Circuite de polarizare pentru tranzistoare

1. Rolul circuitelor de polarizare

Rolul principal al circuitelor de polarizare este de a stabili regimul de
funcţionare al tranzistorului. Dacă tranzistoarele sunt utilizate în
AMPLIFICATOARE, atunci, circuitul de polarizare trebuie să asigure funcţionarea
tranzistorului în:
 Regiunea Activă Normală – în cazul tranzistorului bipolar
 Regiunea de Saturaţie – în cazul tranzistorului MOS.

Se reaminteşte că numai în aceste regiuni de funcţionare, tranzistoarele

respective pot amplifica liniar semnalele (semnalele sunt mărimile variabile în
timp).

Polarizarea tranzistoarelor este realizată de la o sursă de tensiune

CONTINUĂ, numită sursă de alimentare, prin intermediul unor rezistoare
numite rezistoare de polarizare. Prin polarizare, la nivelul tranzistorului se
stabilesc mărimi electrice CONTINUE (curenţii de terminal, respectiv tensiunile
între terminale au valori constante în timp).
O pereche de mărimi electrice CONTINUE, compusă dintr-un curent de
terminal şi o tensiune între 2 terminale formează aşa numitul PUNCTUL STATIC
de FUNCŢIONARE al tranzistorului respectiv (pe scurt PSF-ul tranzistorului).
Un rol secundar (dar nu mai puţin important) al circuitului de polarizare este
de a menţine PSF-ul tranzistorului la o valoare constantă, la variaţiile
condiţiilor de lucru (temperatura, variaţia parametrilor circuitului, a sursei de
alimentare, etc).
PSF-ul tranzistorului furnizează informaţii despre regiunea în care
funcţionează tranzistorul respectiv în regim staţionar.

2. Circuite de polarizare elementare pentru tranzistoare bipolare

Există 3 variante de circuite elementare de polarizare pentru tranzistoare
bipolare. Rolul acestora este de a asigura funcţionarea tranzistorului în regim de

1
curent continuu în Regiunea Activă Normală şi totodată de a menţine un PSF
STABIL la variaţiile condiţiilor de lucru (de a menţine mărimile electrice ale PSF-
ului tranzistorului bipolar la valori constante, la variaţiile condiţiilor de lucru).
Pentru tranzistoarele bipolare, perechea de mărimi electrice care defineşte
PSF-ul este:
 curentul continuu din colector IC
 tensiunea continuă colector-emitor VCE

Unul din parametrii cei mai importanţi ai tranzistoarelor bipolare este factorul de
amplificare în curent, notat β . Acest parametru prezintă două caracteristici
importante:
 variază puternic cu temperatura (creşte la creşterea temperaturii de lucru).
 prezintă fenomenul de dispersie tehnologică: valoarea lui β pentru un
anume tip de tranzistor nu este fixă, ci aparţine unui anumit domeniu de
valori [β , β
MIN ], specificat în catalog. De exemplu, pentru tranzistorul
MAX

bipolar de tip NPN BC107, parametrul β are valoarea cuprinsă în intervalul

[125÷500].
Datorită acestor caracteristici, parametrul β poate constitui o sursă importantă
de variaţie a PSF-ului tranzistorului bipolar. Din acest motiv, circuitele de
polarizare ale tranzistoarelor bipolare trebuie să fie astfel concepute
încât să asigure independenţa PSF-ului de parametrul β .

Circuitele elementare de polarizare ale tranzistorului bipolar sunt prezentate

în continuare. Se consideră numai cazul tranzistoarelor bipolare de tip NPN.
Pentru tranzistoarele de tip PNP, structura circuitelor de polarizare este aceeaşi,
dar bornele sursei de alimentare se inversează.
Pentru circuitele care urmează a fi prezentate se determină valoarea PSF-ului
şi se discută dependenţa acestuia de parametrul β - factorul de amplificare în
curent al tranzistorului.

A. Circuit de polarizare elementar

Structura circuitului este prezentată în Figura 1. Sursa de tensiune continuă
notată VCC asigură polarizarea tranzistorului Q prin intermediul rezistoarelor de
polarizare RB şi RC. Este important de subliniat faptul că, pentru ca tranzistorul să
2
poată funcţiona în RAN, bornele lui VCC trebuie să fie dispuse ca în figură. Numai
în acest caz, condiţia care asigură funcţionarea tranzistorului bipolar în RAN (vBE >
0V şi vBC < 0V – vezi cursul 05, paragraful 3) poate fi satisfăcută.

