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Elettronica LC

Elettronica LC

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Riassunto di Elettronica LC
Riassunto di Elettronica LC

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05/27/2013

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Esiste un\u2019importante differenza fr
a :
\u2022
elettronica integrata: i com
ponenti sono collegati sullo stesso substrato (ad esem pio una
scheda) su cui vengono pr
o g e tta ti
MOS1;
\u2022
elettronica discreta: si prend
ono com ponenti gi\u00e0 fabbricati e li si m ette insiem e con sistem i di
interconnessione PCB (
P
roc
ess C on trol B lock
Ci occuperemo ora dell\u2019elettronic
a integrata.
1.1 \u2013 Richiami: il BJT (Bipolar Ju
n ctio n T ra n sisto r
Se mettiamo a contatto due semic
o n d u tto ri d ro g a ti (u n o d i tip o
e uno di tipop, avente cariche mo
b ili p o s itiv e ) fo r m ia m o u n a
Quel che dovremmo osservare
(m a c h e in r e a lt\u00e0 n o n a v v ie n e ) \u00e8 il fe n o m e n o d i
consistente nel fatto che le partice
lle a v e n ti
presenti all\u2019interno dei semicond
u tto ri)
concentrazione.
Cosa impedisce che tutto si mesco
l i ?
Detto questo, \u00e8 facile convincer
si del fatto che esiste u
superficie di contatto fra i due se
m ic o n d u tto ri d ro g a ti
ioni negativi; dall\u2019altro (drogaggi
o
Applicando le equazioni dell\u2019elet
trostatica, p oss
nei pressi nella giunzione e quind
i il p o te n z ia le .
1 \u00c8 da abbandonarsi la convinzione sec
on d o la qu ale l\u2019elettron ica d igitale rigu ard a u n icam en te i tran sistori M O S e
quella analogica si faccia soltanto coi B
JT . L e co se son o m o lto p i\u00f9 sfu m ate: esisto n o in fatti m olti circu iti an alo gici
costruiti con i MOS-transistors.
CAPITOLO 1
Richiami e BJT
E siste u n \u2019im p ortan te d ifferen za fr
a:
i com p
onenti sono collegati sullo stesso sub
strato (ad esem pio una
cui vengono pro
gettati. Il 95% dell\u2019elettronica integrat
a si basa sul transistore
si prendo
no componenti gi\u00e0 fabbricati e li si met
te insiem e con sistem i d i
P roc
ess Control Block).
C i occuperem o ora dell\u2019elettronica
integrata.
B ip o la r Ju n
ction Transistor)
a contatto due sem ic
onduttori drogati (uno di tipon, avente
cariche m obili negative,
, avente cariche m ob
ili positive) formiamo unagiu n zion e.
Quel che dovrem m o osservare
(ma che in realt\u00e0 non avviene) \u00e8 il
fenomeno di
en te n el fatto ch e le p artice
lle aventi dei gradi di libert\u00e0 (che in qu
esto caso sono le cariche
presenti all\u2019interno dei sem icondu
ttori) tendono ad andare da zone di ma
ggiore a zone di m inore
C osa im ped isce che tutto si m esco
li?
Ebbene, se una ca
rica positiva si sposta, si
ha che al suo p
osto rimane una
negativa (fissa): v
iceversa, se a spostarsi \u00e8
una carica negat
iva, quel che rim ane \u00e8
una carica positi
va. A llo stretto ridosso
della giunzione,
regioni di carica s
p a z ia le
a posizionarsi
d e g li
io n i
d i
opposto: a tal pr
oposito si dice che si ha
interfacciamentofr
a le cariche fisse p ositive
e le cariche fisse n
e g a tiv e
Detto questo, \u00e8 facile convincer
si del fatto che esiste una densit\u00e0 di
carica nei pressi della
su p erficie d i contatto fra i d u e se
miconduttori drogati: da un lato (droga
g g io
io n i n e g a tiv i; d a ll\u2019a ltr o (d r o g a g g io
n) troveremo degli ioni positivi.
A p p lic a n d o le e q u a z io n i d e ll\u2019e le t
trostatica, possiamo immediatamente tr
ovare il cam po elettrico
n e i p r e s s i n e lla g iu n z io n e e q u in d i
il potenziale.
