
• Excesul de curent reprezinta distributia neomogena a
desitatiide curent intr- un nod. Acest lucru poate duce la crearea de
zone fierbinţi care reprezintă un risc de suprainclazire.
• Degradarea epoxilinica. Unele materiale cu ambalajul din plastic
tind spre culoare galbenă atunci când sunt expuse la căldură aparand
fenomenul de absorbţie partiala şi, prin urmare, pierderea de eficienţă)
si sunt afectate lungimile de unda.
• Coeficientul termic. Eşecurile subite sunt de cele mai multe ori
6
cauzate de suprasolicitarea termica. Când rasina epoxilinica ajunge la
temperatura de tranziţie de sticlă, porneste rapid extinderea, cauzând
suprasolicitari mecanice pe semiconductoare şi pe contact, slăbirea sau
chiar este ruperea acestuia. Dimpotrivă, la temperaturi foarte mici,
pot provoca spargerea ambalajului.
• Descărcarea electrostatica de gestiune ( ESD) poate cauza
nefunctionarea imediata a joncţiunii semiconductoare, o permanentă
schimbare a parametrilor săi, care cauzează cresterea ratei de
degradare. LED- urile de lasere şi cultivate pe un substrat de safir
sunt mai sensibile la efectele ESD.
• Polarizare inversa. Deşi LED- ul este bazat pe o dioda- joncţiune
şi din punct de vedere nominal este un redresor, starea de defalcare
pentru unele tipuri poate apărea la un nivel foarte scăzut, tensiuni
joase si în esenţă la orice exces cauzand degradarea imediata şi poate
duce la esec foarte accelerat. 5 V este un exemplu tipic de tensiune
maximă de polarizare, cifra specifica pentru LED- uri obişnuite, unele
tipuri speciale poate avea limitele inferioare.
Culori si materiale
LED- urile albastre sunt bazate pe semiconductori de bandă largă
de decalaj, Gan ( galiu nitride) şi InGaN ( indiu galiu nitride). Acestea
pot fi adăugat la LED- urile roşii şi verzi pentru a produce impresia de
lumină alba, LED- uri de azi, deşi rareori, mai folosesc acest principiu.
Primele LED- uri albastre au fost făcute în 1971 de către Jacques
Pankove ( inventator de galiu nitride LED) la Laboratorele RCA. Cu toate
acestea, aceste dispozitive au avut prea puţin lumină de ieşire pentru
a fi utilizate practic. La sfârşitul anilor 1980, descoperiri importante au
fost facute in studierea fenomenului de creştere GaN epitaxial şi
jonctiunile de tip p de către Isamu Akasaki şi Hiroshi Amano ( Nagoya,
Japonia) aducand in epoca modernă dispozitivele optoelectronice
bazate pe GaN. Pe baza acestor progrese, în 1993, LED- urile albastre
de mare luminozitate au fost demonstrate prin munca lui Shuji
Nakamura de la Nichia Corporation.
Până la finele anilor 1990, folosirea LED- urile albastre a devenit
posibilă pe scară largă. Ele au o regiune activă, constând din unul sau
mai multe fantani cuantice de InGaN, cuprinse între straturi groase de
GaN, numite straturi de placare. Prin varieri relative ale fractiunii de
InN- GaN, lumina de emisie poate varia de la violet la chihlimbar.
AlGaN de diferite fracţiuni de AlN poate fi utilizat pentru placare şi
pentru fabricarea de straturi cuantum pentru LED- urile ultraviolete,
dar aceste dispozitive nu au ajuns încă la nivelul de eficienţă
tehnologică şi de maturitate a dispozitivelor InGaN- Gan albastru /
verde. Dacă pentru a activa straturile cuantice de GaN, spre
deosebire de InGaN aliate sau AlGaN, aparatul va emite lungimi de
unda aproape de lumina cu ultraviolete în jur de 350-370 nm. LED-
urile verzi fabricate din InGaN- Gan sunt mult mai eficiente şi mai
luminoase decât LED- uri vezi produse cu material non- nitrate.
