PERCOBAAN I

DIODE DAN RANGKAIAN DIODE

1.4 Pertanyaan dan Tugas

1. Dari percobaan karakteristik V – I (dengan multimeter) buatlah grafik Id terhadap
Vd dan bandingkan dengan gambar dari osiloskop, dan bandingkan pula dengan
karakteristik diode ideal. Jelaskan komentar anda dan beri alasannya!
2.Bagaimana cara untuk mengetahui baik buruknya diode (diode si, Ge, dan
Zener)?
3. Untuk percobaan setengah gelombang dan penyearah gelombang penuh
hitunglah factor rippelnya untuk masing – masing harga RL?
4. Jelaskan cara kerja rangkaian pelipat ganda tegangan?(gelombang setengah
maupun gelombang penuh).
5. Bandingkan semua hasil pengukuran dengan hasil perhitungan, dan terangkan
menurut analisa anda?

Jawaban Pertanyaan :
1. Dari percobaan karakteristik V – I yang diukur dengan multimeter didapat grafik
ID terhadap VD. Adapun grafik tersebut antara lain :
Grafik hubungan V - I
4.5

3.5

2.5
Id (mA)

1.5

0.5

0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Vd (Volt)

Gambar Grafik Hubungan antara ID terhadap VD dalam pengukuran

Grafik karakteristik V – I Ideal adalah sebagai berikut :

Gambar Karakteristik V – I diode ideal

Pada gambar karakteristik diode ideal diatas, terlihat bahwa saat diode jenis
ini dibias mundur (reserve), maka arus yang mengalir selalu bernilai 0 pada saat
tegangan anoda lebih rendah daripada tegangan katoda. Hal ini disebabkan karena
adanya lapisan deplesi pada dioda tersebut sehingga terdapat suatu nilai minimum
yang dibutuhkan untuk mengalirkan arus dari anoda ke katoda pada dioda. Apabila
tegangan yang diberikan pada dioda kurang dari tegangan yang dimiliki dioda
maka elektron bebas tidak mempunyai cukup energi untuk melintasi lapisan
deplesi, sehingga tidak ada muatan yang mengalir dengan kata lain tidak ada arus
yang mengalir pada dioda. Kemudian pada saat dioda dibias maju (forward), energi
eksitasi (rangsangan) yang diterima oleh elektron valensi lebih besar, maka
energi potensial tersebut akan mendorong elektron – elektron bebas untuk
melintasi lapisan deplesi sehingga terjadi aliran arus.
Pada gambar karakteristik diode dalam pengukuran, dapat dilihat bahwa
arus mulai naik pada saat diode diberi tegangan 0,5 Volt. Kemudian arus naik terus
jika diode diberi tegangan lebih besar dari 0,5 Volt. Hal ini disebabkan karena
lapisan deplesi pada diode semakin tipis jika diode diberi tegangan melebihi
tegangan minimumnya yaitu 0,5 Volt. Jika diode diberikan tegangan dibawah 0,5
Volt, maka arus tidak dapat mengalir. Hal ini disebabkan karena elektron
kekurangan energi untuk menembus lapisan deplesi pada diode tersebut.

2. Cara mengetahui keadaan diode dalam keadaan baik atau buruk dapat
dilakukan dengan mengukur nilai dari resistansi diode tersebut. Cara dapat
dilakukan pada diode jenis Silicon, Germanium maupun Zener.
Adapun langkah-langkah untuk mengukur resistansi diode tersebut adalah sebagai
berikut :
a) Agar hasil lebih akurat, ada baiknya kita gunakan multimeter digital
untuk mengukur resistansi diode.
 b) Aturlah saklar jangkar multimeter pada posis ohm.
c) Tancapkan pangkal kabel colok merah pada terminal kabel colok
positif dan Pangkal kabel colok hitam pada kabel terminal colok negatif
yang tersedia pada multimeter.
d) Hubungkan colok hitam pada kaki anoda dan colok merah pd kaki
katoda. Apabila display multimeter menunjukkan suatu nilai maka dioda
dinyatakan baik tetapi jika display menunjukkan angka nol (0) diode dinyatakan
rusak atau putus. (bias maju)
e) Jika pengujian dibalik yaitu yaitu colok hitam ditempel pada katoda dan
colok merah pada anoda maka bila display multimeter menunjukkan suatu nilai
maka dioda dinyatakan rusak sebaiknya apabila display menunjukkan angka nol
(0) maka diode dikatakan baik. (bias mundur).
Dari penjelasan diatas, dapat disimpulkan seperti tabel dibawah ini :
KABEL COLOK Display
No Positif (Merah) Negatif (hitam) Keadaan
Multimeter
1 Kaki Katoda Kaki Anoda Ada nilai Baik
2 Kaki Katoda Kaki Anoda Nol (tidak ada nilai) Buruk
3 Kaki Anoda Kaki Katoda Ada nilai Buruk
4 Kaki Anoda Kaki Katoda Nol (tidak ada nilai) Baik

3. Faktor Ripple
4. Cara kerja Penyearah Diode Setengah Gelombang
Perhatikan rangkaian pada gambar 8.1-a, dimana sumber masukan
sinusoida dihubungkan dengan beban resistor melalui sebuah diode. Untuk
sementara kita menganggap keadaan ideal, dimana hambatan masukan sinusoida
sama dengan nol dan diode dalam keadaan hubung singkat saat berpanjar maju
dan keadaan hubung terbuka saat berpanjar mundur.
Besarnya keluaran akan mengikuti masukan saat masukan berada di atas “tanah”
dan berharga nol saat masukan di bawah “tanah” seperti diperlihatkan pada
gambar 8.1-b. Jika kita ambil harga rata-rata bentuk gelombang keluaran ini untuk
beberapa periode, tentu saja hasilnya akan positif atau dengan kata lain keluaran
mempunyai komponen DC.
Cara Kerja Penyearah Diode Gelombang Penuh

