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Eletrônica de Potência

Eletrônica de Potência

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 Eletrônica de Potência - Cap. 1 J. A. Pomilio
 
DSCE FEEC UNICAMP 2009
1-1
1. COMPONENTES SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA
A figura 1.1 mostra uma distribuição dos componentes semicondutores, indicando limitesaproximados (B. Wu, 2005) para valores de tensão de bloqueio e corrente de condução.Obviamente estes limites evoluem com o desenvolvimento tecnológico e servem como umailustração para a verificação, numa primeira aproximação, das faixas de potência em que cadacomponente pode ser utilizado.
0 1 2 3 4 5 6 I(kA)V
(kV)
12108642
SCRGTO/IGCTIGBT
12kV/1.5kA6.5kV/4.2kA6kV/6kA4.8kV/5kA1.7kV/3.6kA6.5kV/ 0.6kA2.5kV/1.8kA
Figura 1.1 Limites de capacidade de componentes semicondutores de potência.
1.1 Breve Revisão da Física de Semicondutores
A passagem de corrente elétrica em um meio depende da aplicação de um campo elétricoe da existência de portadores livres (usualmente elétrons) neste meio. Em metais, como o cobreou a prata, a densidade de portadores livres (elétrons) é da ordem de 10
23
 /cm
3
, enquanto nosmateriais isolantes, como o quartzo ou o óxido de alumínio, o valor é da ordem de 10
3
 /cm
3
. Oschamados semicondutores, como o silício, têm densidades intermediárias, na faixa de 10
8
a10
19
 /cm
3
. Nos condutores e nos isolantes, tais densidades são propriedades dos materiais,enquanto nos semicondutores estas podem ser variadas, seja pela adição de “impurezas” deoutros materiais, seja pela aplicação de campos elétricos em algumas estruturas desemicondutores.
1.1.1 Os portadores: elétrons e lacunas
Átomos de materias com 4 elétrons em sua camada mais externa (C, Ge, Si, etc.), ouainda moléculas com a mesma propriedade, permitem o estabelecimento de ligações muitoestáveis, uma vez que, pelo compartilhamento dos elétrons externos pelos átomos vizinhos(ligação covalente), tem-se um arranjo com 8 elétrons na camada de valência, como ilustra afigura 1.2.
 
 Eletrônica de Potência - Cap. 1 J. A. Pomilio
 
DSCE FEEC UNICAMP 2009
1-2
elétronscompartilhadosnúcleosatômicos
 Figura 1.2 – Estrutura cristalina de material semicondutorEm qualquer temperatura acima do zero absoluto (-273
o
C), algumas destas ligações sãorompidas (ionização térmica), produzindo elétrons livres. O átomo que perde tal elétron se tornapositivo. Eventualmente um outro elétron também escapa de outra ligação e, atraído pela cargapositiva do átomo, preenche a ligação covalente. Desta maneira tem-se uma movimentaçãorelativa da “carga positiva”, chamada de lacuna, que, na verdade, é devida ao deslocamento doselétrons que saem de suas ligações covalentes e vão ocupar outras, como mostra a figura 1.3.
elétronligaçãorompidaátomoionizadomovimentoda lacuna
 Figura 1.3 – Movimento de elétrons e lacunas em semicondutorA ionização térmica gera o mesmo número de elétrons e lacunas. Em um material puro, adensidade de portadores é aproximadamente dada por:
kTqEi
g
eCn
(1.1)onde C é uma constante de proporcionalidade, q é a carga do elétron (valor absoluto), E
g
é abanda de energia do semicondutor (1,1 eV para o Si), k é a constante de Boltzmann, T é atemperatura em Kelvin. Para o Si, à temperatura ambiente (300K), n
i
10
10
 /cm
3
.
1.1.2 Semicondutores dopados
Quando se faz a adição de átomos de materiais que possuam 3 (como o alumínio ou oboro) ou 5 elétrons (como o fósforo) em sua camada de valência à estrutura dos semicondutores,os átomos vizinhos a tal impureza terão suas ligações covalentes incompletas ou com excesso deelétrons, como mostra a figura 1.4.
 
 Eletrônica de Potência - Cap. 1 J. A. Pomilio
 
DSCE FEEC UNICAMP 2009
1-3
SiSiSiSiSiSiSiSiBoligaçãoincompletaSiSiSiSiSiSiSiSiPelétronem excesso
 Figura 1.4 – Semicondutores dopadosNeste caso não se tem mais o equilíbrio entre elétrons e lacunas, passando a existir umnúmero maior de elétrons livres nos materiais dopados com elementos da quinta coluna da tabelaperiódica, ou de lacunas, caso a dopagem seja com elementos da terceira coluna.Respectivamente, produzem-se os chamados materiais semicondutores tipo N e tipo P. Observe-se, no entanto, que o material permanece eletricamente neutro, uma vez que a quantidade total deelétrons e prótons é a mesma.Quando a lacuna introduzida pelo boro captura um elétron livre, tem-se a movimentaçãoda lacuna. Neste caso diz-se que as lacunas são os
 portadores majoritários
, sendo os elétrons os
 portadores minoritários
.Já no material tipo N, a movimentação do elétron excedente deixa o átomo ionizado, oque o faz capturar outro elétron livre. Neste caso os
 portadores majoritários
são os elétrons,enquanto os
minoritários
são as lacunas.As dopagens das impurezas (10
19
 /cm
3
ou menos), tipicamente são feitas em níveis muitomenores que a densidade de átomos do material semicondutor (10
23
 /cm
3
), de modo que aspropriedades de ionização térmica não são afetadas.Mesmo em um material dopado, o produto das densidades de lacunas e de elétrons (p
o
en
o
, respectivamente) é igual ao valor n
i2
dado pela equação (1.1), embora aqui p
o
n
o
.Além da ionização térmica, tem-se uma quantidade adicional de cargas “livres”, relativasàs próprias impurezas. Pelos valores indicados anteriormente, pode-se verificar que aconcentração de átomos de impurezas é muitas ordens de grandeza superior à densidade deportadores gerados por efeito térmico, de modo que, num material tipo P, p
o
 
N
a
, onde N
a
é adensidade de impurezas “aceitadoras” de elétrons. Já no material tipo N, n
o
 
N
d
, onde N
d
é adensidade de impurezas “doadoras” de elétrons.Em qualquer dos materiais, a densidade dos portadores minoritários é proporcional aoquadrado da densidade “intrínseca”, n
i
, e é fortemente dependente da temperatura.
o2io
pnn
,
ao
Np
(1.2)
o2io
nnp
,
do
Nn
(1.3)
1.1.3 Recombinação
Uma vez que a quantidade n
i
é determinada apenas por propriedades do material e pelatemperatura, é necessário que exista algum mecanismo que faça a
recombinação
do excesso deportadores à medida que novos portadores são criados pela ionização térmica.Tal mecanismo inclui tanto a recombinação propriamente dita de um elétron com umalacuna em um átomo de Si, quanto a captura dos elétrons pela impureza ionizada ou,

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/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->