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INTRODUCCION A LA ELECTRONICA
INDUSTRIAL
AUTOR:
LILIANA CONTRERAS
C.I 13.013.240
CIRCUITO RC EN REGIMEN TRANSITORIO
El análisis en régimen permanente estudia lo que le ocurre al circuito una vez estabilizado,
mientras que el régimen transitorio estudia lo que ocurre en el circuito hasta que se estabiliza,
es decir, es aquella respuesta de un circuito eléctrico que se extingue en el tiempo, en
contraposición al régimen permanente.
Desde el punto de vista del análisis circuital, el régimen transitorio viene dado por la solución
de una ecuación diferencial de primer grado; siendo de primer orden porque tenemos un
elemento almacenador de energía (condensador), la cual se resuelve aplicando las leyes de
kirchhoff determinando así la tensión y corriente en el condensador.
V(t)
t=0
Los semiconductores son materiales cuya conductividad varía con la temperatura, pudiendo
comportarse como conductores o como aislantes. Resulta que se desean variaciones de la
conductividad no con la temperatura sino controlables eléctricamente por el hombre. Para
conseguir esto, se introducen átomos de otros elementos en el semiconductor.
Estos átomos se llaman impurezas y tras su introducción, el material semiconductor
presenta una conductividad controlable eléctricamente.
Existen dos tipos de impurezas, las P y las N, que cambian la conductividad del silicio y
determinan el tipo de cristal a fabricar. Por tanto, como hay dos tipos de impurezas habrá
dos tipos fundamentales de cristales, cristales de impurezas P y cristales de impurezas tipo
N.
El material semiconductor más utilizado es el Silicio (Si), pero hay otros semiconductores
como el Germanio (Ge) que también son usados en la fabricación de circuitos. El silicio está
presente de manera natural en la arena por lo que se encuentra con abundancia en la
naturaleza. Además, el Si presenta propiedades mecánicas y eléctricas buenas. Su
purificación es relativamente sencilla (llegándose a Si puro del 99,99999%) y el Si se presta
fácilmente a ser oxidado, formándose SiO2 y constituyendo un aislante que se utiliza en
todos los transistores de la tecnología CMOS
DIODO SEMICONDUCTOR (Si , Ge)
Símbolo
DIODO SEMICONDUCTOR (Si , Ge) Unión P-N
Casi todos los diodos que se fabrican hoy en día están formados por dos tipo de
silicio diferentes, unidos entre si.
Este conjunto sería del tipo N, ya que deja un electrón libre pues le sobra del
enlace, con lo que el átomo (azul) se convierte en un ión positivo al mismo tiempo
que contribuye con la generación de un electrón libre, a este átomo lo
representaremos:
En el caso del tipo P, dejaría un hueco libre, con lo que el átomo se convierte en
un ión negativo al mismo tiempo que contribuye con la generación de un hueco
libre, a este átomo lo representaremos:
Cuando se efectúa esta unión, los electrones y los huecos inmediatos a la unión se atraen,
cruzan la unión y se neutralizan.
Según este proceso inicial, la zona N próxima a la unión ha perdido electrones y por tanto queda
cargada positivamente. Igualmente la zona P próxima a la unión ha perdido huecos, con lo que
queda cargada negativamente.
Al quedar la zona N próxima a la unión cargada positivamente, rechazará a los huecos de la zona
P que quieren atravesar la unión. Exactamente igual la zona P próxima a la unión impedirá el
paso de los electrones provenientes de la zona N
Por tanto en la zona próxima a la unión aparece una diferencia de potencial llamada "Barrera de
potencial interna", que impide el paso de portadores mayoritarios a través de la unión, no
pudiendo existir corriente.
DIODO SEMICONDUCTOR (Si , Ge) .Polarización .