Terdapat cara yang sangat sederhana untuk meningkatkan kuantitas

keluaran positip menjadi sama dengan masukan (100%). Ini dapat dilakukan
dengan menambah satu diode pada rangkaian seperti terlihat pada gambar
8.2. Pada saat masukan berharga negatif maka salah satu dari diode akan
dalam keadaan panjar maju sehingga memberikan keluaran positif. Karena
keluaran berharga positif pada satu periode penuh, maka rangkaian ini disebut
penyearah gelombang penuh.
Pada gambar 8.2 terlihat bahwa anode pada masing-masing diode
dihubungkan dengan ujung-ujung rangkaian sekunder dari transformer.
Sedangkan katode masing – masing diode dihubungkan pada titik positif
keluaran. Beban dari penyearah dihubungkan antara titik katode dan titik center-
tap (CT) yang dalam hal ini digunakan sebaga referensi atau “tanah”.
Mekanisme terjadinya konduksi pada masing-masing diode tergantung pada
polaritas tegangan yang terjadi pada masukan. Keadaan positif atau negatif
dari masukan didasarkan pada referensi CT. Pada gambar 8.3 nampak bahwa
pada setengah periode pertama misalnya, v1 berharga positif dan v2 berharga
negatif, ini menyebabkan D1 berkonduksi (berpanjar maju) dan D2 tidak
berkonduksi (berpanjar mundur). Pada setengah periode ini arus 1 D i mengalir
dan menghasilkan keluaran yang akan nampak pada hambatan beban.
Pada setengah periode berikutnya, v2 berharga positif dan v1 berharga negatif,
menyebabkan D2 berkonduksi dan D1 tidak berkonduksi. Pada setengah periode
ini mengalir arus 2 D i dan menghasilkan keluaran yang akan nampak pada
hambatan beban. Dengan demikian selama satu periode penuh hambatan beban
akan dilewati aris 1 D i dan 2 D i secara bergantian dan menghasilkan tegangan
keluaran DC.

Cara Kerja Penyearah Gelombang Penuh Model Jembatan

Penyearah gelombang penuh model jembatan memerlukan empat buah diode.
Dua diode akan berkondusi saat isyarat positif dan dua diode akan berkonduksi
saat isyarat negatif. Untuk model penyearah jembatan ini kita tidak memerlukan
transformator yang memiliki center-tap. Seperti ditunjukkan pada gambar 8.4,
bagian masukan AC dihubungkan pada sambungan D1-D2 dan yang lainnya
pada D3-D4. Katode D1 dan D3 dihubungkan degan keluaran positif dan anode
D2 dan D4 dihubungkan dengan keluaran negatif (tanah).
Misalkan masukan AC pada titik A berharga positif dan B berharga negatif, maka
diode D1 akan berpanjar maju dan D2 akan berpanjar mundur. Pada sambungan
bawah D4 berpanjar maju dan D3 berpanjar mundur. Pada keadaan ini elektron
akan mengalir dari titik B melalui D4 ke beban , melalaui D1 dan kembali ke titik
A. Pada setengah periode berikutnya titik A menjadi negatif dan titik B menjadi
positif. Pada kondisi ini D2 dan D3 akan berpanjar maju sedangkan D1 dan D4
akan berpanjar mundur. Aliran arus dimulai dari titik A melalui D2, ke beban,
melalui D3 dan kembali ke titik B. Perlu dicatat di sini bahwa apapun polaritas titik
A atau B, arus yang mengalir ke beban tetap pada arah yang sama.
Rangkaian jembatan empat diode dapat ditemukan di pasaran dalam bentuk
paket dengan berbagai bentuk. Secara prinsip masing-masing bentuk
mempunyai dua terminal masukan AC dan dua terminal masukan DC.

Cara Kerja Penyearah Keluaran Ganda

Pada berbagai sistem elektronik diperlukan sumber daya dengan
keluaran ganda sekaligus, positif dan negatif terhadap referensi (tanah). Salah
satu bentuk rangkaian penyearah gelombang penuh keluaran ganda
diperlihatkan pada gambar 8.5. Perhatikan bahwa keluaran berharga sama
tetapi mempunyai polaritas yang berkebalikan. Diode D1 dan D2 adalah
penyearah untuk bagian keluaran positif. Keduanya dihubungkan dengan ujung
transformer. Diode D3 dan D4 merupakan penyearah untuk keluaran negatif. Titik
keluaran positif dan negatif diambil terhadap CT sebagai referensi atau tanah.

Misalkan pada setengah periode titik atas transformer berharga positif

dan bagian bawah berharga negatif. Arus mengalir lewat titik B melalui D4, 2 L R
, 1 L R , D1 dan kembali ke terminal A transformator. Bagian atas dari 1 L R
menjadi positif sedangkan bagian bawah 2 L R menjadi negatif.
Pada setengah periode berikutnya titik atas transformer berharga negatif
dan bagian bawah berharga positif. Arus mengalir lewat titik A melalui D3, 2 L R ,
1 L R , D2 dan kembali ke terminal B transformator. Bagian atas dari 1 L R tetap
 akan positif sedangkan bagian bawah 2 L R berpolaritas negatif. Arus yang lewat
1 L R dan 2 L R mempunyai arah yang sama menghasilkan tegangan keluaran
bagian atas dan bagian bawah pada 1 L R dan 2 L R .

PERCOBAAN II
BJT dan JFET

Pertanyaan dan Tugas.

1. Jelaskan apa yang dimaksud dengan daerah cut-off, aktif, dan saturasi?
2. Dari percobaan karakteristik transistor dengan multimeter, buatlah grafik,
a. IC terhadap VCE
b. VBE terhadap IB
c. hFE terhadap IC.
3. Tentukan titik Q pada BJT dan FET, pada tiap konfigurasi!
4. Berdasarkan percobaan yang sudah anda lakukan jelaskan cara kerja BJT dan
FET!
5. Sebutkan kegunaan dari BJT dan JFET serta aplikasinya?
6. Apa syarat – syarat transistor yang beroperasi pada daerah cut-off, aktif dan
saturasi, jelaskan jawaban anda menurut hasil percobaan!
7. Dari keempat jenis bias pada BJT, mana yang paling stabil (pergeseran titik
kerjanya sangat kecil)? Jelaskan!
8. Menurut anda apakah definisi dan kegunaan dari bias?
9. Apa yang dimaksud dengan IDSS,VP,IGSS?
10. Apa ciri ketiga daerah operasi dari JFET?
11. Terangkan perbedaan antara BJT dan JFET menurut hasil percobaan (minimal
5 perbedaan)!
12. Jika hasil percobaan anda tidak sesuai dengan teori, mungkinkah disebabkan
oleh kerusakan transistor? jelaskan jawaban anda menurut data percobaan
yang diperoleh dan data sheetnya!
13. Bandingkanlah hasil pengukuran dengan perhitungan jelaskan dan beri
kesimpulannya
14. Berikan kesimpulan anda pada tiap-tiap percobaan dan berikan kesimpulan
umumnya pada akhir percobaan.
 Jawaban :

1. - Daerah Aktif

Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, dimana
arus IC konstans terhadap berapapun nilai VCE. Dari kurva ini diperlihatkan
bahwa arus IC hanya tergantung dari besar arus IB. Daerah kerja ini biasa
juga disebut daerah linear (linear region).

