Sistem Memori

• Flip-flop: memori 1-bit

• Register: memori n-bit, satu lokasi
• Memori: penyimpan data n-bit, m-lokasi

MSB MSB LSB

LSB 4-bit
0 1 0 1 2

Flip-flop Register m 1 1 1 0 1

0 0 0 1 0
n
Memori m x n
 Memori
• ROM (Read Only Memory)
Merupakan chip (IC=integrated circuit) yang menyediakan
fungsi penyimpanan data yang bersifat “hanya dapat
dibaca saja, tidak dapat ditulisi”, dan sifat penyimpanannya
permanen (jika catudayanya ditiadakan, isi ROM tetap
ada). Tipe memori ini sering disebut sebagai memori yang
tidak mudah berubah (nonvolatile memory).

• RAM (Random Access Memory)

Merupakan chip yang menyediakan fungsi penyimpanan
data yang bersifat “dapat dibaca dan ditulisi”, dan sifat
penyimpanannya sementara (jika catudayanya ditiadakan,
isi RAM hilang)
 ROM (1)
• PROM (Programmable ROM)
Merupakan ROM yang isinya diprogram oleh
pabriknya. Jenisnya: ROM Matriks
Diode/Transistor BJT/FET
• EPROM (Erasable PROM)
Adalah ROM yang dapat dihapus dan diprogram
isinya oleh pengguna. UV-EPROM adalah ROM
yang isinya dapat dihapus dengan sinar Ultra
Violet. Untuk memrogram ROM ini digunakan
EPROM Programmer
 ROM (2)
• Penghapusan UV-EPROM dilakukan dengan
menggunakan sinar ultra violet.

EPROM
Sinar Ultra Violet
beberapa menit, maka
data akan terhapus
EPROM
Jendela Transparans ERASER

Pin atau terminal IC

 ROM (3)
Cara Menghapus EPROM:
9 Lepaskan EPROM dari sistem
9 Buka penutup jendela transparan
9 Sinari jendela transparan dengan sinar ultra violet
beberapa menit (kurang lebih 15 menit)
Cara Memrogram EPROM:
9 Hapus terlebih dahulu seluruh isinya dengan sinar
ultra violet
9 Pasang EPROM pada EPROM Programmer
9 Isilah EPROM dengan data menggunakan
EPROM Programmer
 ROM (4)
EPROM Programmer Berbasis Personal Computer:
EPROM

PC
EPROM PROGRAMMER
 ROM (6)
• EEPROM (Electrically EPROM) Î flash
ROM yang isinya dapat dihapus dan diprogram
secara elektris. Contoh: CMOS Setup pada PC.
Jika ingin mengubah konfigurasi PC, maka pada
saat booting tekan tombol Del sehingga muncul
informasi konfigurasi yang akan diubah.
Pengubahan konfigurasi, pada dasarnya adalah
memrogram CMOS/EEPROM secara elektris.
 ROM (7)
Cara memrogram EEPROM:
9 EEPROM tetap terpasang pada sistem
9 Lakukan penghapusan dan pengisian data

Kelebihan EEPROM dibandingkan dengan EPROM:

9 Isinya dapat diprogram bagian per bagian, sedangkan pada EPROM
untuk memrogram harus menghapus seluruh isinya terlebih dahulu
sehingga tidak memungkinkan permograman bagian per bagian.
9 Pengahupusan EEPROM lebih cepat dibandingkan EPROM, karena
dilakukan secara elektris. Waktu penghapusan pada EEPROM dalam
orde mili detik (ms) sedangkan pada EPROM pada orde menit.
9 Pemrograman EEPROM dapat dilakukan tanpa melepaskannya dari
sistem, sedangkan untuk EPROM harus dilepaskan dari sistem.
 RAM (1)
• SRAM (Static RAM)
Merupakan RAM yang sel-selnya
menggunakan flip-flop sehingga: (1)
datanya relatif stabil/statis sehingga tidak
diperlukan adanya rangkaian “refresh”, (2)
lebih cepat, (3) kepadatan komponen
rendah/kapasitas kecil, (4) mahal
 RAM (2)
• DRAM (Dynamic RAM)
Merupakan RAM yang sel-selnya
menggunakan kapasitor sehingga: (1)
datanya tidak stabil/dinamis sehingga
diperlukan rangkaian “refresh”, (2) lebih
lambat, (3) kepadatan komponen
tinggi/kapasitas besar, (4) lebih murah
 ROM MATRIKS DIODE
• Contoh ROM ukuran 4 x 4 bit
Keadaan belum diprogram
Konduktor

D3 D2 D1 D0
 ROM MATRIKS DIODE
• Misal ROM oleh pabriknya akan diisi data
sebagai berikut:

Alamat Data
D3 D2 D1 D0
0 1 1 0 0
1 1 0 1 0
2 0 1 0 0
3 0 1 0 1
ROM yang sudah diprogram

D3 D2 D1 D0
Jika sel PROM berupa sebuah transistor, maka cara
menyimpan menyimpan data 1 dan 0 seperti ditunjukkan
pada gambar berikut

Pemilih Pemilih
+Vcc +Vcc

Diputus

Output Output
Data Data

(a) (b)
Sel ROM: (a) penyimpan data 1, (b) penyimpan data 0
 Organisasi ROM Dengan Sel Diode