Polarización Directa: Consiste en aplicar a la parte P del diodo una tensión más positiva que a la
parte N. De esta forma, el campo eléctrico estará dirigido de la parte P a la parte N. Esto significa
que circularían huecos de la parte P (donde son mayoritarios) a la parte N (donde son
minoritarios) por lo que esta corriente tiene el mismo sentido que la corriente de difusión. De
esta forma, la corriente total de huecos es muy alta. Un proceso análogo ocurre para la corriente
de electrones. La corriente total es la suma de la de huecos y la de electrones y toma un valor
elevado a partir de un determinado valor de tensión (tensión umbral) que depende del tipo de
semiconductor (en el Silicio es aproximadamente de 0,7 V y en el Germanio de 0,2 V).
Puede considerarse que el diodo es el dispositivo binario más elemental, ya que permite el paso
de corriente en un sentido y lo rechaza en sentido contrario.
DIODO SEMICONDUCTOR (Si , Ge) .Polarización .
Polarización inversa: Consiste en aplicar a la parte N del diodo una tensión más positiva que a la
parte P. De esta forma, el campo eléctrico estará dirigido de la parte N a la parte P y los huecos
tenderán a circular en ese sentido mientras que los electrones tenderán a circular en sentido
contrario. Esto significa que circularían huecos de la parte N (donde son muy minoritarios) a la
parte P (donde son mayoritarios), por lo que esta corriente se ve contrarrestada por una
corriente de difusión que tiende a llevar a los huecos de donde son mayoritarios (parte P) hacia
donde son minoritarios (Parte N). Por consiguiente, la corriente global de huecos es
prácticamente nula. Algo totalmente análogo ocurre con la corriente de electrones, la corriente
de arrastre va en sentido contrario a la de difusión, contrarrestándose ambas y produciendo
una corriente total prácticamente nula.
La corriente total es la suma de la de huecos más la de electrones y se denominan Corriente
inversa de saturación ( Is ). En la práctica, el valor de esta corriente es muy pequeño (del orden
de nA en el Silicio) y depende de la temperatura de forma que aumenta al aumentar esta.
diodo de silicio. Ver la siguiente figura:
Nótese en la figura que la conducción del diodo de germanio comienza cuando se supera el
voltaje de umbral VF=0.3V y para el diodo de silicio con VF=0.7V. Para consideraciones prácticas
la corriente de conducción (polarización directa) es del orden de los miliamperios y la corriente
inversa es del orden de los microamperios (no conducción), esto quiere decir que la resistencia
de un diodo en directo Rf es muy pequeña y la resistencia en inverso es muy alta Rr.
1) Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy elevada (10 7 a
1012 ohmios).
2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3) Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.
4) Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten
integrar más dispositivos en un CI.
5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensión para valores pequeños de
tensión drenaje-fuente.
6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para
permitir su utilización como elementos de almacenamiento.
7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada.
2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT.
3) Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática.
En este apartado se estudiarán brevemente las características de ambos dispositivos orientadas
principalmente a sus aplicaciones analógicas.
Tipos de Transistores
NPN
BIPOLARES
PNP CANAL N (JFET-N)
UNIÓN
CANAL P (JFET-P)
CANAL N (UJT-N)
TRANSISTORES DE POTENCIA
MOSFET :Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor .
D D D D
G G G G
S S S S
Canal N Canal P Canal N Canal P
G - Puerta (GATE)
D - Drenador (DRAIN)
S - Surtidor o fuente (SOURCE)
MOSFET :Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor .
G
S
D
N N
M e ta l
O x id o ( a is la n t e )
P S e m ic o n d u c to r
SUSTR ATO
U D S
ID = 0
G • Los terminales principales del MOS son
D S drenador y surtidor
N N • Al aplicar tensión UDS la unión drenador-
sustrato impide la circulación de corriente
P
de drenador
SU STR ATO
MOSFET :Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor .
+ + + + + +
N n N
U G S
P - - -
e
- e e e
Símbolo
I B2 = VB2B1 / rBB
Vp = VD + ηVB2B1
A partir de este valor, al polarizarse en sentido directo la juntura PN, se inyectan huecos
desde el emisor hacia la barra de silicio. El campo eléctrico dentro de la barra tiene la polaridad
adecuada para transportar a los huecos hacia el terminal de base uno.
