Professional Documents
Culture Documents
Disusun Oleh:
Cahyo Purnomo (H1C010059)
Dwi Haryanto ( H1C010066)
Prodi : Teknik Elektro’10
Teknologi Planar
Teknologi Planar merupakan satu-satunya teknologi yang menjadi dasar utama
dalam permulaan pengolahan bahan-bahan semikonduktor. Dengan adanya
teknologi planar telah memungkinkan terciptanya transistor stabil dan
mendorong pesatnya ndustri semikonduktor pada akhir tahun 1950-an. Pada
awal tahun 1960-an teknologi itu dikembangkan lagi menjadi sebuah piranti
baru yang berupa sirkuit terintegrasi yang merupakan kombinasi dari transistor,
resistor dan kapasitor.
Pada teknologi planar yang selalu menjadi perhatian serius saat ini adalah dalam
pengolahan bahan baku silikon semikonduktor menjadi bentuk wafer, yang
merupakan bahan yang siap dikonversi menjadi bentuk-bentuk piranti seperti IC.
Adapun proses yang termasuk menjadi langkah pembuatan wafer silikon yaitu
proses produksi silikon polikristalin, pengembangan kristal, serta pemotongan
dan pembentukan wafer.
Bahan permulaan untuk produksi silikon umumnya ada 2 macam bahan yang
berasal dari bumi, yaitu pasir (silikon dioksida) dan zat karbon yang telah
dibersikan (dari arang, batu bara, serpih-serpihan kayu, dan lain-lain). Jika
dkedua bahan tersebut bereaksi bersama pada temperatur tinggi dalam tungku
elektronik maka silikon dioksida akan terpisah dari oksidanya menjadi silikon
saja. Dalam reaksi ini elemen silikon merupakan asap yang terjadi dalam reaksi
pada temperatur tersebut. Kemudian dikondensasi sehingga kira-kira
memberikan hasil 98% bahan silikon bersih yang dikenal dengan istilah Silikon
Tingkat Metalurgi (metalurgical grade silicon).
SiO2 + 2-------> Si + 2CO
Dengan hanya berupa sebagian kecil fraksi dari metallurgical grade silicon yang
telah dibersihkan maka bahan ini dapat digunakan dalam berbagai macam
terapan dalam perakitan piranti-piranti untuk industri semikonduktor.
Fraksinasi terpisah SiHCl3 merupakan hasil utama dari reaksi SiCl3 (silicon
tetracloride), doping pengotor klorida (seperti fosfor, boron dan galium) dan
klorida logam (seperti besi dan tembaga).
Silikon tingkat semikonduktor (yaitu silikon yang kurang lebih terdiri dari 1
bagian per satu milyar impurotas/pengotor) sekarang bisa diproduksi dengan
pengurangan temperatur tinggi dari SiHCl3 yang telah bersih. Reaksi kimia ini
terjadi dalam suatu kamar yang disebut "decomposer". Reaksi pengurangan
yang merupakan reaksi balik dari reaksi di atas adlah sebagai berikut :
Pengembangan Kristal
Ada tiga teknik yang secara komersial digunakan untuk pengembangan kristal
silikon, yaitu:
• teknik Czochralski
• teknik Bridgman.
Pengembangan Kristal
Ada tiga teknik yang secara komersial digunakan untuk pengembangan kristal
silikon, yaitu teknik Czochralski, teknik Float Zone dan teknik Bridgman.
Kebanyakan teknik solidifikasi kristal tunggal diturunkan dari metode
Bridgman dn czochralski. Pada metode Bridgman, sampel logam murni ditempatkan
dalam cetakan vertical terbuat dari grafit licin, tirus hingga membentuk titik ujung.
Cetakan perlahan-lahan diturunkan ke dalam dapur tabung dengan zona lelehan
sempit, kristal mulai tumbuh dari titik ujung cetakan. Pada metode czochralski, yang
sering disebut “penarikan kristal”, kristal benih ditarik perlahan-lahan dari
permukaan logam cair, sehingga lelehan bersolidifikasi dengan orientasi yang sama
dengan benih. Rotasi kristal selama penarikan menghasilkan kristal yang bulat.
Teknik ini dimanfaatkan untuk pembuatan in vacuo kristal Sid an Ge.
Kristal dapat juga dibuat dengan teknik “zona ambang” (floating zone). Batang
polikristal murni dijepit pada ujung atas dan bawah dengan jepitan yang didinginkan
oleh air dan diputar daam gas mulia atau vakum. Daerah lelehan kecil, yang
dihasilkan oleh kumparan frekuensi radio yang didinginkan dengan air atau yang
dihasilkan oleh penembakan electron yang berasal dari filament sirkular, dilewatkan
sepanjang sampel. Kemurnian yang tinggi dpat dihasilkan karena specimen tidak
berhubungan dengan sumber kontaminasi dan juga karena ada aksi pemurnian zona.