Jika hukum Kirchhoff mengenai tegangan dan arus diterapkan pada loop
kolektor (rangkaian CE), maka dapat diperoleh hubungan :

VCE = VCC - ICRC

Dapat dihitung dissipasi daya transistor adalah :

PD = VCE.IC

Rumus ini mengatakan jumlah dissipasi daya transistor adalah tegangan

kolektor-emitor dikali jumlah arus yang melewatinya. Dissipasi daya ini berupa
panas yang menyebabkan naiknya temperatur transistor. Umumnya untuk
transistor power sangat perlu untuk mengetahui spesifikasi PDmax. Spesifikasi
ini menunjukkan temperatur kerja maksimum yang diperbolehkan agar
transistor masih bekerja normal. Sebab jika transistor bekerja melebihi
kapasitas daya PDmax, maka transistor dapat rusak atau terbakar.

- Daerah Saturasi

Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 volt sampai kira-kira 0.7 volt
(transistor silikon), yaitu akibat dari efek dioda kolektor-base yang mana
tegangan VCE belum mencukupi untuk dapat menyebabkan aliran elektron.

- Daerah Cut-Off

Jika kemudian tegangan VCC dinaikkan perlahan-lahan, sampai

tegangan VCE tertentu tiba-tiba arus IC mulai konstan. Pada saat
perubahan ini, daerah kerja transistor berada pada daerah cut-off yaitu dari
keadaan saturasi (OFF) lalu menjadi aktif (ON). Perubahan ini dipakai pada
system digital yang hanya mengenal angka biner 1 dan 0 yang tidak lain dapat
direpresentasikan oleh status transistor OFF dan ON.

Gambar 2.7.1 rangkaian driver LED

Misalkan pada rangkaian driver LED di atas, transistor yang digunakan adalah
transistor dengan b = 50. Penyalaan LED diatur oleh sebuah gerbang logika
(logic gate) dengan arus output high = 400 uA dan diketahui tegangan forward
LED, VLED = 2.4 volt. Lalu pertanyaannya adalah, berapakah seharusnya
resistansi RL yang dipakai.

IC = bIB = 50 x 400 uA = 20 mA

Arus sebesar ini cukup untuk menyalakan LED pada saat transistor cut-off.
Tegangan VCE pada saat cut-off idealnya = 0, dan aproksimasi ini sudah cukup
untuk rangkaian ini.

RL = (VCC - VLED - VCE) / IC

= (5 - 2.4 - 0)V / 20 mA

= 2.6V / 20 mA

= 130 Ohm
2. a. grafik VCE terhadap IC

IB 700 ηA (7 x 10 −7 A)
VCE 0.1 2 0.3 4 0.5 6 0.7 0.8 9 10
IC (µA) 61.2 161. 157. 163. 158. 165. 159. 168. 159. 214.
8 7 66 83 94 96 36 1 57 25
x 10
-4 grafik Vce terhadap Ic pada saat Ib= 700
x 10 -9 A
2.2

1.8

1.6
Ic (mA)

1.4

1.2

0.8

0.6
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VCE (volt)

IB 1.3 µA (1.3 x 10 −6 A)
VCE 0.1 2 0.3 4 0.5 6 0.7 0.8 9 10
IC (µA) 122. 323. 317. 327. 319. 329. 321. 331. 321. 323.
3 4 4 66 8 78 06 9 7 4
 x 10
-4 grafik Vce terhadap Ic pada saat Ib= . 1x3 10 -6 A

3
Ic (mA)

1
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VCE (volt)

b. grafik VBE terhadap IB

IB 700 ηA (7 x 10 −7 A) 1.3 µA (1.3 x 10 −6 A)

VBE 0.7 0.7

-5 grafik Vbe terhadap Ib

x 10
1.4

1.3

1.2

1.1
Ib (mA)

0.9

0.8

0.7
-0.5 0 0.5 1 1.5 2
Vbe (volt)

c. grafik hFE terhadap IC.

IB 700 ηA (7 x 10 −7 A)
VCE 0.1 2 0.3 4 0.5 6 0.7 8 0.9 10
IC (µA) 61. 161. 157. 163. 158. 165. 159. 168. 159. 214.25
28 7 66 83 94 96 36 1 57
h fe (dB) 38.8 47.2 47.0 47.3 47.1 47.4 47.1 47.6 47.1 49.716
4 7 52 8 227 98 466 09 57

grafik h terhadap Ic
50

48

46
h (dB)

44

42

40

38
0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 2.2
Ic (mA) -4
x 10

IB 1.3 µA (1.3 x 10 −6 A)
VCE 0.1 2 0.3 4 0.5 6 0.7 8 0.9 10
IC (µA) 122. 323. 317. 327. 319. 329. 321. 331. 321. 323.4
3 4 4 66 8 78 06 9 7
h fe (dB) 39.4 47.9 47.7 48.0 47.8 48.0 47.8 48.1 47.8 47.91
6 6 5 3 2 8 5 3 7
 grafik h terhadap Ic pada Ib = .1 3x 10 -6
49

48

47

46

45
h (dB)

44

43

42

41

40

39
0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 2.2
Ic (mA) -4
x 10

3.

4. Pada transistor BJT beroperasi dengan memberikan bias pada

kedua junction (base-emitter dan base-collector). Sambungan emitor

berpanjar maju, dengan efek dari tegangan panjar Veb terjadi penurunan
tegangan penghalang pada sambungan emitor dan memberi kesempatan pada
elektron melakukan injeksi ke basis dimana pada daerah ini miskin elektron
(minoritas). Sambungan kolektor berpanjar mundur; sebagai efek dari

pemasangan tegangan panjar VCB akan menaikkan potensial penghalang

pada sambungan kolektor. Karena daerah basis sangat tipis, hampir semua
elektron yang terinjeksi pada basis tersapu ke kolektor dimana mereka
melakukan rekombinasi dengan lubang yang “disediakan” dengan
pemasangan baterai luar. (Sebenarnya terjadi pengambilan elektron oleh
baterai eksternal, meninggalkan lubang untuk proses rekombinasi). Sebagai
hasilnya terjadi transfer arus dari rangkaian emitor ke rangkaian kolektor
yang besarnya hampir tidak tergantung pada tegangan kolektor-basis. Seperti
akan kita lihat, transfer tersebut memungkinkan pemasangan hambatan beban
yang besar untuk mendapatkan penguatan tegangan.