Como la conductividad de un material semiconductor es una función directa de la concentración
y movilidad de los portadores, la inyección de huecos aumenta la conductibilidad en la
zona, dando origen a un proceso de realimentación positiva denominado modulación de
la conductividad. El incremento de portadores, reduce la resistividad, causando a su vez un
aumento en la caída de tensión entre el emisor y base uno. Proceso que a su vez permite que
mas huecos sean inyectados desde el emisor, volviendo a disminuir la resistividad. Mientras
el UJT está sometido a este proceso entre los terminales de emisor y base uno se
encuentra en la zona de resistencia negativa.
El Transistor UJT (UniJunction Transistor) Funcionamiento
En la figura (c), se grafica esta situación. Para corrientes de
emisor iguales o inferiores a su valor de pico, la resistencia rBB
puede considerarse dividida en dos partes rB1 y rB2 de acuerdo
a las siguientes expresiones:
*Para los transistores PNP se invierten las polaridades de alimentación de colector y base. En el
caso de los FET la diferencia es que la compuerta se excita con una tensión en escalera y no con
una corriente, como en el caso de los bipolares.
La propiedad de conducir en forma abrupta cuando llega a una cierta tensión es la propiedad
típica del UJT.
Cuando se alimenta un capacitor a través de una resistencia, llega al potencial de
disparo del UJT se descarga de golpe, generando un diente de sierra.
* El UJT es controlado por corriente, puede manejar altas frecuencias y potencias, mientras que
el FET es controlado por voltaje, consume poca potencia.
* Los UJT son excelentes para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores
de relajación. Los FET son muy buenos para el manejo de altas frecuencias y señales muy
débiles.
Circuito osciladores
Un oscilador es un dispositivo capaz de convertir la energía de corriente continua en corriente
alterna a una determinada frecuencia.
Vent = DC Vsal = AC
El circuito oscilante suele estar compuesto por una bobina (o inductancia) y por un condensador.
El funcionamiento de los circuitos osciladores (osciladores de ahora en adelante) suele ser muy
similar en todos ellos; el circuito oscilante produce una oscilación, el amplificador la aumenta y
la red de realimentación toma una parte de la energía del circuito oscilante y la introduce de
nuevo en la entrada produciendo una realimentación positiva.
Circuito oscilante
Circuito osciladores. Principio de funcionamiento
La energía se debe mover entre dos formas continuamente para que un oscilador funcione
correctamente. Puedes crear un simple oscilador conectando juntos un capacitador y un
inductor. Estos dos dispositivos tienen la capacidad de almacenar energía. Un capacitador
almacena energía en la forma de un campo electroestático, mientras que un inductor usa un
campo magnético.
Si cargas el capacitador con una batería, y luego insertas el inductor en el mismo circuito en el
que se encuentra el capacitador, ocurrirá que:
.- El capacitador empezará a descargarse a través del inductor.
.- Según lo haga, el inductor creará un campo magnético.
.-Una vez que el capacitador se descarga, el inductor intentará mantener la corriente
moviéndose por el circuito lo cual cargará el otro extremo del capacitador.
.- Una vez que el campo del inductor desaparece, el capacitador volverá a estar cargado (pero
con distinta polaridad), por lo que se descargará de nuevo por el inductor.
Esta oscilación continuará hasta que el circuito se quede sin energía debido a la resistencia del
cable.
Oscilará a una frecuencia que dependerá del tamaño del inductor y el capacitador.
Circuito osciladores. Tipos
El oscilador Meissner:
Está compuesto por un circuito oscilante LC, una etapa amplificadora y una realimentación
positiva. Una de las características de este oscilador es que la realimentación se produce por
medio de un acoplo inductivo, es decir, entre una bobina auxiliar y la bobina que compone el
circuito tanque. En estos osciladores la oscilación desacoplada y amplificada debe ser
introducida de nuevo en el circuito oscilante, y para conseguir que la oscilación que entró en un
principio al circuito sea reforzada, la oscilación de la realimentación debe estar en fase con ella.
Para conseguir este efecto tenemos que cuidar que los arrollamientos del transformador estén
correctamente conectados porque, de lo contrario, no conseguiríamos ningún tipo de oscilación.
