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1. CONCEPTOS PRELIMINARES
1.1. Configuraciones del BJT
1.1.1. Configuración en Emisor Común
1.1.2. Configuración en Colector Común
1.1.3. Configuración en Base Común
1.2. Polarización del BJT y regiones de operación
1.3. Modelo equivalente hibrido del BJT
1.4. Máxima Excursión Simétrica
2. PROCEDIMIENTO DE DISEÑO
2.1. Pasos aplicables al proceso de diseño
3. EJEMPLO
4. EJERCICIOS
1. CONCEPTOS PRELIMINARES
Figura 1.
1.1.2. Configuración en Colector Común
Figura 2.
1.1.3. Configuración en Base Común
Figura 3.
1.2. Polarización del BJT y regiones de operación
Figura 4.
Figura 5.
1.4. Máxima Excursión Simétrica
Se dice que una señal tiene excursión simétrica cuando el valor pico positivo
tiene igual magnitud al valor pico negativo. Y se dice que la excursión simétrica
es máxima cuando alcanza los máximos valores permisibles en el circuito. Es
decir que alcanza los valores hasta donde la señal de salida es proporcional a la
señal de entrada. Más allá de estos valores, la señal de salida saldría
distorsionada.
iC − I CQ = −
1
(vCE −VCEQ )
Rca
Figura 6.
2. PROCEDIMIENTO DE DISEÑO
Figura 7.
El objetivo del diseño es encontrar los valores de todos los resistores, de modo
que se cumpla con los requerimientos de ganancia de voltaje y corriente.
2.1. Pasos aplicables al proceso de diseño
Porque?
2. El valor de Re podemos calcularlo a partir de la ecuación de ganancia de
voltaje del amplificador. Para esto hacemos uso del modelo equivalente
hibrido del BJT y del análisis del circuito en AC, veamos:
Figura 8.
Encontremos la ecuación para la ganancia de tensión de este circuito. De donde
sale?
Vo hfeib ( Rc || RL ) hfe ( Rc || R L )
AV = =− =−
Vi ib (hie + hfeR e ) (hie + hfeR e )
( Rc || R L )
AV = −
hib + Re
Aquí debemos hacer la consideración de que hib << Re , con lo que la ecuación
de ganancia de tensión finalmente queda:
( Rc || R L )
AV = −
Re
VCC
I CQ =
Rca + Rcd
Rca: Rcd:
i 0 i 0 ib
Ai = =
ii i b ii
hfei b Rc i0 hfeRc
i0 = − , de donde =−
Rc + R L ib Rc + R L
ii R B ib RB
ib = , de donde =
hie + hfe Re ii hie + hfe Re
hfeRc RB
Ai = −
Rc + R L hie + hfe Re
Nota:
Si no hubiéramos tenido un requerimiento de ganancia de corriente, para
determinar el valor de RB se podría utilizar la ecuación:
Figura 11.
R1R 2
RB=R1||R2= (ver figura 7)
R1 + R 2
VccR 2
VBB= (ver figura 7)
R1 + R 2
RB
VBB=Ic + Re + VBE
β
6. ¿Cuáles deben ser los valores de R1 y R2 de modo que garanticemos el
valor de la resistencia equivalente de base y el voltaje de polarización en la
base del transistor?
R1R 2
RB=
R1 + R 2
VccR 2
VBB=
R1 + R 2
VccR B
R1 =
V BB
Y para R2 obtenemos:
RB
R2 =
V
1 − BB
VCC
7. Como ya hemos encontrado todos los valores de los resistores que
satisfacen nuestro diseño, nos queda únicamente conseguir los valores
comerciales más cercanos a los calculados y hacer al análisis del circuito
para darnos cuenta que no cambia demasiado el punto de operación del
transistor debido a la diferencia entre los valores teóricos y prácticos.
3. EJEMPLO
Diseñar un amplificador en emisor común como el de la figura X para obtener
una ganancia de voltaje de -10 y una ganancia de corriente de -10, si el β del
transistor es de 100, el voltaje de polarización es de 12V y se desea excitar una
carga de 1,5KΩ.
hfeRc RB
Ai = −
Rc + R L hie + hfe Re
25 mV × β
hie =
I CQ
Reemplazando los valores de β e ICQ obtenemos hie=500Ω.
R
VccR B R2 = B
R1 = y V
V BB 1 − BB
VCC
Reemplazando cada uno de los términos obtenemos:
R1=16KΩ y R2=1.77KΩ