La nitratii care conţin aluminiu, de cele mai multe ori AlGaN şi
AlGaInN, chiar si lungimile de unda mai scurte sunt realizabile. LED- uri
într- o gamă de lungimi de unda variate devin disponibile pe piaţă.
Emitatorii de lungimi de unda aproape de UV în jur de 375-395 nm
sunt deja ieftini şi de des întâlniti, de exemplu, ca inlocuitori ai lampii
de lumina neagra folosita pentru inspecţie de anti- contrafacere sau
ca metode de imprimare UV în unele documente de hârtie şi monede.
Diode de lungimi de undă mai scurte, în timp ce substanţial mai
scumpe, sunt disponibile comercial pentru lungimi de unda de 247 nm.
În privinta fotosensibilitatii de microorganisme corespunde aproximativ
7
spectrului de absorbţie a ADN- ului, cu un vârf la aproximativ 260 nm,
LED- urile ultraviolete de la care emit 250-270 nm sunt de aşteptat să
fie în potenţiale dispozitive de dezinfecţie şi de sterilizare. Cercetari
recente au arătat că LED- urile ultraviolete (365 nm) disponibile
comercial sunt deja eficiente in aparate de dezinfecţie şi de sterilizare.
8
profundă asupra metodelor fundamentale pe care le folosim pentru a
produce şi a controla lumina de culoare. Cu toate acestea, înainte ca
acest tip de led- uri sa poata juca un rol cu adevărat pe piaţă, este
nevoie ca mai multe probleme tehnice sa fie remediate. Acestea includ
cu siguranţă că puterea de emisie a acestui tip de LED scade
exponential cu creşterea temperaturii, ducând la o modificare
substanţială în culoarea de stabilitate. O astfel de problemă nu este
acceptabila pentru utilizare industrială. Prin urmare, multe desene sau
modele noi, cu scopul de a rezolva această problemă au fost propuse,
şi rezultatele lor sunt reproduse de către cercetători şi oameni de
ştiinţă.
LED- uri bazate pe fosfor
Această metodă implică un strat de un LED de culoare ( de cele
mai multe ori LED- ul albastru făcute de InGaN) cu fosfor de diferite
culori pentru a produce o lumină albă, LED- uri de rezultate care sunt
numite pe bază de fosfor. O fracţiune de lumină albastră suferă o
schimbare Stokes fiind transformata la lungimi de unda mai scurte. În
funcţie de culoarea LED- ului original, fosfat de diferite culori poate fi
utilizat. Dacă mai multe straturi de fosfor de culori distincte sunt
aplicate, spectru de emisie este lărgit, în mod eficient de creştere a
indicelui de redare ( CRI) la o anumita culoare a LED- ului.
LED- urile pe baza de fosfor au un randament mai mic decât
normal, datorita pierderilor de căldură de la trecerea Stokes şi, de
asemenea, alte aspecte legate de degradare. Cu toate acestea, metoda
de fosfor este încă cel mai populara tehnica de fabricaţie a LED- urilor
de culoare albă de înaltă intensitate. De proiectare şi producţie dintr- o
sursă de lumină, folosind un dispozitiv de emitere monocromatic cu
fosfor de conversie este mai simplu şi mai ieftin decât un sistem
complex de RGB, şi în majoritatea LED- urilor albe de înaltă intensitate
în prezent de pe piaţă sunt fabricate folosind fosfor in obtinerea
luminii de conversie.
