Transistor Bipolar de Union (BJT:

Bipolar Juntion Transistor)

 Introduccion

Dispositivo o válvula de control que permite:

Regular un flujo de corriente mediante una cantidad de energía pequeña
(varía la conductividad entre dos terminales actuando sobre un tercer terminal
de control)

Transfer resistor
BJT: Bipolar Junction Transistor (transistor bipolar de unión)

Efecto Transistor: El transistor es un dispositivo cuya resistencia interna puede variar

en función de la señal de entrada. Esta variación de resistencia provoca que sea capaz
de regular la corriente que circula por el circuito al que está conectado. (Transfer
Resistor).
Descubrimiento 1948: Brattain, Bardeen, Schockley (Bell Telephone Lab.)
 Introduccion
Transistor bipolar de unión (BJT = Bipolar Junction Transistor)
 Dispositivo semiconductor formado por 3 regiones dopadas alternativamente:
npn (o pnp)
 Acción transistor: Captación de portadores mayoritarios procedentes de una unión
p-n polarizada en directa que los emite por otra unión p-n inversamente polarizada y
muy cercana a la anterior
 Dos tipos:

BJT npn BJT pnp

 Estructura

Terminales del transistor

(C) Colector: dopado intermedio y gran longitud
(B) Base: poco dopado y estrecha
(E) Emisor: muy dopado y longitud intermedia

Forma normal de trabajo

Unión b-e: polarización directa ( baja resistencia)
Unión b-c: polarización inversa ( alta resistencia).
 Tres terminales: E = Emisor, B = Base, C = Colector
 No es simétrico: la concentración de portadores en E es generalmente
bastante mayor que en C
 La región central (B) es estrecha
 Sólo 2 tensiones y 2 corrientes independientes (leyes de Kirchhoff)

N D ~ 1017 N A ~ 1016
N D ~ 1015

1 ~ 5μm 5 ~ 10μm

~ 0.1μm
Transistor Bipolar NPN
Transistor Bipolar PNP
Accion del transistor
Accion PNP
Configuraciones del BJT
Funcionamiento Basico BJT NPN
Ecuaciones del Dispositivo
Definicion de los modos de trabajo del
BJT
 4 modos de operación en función de la polarización de las 2 uniones p-n

BJT npn

SATURACIÓN
DIRECTA
ZAD

CORTE
CORTE
SATURACIÓN
ZAI INVERSA
Forma para determinar la zona de
funcionamiento del transistor
 Modelo Ebers-Moll (EM)

Este modelo es usado en las cuatro regiones de operación del BJT.

Es usado en los programas de simulacion.
Transistor BJT Ecuaciones I-V

I S VBE / U T I
IB 
βF

e  
 1  S eVBC / U T  1
βR

I S VBC / U T
IC  
βR
e   
 1  I S eVBE / U T  eVBC / U T 

 IC

βR

I S VBC / U T
e 1 
VBC
IB 
Modelo circuital


I S eVBE / U T  eVBC / U T 
genérico VBE

βF

I S VBE / U T
e 1 
 IE
 Transistor BJT Modos de operación

Modelos circuitales simplificados

ZAD: VBE > 0, VBC < 0  IC

IC I S VBE /UT
 VBC IB  e
IB  βF
βF IB

I S VBC / U T
 IC  β F I B
X
e 1 
βR VBE
VBC
I E  (β F 1)I B

X
IB   IS 


IS e VBE / U T VBC / U T
e

 βF


VBE  IE

βF
e
X
I S VBE / U T
1  IC

 IE
VBC
IB 
βF IB

VBE , ZAD
VBE , ZAD

 IE
 Transistor BJT Modos de operación

IC
Modelos circuitales simplificados 
ZAI: VBE < 0, VBC > 0  IS 
 
 βR 
IC I S VBC /UT
 VBC IB  e
IB  βR

X
βR IB
βR

I S VBC / U T
e 1 
VBE
I E  β R I B
IC  (β R  1) I B
VBC

X
IB 


I S eVBE / UT  eVBC / UT   IE
VBE


I S VBE / U T
βF
e 
1
X 
IC

 IE
VBC , ZAI

IB 
VBC , ZAI βR IB

VBE
VBC , ZAI  VBE , ZAD
 IE
β R  β F
 Transistor BJT Modos de operación

 IC
Modelos circuitales simplificados
Saturación: VBE > 0, VBC > 0 I S VBC / U T
e
βR

IC VBC
 IB 

I S eVBE / UT  eVBC / UT 
X

βR

I S VBC / U T
e 1 VBE
VBC
IB 


I S eVBE / UT  eVBC / UT  I S VBE / U T
βF
e
 IE
VBE

βF
e
X
I S VBE / U T
1  IC

 IE
VBC
IB 
VCE,sat

VBE ,sat VCE,sat 

VBE,sat  VBE,ZAD
 IE
 Transistor BJT Modos de operación

Modelos circuitales simplificados

Corte: VBE < 0, VBC < 0
 IC

 IC
VBC

βR
e
X
I S VBC / U T
1  IB 

VBC VBE

X X
IB 


I S eVBE / UT  eVBC / UT  IE
VBE

 X
I S VBE / U T
βF
e 
1

 IE
 Transistor BJT Características I-V

IB VCE  0
Característica de entrada

VCE

VBE

Característica de salida

SATURACIÓN
DIRECTA
ZAD

CORTE
CORTE
SATURACIÓN
ZAI INVERSA
 Transistor BJT Ejemplo de amplificador

VCC RC
I C (t ) (1) Punto de operación:
I CQ VCC
RC
RB I BQ
RB ISe
VBEQ / U T

VBB VBEQ
vi (t )
VCE (t )
I B (t ) VBE (t ) I S VBEQ / U T
e
VBB βF


Recta de carga: Asumiendo ZAD:

VBB  VBEQ I S VBEQ / U T
I BQ  I BQ  e
RB βF Recta de carga:

VBEQ / U T VCC  VCEQ

I CQ  I S e  β F I BQ I CQ 
RC
 Transistor BJT Ejemplo de amplificador

VCC RC
I C (t ) (1) Punto de operación:
I CQ VCC
RC
RB I BQ
RB ISe
VBEQ / U T

VBB VBEQ
vi (t )
VCE (t )
I B (t ) VBE (t ) I S VBEQ / U T
e
VBB βF


Q
 Transistor BJT Ejemplo de amplificador (cont.)

VCC RC
I C (t ) (2) Pequeña señal:
iC (t )
RC
RB iB (t )
RB g m  v BE (t )

vi (t )
vi (t ) vBE (t )
VCE (t )
I B (t ) VBE (t ) g π  I BQ U T
rπ
VBB g m  I CQ U T


vi (t )  vBE (t )
iB (t )   v BE ( t )  rπ   i B ( t )
RB
vCE (t )
 iC ( t )  g m   v BE ( t ) iC (t )  
RC

rπ
vCE (t )   RC  iC (t )   RC  g m  vBE (t )   g m RC   vi (t )
RB  rπ
Factor de amplificación
(Ganancia en pequeña señal)
Transistor BJT Ejemplo de amplificador (cont.)
Polarizacion del transistor concepto
del punto de trabajo Q
Polarizacion: Recta de carga Estatica
Tipos de polarizacion: Polarizacion fija
Realimentacion de colector
Division de voltaje y realimentacion de
emisor
El transistor en conmutacion