Para que se produzca una frecuencia de oscilación estable hay que tener en cuenta todos los
datos del transistor, es decir, cómo actúa frente a las diferentes tensiones, intensidades y con los
cambios de temperatura. La etapa amplificadora del oscilador está formada por el transistor
que, en esta clase de montajes, se coloca en base común. El circuito oscilante se conecta al
colector. Existe otro tipo de oscilador muy parecido al de Meissner que se denomina oscilador
de Armstrong.
Circuito osciladores. Tipos
El oscilador Hartley
La principal característica de estos circuitos osciladores es que no utilizan
una bobina auxiliar para la realimentación, sino que aprovechan parte de
la bobina del circuito tanque, dividiéndose ésta en dos mitades, L1 y L2.
Colocamos dos resistencias para polarizar adecuadamente el transistor.
Hay dos formas de alimentar al transistor: en serie y en paralelo. La
alimentación serie se produce a través de la bobina, L2, circulando por ella
una corriente continua. La alimentación en paralelo se efectúa a través de
la resistencia del colector, quedando en este caso perfectamente aislados
el componente de continua y el componente de alterna de señal. La
reacción del circuito se obtiene a través de la fuerza electromotriz que se
induce en la bobina, L1, y que se aplica a la base del transistor a través de
un condensador. En estos circuitos la frecuencia de oscilación depende de
la capacidad C y de las dos partes de la bobina, L1 y L2, del circuito
oscilante. Según donde se coloque la toma intermedia de la bobina se va a
producir una amplitud de tensión u otra; pudiendo llegar a conectarse o
desconectarse el circuito.
Circuito osciladores. Tipos
El oscilador Colpitts
A esta tensión, la juntura PN entre emisor y base uno, se polariza en forma directa y la
característica de emisor entra en la zona de resistencia negativa. El capacitor CE se descarga al
circular una corriente de emisor, produciendo un pulso positivo en el terminal B1. Este
pulso se produce sobre la resistencia RB1, que puede existir físicamente o bien representar
la impedancia de entrada de la compuerta del tiristor que se desea disparar mediante el
oscilador de relajación.
Circuito oscilador de relajación con UJT
Antes de dispararse, una corriente IB2 se encuentra circulando entre las dos bases.
Cuando el UJT entra en la zona de resistencia negativa, la IB2 se incrementa, dado que
rB2 disminuye al valor de rs, dando origen a un pulso negativo en el terminal de B2.
Cuando la tensión en el emisor decrece al valor de valle por la descarga del capacitor,
el UJT se corta, el capacitor CE vuelve a cargarse y el ciclo se repite, si se satisface
que el valor de RB1 se encuentra entre los máximos y mínimos permitidos.
t
Rectificadores.
Un circuito rectificador es un circuito que tiene la capacidad de convertir una señal de c.a. en
una señal de c.c. pulsante, transformando así una señal bipolar en una señal monopolar.
Se tienen dos tipos de rectificación:
Rectificación de Media Onda
Rectificación de Onda Completa
Circuito Rectificador de Media Onda :
Este circuito genera una señal de c.c. a partir de una señal de c.a. truncando a cero todos los
semiciclos de una misma polaridad en la señal de c.a. y dejando igual a los semiciclos de la
polaridad contraria.
Esquema circuital
básico para este tipo
de rectificación
Rectificación de Media Onda : Análisis
El análisis de este circuito se hace por separado para cada semiciclo de la señal de entrada Vi,
determinando la salida Vo para cada semiciclo.
Para Vi>0 (Semiciclo positivo de Vi)
El esquema circuital para este caso se muestra en la siguiente figura.
De esta figura se observa que cuando Vi>0, el diodo se polariza
directamente, puesto que su terminal A está a un nivel de tensión
mayor que su terminal K.
Tomando el modelo ideal del diodo polarizado directamente:
El dispositivo se comporta como un corto circuito y el circuito
es equivalente al mostrado en la siguiente figura .
El análisis para este semiciclo indica que para Vi>0 la salida Vo es igual a Vi tanto en magnitud
como en fase.
