KONDUKTOR, ISOLATOR DAN SEMIKONDUKTOR

Bahan - bahan yang berhubungan dengan arus listrik dapat dibagi menjadi 3
bagian, yaitu :

1. Bersifat Konduktor
2. Bersifat Insulator
3. Bersifat Semikonduktor

Penjelasannya :

1. Bahan - bahan yang bersifat konduktor ialah bahan - bahan yang mudah
mengalirkan arus listrik jika dihubungkan dengan sumber tegangan.
Misalnya : tembaga, besi, emas, dll
dari bahan - bahan yang paling bagus untuk mengalirkan arus listrik adalah
EMAS.
karena pada bahan konduktor mempunyai banyak sekali elektron bebas,
yang paling banyak elektron bebasnya adalah emas.

2. Bahan - bahan yang bersifat Insulator merupakan material yang susah

menghantarkan arus listrik.
Misalnya : gelas, kaca, karet, kayu, dll
kenapa tidak dapat menghantarkan arus listrik ?

karena dalam bahan yang bersifat isolator seluruh lintasan elektronnya

memiliki ikatan yang kuat dengan intinya atau dengan kata lain pada bahan
isolator tidak mempunyai elektron bebas sehingga walau diberi tegangan
listrik tidak akan membuat elektron - elektronnya bergerak.

3. Bahan - bahan yang bersifat semikonduktor ialah bahan - bahan yang pada
kondisi tertentu akan bersifat sebagai isolator dan pada kondisi lain akan
bersifat sebagai konduktor / Semikonduktor adalah material yang memilki
sifat antara konduktor dan insulator.
Misalnya : germaniun, silicon, dll

kapan bahan - bahan semikonduktor dapat bersifat isolator dan bersifat

konduktor ?
Devais Mikroelektro 1
Bahan - bahan tersebut akan bersifat isolator jika dalam temperatur yang
rendah.

Bahan - bahan tersebut akan bersifat konduktor jika dalam temperatur tinggi.

menggapa demikian ?

karena dalam temperatur rendah seluruh lintasan elektron terisi penuh oleh
elektron, dan ketika dalam temperatur tinggi karena pada temperatur yang
tinggi akan ada ikatan - ikatan yang pecah sehingga menyebabkan adanya
elektron - elektron bebas.

Conductor Band

Insulator Semikonduktor Konduktor

Forbidden Band Valence Band

ELEKTRON
Devais Mikroelektro 2
Berdasarkan analisis spektrum atom, Niels Bohr mengajukan model atom
sebagai berikut :

1. Dalam elektron terdapat lintasan-lintasan tertentu tempat elektron

dapat mengorbit inti tanpa disertai pemancaran atau menyerap
energi. lintasan itu, yang juga disebut kulit atom, adalah orbit
berbentuk lingkaran dengan jari-jari tertentu. tiap lintasan ditandai
dengan satu bilangan bulat yang disebut bilangan kuantum utama
(n), mulai dari 1, 2, 3, 4, dan seterusnya, yang dinyatakan dengan
lambang K, L, M, N, dan seterusnya. Lintasan pertama, dengan n =
1, dinamai kulit K, dan seterusnya. makin besar harga n (makin jauh
dari inti), makin besar energi elektron yang mengorbit pada kulit itu.
2. Elektron hanya boleh berada pada lintasan-lintasan yang
diperbolehkan (lintasan yang ada), dan tidak boleh berada di antara
dua lintasan. lintasan yang akan ditempati oleh elektron bergantung
pada energinya. pada keadaan normal (tanpa pengaruh luar),
elektron menempati tingkat energi terendah. keadaan seperti itu
disebut tingkat dasar (ground state).
3. elektron dapat berpindah dari satu kulit ke kulit lain disertai
pemancaran atau penyerapan sejumlah tertentu energi. perpindahan
elektron ke kulit lebih dalam akan disertai penyerapan energi.
sebaliknya, perpindahan elektron ke kulit lebih dalam akan disertai
pelepasan energi.