Figura 1. Circuit elementar de polarizare cu rezistor în bază.

PSF-ul are valorile:

V − V BE
I C = β ⋅ CC 6.1.a
RB

VCE = VCC − I C ⋅ RC 6.1.b

unde tensiunea continuă VBE are valoarea aproximativ 0,6V. Tranzistorul bipolar
funcţionează în RAN dacă este satisfăcută condiţia:
0 ,5V < VCE < VCC −1V 6.2
CONCLUZIE: Se observă că IC (şi implicit PSF-ul tranzistorului) depinde direct
proporţional de parametrul β . Deci, acest circuit NU
asigură independenţa PSF-ului de parametrul β şi
din acest motiv PSF-ul tranzistorului nu este stabil ⇒
performanţa circuitului de polarizare este redusă.

o Calculul PSF-ului tranzistorului:

Calcul IC: Se scrie TK2 pe bucla de circuit (ochiul de circuit)
care conţine RB, VBE, VCC:

R B ⋅I B+V BE −VCC = 0 *

3
Presupunem că Q funcţionează în RAN ⇒ este valabilă relaţia 5.4.a din cursul 05, aplicată pentru

I
mărimi electrice CONTINUE: I C = β ⋅ I B ⇒ IB = C **⇒ (din * şi **)
β

V − V BE
I C = β ⋅ CC
RB
Totodată, dacă tranzistorul Q funcţionează în RAN atunci tensiunea continuă bază-emitor este

cunoscută (relaţia 5.4.b din cursul 05, aplicată pentru mărimi electrice continue): V BE = 0 ,6V .

Aşadar, ştiind valorile lui VCC, RB şi β (acest parametru este luat din catalogul de tranzistoare), se
poate determina valoarea lui IC.

Calcul VCE: Se scrie TK2 pe bucla de circuit (ochiul de circuit) care conţine RC, VCE, VCC: ⇒

RC ⋅I C +VCE −VCC = 0 ⇒ VCE = VCC − RC ⋅I C

Cunoscând şi valoarea rezistenţei RC se poate determina valoarea tensiunii VCE.

B. Circuit de polarizare cu rezistor în emitor

Structura circuitului este prezentată în Figura 2. Faţă de circuitul precedent, s-a
introdus încă un rezistor RE, între emitor şi masa circuitului. Rolul elementelor
care compun circuitul de polarizare este acelaşi ca şi în circuitul precedent. În
plus, prezenţa rezistorului RE în circuit asigură o mai mare stabilitate a PFS-ului
tranzistorului.

Figura 2. Circuit elementar de polarizare cu rezistenţă în emitor.

PSF-ul tranzistorului are valorile:

4
 β ⋅ ( VCC − VBE )
IC = 6.3.a
β ⋅ RE + RB

VCE = VCC − I C ⋅ ( RC + R E ) 6.3.b

în care, presupunând că tranzistorul Q funcţionează în RAN, tensiunea V BE = 0 ,6V .
Tranzistorul bipolar funcţionează în RAN dacă este satisfăcută condiţia 6.2.

CONCLUZIE: Se observă din formula de calcul a lui IC că β se regăseşte atât la

numărător cât şi la numitor. Din acest motiv, există o cale de a asigura
independenţa lui IC (şi implicit a PSF-ului tranzistorului) de parametrul β . Astfel,
dacă se asigură condiţia:
β ⋅ RE >> RB 6.4
(unde condiţia >> “înseamnă măcar de 10 ori mai mare”) atunci în relaţia 6.3.a
parametrul β se poate simplifica, iar formula de calcul a lui IC devine:
V − V BE
I C ≅ CC 6.3.c
RE

caz în care PSF-ul tranzistorului nu mai depinde de parametrul β . Dar, pentru

acest tip de circuit, condiţia 6.4 nu poate fi asigurată simultan cu condiţia 6.2. Din
acest motiv, acest circuit nu asigură decât într-o masură modestă independenţa
PSF-ului tranzistorului de parametrul β ⇒ performanţa circuitului de polarizare
este doar satisfăcătoare.
o Calculul PSF-ului tranzistorului
Calcul IC:
Se aplica TK2 pe bucla RB, VBE, RE, VCC:
RB ⋅ IB + VBE + RE ⋅ IE − VCC = 0
IC
Dar: IB = si IE = IC
β