Rectificación de Media Onda : Análisis
Para Vi<0 (Semiciclo negativo de Vi)
El esquema circuital para este caso se muestra en la siguiente figura.
La figura muestra al diodo con su terminal K a un nivel de tensión mayor
que el terminal A, lo que indica que el diodo está polarizado inversamente.
Considerando al diodo como ideal, este se comporta como un circuito
abierto para este caso, y por tanto la corriente en el circuito sería nula y
el circuito es equivalente al mostrado en la siguiente figura:
El análisis para este semiciclo indica que para Vi<0 la salida Vo es cero, con lo que se explica el
truncamiento a cero de los semiciclos negativos para este circuito rectificador de media onda
básico. La señal de salida Vo(t) se observa en la próxima figura.
Rectificación de Media Onda : Análisis
Vo = Vi para Vi > 0
Vo = 0 para Vi < 0
Para lograr una rectificación de onda completa se plantean dos esquemas circuitales
básicos:
Vo = Vs para Vs > 0
Este tipo de convertidores en la actualidad es casi la única aplicación de los SCR, ya que son
circuitos que requieren control de ángulo de fase y los dispositivos se bloquean naturalmente.
Existen rectificadores controlados monofásicos y polifásicos, diseñados para
potencias muy elevadas.
SRC Rectificador controlado de Silicio :
Símbolo
A C
Siempre es de Silicio. (Cátodo)
(Ánodo) G
El SCR es el tiristor por excelencia
(Puerta)
A IA
A
E p2 p2 I
J1 A
n2
B n2 C
J2 IG
G C p1 B A
p1
J3 VB VAC
n1 E n1
C
K
Estructura Interna
y circuito equivalente Característica
SRC Rectificador controlado de Silicio :
(Ánodo)
A Estado de bloqueo:
IA IA
Soporta Tensión inversa y
VAC
G tensión directa
(Puerta)
C Si se introduce un pulso de
(Cátodo) corriente por puerta la tensión
IG alcanza el valor de ruptura
directa VB
VB VAC
im Estado de conducción:
im = Corriente de
mantenimiento Conduce Corriente Directa y se
mantiene en conducción siempre
que la corriente esté por encima de
imC
SRC Rectificador controlado de Silicio :
A
A
P
N
P
N
G C
G
C
SRC Rectificador controlado de Silicio :
A A
A
G
G
C
C
MODELO IDEAL DE UN SCR
G NOTA:
El disparo por tensión directa (VB) se considera
indeseable y, como norma general, debe seleccionarse
C el SCR para que esto no ocurra
SRC Rectificador controlado de Silicio :
US(t) Umax
IA
Carga
t
A
ig
Rg
UAK
UE(t)
G
IG K t
UAK
Umax
t
SRC Rectificador controlado de Silicio :
En las curvas de
salida del transistor
BJT se pueden
identificar las zonas
de operación del
transistor: corte,
saturación, activa e
invertida; tal como
indica la figura, donde
se muestra el juego
de curvas de salida
para un BJT en
configuración Emisor
Común
BJT : Curva Ic = f (Vce)
Zona de Corte: Esta zona se caracteriza por tener una corriente de salida en el transistor
aproximadamente cero, por lo que en esta zona el dispositivo actúa como circuito abierto (útil
en interruptores). Está limitada por el valor de ICBO, que indica el tope de la zona de corte.
Zona de Saturación: En esta zona el transistor presenta un voltaje de salida aproximadamente
cero, por lo que puede representarse como un corto circuito para esta condición (útil en
interruptores). La zona de saturación se limita para valores de salida del transistor por debajo
del voltaje de saturación, en este caso VCEsat, el cual es un valor suministrado por el fabricante
en las hojas de datos del dispositivo.
Zona Activa: Se define también como la zona lineal de la característica, y por ello el transistor se
ubica aquí para su uso como amplificador de señales aprovechando las propiedades de la
linealidad en el análisis circuital. La salida del transistor tanto en corriente como el voltaje son
valores positivos los cuales se mantienen constantes sobre una curva de entrada seleccionada.