Devais Mikroelektro 3
 K L M N O P

Gambar 13 Model Atom Niels Bohr

Teori Bandix
n = 1,2,3,4,5,...dst
k,l,m,n,o,....
l = 0,1,2,3,......n-1
Ml = 0 ± 1 ± 2 dst.
Ms = ± ½
Jadi koordinat dari elektron tersebut adalah ( n,l,Ml,Ms )
Menurut teori ”PAULI” tahun 1925 ”Tidak mungkin ada kwantum elektron
yang sama”

Misal :
Devais Mikroelektro 4
 Untuk n = 1
Harga l = n -1 = 1 -1 = 0 2 elektron
Ml = 0
Ms = ± ½

Untuk n = 2
Harga l=0 = n -1 = 1 -1 = 0 ---- 2 elektron
Harga l=1 Ml = ±1 Ml = +1 - Ms = ± ½ - 2 elektron 8 elektron
Ml = 0 - Ms = ± ½ - 2 elektron
Ml = -1 - Ms = ± ½ - 2 elektron

Untuk n = 3
Harga l=0 = n -1 = 1 -1 = 0 ---- 2 elektron
Harga l=1 Ml = ±1 Ml = +1 - Ms = ± ½ - 2 elektron
Ml = 0 - Ms = ± ½ - 2 elektron
Ml = -1 - Ms = ± ½ - 2 elektron
Harga l=2 M l= ±2 Ml = -2 - Ms = ± ½ - 2 elektron 18 elektron
Ml = -1 - Ms = ± ½ - 2 elektron
Ml = 0 - Ms = ± ½ - 2 elektron
Ml = +1 - Ms = ± ½ - 2 elektron
Ml = +2 - Ms = ± ½ - 2 elektron

Untuk n = 4
Harga l = 0 ---- 2 elektron
Harga l = 1 ---- 6 elektron
Harga l = 2 ---- 10 elektron
Harga l = 3 Ml = ±1 Ml = +1 - Ms = ± ½ - 2 elektron
Ml = 0 - Ms = ± ½ - 2 elektron 32 elektron
Ml = -1 - Ms = ± ½ - 2 elektron
Ml = -2 - Ms = ± ½ - 2 elektron
Ml = -1 - Ms = ± ½ - 2 elektron
Ml = 0 - Ms = ± ½ - 2 elektron
Ml = +1 - Ms = ± ½ - 2 elektron
Ml = +2 - Ms = ± ½ - 2 elektron

Devais Mikroelektro 5
 e

Donor ( kelebihan 1 elektron ) Acceptor ( kekurangan 1 elektron )

Intrinsic : Bahan semikonduktor tersebut terbuat dari satu bahan saja

Extrinsic : Bahan tersebut terbuat lebih dari satu macam atom.

Elektron

Arus

# Tipe P yg mengalirkan arus adalah hole ( + )

# Tipe N yg mengalirkan arus adlah elektron ( - )

Devais Mikroelektro 6
 1. Semikonduktor mempunyai dua macam carrier yaitu ’Hole’ (positip)
dan elektron (negatif)
2. Semikonduktor dapat dihasilkan (dibuat) dengan pengotoran donor
(acceptor) sehingga mengandung muatan-muatan yg banyak,dimana
yg mayoritas adalah elektron (hole)
3. Konsentrasi Intrinsik dari carrier merupakan fungsi waktu.Pada
temperatur kamar semua donor atau acceptor ter-ionisasi.
4. Ada 2 gejala terjadinya arus :
a. Arus Drift disebabkan oleh medan listrik
b. Arus Diffusi karena adanya gradient konsentrasi.

pergerakan partikel-partikel bermuatan didalam semikonduktor, apakah itu

elektron ataupun hole, akan menghasilkan arus. Karena itu, partikel-partikel
ini secara sederhana disebut juga sebagai pembawa (carrier). Pergerakan
partikel ini sendiri dapat terjadi karena dua hal. Pertama adalah karena
adanya medan listrik. Arus yang timbul akibat pergerakan ini disebut juga
arus drift. Kedua adalah karena adanya perbedaan (gradien) konsentrasi
pembawa (carrier), dan arus yang timbul oleh pergerakan ini disebut juga
arus difusi. Perbedaan (gradien) konsentrasi ini dapat diakibatkan oleh
penyebaran dadahan (doping) yang tidak homogen, atau dapat juga
dihasilkan dengan menyuntikkan sejumlah elektron atau hole ke suatu
daerah (region) tertentu pada semikonduktor.