\u00c8 da abbandonarsi la convinzione seco
ndo la quale l\u2019elettronica digitale riguarda uni
cam en te i tran sistori M O S e
quella analogica si faccia soltanto coi B
JT. Le cose sono molto pi\u00f9 sfumate: esistono i
n fatti m olti circu iti an alo g ici
i com ponenti sono collegati sullo stesso subs
trato (ad esempio una
. Il 95% d ell\u2019elettronica integrata
si basa sul transistore
si prendono com ponenti gi\u00e0 fabbricati e li si m ett
e insieme con sistemi di
, avente
cariche mobili negative,
Quel che dovrem m o osservare (m a che in realt\u00e0 non avviene) \u00e8 il
fenomeno did iffusione,
(c h e in q u e
sto caso sono le cariche
tendono ad andare da zone di m a
ggiore a zone di minore
e una ca
rica positiva si sposta, si
ha che al suo po
sto rimane una carica
negativa (fissa): v
iceversa, se a spostarsi \u00e8
una carica negati
va, quel che rimane \u00e8
una carica positiv
a. Allo stretto ridosso
d e lla
g iu n z io n e ,
presso le cosiddette
carica sp
aziale, vengono dunque
a
p o s iz io n a r s i
degli ioni di segno
: a tal p ro
posito si dice che si ha
f r a
le cariche fisse positive
e le cariche fisse n
egative (v. figura).
na densit\u00e0 di
carica nei pressi della
: da un lato (droga
ggiop) troveremo degli
iam o im m ed iatam ente tr
ovare il campo elettrico
\u00c8 d a a b b a n d o n a r s i la c o n v in z io n e s e c o n d o la q u a le l\u2019e le ttro n ic a d ig ita le rig u a r d a u n i
camente i transistori MOS e
quella analogica si faccia soltanto coi BJT. Le cose sono m olto pi\u00f9 sfum ate: esistono in
fatti molti circuiti analogici
Chiamiamo ora:
\u2022
A
N
-3
cm
\ue000
\ue001
\ue002
\ue003la concentrazio
n e d i io n i d r o g a n ti
\u2022
D
N
-3
cm
\ue000
\ue001
\ue002
\ue003la concentrazio
n e d i io n i d r o g a n ti
Questi parametri sono numeri del
l\u2019o r d in e d i
(
15
1 9
10
per gli atomi i
n m inoranza
1 0
p e r g li
e, come indicato tra parentesi, si
p o n g o n o
specifico drogaggio considerato.
Dalla concentrazione di ioni si pu
\u00f2 passare alla
\u2022
n
-3
cm
\ue000
\ue001
\ue002
\ue003il numero di elett
r o n i
\u2022
p
-3
cm
\ue000
\ue001
\ue002
\ue003il numero di lacu
n e
allora, all\u2019equilibrio, sussiste la se
guente relazione
2
i
np n
=
(costante3)
Nel semiconduttore di tipo P (ma
g g io
Viceversa, nel semiconduttore di t
ipo N (m aggioranza dielettroni)siha che
Consideriamo ora un diodo4, il cu
i funzionam ento si basa proprio sulla presenza di una
Si pu\u00f2 dimostrare che per tale co
m p o n e n te il p o te n z ia le d i
2Built - in sta letteralmente per \u201ccostru
ito dentro\u201d. Il m otivo di questa denom inazione risiede nel fatto che tale
potenziale \u00e8int rins ec o (\u201cin\u201d) nella struttu
ra stessa d ella giu ntu ra.
3 In altre parole, in un qualunque semico
nduttore la concentra
quanto la \u201ccompetizione\u201d fra le particell
e fa s\u00ec ch e il p ro d o tto
4 Il verso della corrente e della tensione \u00e8
puram ente convenzionale.
Il potenziale,
chiaram ente, dev\u2019essere
definito a
m eno
d i
u n a
c o s ta n te
scegliamo q
u in d i
d i
p r e n d e r e
i l
semiconduttor
e
tracciamo il
g ra
sinistra). Si no
ta im m ediatam ente che
il potenziale
a u m e n ta fin o a l v a lo r e
massimo cost
a n te
built-in2): tale
variazione crea quindi
una barriera di
p o te n z ia le
vera artefice
d e lla
c o
equilibrio che
si instaura senza dare
adito alla diff
usione di cui parlavam o
poco fa.
la concentrazion
e di ioni drogantiac c ettori;
la concentrazio
ne di ioni drogantidon at ori.