La zona activa está limitada en cuanto a voltaje para valores de voltaje de salida del transistor, en
este caso VCE, para: VCEsat<VCE<VCEO, donde VCEO es suministrado en las hojas de datos e
indica el máximo voltaje de salida que puede obtenerse del transistor sin salir de la zona lineal.
En cuanto a corriente el valor de ICBmax dado por el fabricante indica el tope de la zona activa.
Zona Invertida: La zona invertida permite tener salidas negativas en el transistor tanto en
corriente como en voltaje. La ubicación del transistor en esta zona no tiene gran utilidad en la
amplificación de señales
TRIAC : Triodo para Corriente Alterna
El TRIAC (Triode for Alternative Current) es un dispositivo semiconductor de tres terminales que
se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que
conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversión de la tensión o al disminuir la
corriente por debajo del valor de mantenimiento. El TRIAC puede ser disparado
independientemente de la polarización de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta
positiva o negativa.
Estructura
La curva describe la característica tensión – corriente del Triac. Muestra la corriente a través del Triac como una función de la
tensión entre los ánodos MT2 y MT1.El punto V(BO) ( tensión de ruptura) es el punto por el cual el dispositivo pasa de una
resistencia alta a una resistencia baja y la corriente, a través del Triac, crece con un pequeño cambio en la tensión entre los
ánodos.
El Triac permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Esto se realiza
por medio de la disminución de la tensión de la fuente. Una vez que el Triac entra en conducción, la compuerta no controla mas la
conducción, por esta razón se acostumbra dar un pulso de corriente corto y de esta manera se impide la disipación de energía
sobrante en la compuerta.
El mismo proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante, cuando la tensión en el ánodo MT2 es negativa con respecto al ánodo
MT1 y obtenemos la característica invertida. Por esto es un componente simétrico en cuanto a conducción y estado de bloqueo se
refiere, pues la característica en el cuadrante I de la curva es igual a la del III
TRIAC : Cuadrantes de Disparo El primer modo del primer cuadrante designado por I (+), es
aquel en que la tensión del ánodo MT2 y la tensión de la
El cuarto modo del Segundo cuadrante y designado por III(+) es aquel en que la compuerta son positivas con respecto al ánodo MT1 y este es
tensión del ánodo T2 es negativa con respecto al ánodo MT1, y la tensión de el modo mas común (Intensidad de compuerta entrante).
disparo de la compuerta es positiva con respecto al ánodo MT1(Intensidad de La corriente de compuerta circula internamente hasta MT1,
compuerta entrante). El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta en parte por la unión P2N2 y en parte a través de la zona P2.
remota. Entra en conducción la estructura P2N1P1N4. La inyección de N2 a P2 es Se produce la natural inyección de electrones de N2 a P2,
igual a la descrita en el modo I(+). Los que alcanzan por difusión la unión P2N1 que es favorecida en el área próxima a la compuerta por la
son absorbido por su potencial de unión, haciéndose más conductora. El potencial caída de tensión que produce en P2 la circulación lateral de
positivo de puerta polariza más positivamente el área de unión P2N1 próxima a corriente de compuerta. Esta caída de tensión se simboliza
ella que la próxima a T1, provocándose una inyección de huecos desde P2 a N1 en la figura por signos + y - .Parte de los electrones
que alcanza en parte la unión N1P1 encargada de bloquear la tensión exterior y se inyectados alcanzan por difusión la unión P2N1 que bloquea
produce la entrada en conducción. el potencial exterior y son acelerados por ella iniciándose la
conducción.
Un tiristor GTO es un SCR que puede apagarse por una pulsación suficientemente grande en su
compuerta de entrada, aun si la corriente iD excede IH. Se usan desde 1960, pero se
potencializaron al final de los años setenta. son comunes en las unidades de control de motores,
ya que eliminan componentes externos para apagar los SCR en circuitos de cc.