Dioda adalah komponen aktif bersaluran dua (dioda termionik mungkin

memiliki saluran ketiga sebagai pemanas). Dioda mempunyai dua elektroda
aktif dimana isyarat dapat mengalir, dan kebanyakan dioda digunakan
karena karakteristik satu arah yang dimilikinya. Kesearahan yang dimiliki
sebagian besar jenis dioda seringkali disebut karakteristik menyearahkan.
Fungsi paling umum dari dioda adalah untuk memperbolehkan aliran arus
listrik dalam suatu arah (disebut kondisi panjar maju) dan untuk menahan
arus dari arah sebaliknya (disebut kondisi panjar mundur). Saat ini dioda
yang paling umum dibuat dari bahan semikonduktor seperti silikon atau
germanium.

Devais Mikroelektro 7
 Kurva Karakteristik Diode

Berikut Beberapa Jenis-jenis Dioda :

1. Dioda biasa : Beroperasi seperti penjelasan di atas.

Biasanya dibuat dari silikon terkotori atau yang lebih langka dari
germanium.

2. Dioda cahaya : Dioda cahaya atau lebih dikenal

dengan sebutan LED (light-emitting diode) adalah suatu
semikonduktor yang memancarkan cahaya monokromatik yang
tidak koheren ketika diberi tegangan maju. Gejala ini termasuk
bentuk elektroluminesensi. Warna yang dihasilkan bergantung pada
bahan semikonduktor yang dipakai, dan bisa juga ultraviolet dekat
atau inframerah dekat.

3. Dioda foto : Dioda foto adalah jenis dioda yang

berfungsi mendeteksi cahaya. Berbeda dengan dioda biasa,
komponen elektronika ini akan mengubah cahaya menjadi arus
listrik. Cahaya yang dapat dideteksi oleh dioda foto ini mulai dari
cahaya infra merah, cahaya tampak, ultra ungu sampai dengan sinar-
X. Aplikasi dioda foto mulai dari penghitung kendaraan di jalan
umum secara otomatis, pengukur cahaya pada kamera serta beberapa

Devais Mikroelektro 8
 peralatan di bidang medis. Alat yang mirip dengan Dioda foto
adalah Transistor foto (Phototransistor). Transistor foto ini pada
dasarnya adalah jenis transistor bipolar yang menggunakan kontak
(junction) base-collector untuk menerima cahaya.

4. Dioda laser : Dioda laser adalah sejenis laser di

mana media aktifnya sebuah semikonduktor persimpangan p-n yang
mirip dengan yang terdapat pada dioda pemancar cahaya. Dioda
laser kadang juga disingkat LD atau ILD. Dioda laser baru
ditemukan pada akhir abad ini oleh ilmuwan Universitas Harvard.
Prinsip kerja dioda ini sama seperti dioda lainnya yaitu melalui
sirkuit dari rangkaian elektronika, yang terdiri dari jenis p dan n.

5. Dioda Zener : Dioda zener atau yg jg disebut

dioda avalanche atau dioda breakdown adalah bidang temu silicon.
Dioda dirancang untuk dapat memerikan jebolan yaitu kenaikan arus
yang besar yg terjadi secara tiba-tiba yg tidak merusak pd tegangan
terbalik tertentu. Titik ini yg dinamakan tegangan zener. Dioda
Zener dibuat sedemikian rupa sehingga arus dapat mengalir ke arah
yang berlawanan jika tegangan yang diberikan melampaui batas
“tegangan rusak” (breakdown voltage) atau “tegangan Zener”.
Sebuah dioda Zener memiliki sifat yang hampir sama dengan dioda
biasa, kecuali bahwa alat ini sengaja dibuat dengan tengangan rusak
yang jauh dikurangi, disebut tegangan Zener. Sebuah dioda Zener
memiliki p-n junction yang memiliki doping berat, yang
memungkinkan elektron untuk tembus (tunnel) dari pita valensi
material tipe-p ke dalam pita konduksi material tipe-n. Sebuah dioda
zener yang dicatu-balik akan menunjukan perilaku rusak yang
terkontrol dan akan melewatkan arus listrik untuk menjaga tegangan
jatuh supaya tetap pada tegangan zener. Sebagai contoh, sebuah
diode zener 3.2 Volt akan menunjukan tegangan jatuh pada 3.2 Volt
jika diberi catu-balik. Namun, karena arusnya tidak terbatasi,
sehingga dioda zener biasanya digunakan untuk membangkitkan
tegangan referensi, atau untuk menstabilisasi tegangan untuk
aplikasi-aplikasi arus kecil.