Pada FET saluran N, drain disambungkan positif terhadap source.

Gate disambungkan dengan voltase negatif terhadap source sehingga
sambungan PN antara gate dan saluran N dibias balik. Ketika voltase drain-
 source kecil dan voltase gate-source kecil juga, belum terjadi pinch-off
sehingga sifat FET ditentukan oleh saluran N, terdapat resistivitas tetap

antara drain dan source. Hal ini berarti arus I D yang mengalir ke drain

sebanding dengan voltase V DS antara drain dan source. Ketika voltase drain-

source atau voltase gate-source bertambah dan terjadi pinch-off, arus I D dari
drain ke source akan hampir konstan terhadap perubahan voltase drain-source
V DS . Tetapi hanya akan tergantung dari besar voltase VGS antara source dan

gate, dimana gate harus negatif terhadap source.

5. Kegunaan dari BJT dan JFET serta aplikasinya :

a) BJT merupakan transistor yang digunakan sebagai Switching dan

Amplifier
b) JFET N-channel digunakan untuk FM tuner dan VHF amplifier.

6. Daerah kerja transistor (cut-off, aktif atau saturasi) ditentukan oleh bias yang
diberikan pada masing-masing junction :

a. Daerah aktif/daerah linear

- Junction base-emitter dibias maju (forward bias)

- Junction base-collector dibias mundur (reverse bias)

b. Daerah saturasi

- Junction base-emitter dibias maju (forward bias)

- Junction base-collector dibias maju (forward bias)

c. daerah cut-off

- Junction base-emitter dibias mundur (reverse bias)

- Junction base-collector dibias mundur (reverse bias)

7. Dari keempat bias pada BJT, yang paling stabil adalah Voltage feedback

bias. Hal ini dikarenakan Jika terjadi kenaikan I C maka akan terjadi

penurunan VCE , sehingga arus basis yang akan melawan kenaikan I C .

Rangkaian ini tidak dapat menetapkan I C dengan baik, tetapi paling tidak
 dapat menjamin bahwa VCE akan berada pada harga paling tidak 1 volt- atau

kemungkinan lain , arus basis akan sangat kecil dan VCE akan berharga
sangat tinggi, tentu ini suatu yang kontradiksi.

8. Bias merupakan pemberiaan tegangan DC untuk membentuk tegangan dan

arus yang tetap. Tegangan dan arus yang dihasilkan menyatakan titik operasi
(quiescent point) atau titik Q yang menentukan daerah kerja transistor. Dengan
kata lain Bias digunakan agar bentuk keluaran harus sama dengan bentuk
isyarat masukan. Rangkaian bias bisa di-disain untuk memperoleh titik kerja
pada titik- titik tersebut, atau titik lainnya dalam daerah aktif.

Rating maksimum ditentukan oleh I C max dan VCE max . Daya maksimum

dibatasi oleh kurva PCmaks . BJT bisa di-bias di luar batasan maksimum tersebut,
tapi bisa memperpendek usia piranti atau bahkan merusaknya. Untuk kondisi
tanpa bias, piranti tidak bekerja, hasilnya arus dan tegangan bernilai nol.

9. I DSS adalah nilai arus D pada daerah arus-konstan dengan G terhubung

langsung dengan S

V P adalah voltase pinch-off, yaitu voltase gate-source dimana arus drain

menjadi nol.

I GSS adalah nilai arus reverse pada gate.

10. Ciri daerah operasi JFET :

a. Common-Source Amplifier = Isyarat masukan dikenakan pada G-S dan

isyarat keluaran diambil dari D-S. Titik S terhubung dengan masukan dan
keluaran.
b. Common-Gate Amplifier = Isyarat masukan dikenakan pada S-G dan
isyarat keluaran diambil dari D-G. Konfigurasi gerbang-bersama dapat
digunakan sebagai penguat tegangan tetapi mempunyai penguatan arus
lebih kecil dari satu.
c. Common-Drain Amplifier = isyarat masukan yang dikenakan pada G
dan isyarat keluaran diambil dari S. D terhubung baik dengan masukan
maupun dengan keluaran.

11. Perbedaan antara BJT dan JFET antara lain :

a. BJT merupakan bipolar device yang menggunakan dua carrier yaitu

electron dan holes, sedangkan JFET merupakan Unipolar device yang
menggunakan satu carrier yaitu N-channel atau P-channel.
b. Saluran pada BJT dikendalikan oleh arus, sedangkan pada JFET
dikendalikan oleh tegangan.
c. Dibandingkan dengan FET, BJT dapat memberikan penguatan yang jauh
lebih besar dan tanggapan frekuensi yang lebih baik.

12. Hasil percobaan tidak sesuai dengan teori, hal ini bukan disebabkan oleh
kerusakan pada transistor, karena jika transistor mengalami kerusakan maka
transistor tersebut tidak dapat bekerja sehingga percobaan tidak dapat
dilakukan.

13. Hasil pengukuran dengan perhitungan dari percobaan yang telah dilakukan
terdapat kesalahan yang cukup besar. Hal ini kemungkinan disebabkan oleh
kesalahan pengamatan oleh praktikan atau karena disebabkan oleh alat ukur
yang dalam keadaan kurang baik.

14. Dari percobaan yang dilakukan dapat diambil kesimpulan sebagai berikut :

a) Pada percobaan testing kondisi BJT dan JFT dapat disimpulkan bahwa
transistor yang digunakan dalam keadaan baik, hal tersebut ditunjukkan
oleh kesesuaian hasil pengukuran dengan sifat dari transistor tersebut.
 b) Pada percobaan karakteristik transistor dengan multimeter dapat
disimpulkan bahwa untuk transistor BJT salurannya dikendalikan oleh arus,
sedangkan pada JFET dikendalikan oleh tegangan listrik.

c) Pada percobaan karakteristik transistor dengan osiloskop dapat

disimpulkan bahwa untuk BJT sedikit perubahan pada iB akan

memberikan kenaikan yang sangat besar pada iC . Pada JFET bahwa

arus keluaran dapat dikontrol oleh tegangan masukan.

d) Pada percobaan konfigurasi transistor BJT dan JFET dapat disimpulkan

bahwa bias berfungsi agar isyarat masukan menjadi sama dengan isyarat
keluaran.