GTO: Funcionamiento del GTO
Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista señal en el gate, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el
ánodo, pero una corriente de fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un voltaje
de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso dinámico de encendido., VAK = 3V y la corriente IA es
determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la aplicación de una voltaje en inversa, solo una pequeña corriente
de fuga (IA leak) existe. Una polarización en inversa VAK puede ser alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del voltaje del
voltaje de ruptura inverso depende del método de fabricación para la creación de una regeneración interna para facilitar el
proceso de apagado. Con un voltaje de polarización directo aplicado al ánodo y un pulso de corriente positiva es aplicada al
gate, el GTO se enciende y permanece de esa forma. Para ésta condición, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es
reduciendo la corriente de ánodo IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding Ih, en la cual, la
acción regenerativa interna no es efectiva. La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el
método más recomendable porque proporciona un mejor control. La ganancia se calcula con la siguiente formula.
V0 0 sí Vd 0
Amplificador Operacional Ideal:
Estas dos propiedades pueden considerarse como axiomas del AO. Con ellas se
puede deducir el funcionamiento de casi todos los circuitos con amplificadores
operacionales.
Circuitos de los Amplificadores Operacionales:
• Inversora y
• No-inversora.
Aplicando las propiedades del AO ideal, las características más distintivas de este
circuito se pueden destacar como sigue:
Vd V p Vn Vd 0
• Si Vd = 0, toda la tensión de entrada Vi deberá aparecer en R1, obteniendo
una corriente en R1:
I Vi R1
• Como Vn está a un potencial cero, se dice que es un punto de tierra virtual.
Amplificador Inversor:
Toda la corriente I que circula por R1 pasará por R2, puesto que no se derivará
ninguna corriente hacia la entrada del operacional (impedancia infinita). Por lo
tanto:
V0 I R2
Teniendo en cuenta que la corriente por el circuito es la misma, resulta
entonces:
V0 Vi
I
R2 R1
La ganancia del amplificador inversor será:
V0 R
V 2
Vi R1
Amplificador Inversor:
Esta tensión puede ser masa (como en la figura anterior), o cualquier otro
potencial que se desee.
Amplificador No Inversor:
Vi I R1
Circuitos con Amplificador No Inversor:
Como :
Vo I ( R1 R2 )
se tiene que:
V1
Vo ( R1 R2 )
R1
Por lo tanto, en términos de ganancia, la ecuación caracterís-tica para el AO no
inversor ideal vendrá dada por:
Vo R1 R2 R2
1
V1 R1 R1
Configuraciones Basadas en los circuitos Inversor y No Inversor:
El amplificador diferencial
Una configuración importante con AO es la que se conoce como amplificador
diferencial, que no es más que una combinación de las dos configuraciones
principales.
Este circuito tiene señales aplicadas en ambos terminales de entrada, tal como
se muestra en la siguiente figura:
Configuraciones Basadas en los circuitos Inversor y No Inversor:
Para comprender cómo funciona el circuito, primero se analizarán las dos
señales de entrada por separado, y después, en forma combinada.
V1
Vd V () V () V () V () V () R2
R1 R2
Aplicando el principio de superposición, la tensión de salida se puede considerar como
la suma de los efectos producidos por ambas señales en forma individual, haciendo una
cero cuando se considera la otra.
V1 R2 R3 R4
V01
R1 R2 R3
Configuraciones Basadas en los circuitos Inversor y No Inversor:
La tensión de salida debida a V2, suponiendo V1=0 (y considerando la ecuación
de la ganancia para el circuito inversor), valdrá:
R4 Aplicando el teorema de superposición, la tensión de salida V0
V02 V2 = V01 + V02. Haciendo que R3=R1 y R4 =R2, se tendrá que:
R3
V1 R2 R2 R2
V01 V02 V2 V0 (V1 V2 )
R1 R1 R1
En términos de ganancia:
V0 R2
V1 V2 R1
es la ganancia del AO para señales en modo diferencial.
V1 se dividirá entre R1 y R2, apareciendo una tensión V(+) menor en R2. Debido a la ganancia
infinita del amplificador, y a la tensión de entrada diferencial cero, esta tensión será igual a
V(-) en el nodo suma ( terminal (-)
FIN