β ⋅ ( VCC − VBE )
Rezulta: IC =
β ⋅ RE + RB
Calcul VCE: se aplica TK2 pe bucla RC, VCE, RE, VCC
RC ⋅ IC + VCE + RE ⋅ IE − VCC = 0
si se tine cont ca IE = IC . Rezulta:

VCE = VCC − I C ⋅ ( RC + R E )

C. Circuit de polarizare cu divizor rezistiv în bază

5
Structura circuitului este prezentată în Figura 3. Faţă de circuitul precedent, s-a
introdus încă un rezistor RB1, între bază şi masa circuitului. Rolul elementelor care
compun circuitul de polarizare este acelaşi ca şi în circuitul precedent.

Figura 3. Circuit elementar de polarizare cu divizor rezistiv în bază.

PSF-ul tranzistorului are valorile:

β ⋅ ( VBB − VBE )
IC = 6.5.a
β ⋅ RE + RB
VCE = VCC − I C ⋅ ( RC + R E ) 6.5.b
unde:
RB1
VBB = ⋅ VCC 6.5.c
RB1 + R B 2
RB1 ⋅ RB 2
RB = 6.5.d
RB1 + RB 2

Presupunând că tranzistorul Q funcţionează în RAN, tensiunea V BE = 0 ,6V .

Tranzistorul bipolar funcţionează în RAN dacă este satisfăcută condiţia 6.2.

CONCLUZIE: La fel ca şi pentru circuitul precedent, independenţa lui IC (şi implicit

a PSF-ului tranzistorului) de parametrul β poate fi asigurată prin respectarea
condiţiei 6.4. Spre deosebire de circuitul precedent, pentru acesta, relaţia 6.4
poate fi asigurată simultan cu condiţia 6.2 şi din acest motiv, acest circuit asigură
independenţa PSF-ului tranzistorului de parametrul β ⇒ performanţa circuitului de
polarizare este superioară celorlalte.

6
 o Calculul PSF-ului tranzistorului:

Calcul IC:
Se aplica TK2 pe bucla RB, VBE, RE, VBB:

IC β ⋅ ( VBB − VBE )
RB ⋅ IB + VBE + RE ⋅ IE − VBB = 0 Dar: IB = si IE = IC Rezulta: I C =
β β ⋅ RE + RB
Calcul VCE: se aplica TK2 pe bucla RC, VCE, RE, VCC
RC ⋅ IC + VCE + RE ⋅ IE − VCC = 0 si se tine cont ca IE = IC
Rezulta: VCE = VCC − I C ⋅ ( RC + R E )

În cazurile prezentate mai sus, s-a considerat că tranzistoarele bipolare sunt de

tip NPN. Pentru cele de tip PNP, circuitele de polarizare au aceeaşi structură, dar
bornele sursei de alimentare VCC sunt inversate faţă de cazul tranzistorului NPN –
adică, borna “-” se leagă la RC şi RB, iar borna “+” reprezintă masa circuitului. În
cazul tranzistoarelor PNP, acestea funcţionează în RAN dacă este satisfăcută
relaţia:
0,5V < V EC < VCC −1V

3. Circuite de polarizare pentru tranzistoarele MOS

Circuitelele de polarizare ale tranzistoarelor MOS au rolul de a impune
funcţionarea tranzistoarelor MOS, în regim de curent continuu, în regiunea de
saturaţie (singura în care tranzistorul MOS poate amplifica liniar semnalele – vezi
cursul 05). Din acest motiv, tensiunile electrice CONTINUE, stabilite între
terminalele tranzistorului MOS prin polarizarea sa, trebuie să satisfacă
următoarele condiţii:

7
 VGS > VTH 5.6.a
V DS > VGS −VTH 5.6.b

Dacă aceste condiţii nu sunt satisfăcute atunci tranzistorul MOS nu funcţionează

în regiunea de saturaţie.