PERCOBAAN III
OP-AMP

3.6 Jawaban Pertanyaan dan Tugas

Pertanyaan
1. Jelaskan apa yang dimaksud dengan OP-AMP?
2. Sebutkan fungsi dan karakteristik dari sebuah OP-AMP!
3. Buatlah symbol skematis dari sebuah OP-AMP dan sebutkan masing – masing
bagiannya!
4. Jelaskan fungsi dari masing – masing kaki OP-AMP (pada OP – AMP 741)
menurut datasheet yang anda peroleh!
5. Tentukan besarnya gain bagi amplifier membalik dan tak membalik!
6. Bagaimana prinsif kerja dari pengikut tegangan (voltage follower)!
7. Bagaimana sifat-sifat op-am ideal dan hubungannya dengan op-amp nyata!
8. Bagaimana hubungan tegangan input dan output dari amplifier
penjumlah/adder!
9. Apa yang dimaksud dengan frekuensi cut-off atau putus dan berapa besarnya
gain pada kondisi ini?
10. Berapa frekuensi cut-off dari filter-filter pada percobaan yang anda lakukan dan
bandingkan hasil ini dengan perhitungan/teorinya!
Jawaban :
 1. Satu penguat operasional atau operational amplifier dalam bahasa
inggris, sering disebut sebagai Op-Amp, yang biasanya dikenal dengan sebuah
IC dimana banyak transistor digabungkan dalam satu kristal semikonduktor.
2. Satu Op-Amp merupakan suatu penguat diferensial dengan penguatan
yang tak terhingga. Satu penguat diferensial adalah suatu yang mempunyai
dua masukkan dan voltase pada keluaran tergantung dari perbedaan potensial
antara kedua masukkannya. Berarti terdapat persamaan :
V output = ( V input 1 – V input 2 ) . A
Dimana A adalah factor penguatan
Karena penguatan A tak terhingga dari Op-Amp, maka terdapat
persamaan untuk Op-Amp:
V output = ( V input1 – V input 2 ) . ∞

3.

Simbol op-amp adalah seperti pada gambar-1.2(b) dengan 2 input, non-

inverting (+) dan input inverting (-). Umumnya op-amp bekerja dengan dual
supply (+Vcc dan –Vee) namun banyak juga op-amp dibuat dengan single supply
(Vcc – ground). Simbol rangkaian di dalam op-amp pada gambar-1.2(b) adalah
parameter umum dari sebuah op-amp. Rin adalah resitansi input yang nilai
idealnya infinit (tak terhingga). Rout adalah resistansi output dan besar resistansi
idealnya 0 (nol). Sedangkan AOL adalah nilai penguatan open loop dan nilai
idealnya tak terhingga.

4. Ada banyak jenis OpAmp, namun yang umum dijual di pasaran adalah
OpAmp741. OpAmp type 741 dijual dengan dua tampilan, yakni silinder dan
DIL (Dial In Line). Yang berbentuk silinder berkaki 8 pin, sedangkan yang
berbentuk DIL ada yang berkaki 8 pin, namun ada juga yang berkaki 14 pin.
 Nomor pin untuk 8 kaki dan 14 kaki:
Pin 1 (3) + Pin 5 (9) untuk penyetelan 0 volt.
Pin 2 (4) untuk inverting input.
Pin 3 (5) untuk noninverting input.
Pin 4 (6) untuk ground atau tegangan negatif.
Pin 6 (10) terminal keluaran (output).
Pin 7 (11) untuk tegangan positif.
Nomor pin dalam kurung untuk DIL 14 kaki.

5. Faktor Penguatan (Gain Factor)

Faktor penguatan OpAmp boleh dikatan sepenuhnya ditentukan oleh ratio R1
terhadap R2 dalam rangkaian feedback.
Contoh 1:
Jika R1 = 100k; R2 = 1k, maka penguatannya sama dengan 100:1. (100 kali).
Contoh 2:
Jika R1 = 1k; R2 = 1k, maka penguatannya sama dengan 1:1. (1 kali).
Jika pada contoh 1 diberi signal input 0,01 volt maka signal outputnya 100 x
0,001 volt.
Jika pada contoh 2 diberi signal input yang sama seperti pada contoh 1 yaitu
0,01 volt, maka signal outputnya sama dengan 1 x 0,001 volt = 0,01 volt atau
dengan kata lain tidak ada penguatan.
(Signal input = signal output)
Besar gain untuk amlifier membalik dan amplifier tak membalik bergantung
terhadap nilai besarnya Rin dan Rf nya. Rin = 10k, Rf = 100k. Maka 1 : 10 jadi
besarnya 10 kali.
6. Berapa pun input yang dimasukan maka nilai yang keluar sama dengan nilai
input tersebut
7. Sifat- sifat yang lain dari Op-Amp ideal adalah sebagai berikut :
− Tidak ada yang masuk atau keluar dari masukkannya, berarti resistivitas
masukannya Ri = ∞.
− Resistivitas keluaran sebesar R out = 0
− Penguatan Op-Amp tak berhingga.
− Tegangan keluaran hanya tergantung dari selisih voltase pada masukan
dan tidak tergantung dari potensial bersama pada mesukannya.
 Pada banyak rangkaian dan pemakaian tertentu pengaruh sifat real Op-Amp
begitu kcil sehingga dapat diabaikan. Tetapi pada rangkaian tertentu ada sifat
real dari Op-Amp yang perlu diperhatikan Karena berpengaruh pada fungsi
rangkaian.
8. Rangkaian adder merupakan rangkaian yang menjumlahkan tegangan
masukan menjadi tegagan output. Juga tergantung dari berapa besar
penguatannya.
Sehingga bila dimasukkan tegangan masing-masing 1V, 2V dan 3V maka
output yang didapat adalah 6V. Jadi semua masukan di jumlahkan.
9. frekuensi cut-off adalah Frekuensi dimana dalam keadaan ini frekuensi yang
besarnya sama dengan besarnya gain sesuai Faktor penguatan OpAmp boleh
dikatan sepenuhnya ditentukan oleh ratio R1 terhadap R2 dalam rangkaian
10.
Perhitungan Pengukuran F Output Persentase kesalahan (%)
15 .92 KHz 20 24.31Hz 20,99
15 .92 KHz 200 198.5Hz 99,60
15 .92 KHz 1000 1.203KHz 99,54
15 .92 KHz 1500 1.751KHz 98,95
15 .92 KHz 3500 3.779KHz 98,40
15 .92 KHz 4000 4.316 Hz Diatas 100%
15 .92 KHz 20000 21.65 Hz Diatas 100%

