Materiales Semiconductores

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Estructura atómica

✔ El átomo de Rutherford

Electrón
Núcleo

Protón

Órbita

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 Electrones confinados

E
V1 V1

V0 = 0
x=0 x=1
x

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Modelo atómico de Bohr

✔ El resultado del confinamiento en un pozo de

potencial de tipo 1/r es una función de onda
con soluciones determinadas por números
privilegiados:

✪ n = 1, 2, 3, ....
✪ l = 0, 1, 2, ...., n-1
✪ m = -l, ...., -2, -1, 0, 1, 2, ...., l
✪ s = ± 1/2

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 Orbitales en diferentes elementos
Número Elemento Orbitales
atómico
1 H 1s1
2 He 1s2
3 Li 1s2 2s1
5 B 1s2 2s2 2p1
6 C 1s2 2s2 2p2
7 N 1s2 2s2 2p3
8 O 1s2 2s2 2p4
9 F 1s2 2s2 2p5
10 Ne 1s2 2s2 2p6
11 Na 1s2 2s2 2p6 3s1
13 Al 1s2 2s2 2p6 3s2 3p1
14 Si 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2
15 P 1s2 2s2 2p6 3s2 3p3
16 S 1s2 2s2 2p6 3s2 3p4
17 Cl 1s2 2s2 2p6 3s2 3p5
18 Ar 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
19 K 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s1
20 Ca 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2
28 Ni 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d8 4s2
29 Cu 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s1
31 Ga 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p1
32 Ge 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p2
33 As 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p3

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Diagrama energético de los orbitales

E
6 d 6 d 6 d 6 d 6 d
5 f 5 f 5 f 5 f 5 f 5 f 5 f
7 s
6 p 6 p 6 p
5 d 5 d 5 d 5 d 5 d
4 f 4 f 4 f 4 f 4 f 4 f 4 f
6 s

5 p 5 p 5 p
4 d 4 d 4 d 4 d 4 d
5 s
4 p 4 p 4 p
3 d 3 d 3 d 3 d 3 d

4 s

3 p 3 p 3 p

3 s

2 p 2 p 2 p

2 s

1 s

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 Enlace electrovalente: Cl Na

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Orbitales del Silicio

Aislado (3s3p3) Enlazado (3sp3)

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 Estructura del Diamante

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Formación de bandas de energía

Banda de Conducción

Energía
3sp3
3p
3p6

Eg
3s2

3s
Banda de Valencia 2s2

r1 r2 r3
Separación atómica

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 Conductores, Aislantes y
Semiconductores

Ec Ec
Eg≈ 1eV Eg
Eg≈5eV Eg Ev

Ev
b) Semiconductor típico

a) Aislante típico

Ec
Ev Eg
Eg<0 Ev
Ec

c) Conductor d) Conductor

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Propiedades del cristal

Símbolo Nombre Ancho BP Mov. elec. Mov. huecos Dist. crist.

(eV) (cm2/V.s) (cm2/V.s) (Å)
SPb Galena 0,37 575 200 5,93
SZn Blenda 3,60 110 - 5,41
Ge Germanio 0,67 3900 1900 5,65
Si Silicio 1,11 1350 480 5,43
AsGa Arseniuro de 1,43 8500 400 5,65
Galio

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 Semiconductores intrínsecos:
generación de pares

hν
ν

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Semiconductores extrínsecos:
materiales de tipo n

Si Si Si

Banda Conducción

Si B Si Zona prohibida
Nivel aceptador

Banda Valencia
Si Si Si

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 Semiconductores extrínsecos:
materiales de tipo p

Si Si Si

Banda Conducción
Nivel donador
Si P Si Zona prohibida

Banda Valencia
Si Si Si

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Proceso Tecnológico: Fabricación de

Circuitos Integrados (chips)

Diseño Producción de Máscaras Fotolitografía

http::www
http www..fullman
fullman..com
Procesado

Cortado Conexionado Encapsulado

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