Pin Alamat
Resistor
A0 0 0
Pulldown
A1 1 1
DEKODER
2

3
Pin Kontrol X3 X2 X1 X0

OE TRI-STATE SWITCH

CE

D3 D2 D1 D0
Pin Data
 Organisasi ROM Dengan Sel Transistor

Pin Alamat
Resistor
A0 0 0 +Vcc +Vcc
Pulldown
A1 1 1 +Vcc +Vcc
DEKODER
2 +Vcc

3 +Vcc +Vcc

Pin Kontrol X3 X2 X1 X0

OE TRI-STATE SWITCH

CE

D3 D2 D1 D0
Pin Data
 Simbol ROM 4x4-bit

D0
A0
Pin Alamat
A1 D1
Pin Data
D2
ROM
D3
4x4-bit
CS1
Pin Kontrol
CS2

Pin A0,A1 digunakan untuk memilih alamat

Pin Kontrol digunakan untuk menyediakan saluran output.
 Simbol ROM 4x4-bit

D0
A0
Pin Alamat
A1 D1
Pin Data
D2
ROM
D3
4x4 bit
OE
Pin Kontrol
CE

OE=Output enable jenis ACTIVE-LOW

CE=Chip enable jenis ACTIVE-LOW
 Simbol ROM D0
D0 A0 D0 A0 D0
A0 D1
A0 D1 A1 D1 A1 D1
D2
D2 A1 A2 D2 A2 D2
A1 D3

=
D3 A3 D3 A3 D3
D4 D4
A4 D4 A4 D4
D5
ROM D5 ROM D6
A5
ROM D5 A5
ROM D5
D6 A6 D6 A6 D6
4X8-bit D7 4 byte D7
128 byte D7 A7 256 byte D7
OE OE
OE OE
C CE
E CE CE

ROM 4 byte

A0 D0 A0 D0
A0 D0 A0 D0
A1 D1 A1 D1
A1 D1 A1 D1
A2 D2 A2 D2
.
A2
.
D2
D3 .
A2
.
D2
D3
. . D3 . . D3
D4
. . D4
. . D4 . . D4 . . D5
ROM D5
ROM D5 ROM D5
. ROM
. . D6 . . D6 . . D6 . D6
A9 1KB D7 A11 4KB D7 A13 16KB D7 A15 64KB D7

OE OE OE OE

CE CE CE CE

OE=Output enable jenis ACTIVE-LOW Kapasitas naik 2 kali,

CE=Chip enable jenis ACTIVE-LOW pin alamat bertambah 1
 Cara MP Membaca ROM
Misal di dalam ROM 8 byte berisi data sebagai berikut:

Alamat Isi (Dalam

Heksadesimal)
0 02
1 A1
2 B2
3 5C
4 00
5 45
6 FF
7 E6
 Cara MP Membaca ROM
Mikroprosesor membaca alamat 5 dari ROM 8 byte:

1. Mikroprosesor mengirim sinyal

1 1
Tahap I 0
A0
A1
D0
D1
0 alamat 5 yakni A2A1A0=101
1 1
A2 D2
D3
0 lewat bus alamat ke pin alamat
0 Tahap III
D4
D5
0 ROM (tahap I)
ROM D6
1
0
8 byte D7
2. Mikroprosesor mengirim sinyal
0

kontrol CE = 0, dan OE = 0
OE
Tahap II 0 CE

untuk mengaktifkan ROM

(Tahap II)
3. Data akan ditempatkan pada bus
data sehingga pada bus data
terdapat data 45 (tahap 3)
 Simbol RAM 4x4-bit

D0
A0
Pin Alamat
A1 D1
Pin Data
D2
RAM
D3
WE 4x4-bit
OE
Pin Kontrol
CE

WE=Write Enable
OE=Output enable jenis ACTIVE-LOW
CE=Chip enable jenis ACTIVE-LOW
 Cara MP Membaca dan Menulisi RAM
Misal di dalam RAM 8 byte berisi data sebagai berikut:

Alamat Isi (Dalam

Heksadesimal)
0 13
1 FF
2 C4
3 6D
4 FF
5 57
6 FF
7 FF
 Cara MP Membaca RAM
Mikroprosesor membaca alamat 3 dari RAM 8 byte:

1. Mikroprosesor mengirim sinyal

alamat 3 yakni A2A1A0=011
1
1
A0 D0
1
0
lewat bus alamat ke pin alamat
Tahap I A1 D1
0
A2 D2
1
1
RAM (tahap I)
D3 Tahap III
0
D4
RAM D5
1
1
2. Mikroprosesor mengirim sinyal
kontrol CE = 0, OE = 0, dan WE = 1
D6
0
8 byte D7
0
Tahap II 0
OE
untuk mengaktifkan mode baca
CE
1
WE
RAM (Tahap II)
3. Data akan ditempatkan pada bus
data sehingga pada bus data
terdapat data 6D (tahap 3)
 Cara MP Menulisi RAM
Mikroprosesor menulisi alamat 4 dari RAM 8 byte dengan data A2:

1. Mikroprosesor mengirim sinyal

alamat 4 yakni A2A1A0=100
0 0
A0 D0
Tahap I 0
1
A1 D1
1
0
lewat bus alamat ke pin alamat
A2 D2
D3
D4
0
0 Tahap II RAM (tahap I)
1
D5
RAM 0
8 byte
D6
D7
1 2. Mikroprosesor menempatkan
Tahap III
1
0
OE data A2 pada bus data (tahap II)
CE
0
WE
3. Mikroprosesor mengirim sinyal
kontrol CE = 0, OE = 1, dan WE = 0
untuk mengaktifkan mode tulis
RAM (Tahap III)