Devais Mikroelektro 9
 6. Dioda Schottky (SCR) : SCR singkatan dari
Silicon Control Rectifier. Adalah Dioda yang mempunyai fungsi
sebagai pengendali. SCR atau Tyristor masih termasuk keluarga
semikonduktor dengan karateristik yang serupa dengan tabung
thiratron. Sebagai pengendalinya adalah gate (G). SCR sering
disebut Therystor. SCR sebetulnya dari bahan campuran P dan N. Isi
SCR terdiri dari PNPN (Positif Negatif Positif Negatif) dan biasanya
disebut PNPN Trioda.

P-N Junction / Junction Dioda ( Dioda )

Junction (persambungan) adalah daerah tempat tipe-P dan tipe-N

disambung. Dioda junction adalah nama lain untuk kristal P-N. Pada
gambar 1 di bawah ini ditunjukkan simbol dioda dan dioda junction tanpa
bias tegangan. Sisi P mempunyai banyak hole dan sisi N banyak elektron
pita konduksi .

Devais Mikroelektro 10
 Gambar 1 . Simbol Dioda dan Junction Dioda

Lapisan pengosongan

Gambar ilustrasi di atas menunjukkan sambungan PN dengan sedikit porsi

kecil yang disebut lapisan kosong (depletion layer). Di daerah tersebut
terdapat keseimbangan antara hole dan elektron.Pada sisi P banyak terbentuk
hole-hole yang siap menerima elektron, sedangkan di sisi N banyak terdapat
elektron-elektron yang siap untuk bebas.

Elektron pada sisi N cenderung berdifusi ke segala arah, beberapa elektron

berdifusi melewati junction. Setiap kali elektron berdifusi melalui juction
akan menciptakan sepasang ion.Tanda positif berwarna merah menandakan
ion positif dan tanda negatif berwarna merah menandakan ion negatif.

Tiap pasang ion positif dan ion negatif pada gambar 2 disebut dipole.
Penciptaan dipole berarti satu elektron pita konduksi dan satu hole telah
dikeluarkan dari sirkulasi. Jika terbentuk sejumlah dipole, daerah dekat
junction dikosongkan dari muatan-muatan , daerah kosong ini disebut
dengan daerah /lapisan pengosongan yang lebarnya 0,5 µm.

Devais Mikroelektro 11
 Gambar 2. Dipole pada P-N Junction

Gbr 3. Bias Foward pada Dioda Gbr 4. Bias reverse pada Dioda

Tegangan barrier ( rintangan )

Pembangkitan tegangan barrier bergantung pada suhu junction, suhu yang

lebih tinggi menciptakan banyak pasangan elektron dan hole, sehingga aliran
pembawa minoritas melewati juction bertambah. Pada suhu 25°C Potensial
Devais Mikroelektro 12
Barier pada dioda germanium (Ge)= 0,3 V dan dioda silikon (Si ) = 0,7
V.Potensial barrier tersebut berkurang 2,5 mV untuk setiap kenaikan 1
derajat Celcius.

Devais Mikroelektro 13
Variable Condensator

Kondensator variabel dan trimmer adalah jenis kondensator yang

kapasitasnya bisa diubah-ubah. Kondensator ini dapat berubah kapasitasnya
karena secara fisik mempunyai poros yang dapat diputar dengan
menggunakan obeng.

Kondensator variabel

Kondensator variabel terbuat dari logam, mempunyai kapasitas maksimum

sekitar 100 pF (pikoFarad) sampai 500 pF (100pF = 0.0001µF).

Kondensator variabel dengan spul antena dan spul osilator berfungsi sebagai
pemilih gelombang frekuensi tertentu yang akan ditangkap.