PERCOBAAN IV
SCR, DIAC, TRIAC

Pertanyaan dan Tugas

1. Jelaskan apa yang dimaksud dengan SCR, TRIAC, dan DIAC!
2. Jelaskan perbedaan - perbedaan SCR, TRIAC, dan DIAC!
3. Berikan penjelasan tentang fungsi dan karakteristik dari SCR, TRIAC, dan DIAC!
4. Terangkan cara kerja osilator relaksasi dengan SCR.
5. Apakah keuntungan-keuntungan penggunaan SCR dan TRIAC pada pengaturan
daya ?
6. Buatlah contoh aplikasi – aplikasi yang menggunakan SCR, TRIAC, dan DIAC!
7. Menurut data dan analisa yang anda buat, apakah yang akan terjadi jika
hambatan pada masing – masing rangkaian diatas dikurangi, jelaskan dengan
analisa matematis!
8. Mengapa pada rangkaian R diganti dengan diac nyala lampu pada saat potensio
diputar bisa lebih terang dan lebih redup, jelaskan dengan analisa matematis!
9. Bagaimanakah hubungan antara konstanta waktu jaringan RC pada Gate dan
besarnya sudut tunda penyalaan ?
10. Berikan kesimpulan anda pada masing – masing percobaan diatas!
Jawaban Pertanyaan
1. Yang dimaksud dengan SCR, TRIAC, dan DIAC
- SCR (Silicon Controlled Rectifier) adalah komponen dengan tiga pemicu
yaitu: Anoda(A), Katoda(K) dan Gate(G). Diode yang mempunyai fungsi
sebagai pengendali arus yang melalui suatu beban. SCR atau Tyristor masih
termasuk keluarga semikonduktor dengan karateristik yang serupa dengan
tabung thiratron. Bagian-bagiannya diterangkan sebagai berikut :

SCR dirancang untuk menyebababkan aliran yang rata dari anoda ke katoda.
SCR dibangun dari empat lapisan P dan N yang saling berhubungan sebagai
berikut:

- Triac adalah tyristor dengan tiga pemicu ,yang mengatur arus ke dua arah.Ini
sejenis dengan dua komponen SCR dihubungkan secara pararel dan dalam
hubungan dengan inverter. setara dengan dua SCR yang dihubungkan parallel.
Dan dijelaskan sebagai berikut:
 Triac merupakan piranti tiga terminal yang digunakan untuk pengaturan daya.
TRIAC adalah komponen 3 elektroda dari keluarga thyristor yang dapat
menyakelarkan AC atau DC dibangun dari 5 lapisan NPNPN

- Diac adalah trysitor yang hanya punya dua kaki. DIAC bukanlah termasuk
keluarga thyristor, namun prisip kerjanya membuat ia digolongkan sebagai
thyristor. DIAC dibuat dengan struktur PNP mirip seperti transistor. Lapisan N
pada transistor dibuat sangat tipis sehingga elektron dengan mudah dapat
menyeberang menembus lapisan ini. Sedangkan pada DIAC, lapisan N di buat
cukup tebal sehingga elektron cukup sukar untuk menembusnya. Struktur DIAC
yang demikian dapat juga dipandang sebagai dua buah dioda PN dan NP,
sehingga dalam beberapa literatur DIAC digolongkan sebagai dioda. Adapun
gambar dari struktur dan symbol DIAC sebagai berikut :

2. - Pada SCR
Struktur : Sebuah SCR terdiri dari tiga terminal yaitu anoda, katoda, dan
gate. SCR berbeda dengan dioda rectifier biasanya. SCR dibuat
dari empat buah lapis dioda. Adapun gambar dari struktur SCR
sebagai berikut :
Karateristik : Adapun karateristik dari SCR yaitu dapat dijelaskan dengan kurva I-
V SCR berikut ini :

Pada gambar tertera tegangan breakover Vbo, yang jika tegangan

forward SCR mencapai titik ini, maka SCR akan ON. Lebih penting
lagi adalah arus Ig yang dapat menyebabkan tegangan Vbo turun
menjadi lebih kecil. Pada gambar ditunjukkan beberapa arus Ig
dan korelasinya terhadap tegangan breakover. Pada datasheet
SCR, arus trigger gate ini sering ditulis dengan notasi IGT (gate
trigger current). Pada gambar ada ditunjukkan juga arus Ih yaitu
arus holding yang mempertahankan SCR tetap ON. Jadi agar
SCR tetap ON maka arus forward dari anoda menuju katoda harus
berada di atas parameter ini.

Satu-satunya cara untuk membuka (meng-off-kan) SCR adalah

dengan mengurangi arus Triger (IT) dibawah arus penahan (IH).
SCR adalah thyristor yang uni directional,karena ketika
terkonduksi hanya bisa melewatkan arus satu arah saja yaitu dari
anoda menuju katoda. Artinya, SCR aktif ketika gate-nya diberi
polaritas positif dan antara anoda dan katodanya dibias maju. Dan
 ketika sumber yang masuk pada SCR adalah sumber AC, proses
penyearahan akan berhenti saat siklus negatif terjadi.