param etri sono num eri del
l\u2019ordine di
)
(
1 5
19
1 0
per gli atom i in
minoranza 10
per gli atomi in ma
g g io ra n z a
\u223c
e, com e ind icato tra p arentesi, si p
ongono pi\u00f9 o meno agli estremi di ques
to in terv allo in base allo
s i p u \u00f2
passare alla concentrazione intrinseca; se
c h ia m ia m o :
il nu m ero d i elettr
oni (concentrazione intrinseca degli elet
tro n i)
il num ero di lacun
e (concentrazione intrinseca delle lacun
e )
su ssiste la seg
uente relazione:
)
con
10
3
1,5 10
c m
i
n=
\u22c5
N el sem iconduttore di tipo P (m ag
gioranza di lacune) si ha che
A
p N
\u2248
e
n
V ic e v e r s a , n e l s e m ic o n d u tto r e d i t
ipo N (maggioranza di elettroni) si ha c
h e
, il c u i
funzionamento si basa proprio sulla pr
esenza di una
Si pu\u00f2 dim ostrare che per tale com
ponente il potenziale dibu i l t-i n \u00e8:
sta letteralm ente per \u201ccostrui
to dentro\u201d. Il motivo di questa denominazio
ne risiede nel fatto che tale
stru ttu
ra stessa della giuntura.
In altre parole, in un qualunque sem ico
nduttore la concentrazione di cariche libere (posi
tiv e e n e g a tiv e ) \u00e8 c o s ta n te , in
quanto la \u201ccom petizione\u201d fra le particelle
fa s\u00ec che il prodottonp sia costante.
Il verso d ella corrente e d ella tensione \u00e8
puramente convenzionale.
Il p o te n z ia le ,
chiaramente, dev\u2019essere
d e fin ito
a
m
eno di una costante:
scegliam o
q u
indi di prendere il
sem iconduttor
ep come riferimento e
tracciam o
i l
grafico (v. figura a
. Si no
ta immediatamente che
il p o te n z ia le a
umenta fino al valore
m assim o costa
nte
0
\u03c8
(potenziale di
): tale
variazione crea quindi
barriera di
potenziale, la quale \u00e8 la
v e r a
a r te fic e
della condizione di
c h e
si instaura senza dare
ad ito alla d iffu
sione di cui parlavamo
)
atom i in m ag
gioranza
di ques
to intervallo in base allo
; se
chiamiamo:
(concentrazione intrinseca degli elett
roni),
(concentrazione intrinseca delle lacune
),
1 0
3
1,5 10
cm\u2212
\ue000
\ue001
\ue002
\ue003
2
iA
n
n
N
\u2248
.
Viceversa,nelsem iconduttore ditipo N (m aggioranza dielettroni)siha ch
e
D
n N
\u2248
e
2
iD
n
pN
\u2248
.
, il cui funzionam ento si basa proprio sulla pre
senza di unag iu n zion e:
s ta le tte r a lm e n te p e r \u201c c o s tr u ito d e n tr o \u201d . Il m o tiv o d i q u e s ta d e n o m in a z io n
e risiede nel fatto che tale
zione di cariche libere (posi
tive e negative) \u00e8 costante, in
dove
T
V\u00e8 la tensione termica,par i
a :
(K\ue000 costante di Boltzmann5,
A 300 K (temperatura che consi
dererem o com e am biente), la tensione term ica \u00e8
siamo in grado di calcolarci un va
lo r e p la u s ib ile p e r il p o te n z ia le
0
\u03c8
Ed in genere, infatti, tale potenzia
le v ale
Esaminiamo infine l\u2019entit\u00e0 delle
r e g io n i a r id o s s o d e lla g iu n z io n e (v . fig u r a s o tto s ta n te
indicato anche un grafico di mass
im a s u l liv e llo d e l d r o g a g g io
La profondit\u00e0 delle regioni di car
ica spaziale (
semiconduttore P;
n
x = profondit
\u00e0 della regione di carica spaziale nel sem iconduttore N ) \u00e8 pari a:
n
x=
=
p
x=
=
(NOTA:
R
D
V
V
=
\u2212
Se calcoliamo il rapporto fra le zo
ne di carica spaziale si ha:
22
2
n
p
D
q
N
xx
N
qN
=
=
=
5 Costante di Boltzmann:
1,38 \u2219 10-
2 3
6 Carica dell\u2019elettrone:
1, 6 \u221910-19
7 La cosa interessante \u00e8 che tale potenzia
le non si pu\u00f2 m isurare con strum enti convenzionali, in quanto la sola azione
di collegare (alle due zone diversament
e drogate) le punte dello strum ento utilizzato
un\u2019ulteriore giunzione!