Lambang gambar untuk Kondensator Variable pada skema

elektronika

Rr

Rs
Rs = Tahanan dari bodynya
Rr = reverse tahanan
Varactor ini berlaku jika diberi tahanan reverse.

Kondensator trimer

Sedangkan kondensator trimer dipasang paralel dengan variabel kondensator

berfungsi untuk menepatkan pemilihan gelombang frekuensi tersebut.

Kondensator trimer mempunyai kapasitas dibawah 100 pF (pikoFarad).

Lambang gambar untuk Kondensator Trimer pada skema elektronika:

Devais Mikroelektro 14
 Kerusakan umumnya terjadi jika:

1. Korsleting
2. Setengah korsleting (penangkapan gelombang pemancar
menjadi tidak normal)

Konstruksi
Transistor adalah piranti semikonduktor tiga
TRANSISTOR
terminal yang dibangun dari: Bipolar
: Junction Transistor
1. dua material tipe p dan satu material tipe n, atau
2. dua material tipe n dan satu material tipe p.
Heavily doped

E C E C
p n p n p n

B B
BJT

Doping pada bagian tengah diberikan lebih sedikit dibandingkan dengan bagian
luar (sekitar 10:1). Doping rendah ini mengurangi konduktiviti material dengan
membatasi jumlah elektron bebas. Istilah bipolar berasal dari kenyataan bahwa
elektron dan holes berpartisipasi dalam proses pembangkitan arus.

Devais Mikroelektro 15
BJT : Operasi Transistor
o Transistor beroperasi dengan memberikan bias pada kedua junction. Bias
maju pada junction BE menyebabkan sejumlah besar majority carrier (holes)
yang terhubung ke terminal emitter terdifusi melewati junction menuju materi
tipe n (basis). Karena ketersediaan elektron bebas pada materi tipe n lebih
sedikit dari hole yang terdifusi, hanya sedikit holes yang ber-kombinasi
dengan elektron dan menghasilkan arus pada terminal basis.
o Sebagian besar hole akan begerak melewati depletion region pada junction
base-collector (junction base-collector di-bias mundur) dan keluar pada
terminal collector.

BJT

 Total arus dari terminal emitter sama dengan arus pada terminal collector ditambah
arus pada terminal basis.

 IE = IC + IB

 Arus collector IC terdiri dari dua komponen, yang berasal dari majority carrier
dan minority carrier. Arus dari minority carrier disebut dengan ICO (arus collector
dengan terminal emitter open).

 IC =ICmajority +ICO

 ICO bernilai sangat kecil dan umumnya bisa diabaikan

 Tegangan base-emitter (VBE) bisa dianggap sebagai variabel pengontrol dalam
menentukan operasi transistor. Arus collector dikaitkan dengan tegangan VBE
(Ebers-Moll / Shockley equation):

Devais Mikroelektro 16
 Arus collector IC proporsional terhadap arus IB dengan hubungan:

IC = β IB
IC = α IE

 Data spesifikasi transistor (dari pabrik) di-set nilai maksimum yang tidak boleh
dilampaui dalam operasi. Spesifikasi ini memberi batasan operasi transistor
dalam
rangkaian.

 Contoh spesifikasi transistor silikon 2N2222

 Collector-Base Voltage = 60 v

 Collector-Emitter Voltage = 30 v

 Base-Emitter Voltage = 5 v

 Power dissipation = 500 mW

 Temperature 125 C

o Transistor beroperasi dengan memberikan bias pada kedua junction. Bias maju
pada junction BE menyebabkan sejumlah besar majority carrier (holes) yang
terhubung ke terminal emitter terdifusi melewati junction menuju materi tipe n
(basis). Karena ketersediaan elektron bebas pada materi tipe n lebih sedikit dari
hole yang terdifusi, hanya sedikit holes yang ber-kombinasi dengan elektron dan
menghasilkan arus pada terminal basis.
o Sebagian besar hole akan begerak melewati Devais
depletion Mikroelektro 17
region pada junction base-
collector (junction base-collector di-bias mundur) dan keluar pada terminal
collector.
Devais Mikroelektro 18
Devais Mikroelektro 19