Cara Kerja : Pada prinsipnya SCR dapat menghantarkan arus bila diberikan
arus gerbang (arus kemudi).Arus gerbang ini hanya diberikan
sekejap saja sudah cukup dan thyristor akan terus
menghantarwalaupun arus gerbang sudah tidak ada. SCR tidak
akan menghantar atau on, meskipun diberikan tegangan maju
sampai pada tegangan breakovernya SCR tersebut dicapai
(VBRF). SCR akan menghantar jika pada terminal gate diberi
pemicuan yang berupa arus dengan tegangan positip dan SCR
akan tetap on bila arus yang mengalir pada SCR lebih besar dari
arus yang penahan (IH).
o Pada TRIAC
Struktur : TRIAC tersusun dari lima buah lapis semikonduktor yang banyak
digunakan pada pensaklaran elektronik. TRIAC biasa juga disebut
thyristor bi directional. TRIAC merupakan dua buah SCR yang
dihubungkan secara paralel berkebalikan dengan terminal gate
bersama. Adapun gambar dari struktur TRIAC sebagai berikut :

Karateristik : Adapun karateristik dari TRIAC yaitu dapat dijelaskan dengan

gambar berikut ini :
 Terdapat parameter-parameter seperti Vbo dan -Vbo, lalu IGT dan
-IGT, Ih serta -Ih dan sebagainya. Umumnya besar parameter ini
simetris antara yang plus dan yang minus. TRIAC hanya akan aktif
ketika polaritas pada Anoda lebih positif dibandingkan Katodanya
dan gate-nya diberi polaritas positif, begitu juga sebaliknya.
Setelah terkonduksi, sebuah TRIAC akan tetap bekerja selama
arus yang mengalir pada TRIAC (IT) lebih besar dari arus penahan
(IH) walaupun arus gate dihilangkan. Satu-satunya cara untuk
membuka (meng-off-kan) TRIAC adalah dengan mengurangi arus
IT di bawah arus IH.
Cara Kerja : TRIAC bekerja mirip seperti SCR yang paralel bolak-balik,
sehingga dapat melewatkan arus dua arah.Berbeda dengan
SCR yang hanya melewatkan tegangan dengan polaritas positif
saja, tetapi TRIAC dapat dipicu dengan tegangan polaritas positif
dan negatif, serta dapat dihidupkan dengan menggunakan
tegangan bolak-balik pada Gate. TRIAC banyak digunakan pada
rangkaian pengedali dan pensaklaran.
o Pada DIAC
Struktur : DIAC dibuat dengan struktur PNP mirip seperti transistor. Lapisan
N pada transistor dibuat sangat tipis sehingga elektron dengan
mudah dapat menyeberang menembus lapisan ini. Sedangkan
pada DIAC, lapisan N di buat cukup tebal sehingga elektron cukup
sukar untuk menembusnya. Struktur DIAC yang demikian dapat
juga dipandang sebagai dua buah dioda PN dan NP, sehingga
dalam beberapa literatur DIAC digolongkan sebagai dioda.
Adapun gambar dari struktur DIAC sebagai berikut :
 Karateristik : Adapun karateristik dari DIAC yaitu dapat dijelaskan dengan
gambar berikut ini :

Untuk mengetahui karateristik dari DIAC yang hanya perlu

diketahui adalah berapa tegangan breakdown-nya. Hanya dengan
tegangan breakdown tertentu barulah DIAC dapat menghantarkan
arus. Arus yang dihantarkan tentu saja bisa bolak-balik dari anoda
menuju katoda dan sebaliknya.Karena DIAC sendiri termasuk
sukar dilewati oleh arus dua arah.

Cara Kerja : Pada prinsipnya diac akan menahan arus kearah dua belah fihak,
tetapi setelah tegangan melampaui suatu harga tertentu, ia akan
menghantar secara penuh.

3. Fungsi dan karateristik dari SCR yaitu sebuah SCR terdiri dari tiga terminal yaitu
anoda, katoda, dan gate. SCR berbeda dengan dioda rectifier biasanya. SCR
dibuat dari empat buah lapis dioda. SCR banyak digunakan pada suatu sirkuit
elekronika karena lebih efisien dibandingkan komponen lainnya terutama pada
pemakaian saklar elektronik.
SCR biasanya digunakan untuk mengontrol khususnya pada tegangan tinggi
karena SCR dapat dilewatkan tegangan dari 0 sampai 220 Volt tergantung pada
spesifik dan tipe dari SCR tersebut. SCR tidak akan menghantar atau on,
meskipun diberikan tegangan maju sampai pada tegangan breakovernya SCR
tersebut dicapai (VBRF). SCR akan menghantar jika pada terminal gate diberi
pemicuan yang berupa arus dengan tegangan positip dan SCR akan tetap on bila
arus yang mengalir pada SCR lebih besar dari arus yang penahan (IH).

Satu-satunya cara untuk membuka (meng-off-kan) SCR adalah dengan

mengurangi arus Triger (IT) dibawah arus penahan (IH). SCR adalah thyristor
yang uni directional,karena ketika terkonduksi hanya bisa melewatkan arus satu
arah saja yaitu dari anoda menuju katoda. Artinya, SCR aktif ketika gate-nya
diberi polaritas positif dan antara anoda dan katodanya dibias maju. Dan ketika
sumber yang masuk pada SCR adalah sumber AC, proses penyearahan akan
berhenti saat siklus negatif terjadi.

Fungsi dan karateristik dari TRIAC yaitu TRIAC tersusun dari lima buah lapis
semikonduktor yang banyak digunakan pada pensaklaran elektronik. TRIAC
biasa juga disebut thyristor bi directional. TRIAC merupakan dua buah SCR yang
dihubungkan secara paralel berkebalikan dengan terminal gate bersama.
Berbeda dengan SCR yang hanya melewatkan tegangan dengan polaritas positif
saja, tetapi TRIAC dapat dipicu dengan tegangan polaritas positif dan negatif,
serta dapat dihidupkan dengan menggunakan tegangan bolak-balik pada Gate.
TRIAC banyak digunakan pada rangkaian pengedali dan pensaklaran. TRIAC
hanya akan aktif ketika polaritas pada Anoda lebih positif dibandingkan
Katodanya dan gate-nya diberi polaritas positif, begitu juga sebaliknya. Setelah
terkonduksi, sebuah TRIAC akan tetap bekerja selama arus yang mengalir pada
TRIAC (IT) lebih besar dari arus penahan (IH) walaupun arus gate dihilangkan.
Satu-satunya cara untuk membuka (meng-off-kan) TRIAC adalah dengan
mengurangi arus IT di bawah arus IH.

Fungsi dan karateristik dari DIAC yaitu dapat dijelaskan dengan gambar
berikut ini:
 Ketika tegangan dari diac bergerak dari tegangan VB,diac break-over dan
berperan sebagai diode penghubung.Peranan ini sama pada kedua arah.
Menambahkan diac pada gerbang triac meningkatkan substansi tegangan
penghidupan dari triac dan dengan demikian didapatkan tenaga yang lebih dalam
pengontrolan dalam tegangan tinggi.