Pentru tranzistoarele MOS, perechea de mărimi electrice care defineşte PSF-

ul este:
 curentul continuu din drenă ID
 tensiunea continuă drenă-sursă VDS

În continuare se va discuta cazul tranzistoarelor MOS cu canal de tip n.

Figura 4. Circuit elementar de polarizare cu divizor rezistiv în grilă.

Pentru tranzistoarele MOS cu canal indus (prezentate în cursul 05) circuitele

elementare de polarizare au aceeaşi structură ca cele utilizate pentru
tranzistoarele bipolare (Figurile 1, 2, 3). Dar, deoarece pentru primele 2 variante
de circuite, îndeplinirea condiţiei 6.6.b este mai dificilă, pentru polarizarea
tranzistoarelor MOS este preferat circuitul de polarizare cu divizor rezistiv în grilă,
prezentat în Figura 4. Modul în care se determină PSF-ul tranzistorului MOS este
următorul:

8
 Se determina valoarea tensiunii VG
aplicând TK2 pe bucla RG2, RG1 si VDD
si apoi aplicind legea lui Ohm pe RG1:
RG 2 ⋅ I + RG1 ⋅ I − VGG = 0
VG = RG1 ⋅ I
RG1
Rezulta: VG = ⋅ VDD (1)
RG1 + RG 2
Determinarea lui ID:
Presupunem ca tranzistorul MOS
lucreaza in regiunea de saturatie; in
acest caz, MOS-ul functioneaza dupa

ecuatia: I D = k ⋅ (VGS − VTH ) 2 (2)

Aplicind TK2 pe bucla RG1, VGS, RS rezulta: VGS + RS ⋅ ID − VG = 0 (3) unde VG are
valoarea din ecuatia (1). Ecuatiile (2) si (3) formeza un sistem de ecuatii in
necunoscutele VGS si ID. Din cele 2 necunoscute, mai întâi se va determina
necunoscuta VGS. Din cele 2 soluţii posibile, se va alege soluţia care satisface
conditia: VGS > VTH unde VTH este tensiunea de prag a tranzistorului; dacă nici
una din soluţiile pentru VGS nu satisface această condiţie, atunci tranzistorul
funcţionează în regiunea de blocare şi în acest caz ID=0. După determinarea
tensiunii VGS, curentul ID se va calcula din relatia (2).
Calcul VDS: se aplica TK2 pe bucla RD, VDS, RS, VDD
RD ⋅ ID + VDS + RS ⋅ ID − VDD = 0 Rezulta: V DS = V DD − I D ⋅ ( R D + RS )

Verificare presupunere initiala:

s-a presupus ca tranzistorul funcţionează în regiunea de saturaţie. La final,
această presupunere trebuie verificată. Tranzistorul MOS funcţionează în regiunea
de saturaţie dacă valorile tensiunilor VGS si VDS calculate ca mai sus satisfac
conditia:
VDS > VGS −VTH

9
Pentru tranzistoarele MOS cu canal iniţial, este utilizat şi un circuit de polarizare
special, denumit circuit cu autopolarizare a grilei. Acest circuit de polarizare
este mai simplu şi poate fi utilizat numai în cazul tranzistoarelor MOS cu canal
iniţial, deoarece utilizarea acestuia se bazează pe faptul că tranzistoarele MOS cu
canal iniţial au tensiunea de prag VTH de semn contrar tensiunii de prag a
tranzistoarelor MOS cu canal indus (de exemplu, pentru tranzistoarele cu canal de
tip N, cele care au canal indus au valoarea VTH>0V, iar cele care au canal initial,
au valoarea VTH<0V). Structura circuitului cu autopolarizare a grilei este
prezentat în Figura 5.

Figura 5. Circuit cu autopolarizare a grilei – valabil numai pentru tranzistoarele MOS cu canal
iniţial.

Calculul PSF-ului: tema pentru acasa.

10
În cazurile prezentate mai sus, s-a considerat că tranzistoarele MOS au canal de
tip N. Pentru cele cu canal de tip P, circuitele de polarizare au aceeaşi structură,
dar bornele sursei de alimentare VDD sunt inversate faţă de cazul tranzistorului
MOS cu canal N – adică, borna “-” se leagă la RD şi RG2, iar borna “+” reprezintă
masa circuitului.

11