8 Si noti che viene utilizzata una polarizz
azione inversa a quella indicata in figura.
0
2
ln
A
D
T
i
N N
V
n
\u03c8=
p a r i
a:
T
KT
V
q
=
,
T\ue000temperatura in gradi Kelvin, q\ue000c
arica d ell\u2019elettron e
A 300 K (tem peratura che consid
ereremo come ambiente), la tensione t
erm ica \u00e8
siam o in grado di calcolarci un va
lore plausibile per il potenziale
0
\u03c8, fissat
i
(
)
33
3
0
2
10
10
25 10 ln
0,73 V
1,5 10
\u03c8
\u2212
=
\u22c5
\u22c5
\u2243
E d in g e n e r e , in fa tti, ta le p o te n z ia l
e vale 0,6 0,8 V
\u223c
(7).
Esam iniam o infine l\u2019entit\u00e0 delle r
egioni a ridosso della giunzione (v. fig
ura sottostante
indicato anche un grafico di m assi
ma sul livello del drogaggio).
L a p r o fo n d it\u00e0 d e lle r e g io n i d i c a r
ica spaziale (p
x = profondit\u00e0 della regio
ne di carica spaziale nel
= p ro fo n d it\u00e0
della regione di carica spaziale nel semi
conduttore N ) \u00e8 pari a:
(
)
(
)
0
0
2
2
1
A
D
N
N
s
R
s
R
D
D
D
A
V
V
qN
N
qN
N
\u03b5 \u03c8
\u03b5 \u03c8
+
+
=
=
\ue000
\ue001
+
\ue002
\ue003
\ue004
\ue005
\u226b
(
)
(
)
0
0
2
2
2
1
A
D
N
N
s
R
s
R
D
A
A
A
D
V
V N
qN
N
qN
N
\u03b5 \u03c8
\u03b5 \u03c8
+
+
=
=
\ue000
\ue001
+
\ue002
\ue003
\ue004
\ue005
\u226b
R
D
V
V
= \u2212
(8),
s
\u03b5\u00e8 la permettivit\u00e0 elettrica del sil
ic io
Se calcoliam o il rapporto fra le zon
e di carica spaziale si ha:
(
)
(
)
(
)
(
)
0
0
0
0
2
2
2
1
2
2
1
s
R
s
R
D
D
A
D
A
p
D
s
R
s
R
D
A
A
A
D
V
V
N
q N
N
qN
N
x
N
V
V N
N
qN
q N
N
\u03b5 \u03c8
\u03b5 \u03c8
\u03b5 \u03c8
\u03b5 \u03c8
+
+
\ue000
\ue001
+
\ue002
\ue003
\ue004
\ue005
=
=
=
+
+
\ue000
\ue001
+
\ue002
\ue003
\ue004
\ue005
2
3[J K]
1 9
[C]
La cosa interessante \u00e8 che tale potenzia
le non si pu\u00f2 misurare con strumenti convenzio
n a li, in q u a n to la s o la a z io n e
di collegare (alle due zone diversam ent
e drogate) le punte dello strumento utilizzato
per le m isurazioni determ ina
S i n o ti c h e v ie n e u tiliz z a ta u n a p o la r iz z
azione inversa a quella indicata in figura.
c a
rica dell\u2019elettrone6)
A 300 K (tem peratura che considererem o com e am biente), la tensione te
rmica \u00e8 di 25 mV. Ora
, fissat
i
A
N(
18
10)e
D
N(
15
10):
E s a m in ia m o in fin e l\u2019e n tit\u00e0 d e lle r e g io n i a r id o s s o d e lla g iu n z io n e (v . fig
ura sottostante, in cui \u00e8
= profondit\u00e0 della regio
ne di carica spaziale nel
= profondit\u00e0 della regione di carica spaziale nel sem i
conduttore N) \u00e8 pari a:
\u00e8 la p erm ettiv it\u00e0 elettrica d el sil
icio)
A
La cosa interessante \u00e8 che tale potenziale non si pu\u00f2 m isurare con strum enti convenzio
nali, in quanto la sola azione
p
er le misurazioni determina

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/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->