4. Penggunaan OSILATOR SCR

Osilator ralaksasi utamanya digunakan sebagai pembangkit gelombang

sinusosidal. Gelombang gigi gergaji, gelombang kotak dan variasi bentuk
gelombang tak beraturan termasuk dalam kelas ini. Pada dasarnya pada osilator
ini tergantung pada proses pengosongan-pengisian jaringan kapasitor-
resistor. Perubahan tegangan pada jaringan digunakan untuk mengubah-ubah
konduksi piranti elektronik. Untuk pengontrol, pada osilator dapat digunakan
transistor, UJT (uni junction transistors) atau IC (integrated circuit).

5. Keuntungan penggunaan SCR pada pengaturan daya adalah SCR dapat

mengontrol tegangan tinggi sehingga SCR dapat melewatkan tegangan dari
0 sampai 220 Volt tergantung pada spesifik dan tipe dari SCR tersebut. SCR
tidak akan menghantar atau on, meskipun diberikan tegangan maju sampai pada
tegangan breakovernya SCR tersebut dicapai (VBRF). SCR akan menghantar
jika pada terminal gate diberi pemicuan yang berupa arus dengan tegangan
positip dan SCR akan tetap on bila arus yang mengalir pada SCR lebih besar dari
arus yang penahan (IH).

- Keuntungan penggunaan TRIAC pada pengaturan daya adalah TRIAC dapat

dipicu dengan tegangan polaritas positif dan negatif, serta dapat
dihidupkan dengan menggunakan tegangan bolak-balik pada Gate
 sehingga TRIAC banyak digunakan pada rangkaian pengedali dan
pensaklaran. TRIAC hanya akan aktif ketika polaritas pada Anoda lebih positif
dibandingkan Katodanya dan gate-nya diberi polaritas positif, begitu juga
sebaliknya. Setelah terkonduksi, sebuah TRIAC akan tetap bekerja selama arus
yang mengalir pada TRIAC (IT) lebih besar dari arus penahan (IH) walaupun arus
gate dihilangkan. Satu-satunya cara untuk membuka (meng-off-kan) TRIAC
adalah dengan mengurangi arus IT di bawah arus IH.

6. Aplikasi SCR
- Sebagai rangkaian saklar (switch control)
- Sebagai rangkaian pengendali (remote control)
- SCR biasanya digunakan untuk mengontrol khususnya pada tegangan tinggi

Aplikasi TRIAC
- Sebagai rangkaian pengaturan daya (power control)

Aplikasi DIAC
- sebagai pemicu TRIAC agar ON pada tegangan input tertentu yang relatif
tinggi.
- aplikasi dimmer lampu

7. Jika nilai hambatan R dikurangi maka nilai tegangan untuk meng-ON-kan

Thyristor juga akan semkin kecil, contohnya pada percobaan TRIAC dengan
DIAC jika R yang digunakan 10KΩ, IGT dari TRIAC pada rangkaian 10 mA, VGT =
0.75 volt dan digunakan adalah sebuah DIAC dengan Vbo = 20 V sesuai dengan
persamaan berikut :

V = I GT ( R ) +V BO +VGT

V = (10 x 10-3).(10 x 103)+20V+0.75V

=120.75 V

Jika pada rangkaian yang sama R yang digunakan diperkecil menjadi 5 KΩ,
maka :

V = (5x 10-3).(10 x 103)+20V+0.75V

 =70.75 V

Jadi, jika nilai hambatan diperkecil maka tegangan untuk meng-ON-kan TRIAC
juga akan semakin kecil.

8. Pada rangkaian R diganti dengan diac nyala lampu pada saat potensio diputar
bisa lebih terang dan lebih redup, Hal tersebut tejadi karena pada rangkaian triac

dengan diac berlaku persamaan : V = I GT ( R) +V BO +VGT , misalkan diketahui

DIAC yang digunakan memiliki V BO = 20 V, R = 2.2 KΩ, IGT dari TRIAC pada
rangkaian 15 mA, VGT = 0.75 volt maka TRIAC akan On pada tegangan

V = 33+20+0.75 = 53.75 V,

Sehingga jika rangkaian dialiri tegangan yang lebih besar dari 53.75 V maka
TRIAC akan On dan besar arus yang mengalir :

V 220
I = = = 0.1 A
R 2200

Sehingga Nyala Lampu menjadi lebih Terang, sedangkan jika R digunakan maka
TRIAC akan On pada tegangan :

V = I GT ( R ) +VGT

V = 33 + 0.75 =33.75 V

Sehingga Nyala Lampu tidak terlalu terang.

9. Hubungan antara konstanta waktu jaringan RC pada Gate dan besarnya sudut
tunda penyalaan

a) Pada percobaan SCR (Silicon Controlled Rectifier ) dapat disimpulkan bahwa

hasil pengukuran pada SCR memiliki persentase kesalahan relatif yang cukup
besar pada Katoda/Gate (Tegangan Katoda/Gate tegangannya mendekati 0
dikarenakan pada saat itu SCR dikatakan dalam keadaan OFF, di mana
sebelumnya SCR telah ON dengan besar tegangan di Anoda/Katoda dan
Anoda/Gate) dan Resistor. Hal ini dikarenakan
 b) Pada percobaan SCR (Silicon Controlled Rectifier ) dengan diode dapat
disimpulkan bahwa hasil pengukuran pada SCR dengan diode memiliki
persentase kesalahan relatif yang lebih besar dibandingkan dengan SCR
tanpa diode, yaitu pada Katoda/Gate dan Resistor.

c) Pada percobaan TRIAC dapat disimpulkan bahwa hasil pengukuran pada

TRIAC memiliki persentase kesalahan relatif yang lebih besar dibandingkan
dengan SCR dan SCR dengan diode, yaitu pada Katoda/Gate, Anode/Gate
dan Resistor.

d) Pada percobaan TRIAC dan DIAC dapat disimpulkan bahwa hasil pengukuran
memiliki persentase kesalahan relatif kecil dibandingkan dengan SCR, SCR
dengan diode, dan TRIAC.

10. SCR merupakan singkatan dari Silicon Control Rectifier. SCR adalah diode
yang mempunyai fungsi sebagai pengendali arus yang melalui suatu
beban.
TRIAC merupakan piranti tiga terminal yang digunakan untuk pengaturan
daya. TRIAC adalah komponen 3 elektroda dari keluarga thyristor yang
dapat menyakelarkan AC atau DC.
DIAC memiliki dua terminal (elektroda). komponen ini dapat bekerja pada
tegangan AC maupun DC, dan dapat konduksi dari dua arah, seperti
thyristor lainnya diac mempunyai sifat seperti tabung tiratron.