Cel mai mare obstacol în calea obtinerii maximului de eficienta
este inevitabil se pare pierderea de energie rezultata in urma
transformarii Stokes. Cu toate acestea, emorme eforturi sunt depuse
pentru a optimiza aceste dispozitive pentru a putea opera la lumina
mai mare de ieşire şi la temperaturi mai ridicate. Eficienţa poate fi, de
exemplu, a crescuta cu o mai buna adaptare a pachetului de
proiectare sau prin utilizarea unui tip potrivit de substanţă
fosforescentă. Philips Lumileds a patentat tehnica acoperirii in staturi
multiple, de exemplu, eliberarea de fosfor de grosime variata, LED- ului
de culoare albă o lumina alba mai omogena. Din punct de vedere
tehnic, LED- urile albastre pe bază de fosfor alb incapsuleaza InGaN în
interiorul unui înveliş de fosfor epoxilinic. Un material gaclben este
cerium- doped yttrium aluminiu granat ( Ce3 +: YAG).
LED- urile albe pot fi, de asemenea, făcută de acoperire a LED-
urilor ultraviolete ( NUV) cu un amestec de înaltă eficienţă bazat pe
europium roşu şi albastru si emitatori din cupru şi zinc din aluminiu
doped sulfurat ( ZnS: Cu, Al). Aceasta este o metodă similară de modul
în care lămpile fluorescente de lucru. Cu toate acestea, în lumina
ultraviolete rasina epoxilinica sufera fotodegradare si multe alte
materiale utilizate în ambalaje cu led- uri, care cauzează probleme de
fabricaţie şi de scurtă utilizare. Această metodă este mai puţin
eficienta decât cea a LED- ului albastru cu YAG: Ca substanţă
fosforescentă, cu cat schimbarea Stokes este mai mare şi mai multa
energie cu atat posibilitatea să se convertească la caldura este mai
mare, lumina, dar cu randamente mai bune au insa caracteristicile
spectrale, care fac culoarea mai buna. Având în vedere radiativ de
9
iesire mai mare de ultraviolete LED- uri decât cele de albastru, ambele
abordări Oferta comparabile luminozitatea. O altă preocupare este că
lumina UV poate scapa datorita unei funcţionari defectuoase a sursei
de lumină şi poate provoca rău ochilor umani sau pielii.
OLED- urile
În cazul în care stratul de material de emisie al LED- ului este un
compus organic, LED- ul este cunoscut sub numele de OLED. Pentru a
funcţiona ca un semiconductor de materialul organic trebuie sa aiba
legaturi pi conjugate. Materialul de emisie poate fi o moleculă
organică mici într- o fază cristalina, sau un polimer. Materialul
polimeric poate fi flexibil; astfel de LED- uri sunt cunoscute ca PLEDs
sau FLEDs.
Comparativ cu LED- uri obisnuite, OLEDs sunt mai uşoare, şi LED-
uri de polimer poate fi adăugat la beneficiul de a fi flexibil. Unele
aplicaţii posibile pentru viitor ale OLED- urilor ar putea fi:
• ieftine, flexibile, se afişează
• surse de lumină
• decoratiuni de perete
• pânză luminoasa
OLED- urile au fost utilizate pentru producerea de diplay- uri
vizuale pentru dispozitive electronice portabile, cum ar fi telefoanele
mobile, camerele digitale şi MP3 playere. Afişari mai mari au fost
demonstrate, dar speranţa lor de viaţă este încă mult prea scurta
(<1000 ore) pentru a fi practice.
Astăzi, OLED- urile opereaza la o eficienta substanţial mai mică
decât eficienţa LED- urilor anorganice ( cristaline). Cea mai bună
eficienţă luminoasă a unui OLED până în prezent este de aproximativ
68 lm / W .
10
CULORI SI MATERIALE:
Wavelength
Color Voltage (V) Semi-conductor Material
(nm)
11
Indium gallium nitride (InGaN) / Gallium(III)
nitride (GaN)
2.18 < ΔV <
Green 500 < λ < 570 Gallium(III) phosphide (GaP)
4.0
Aluminium gallium indium phosphide (AlGaInP)
Aluminium gallium phosphide (AlGaP)
diamond (C)
Aluminium nitride (AlN)
Ultraviolet λ < 400 3.1 < ΔV < 4.4 Aluminium gallium nitride (AlGaN)
Aluminium gallium indium nitride (AlGaInN) —
(down to 210 nm[22])
12